KR20220026663A - 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이의 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 비표시영역에 깊이 방향으로 파여진 제1리세스를 구비한 제1절연층; 상기 비표시영역에서 상기 제1절연층의 상면에 배치되며, 상기 제1리세스의 제1측벽과 만나는 측벽을 구비한 유기패턴층; 및 상기 제1절연층 상에서 상기 표시영역과 중첩하도록 배치되며, 차례로 적층된 제1전극, 발광층, 및 제2전극을 포함하는 표시요소;를 포함하고, 상기 제1전극은 차례로 적층된 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하며, 상기 제1층은 티타늄(Ti), 질화티탄(TiN), 몰리브덴(Mo), 및 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
Description
본 발명의 실시예들은 개구 주변에 유기물을 레이저 리프트 오프 공법으로 제거한 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안으로 표시영역에 개구가 형성된 표시 장치의 연구가 계속되고 있다.
개구를 구비하는 표시 장치의 경우, 개구의 측면으로 수분 등의 이물이 침투할 수 있으며, 표시요소들을 손상시킬 수 있다. 본 발명은 상기와 같은 문제점 및 다른 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 개구를 통한 투습을 방지할 수 있는 구조의 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법을 제공한다. 그러나, 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이의 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되며, 상기 비표시영역에 깊이 방향으로 파여진 제1리세스를 구비한 제1절연층; 상기 비표시영역에서 상기 제1절연층의 상면에 배치되며, 상기 제1리세스의 제1측벽과 만나는 측벽을 구비한 유기패턴층; 및 상기 제1절연층 상에서 상기 표시영역과 중첩하도록 배치되며, 차례로 적층된 제1전극, 발광층, 및 제2전극을 포함하는 표시요소;를 포함하고, 상기 제1전극은 차례로 적층된 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하며, 상기 제1층은 티타늄(Ti), 질화티탄(TiN), 몰리브덴(Mo), 및 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소는, 상기 제1전극 및 상기 발광층 사이의 제1기능층, 및 상기 발광층 및 상기 제2전극 사이의 제2기능층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나와 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 제1측벽으로 연장되어 상기 제1리세스 내부에 배치되며, 각각 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제1투과홀 및 제2투과홀을 구비할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개구영역 및 상기 유기패턴층 사이에 배치되며, 상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층을 포함하는 패턴층;을 더 포함하고, 상기 제1절연층은 상기 제1리세스와 이격되며 깊이 방향으로 파여진 제2리세스를 더 구비하며, 상기 패턴층은 상기 제1리세스 및 상기 제2리세스 사이에 배치되고, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나는 상기 제1리세스에서 상기 제2리세스로 연장되어 상기 제2리세스 내부에 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 표시영역으로부터 상기 제1측벽으로 연장되어 상기 제1리세스 내부에 배치되는 캡핑층;을 더 포함하고, 상기 캡핑층은 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제3투과홀을 구비할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소를 덮으며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 더 포함하고, 상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 연장되어 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀과 중첩할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1절연층 및 상기 제1전극 사이에 배치되며, 상기 유기패턴층과 분리된 제2절연층;을 더 포함하고, 상기 유기패턴층은 상기 제2절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1층은 티타늄(Ti)을 포함하고, 상기 제1전극은 상기 제1층 하부에 질화티탄(TiN)을 포함하는 하부층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1리세스는 상기 유기패턴층보다 상기 개구영역에 가깝게 배치될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 개구영역과 중첩하는 컴포넌트;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이의 비표시영역을 포함하는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 제1절연층; 상기 제1절연층 상에 상기 표시영역과 중첩하도록 배치되며, 차례로 적층된 제1전극, 발광층, 및 제2전극을 포함하는 표시요소; 상기 표시요소를 덮으며 상기 표시영역에서 상기 비표시영역으로 연장되고, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층; 및 상기 비표시영역에 중첩하며, 상기 제1절연층 및 상기 봉지층 사이에 배치되는 중간패턴층;을 포함하고, 상기 제1전극 및 상기 중간패턴층은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함하는, 표시 장치를 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 표시요소는, 상기 제1전극 및 상기 발광층 사이의 제1기능층, 및 상기 발광층 및 상기 제2전극 사이의 제2기능층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나와 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 연장되며, 각각 상기 중간패턴층을 노출시키는 제1투과홀 및 제2투과홀을 구비할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예는, 비표시영역 및 표시영역을 포함하는 기판 및 상기 기판 상에 배치된 제1절연층을 포함하는 디스플레이 기판을 준비하는 단계; 상기 제1절연층 상에서 상기 표시영역과 중첩되는 제1전극을 형성하는 단계; 상기 제1절연층 상에서 상기 비표시영역과 중첩되는 희생패턴층을 상기 제1전극과 동시에 형성하는 단계; 상기 제1전극 및 상기 희생패턴층 상에 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 형성하는 단계; 및 상기 희생패턴층 상에 배치된 상기 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나 및 제2전극을 제거하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법을 개시한다.
일 실시예에 있어서, 상기 희생패턴층을 형성하는 단계는, 제1층, 제2층, 및 제3층을 차례로 형성하는 단계, 상기 제3층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2층 및 상기 제3층을 식각하는 단계, 및 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제1층을 식각하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1층이 식각되는 단계는, 상기 희생패턴층의 일 측벽과 만나는 일 측벽을 구비한 리세스를 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는, 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제1투과홀을 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나에 형성하는 단계 및 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제2투과홀을 상기 제2전극에 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층을 상기 제2전극 상에 형성하는 단계;를 더 포함하고, 상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀로 연장되어 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀과 중첩하게 형성될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는, 상기 희생패턴층에 레이저광을 조사하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 희생패턴층은 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하고, 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는, 상기 제2층 및 상기 제3층을 제거하여 상기 제1층의 상면을 노출시키는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 제1절연층 상에서 상기 비표시영역과 중첩되는 패턴층을 상기 제1전극과 동시에 형성하는 단계; 상기 패턴층 상에 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 형성하는 단계; 및 상기 패턴층 상에 배치된 상기 제2전극을 제거하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 있어서, 상기 패턴층 상에 배치된 상기 제2전극을 제거하는 단계는, 제1에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사하는 단계를 포함하며, 상기 희생패턴층 상에 배치된 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는, 상기 희생패턴층에 제2에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사하는 단계를 포함하고, 상기 제2에너지밀도는 상기 제1에너지밀도보다 클 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 일 실시예는, 개구 주변에 배치된 유기물층을 레이저 리프트 공법으로 제거하여, 표시요소들이 외부의 수분 또는 이물질에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7a는 도 6의 VII-VII'선에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드를 확대한 확대도이다.
도 9는 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 다른 실시예의 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 또 다른 실시예의 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 희생패턴층을 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 14, 도 15, 도 16a, 도 16b, 도 17, 및 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다.
도 7a는 도 6의 VII-VII'선에 따른 표시 패널의 개략적인 단면도이다.
도 7b는 도 7a의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드를 확대한 확대도이다.
도 9는 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 다른 실시예의 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 10은 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 또 다른 실시예의 표시 패널을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 희생패턴층을 제조하는 방법을 도시한 단면도이다.
도 14, 도 15, 도 16a, 도 16b, 도 17, 및 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
표시 장치는 화상을 표시하는 장치로서, 게임기, 멀티미디어기기, 초소형 PC와 같이 휴대가 가능한 전자 기기에 포함될 수 있다. 표시 장치는 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display), 전기영동 표시 장치(Electrophoretic Display), 유기 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Display), 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 전계 방출 표시 장치(Field Emission Display), 표면 전도 전자 방출 표시 장치(Surface-conduction Electron-emitter Display), 양자점 표시 장치(Quantum dot display), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display), 음극선관 표시 장치(Cathode Ray Display) 등을 포함할 수 있다. 이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 실시예들은 전술한 바와 같은 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 및 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA)은 빛을 방출할 수 있다. 표시영역(DA)에는 복수의 화소들이 배치될 수 있으며, 표시 장치(1)는 복수의 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 빛을 방출하지 않는다. 비표시영역(NDA)은 표시영역(DA)과 인접하게 배치될 수 있다.
개구영역(OA)은 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸일 수 있다. 일 실시예에서, 개구영역(OA)은 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸일 수 있다.
비표시영역(NDA)은 제1비표시영역(NDA1) 및 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다. 일 실시예에서, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 표시영역(DA)은 제1비표시영역(NDA1)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2는 도 1의 II-II'선에 대응될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 윈도우(20), 및 컴포넌트(30)를 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 이미지를 표시할 수 있다. 표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 화소들을 포함할 수 있다. 화소들은 표시요소 및 이와 연결된 화소회로를 포함할 수 있다. 표시요소는 유기발광다이오드, 무기발광다이오드, 또는 퀀텀 닷 발광다이오드 등을 포함할 수 있다. 이하에서는 표시요소가 유기발광다이오드를 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
표시 패널(10)은 기판(100) 및 기판(100) 상에 배치된 다층막을 포함할 수 있다. 이 때, 기판(100) 및/또는 다층막에 표시영역(DA), 제1비표시영역(NDA1), 개구영역(OA)을 정의할 수 있다. 예를 들어, 기판(100)은 표시영역(DA), 제1비표시영역(NDA1), 및 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 이하에서는, 기판(100)에 표시영역(DA), 제1비표시영역(NDA1), 및 개구영역(OA)이 정의되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 표시 패널(10)은 기판(100), 표시층(DSL), 봉지층(ENL), 터치센서층(TSL), 광학기능층(OFL)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 글라스이거나 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)은 전술한 고분자 수지를 포함하는 베이스층 및 배리어층(미도시)을 포함하는 다층 구조일 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 플렉서블, 롤러블, 벤더블 특성을 가질 수 있다.
