KR20200033376A - 표시 패널 - Google Patents

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KR20200033376A
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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판과, 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들과, 표시요소들을 커버하며 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층과, 개구영역과 표시영역 사이에 위치하고 기판의 깊이 방향으로 오목하며 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브와, 제1그루브 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나를 커버하며 유기절연물을 포함하는 평탄화층, 및 표시영역에 위치하며 박막봉지층 상에 배치된 입력감지층을 포함하며, 평탄화층은 무기봉지층의 위에 배치되고 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다.

Description

표시 패널 {Display panel}
본 발명의 실시예들은 표시 패널에 관한 것이며, 또한, 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
근래에 표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치 중 표시영역이 차지하는 면적을 확대하면서, 표시 장치에 접목 또는 연계하는 다양한 기능들이 추가되고 있다. 면적을 확대하면서 다양한 기능을 추가하기 위한 방안이 개발되고 있다.
그 구체적 방안으로서 개구영역을 구비하는 표시 장치의 경우, 개구의 측면으로 수분 등의 이물이 침투할 수 있다. 이와 같은 경우, 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시요소들을 손상시킬 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 투습을 방지할 수 있는 표시 패널 및 이를 구비한 표시 장치를 제공한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예는, 개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판; 상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들; 상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 각각 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브; 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 유기절연물을 포함하는 평탄화층; 및 상기 평탄화층의 아래에 배치된 하부 배리어층;을 포함하며,
상기 평탄화층은 상기 무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며, 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓일 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하며, 상기 제1그루브를 채울 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 제2무기봉지층 위에 위치하며, 상기 제2무기봉지층의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 제2그루브를 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 개구영역과 상기 제2그루브 사이에 배치되는 제3그루브를 더 포함하며, 상기 하부 배리어층은 상기 제2 및 제3그루브를 커버할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브는 상기 제2그루브의 중심을 향해 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고, 상기 한 쌍의 팁의 바로 아래에 위치하는 유기물을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시요소들 상에 배치된 입력감지층을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는, 개구를 갖는 기판; 상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들; 상기 표시요소들 상에 위치하며, 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층; 상기 표시요소들 상에 위치하는 입력감지층; 상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 복수의 그루브들; 상기 복수의 그루브들 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 무기물을 포함하는 배리어층;을 구비하는, 표시 패널을 개시한다.
본 실시예에 있어서, 상기 그루브영역에 위치하는 평탄화층을 더 포함하며,
상기 평탄화층은 상기 제2무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 제2무기봉지층의 아래에 배치될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 입력감지층은 다층을 포함하며, 상기 배리어층 또는 상기 평탄화층 중 적어도 어느 하나는, 상기 입력감지층의 층들 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고, 상기 복수의 그루브들은 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함할 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 적어도 하나의 무기물층은 각각의 상기 복수의 그루브들에 대응하는 제1홀을 구비하고, 상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함하며, 상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 복수의 그루브는, 상기 표시영역에 인접한 제1그루브, 및 상기 제1그루브 보다 상기 개구에 인접한 제2그루브를 포함하며, 상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하되, 상기 제1그루브를 채울 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브 내에 존재하는 유기물을 포함하며, 상기 유기물은 상기 유기봉지층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 제2그루브는 상기 배리어층으로 커버될 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 표시 장치는, 비표시영역에 그루브를 형성함으로써 표시요소를 향해 진행하는 수분 등의 침투를 방지할 수 있고, 그루브 상에 절연층들, 예컨대 유기봉지층의 일부, 평탄화층 또는/및 하부 배리어층 등을 배치함으로써 그루브 주변에서 막이 들뜨거나 크랙이 발생하는 것을 방지하거나 최소화할 수 있으며, 수분과 같은 외부 이물질에 의해 표시요소가 손상되는 것을 방지할 수 있다. 그러나 이와 같은 효과는 예시적인 것으로, 실시예들에 따른 효과는 후술하는 내용을 통해 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역에 위치한 배선(신호라인)들을 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일 영역에 위치한 그루브들을 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 입력감지층을 발췌하여 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 8a 및 도 8b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 9a 및 도 9b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이다.
도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도이다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도이다.
도 12는 도 11의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다.
도 13, 도 15, 도 17, 및 도 19는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 개구영역 및 제1비표시영역을 나타낸 단면도들이다.
도 14는 도 13의 변형 실시예에 해당한다.
도 16은 도 15에서 XVI을 확대한 도면이다.
도 18은 도 17에서 XVIII를 확대한 도면이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제1비표시영역의 단면도이다.
도 24는 도 23의 XXIV부분을 확대한 단면도이다.
도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면이다.
도 26은 도 25의 XXVI- XXVI'선에 따른 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 빛을 방출하는 표시영역(DA)과 빛을 방출하지 않는 비표시영역(NDA)을 포함한다. 표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소들에서 방출되는 빛을 이용하여 소정의 이미지를 제공할 수 있다.
