CN114188369A - 显示装置及制造该显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置和制造该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的非显示区域；第一绝缘层，布置在基底上，并且包括在非显示区域中的第一凹部；有机图案层，在非显示区域中布置在第一绝缘层的上表面上，并且包括与第一凹部的第一侧壁接触的侧壁；以及显示元件，布置在第一绝缘层上以与显示区域叠置，并且包括第一电极、发射层和第二电极，其中，第一电极包括第一层、第二层和第三层，并且第一层包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和添加有掺杂剂的非晶硅(a‑Si)中的至少一种。

Description

显示装置及制造该显示装置的方法
本申请要求于2020年8月25日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0107419号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用包含于此。
技术领域
技术领域涉及一种显示装置和制造该显示装置的方法。
背景技术
显示装置可以包括在用于显示图像的各种电子装置中。由于更薄和更轻的显示装置已经可用，显示装置的应用已经增加。
显示装置可以包括用于显示图像的显示区域。可以在显示区域中实现另外的功能。
发明内容
在具有开口的显示装置中，湿气会通过开口的侧面渗透并且会损坏显示装置内部的元件。一个或更多个实施例可以涉及一种具有能够基本上防止湿气通过开口渗透的结构的显示装置。一个或更多个实施例可以涉及一种制造该显示装置的方法。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的非显示区域；第一绝缘层，布置在基底上，并且包括在非显示区域中在深度方向上凹进的第一凹部；有机图案层，在非显示区域中布置在第一绝缘层的上表面上，并且包括与第一凹部的第一侧壁接触的侧壁；以及显示元件，布置在第一绝缘层上以与显示区域叠置，并且包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极，其中，第一电极包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，并且第一层包括钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钼(Mo)和添加有掺杂剂的非晶硅(a-Si)中的至少一种。
显示元件可以包括在第一电极与发射层之间的第一功能层以及在发射层与第二电极之间的第二功能层中的至少一个，并且第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以从显示区域延伸到第一侧壁且布置在第一凹部中，并且分别包括第一通孔和第二通孔，第一通孔和第二通孔中的每个使第一绝缘层的上表面的一部分暴露。
显示装置还可以包括布置在开口区域与有机图案层之间的图案层，图案层包括第一层、第二层和第三层，并且第一绝缘层还可以包括与第一凹部间隔开并且在深度方向上凹进的第二凹部，图案层可以在第一凹部与第二凹部之间，并且第一功能层和第二功能层中的所述至少一个可以从第一凹部延伸到第二凹部且布置在第二凹部中。
显示装置还可以包括布置在第二电极上的盖层，其中，盖层从显示区域延伸到第一侧壁并且布置在第一凹部中，其中，盖层可以包括使第一绝缘层的上表面的一部分暴露的第三通孔。
显示装置还可以包括封装层，封装层覆盖显示元件并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以从显示区域延伸到非显示区域，并且分别与第一通孔和第二通孔叠置。
显示装置还可以包括布置在第一绝缘层与第一电极之间并且与有机图案层分离的第二绝缘层，其中，有机图案层可以包括与第二绝缘层的材料相同的材料。
第一层可以包括Ti，并且第一电极还可以包括在第一层下面的下层，下层包括TiN。
第一凹部可以布置为比有机图案层靠近开口区域。
显示装置还可以包括与开口区域叠置的组件。
根据一个或更多个实施例，显示装置包括：基底，包括开口区域、围绕开口区域的显示区域以及在开口区域与显示区域之间的非显示区域；第一绝缘层，布置在基底上；显示元件，布置在第一绝缘层上以与显示区域叠置，并且包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极；封装层，覆盖显示元件并且从显示元件延伸到非显示区域，封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及中间图案层，与非显示区域叠置并且布置在第一绝缘层与封装层之间，其中，第一电极和中间图案层均包括添加有掺杂剂的非晶硅(a-Si)。
显示元件可以包括在第一电极与发射层之间的第一功能层以及在发射层与第二电极之间的第二功能层中的至少一个，并且第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以从显示区域延伸到非显示区域，并且分别包括使中间图案层暴露的第一通孔和第二通孔。
根据一个或更多个实施例，制造显示装置的方法包括：准备显示基底，显示基底包括基底和第一绝缘层，基底包括非显示区域和显示区域，并且第一绝缘层布置在基底上；在第一绝缘层上形成与显示区域叠置的第一电极；在第一绝缘层上与第一电极同时地形成牺牲图案层，牺牲图案层与非显示区域叠置；在第一电极和牺牲图案层上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极；以及去除布置在牺牲图案层上的第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极。
形成牺牲图案层可以包括：顺序地形成第一层、第二层和第三层；在第三层上形成光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为掩模对第二层和第三层进行蚀刻；以及使用光致抗蚀剂图案作为掩模对第一层进行蚀刻。
对第一层进行蚀刻可以包括形成凹部，凹部包括与牺牲图案层的一个侧壁接触的一个侧壁。
去除布置在牺牲图案层上的第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以包括：在第一功能层和第二功能层中的所述至少一个中形成第一通孔，第一通孔使第一绝缘层的上表面的一部分暴露，以及在第二电极中形成第二通孔，第二通孔使第一绝缘层的上表面的一部分暴露。
所述方法还可以包括在第二电极上形成封装层，封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，其中，第一无机封装层和第二无机封装层可以从显示区域延伸到第一通孔和第二通孔，并且分别与第一通孔和第二通孔叠置。
去除布置在牺牲图案层上的第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以包括将激光照射到牺牲图案层上。
牺牲图案层可以包括第一层、第二层和第三层，并且去除布置在牺牲图案层上的第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以包括通过去除第二层和第三层来使第一层的上表面暴露。
所述方法还可以包括：在第一绝缘层上与第一电极同时地形成图案层，图案层与非显示区域叠置；在图案层上形成第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极；以及去除布置在图案层上的第二电极。
去除布置在图案层上的第二电极可以包括以第一能量密度(J/cm2)照射激光，并且去除布置在牺牲图案层上的第一功能层和第二功能层中的所述至少一个以及第二电极可以包括以第二能量密度(J/cm2)将激光照射到牺牲图案层上，其中，第二能量密度可以大于第一能量密度。
附图说明
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图。
图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。
图3是根据实施例的显示面板的示意性平面图。
图4是根据实施例的显示面板的像素的示意性等效电路图。
图5是根据实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。
图6是根据实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。
图7A是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板的示意性剖视图。
图7B是根据实施例的图7A的区域A的放大图。
图8A是示出根据实施例的有机发光二极管的示意性剖视图。
图8B是示出根据实施例的有机发光二极管的示意性剖视图。
图9是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板的示意性剖视图。
图10是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板的示意性剖视图。
图11和图12是根据一个或更多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的剖视图。
图13A、图13B、图13C、图13D和图13E是根据一个或更多个实施例的在制造牺牲图案层的方法中形成的结构的剖视图。
图14、图15、图16A、图16B、图17和图18是根据一个或更多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的剖视图。
图19是根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。
图20A、图20B和图20C是根据实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的示意性剖视图。
