KR102381901B1 - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents
표시 장치 및 이의 제조 방법 Download PDFInfo
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Abstract
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 글래스 위에 돌출 패턴을 형성하는 단계, 상기 돌출 패턴 위에 폴리머를 도포하여 폴리머층을 형성하는 단계, 상기 폴리머층 위에 트랜지스터 및 상기 트랜지스터와 연결된 유기 발광 소자를 포함하는 적층 구조를 형성하는 단계, 상기 적층 구조에 모듈이 삽입되는 개구부를 형성하는 단계, 그리고 상기 캐리어 글래스 및 상기 돌출 패턴을 분리하는 단계를 포함하며, 상기 개구부는 상기 돌출 패턴과 중첩한다.
Description
본 개시는 표시 장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
발광 소자는 양극(anode)으로부터 공급되는 정공(hole)과 음극(cathode)으로부터 공급되는 전자(electron)가 양극과 음극 사이에 형성된 발광층 내에서 결합하여 엑시톤(exciton)이 형성되고, 이 엑시톤이 안정화되면서 광을 방출하는 소자이다.
발광 소자는 넓은 시야각, 빠른 응답 속도, 얇은 두께, 낮은 소비 전력 등의 여러 가지 장점들을 가지기 때문에 텔레비전, 모니터, 휴대폰 등의 다양한 전기 및 전자 장치들에 널리 적용되고 있다.
최근에는 발광 소자를 포함하는 가요성 표시 장치나 사용자를 향하는 장치의 일면 대부분이 표시 영역인 전면 표시 장치가 제공되고 있다.
실시예들은 카메라와 같은 모듈이 삽입 되는 개구부의 제조가 용이한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것이며, 이에 따라 제조된 표시 장치에 관한 것이다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 캐리어 글래스 위에 돌출 패턴을 형성하는 단계, 상기 돌출 패턴 위에 폴리머를 도포하여 폴리머층을 형성하는 단계, 상기 폴리머층 위에 트랜지스터 및 상기 트랜지스터와 연결된 유기 발광 소자를 포함하는 적층 구조를 형성하는 단계, 상기 적층 구조에 모듈이 삽입되는 개구부를 형성하는 단계, 그리고 상기 캐리어 글래스 및 상기 돌출 패턴을 분리하는 단계를 포함하며, 상기 개구부는 상기 돌출 패턴과 중첩한다.
상기 돌출 패턴을 분리하는 단계에서 상기 개구부를 포함하는 기판이 형성될 수 있다.
상기 돌출 패턴의 두께와 상기 폴리머층의 두께가 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 폴리머층을 형성하는 단계는, 상기 폴리머가 상기 돌출 패턴을 노출하도록 식각하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴은 폴리페닐-SQ, 폴리메틸-SQ, 메틸 레진 및 페닐 레진을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴의 두께는 상기 폴리머층의 두께보다 작을 수 있다.
상기 돌출 패턴의 두께는 상기 폴리머층 두께의 50% 이상 100% 미만일 수 있다.
상기 돌출 패턴과 중첩하며 상기 폴리머층을 관통하는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 돌출 패턴은 요철을 포함할 수 있다.
상기 개구부는 상기 돌출 패턴의 상기 요철의 볼록부와 중첩하도록 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판, 상기 기판의 표시 영역에 위치하는 트랜지스터, 상기 트랜지스터에 연결된 유기 발광 소자, 그리고 상기 표시 영역에 위치하고 모듈이 삽입되도록 상기 기판을 관통하는 개구부를 포함한다.
상기 유기 발광 소자는 화소 전극, 상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 및 상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 상기 개구부는 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 관통할 수 있다.
상기 개구부의 내주면은 요철을 포함할 수 있다.
상기 기판은 요철을 포함하고, 상기 개구부는 상기 기판의 오목부와 중첩할 수 있다.
상기 기판은 폴리머를 포함할 수 있다.
상기 폴리머는 폴리이미드를 포함하고, 상기 표시 장치는 가요적일 수 있다.
실시예들에 따르면 표시 영역의 면적이 증가된 표시 장치를 제공할 수 있다. 또한 카메라와 같은 모듈이 삽입되는 개구부의 제조가 용이한 표시 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 표시 장치의 개략적인 도면이다.