표시 장치(1)는 표시영역(DA)에 의해 적어도 부분적으로 둘러싸인 개구영역(OA)을 포함한다. 도 1은 개구영역(OA)이 표시영역(DA)에 의해 전체적으로 둘러싸인 것을 도시한다. 비표시영역(NDA)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1비표시영역(NDA1), 및 표시영역(DA)의 외곽을 둘러싸는 제2비표시영역(NDA2)을 포함할 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸고, 표시영역(DA)은 제1비표시영역(NDA1)을 전체적으로 둘러싸며, 제2비표시영역(NDA2)은 표시영역(DA)을 전체적으로 둘러쌀 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 다른 실시예로서, 무기 EL 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display), 퀀텀닷 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display) 등과 같이 다양한 방식의 표시 장치가 사용될 수 있다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예들에 따른 표시 장치를 간략하게 나타낸 단면도로서, 도 1의 II-II'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 표시 장치(1)는 표시 패널(10), 및 표시 패널(10)의 개구영역(OA)과 대응하는 컴포넌트(20)를 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 기판(100), 기판(100) 상에 배치되며 표시요소들을 포함하는 표시요소층(200), 표시요소층(200)을 커버하는 봉지부재로서 박막봉지층(300), 및 터치입력을 감지하는 입력감지층(400)을 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 입력감지층(400) 상에는 편광자(polarizer)와 지연자(retarder) 또는 컬러필터와 블랙매트릭스를 포함하는 반사 방지부재, 및 투명한 윈도우와 같은 구성요소(들)이 더 배치될 수 있다.
기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지를 포함하는 기판(100)은 유리 재질의 기판에 비하여 가요성을 확보할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 투명한 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 전술한 고분자 수지 외에 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단일 또는 복수의 무기층을 더 포함할 수 있다.
표시요소층(200)은 표시영역(DA)에 배치되는 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드(organic light-emitting diode)를 포함할 수 있다. 도시되지는 않았으나, 표시요소층(200)은 표시요소와 연결된 박막트랜지스터, 스토리지 커패시터(Cst) 및 배선들을 포함할 수 있다.
박막봉지층(300)은 표시요소층(200)을 커버함으로써, 외부로부터 수분이나 오염물질이 표시요소층(200)으로 침투하는 것을 방지할 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 무기봉지층과 적어도 하나의 유기봉지층을 포함할 수 있다. 박막봉지층(300)은 표시영역(DA)에서 표시요소들을 커버하되, 비표시영역으로 연장될 수 있다. 이와 관련하여, 도 2a는 박막봉지층(300)이 제1비표시영역(NDA1)까지 연장된 것을 도시한다.
입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 배치될 수 있다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다.
입력감지층(400)을 형성하는 공정은 후술할 평탄화층(610)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루어지거나, 박막봉지층(300)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 이루질 수 있다. 따라서, 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 접착부재가 개재되지 않을 수 있다.
평탄화층(610)은 제1비표시영역(NDA1)에 배치된다. 평탄화층(610)은 유기절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함하거나, 박막봉지층(300)의 유기봉지층과 동일한 물질을 포함하거나, 후술할 입력감지층의 절연층 중 하나와 동일한 물질을 포함하거나, 기타 다양한 종류의 유기절연물을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)과 대응하며 표시 패널(10)을 관통하는 개구(10H)를 포함할 수 있다. 기판(100), 표시요소층(200) 박막봉지층(300), 입력감지층(400) 및 평탄화층(610)은 각각 개구영역(OA)과 대응하는 제1 내지 제5개구(100H, 200H, 300H, 400H, 610H)들을 포함할 수 있다. 제1개구(100H)는 기판(100)의 상면과 하면을 관통하고, 제2개구(200H)는 표시요소층(200)의 최하층부터 최상층까지 관통하며, 제3개구(300H)는 박막봉지층(300)을 관통하며, 제4개구(400H)는 입력감지층(400)의 최하층부터 최상층까지 관통하고, 제5개구(610H)는 평탄화층(610)의 상면과 하면을 관통하도록 형성될 수 있다.
개구영역(OA)은 컴포넌트(20)가 배치되는 위치로서, 컴포넌트(20)는 도 2a에 도시된 바와 같이 개구영역(OA)과 대응하도록 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 측면과 중첩하도록 개구(10H) 내에 배치될 수 있다.
컴포넌트(20)는 전자요소를 포함할 수 있다. 예컨대, 컴포넌트(20)는 빛이나 음향을 이용하는 전자요소일 수 있다. 예컨대, 전자요소는 적외선 센서와 같이 빛을 수광하여 이용하는 센서, 빛을 수광하여 이미지를 촬상하는 카메라, 빛이나 음향을 출력하고 감지하여 거리를 측정하거나 지문 등을 인식하는 센서, 빛을 출력하는 소형 램프이거나, 소리를 출력하는 스피커 등을 포함할 수 있다. 빛을 이용하는 전자요소의 경우, 가시광, 적외선광, 자외선광 등과 같이 다양한 파장 대역의 빛을 이용할 수 있다. 일부 실시예에서, 개구영역(OA)은 컴포넌트(20)로부터 외부로 출력되거나 외부로부터 전자요소를 향해 진행하는 빛 또는/및 음향이 투과할 수 있는 투과영역(transmission area)으로 이해될 수 있다.
다른 실시예로, 표시 패널(10)이 스마트 워치나 차량용 계기판으로 이용되는 경우, 컴포넌트(20)는 시계 바늘이나 소정의 정보(예, 차량 속도 등)를 지시하는 바늘 등을 포함하는 부재일 수 있다. 컴포넌트(20)는 도 2a 또는 도 2b에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)와 대응하는 위치에 배치될 수 있는 구성요소로서, 전술한 바와 같이 표시 패널(10)의 기능과 관계된 구성요소(들)를 포함하거나, 표시 패널(10)의 심미감을 증가시키는 액세서리와 같은 구성요소 등을 포함할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에 도시된 것과 같이 기판(100)은 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 구비할 수 있다. 또는, 도 2c에 도시된 바와 같이, 기판(100)은 제1개구(100H)를 포함하지 않을 수 있다. 컴포넌트(20)는 점선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 아래에 배치되거나, 실선으로 도시된 바와 같이 표시 패널(10)의 개구(10H)의 내에 배치될 수 있다. 표시 패널(10)의 아래에 배치된 컴포넌트(20)는 광을 이용하는 전자요소일 수 있다. 이 경우 표시 패널(10)의 개구영역(OA)에서의 광 투과율은 약 50% 이상, 보다 바람직하게 70% 이상이거나, 75% 이상이거나 80% 이상이거나, 85% 이상이거나 90% 이상일 수 있다.