표시층(DSL)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 표시층(DSL)은 복수의 화소회로들을 포함하는 화소회로층 및 복수의 표시요소들을 포함하는 표시요소층을 포함할 수 있다. 이 때, 복수의 화소회로들은 각각 복수의 표시요소들과 연결될 수 있다. 화소회로는 박막트랜지스터 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 따라서, 표시층(DSL)은 복수의 표시요소들, 복수의 박막트랜지스터들, 및 스토리지 커패시터들을 포함할 수 있다. 또한, 표시층(DSL)은 이들 사이에 개재된 절연층들을 더 포함할 수 있다.
봉지층(ENL)은 표시층(DSL) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(ENL)은 표시요소 상에 배치될 수 있으며, 표시요소를 덮을 수 있다. 일 실시예에서, 봉지층(ENL)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 무기봉지층은 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 징크산화물(ZnO), 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON) 중 하나 이상의 무기물을 포함할 수 있다. 적어도 하나의 유기봉지층은 폴리머(polymer) 계열의 물질을 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 적어도 하나의 유기봉지층은 아크릴레이트(acrylate)를 포함할 수 있다.
터치센서층(TSL)은 봉지층(ENL) 상에 배치될 수 있다. 터치센서층(TSL)은 외부의 입력, 예를 들어, 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 센싱할 수 있다. 터치센서층(TSL)은 센서전극 및 센서전극과 연결된 터치배선들을 포함할 수 있다. 터치센서층(TSL)은 자기 정전 용량 방식 또는 상호 정전 용량 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
터치센서층(TSL)은 봉지층(ENL) 상에 형성될 수 있다. 또는, 터치센서층(TSL)은 터치기판 상에 별도로 형성된 후, 광학 투명 접착제와 같은 점착층을 통해 봉지층(ENL) 상에 결합될 수 있다. 일 실시예에서, 터치센서층(TSL)은 봉지층(ENL) 바로 위에 직접 형성될 수 있으며, 이 경우, 점착층은 터치센서층(TSL)과 봉지층(ENL) 사이에 개재되지 않을 수 있다.
광학기능층(OFL)은 터치센서층(TSL) 상에 배치될 수 있다. 광학기능층(OFL)은 외부로부터 표시 장치(1)를 향해 입사하는 빛(외부광)의 반사율을 감소시킬 수 있고, 및/또는 표시 장치(1)에서 방출되는 빛의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 일 실시예로, 광학기능층(OFL)은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다. 위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자 역시 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층(OFL)은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 장치(1)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다. 컬러필터들 각각은 적색, 녹색, 또는 청색의 안료나 염료를 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 각각은 전술한 안료나 염료 외에 양자점을 더 포함할 수 있다. 또는, 컬러필터들 중 일부는 전술한 안료나 염료를 포함하지 않을 수 있으며, 산화티타늄과 같은 산란입자들을 포함할 수 있다.
다른 실시예로, 광학기능층(OFL)은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1반사층과 제2반사층을 포함할 있다. 제1반사층 및 제2반사층에서 각각 반사된 제1반사광과 제2반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
표시 패널(10)은 개구(10H)를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 기판(100)은 개구영역(OA)을 포함하고, 표시층(DSL), 봉지층(ENL), 터치센서층(TSL), 및 광학기능층(OFL)은 각각 제1개구 내지 제4개구를 포함할 수 있다. 개구영역(OA), 및 제1개구 내지 제4개구는 서로 중첩되어 표시 패널(10)의 개구(10H)를 형성할 수 있다. 다른 실시예에서, 기판(100), 표시층(DSL), 봉지층(ENL), 터치센서층(TSL), 및 광학기능층(OFL) 중 적어도 하나는 개구를 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어, 기판(100), 표시층(DSL), 봉지층(ENL), 터치센서층(TSL), 및 광학기능층(OFL) 중 선택된 어느 하나 또는 두 개의 구성요소는 개구를 포함하지 않을 수 있다.
커버 윈도우(20)는 표시 패널(10) 상에 배치될 수 있다. 커버 윈도우(20)는 표시 패널(10)을 보호할 수 있다. 커버 윈도우(20)는 유리, 사파이어, 및 플라스틱 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 커버 윈도우(20)는 예를 들어, 초박형 강화 유리(Ultra Thin Glass, UTG), 투명폴리이미드(Colorless Polyimide, CPI)일 수 있다.
컴포넌트(30)는 개구영역(OA)에 중첩할 수 있다. 컴포넌트(30)는 도 2에 실선으로 도시된 바와 같이, 표시 패널(10)의 개구(10H) 내에 위치하거나, 점선으로 도시된 바와 같이, 표시 패널(10)의 아래에 배치될 수 있다.
컴포넌트(30)는 전자요소를 포함할 수 있다. 컴포넌트(30)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 표시 패널(10)의 개구(10H)는 컴포넌트(30)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과부로 이해될 수 있다.
다른 실시예로, 표시 장치(1)가 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(30)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 표시 장치(1)가 시계 바늘이나 차량용 계기판을 포함하는 경우, 컴포넌트(30)가 윈도우(20)를 관통하여 외부로 노출될 수 있으며, 윈도우(20)는 표시 패널(10)의 개구(10H)에 중첩하는 개구를 포함할 수 있다.
컴포넌트(30)는 전술한 바와 같이 표시 패널(10)의 기능과 관계된 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널(10)을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소(P)를 개략적으로 나타낸 등가회로도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 및 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 이 때, 표시 패널(10)의 기판(100)에 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 및 개구영역(OA)을 정의할 수 있다. 즉, 기판(100)은 표시영역(DA), 비표시영역(NDA), 및 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 비표시영역(NDA)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역(DA)을 적어도 일부 둘러싸는 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 도 4에 도시된 바와 같이 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 표시요소로서, 유기발광다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 화소회로(PC)는 구동 박막트랜지스터(T1), 스위칭 박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드(OLED)를 통해 적색, 녹색, 청색, 또는 백석의 빛을 방출할 수 있다.
스위칭 박막트랜지스터(T2)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결되며, 스캔선(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압 또는 스위칭 신호에 따라 데이터선(DL)으로부터 입력된 데이터 전압 또는 데이터 신호를 구동 박막트랜지스터(T1)에 전달할 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 스위칭 박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 스위칭 박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장할 수 있다.
구동 박막트랜지스터(T1)는 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 제2전극은 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
다시 도 3을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않는 영역으로, 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호선들이 지나가거나 후술할 리세스(recess) 및 댐부가 배치될 수 있다.
제2비표시영역(NDA2)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 제1전원전압 및/또는 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 도 4에서는 데이터 드라이버(1200)가 기판(100)의 일 측변에 인접하게 배치된 것을 도시하나, 다른 실시예에서, 데이터 드라이버(1200)는 표시 패널(10)의 일 측에 배치된 패드와 전기적으로 접속된 FPCB(Flexible Printed Circuit Board) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 5는 제1비표시영역(NDA1)에 배치된 신호선들을 개략적으로 나타낸다.
도 5를 참조하면, 화소(P)는 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 화소(P)는 스캔선(SL) 및 데이터선(DL)에 연결될 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 배치될 수 있다.
화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상하로 이격될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격될 수 있다.
화소(P)들에 신호를 공급하는 신호선들 중 개구영역(OA)과 인접한 신호선들은 개구영역(OA)을 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터선들 중 일부 데이터선(DL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 위와 아래에 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 y 방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔선들 중 일부 스캔선(SL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 좌우에 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 x 방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도이다. 도 6은 제1비표시영역(NDA1)에 배치된 리세스(R, recess) 및 댐부(DP)를 나타낸다. 또한, 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역(DA)에 배치된 제2전극(213)을 나타낸다.
도 6을 참조하면, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 적어도 하나의 댐부(DP)가 배치될 수 있으며, 댐부(DP)와 개구영역(OA) 사이에는 리세스(R)가 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)는 복수의 댐부(DP)들 중 개구영역(OA)과 가장 가깝게 배치된 댐부(DP)의 일측에 배치될 수 있다. 본 명세서에서, 댐부(DP)는 기준면에 대해서 돌출된 구성을 의미한다. 리세스(R)는 상기 기준면에 대해 오목하게 파인 구성을 의미한다. 기준면은 기판 상에 배치된 절연층들 중 하나의 절연층의 상면이 될 수 있다. 예를 들어, 댐부(DP)는 기판 상에 배치된 절연층들 중 제1절연층의 상면으로부터 돌출된 구성일 수 있으며, 리세스(R)는 기판 상에 배치된 제1절연층의 깊이 방향으로 파여 형성된 구성일 수 있다.
리세스(R)와 개구영역(OA) 사이의 영역은 제2전극(213)과 유기물로 구비된 제1기능층 및 제2기능층이 제거되어, 개구영역(OA)을 통한 수분 등 외기의 침투를 방지할 수 있다. 즉, 제1기능층, 제2기능층, 및 제2전극(213)은 개구영역(OA) 및 개구영역(OA) 주변에 배치된 제1비표시영역(NDA1)의 일부를 노출시키는 투과홀(TAH)을 구비할 수 있다. 투과홀(TAH)은 리세스(R)와 개구영역(OA) 사이의 제1비표시영역(NDA1)을 노출할 수 있다.
리세스(R)는 제1기능층, 제2기능층, 및 제2전극(213)을 레이저 리프트 공법에 의해 제거하기 위해 도입된 구성일 수 있다. 이에 대해서는 후술하기로 한다.
일 실시예에서, 댐부(DP) 및 리세스(R)는 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 댐부(DP) 및 리세스(R) 각각의 직경은 개구영역(OA)의 직경보다 클 수 있다. 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 댐부(DP)와 리세스(R)는 서로 인접하게 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 댐부(DP)와 리세스(R)는 서로 만나게 배치될 수 있다.