具体实施方式
参照附图描述了示例实施例，其中同样的附图标记可以指代同样的元件。
所描述的示例实施例是说明性的。实际实施例可以以各种形式实施。
虽然术语“第一”、“第二”等可以用于描述各种元件，但是元件可以不限于这些术语。这些术语可以用于将一个元件与另一个元件区分开。在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示存在第二元件或其它元件。术语“第一”、“第二”等可以用于区分元件的不同类别或组。为了简明起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类型(或第一组)”、“第二类型(或第二组)”等。
除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”也可以表示复数形式。
术语“包含”、“包括”和/或它们的变型可以说明存在所陈述的特征或组件，但是可以不排除添加一个或更多个其它特征或组件。
当第一元件被称为“在”第二元件“上”时，第一元件可以直接或间接地在第二元件上。
为了便于说明，可以放大或缩小附图中的尺寸。
当可以不同地实现实施例时，可以与所描述的顺序不同地执行某个工艺顺序。例如，可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
术语“连接”可以表示“电连接”或“不通过中间晶体管电连接”。术语“绝缘”可以表示“电绝缘”或“电隔离”。术语“导电的”可以表示“电学地导电的”。术语“驱动”可以表示“操作”或“控制”。材料/元件的列表可以表示所列材料/元件中的至少一个(种)。元件与开口叠置的表述可以表示元件通过开口暴露或者与开口的位置叠置或对应。
显示装置显示图像，并且可以包括在便携式电子装置(诸如游戏控制台、多媒体装置或超小型个人计算机(PC))中。显示装置可以是/包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、量子点显示器、等离子体显示器、阴极射线管显示器等中的至少一种。将有机发光显示装置描述为示例，并且实施例可以适用于其它类型的显示装置。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参照图1，显示装置1可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA(或透射区域OA)。光可以从显示区域DA发射。多个像素可以布置在显示区域DA中，并且显示装置1可以使用从像素发射的光来显示图像。在非显示区域NDA中可以不布置发光像素。非显示区域NDA可以布置为与显示区域DA相邻。
开口区域OA可以被显示区域DA至少部分地围绕。在实施例中，在显示装置1的平面图中，开口区域OA可以被显示区域DA完全地围绕。
非显示区域NDA可以包括第一非显示区域NDA1和第二非显示区域NDA2。第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第二非显示区域NDA2可以至少部分地围绕显示区域DA。在实施例中，在显示装置1的平面图中，第一非显示区域NDA1可以完全地围绕开口区域OA。在显示装置1的平面图中，显示区域DA可以完全地围绕第一非显示区域NDA1。在显示装置1的平面图中，第二非显示区域NDA2可以完全地围绕显示区域DA。
图2是根据实施例的显示装置1的示意性剖视图。图2可以与沿着图1的线II-II'截取的显示装置1的一部分对应。
参照图2，显示装置1可以包括显示面板10、覆盖窗20和组件30。显示面板10可以显示图像。显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的像素。像素中的每个可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、无机发光二极管或量子点有机发光二极管。
显示面板10可以包括基底100和布置在基底100上的多层膜。显示区域DA、第一非显示区域NDA1和开口区域OA可以限定在基底100和/或多层膜中。例如，基底100可以包括显示区域DA、第一非显示区域NDA1和开口区域OA。
显示面板10可以包括基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL。基底100可以包括玻璃或聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等中的至少一种。基底100可以具有包括基体层(未示出)和阻挡层(未示出)的多层结构，基体层包括上述聚合物树脂。基底100可以是柔性的、可卷曲的或可弯曲的。
显示层DSL可以布置在基底100上。显示层DSL可以包括包含多个像素电路的像素电路层，并且可以包括包含多个显示元件的显示元件层。像素电路可以分别连接到显示元件。像素电路中的每个可以包括薄膜晶体管和存储电容器。因此，显示层DSL可以包括显示元件、薄膜晶体管和存储电容器。显示层DSL还可以包括绝缘层。
封装层ENL可以布置在显示层DSL上。封装层ENL可以布置在显示元件上并且可以覆盖显示元件。封装层ENL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。至少一个无机封装层可以包括氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。至少一个有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的至少一种。至少一个有机封装层可以包括丙烯酸酯。
触摸传感器层TSL可以布置在封装层ENL上。触摸传感器层TSL可以感测外部输入，例如，与触摸事件对应的坐标信息。触摸传感器层TSL可以包括传感器电极和连接到传感器电极的触摸布线。触摸传感器层TSL可以利用自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸传感器层TSL可以形成在封装层ENL上。触摸传感器层TSL可以单独地形成在触摸基底上，然后通过诸如光学透明粘合剂的粘合层结合到封装层ENL。触摸传感器层TSL可以直接形成在封装层ENL上，并且在触摸传感器层TSL与封装层ENL之间可以没有粘合层。
光学功能层OFL可以布置在触摸传感器层TSL上。光学功能层OFL可以降低从外部朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率，并且/或者可以改善从显示装置1发射的光的色纯度。光学功能层OFL可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以包括膜型延迟器或液晶涂覆型延迟器，并且可以包括λ/2延迟器和/或λ/4延迟器。偏振器可以包括膜型偏振器或液晶涂覆型偏振器。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂覆型偏振器可以包括具有预定取向的液晶。延迟器和偏振器还可以均包括保护膜。
光学功能层OFL可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑由显示装置1的像素中的每个发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器中的每个可以包括红色、绿色或蓝色的颜料或染料。除了上述颜料或染料之外，滤色器中的每个还可以包括量子点。滤色器中的一些可以不包括上述颜料或染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
光学功能层OFL可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此干涉，因此，可以降低外部光的反射率。
显示面板10可以包括开口10H。基底100可以包括开口区域OA。显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL可以分别包括第一开口、第二开口、第三开口和第四开口。开口区域OA与第一开口至第四开口可以彼此叠置以形成显示面板10的开口10H。基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL中的至少一个可以不包括开口。例如，基底100、显示层DSL、封装层ENL、触摸传感器层TSL和光学功能层OFL中的一个或两个可以不包括开口。
覆盖窗20可以布置在显示面板10上。覆盖窗20可以保护显示面板10。覆盖窗20可以包括玻璃、蓝宝石和塑料中的至少一种。覆盖窗20可以包括超薄玻璃(UTG)或无色聚酰亚胺(CPI)。
组件30可以与开口区域OA叠置。组件30可以如由图2中的实线所示地定位在显示面板10的开口10H内部，或者可以如由图2中的虚线所示地布置在显示面板10下面。
组件30可以包括电子元件。组件30可以包括利用光或声音的电子元件。电子元件可以包括诸如接收并利用光的红外传感器的传感器、接收光以捕捉图像的相机、输出并感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、输出光的小灯和输出声音的扬声器中的至少一种。利用光的电子元件可以使用一个或更多个波段的光，诸如可见光、红外光和紫外光中的至少一种。显示面板10的开口10H可以是透射部分，光和/或声音可以通过透射部分从组件30传输或传输到组件30。
当显示装置1用作智能手表或用于车辆的仪表板时，组件30可以是指示某些信息(例如，车辆速度等)的构件(例如，时钟指针或针)。组件30可以穿过覆盖窗20并且可以暴露于外部。覆盖窗20可以包括与显示面板10的开口10H叠置的开口。
组件30可以包括与显示面板10的功能相关的元件并且/或者可以包括诸如改善显示面板10的美观性的配件的元件。
图3是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。图4是根据实施例的显示面板的像素P的示意性等效电路图。