기판(100)은 도 2a 내지 도 2c를 참조하여 설명한 바와 같이 제1개구(100H)를 포함하거나 포함하지 않을 수 있다. 기판(100)이 제1개구(100H)를 포함하는 경우에는 컴포넌트(20)의 종류나 위치의 제한없이 다양하게 활용할 수 있으므로, 더 바람직할 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제1개구(100H)를 갖는 기판(100)을 구비한 표시 패널에 대하여 설명하지만, 후술할 특징들은 도 2c에 도시된 표시 패널에도 적용될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 개략적으로 나타낸 평면도이고, 도 4는 표시 패널의 어느 한 화소를 개략적으로 나타낸 등가 회로도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(10)은 표시영역(DA) 및 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 포함한다. 도 3은 표시 패널(10) 중 기판(100)의 모습으로 이해될 수 있다. 예컨대, 기판(100)이 개구영역(OA), 표시영역(DA), 그리고 제1 및 제2비표시영역(NDA1, NDA2)를 갖는 것으로 이해될 수 있다.
표시 패널(10)은 표시영역(DA)에 배치된 복수의 화소(P)들을 포함한다. 화소(P)들은 각각 표시요소, 예컨대 유기발광다이오드를 포함할 수 있다. 각 화소(P)는 유기발광다이오드를 통해 예컨대, 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 빛을 방출할 수 있다.
도 4를 참조하면, 각 화소(P)는 화소회로(PC), 및 화소회로(PC)에 연결된 유기발광다이오드(OLED)를 포함한다. 화소회로(PC)는 제1박막트랜지스터(T1), 제2박막트랜지스터(T2), 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
제2박막트랜지스터(T2)는 스위칭 박막트랜지스터로서, 스캔라인(SL) 및 데이터라인(DL)에 연결되며, 스캔라인(SL)으로부터 입력되는 스위칭 전압에 따라 데이터라인(DL)으로부터 입력된 데이터 전압을 제1박막트랜지스터(T1)로 전달한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2박막트랜지스터(T2)와 구동전압선(PL)에 연결되며, 제2박막트랜지스터(T2)로부터 전달받은 전압과 구동전압선(PL)에 공급되는 제1전원전압(ELVDD)의 차이에 해당하는 전압을 저장한다.
제1박막트랜지스터(T1)는 구동 박막트랜지스터로서, 구동전압선(PL)과 스토리지 커패시터(Cst)에 연결되며, 스토리지 커패시터(Cst)에 저장된 전압 값에 대응하여 구동전압선(PL)으로부터 유기발광다이오드(OLED)를 흐르는 구동 전류를 제어할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)는 구동 전류에 의해 소정의 휘도를 갖는 빛을 방출할 수 있다. 유기발광다이오드(OLED)의 대향전극(예, 캐소드)는 제2전원전압(ELVSS)을 공급받을 수 있다.
도 4는 화소회로(PC)가 2개의 박막트랜지스터와 1개의 스토리지 커패시터를 포함하는 것을 설명하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 박막트랜지스터의 개수 및 스토리지 커패시터의 개수는 화소회로(PC)의 설계에 따라 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.
다시 도 3을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)을 둘러쌀 수 있다. 제1비표시영역(NDA1)은 빛을 방출하는 유기발광다이오드와 같은 표시요소가 배치되지 않은 영역으로, 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA) 주변에 구비된 화소(P)들에 신호를 제공하는 신호라인들과 같은 배선들이 지나가거나 후술할 그루브가 배치될 수 있다. 제2비표시영역(NDA2)에는 각 화소(P)에 스캔신호를 제공하는 스캔 드라이버(1100), 각 화소(P)에 데이터신호를 제공하는 데이터 드라이버(1200), 및 제1 및 제2전원전압을 제공하기 위한 메인 전원배선(미도시) 등이 배치될 수 있다. 또는, 데이터 드라이버(1200)는 표시 패널(10)의 일측에 구비된 패드에 접속하는 FPCB(flexible Printed circuit board) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 배선들(예, 신호라인들)을 나타낸다.
도 5를 참조하면, 개구영역(OA)을 중심으로 화소(P)들이 표시영역(DA)에 배치되며, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 제1비표시영역(NDA1)이 위치할 수 있다.
화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 상호 이격되어 배치될 수 있다. 화소(P)들은 개구영역(OA)을 중심으로 위와 아래에 이격되거나, 개구영역(OA)을 중심으로 좌우로 이격될 수 있다.
화소(P)들에 신호를 공급하는 신호라인들 중 개구영역(OA)과 인접한 신호라인들은 개구영역(OA)을 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 데이터라인들 중 일부 데이터라인(DL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 위와 아래에 배치된 화소(P)들에 데이터신호를 제공하도록 y방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다. 표시영역(DA)을 지나는 스캔라인들 중 일부 스캔라인(SL)은, 개구영역(OA)을 사이에 두고 좌우에 배치된 화소(P)들에 스캔신호를 제공하도록 x방향으로 연장되되, 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)의 가장자리를 따라 우회할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 나타낸 평면도로서, 제1비표시영역에 위치하는 그루브를 나타낸다.