도 7a는 도 6의 VII-VII'선에 따른 표시 패널(10)의 개략적인 단면도이다. 도 7b는 도 7a의 A 부분을 확대한 확대도이다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100), 표시층(DSL), 및 봉지층(ENL)을 포함할 수 있다. 표시층(DSL)은 화소회로층(PCL) 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 제1절연층(IL1), 제2절연층(IL2), 화소회로(PC), 및 데이터선(DL)을 포함할 수 있다. 표시요소층(DEL)은 유기발광다이오드(OLED), 화소정의막(118), 스페이서(119), 및 캡핑층(215)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시영역(DA), 제1비표시영역(NDA1), 및 개구영역(OA)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 표시영역(DA) 및 개구영역(OA) 사이에 배치될 수 있다.
기판(100)은 제1베이스층(100a), 제1배리어층(100b), 제2베이스층(100c), 및 제2배리어층(100d)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1베이스층(100a), 제1배리어층(100b), 제2베이스층(100c), 및 제2배리어층(100d)은 차례로 적층될 수 있다. 일 실시예에서, 제1베이스층(100a), 제1배리어층(100b), 제2베이스층(100c), 및 제2배리어층(100d)은 연속적으로 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1베이스층(100a), 제1배리어층(100b), 제2베이스층(100c), 및 제2배리어층(100d)은 표시영역(DA)으로부터 개구영역(OA)으로의 방향으로 연속적으로 배치될 수 있다.
제1베이스층(100a) 및 제2베이스층(100c) 중 적어도 하나는 폴리에테르술폰(polyethersulfone), 폴리아릴레이트(polyarylate), 폴리에테르 이미드(polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(polyethylene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다.
제1배리어층(100b) 및 제2배리어층(100d)은 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로, 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산화물(SiOX), 및/또는 실리콘산질화물(SiON)과 같은 무기물을 포함하는 단일 층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 표시층(DSL)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 표시층(DSL)의 제1절연층(IL1)은 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)을 포함할 수 있다. 제1절연층(IL1)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 표시영역(DA)에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 화소회로(PC)는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
버퍼층(111)은 기판(100) 상에 배치될 수 있다. 버퍼층(111)은 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON) 및 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 전술한 무기 절연물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act)을 포함할 수 있으며, 반도체층(Act)은 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 비정질(amorphous) 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 반도체층(Act)은 채널영역 및 채널영역의 양측에 각각 배치된 드레인영역 및 소스영역을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 채널영역과 중첩할 수 있다.
게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이의 제1게이트절연층(112)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO)등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113)은 게이트전극(GE)을 덮도록 구비될 수 있다. 제2게이트절연층(113)은 상기 제1게이트절연층(112)과 유사하게 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO) 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다.
제2게이트절연층(113) 상부에는 스토리지 커패시터(Cst)의 상부 전극(CE2)이 배치될 수 있다. 상부 전극(CE2)은 그 아래의 게이트전극(GE)과 중첩할 수 있다. 이 때, 제2게이트절연층(113)을 사이에 두고 중첩하는 게이트전극(GE) 및 상부 전극(CE2)은 스토리지 커패시터(Cst)를 형성할 수 있다. 즉, 게이트전극(GE)은 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)으로 기능할 수 있다.
이와 같이, 스토리지 커패시터(Cst)와 박막트랜지스터(TFT)가 중첩되어 형성될 수 있다. 일부 실시예에서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩되지 않도록 형성될 수도 있다.
상부 전극(CE2)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 및/또는 구리(Cu)를 포함할 수 있으며, 전술한 물질의 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간절연층(114)은 상부 전극(CE2)을 덮을 수 있다. 층간절연층(114)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNX), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 징크산화물(ZnO) 등을 포함할 수 있다. 층간절연층(114)은 전술한 무기 절연물을 포함하는 단일층 또는 다층일 수 있다.
드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 층간절연층(114) 상에 위치할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 각각 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)에 구비된 컨택홀을 통해 반도체층(Act)과 연결될 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
제2절연층(IL2)은 제1절연층(IL1) 상에 배치될 수 있다. 제2절연층(IL2)은 제1유기절연층(115) 및 제2유기절연층(116)을 포함할 수 있다. 제1유기절연층(115)은 드레인전극(DE) 및 소스전극(SE)을 덮으며 배치될 수 있다. 제1유기절연층(115)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
연결전극(CM)은 제1유기절연층(115) 상에 배치될 수 있다. 이 때, 연결전극(CM)은 제1유기절연층(115)의 컨택홀을 통해 드레인전극(DE) 또는 소스전극(SE)과 연결될 수 있다. 연결전극(CM)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 연결전극(CM)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 연결전극(CM)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조를 가질 수 있다.
제2유기절연층(116)은 연결전극(CM)을 덮으며 배치될 수 있다. 제2유기절연층(116)은 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자, 및 이들의 블렌드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 제2유기절연층(116) 상에 배치될 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 적색, 녹색, 또는 청색 빛을 방출하거나, 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(211), 중간층(212), 및 제2전극(213)을 포함할 수 있다. 제1전극(211)은 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극일 수 있고, 제2전극(213)은 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극일 수 있다.
제1전극(211)은 제2유기절연층(116) 상에 배치될 수 있다. 제1전극(211)은 제2유기절연층(116)의 컨택홀을 통해 연결전극(CM)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1전극(211)은 차례로 적층된 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(L1)의 반사율은 제2층(L2)의 반사율보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제1층(L1)은 제2층(L2)보다 적외선 반사율이 낮은 물질을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄질화물(TiN)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘(a-Si)에 첨가되는 도펀트는 보론(B), 인(P), 질소(N), 니켈(Ni), 코발트(Co), 및 플루오르(F) 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서, 제2층(L2)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3층(L3)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
제1전극(211) 상에는 제1전극(211)의 중앙부를 노출하는 개구(118OP)를 구비한 화소정의막(118)이 배치될 수 있다. 화소정의막(118)은 유기절연물 및/또는 무기절연물을 포함할 수 있다. 화소정의막(118)의 개구(118OP)는 유기발광다이오드(OLED)에서 방출되는 빛의 발광영역을 정의할 수 있다. 예를 들어, 개구(118OP)의 폭이 발광영역의 폭에 해당할 수 있다.
화소정의막(118) 상에는 스페이서(119)가 배치될 수 있다. 스페이서(119)는 폴리이미드와 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는, 스페이서(119)는 실리콘질화물(SiNX)나 실리콘산화물(SiO2)과 같은 무기 절연물을 포함하거나, 유기절연물 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 스페이서(119)는 화소정의막(118)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 또는 다른 실시예에서, 스페이서(119)는 화소정의막(118)과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 이 경우 화소정의막(118)과 스페이서(119)는 하프톤 마스크 등을 이용한 마스크 공정에서 함께 형성될 수 있다.
화소정의막(118) 상에는 중간층(212)이 배치될 수 있다. 중간층(212)은 화소정의막(118)의 개구(118OP)에 배치된 발광층(212b)을 포함할 수 있다. 발광층(212b)은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다.
중간층(212)은 제1전극(211) 및 발광층(212b) 사이의 제1기능층(212a), 및 발광층(212b) 및 제2전극(213) 사이의 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1전극(211) 및 발광층(212b) 사이에는 제1기능층(212a)이 배치될 수 있으며, 발광층(212b) 및 제2전극(213) 사이에는 제2기능층(212c)이 생략될 수 있다. 다른 예로, 제1전극(211) 및 발광층(212b) 사이의 제1기능층(212a)은 생략되고, 발광층(212b) 및 제2전극(213) 사이에는 제2기능층(212c)이 배치될 수 있다. 또 다른 예로, 제1전극(211) 및 발광층(212b) 사이에는 제1기능층(212a)이 배치되고, 발광층(212b) 및 제2전극(213) 사이에는 제2기능층(212c)이 배치될 수 있다. 이하에서는, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c)이 각각 배치되는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1기능층(212a)은 예컨대, 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)을 포함하거나, 홀 수송층 및 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제2기능층(212c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 제1기능층(212a) 및/또는 제2기능층(212c)은 후술할 제2전극(213)과 마찬가지로 기판(100)을 전체적으로 커버하도록 형성되는 공통층일 수 있다.
제2전극(213)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2전극(213)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 제2전극(213)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제2전극(213) 상에 캡핑층(215)이 더 배치될 수 있다. 캡핑층(215)은 LiF, 무기물, 또는/및 유기물을 포함할 수 있다.
제1비표시영역(NDA1)은 제1서브비표시영역(SNDA1) 및 제2서브비표시영역(SNDA2)을 포함할 수 있다. 제1서브비표시영역(SNDA1)은 제2서브비표시영역(SNDA2)보다 개구영역(OA)으로부터 멀리 배치될 수 있다. 즉, 제2서브비표시영역(SNDA2)은 제1서브비표시영역(SNDA1) 및 개구영역(OA) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제2유기절연층(116)은 제1서브비표시영역(SNDA1) 상에서 제1유기절연층(115)의 측면을 덮을 수 있다. 다른 실시예에서, 제2유기절연층(116)은 제1서브비표시영역(SNDA1) 상에서 제1유기절연층(115)의 측면을 노출시킬 수 있다. 이하에서는 도 7a에 도시된 바와 같이 제2유기절연층(116)이 제1서브비표시영역(SNDA1) 상에서 제1유기절연층(115)의 측면을 덮는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
일 실시예에서, 화소정의막(118)은 제2유기절연층(116)의 측면을 덮을 수 있다. 다른 실시예에서, 화소정의막(118)은 제2유기절연층(116)의 측면을 노출시킬 수 있다. 이하에서는 도 7a에 도시된 바와 같이 화소정의막(118)이 제2유기절연층(116)의 측면을 덮는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
제1서브비표시영역(SNDA1) 상에는 신호선들, 예를 들어, 도 5를 참조하여 설명한 데이터선(DL)이 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 데이터선(DL)은 제1절연층(IL1) 및 제1유기절연층(115) 사이 및/또는 제1유기절연층(115) 및 제2유기절연층(116) 사이에 배치될 수 있다. 이와 같이 데이터선(DL)들이 서로 다른 층에 배치되는 경우, 제1비표시영역(NDA1)의 폭을 줄일 수 있다. 도 7a는 제1서브비표시영역(SNDA1)에 데이터선(DL)이 배치된 것을 나타내고 있으나, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 스캔선도 제1서브비표시영역(SNDA1)에 배치될 수 있다.