参照图3，显示面板10可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA可以限定在显示面板10的基底100中。基底100可以包括显示区域DA、非显示区域NDA和开口区域OA。非显示区域NDA可以包括围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1和至少部分地围绕显示区域DA的第二非显示区域NDA2。
显示面板10可以包括布置在显示区域DA中的多个像素P。如图4中所示，每个像素P可以包括像素电路PC和作为连接到像素电路PC的显示元件的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以利用有机发光二极管OLED发射例如红光、绿光、蓝光或白光。
开关薄膜晶体管T2连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据从扫描线SL输入的开关电压或开关信号将从数据线DL输入的数据电压或数据信号传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。
有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。有机发光二极管OLED的第二电极可以接收第二电力电压ELVSS。
尽管图4示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以基于像素电路PC的设计来构造。
再次参照图3，第一非显示区域NDA1可以围绕开口区域OA。第一非显示区域NDA1可以是其中未设置诸如发光的有机发光二极管的显示元件的区域。第一非显示区域NDA1可以容纳向开口区域OA周围的像素P提供信号的信号线。
第二非显示区域NDA2可以容纳向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200以及提供第一电力电压和/或第二电力电压的主电力布线(未示出)。数据驱动器1200可以布置为与基底100的一侧相邻。数据驱动器1200可以布置在柔性印刷电路板(FPCB)上，柔性印刷电路板电连接到布置在显示面板10的一侧上的垫(pad，或称为“焊盘”或“焊垫”)。
图5是根据实施例的显示面板的一部分的示意性平面图。图5示意性示出了布置在第一非显示区域NDA1中的信号线。
参照图5，像素P可以布置在显示区域DA中。像素P可以连接到扫描线SL和数据线DL。第一非显示区域NDA1可以在开口区域OA与显示区域DA(或像素P)之间。
像素P可以在相对于开口区域OA的相对侧处彼此间隔开。像素P可以在相对于开口区域OA的相对侧处在竖直方向上彼此间隔开。像素P可以在相对于开口区域OA的相对侧处在横向方向上彼此间隔开。
与开口区域OA相邻的用于向对应的像素P供应信号的信号线可以绕过开口区域OA。一些数据线DL可以包括定位在显示区域DA处并且在y方向上延伸以向布置在开口区域OA的相对侧处的像素P提供数据信号的直线部分，并且可以包括绕过开口区域OA的边缘的弯曲部分。一些扫描线SL可以包括定位在显示区域DA处并且在x方向上延伸以向布置在开口区域OA的相对侧处的像素P提供扫描信号的直线部分，并且可以包括绕过开口区域OA的边缘的弯曲部分。
图6是根据实施例的显示面板的一部分的平面图。图6示出了布置在第一非显示区域NDA1中的凹部R和坝DP。布置在第一非显示区域NDA1和显示区域DA中的第二电极213被示出。
参照图6，至少一个坝DP可以在开口区域OA与显示区域DA(或像素P)之间，并且凹部R可以在坝DP与开口区域OA之间。凹部R可以布置在多个坝DP之中的最靠近开口区域OA的坝DP的一侧上。坝DP指从参考表面突出的元件/结构。凹部R指相对于参考表面凹入(或凹陷)的元件/结构。参考表面可以是布置在基底上方的绝缘层中的一个的上表面。例如，坝DP可以从布置在基底上方的绝缘层之中的第一绝缘层的上表面突出，并且凹部R可以在布置在基底上方的第一绝缘层的深度/厚度方向上凹进。
从凹部R与开口区域OA之间的区域部分地去除第二电极213、包括有机材料的第一功能层和第二功能层，以防止湿气穿透开口区域OA到达像素P。第一功能层、第二功能层和第二电极213可以包括使布置在开口区域OA周围的第一非显示区域NDA1的一部分和开口区域OA暴露的通孔TAH。通孔TAH可以使第一非显示区域NDA1的在凹部R与开口区域OA之间的部分暴露。
坝DP和凹部R可以均具有完全地围绕开口区域OA的环形形状。坝DP和凹部R中的每个可以具有比开口区域OA的直径大的直径。坝DP和凹部R可以彼此相邻地布置。坝DP的侧壁和凹部R的侧壁可以彼此接触。
图7A是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板10的示意性剖视图。图7B是根据实施例的图7A的区域A的放大图。
参照图7A和图7B，显示面板10可以包括基底100、显示层DSL和封装层ENL。显示层DSL可以包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以包括第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、像素电路PC和数据线DL。显示元件层DEL可以包括有机发光二极管OLED、像素限定层118、间隔件119和盖层215。
基底100可以包括显示区域DA、第一非显示区域NDA1和开口区域OA。第一非显示区域NDA1可以在显示区域DA与开口区域OA之间。
基底100可以包括第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d。第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d可以顺序堆叠。第一基体层100a、第一阻挡层100b、第二基体层100c和第二阻挡层100d中的每个可以在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中是连续的。
第一基体层100a和第二基体层100c中的至少一个可以包括聚合物树脂，诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等中的至少一种。
第一阻挡层100b和第二阻挡层100d可以防止外来物质从外部渗透，并且可以包括包含诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiON)的无机材料的单层或多层。
显示层DSL可以布置在基底100上。显示层DSL的第一绝缘层IL1可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114。第一绝缘层IL1可以布置在显示区域DA和第一非显示区域NDA1中。像素电路PC可以布置在显示区域DA中。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。
缓冲层111可以布置在基底100上。缓冲层111可以包括诸如SiNx、SiON和SiO2中的至少一种的无机绝缘材料，并且可以包括单层或多层。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以布置在缓冲层111上。半导体层Act可以包括多晶硅。半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区以及分别布置在沟道区的相对侧上的漏区和源区。栅电极GE可以与沟道区叠置。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和钛(Ti)的导电材料，并且可以包括单层或多层。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅极绝缘层112可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiO2)、SiNx、SiON、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)。
第二栅极绝缘层113可以覆盖栅电极GE。第二栅极绝缘层113可以包括无机绝缘材料，诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。
存储电容器Cst的上电极CE2可以布置在第二栅极绝缘层113上。上电极CE2可以与栅电极GE叠置。栅电极GE和上电极CE2与介于其间的第二栅极绝缘层113可以形成存储电容器Cst。栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。在一些实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。
上电极CE2可以包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu，并且可以包括单层或多层。
层间绝缘层114可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层114可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO。层间绝缘层114可以包括单层或多层。
漏电极DE和源电极SE可以位于层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE中的每个可以通过设置在第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114中的接触孔连接到半导体层Act。漏电极DE和源电极SE可以均包括具有良好导电性的材料。漏电极DE和源电极SE可以均包括包含Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以均包括单层或多层。漏电极DE和源电极SE可以均具有Ti-Al-Ti的多层结构。