개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에는 그루브가 위치한다. 이와 관련하여, 도 6에서는 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이에 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치한 것을 도시한다. 다른 실시예로서, 제1비표시영역(NDA1)에는 2개의 그루브가 위치하거나, 4개 이상의 그루브들이 배치될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제1비표시영역(NDA1)에서 개구영역(OA)을 전체적으로 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 직경은 개구영역(OA)의 직경보다는 크게 형성될 수 있으며, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 상호 이격된다. 예컨대, 제1그루브(G1)의 직경은 제2그루브(G2)의 직경보다 크고, 제2그루브(G2)의 직경은 제3그루브(G3)의 직경보다 클 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 폭은 서로 다를 수 있다. 또는, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 중 적어도 두 개의 그루브의 돌출 팁 사이의 폭은 서로 동일할 수 있는 것과 같이 다양하게 변경될 수 있다.
도 5와 도 6을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 개구영역(OA)의 가장자리를 우회하는 신호라인들, 예컨대 데이터선들이나 스캔선들의 우회영역 보다 개구영역(OA)에 더 인접하게 위치할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 다른 입력감지층을 발췌하여 개략적으로 나타낸 평면도이다. 설명의 편의를 위하여 도 7은 입력감지층의 일부, 즉 도 3에서 설명한 표시영역(DA)에 놓이는 입력감지층의 일부를 도시한다.
도 7을 참조하면, 입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치하는 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)을 포함한다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되고, 제2감지전극(SP2)들은 제1감지전극(SP1)들과 교차하는 y방향을 따라 배열된다. 제1감지전극(SP1)들 및 제2감지전극(SP2)들은 수직으로 교차할 수 있다.
제1감지전극(SP)들 및 제2감지전극(SP2)들은 서로 코너가 인접하게 배치될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 제1연결전극(CP1)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있으며, 제2감지전극(SP2)들은 제2연결전극(CP2)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.
도 8a 및 도 8b는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 8c는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 8a 및 도 8b를 참조하면, 제1감지전극(SP1) 및 제2감지전극(SP2)은 동일한 층 상에 배치될 수 있다. 제1도전층(410)은 제1연결전극(CP1)을 포함(도 8a 참조)하고, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1), 제2감지전극(SP2), 및 제2연결전극(CP2)을 포함(도 8b참조)할 수 있다.
제2감지전극(SP2)들은 동일 층에 배치된 제2연결전극(CP2)에 의해서 연결될 수 있다. 제1감지전극(SP1)들은 x방향을 따라 배열되되, 다른 층에 배치된 제1연결전극(CP1)에 의해 연결될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403)이 개재된다. 제2도전층(420)에 배치된 제1감지전극(SP1)들은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1도전층(410)에 배치된 제1연결전극(CP1)과 접속될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405)으로 커버될 수 있으며, 제1도전층(410) 아래에는 제1절연층(401)이 배치될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제3절연층(405)은 유기절연층일 수 있다 도 8c에는 박막봉지층(300)과 제1도전층(410) 사이에 제1절연층(401)이 개재된 것을 도시하나, 다른 실시예로서 제1절연층(401)은 생략되고 제1도전층(410)은 박막봉지층(300)의 바로 위에 위치할 수 있다. 다른 실시예로서, 제1 및 제2절연층(401, 403)은 유기절연층일 수 있다.
도 9a 및 도 9b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 9c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 9a 및 도 9b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다. 제1도전층(410)은 제2감지전극(SP2)과 접속되는 제2보조감지전극(S―SP2)을 더 포함할 수 있으며, 제2도전층(420)은 제1감지전극(SP1)과 접속되는 제1 보조감지전극(S―SP1)을 더 포함할 수 있다.
도 9a의 확대도를 참조하면, 각각의 제1감지전극(SP1)은 복수의 홀(H)을 포함할 수 있다. 홀(H)은 화소의 발광영역(P-E)과 중첩하도록 배치된다. 도시되지는 않았으나, 제2감지전극(SP2), 제1보조감지전극(S―SP1) 및 제2보조감지전극(S―SP2)도 도 9a의 확대도와 같이 화소의 발광영역(P-E)과 대응하는 복수의 홀들을 포함할 수 있다.
도 9c를 참조하면, 제1보조감지전극(S―SP1)은 제2절연층(403)의 콘택홀(CNT)을 통해 제1감지전극(SP1)에 접속될 수 있으며, 이와 같은 구조를 통해 제1감지전극(SP1)의 저항을 감소시킬 수 있다. 마찬가지로, 제2감지전극(SP2)은 제2절연층(403)의 콘택홀을 통해 제2보조감지전극(S―SP2)에 접속될 수 있다. 제1 및 제2절연층(401, 403)은 무기절연층일 수 있고, 제1 및 제2도전층(410, 420)은 알루미늄이나 티타늄과 같은 금속을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있으며, 제3절연층(405)은 유기절연물을 포함할 수 있다.
도 10a 및 도 10b는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층 중 제1도전층 및 제2도전층을 나타낸 평면도이며, 도 10c는 본 발명의 다른 실시예에 따른 입력감지층을 나타낸 단면도로서, 도 7의 VII- VII'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 10a 및 도 10b를 참조하면, 제1도전층(410)은 제1감지전극(SP1)들 및 이들을 연결하는 제1연결전극(CP1)을 포함하고, 제2도전층(420)은 제2감지전극(SP2)들 및 이들을 연결하는 제2연결전극(CP2)을 포함한다.