댐부(DP)는 복수의 층이 적층되어 구비될 수 있다. 일 실시예에서, 댐부(DP)는 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 댐부(DP)는 층간절연층(114)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 일 실시예에서, 댐부(DP)는 유기패턴층(116A), 제1상부유기패턴층(118A), 및 제2상부유기패턴층(119A)을 포함할 수 있다. 유기패턴층(116A)은 제2절연층(IL2)과 분리되어 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 유기패턴층(116A)은 제2절연층(IL2)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 유기패턴층(116A)은 제2유기절연층(116)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 예로, 유기패턴층(116A)은 제1유기절연층(115)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 유기패턴층(116A)은 제1유기패턴층 및 제1유기패턴층 상에 배치된 제2유기패턴층을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 상기 제1유기패턴층은 제1유기절연층(115)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 상기 제2유기패턴층은 제2유기절연층(116)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제1상부유기패턴층(118A)은 유기패턴층(116A) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1상부유기패턴층(118A)은 유기패턴층(116A)의 상면에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제1상부유기패턴층(118A)은 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)을 노출시킬 수 있다. 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)은 유기패턴층(116A)의 측면을 의미한다. 다른 실시예에서, 제1상부유기패턴층(118A)은 유기패턴층(116A)의 상면 및 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)을 덮을 수 있다. 제1상부유기패턴층(118A)은 화소정의막(118)과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
제2상부유기패턴층(119A)은 제1상부유기패턴층(118A) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2상부유기패턴층(119A)은 제1상부유기패턴층(117A)의 상면에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 제2상부유기패턴층(119A)은 제1상부유기패턴층(118A)의 측벽 및 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)을 노출시킬 수 있다. 여기서 제1상부유기패턴층(118A)의 측벽은 제1상부유기패턴층(118A)의 측면을 의미한다. 다른 실시예에서, 제2상부유기패턴층(119A)은 제1상부유기패턴층(118A)의 측벽을 덮을 수 있다.
제2서브비표시영역(SNDA2) 상에서 제1절연층(IL1)은 제1절연층(IL1)의 깊이 방향으로 파여진 리세스(R)를 구비할 수 있다. 또는, 리세스(R)는 제1절연층(IL1)에서 기판(100)의 깊이 방향으로 파여질 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)는 층간절연층(114)에 구비될 수 있다. 리세스(R)는 서로 연결된 바닥면, 제1측벽(RW1), 및 제2측벽(RW2)으로 정의될 수 있다. 상기 바닥면은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)보다 하부에 배치된 면이다. 제1측벽(RW1) 및 제2측벽(RW2)은 각각 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 및 바닥면을 연결시킬 수 있다. 제1측벽(RW1) 및 제2측벽(RW2)은 제1절연층(IL1)의 서로 마주보는 면일 수 있다. 제1측벽(RW1)은 제2측벽(RW2)보다 표시영역(DA)에 가깝게 배치될 수 있다.
리세스(R)는 댐부(DP)보다 개구영역(OA)에 가깝게 배치될 수 있다. 즉, 리세스(R)는 개구영역(OA) 및 댐부(DP) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)는 유기패턴층(116A)보다 개구영역(OA)에 가깝게 배치될 수 있다. 즉, 리세스(R)는 개구영역(OA)과 유기패턴층(116A) 사이에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1절연층(IL1)은 적어도 하나의 리세스(R)를 구비할 수 있다. 예를 들어, 제1절연층(IL1)은 하나의 리세스(R)를 구비할 수 있다. 다른 예로, 제1절연층(IL1)은 복수의 리세스(R)들을 구비할 수 있다.
리세스(R)와 댐부(DP)는 인접할 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)의 제1측벽(RW1)은 댐부(DP)와 만날 수 있다. 즉, 리세스(R)의 제1측벽(RW1)과 댐부(DP)는 연속적으로 배치될 수 있다. 구체적으로, 리세스(R)의 제1측벽(RW1)은 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)과 만날 수 있다. 예를 들어, 리세스(R)의 제1측벽(RW1) 및 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)은 연속적으로 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)의 제1측벽(RW1) 및 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)은 서로 교차하거나, 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1절연층(IL1)은 리세스(R)와 유사한 중간리세스(MR)를 구비할 수 있다. 중간리세스(MR)은 제1절연층(IL1)의 깊이 방향으로 파여질 수 있다. 일 실시예에서, 중간리세스(MR)는 층간절연층(114)에 구비될 수 있다. 중간리세스(MR)는 유기패턴층(116A) 및 제2절연층(IL2) 사이에 배치될 수 있다.
중간리세스(MR)는 서로 연결된 바닥면, 제1중간측벽(MRW1), 및 제2중간측벽(MRW2)으로 정의될 수 있다. 상기 바닥면은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)보다 하부에 배치된 면이다. 제1중간측벽(MRW1) 및 제2중간측벽(MRW2)은 각각 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 및 바닥면을 연결시킬 수 있다. 제1중간측벽(MRW1) 및 제2중간측벽(MRW2)은 제1절연층(IL1)의 서로 마주보는 면일 수 있다. 제2중간측벽(MRW2)은 제1중간측벽(MRW1)보다 표시영역(DA)에 가깝게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1중간측벽(MRW1)은 유기패턴층(116A)의 내측벽(116AW-1)과 만날 수 있다. 유기패턴층(116A)의 내측벽(116AW-1)은 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)과 반대되며, 표시영역(DA)을 마주볼 수 있다. 일 실시예에서, 제2중간측벽(MRW2)은 제2유기절연층(116)의 측면과 만날 수 있다. 일 실시예에서, 화소정의막(118)은 제2중간측벽(MRW2)을 덮을 수 있다.
제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 표시영역(DA)으로부터 제1비표시영역(NDA1)으로 연장될 수 있다. 일 실시예에서, 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 댐부(DP)를 덮을 수 있으며, 리세스(R)의 제1측벽(RW1)으로 연장될 수 있다. 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 리세스(R)의 내부에 배치될 수 있다.
제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 리세스(R)의 제2측벽(RW2)에서 단절될 수 있다. 일 실시예에서, 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 투과홀(TAH)을 구비할 수 있다. 구체적으로, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제1투과홀(TAH1)을 구비할 수 있다. 제2전극(213)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제2투과홀(TAH2)을 구비할 수 있다. 캡핑층(215)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제3투과홀(TAH3)을 구비할 수 있다.
투과홀(TAH)의 면적은 개구영역(OA)의 면적보다 클 수 있다. 투과홀(TAH)의 끝단은 댐부(DP)가 배치되지 않는 리세스(R)의 끝단에 배치될 수 있다. 만일, 유기물을 포함하는 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 하나가 제1비표시영역(NDA1)에 전체적으로 형성되어 개구영역(OA)까지 연장된다면, 유기물층의 특성상 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c)을 통해 수분이 표시영역(DA)에 배치된 유기발광다이오드(OLED)를 향해 침투할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예는 리세스(R)를 기준으로 제1투과홀(TAH1)을 형성하여, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나에 의해 유기발광다이오드(OLED)로 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
봉지층(ENL)은 유기발광다이오드(OLED)를 덮을 수 있다. 봉지층(ENL)은 제2전극(213) 및/또는 캡핑층(215) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 봉지층(ENL)은 적어도 하나의 무기봉지층 및 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 도 7a은 봉지층(ENL)이 순차적으로 적층된 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320) 및 제2무기봉지층(330)을 포함하는 것을 도시한다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 표시영역(DA)으로부터 제1비표시영역(NDA1)으로 연장될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 전체적으로 그리고 연속적으로 제1비표시영역(NDA1)에 배치될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 댐부(DP)로 연장될 수 있으며, 댐부(DP)의 상면에서 서로 컨택될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 리세스(R)의 제1측벽(RW1) 및 리세스(R)의 제2측벽(RW2)을 덮을 수 있으며, 리세스(R)로부터 개구영역(OA)으로 연장될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 투과홀(TAH)과 중첩할 수 있다. 구체적으로, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제1투과홀(TAH1), 제2투과홀(TAH2), 및 제3투과홀(TAH3)과 중첩할 수 있다. 이러한 경우, 제1무기봉지층(310)은 개구영역(OA)과 인접한 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)과 컨택될 수 있다. 일 실시예에서, 제1무기봉지층(310)은 층간절연층(114)과 컨택할 수 있다. 따라서, 리세스(R)와 개구영역(OA) 사이의 영역에서는 유기물층이 배치되지 않아 수분이 표시영역(DA)에 배치된 유기발광다이오드(OLED)를 향해 침투하는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
유기봉지층(320)은 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있다. 모노머의 흐름은 댐부(DP)에 의해 제어될 수 있다. 즉, 유기봉지층(320)의 단부는 댐부(DP)의 일측에 위치할 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기발광다이오드(OLED)를 확대한 확대도이다. 도 8a 및 도 8b에 있어서, 도 7a 및 도 7b와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하므로 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 8a를 참조하면, 유기발광다이오드(OLED)는 제1전극(211), 중간층(212), 및 제2전극(213)을 포함할 수 있다. 중간층(212)은 발광층(212b)을 포함할 수 있으며, 제1전극(211) 및 발광층(212b) 사이에는 제1기능층(212a)이 배치될 수 있다. 발광층(212b) 및 제2전극(213) 사이에는 제2기능층(212c)이 배치될 수 있다.