第二绝缘层IL2可以布置在第一绝缘层IL1上。第二绝缘层IL2可以包括第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。第一有机绝缘层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一有机绝缘层115可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或上述材料中的一些的共混物。
连接电极CM可以布置在第一有机绝缘层115上。连接电极CM可以通过第一有机绝缘层115的接触孔连接到漏电极DE或源电极SE。连接电极CM可以包括具有良好导电性的材料。连接电极CM可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti的导电材料，并且可以包括多层或单层。连接电极CM可以具有Ti-Al-Ti的多层结构。
第二有机绝缘层116可以覆盖连接电极CM。第二有机绝缘层116可以包括有机绝缘材料，该有机绝缘材料包括诸如PMMA或PS的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或上述材料中的一些的共混物。
有机发光二极管OLED可以布置在第二有机绝缘层116上。有机发光二极管OLED可以发射红光、绿光、蓝光或白光。有机发光二极管OLED可以包括第一电极211、中间层212和第二电极213(第二电极213的一部分)。第一电极211可以是有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二电极213可以是有机发光二极管OLED的对电极。
第一电极211可以布置在第二有机绝缘层116上。第一电极211可以通过第二有机绝缘层116的接触孔电连接到连接电极CM。
第一电极211可以包括顺序堆叠的第一层L1、第二层L2和第三层L3。在实施例中，第一层L1的反射率可以小于第二层L2的反射率。例如，第一层L1可以包括具有比第二层L2的红外反射率低的红外反射率的材料。
第一层L1可以包括Ti。第一层L1可以包括氮化钛(TiN)。第一层L1可以包括Mo。第一层L1可以包括添加有掺杂剂的非晶硅(a-Si)。掺杂剂可以是/包括硼(B)、磷(P)、氮(N)、镍(Ni)、钴(Co)和氟(F)中的至少一种。第二层L2可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物或合金的反射层。第三层L3可以包括导电氧化物，诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。
像素限定层118可以包括使第一电极211的中心部分暴露的开口118OP，并且可以布置在第一电极211上。像素限定层118可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。像素限定层118的开口118OP可以限定从有机发光二极管OLED发射的光的发射区域。开口118OP的宽度可以对应于(并且可以等于)发射区域的宽度。
间隔件119可以布置在像素限定层118上。间隔件119可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。间隔件119可以包括诸如SiNx或SiO2的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
间隔件119可以包括与像素限定层118的材料不同的材料。间隔件119可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。可以在使用半色调掩模等的掩模工艺期间同时地形成像素限定层118和间隔件119。
中间层212可以布置在像素限定层118上。中间层212可以包括布置在像素限定层118的开口118OP中的发射层212b。发射层212b可以包括发射特定颜色的光的聚合物有机材料或低分子量有机材料。
中间层212可以包括第一电极211与发射层212b之间的第一功能层212a和发射层212b与第二电极213之间的第二功能层212c中的至少一个。第一功能层212a可以在第一电极211与发射层212b之间，并且第二功能层212c可以是可选的。第一功能层212a可以是可选的，并且第二功能层212c可以在发射层212b与第二电极213之间。
第一功能层212a可以包括例如空穴传输层(HTL)，或者可以包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层212c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第一功能层212a和/或第二功能层212c可以覆盖基底100的整个表面。
第二电极213可以包括具有相对低的逸出功的导电材料。第二电极213可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它们的合金的(半)透明层。第二电极213可以包括在(半)透明层上的ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
盖层215可以定位在第二电极213上。盖层215可以包括氟化锂(LiF)、无机材料和/或有机材料。
第一非显示区域NDA1可以包括第一子非显示区域SNDA1和第二子非显示区域SNDA2。第一子非显示区域SNDA1可以布置为比第二子非显示区域SNDA2远离开口区域OA。第二子非显示区域SNDA2可以在第一子非显示区域SNDA1与开口区域OA之间。
在第一子非显示区域SNDA1中，第二有机绝缘层116可以覆盖第一有机绝缘层115的侧表面。在第一子非显示区域SNDA1中，第二有机绝缘层116可以使第一有机绝缘层115的侧表面暴露。
像素限定层118可以覆盖第二有机绝缘层116的侧表面。像素限定层118可以使第二有机绝缘层116的侧表面暴露。
信号线(例如，参照图5描述的数据线DL)可以布置在第一子非显示区域SNDA1中。数据线DL可以在第一绝缘层IL1与第一有机绝缘层115之间和/或第一有机绝缘层115与第二有机绝缘层116之间。假定数据线DL布置在不同的层上，则第一非显示区域NDA1的宽度可以减小。上面参照图5描述的绕过开口区域OA的扫描线也可以布置在第一子非显示区域SNDA1中。
可以通过堆叠多个层来设置坝DP。坝DP可以从第一绝缘层IL1的上表面ILUS突出。例如，坝DP可以从层间绝缘层114的上表面突出。坝DP可以包括有机图案层116A、第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。有机图案层116A可以与第二绝缘层IL2分开布置。有机图案层116A可以包括与第二绝缘层IL2的材料相同的材料。有机图案层116A可以包括与第二有机绝缘层116的材料相同的材料。有机图案层116A可以包括与第一有机绝缘层115的材料相同的材料。有机图案层116A可以包括第一有机图案层和布置在第一有机图案层上的第二有机图案层。在这种情况下，第一有机图案层可以包括与第一有机绝缘层115的材料相同的材料。第二有机图案层可以包括与第二有机绝缘层116的材料相同的材料。
第一上有机图案层118A可以布置在有机图案层116A上。第一上有机图案层118A可以布置在有机图案层116A的上表面上。第一上有机图案层118A可以使有机图案层116A的侧壁116AW暴露。有机图案层116A的侧壁116AW指有机图案层116A的侧表面。第一上有机图案层118A可以覆盖有机图案层116A的上表面和侧壁116AW。第一上有机图案层118A可以包括与像素限定层118的材料相同的材料。
第二上有机图案层119A可以布置在第一上有机图案层118A上。第二上有机图案层119A可以布置在第一上有机图案层118A的上表面上。第二上有机图案层119A可以使第一上有机图案层118A的侧壁和有机图案层116A的侧壁116AW暴露。第一上有机图案层118A的侧壁指第一上有机图案层118A的侧表面。第二上有机图案层119A可以覆盖第一上有机图案层118A的侧壁。
在第二子非显示区域SNDA2中，第一绝缘层IL1可以包括在第一绝缘层IL1的深度/厚度方向上凹进的凹部R。在第一绝缘层IL1上，凹部R可以在基底100的深度/厚度方向上凹进。凹部R可以设置在层间绝缘层114中。凹部R可以包括彼此连接的底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2。底表面在第一绝缘层IL1的上表面ILUS下方。第一侧壁RW1和第二侧壁RW2中的每个可以将第一绝缘层IL1的上表面ILUS连接到凹部R的底表面。第一侧壁RW1和第二侧壁RW2可以是第一绝缘层IL1的彼此面对的表面。第一侧壁RW1可以布置为比第二侧壁RW2靠近显示区域DA。
凹部R可以布置为比坝DP靠近开口区域OA。凹部R可以在开口区域OA与坝DP之间。凹部R可以布置为比有机图案层116A靠近开口区域OA。凹部R可以在开口区域OA与有机图案层116A之间。
第一绝缘层IL1可以包括至少一个凹部R。例如，第一绝缘层IL1可以包括一个凹部R。第一绝缘层IL1可以包括多个凹部R。
凹部R和坝DP可以彼此相邻。凹部R的第一侧壁RW1可以直接连接到坝DP。凹部R的第一侧壁RW1和坝DP可以连续地布置。凹部R的第一侧壁RW1可以与有机图案层116A的侧壁116AW接触(例如，直接连接)。凹部R的第一侧壁RW1和有机图案层116A的侧壁116AW可以连续地布置。在显示面板10的剖视图中，凹部R的第一侧壁RW1和有机图案层116A的侧壁116AW可以相对于基底100以相同的角度或不同的角度定向。
第一绝缘层IL1可以包括与凹部R类似的中间凹部MR。中间凹部MR可以在第一绝缘层IL1的深度/厚度方向上凹进。中间凹部MR可以设置在层间绝缘层114中。中间凹部MR可以在有机图案层116A与第二绝缘层IL2之间。
中间凹部MR可以包括彼此连接的底表面、第一中间侧壁MRW1和第二中间侧壁MRW2。底表面布置在第一绝缘层IL1的上表面ILUS下方。第一中间侧壁MRW1和第二中间侧壁MRW2中的每个可以将第一绝缘层IL1的上表面ILUS连接到中间凹部MR的底表面。第一中间侧壁MRW1和第二中间侧壁MRW2可以是第一绝缘层IL1的彼此面对的表面。第二中间侧壁MRW2可以布置为比第一中间侧壁MRW1靠近显示区域DA。