도 10c를 참조하면, 제1도전층(410)과 제2도전층(420) 사이에는 제2절연층(403')이 배치될 수 있다. 제2절연층(403')은 별도의 콘택홀을 구비하지 않으며, 제1 및 제2감지전극(SP1, SP2)는 제2절연층(403')을 사이에 두고 전기적으로 절연될 수 있다. 제2도전층(420)은 제3절연층(405')으로 커버될 수 있다. 제2절연층(403')은 유기절연층일 수 있다. 또 다른 실시예로, 제2절연층(403')은 무기절연층을 포함하거나 유기 및 무기 절연층들을 모두 포함할 수 있다. 및 제2절연층(403')은 유기절연층이거나, 무기절연층이거나, 유기 및 무기절연층들을 포함할 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 나타낸 단면도로서, 도 6의 XI- XI'선에 따른 단면에 해당하고, 도 12은 도 11의 유기발광다이오드를 확대한 단면도이다. 도 11은 개구영역(OA)과 그 주변의 제1비표시영역(NDA1) 및 표시영역(DA)을 도시하며, 기판(100)은 개구영역(OA)과 대응하는 제1개구(100H)를 포함할 수 있다. 이하에서, 개구영역(OA)이라고 함은 표시 패널의 개구(10H)를 지칭하거나 기판(100)의 제1개구(100H)를 지칭하는 것으로 이해할 수 있다.
먼저, 도 11의 표시영역(DA)을 살펴본다.
기판(100)은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 기판(100)은 고분자 수지를 포함하는 베이스층, 및 무기층을 포함할 수 있다. 예컨대, 기판(100)은 순차적으로 적층된, 제1베이스층(101), 제1무기층(102), 제2베이스층(103), 및 제2무기층(104)을 포함할 수 있다.
제1 및 제2베이스층(101, 103)은 각각 고분자 수지를 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2베이스층(101, 103)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenene napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이드(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide: PI), 폴리카보네이트(PC), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate: CAP) 등과 같은 고분자 수지를 포함할 수 있다. 고분자 수지는 투명할 수 있다.
제1 및 제2무기층(102, 104)은 각각, 외부 이물질의 침투를 방지하는 배리어층으로서, 실리콘나이트라이드(SiNx) 및/또는 실리콘옥사이드(SiOx)와 같은 무기물을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터의 반도체층으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(201)이 배치될 수 있다. 버퍼층(201)은 실리콘 나이트라이드 또는 실리콘옥사이드와 같은 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 단층 또는 다층일 수 있다. 일부 실시예에서, 기판(100)의 제2무기층(104)은 다층인 버퍼층(201) 의 일부로 이해될 수 있다.
버퍼층(201) 상에는 박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst) 등을 포함하는 화소회로(PC)가 배치될 수 있다. 박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(Act), 게이트전극(GE), 소스전극(SE), 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다. 도 11에 도시된 박막트랜지스터(TFT)는 도 4를 참조하여 설명한 구동박막트랜지스터에 대응할 수 있다. 본 실시예에서는 게이트전극(GE)이 게이트절연층(203)을 가운데 두고 반도체층(Act) 상에 배치된 탑 게이트 타입을 도시하였으나, 또 다른 실시예에 따르면 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트 타입일 수 있다.
반도체층(Act)은 폴리 실리콘을 포함할 수 있다. 또는, 반도체층(Act)은 아모퍼스 실리콘을 포함하거나, 산화물 반도체를 포함하거나, 유기 반도체 등을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 저저항 금속 물질을 포함할 수 있다. 게이트전극(GE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다.
반도체층(Act)과 게이트전극(GE) 사이에는 게이트절연층(203)이 개재되며, 게이트절연층(203)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 게이트절연층(203)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 전도성이 좋은 재료를 포함할 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하는 도전 물질을 포함할 수 있고, 상기의 재료를 포함하는 다층 또는 단층으로 형성될 수 있다. 일 실시예로, 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 Ti/Al/Ti의 다층으로 형성될 수 있다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1층간절연층(205)을 사이에 두고 중첩하는 하부 전극(CE1)과 상부 전극(CE2)을 포함한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩될 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 박막트랜지스터(TFT)의 게이트전극(GE)이 스토리지 커패시터(Cst)의 하부 전극(CE1)인 것을 도시하고 있다. 다른 실시예로서, 스토리지 커패시터(Cst)는 박막트랜지스터(TFT)와 중첩하지 않을 수 있다. 스토리지 커패시터(Cst)는 제2층간절연층(207)으로 커버될 수 있다.
제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드 등과 같은 무기 절연물을 포함할 수 있다. 제1 및 제2층간절연층(205, 207)은 전술한 물질을 포함하는 단층 또는 다층일 수 있다.
박막트랜지스터(TFT) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함하는 화소회로(PC)는 유기절연층(209)으로 커버된다. 유기절연층(209)은 평탄화 절연층일 수 있다. 유기절연층(209)는 Polymethylmethacrylate(PMMA)나 Polystylene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등과 같은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 유기절연층(209)은 폴리이미드를 포함할 수 있다.
유기절연층(209) 상에는 유기발광다이오드(OLED)가 배치된다. 유기발광다이오드(OLED)의 화소전극(221)은 유기절연층(209) 상에 배치되며 유기절연층(209)의 콘택홀을 통해 화소회로(PC)와 연결될 수 있다.