제1전극(211)은 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 이러한 경우, 제1전극(211)은 제1층(L1) 하부에 하부층(LL)을 더 포함할 수 있으며, 제1전극(211)은 4중층으로 구비될 수 있다. 하부층(LL)은 질화티탄(TiN)을 포함할 수 있다. 하부층(LL)은 제1층(L1)이 산화되는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다. 구체적으로, 제2유기절연층(116)을 통해 수분 또는 산소가 제1층(L1)으로 공급될 수 있다. 이러한 경우, 제1층(L1)의 티타늄(Ti)은 산화되어 티타늄산화물(TiOX)이 될 수 있다. 본 실시예에서, 하부층(LL)은 질화티탄(TiN)을 포함하므로, 제1층(L1)이 산화되는 것을 방지 또는 감소할 수 있다.
도 8b를 참조하면, 제1전극(211)은 제1층(L1) 및 제2층(L2) 사이에 배치된 중간층(ML)을 더 포함할 수 있다. 이러한 경우, 제1전극(211)은 5중층으로 구비될 수 있다. 중간층(ML)은 제3층(L3)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간층(ML)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 하부층(LL)은 생략될 수 있다. 이러한 경우, 제1전극(211)은 제1층(L1), 중간층(ML), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있으며, 4중층으로 구비될 수 있다.
도 9는 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 다른 실시예의 표시 패널(10)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 9에 있어서, 도 7a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100), 화소회로층(PCL), 표시요소층(DEL), 및 봉지층(ENL)을 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 화소회로(PC), 제1절연층(IL1), 및 제2절연층(IL2)을 포함할 수 있다. 제1절연층(IL1)은 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 버퍼층(111)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에서 전체적으로 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)은 제1비표시영역(NDA1)에서 무기절연층개구부(ILOP)를 구비할 수 있다. 이러한 경우, 버퍼층(111)은 무기절연층개구부(ILOP)에 의해 제1비표시영역(NDA1)에서 노출될 수 있다.
댐부(DP)는 복수의 층이 적층되어 구비될 수 있다. 일 실시예에서, 댐부(DP)는 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS-1)으로부터 돌출될 수 있다. 예를 들어, 댐부(DP)는 버퍼층(111)의 상면으로부터 돌출될 수 있다. 즉, 댐부(DP)는 무기절연층개구부(ILOP)에 의해 노출된 버퍼층(111) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 댐부(DP)는 버퍼층(111) 상에 배치된 유기패턴층(116A), 제1상부유기패턴층(118A), 및 제2상부유기패턴층(119A)을 포함할 수 있다.
제2서브비표시영역(SNDA2) 상에서 제1절연층(IL1)은 제1절연층(IL1)의 깊이 방향으로 파여진 리세스(R)를 구비할 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)는 버퍼층(111)에 구비될 수 있다. 리세스(R)는 바닥면, 제1측벽(RW1-1), 및 제2측벽(RW2-1)으로 정의될 수 있다. 상기 바닥면은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS-1)보다 하부에 위치한 면일 수 있다. 제1측벽(RW1-1) 및 제2측벽(RW2-1)은 각각 바닥면과 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS-1)을 연결시킬 수 있다. 제1측벽(RW1-1) 및 제2측벽(RW2-1)은 제1절연층(IL1)의 서로 마주보는 면일 수 있다. 제1측벽(RW1-1)은 제2측벽(RW2-1)보다 표시영역(DA)에 가깝게 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 제1절연층(IL1)은 리세스(R)와 유사한 중간리세스(MR)를 구비할 수 있다. 중간리세스(MR)는 제1절연층(IL1)의 깊이 방향으로 파여질 수 있다. 일 실시예에서, 중간리세스(MR)는 버퍼층(111)에 구비될 수 있다.
중간리세스(MR)는 서로 연결된 바닥면, 제1중간측벽(MRW1-1), 및 제2중간측벽(MRW2-1)으로 정의될 수 있다. 상기 바닥면은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)보다 하부에 배치된 면이다. 제1중간측벽(MRW1-1) 및 제2중간측벽(MRW2-1)은 각각 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 및 바닥면을 연결시킬 수 있다. 제1중간측벽(MRW1-1) 및 제2중간측벽(MRW2-1)은 제1절연층(IL1)의 서로 마주보는 면일 수 있다. 제2중간측벽(MRW2-1)은 제1중간측벽(MRW1-1)보다 표시영역(DA)에 가깝게 배치될 수 있다.
도 10은 도 6의 VII-VII'선에 따른 본 발명의 또 다른 실시예의 표시 패널(10)을 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 10에 있어서, 도 7a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 10을 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100), 표시층(DSL), 및 봉지층(ENL)을 포함할 수 있다. 표시층(DSL)은 화소회로층(PCL) 및 표시요소층(DEL)을 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 화소회로(PC), 제1절연층(IL1), 및 제2절연층(IL2)을 포함할 수 있다.
제1비표시영역(NDA1) 상에서, 제1절연층(IL1) 및 봉지층(ENL) 사이에 중간패턴층(211A-1)이 배치될 수 있다. 중간패턴층(211A-1)은 제1절연층(IL1) 및 제1무기봉지층(310) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 중간패턴층(211A-1)은 제1무기봉지층(310)과 직접 컨택할 수 있다. 중간패턴층(211A-1)은 개구영역(OA)과 리세스(R) 사이에서 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)에 배치될 수 있다. 중간패턴층(211A-1)의 측면은 리세스(R)의 제2측벽(RW2)과 만날 수 있다.
중간패턴층(211A-1)은 투과홀(TAH)에 의해 노출될 수 있다. 일 실시예에서, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 중간패턴층(211A-1)을 노출시키는 제1투과홀(TAH1)을 구비할 수 있다. 제2전극(213)은 중간패턴층(211A-1)을 노출시키는 제2투과홀(TAH2)을 구비할 수 있다. 캡핑층(215)은 중간패턴층(211A-1)을 노출시키는 제3투과홀(TAH3)을 구비할 수 있다.
중간패턴층(211A-1)은 제1전극(211)의 제1층(L1)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중간패턴층(211A-1)은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘(a-Si)에 첨가되는 도펀트는 보론(B), 인(P), 질소(N), 니켈(Ni), 코발트(Co), 및 플루오르(F) 중 어느 하나일 수 있다. 이러한 경우, 중간패턴층(211A-1)은 제1전극(211)의 제1층(L1)이 형성될 때 동시에 형성될 수 있다.
표시 패널(10)을 제조할 때, 중간패턴층(211A-1) 상에 형성되는 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)을 제거할 수 있다. 구체적으로, 레이저 리프트 오프 공법으로 중간패턴층(211A-1)이 배치된 영역에 레이저를 조사하면, 중간패턴층(211A-1) 상에 형성된 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)이 제거될 수 있다. 따라서, 중간패턴층(211A-1)을 노출시키는 투과홀(TAH)이 형성될 수 있으며, 투과홀(TAH)에 배치된 제1무기봉지층(310) 및 중간패턴층(211A-1)은 유기발광다이오드(OLED)로 수분이나 이물질이 침투하는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다. 도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 희생패턴층(211A)을 제조하는 방법을 도시한 단면도이다. 도 14, 도 15, 도 16a, 도 16b, 도 17, 및 도 18은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 도시한 단면도이다.
도 11을 참조하면, 디스플레이 기판(DS)을 준비할 수 있다. 디스플레이 기판(DS)은 기판(100) 및 화소회로층(PCL)을 포함할 수 있다. 화소회로층(PCL)은 데이터선(DL), 화소회로(PC), 제1절연층(IL1) 및 제2절연층(IL2)을 포함할 수 있다. 제1절연층(IL1)은 버퍼층(111), 제1게이트절연층(112), 제2게이트절연층(113), 및 층간절연층(114)을 포함할 수 있다. 제2절연층(IL2)은 제1유기절연층(115) 및 제2유기절연층(116)을 포함할 수 있다.
기판(100)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)을 포함할 수 있다. 표시영역(DA) 상에는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 유기패턴층(116A)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)에 배치될 수 있다.
도 12를 참조하면, 제1절연층(IL1) 상에 표시영역(DA)과 중첩하는 제1전극(211)이 형성될 수 있다. 또한, 제1절연층(IL1) 상에 제1비표시영역(NDA1)과 중첩되는 희생패턴층(211A)을 제1전극(211)과 동시에 형성할 수 있다. 따라서, 희생패턴층(211A)은 마스크 공정의 추가 없이 형성될 수 있다.
리세스(R)는 제1절연층(IL1)의 깊이 방향으로 오목하게 형성될 수 있다. 리세스(R)는 희생패턴층(211A) 및 유기패턴층(116A) 사이에 형성될 수 있다. 이하 도 13a 내지 도 13e를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 13a를 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)에 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)이 차례로 형성될 수 있다. 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)은 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역에 전체적으로 그리고 연속적으로 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄질화물(TiN)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘(a-Si)에 첨가되는 도펀트는 보론(B), 인(P), 질소(N), 니켈(Ni), 코발트(Co), 및 플루오르(F) 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서, 제2층(L2)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3층(L3)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1층(L1) 하부에 질화티탄(TiN)을 포함하는 하부층(LL, 도 8a 참조)을 더 형성할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(L1) 및 제2층(L2) 사이에 도전성 산화물을 포함하는 중간층(ML, 도 8b 참조)을 더 형성할 수 있다. 이하에서는, 제1비표시영역(NDA1)에 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
도 13b 및 도 13c를 참조하면, 제3층(L3) 상에 포토레지스트 패턴(PR)을 형성할 수 있다. 먼저, 포토레지스트층이 제3층(L3) 상에 형성될 수 있다. 포토레지스트층은 포지티브(Positive)형 또는 네거티브(Negative)형 중 어느 하나로 선택되어 제3층(L3) 상에 형성될 수 있다. 포지티브형의 포토레지스트층은 노광(Light exposure)된 영역이 이후 현상(Develop) 과정에서 식각되며, 반대로 네거티브형의 포토레지스트층은 노광된 영역을 제외한 나머지 영역이 식각되는 특성이 있다. 이하에서는, 포토레지스트층이 포지티브형인 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
포토레지스트층은 포토레지스트액(미도시)을 제3층(L3) 상에 스핀 코팅(Spin-coating), 슬릿 코팅(Slit-coating), 스프레이, 또는 담금 등의 다양한 방법으로 도포함으로써 형성될 수 있다.