도 2는 모듈이 삽입되는 개구부에 인접한 화소의 단면도이다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 도 2의 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 9, 도 10 및 도 11은 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 12, 도 13, 도 14 및 도 15는 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 2는 모듈이 삽입되는 개구부에 인접한 화소의 단면도이다.
도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 도 2의 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 9, 도 10 및 도 11은 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 12, 도 13, 도 14 및 도 15는 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 여러 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "평면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 위에서 보았을 때를 의미하며, "단면상"이라 할 때, 이는 대상 부분을 수직으로 자른 단면을 옆에서 보았을 때를 의미한다.
이하에서는 도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일
실시예에
따른 표시 장치에 대해 설명한다. 도 1은 일
실시예에
따른 표시 장치의 개략적인 도면이고, 도 2는
모듈(일 예로, 카메라)가
삽입되는 영역에 인접한 화소의 단면도이다.
우선 도 1(b)를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치의 전면(Front Side)의 대부분이 표시 영역(DA)이며, 도 1(a)와 달리 전면의 외곽까지 표시 영역으로 확장된 표시 장치이다.
도 1(a)에 따른 기존 표시 장치는 영상을 표시하는 면을 둘러싸는 비표시 영역(PA)을 포함하고, 비표시 영역(PA)에 위치하는 카메라(C) 및 센서(S)를 포함한다.
이에 반해 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 도 1(b)에 도시된 바와 같이 표시 영역(DA)에 위치하는 카메라(C) 및 센서(S)를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 장치의 일면 대부분이 표시 영역(DA)으로 제공되므로, 카메라(C) 및 센서(S)가 표시 영역(DA)에 위치할 수 있다.
이하에서는 도 2를 참조하여, 표시 영역을 이루는 일 화소와 상기 일 화소에 인접하며 모듈(일 예로, 카메라)이 삽입되는 개구부(OP)를 살펴본다.
기판(110)은 폴리머를 포함하는 투명한 절연 기판일 수 있으며, 일 예로 상기 폴리머는 폴리이미드(polyimide) 일 수 있다. 일 실시예에 따른 기판(110)은 가요성을 가질 수 있다.
기판(110) 위에 버퍼층(111)이 위치할 수 있으며 실시예에 따라 버퍼층(111)은 생략될 수 있다. 버퍼층(111)은 산화규소, 질화규소 등과 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 버퍼층(111)은 후술할 반도체층(154)의 특성을 열화시키는 불순물이 확산되는 것을 방지하고 수분 등의 침투를 방지할 수 있다.
버퍼층(111) 위에 트랜지스터(TR)의 반도체층(154)이 위치한다. 반도체층(154)은 채널 영역(152)과 채널 영역(152)의 양측에 위치하며 도핑되어 있는 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)을 포함한다. 반도체층(154)은 다결정 규소, 비정질 규소, 또는 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
도시되지 않았지만, 기판(110)과 반도체층(154) 사이에는 차광 전극이 위치할 수 있다. 차광 전극은 외부 광이 반도체층(154)에 도달하는 것을 차단하여 반도체층(154)의 특성 저하를 막고 트랜지스터(TR)의 누설 전류를 최소화할 수 있다.
반도체층(154) 위에는 게이트 절연층(141)이 위치한다. 게이트 절연층(141)은 기판(110)의 전면과 중첩하며 위치할 수 있다. 게이트 절연층(141)은 산화규소(SiOx), 질화규소(SiNx) 등의 무기 절연 물질을 포함할 수 있다.
게이트 절연층(141) 위에는 트랜지스터(TR)의 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트 도전체가 위치한다. 게이트 전극(124)은 반도체층(154)의 채널 영역(152)과 중첩할 수 있다.
게이트 도전체는 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(124) 위에 무기 절연 물질 또는 유기 절연 물질을 포함할 수 있는 층간 절연층(160)이 위치한다.
층간 절연층(160) 위에는 트랜지스터(TR)의 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175), 데이터선(도시되지 않음), 구동 전압선(도시되지 않음) 등을 포함하는 데이터 도전체가 위치한다. 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 층간 절연층(160) 및 게이트 절연층(141)이 가지는 접촉 구멍(63, 65)들을 통해 반도체층(154)의 소스 영역(153) 및 드레인 영역(155)에 각각 연결될 수 있다.