第一中间侧壁MRW1可以与有机图案层116A的内侧壁116AW-1接触(例如，直接连接)。有机图案层116A的内侧壁116AW-1与有机图案层116A的侧壁116AW相对，并且可以面对显示区域DA。第二中间侧壁MRW2可以直接连接到第二有机绝缘层116的侧表面。像素限定层118可以覆盖第二中间侧壁MRW2。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以覆盖坝DP并且可以延伸到凹部R的第一侧壁RW1。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215的部分可以布置在凹部R内部。
第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以具有定位在凹部R的第二侧壁RW2处的边缘。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的通孔TAH。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第一通孔TAH1。第二电极213可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第二通孔TAH2。盖层215可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第三通孔TAH3。
通孔TAH的面积可以大于开口区域OA的面积。通孔TAH的端部/边缘可以布置在凹部R的未布置坝DP的端部/边缘处。如果可以包括有机材料的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个完全遍及第一非显示区域NDA1形成并且延伸到开口区域OA，则由于有机材料层的性质，湿气会通过第一功能层212a和/或第二功能层212c渗透到布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED中。根据实施例，第一通孔TAH1形成在凹部R的边缘处，因此可以防止或减少湿气或外来物质渗透到有机发光二极管OLED中。
封装层ENL可以覆盖有机发光二极管OLED。封装层ENL可以布置在第二电极213和/或盖层215上。封装层ENL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。图7A示出了封装层ENL包括顺序堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到第一非显示区域NDA1。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以遍及第一非显示区域NDA1完全且连续地布置。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以延伸到坝DP，并且可以在坝DP的上表面上彼此接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖凹部R的第一侧壁RW1和第二侧壁RW2，并且可以从凹部R延伸到开口区域OA。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与通孔TAH叠置。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以与第一通孔TAH1、第二通孔TAH2和第三通孔TAH3叠置。第一无机封装层310可以直接接触第一绝缘层IL1的上表面ILUS的与开口区域OA相邻的部分。第一无机封装层310可以接触层间绝缘层114。因为在凹部R与开口区域OA之间的区域中没有布置有机材料层，所以可以防止或减少湿气渗透到布置在显示区域DA中的有机发光二极管OLED中。
可以通过施用单体然后使单体固化来形成有机封装层320。可以通过坝DP控制单体的流动。有机封装层320的端部部分可以位于坝DP的一侧上。
图8A和图8B中的每个示出了根据实施例的有机发光二极管OLED的剖视图。在图8A和图8B中，与图7A和图7B中的附图标记相同的附图标记可以指代相同的构件或类似的构件。
参照图8A，有机发光二极管OLED可以包括第一电极211、中间层212和第二电极213。中间层212可以包括发射层212b。第一功能层212a可以在第一电极211与发射层212b之间。第二功能层212c可以在发射层212b与第二电极213之间。
第一电极211可以包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。第一层L1可以包括Ti。第一电极211还可以包括在第一层L1下面的下层LL。下层LL可以包括TiN。下层LL可以防止或减少第一层L1的氧化。在没有下层LL的情况下，湿气或氧可以通过第二有机绝缘层116供应到第一层L1。第一层L1的Ti可以被氧化成氧化钛(TiO2)。因为下层LL包括TiN，所以可以防止或减少第一层L1的氧化。
参照图8B，第一电极211还可以包括在第一层L1与第二层L2之间的中间层ML。中间层ML可以包括与第三层L3的材料相同的材料。中间层ML可以包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。下层LL可以是可选的。第一电极211可以包括第一层L1、中间层ML、第二层L2和第三层L3。
图9是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板10的示意性剖视图。在图9中，与图7A中的附图标记相同的附图标记可以指代相同的构件或类似的构件。
参照图9，显示面板10可以包括基底100、像素电路层PCL、显示元件层DEL和封装层ENL。像素电路层PCL可以包括像素电路PC、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2。第一绝缘层IL1可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114。
缓冲层111可以完全地遍及显示区域DA和第一非显示区域NDA1布置。第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114可以在第一非显示区域NDA1中包括无机绝缘层开口ILOP。缓冲层111可以通过无机绝缘层开口ILOP在第一非显示区域NDA1中被暴露。
可以通过堆叠多个层来设置坝DP。坝DP可以从第一绝缘层IL1的上表面ILUS-1突出。例如，坝DP可以从缓冲层111的上表面突出。坝DP可以布置在通过无机绝缘层开口ILOP暴露的缓冲层111上。坝DP可以包括布置在缓冲层111上的有机图案层116A、第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。
在第二子非显示区域SNDA2中，第一绝缘层IL1可以包括在第一绝缘层IL1的深度方向上凹进的凹部R。凹部R可以设置在缓冲层111中。凹部R可以由底表面、第一侧壁RW1-1和第二侧壁RW2-1限定。底表面可以是位于第一绝缘层IL1的上表面ILUS-1下方的表面。第一侧壁RW1-1和第二侧壁RW2-1中的每个可以将凹部R的底表面连接到第一绝缘层IL1的上表面ILUS-1。第一侧壁RW1-1和第二侧壁RW2-1可以是第一绝缘层IL1的彼此面对的表面。第一侧壁RW1-1可以布置为比第二侧壁RW2-1靠近显示区域DA。
第一绝缘层IL1可以包括与凹部R类似的中间凹部MR。中间凹部MR可以在第一绝缘层IL1的深度方向上凹进。中间凹部MR可以设置在缓冲层111中。
中间凹部MR可以包括彼此连接的底表面、第一中间侧壁MRW1-1和第二中间侧壁MRW2-1。底表面布置在第一绝缘层IL1的上表面ILUS-1下方。第一中间侧壁MRW1-1和第二中间侧壁MRW2-1中的每个可以将第一绝缘层IL1的上表面ILUS-1连接到中间凹部MR的底表面。第一中间侧壁MRW1-1和第二中间侧壁MRW2-1可以是第一绝缘层IL1的彼此面对的表面。第二中间侧壁MRW2-1可以布置为比第一中间侧壁MRW1-1靠近显示区域DA。
图10是根据实施例的沿着图6的线VII-VII'截取的显示面板10的示意性剖视图。在图10中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件或类似的构件。
参照图10，显示面板10可以包括基底100、显示层DSL和封装层ENL。显示层DSL可以包括像素电路层PCL和显示元件层DEL。像素电路层PCL可以包括像素电路PC、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2。
在第一非显示区域NDA1中，中间图案层211A-1可以在第一绝缘层IL1与封装层ENL之间。中间图案层211A-1可以在第一绝缘层IL1与第一无机封装层310之间。中间图案层211A-1可以直接接触第一无机封装层310。中间图案层211A-1可以布置在第一绝缘层IL1的上表面ILUS的在开口区域OA与凹部R之间的部分上。中间图案层211A-1的侧表面可以直接接触凹部R的第二侧壁RW2。
中间图案层211A-1可以通过通孔TAH暴露。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括使中间图案层211A-1暴露的第一通孔TAH1。第二电极213可以包括使中间图案层211A-1暴露的第二通孔TAH2。盖层215可以包括使中间图案层211A-1暴露的第三通孔TAH3。
中间图案层211A-1可以包括与第一电极211的第一层L1的材料相同的材料。中间图案层211A-1可以包括添加有掺杂剂的a-Si。掺杂剂可以是/包括B、P、N、Ni、Co和F中的至少一种。可以在形成第一电极211的第一层L1时同时地形成中间图案层211A-1。