화소전극(221)은 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3: indium oxide), 인듐갈륨옥사이드(IGO; indium gallium oxide) 또는 알루미늄징크옥사이드(AZO; aluminium zinc oxide)와 같은 도전성 산화물을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 화소전극(221)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr) 또는 이들의 화합물을 포함하는 반사막을 포함할 수 있다. 또 다른 실시예로, 화소전극(221)은 전술한 반사막의 위/아래에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3로 형성된 막을 더 포함할 수 있다.
화소정의막(211)은 화소전극(221)의 상면을 노출하는 개구를 포함하되, 화소전극(221)의 가장자리를 커버한다. 화소정의막(211)은 유기 절연물을 포함할 수 있다. 또는 화소정의막(211)은 무기 절연물을 포함하거나, 유기 및 무기절연물을 포함할 수 있다.
중간층(222)은 발광층을 포함한다. 발광층은 소정의 색상의 빛을 방출하는 고분자 또는 저분자 유기물을 포함할 수 있다. 일 실시예로, 중간층(222)은 도 12에 도시된 바와 같이 발광층(222b)의 아래에 배치된 제1기능층(222a) 및/또는 발광층(222b)의 위에 배치된 제2기능층(222c)을 포함할 수 있다.
제1기능층(222a)은 단층 또는 다층일 수 있다. 예컨대 제1기능층(222a)이 고분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)으로서, 폴리에틸렌 디히드록시티오펜(PEDOT: poly-(3,4)-ethylene-dihydroxy thiophene)이나 폴리아닐린(PANI: polyaniline)으로 형성할 수 있다. 제1기능층(222a)이 저분자 물질로 형성되는 경우, 제1기능층(222a)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.
제2기능층(222c)은 언제나 구비되는 것은 아니다. 예컨대, 제1기능층(222a)과 발광층(222b)을 고분자 물질로 형성하는 경우, 유기발광다이오드(OLED)의 특성이 우수해지도록 하기 위해, 제2기능층(222c)을 형성하는 것이 바람직하다. 제2기능층(222c)은 단층 또는 다층일 수 있다. 제2기능층(222c)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.
중간층(222)을 이루는 복수의 층들 중 일부, 예컨대 기능층(들)은 표시영역(DA)뿐만 아니라 제1비표시영역(NDA1)에도 배치될 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)에서 후술할 제1 및 제2그루브(G1, G2)에 의해 단절된다.
대향전극(223)은 중간층(222)을 사이에 두고 화소전극(221)과 마주보도록 배치된다. 대향전극(223)은 일함수가 낮은 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 예컨대, 대향전극(223)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크로뮴(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca) 또는 이들의 합금 등을 포함하는 (반)투명층을 포함할 수 있다. 또는, 대향전극(223)은 전술한 물질을 포함하는 (반)투명층 상에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3과 같은 층을 더 포함할 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)는 박막봉지층(300)으로 커버되며, 외부의 이물이나 수분(moisture) 등으로부터 보호될 수 있다. 박막봉지층(300)은 적어도 하나의 유기봉지층 및 적어도 하나의 무기봉지층을 포함할 수 있다. 도 11은 박막봉지층(300)이 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 이들 사이에 개재된 유기봉지층(320)을 포함하는 것을 도시한다. 다른 실시예에서 유기봉지층의 개수와 무기봉지층의 개수 및 적층 순서는 변경될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 하프늄옥사이드, 징크옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드 하나 이상의 무기 절연물을 포함할 수 있으며, 화학기상증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 유기봉지층(320)은 폴리머(polymer)계열의 소재를 포함할 수 있다. 폴리머 계열의 소재로는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드 및 폴리에틸렌 등을 포함할 수 있다.
입력감지층(400)은 표시영역(DA)에 위치한다. 입력감지층(400)은 외부의 입력, 예컨대 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(400)은 박막봉지층(300)이 형성된 기판(100) 상에 직접 형성되면서 박막봉지층(300)과 접촉할 수 있으며, 따라서 입력감지층(400)과 박막봉지층(300) 사이에는 이들을 결합하기 위한 접착층과 같은 부재가 생략될 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 신호라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 입력감지층(400)은 감지전극이 배치된 제1 및 제2도전층(410, 420)을 포함한다. 입력감지층(400)은 제1 및 제2도전층(410, 420)의 위와 아래에 배치되는 절연층들, 예컨대 제1 내지 제3절연층(401, 403, 405)를 포함할 수 있으며, 이와 관련된 입력감지층(400)의 구체적 구조는 앞서 도 7 내지 도 10c를 참조하여 설명한 내용으로 갈음한다.
도 11의 제1비표시영역(NDA1)을 살펴본다.
도 11의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제1비표시영역(NDA1)은 개구영역(OA)으로부터 상대적으로 먼 제1서브-비표시영역(SNDA1) 및 개구영역(OA)에 상대적으로 가까운 제2서브-비표시영역(SNDA2)을 포함할 수 있다.