데이터 도전체는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 탄탈륨(Ta) 등의 금속이나 금속 합금을 포함할 수 있으며, 단일층 또는 다중층(예컨대, Ti/Al/Ti, Mo/Al/Mo, Mo/Cu/Mo 등)으로 형성될 수 있다.
게이트 전극(124), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)은 반도체층(154)과 함께 트랜지스터(TR)를 이룬다. 도시된 트랜지스터는 유기 발광 표시 장치의 화소에서 구동 트랜지스터일 수 있다. 도시된 트랜지스터는 게이트 전극(124)이 반도체층(154)보다 위에 위치하므로 탑 게이트형(top-gate) 트랜지스터로 불릴 수 있다. 트랜지스터의 구조는 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 바뀔 수 있으며, 예컨대, 게이트 전극이 반도체 아래 위치하는 바텀 게이트형(bottom-gate) 트랜지스터일 수도 있다.
층간 절연층(160) 및 데이터 도전체 위에는 평탄화층(180)이 위치한다. 평탄화층(180)은 그 위에 형성될 유기 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해 단차를 없애고 평탄화시키는 역할을 할 수 있다. 평탄화층(180)은 트랜지스터(TR)를 덮을 수 있다.
평탄화층(180)은 일 예로 유기 절연 물질을 포함할 수 있다. 유기 절연 물질은 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리페닐렌 에테르(polyphenylene ether), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 불포화 폴리에스터(unsaturated polyester), 에폭시 수지, 페놀 수지 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
평탄화층(180) 위에는 화소 전극(191)이 위치한다. 화소 전극(191)은 평탄화층(180)이 가지는 접촉 구멍(81)을 통해 트랜지스터(TR)의 드레인 전극(175)에 연결되어 있다.
화소 전극(191)은 반사성 도전 물질 또는 반투과성 도전 물질로 형성될 수 있고, 투명한 도전 물질로 형성될 수도 있다. 예컨대, 화소 전극(191)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질, 리튬(Li), 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 은(Ag), 마그네슘(Mg) 및 금(Au) 같은 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
평탄화층(180) 및 화소 전극(191) 위에는 화소 정의막(360)이 위치한다. 화소 정의막(360)은 화소 전극(191)의 일부분과 중첩하는 개구부(91)를 가진다. 화소 정의막(360)의 개구부(91)는 화소에 대응하는 영역을 한정할 수 있다. 화소 정의막(360)은 폴리이미드, 폴리아크릴레이트, 폴리아미드 같은 유기 절연 물질을 포함할 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 발광층(370)이 위치한다. 발광층(370)은 발광 영역을 포함하고, 추가적으로 정공 주입 영역, 정공 수송 영역, 전자 주입 영역 및 전자 수송 영역 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 발광층은 적색, 녹색 및 청색 등의 기본 색의 광을 고유하게 내는 유기 물질로 만들어질 수도 있고, 서로 다른 색의 광을 내는 복수의 유기 물질층이 적층된 구조를 가질 수도 있다.
발광층(370) 위에는 공통 전압을 전달하는 공통 전극(270)이 위치한다. 공통 전극(270)은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO) 같은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 공통 전극(270)은 칼슘(Ca), 바륨(Ba), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 은(Ag) 등의 금속을 얇게 적층하여 광 투과성을 가지도록 형성될 수도 있다. 도시되지 않았지만, 공통 전극(270) 위에는 적어도 하나의 보호층 또는 기능층이 위치할 수 있다.
각 화소의 화소 전극(191), 발광층(370) 및 공통 전극(270)은 유기 발광 다이오드인 유기 발광 소자(OLED)를 이룬다. 여기서, 화소 전극(191)은 정공 주입 전극인 애노드(anode)일 수 있고, 공통 전극(270)은 전자 주입 전극인 캐소드(cathode)일 수 있다. 이와 반대로, 화소 전극(191)이 캐소드일 수 있고, 공통 전극(270)이 애노드일 수도 있다. 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)으로부터 각각 정공과 전자가 발광층(370) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exiton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광하게 된다.