当制造显示面板10时，可以使用激光剥离方法去除第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215的形成在中间图案层211A-1上的部分。因此，可以形成使中间图案层211A-1暴露的通孔TAH，并且第一无机封装层310的布置在通孔TAH中的部分以及中间图案层211A-1可以防止或减少湿气或外来物质渗透到有机发光二极管OLED中。
图11和图12是根据一个或更多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的剖视图。图13A至图13E是根据一个或更多个实施例的在制造牺牲图案层211A的方法中形成的结构的剖视图。图14、图15、图16A、图16B、图17和图18是根据一个或更多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的剖视图。
参照图11，可以准备显示基底DS。显示基底DS可以包括基底100和像素电路层PCL。像素电路层PCL可以包括数据线DL、像素电路PC、第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2。第一绝缘层IL1可以包括缓冲层111、第一栅极绝缘层112、第二栅极绝缘层113和层间绝缘层114。第二绝缘层IL2可以包括第一有机绝缘层115和第二有机绝缘层116。
基底100可以包括显示区域DA和第一非显示区域NDA1。像素电路PC可以布置在显示区域DA中。可以在第一绝缘层IL1的上表面ILUS上布置有机图案层116A。
参照图12，可以在第一绝缘层IL1上方形成与显示区域DA叠置的第一电极211。可以在第一绝缘层IL1上与第一电极211同时地形成与第一非显示区域NDA1叠置的牺牲图案层211A。可以在没有附加掩模工艺的情况下形成牺牲图案层211A。
可以在第一绝缘层IL1的深度/厚度方向上形成凹部R。凹部R可以在牺牲图案层211A与有机图案层116A之间。
参照图13A，可以在第一非显示区域NDA1中顺序地形成第一层L1、第二层L2和第三层L3。第一层L1、第二层L2和第三层L3可以完全且连续地形成在第一非显示区域NDA1和显示区域中。
第一层L1可以包括Ti。第一层L1可以包括TiN。第一层L1可以包括Mo。第一层L1可以包括添加有掺杂剂的a-Si。掺杂剂可以是/包括B、P、N、Ni、Co和F中的至少一种。第二层L2可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物的反射层。第三层L3可以包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
还可以在第一层L1下面形成包括TiN的下层LL(见图8A)。还可以在第一层L1与第二层L2之间形成包括导电氧化物的中间层ML(见图8B)。
参照图13B和图13C，可以在第三层L3上形成光致抗蚀剂图案PR。首先，可以在第三层L3上方/上形成光致抗蚀剂层。光致抗蚀剂层可以是正型光致抗蚀剂层或负型光致抗蚀剂层。在随后的显影工艺中对正型光致抗蚀剂层的曝光区域进行蚀刻，而对负型光致抗蚀剂层的未曝光区域进行蚀刻。
可以通过经由旋涂、狭缝涂覆、喷涂或淬火将光致抗蚀剂溶液(未示出)施用到第三层L3来形成光致抗蚀剂层。
在将光致抗蚀剂层施用到第三层L3的上表面之前，可以执行对第三层L3的上表面进行抛光的工艺。
接下来，可以曝光光致抗蚀剂层。可以曝光光致抗蚀剂层的至少一部分。例如，当使用光掩模时，可以曝光光致抗蚀剂层的与光掩模的开口叠置的区域。
随后，可以通过显影工艺去除光致抗蚀剂层的一部分。因此，可以在第三层L3上形成光致抗蚀剂图案PR。
随后，可以使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模来对第二层L2和第三层L3进行蚀刻。因此，可以对除了第二层L2和第三层L3的与光致抗蚀剂图案PR叠置的部分之外的第二层L2和第三层L3进行蚀刻。可以对第二层L2和第三层L3进行湿法蚀刻。
参照图13D，可以使用光致抗蚀剂图案PR作为掩模对第一层L1进行蚀刻。可以对第一层L1进行湿法蚀刻。当第一层L1包括Ti时，可以使用氯化铵(NH4F)和氯化氢(HF)对第一层L1进行湿法蚀刻。
可以对第一层L1进行干法蚀刻。当第一层L1包括Ti时，可以使用四氯化碳(CF4)和氧(O2)对第一层L1进行干法蚀刻。因此，可以形成与第一非显示区域NDA1叠置的牺牲图案层211A。
当对牺牲图案层211A的第一层L1进行蚀刻时，可以通过对第一层L1进行过蚀刻来形成凹部R。可以在牺牲图案层211A周围形成凹部R。可以通过去除第一绝缘层IL1的一部分来形成凹部R。
凹部R可以包括底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2。凹部R的第一侧壁RW1可以与有机图案层116A的侧壁116AW接触(例如，直接连接)。凹部R的第二侧壁RW2可以与牺牲图案层211A的侧壁211AW接触(例如，直接连接)。
随后，参照图13E和图12，可以通过显影工艺去除光致抗蚀剂图案PR。因此，可以使牺牲图案层211A的上表面211AUS暴露。可以以与形成牺牲图案层211A的方法类似的方法形成第一电极，并且可以同时地形成第一电极和牺牲图案层211A。
类似于凹部R，可以通过对第一绝缘层IL1进行过蚀刻来形成中间凹部MR。中间凹部MR可以在有机图案层116A与第二有机绝缘层116之间。
中间凹部MR可以包括彼此连接的底表面、第一中间侧壁MRW1和第二中间侧壁MRW2。第一中间侧壁MRW1可以直接连接到有机图案层116A的内侧壁116AW-1。第二中间侧壁MRW2可以直接连接到第二有机绝缘层116的侧表面。
参照图14，可以在第一电极211上形成包括使第一电极211的中心部分暴露的开口118OP的像素限定层118，并且可以在像素限定层118上形成间隔件119。像素限定层118可以覆盖第二中间侧壁MRW2。
可以在有机图案层116A上形成第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。可以与像素限定层118同时地形成第一上有机图案层118A。当第一上有机图案层118A和像素限定层118包括有机材料时，可以通过将有机材料施用到基底100的前表面并且对有机材料执行光固化工艺和图案化工艺来形成第一上有机图案层118A和像素限定层118。第一上有机图案层118A和像素限定层118可以包括相同的材料。可以与间隔件119同时地形成第二上有机图案层119A。当第二上有机图案层119A和间隔件119包括有机材料时，可以通过将有机材料施用到基底100的前表面并且对有机材料执行光固化工艺和图案化工艺来形成第二上有机图案层119A和间隔件119。第二上有机图案层119A和间隔件119可以包括相同的材料。
参照图15，可以形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。可以在基底100的前表面/上表面上顺序地形成第一功能层212a、发射层212b、第二功能层212c、第二电极213和盖层215。发射层212b可以与第一电极211叠置。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215可以顺序堆叠在牺牲图案层211A上。
随后，可以去除第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213的布置在牺牲图案层211A上的部分(即，可以去除布置在牺牲图案层211A上的第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213)。在实施例中，可以将激光照射到牺牲图案层211A上。可以将激光从基底100的下表面照射到牺牲图案层211A上。激光可以从基底100的下表面在基底100的厚度方向上行进并且照射到牺牲图案层211A的下表面上。激光可以具有红外波长。当激光是红外光时，基底100和第一绝缘层IL1的透射率在约80％至约90％的范围内或大于90％，因此激光可以有效地到达牺牲图案层211A。
牺牲图案层211A包括不透明金属，因此吸收激光。牺牲图案层211A的至少一部分可以热膨胀并且从第一绝缘层IL1剥离。
参照图15和图16A，当牺牲图案层211A的第一层L1包括Ti时，牺牲图案层211A可以从第一绝缘层IL1剥离。第一层L1、第二层L2和第三层L3的部分可以从第一绝缘层IL1剥离。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215的布置在第三层L3上的部分可以与牺牲图案层211A一起被剥离。因此，可以在第一功能层212a和第二功能层212c中形成使第一绝缘层IL1的上表面ILUS的一部分暴露的第一通孔TAH1。可以在第二电极213中形成使第一绝缘层IL1的上表面ILUS的一部分暴露的第二通孔TAH2。可以在盖层215中形成使第一绝缘层IL1的上表面ILUS的一部分暴露的第三通孔TAH3。
参照图16B，当牺牲图案层211A的第一层L1包括添加有掺杂剂的a-Si时，第二层L2和第三层L3的部分可以从第一层L1剥离。第一层L1的一部分可以是中间图案层211A-1。第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215的布置在第三层L3上的部分可以与第二层L2和第三层L3一起被剥离。包括添加有掺杂剂的a-Si的第一层L1的熔点可以高于包括Ti的第一层L1的熔点。因此，当第一层L1包括添加有掺杂剂的a-Si时，第一层L1可以不从第一绝缘层IL1剥离，并且第一层L1的上表面可以被暴露。
构成牺牲图案层211A的材料的熔点可以高于构成第二电极213的材料的熔点。牺牲图案层211A的第一层L1可以包括Ti、TiN、Mo或掺杂的a-Si。
如果牺牲图案层211A和第二电极213包括Ag，则在布置在牺牲图案层211A上的第二电极213熔化之前，牺牲图案层211A可以被剥离并且结合到具有Ag的第二电极213，并且可以用作外来物质。外来物质可以布置在牺牲图案层211A周围(例如，在坝DP中)。外来物质会引起对封装层ENL的损坏，并且会导致用于湿气的流入路径。结果，有机发光二极管OLED会被损坏。