또한, 포토레지스트층이 제3층(L3) 상면에 도포되기 전에 포토레지스트층이 도포될 제3층(L3)의 상면을 연마(Polishing)하는 공정을 추가적으로 실시할 수 있다.
그 다음, 포토레지스트층을 노광할 수 있다. 이 때, 포토레지스트층의 적어도 일부가 노광될 수 있다. 예를 들어, 포토 마스크를 사용하는 경우, 포토레지스트층 중 포토 마스크의 개구부와 중첩되는 영역이 노광될 수 있다.
그 다음, 포토레지스트층의 일부는 현상 공정을 통해 제거될 수 있다. 따라서, 제3층(L3) 상에 포토레지스트 패턴(PR)이 형성될 수 있다.
그 다음, 포토레지스트 패턴(PR)을 마스크로 하여 제2층(L2) 및 제3층(L3)을 식각할 수 있다. 따라서, 제2층(L2) 및 제3층(L3)은 각각 포토레지스트 패턴(PR)과 중첩되는 제2층(L2) 및 제3층(L3)을 제외하고 식각될 수 잇다. 일 실시예에서, 제2층(L2) 및 제3층(L3)은 습식 식각(wet etching)될 수 있다.
도 13d를 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR)을 마스크로 하여 제1층(L1)을 식각할 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(L1)은 습식 식각(wet etching)될 수 있다. 예를 들어, 제1층(L1)이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우, 제1층(L1)은 염화암모늄(NH4F) 및 염화수소(HF)를 사용하여 습식 식각될 수 있다.
일 실시예에서, 제2층(L2)은 건식 식각(dry etching)될 수 있다. 예를 들어, 제1층(L1)이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우, 제1층(L1)은 사염화탄소(CF4) 및 산소(O2)를 사용하여 건식 식각될 수 있다. 따라서, 제1비표시영역(NDA1)과 중첩되는 희생패턴층(211A)이 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 제1층(L1)이 식각될 때, 리세스(R)가 형성될 수 있다. 리세스(R)는 희생패턴층(211A)의 제1층(L1)을 식각할 때, 오버 에칭하여 형성될 수 있다. 리세스(R)는 희생패턴층(211A) 주변에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 리세스(R)는 제1절연층(IL1)의 일부가 제거되어 형성될 수 있다.
리세스(R)는 바닥면, 제1측벽(RW1), 및 제2측벽(RW2)으로 정의될 수 있다. 리세스(R)의 제1측벽(RW1)은 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)과 만날 수 있다. 리세스(R)의 제2측벽(RW2)은 희생패턴층(211A)의 측벽(211AW)과 만날 수 있다. 이러한 리세스(R)는 후술할 유기물층의 단절을 용이하게 하기 위한 구성일 수 있다.
그 다음, 도 13d 및 도 13e를 참조하면, 포토레지스트 패턴(PR)을 현상 공정으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 희생패턴층(211A)의 상면(211AUS)이 외부로 노출될 수 있다. 제1전극은 희생패턴층(211A)이 형성되는 방법과 유사한 방법으로 형성될 수 있으며, 제1전극 및 희생패턴층(211A)은 동시에 형성될 수 있다.
중간리세스(MR)는 리세스(R)와 유사하게 제1절연층(IL1)을 오버 에칭하여 형성될 수 있다. 중간리세스(MR)는 제1유기패턴층(116A) 및 제2유기절연층(116) 사이에 형성될 수 있다.
중간리세스(MR)는 서로 연결된 바닥면, 제1중간측벽(MRW1), 및 제2중간측벽(MRW2)으로 정의될 수 있다. 일 실시예에서, 제1중간측벽(MRW1)은 유기패턴층(116A)의 내측벽(116AW-1)과 만날 수 있다. 일 실시예에서, 제2중간측벽(MRW2)은 제2유기절연층(116)의 측면과 만날 수 있다.
도 14를 참조하면, 제1전극(211) 상에는 제1전극(211)의 중앙부를 노출하는 개구(118OP)를 구비한 화소정의막(118)이 형성될 수 있으며, 화소정의막(118) 상에는 스페이서(119)가 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 화소정의막(118)은 제2중간측벽(MRW2)을 덮을 수 있다.
제1상부유기패턴층(118A) 및 제2상부유기패턴층(119A)은 유기패턴층(116A) 상에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1상부유기패턴층(118A)은 화소정의막(118)과 동시에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제1상부유기패턴층(118A) 및 화소정의막(118)이 유기물질을 포함하는 경우, 제1상부유기패턴층(118A) 및 화소정의막(118)은 유기물질을 기판(100) 전면에 도포하고 광 경화 공정 및 패터닝 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제1상부유기패턴층(118A)은 화소정의막(118)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제2상부유기패턴층(119A)은 스페이서(119)와 동시에 형성될 수 있다. 제2상부유기패턴층(119A) 및 스페이서(119)가 유기물질을 포함하는 경우, 제2상부유기패턴층(119A) 및 스페이서(119)는 유기물질을 기판(100) 전면에 도포하고 광 경화 공정 및 패터닝 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 경우, 제2상부유기패턴층(119A)은 스페이서(119)와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 하나와 제2전극(213)을 형성할 수 있다. 구체적으로, 제1기능층(212a), 발광층(212b), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)을 순차적으로 기판(100) 전면에 형성할 수 있다. 발광층(212b)은 제1전극(211)에 중첩할 수 있다. 희생패턴층(211A) 상에는 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)이 순차 적층될 수 있다.
그 다음, 희생패턴층(211A) 상에 배치된 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 하나와 제2전극(213)을 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 희생패턴층(211A)에 레이저광을 조사할 수 있다. 구체적으로, 기판(100)의 하면에서 희생패턴층(211A)에 레이저광을 조사할 수 있다. 레이저광은 기판(100)의 하면에서 기판(100)의 두께 방향으로 진행하여 희생패턴층(211A)의 하면에 조사될 수 있다. 레이저 광은 적외선 파장을 가질 수 있다. 레이저 광이 적외선인 경우 기판(100), 및 제1절연층(IL1)에 대한 투과율은 80 % ~ 90% 이상이므로, 레이저광은 효율적으로 희생패턴층(211A)에 도달할 수 있다.
희생패턴층(211A)은 불투명의 금속을 포함하므로, 레이저광을 흡수할 수 있다. 일 실시예에서, 희생패턴층(211A)의 적어도 일부는 열 팽창되어 제1절연층(IL1)으로부터 박리(lift-off)될 수 있다.
도 15 및 도 16a를 참조하면, 희생패턴층(211A)의 제1층(L1)이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우, 희생패턴층(211A)은 제1절연층(IL1)으로부터 박리될 수 있다. 일 실시예에서, 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)은 제1절연층(IL1)으로부터 박리될 수 있다. 이 때, 제3층(L3) 상에 배치된 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 희생패턴층(211A)과 함께 박리될 수 있다. 이에 따라, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c)에 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 중 일부를 노출시키는 제1투과홀(TAH1)이 형성될 수 있다. 제2전극(213)에 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 중의 일부를 노출시키는 제2투과홀(TAH2)이 형성될 수 있다. 캡핑층(215)에 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 중 일부를 노출시키는 제3투과홀(TAH3)이 형성될 수 있다.
도 16b를 참조하면, 희생패턴층(211A)의 제1층(L1)이 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함하는 경우, 제2층(L2) 및 제3층(L3)이 제1층(L1)으로부터 박리될 수 있다. 여기서, 제1층(L1)은 중간패턴층(211A-1)일 수 있다. 이 때, 제3층(L3) 상에 배치된 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 제2층(L2) 및 제3층(L3)과 함께 박리될 수 있다. 제1층(L1)이 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함하는 경우에 제1층(L1)의 녹는점은 티타늄(Ti)을 포함하는 경우에 제1층(L1)의 녹는점보다 높을 수 있다. 따라서, 제1층(L1)이 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함하는 경우, 제1층(L1)이 제1절연층(IL1)으로부터 박리되지 않을 수 있으며, 제1층(L1)의 상면이 외부로 노출될 수 있다. 이하에서는, 제1층(L1)이 티타늄(Ti)을 포함하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
희생패턴층(211A)을 형성하는 물질의 녹는점은 제2전극(213)을 형성하는 물질의 녹는점보다 높을 수 있다. 예를 들어, 희생패턴층(211A)의 제1층(L1)은 티타늄(Ti)을 포함하거나, 질화티탄(TiN)을 포함하거나, 몰리브덴(Mo)을 포함하거나, 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함할 수 있다. 희생패턴층(211A) 및 제2전극(213)이 은(Ag)을 포함하는 경우, 희생패턴층(211A) 상에 배치된 제2전극(213)이 녹기 전에 희생패턴층(211A)이 박리되어 제2전극(213)의 은(Ag)과 결합할 수 있으며, 이물질로 작용할 수 있다. 상기 이물질은 희생패턴층(211A) 주위, 예를 들어, 댐부(DP)에 배치될 수 있다. 이러한 경우, 상기 이물질은 봉지층(ENL)을 손상시킬 수 있으며, 수분 등의 유입경로를 형성할 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드(OLED)를 손상시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 희생패턴층(211A)은 제2전극(213)의 녹는점보다 높은 물질을 포함하여, 제2전극(213)을 먼저 녹이고, 희생패턴층(211A)이 박리될 수 있다. 따라서, 은(Ag) 파티클과 같은 이물질이 발생하지 않을 수 있다.
또한, 본 실시예는, 희생패턴층(211A)을 제1전극(211)과 동시에 형성할 수 있어, 공정시간을 단축시킬 수 있으며, 마스크 공정이 추가되지 않을 수 있다.