일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 영역(DA)에 위치하는 카메라(C) 및 센서(S) 등의 모듈을 포함한다. 모듈이 삽입되는 개구부(OP)는 화소에 인접한 표시 영역에 위치할 수 있다.
개구부(OP)는 전술한 기판(110), 버퍼층(111), 게이트 절연층(141), 층간 절연층(160), 평탄화층(180) 및 화소 정의막(360)을 관통할 수 있으며, 실시예에 따라 화소 전극(191) 및 공통 전극(270)도 관통할 수 있다.
개구부(OP)의 내주면은 요철을 포함할 수 있다. 개구부(OP)는 1회의 공정을 통해 제조되거나 복수회의 공정을 통해 제조될 수 있으며 제조 공정에 따라 일부 영역에서는 개구부(OP)의 지름이 상이하게 제조될 수 있다.
이하에서는 도 3
내지 도
8을 참조하여 전술한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 3, 도 4, 도 5, 도 6, 도 7 및 도 8은 도 2의
실시예에
대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다.
도 3을 참조하면, 캐리어 글래스(CG) 위에 돌출 패턴(P)을 형성하고, 기판(110)을 이루는 폴리머를 도포하여 폴리머층(PI)을 형성한다. 상기 폴리머는 일 예로 폴리이미드(polyimide)일 수 있다. 폴리머층(PI)은 돌출 패턴(P)과 중첩하는 영역에서 상측으로 돌출된 형태를 가질 수 있다.
돌출 패턴(P)은 카메라와 같은 모듈이 삽입되기 위한 개구부와 중첩하는 위치에 형성될 수 있다.
돌출 패턴(P)은 고내열성 물질을 포함할 수 있으며, 일 예로 유기 물질을 포함할 수 있다. 상기 유기 물질은 약 400도(℃), 일 예로 약 480 도(℃) 이상의 온도에서 내열성을 가질 수 있다. 상기 유기 물질은 일 예로 사다리(ladder) 구조를 가지는 실록산계 물질, 새집(cage) 구조를 가지는 실록산계 물질, 폴리페닐-SQ, 폴리메틸-SQ, 메틸 레진, 및 페닐 레진을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 실시예에 따라 돌출 패턴(P)은 감광성 물질을 포함할 수 있다.
다음, 도 4에 도시된 바와 같이, 폴리머층(PI) 위에 감광성 패턴(PR)을 형성하고 캐리어 글래스(CG) 전면에 노광을 실시한다. 이후 현상 공정 및 감광성 마스크(PR)의 제거 공정을 통해 도 5에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(P)을 노출하는 폴리머층(PI)을 형성할 수 있다. 일 실시예에 따른 돌출 패턴(P)과 폴리머층(PI)의 두께는 실질적으로 동일하며, 돌출 패턴(P)과 폴리머층(PI)의 상면은 실질적으로 동일면을 이룰 수 있다.
이후 도 6에 도시된 바와 같이, 당업자에 알려진 제조 방법에 따라 폴리머층(PI) 및 돌출 패턴(P) 위에 버퍼층(111), 반도체층(154), 게이트 절연층(141), 게이트 전극(124)을 포함하는 게이트 도전체, 층간 절연층(160), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 포함하는 데이터 도전체, 평탄화층(180), 유기 발광 소자(OLED) 및 화소 정의막(360)을 포함하는 적층 구조를 형성한다.
다음 도 7에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(P)과 중첩하는 위치에 앞서 도 6에서 제조한 적층 구조를 관통하는 개구부(OP)를 형성한다.
본 명세서는 1회의 공정을 통해 개구부(OP)가 형성되는 구성을 설명하였으나 이에 제한되지 않고 복수의 공정을 통해 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 또한 층간 절연층(160)이 가지는 접촉 구멍(63, 65)을 형성하는 공정, 평탄화막(180)이 가지는 접촉 구멍(81)을 형성하는 공정, 그리고 화소 정의막(360)이 가지는 개구부(91)를 형성하는 공정과 함께 개구부(OP)가 형성될 수 있다. 복수회의 공정을 통해 형성되는 개구부(OP)의 내주면은 일부 울퉁불퉁한 요철면을 포함할 수 있다.