在实施例中，牺牲图案层211A包括其熔点高于第二电极213的熔点的材料，因此第二电极213可以在牺牲图案层211A被剥离之前熔化。因此，可以防止对封装层ENL的不期望的损坏。
在实施例中，因为可以与第一电极211同时地形成牺牲图案层211A，所以可以缩短工艺时间，并且可以使掩模工艺的总数量最小化。
随后，参照图17和图18，可以形成封装层ENL。封装层ENL可以包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从显示区域DA延伸到通孔TAH并且可以与通孔TAH叠置。因此，第一无机封装层310可以接触第一绝缘层IL1的上表面ILUS。第一无机封装层310可以接触作为无机绝缘层的层间绝缘层114。
随后，可以通过(例如，使用激光)沿着切割线CL部分地去除基底100和第一绝缘层IL1来形成开口区域OA。因为第一功能层212a、第二功能层212c、第二电极213和盖层215不被开口区域OA暴露，所以可以防止或减少湿气通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的渗透。
图19是根据实施例的显示装置的一部分的示意性剖视图。在图19中，与图7A中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件或类似的构件。
参照图19，显示装置可以包括基底100、第一绝缘层IL1、坝DP、图案层211P和封装层ENL。显示面板可以包括盖层215。基底100可以包括开口区域OA和围绕开口区域OA的第一非显示区域NDA1。
第一绝缘层IL1可以包括在深度/厚度方向上在第一非显示区域NDA1中凹进的凹部。多个凹部可以设置在第一非显示区域NDA1中。例如，凹部可以包括第一凹部R1和第二凹部R2。第一凹部R1可以包括底表面、第一侧壁RW1和第二侧壁RW2。第二凹部R2可以与第一凹部R1间隔开。第二凹部R2可以在第一凹部R1与开口区域OA之间。一个或更多个第二凹部R2可以设置在第一绝缘层IL1中并且在第一凹部R1与开口区域OA之间。
坝DP可以从第一绝缘层IL1的上表面ILUS突出。坝DP可以包括有机图案层116A、第一上有机图案层118A和第二上有机图案层119A。第一凹部R1的第一侧壁RW1可以与坝DP接触(和/或直接连接)。例如，第一凹部R1的第一侧壁RW1可以与有机图案层116A的侧壁116AW接触(和/或直接连接)。
图案层211P可以在开口区域OA与坝DP之间。图案层211P可以在开口区域OA与有机图案层116A之间。一个或更多个凹部可以围绕图案层211P。图案层211P可以在第一凹部R1与第二凹部R2中的一个第二凹部R2之间。图案层211P可以布置在两个第二凹部R2之间。凹部的侧壁可以与图案层211P的侧壁211PW接触(和/或直接连接)。例如，第一凹部R1的第二侧壁RW2可以与图案层211P的侧壁211PW接触(和/或直接连接)。图案层211P可以包括与第一电极(例如，图7A中所示的211)的材料相同的材料。图案层211P可以包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。
第一层L1可以包括Ti。第一层L1可以包括TiN。第一层L1可以包括Mo。第一层L1可以包括掺杂的a-Si或添加有掺杂剂的a-Si。掺杂剂可以是/包括B、P、N、Ni、Co和F中的至少一种。第二层L2可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的混合物或合金的反射层。第三层L3可以包括导电氧化物，诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO。
图案层211P还可以包括在第一层L1下面的包括TiN的下层LL(见图8A)。图案层211P还可以包括在第一层L1与第二层L2之间的包括导电氧化物的中间层ML(见图8B)。
有机发光二极管(例如，图7A中所示的OLED)可以包括第一电极、发射层和第二电极213(第二电极213的一部分)。第一电极可以以与图案层211P相同的方式包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。第一功能层212a可以在第一电极与发射层之间。第二功能层212c可以在发射层与第二电极213之间。第一功能层212a、第二功能层212c和第二电极213中的至少一个可以从显示区域延伸到第一非显示区域NDA1。
第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以从第一凹部R1延伸到第二凹部R2，并且可以布置在第二凹部R2中。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以覆盖第一凹部R1的第一侧壁RW1和第二侧壁RW2。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以覆盖图案层211P并且可以包括布置在第二凹部R2中的部分。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第一通孔TAH1。
第二电极213和盖层215可以从显示区域延伸到第一非显示区域NDA1。第二电极213可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第二通孔TAH2。盖层215可以包括使第一绝缘层IL1的上表面ILUS暴露的第三通孔TAH3。第二通孔TAH2和第三通孔TAH3可以使图案层211P暴露。
第一通孔TAH1的面积可以小于第二通孔TAH2的面积或第三通孔TAH3的面积。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的端部/边缘可以比第二电极213和盖层215中的一个的端部/边缘靠近开口区域OA。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖第一凹部R1的第一侧壁RW1和第二侧壁RW2，并且可以从第一凹部R1延伸到第二凹部R2。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖图案层211P。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以从第二凹部R2延伸到开口区域OA的边缘。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以直接接触第一绝缘层IL1的上表面ILUS。
第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以覆盖第一凹部R1、第二凹部R2和图案层211P的多个表面。可以使湿气或外来物质经由第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透到有机发光二极管中的路径延长。因此，可以防止或减少湿气或外来物质渗透到有机发光二极管中。
图20A至图20C是根据一个或更多个实施例的在制造显示装置的方法中形成的结构的示意性剖视图。在图20A至图20C中，与图19中的构件相同的构件或类似的构件由相同的附图标记表示。
参照图20A，可以准备显示基底DS。显示基底DS可以包括基底100和布置在基底100上的第一绝缘层IL1。可以在第一绝缘层IL1上形成与显示区域叠置的第一电极(例如，图7A中所示的211)，并且可以与第一电极同时地形成与第一非显示区域NDA1叠置的牺牲图案层211A。
可以与第一电极同时地形成图案层211P(或路径延长层211P)。可以与牺牲图案层211A同时地形成图案层211P。图案层211P可以在牺牲图案层211A与坝DP之间。图案层211P可以与牺牲图案层211A间隔开。可以在牺牲图案层211A与坝DP之间并且在第一绝缘层IL1上形成一个或更多个图案层211P。
图案层211P可以包括与牺牲图案层211A的材料相同的材料。图案层211P可以以与牺牲图案层211A相同的方式包括第一层L1、第二层L2和第三层L3。
当形成图案层211P和牺牲图案层211A时，可以通过对第一绝缘层IL1进行过蚀刻来形成至少一个凹部。可以在第一绝缘层IL1中形成多个凹部。一个或更多个凹部可以围绕图案层211P和牺牲图案层211A。第一凹部R1可以在图案层211P与坝DP之间。第二凹部R2可以在两个图案层211P之间。第二凹部R2可以在图案层211P与牺牲图案层211A之间。
随后，可以在牺牲图案层211A和图案层211P上形成第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个以及第二电极213。可以在第二电极213上形成盖层215。第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以连续地形成在第一非显示区域NDA1中。因此，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以覆盖坝DP、第一凹部R1、第二凹部R2、图案层211P、牺牲图案层211A和第一绝缘层IL1。第二电极213和盖层215可以连续地形成在第一非显示区域NDA1中，并且覆盖坝DP、第一凹部R1、第二凹部R2、图案层211P、牺牲图案层211A和第一绝缘层IL1。
随后，参照图20A和图20B，可以去除第二电极213和盖层215的布置在图案层211P上的部分(即，可以去除布置在图案层211P上的第二电极213和盖层215)。在实施例中，可以以第一能量密度(J/cm2)将激光(第一激光组)照射到第一非显示区域NDA1中。可以从基底100的下表面在基底100的厚度方向上照射激光。具有第一能量密度的激光可以用于使第二电极213和盖层215的部分剥离，但不剥离图案层211P。可以去除第二电极213和盖层215的布置在图案层211P上的部分。当将具有第一能量密度的激光也照射到牺牲图案层211A的下部时，可以去除第二电极213和盖层215的布置在牺牲图案层211A上的部分。因此，可以在第二电极213中形成使第二功能层212c的一部分暴露的第二通孔TAH2。可以在盖层215中形成使第二功能层212c的一部分暴露的第三通孔TAH3。