제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 영역이다. 도 11의 도시된 데이터라인(DL)들은 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 데이터라인들에 해당할 수 있다. 제1서브-비표시영역(SNDA1)은 신호라인들이 지나는 배선영역 또는 우회영역일 수 있다. 데이터라인(DL)들은 도 11에 도시된 바와 같이 절연층을 사이에 두고 교번적으로 배치될 수 잇다. 다른 실시예로, 데이터라인(DL)들은 동일한 절연층 상에 배치될 수 있다. 이웃한 데이터라인(DL)들이 절연층(예컨대, 제2층간절연층: 207)을 사이에 두고 아래와 위에 각각 배치되는 경우, 이웃한 데이터라인(DL)들 사이의 갭(피치)을 줄일 수 있으며, 제1비표시영역(NDA1)의 폭을 줄일 수 있다. 도시되지는 않았으나, 도 11의 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치하는 데이터라인(DL)들과 유사하게, 앞서 도 5를 참조하여 설명한 개구영역(OA)을 우회하는 스캔라인들도 제1서브-비표시영역(SNDA1)에 위치할 수 있다.
제2서브-비표시영역(SNDA2)은 그루브들이 배치되는 일종의 그루브영역으로서, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치할 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 각각 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 무기층과 유기층을 포함하는 다층 막에 형성될 수 있다. 예컨대, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 복수 층을 포함하는 기판(100)의 일부를 제거함으로써 형성될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 기판(100)의 제2베이스층(103) 및 그 위의 제2무기층(104) 등을 식각하여 형성할 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 제2베이스층(103)의 일부 및 제2무기층(104)의 일부가 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 형성된 것을 도시한다. 일 실시예로서, 제2무기층(104) 상의 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 제1 및 제2층간절연층(205, 207)도 제거되어 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 일부를 이룰 수 있다.
각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각은 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭이 무기절연층(들), 예컨대 제2무기층(104) 및/또는 버퍼층(201)을 지나는 부분의 폭 보다 큰 언더컷 구조를 가질 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 언더컷 구조를 통해 중간층(222)의 일부(예, 제1 및 제2기능층) 및 대향전극(223)이 단절될 수 있다.
박막봉지층(300)의 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면(inner surface)을 커버할 수 있다. 유기봉지층(320)은 제1그루브(G1)을 커버하며, 제1무기봉지층(310) 상에서 제1그루브(G1)를 채울 수 있다. 유기봉지층(320)은 기판(100) 상에 모노머를 도포한 후 이를 경화하여 형성할 수 있는데, 모노머의 흐름을 제어하고, 모노머(또는, 유기봉지층)의 두께를 확보하기 위하여 제1 및 제2그루브(G1, G2) 사이에는 격벽(500)이 구비될 수 있다. 격벽(500)은 유기 절연물을 포함할 수 있으며, 예컨대 제1 및 제2서브-격벽부(sub-wall portion, 510, 520)의 적층 구조일 수 있다.
유기봉지층(320)의 단부(320E)는 개구영역(OA)으로부터 또는 기판(100)의 단부(100E)로부터 소정의 간격 이격되어 배치될 수 있다. 일부 실시예에서, 유기봉지층(320)을 형성하는 공정 중, 유기봉지층(320)의 물질은 제2그루브(G2)에도 있을 수 있다. 이와 관련하여 도 7에는 제2그루브(G2)에 유기물(320A)이 존재하는 것을 도시한다.
제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 배치되되, 제2 및 제3그루브(G2, G3)의 내부 표면을 커버할 수 있다. 제2무기봉지층(330)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)에서 제1무기봉지층(310)과 직접 접촉할 수 있다.
제2 및 제3그루브(G2, G3)와 대응하는 제2무기봉지층(330) 위에는 평탄화층(610)이 위치할 수 있으며, 평탄화층(610)의 아래에는 하부 배리어층(700)이 위치할 수 있다.
평탄화층(610)은 적어도 하나의 그루브를 커버하도록 제2서브-비표시영역(SNDA2)에 위치할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2 및 제3그루브(G3, G3)를 커버할 수 있으며, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 적어도 어느 하나를 채울 수 있다. 도 11에 도시된 바와 같이, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 제2무기봉지층(330) 위의 공간은 평탄화층(610)으로 채워질 수 있다 평탄화층(610)은 제2서브-비표시영역(SNDA2) 중 유기봉지층(320)으로 커버되지 않는 영역을 커버함으로써, 개구영역(OA) 주변에서 표시 패널의 평편도를 증가시킬 수 있다. 따라서, 표시 패널(10) 상에 반사 방지부재나 윈도우 등의 구성요소들이 배치될 때 표시 패널(10)으로부터 결합이 잘 되지 않거나, 분리되거나, 들뜨는 것을 방지할 수 있다.
평탄화층(610)은 유기 절연물을 포함한다. 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함할 수 있다. 또는, 평탄화층(610)은 앞서 도 8c, 도 9c, 및 도 10c를 참조하여 설명한 제3절연층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
평탄화층(610)은 박막봉지층(300) 상에 위치할 수 있다. 평탄화층(610)은 제2무기봉지층(330)에 의해 유기봉지층(320)과 공간적으로 분리될 수 있다. 예컨대, 평탄화층(610)이 제2무기봉지층(330)의 위에 배치되고 유기봉지층(320)이 제2무기봉지층(330)의 아래에 배치되는 것과 같이, 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 공간적으로 서로 분리될 수 있다. 유기봉지층(320) 및 평탄화층(610)은 직접 접촉하지 않을 수 있다. 평탄화층(610)은 5㎛ 이상의 두께를 가질 수 있다.
평탄화층(610)의 일부는 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제1단부(610E1)는 유기봉지층(320) 상으로 연장되어 유기봉지층(320)과 중첩할 수 있다. 평탄화층(610)의 제2단부(610E2)는 개구영역(OA)을 향한다. 제2단부(610E2)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일 선상에 위치할 수 있다.