다음 도 8에 도시된 바와 같이 캐리어 글래스(CG) 및 돌출 패턴(P)을 분리하여 도 2에 도시된 바와 같은 표시 장치를 제공할 수 있다. 캐리어 글래스(CG)를 제거함과 동시에 폴리머층(PI)과 동일면을 이루는 돌출 패턴(P)이 제거되고, 돌출 패턴(P)이 위치하던 영역에는 폴리머층(PI)을 관통하는 개구부(OP)가 형성된다. 개구부(OP)는 적층 구조에 포함되는 화소 정의막(360), 평탕화막(180), 층간 절연층(160), 게이트 절연층(141), 버퍼층(111) 뿐만 아니라 기판(110)에도 형성될 수 있다.
카메라와 같은 모듈이 표시 영역에 위치하기 위해서는 상당한 두께의 적층 구조에 개구부를 형성해야 한다. 종래 개구부를 형성하는 공정은 레이저 드릴링 공정 등을 이용하였다. 이러한 공정은 소요되는 비용이 크고 불순물이 발생하는 등의 문제가 있었다.
그러나 본 발명의 일 실시예에 따르면 기판(110)은 캐리어 글래스(CG) 및 돌출 패턴(P)의 분리만으로 개구부를 제조할 수 있으므로 기판(110)에 개구부를 형성하기 위한 공정이 생략될 수 있어 공정 로드가 감소할 수 있다.
이하에서는 도 9 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 변형 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 9, 도 10 및 도 11은 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다. 전술한 구성요소와 동일 유사한 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 9를 참조하면 캐리어 글래스(CG) 위에 돌출 패턴(P)을 형성한다. 돌출 패턴(P)이 위치하는 캐리어 글래스(CG) 위에 폴리머를 도포하여 폴리머층(PI)을 형성한다.
돌출 패턴(P)의 높이는 폴리머층(PI) 두께의 약 50% 이상 100% 미만일 수 있으며, 일 예로 약 50 내지 70%일 수 있다. 폴리머를 도포하는 공정에서 폴리머층(PI)은 별도의 단차 없이 평평한 형태로 제공될 수 있다.
다음 도 10을 참조하면 전술한 바와 같이 당업자에 알려진 방법에 따라 폴리머층(PI) 및 돌출 패턴(P) 위에 버퍼층(111), 반도체층(154), 게이트 절연층(141), 게이트 도전체, 층간 절연층(160), 데이터 도전체, 평탄화층(180), 발광 소자(OLED) 및 화소 정의막(360)이 차례로 위치하는 적층 구조를 형성한다.
이후 도 11에 도시된 바와 같이 돌출 패턴(P)과 중첩하는 위치에 상기 적층 구조를 관통하는 개구부(OP)를 형성한다. 개구부(OP)는 버퍼층(111), 게이트 절연층(141), 층간 절연층(160), 평탄화층(180) 및 화소 정의막(360) 뿐만 아니라 기판(110)을 형성하기 위한 폴리머층(PI)에도 형성될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법은 돌출 패턴(P)과 중첩하는 폴리머층(PI)을 제거하는 공정을 더 포함할 수 있다. 돌출 패턴(P)과 중첩하는 폴리머층(PI)은 돌출 패턴(P)과 중첩하지 않는 폴리머층(PI)의 두께 대비 0 초과 50% 이하의 두께를 가지므로, 해당 두께에 대한 폴리머층(PI)의 제거 공정이 진행될 수 있다. 일 실시예에 따른 상기 제거 공정은 폴리머층(PI)을 완전히 관통하는 개구부를 형성하는 공정에 비해 공정 부담이 적고 안정적인 형성이 가능하다.
이하에서는 도 12 내지 도 14를 참조하여 돌출 패턴의 변형 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 설명한다. 도 12, 도 13 및 도 14는 변형 실시예에 대한 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도들이다. 전술한 구성요소와 동일 유사한 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 12를 참조하면, 캐리어 글래스(CG) 위에 요철을 포함하는 돌출 패턴(P)을 형성하고, 이후 돌출 패턴(P) 위에 폴리머를 도포하여 폴리머층(PI)을 형성한다.