随后，参照图20C，可以去除第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的布置在牺牲图案层211A上的部分。在实施例中，可以以第二能量密度(J/cm2)将激光(第二激光组)照射到牺牲图案层211A上。第二能量密度可以大于第一能量密度。因此，具有第二能量密度的激光可以使牺牲图案层211A从第一绝缘层IL1剥离。牺牲图案层211A以及第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的布置在牺牲图案层211A上的部分可以从第一绝缘层IL1剥离。因此，可以在第一功能层212a和第二功能层212c中形成使第一绝缘层IL1的上表面ILUS的一部分暴露的第一通孔TAH1。
第二通孔TAH2的面积和/或第三通孔TAH3的面积可以大于第一通孔TAH1的面积。因此，可以使用于通过第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个渗透到有机发光二极管中的路径延长。
根据实施例，可以使用激光剥离方法去除有机层的布置在开口周围的部分，以防止显示元件被湿气或外来物质损坏。
所描述的示例实施例是说明性的，而不是为了限制的目的。与每个实施例相关的特征的描述通常应适用于其它实施例。在不脱离由权利要求限定的范围的情况下，可以在所描述的实施例中做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的显示区域以及在所述开口区域与所述显示区域之间的非显示区域；
第一绝缘层，布置在所述基底上，并且包括在所述非显示区域中在深度方向上凹进的第一凹部；
有机图案层，在所述非显示区域中布置在所述第一绝缘层的上表面上，并且包括与所述第一凹部的第一侧壁接触的侧壁；以及
显示元件，布置在所述第一绝缘层上以与所述显示区域叠置，并且包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极，
其中，所述第一电极包括顺序堆叠的第一层、第二层和第三层，并且
所述第一层包括钛、氮化钛、钼和添加有掺杂剂的非晶硅中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示元件包括在所述第一电极与所述发射层之间的第一功能层以及在所述发射层与所述第二电极之间的第二功能层中的至少一个，并且
所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极从所述显示区域延伸到所述第一侧壁且布置在所述第一凹部中，并且分别包括第一通孔和第二通孔，所述第一通孔和所述第二通孔中的每个使所述第一绝缘层的所述上表面的一部分暴露。
3.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括布置在所述开口区域与所述有机图案层之间的图案层，所述图案层包括所述第一层、所述第二层和所述第三层，并且
其中，所述第一绝缘层还包括与所述第一凹部间隔开并且在所述深度方向上凹进的第二凹部，
所述图案层在所述第一凹部与所述第二凹部之间，并且
所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个从所述第一凹部延伸到所述第二凹部且布置在所述第二凹部中。
4.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括布置在所述第二电极上的盖层，其中，所述盖层从所述显示区域延伸到所述第一侧壁并且布置在所述第一凹部中，
其中，所述盖层包括使所述第一绝缘层的所述上表面的一部分暴露的第三通孔。
5.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括封装层，所述封装层覆盖所述显示元件并且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层从所述显示区域延伸到所述非显示区域，并且分别与所述第一通孔和所述第二通孔叠置。
6.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括布置在所述第一绝缘层与所述第一电极之间并且与所述有机图案层分离的第二绝缘层，
其中，所述有机图案层包括与所述第二绝缘层的材料相同的材料。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一层包括Ti，并且
所述第一电极还包括在所述第一层下面的下层，所述下层包括TiN。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一凹部布置为比所述有机图案层靠近所述开口区域。
9.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括与所述开口区域叠置的组件。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括开口区域、围绕所述开口区域的显示区域以及在所述开口区域与所述显示区域之间的非显示区域；
第一绝缘层，布置在所述基底上；
显示元件，布置在所述第一绝缘层上以与所述显示区域叠置，并且包括顺序堆叠的第一电极、发射层和第二电极；
封装层，覆盖所述显示元件并且从所述显示元件延伸到所述非显示区域，所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层；以及
中间图案层，与所述非显示区域叠置并且布置在所述第一绝缘层与所述封装层之间，
其中，所述第一电极和所述中间图案层均包括添加有掺杂剂的非晶硅。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述显示元件包括在所述第一电极与所述发射层之间的第一功能层以及在所述发射层与所述第二电极之间的第二功能层中的至少一个，并且
所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极从所述显示区域延伸到所述非显示区域，并且分别包括使所述中间图案层暴露的第一通孔和第二通孔。
12.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
准备显示基底，所述显示基底包括基底和第一绝缘层，所述基底包括非显示区域和显示区域，并且所述第一绝缘层布置在所述基底上；
在所述第一绝缘层上形成与所述显示区域叠置的第一电极；
在所述第一绝缘层上与所述第一电极同时地形成牺牲图案层，所述牺牲图案层与所述非显示区域叠置；
在所述第一电极和所述牺牲图案层上形成第一功能层和第二功能层中的至少一个以及第二电极；以及
去除布置在所述牺牲图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述牺牲图案层包括：
顺序地形成第一层、第二层和第三层；
在所述第三层上形成光致抗蚀剂图案；
使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模对所述第二层和所述第三层进行蚀刻；以及
使用所述光致抗蚀剂图案作为掩模对所述第一层进行蚀刻。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，对所述第一层进行蚀刻包括形成凹部，所述凹部包括与所述牺牲图案层的一个侧壁接触的一个侧壁。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，去除布置在所述牺牲图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极包括：
在所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个中形成第一通孔，所述第一通孔使所述第一绝缘层的上表面的一部分暴露，以及
在所述第二电极中形成第二通孔，所述第二通孔使所述第一绝缘层的所述上表面的一部分暴露。
16.根据权利要求15所述的方法，所述方法还包括在所述第二电极上形成封装层，所述封装层包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层从所述显示区域延伸到所述第一通孔和所述第二通孔，并且分别与所述第一通孔和所述第二通孔叠置。
17.根据权利要求12所述的方法，其中，去除布置在所述牺牲图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极包括将激光照射到所述牺牲图案层上。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，所述牺牲图案层包括第一层、第二层和第三层，并且
去除布置在所述牺牲图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极包括通过去除所述第二层和所述第三层来使所述第一层的上表面暴露。
19.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在所述第一绝缘层上与所述第一电极同时地形成图案层，所述图案层与所述非显示区域叠置；
在图案层上形成所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极；以及
去除布置在所述图案层上的所述第二电极。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，去除布置在所述图案层上的所述第二电极包括以第一能量密度照射第一激光，并且
去除布置在所述牺牲图案层上的所述第一功能层和所述第二功能层中的所述至少一个以及所述第二电极包括以第二能量密度将第二激光照射到所述牺牲图案层上，
其中，所述第二能量密度大于所述第一能量密度。
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