그 다음, 도 17 및 도 18을 참조하면, 봉지층(ENL)이 형성될 수 있다. 봉지층(ENL)은 제1무기봉지층(310), 유기봉지층(320), 및 제2무기봉지층(330)을 포함할 수 있으며, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 표시영역(DA)으로부터 투과홀(TAH)로 연장되어 투과홀(TAH)과 중첩하게 형성될 수 있다. 따라서, 제1무기봉지층(310)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)과 컨택될 수 있다. 예를 들어, 제1무기봉지층(310)은 무기절연층인 층간절연층(114)과 컨택될 수 있다.
그 다음, 절단선(CL)을 따라 기판(100) 및 그 상부의 제1절연층(IL1)을 제거하여 개구영역(OA)을 형성할 수 있다. 본 실시예에서, 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 제2전극(213), 및 캡핑층(215)은 개구영역(OA) 상에서 외부로 노출되지 않으므로, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 하나를 통해 수분이 침투되는 것을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 19에 있어서, 도 7a와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 19를 참조하면, 표시 패널(10)은 기판(100), 제1절연층(IL1), 댐부(DP), 패턴층(211P), 표시요소로서 유기발광다이오드, 및 봉지층(ENL)을 포함할 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 표시 패널은 캡핑층(215)을 포함할 수 있다. 기판(100)은 개구영역(OA), 개구영역(OA)을 둘러싸는 표시영역, 개구영역(OA) 및 표시영역 사이의 제1비표시영역(NDA1)을 포함할 수 있다.
제1절연층(IL1)은 제1비표시영역(NDA1)에 깊이 방향으로 파여진 리세스를 구비할 수 있다. 리세스는 제1비표시영역(NDA1)에 복수개로 구비될 수 있다. 예를 들어, 리세스는 제1리세스(R1) 및 제2리세스(R2)를 포함할 수 있다. 제1리세스(R1)는 바닥면, 제1측벽(RW1), 및 제2측벽(RW2)으로 정의될 수 있다. 제2리세스(R2)는 제1리세스(R1)와 이격될 수 있다. 제2리세스(R2)는 제1리세스(R1) 및 개구영역(OA) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제2리세스(R2)는 제1절연층(IL1)에 적어도 하나 구비될 수 있다. 예를 들어, 제2리세스(R2)는 제1절연층(IL1)에 복수개로 구비될 수 있다.
댐부(DP)는 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)으로부터 돌출될 수 있다. 댐부(DP)는 유기패턴층(116A), 제1상부유기패턴층(118A), 및 제2상부유기패턴층(119A)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1리세스(R1)의 제1측벽(RW1)은 댐부(DP)와 만날 수 있다. 예를 들어, 제1리세스(R1)의 제1측벽(RW1)은 유기패턴층(116A)의 측벽(116AW)과 만날 수 있다.
패턴층(211P)은 개구영역(OA) 및 댐부(DP) 사이에 배치될 수 있다. 즉, 패턴층(211P)은 개구영역(OA) 및 유기패턴층(116A) 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P) 주위에는 리세스가 구비될 수 있다. 예를 들어, 패턴층(211P)은 제1리세스(R1) 및 제2리세스(R2) 사이에 배치될 수 있다. 다른 예로, 패턴층(211P)은 복수의 제2리세스(R2)들 사이에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 리세스의 측벽은 패턴층의 측벽(211PW)과 만날 수 있다. 예를 들어, 제1리세스(R1)의 제2측벽(RW2)은 패턴층(211P)의 측벽(211PW)과 만날 수 있다. 패턴층(211P)은 제1전극과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄(Ti)을 포함할 수 있다. 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 티타늄질화물(TiN)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 몰리브덴(Mo)을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예에서, 제1층(L1)은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함할 수 있다. 비정질 실리콘(a-Si)에 첨가되는 도펀트는 보론(B), 인(P), 질소(N), 니켈(Ni), 코발트(Co), 및 플루오르(F) 중 어느 하나일 수 있다. 일 실시예에서, 제2층(L2)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제3층(L3)은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐징크산화물(IZO; indium zinc oxide), 징크산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크산화물(AZO; aluminum zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 패턴층(211P)은 제1층(L1) 하부에 질화티탄(TiN)을 포함하는 하부층(LL, 도 8a 참조)을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 제1층(L1) 및 제2층(L2) 사이에 도전성 산화물을 포함하는 중간층(ML, 도 8b 참조)을 더 포함할 수 있다. 이하에서는, 제1비표시영역(NDA1)에 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 형성하는 경우를 중심으로 상세히 설명하기로 한다.
상기 유기발광다이오드는 제1전극, 발광층, 및 제2전극(213)을 포함할 수 있다. 제1전극은 패턴층(211P)과 동일하게 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있다. 제1전극과 발광층 사이에는 제1기능층(212a)이 배치될 수 있다. 또한, 발광층 및 제2전극(213) 사이에는 제2기능층(212c)이 배치될 수 있다. 제1기능층(212a), 제2기능층(212c), 및 제2전극(213) 중 적어도 하나는 표시영역으로부터 제1비표시영역(NDA1)으로 연장될 수 있다.
제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1리세스(R1)에서 제2리세스(R2)로 연장되어 제2리세스(R2) 내부에 배치될 수 있다. 구체적으로, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1리세스(R1)의 제1측벽(RW1) 및 제2측벽(RW2)을 덮을 수 있다. 또한, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 패턴층(211P)을 덮을 수 있으며, 제2리세스(R2) 내부에 배치될 수 있다. 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제1투과홀(TAH1)을 구비할 수 있다.
제2전극(213) 및 캡핑층(215)은 표시영역에서 제1비표시영역(NDA1)으로 연장될 수 있다. 제2전극(213) 및 캡핑층(215)은 제2전극(213)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제2투과홀(TAH2)을 구비할 수 있다. 캡핑층(215)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)을 노출시키는 제3투과홀(TAH3)을 구비할 수 있다. 일 실시예에서, 제2투과홀(TAH2) 및 제3투과홀(TAH3)은 패턴층(211P)을 노출시킬 수 있다.
제1투과홀(TAH1)의 면적은 제2투과홀(TAH2)의 면적 또는 제3투과홀(TAH3)의 면적보다 작을 수 있다. 즉, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나의 단부는 제2전극(213) 및 캡핑층(215) 중 적어도 어느 하나의 단부보다 개구영역(OA)에 가까울 수 있다.
제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제1리세스(R1)의 제1측벽(RW1) 및 제1리세스(R1)의 제2측벽(RW2)을 덮을 수 있으며, 제1리세스(R1)로부터 제2리세스(R2)로 연장될 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 패턴층(211P)을 덮을 수 있다. 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제2리세스(R2)로부터 개구영역(OA)으로 연장될 수 있다. 이 때, 제1무기봉지층(310) 및 제2무기봉지층(330)은 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS)과 컨택될 수 있다.
제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1리세스(R1), 제2리세스(R2), 및 패턴층(211P)을 덮을 수 있다. 이러한 경우, 수분 또는 이물질이 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나를 통해 유기발광다이오드로 침투하는 경로를 길게 형성할 수 있다. 따라서, 유기발광다이오드로 수분 또는 이물질이 침투함을 방지 또는 감소시킬 수 있다.
도 20a 내지 도 20c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조방법을 개략적으로 도시한 단면도이다. 도 20a 및 도 20c에 있어서, 도 19와 동일한 참조부호는 동일부재를 의미하는 바 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 20a를 참조하면, 디스플레이 기판(DS)을 준비할 수 있다. 디스플레이 기판(DS)은 기판(100) 및 기판(100) 상에 배치되는 제1절연층(IL1)을 포함할 수 있다. 또한, 제1절연층(IL1) 상에 표시영역과 중첩되는 제1전극을 형성할 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)과 중첩되는 희생패턴층(211A)을 제1전극과 동시에 형성할 수 있다.
패턴층(211P)은 제1전극과 동시에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 희생패턴층(211A)과 동시에 형성될 수 있다. 패턴층(211P)은 희생패턴층(211A) 및 댐부(DP) 사이에 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 희생패턴층(211A)과 서로 이격되도록 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 제1절연층(IL1) 상에 적어도 하나 형성될 수 있다. 예를 들어, 패턴층(211P)은 제1절연층(IL1) 상에 하나가 형성되거나, 복수개가 형성될 수 있다.
패턴층(211P)은 희생패턴층(211A)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 패턴층(211P)은 희생패턴층(211A)과 동일하게 제1층(L1), 제2층(L2), 및 제3층(L3)을 포함할 수 있다.
패턴층(211P) 및 희생패턴층(211A)을 형성할 때, 제1절연층(IL1)이 오버에칭되어 리세스가 형성될 수 있다. 제1절연층(IL1)에는 복수개의 리세스들이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 복수의 리세스들은 패턴층(211P) 및 희생패턴층(211A) 주위에 형성될 수 있다. 제1리세스(R1)는 패턴층(211P) 및 댐부(DP) 사이에 형성될 수 있다. 제2리세스(R2)는 복수의 패턴층(211P) 사이에 형성될 수 있다. 또는 제2리세스(R2)는 패턴층(211P) 및 희생패턴층(211A) 사이에 형성될 수 있다.
그 다음, 희생패턴층(211A) 상에 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나와 제2전극(213)이 형성될 수 있다. 일 실시예에서, 제2전극(213) 상에 캡핑층(215)이 형성될 수 있다. 희생패턴층(211A)과 유사하게 패턴층(211P) 상에도 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나와 제2전극(213)이 형성될 수 있다. 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1비표시영역(NDA1)에 연속적으로 형성될 수 있다. 따라서, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 댐부(DP), 제1리세스(R1), 제2리세스(R2), 패턴층(211P), 희생패턴층(211A), 및 제1절연층(IL1)을 덮을 수 있다. 제2전극(213) 및 캡핑층(215)도 제1비표시영역(NDA1)에 연속적으로 형성되어 댐부(DP), 제1리세스(R1), 제2리세스(R2), 패턴층(211P), 희생패턴층(211A), 및 제1절연층(IL1)을 덮을 수 있다.