다음 도 13을 참조하면, 폴리머층(PI) 위에 당업자에 알려진 방법에 따라 폴리머층(PI) 및 돌출 패턴(P) 위에 버퍼층(111), 반도체층(154), 게이트 절연층(141), 게이트 도전체, 층간 절연층(160), 데이터 도전체, 평탄화층(180), 발광 소자(OLED) 및 화소 정의막(360)을 차례로 배치된 적층 구조를 형성한다.
이후 도 14를 참조하면, 모듈이 삽입되는 위치에 상기 적층 구조를 관통하는 개구부(OP)를 형성한다. 개구부(OP)는 돌출 패턴(P)의 볼록한 부분과 중첩할 수 있다. 다음 캐리어 글래스(CG) 및 돌출 패턴(P)을 제거하여 도 15에 도시된 바와 같은 표시 장치를 제공할 수 있다.
전술한 제조 방법에 따르면 기판(110)을 관통하는 개구부(OP)를 제조하는 공정이 간단할 수 있으며, 요철을 포함하는 기판(110)의 제공을 통해 가요성이 향상된 표시 장치를 제공할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
CG: 캐리어 글래스
P: 돌출 패턴
PI: 폴리머층
OLED: 유기 발광 소자
OP: 개구부
P: 돌출 패턴
PI: 폴리머층
OLED: 유기 발광 소자
OP: 개구부
Claims (16)
- 캐리어 글래스 위에 돌출 패턴을 형성하는 단계,
상기 돌출 패턴 위에 폴리머를 도포하여 폴리머층을 형성하는 단계,
상기 폴리머층 위에 트랜지스터 및 상기 트랜지스터와 연결된 유기 발광 소자를 포함하는 적층 구조를 형성하는 단계, 그리고
상기 캐리어 글래스 및 상기 돌출 패턴을 분리하는 단계를 포함하며,
상기 돌출 패턴을 분리하는 단계에서 상기 폴리머층을 관통하는 개구부가 형성되는 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 적층 구조를 관통하는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제2항에서,
상기 돌출 패턴의 두께와 상기 폴리머층의 두께가 실질적으로 동일한 표시 장치의 제조 방법. - 제3항에서,
상기 폴리머층을 형성하는 단계는 상기 폴리머가 상기 돌출 패턴을 노출하도록 식각하는 공정을 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 돌출 패턴은 사다리(ladder) 구조를 가지는 실록산계 물질, 새집(cage) 구조를 가지는 실록산계 물질, 폴리페닐-SQ, 폴리메틸-SQ, 메틸 레진, 및 페닐 레진을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 돌출 패턴의 두께는 상기 폴리머층의 두께보다 작은 표시 장치의 제조 방법. - 제6항에서,
상기 돌출 패턴과 중첩하며 상기 폴리머층을 관통하는 개구부를 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 돌출 패턴은 요철을 포함하는 표시 장치의 제조 방법. - 제8항에서,
상기 개구부는 상기 돌출 패턴의 상기 요철의 볼록부와 중첩하도록 형성되는 표시 장치의 제조 방법. - 제1항에서,
상기 표시 장치는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하고,
상기 개구부는 상기 표시 영역에 위치하는 표시 장치의 제조 방법. - 영상을 표시하는 표시 영역 및 상기 표시 영역의 주변에 위치하는 비표시 영역을 포함하는 기판,
상기 기판의 표시 영역에 위치하는 트랜지스터,
상기 트랜지스터에 연결된 유기 발광 소자, 그리고
상기 표시 영역에 위치하고 모듈이 삽입되도록 상기 기판을 관통하는 개구부를 포함하고,
상기 개구부의 내주면은 요철을 포함하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 유기 발광 소자는
화소 전극,
상기 화소 전극과 중첩하는 공통 전극, 및
상기 화소 전극과 상기 공통 전극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,
상기 개구부는 상기 화소 전극 및 상기 공통 전극을 관통하는 표시 장치. - 삭제
- 제11항에서,
상기 기판은 요철을 포함하고,
상기 개구부는 상기 기판의 오목부와 중첩하는 표시 장치. - 제11항에서,
상기 기판은 폴리머를 포함하는 표시 장치. - 제15항에서,
상기 폴리머는 폴리이미드를 포함하고, 상기 표시 장치는 가요적인 표시 장치.
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