그 다음, 도 20a 및 도 20b를 참조하면, 패턴층(211P) 상에 배치된 제2전극(213) 및 캡핑층(215)을 제거할 수 있다. 일 실시예에서, 제1비표시영역(NDA1)에 제1에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사할 수 있다. 구체적으로, 기판(100)의 하면에서 기판(100)의 두께 방향으로 레이저광을 조사할 수 있다. 제1에너지밀도의 레이저광은 제2전극(213) 및 캡핑층(215)을 박리시킬 수 있지만, 패턴층(211P)을 박리시키지 않을 수 있다. 이러한 경우, 패턴층(211P) 상에 배치된 제2전극(213) 및 캡핑층(215)이 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 희생패턴층(211A) 하부에도 제1에너지밀도의 레이저광이 조사되는 경우, 희생패턴층(211A) 상에 배치된 제2전극(213) 및 캡핑층(215)이 제거될 수 있다. 따라서, 제2전극(213)에 제2기능층(212c)의 일부를 노출시키는 제2투과홀(TAH2)이 형성될 수 있다. 캡핑층(215)에 제2기능층(212c)의 일부를 노출시키는 제3투과홀(TAH3)이 형성될 수 있다.
그 다음, 도 20c를 참조하면, 희생패턴층(211A) 상에 배치된 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 하나가 제거될 수 있다. 일 실시예에서, 희생패턴층(211A)에 제2에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사할 수 있다. 상기 제2에너지밀도는 상기 제1에너지밀도보다 클 수 있다. 따라서, 제2에너지밀도의 레이저광은 희생패턴층(211A)을 제1절연층(IL1)으로부터 박리시킬 수 있다. 이러한 경우, 희생패턴층(211A) 및 희생패턴층(211A) 상에 배치된 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나는 제1절연층(IL1)으로부터 박리될 수 있다. 이에 따라, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c)에 제1절연층(IL1)의 상면(ILUS) 중 일부를 노출시키는 제1투과홀(TAH1)이 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예는 제2투과홀(TAH2) 및/또는 제3투과홀(TAH3)의 면적을 제1투과홀(TAH1)의 면적보다 크게 형성시킬 수 있다. 따라서, 제1기능층(212a) 및 제2기능층(212c) 중 적어도 어느 하나를 통해 유기발광다이오드로 침투하는 경로를 길게 형성할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
R1, R2: 제1리세스, 제2리세스
NDA1: 제1비표시영역
IL1, IL2: 제1절연층, 제2절연층
RW1, RW2: 제1측벽, 제2측벽
L1, L2, L3: 제1층, 제2층, 제3층
TAH1, TAH2, TAH3: 제1투과홀, 제2투과홀, 제3투과홀
1: 표시 장치
LL: 하부층
30: 컴포넌트
100: 기판
116A: 유기패턴층
211A-1: 중간패턴층
211P: 패턴층
211: 제1전극
211A: 희생패턴층
212a, 212c: 제1기능층, 제2기능층
213: 제2전극
215: 캡핑층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
NDA1: 제1비표시영역
IL1, IL2: 제1절연층, 제2절연층
RW1, RW2: 제1측벽, 제2측벽
L1, L2, L3: 제1층, 제2층, 제3층
TAH1, TAH2, TAH3: 제1투과홀, 제2투과홀, 제3투과홀
1: 표시 장치
LL: 하부층
30: 컴포넌트
100: 기판
116A: 유기패턴층
211A-1: 중간패턴층
211P: 패턴층
211: 제1전극
211A: 희생패턴층
212a, 212c: 제1기능층, 제2기능층
213: 제2전극
215: 캡핑층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
Claims (20)
- 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이의 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되며, 상기 비표시영역에 깊이 방향으로 파여진 제1리세스를 구비한 제1절연층;
상기 비표시영역에서 상기 제1절연층의 상면에 배치되며, 상기 제1리세스의 제1측벽과 만나는 측벽을 구비한 유기패턴층; 및
상기 제1절연층 상에서 상기 표시영역과 중첩하도록 배치되며, 차례로 적층된 제1전극, 발광층, 및 제2전극을 포함하는 표시요소;를 포함하고,
상기 제1전극은 차례로 적층된 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하며,
상기 제1층은 티타늄(Ti), 질화티탄(TiN), 몰리브덴(Mo), 및 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 표시요소는,
상기 제1전극 및 상기 발광층 사이의 제1기능층, 및
상기 발광층 및 상기 제2전극 사이의 제2기능층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나와 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 제1측벽으로 연장되어 상기 제1리세스 내부에 배치되며, 각각 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제1투과홀 및 제2투과홀을 구비한, 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 개구영역 및 상기 유기패턴층 사이에 배치되며, 상기 제1층, 상기 제2층, 및 상기 제3층을 포함하는 패턴층;을 더 포함하고,
상기 제1절연층은 상기 제1리세스와 이격되며 깊이 방향으로 파여진 제2리세스를 더 구비하며,
상기 패턴층은 상기 제1리세스 및 상기 제2리세스 사이에 배치되고,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나는 상기 제1리세스에서 상기 제2리세스로 연장되어 상기 제2리세스 내부에 배치된, 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제2전극 상에 배치되며, 상기 표시영역으로부터 상기 제1측벽으로 연장되어 상기 제1리세스 내부에 배치되는 캡핑층;을 더 포함하고,
상기 캡핑층은 상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제3투과홀을 구비한, 표시 장치. - 제2항에 있어서,
상기 표시요소를 덮으며, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층;을 더 포함하고,
상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 연장되어 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀과 중첩하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1절연층 및 상기 제1전극 사이에 배치되며, 상기 유기패턴층과 분리된 제2절연층;을 더 포함하고,
상기 유기패턴층은 상기 제2절연층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1층은 티타늄(Ti)을 포함하고,
상기 제1전극은 상기 제1층 하부에 질화티탄(TiN)을 포함하는 하부층을 더 포함하는, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1리세스는 상기 유기패턴층보다 상기 개구영역에 가깝게 배치된, 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 개구영역과 중첩하는 컴포넌트;를 더 포함하는, 표시 장치. - 개구영역, 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역, 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이의 비표시영역을 포함하는 기판;
상기 기판 상에 배치되는 제1절연층;
상기 제1절연층 상에 상기 표시영역과 중첩하도록 배치되며, 차례로 적층된 제1전극, 발광층, 및 제2전극을 포함하는 표시요소;
상기 표시요소를 덮으며 상기 표시영역에서 상기 비표시영역으로 연장되고, 제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층; 및
상기 비표시영역에 중첩하며, 상기 제1절연층 및 상기 봉지층 사이에 배치되는 중간패턴층;을 포함하고,
상기 제1전극 및 상기 중간패턴층은 도펀트가 첨가된 비정질(amorphous) 실리콘(a-Si)을 포함하는, 표시 장치. - 제10항에 있어서,
상기 표시요소는,
상기 제1전극 및 상기 발광층 사이의 제1기능층, 및
상기 발광층 및 상기 제2전극 사이의 제2기능층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하고,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 어느 하나와 상기 제2전극은 상기 표시영역으로부터 상기 비표시영역으로 연장되며, 각각 상기 중간패턴층을 노출시키는 제1투과홀 및 제2투과홀을 구비한, 표시 장치. - 비표시영역 및 표시영역을 포함하는 기판 및 상기 기판 상에 배치된 제1절연층을 포함하는 디스플레이 기판을 준비하는 단계;
상기 제1절연층 상에서 상기 표시영역과 중첩되는 제1전극을 형성하는 단계;
상기 제1절연층 상에서 상기 비표시영역과 중첩되는 희생패턴층을 상기 제1전극과 동시에 형성하는 단계;
상기 제1전극 및 상기 희생패턴층 상에 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 희생패턴층 상에 배치된 상기 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나 및 제2전극을 제거하는 단계;를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 희생패턴층을 형성하는 단계는,
제1층, 제2층, 및 제3층을 차례로 형성하는 단계,
상기 제3층 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제2층 및 상기 제3층을 식각하는 단계, 및
상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 제1층을 식각하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제13항에 있어서,
상기 제1층이 식각되는 단계는,
상기 희생패턴층의 일 측벽과 만나는 일 측벽을 구비한 리세스를 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는,
상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제1투과홀을 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나에 형성하는 단계 및
상기 제1절연층의 상면 중 일부를 노출시키는 제2투과홀을 상기 제2전극에 형성하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제15항에 있어서,
제1무기봉지층, 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는 봉지층을 상기 제2전극 상에 형성하는 단계;를 더 포함하고,
상기 제1무기봉지층 및 상기 제2무기봉지층은 상기 표시영역으로부터 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀로 연장되어 상기 제1투과홀 및 상기 제2투과홀과 중첩하게 형성되는, 표시 장치의 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는,
상기 희생패턴층에 레이저광을 조사하는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 희생패턴층은 제1층, 제2층, 및 제3층을 포함하고,
상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는,
상기 제2층 및 상기 제3층을 제거하여 상기 제1층의 상면을 노출시키는 단계를 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제12항에 있어서,
상기 제1절연층 상에서 상기 비표시영역과 중첩되는 패턴층을 상기 제1전극과 동시에 형성하는 단계;
상기 패턴층 상에 제1기능층 및 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 형성하는 단계; 및
상기 패턴층 상에 배치된 상기 제2전극을 제거하는 단계;를 더 포함하는, 표시 장치의 제조방법. - 제19항에 있어서,
상기 패턴층 상에 배치된 상기 제2전극을 제거하는 단계는,
제1에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사하는 단계를 포함하며,
상기 희생패턴층 상에 배치된 상기 제1기능층 및 상기 제2기능층 중 적어도 하나와 제2전극을 제거하는 단계는,
상기 희생패턴층에 제2에너지밀도(J/cm2)로 레이저광을 조사하는 단계를 포함하고,
상기 제2에너지밀도는 상기 제1에너지밀도보다 큰, 표시 장치의 제조방법.
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