하부 배리어층(700)은 적어도 하나의 그루브를 커버할 수 있다. 이와 관련하여, 도 11은 하부 배리어층(700)이 제2그루브(G2)를 커버하는 것을 도시한다. 표시 패널의 제조 공정 중 제2그루브(G2) 주변에 형성되는 무기층, 예컨대 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)에 크랙이 발생하거나 끊어지는 경우, 해당 크랙이나 끊어진 부분을 통해 수분이 침투할 수 있다. 이와 같은 문제를 방지하고자, 하부 배리어층(700)은 제2무기봉지층(330) 상에서 크랙이 발생될 수 있는 영역, 예컨대 제2그루브(G2)와 그 주변을 커버할 수 있다.
하부 배리어층(700)은 무기물을 포함한다. 예컨대, 하부 배리어층(700)은 무기절연층 및/또는 금속층을 포함할 수 있으며, 단일층이거나 다층일 수 있다. 일 실시예로 도 11의 확대도에 도시된 바와 같이, 하부 배리어층(700)은 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)의 복수의 층으로 형성될 수 있다. 하부 배리어층(700)은 앞서 도 8a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지층(400)에 포함된 층들 중 적어도 어느 하나의 층을 포함할 수 있다.
예컨대, 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401), 제1도전층(410), 제2절연층(403), 및 제2도전층(420)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 제1 및 제3하부층(701, 703)은 실리콘나이트라이드와 같은 무기절연층일 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 알루미늄(Al)과 티타늄(Ti) 등을 포함하는 금속층일 수 있다. 일부 실시예로서, 제2 및 제4하부층(702, 704)는 Ti/Al/Ti와 같은 다층일 수 있다.
하부 배리어층(700)이 입력감지층(400)의 무기물을 포함하는 층과 동일한 물질을 포함하는 경우, 하부 배리어층(700)은 입력감지층(400) 중 무기물을 포함하는 층과 동일한 공정에서 형성될 수 있다. 유사하게, 평탄화층(610)은 입력감지층(400) 중 유기물을 포함하는 층과 동일한 물질을 포함할 수 있으며, 평탄화층(610)은 입력감지층(400) 중 유기물을 포함하는 층과 동일한 공정에서 형성될 수 있다.
도 11에는 하부 배리어층(700)의 단부가 입력감지층(400)과 소정의 간격 이격되어 배치된 것을 도시하고, 평탄화층(610)의 단부가 입력감지층(400)과 소정의 간격 이격되어 배치된 것을 도시하나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 하부 배리어층(700) 중 제1 및 제3하부층(701, 703)은 각각 입력감지층(400)의 제1절연층(401) 및 제2절연층(403)과 일체로 연결될 수 있다. 하부 배리어층(700) 중 제2 및 제4하부층(702, 704)은 도 11에 도시된 바와 같이 각각 입력감지층(400)의 제1도전층(410), 및 제2도전층(420)과 이격될 수 있다. 평탄화층(610)은 입력감지층(400)의 제3절연층(405)과 일체로 연결될 수 있다.
도 11에는 하부 배리어층(700)이 4개의 층인 것을 도시하나, 하부 배리어층(700)은 단일 층이거나 2개, 3개, 5개 이상의 층일 수 있다.
도 13, 도 14, 도 15, 도 17, 및 도 19는 본 발명의 일 실시예로서 표시 패널의 제조 공정에 따른 개구영역 및 제1비표시영역을 나타낸 단면도들이며, 도 16은 도 15에서 XVI을 확대한 도면이고, 도 18은 도 17에서 XVIII를 확대한 도면이다. 도 13는 도 11의 표시 패널 중 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 14는 다른 실시예로서 제1 내지 제3그루브가 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 15는 도 13의 표시 패널 상에 중간층 내지 하부 배리어층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이고, 도 17은 평탄화층이 형성된 상태를 나타낸 단면도이며, 도 19는 커팅 또는 스크라이빙 공정 이후의 상태를 나타낸 단면도이다.
도 13을 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 다층 막을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 다층 막은 기판의 일부 층을 포함하는 층으로서, 고분자 수지와 같이 유기 절연물을 포함하는 층 및 그 위에 배치된 무기 절연물을 포함하는 층의 적층 구조일 수 있다. 예컨대, 고분자 수지를 포함하는 제2베이스층(103), 그리고 제2베이스층(103) 상의 제2무기층(104) 또는/및 버퍼층(201)과 같은 무기절연층(들)이 다층 막에 해당할 수 있다. 도 13에는 제2베이스층(103)과 박막트랜지스터(TFT) 사이의 무기절연층으로서 제2무기층(104)과 버퍼층(201)이 각각 별개의 명칭으로 명명되었지만, 실시예에 따라 제2무기층(104)은 다층인 버퍼층(201)의 일부이거나, 버퍼층(201)이 다층인 제2무기층(104)의 일부로 이해될 수 있다.
제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)는 제2베이스층(103) 및 그 위의 무기절연층(들)을 일부 제거하여 형성할 수 있다. 일 실시예로, 도 13에는 제2베이스층(103), 제2무기층(104), 버퍼층(201), 게이트절연층(203), 그리고 제1 및 제2층간절연층(205, 207)이 식각 공정을 통해 제거된 것을 도시한다. 제2베이스층(103)의 일부를 제거하는 식각 공정과 제2베이스층(103)위의 무기절연층(들)을 제거하는 식각 공정은 서로 개별적으로 수행될 수 있다. 제1그루브(G1)와 제2그루브(G2) 사이에는 격벽(500)이 위치할 수 있으며, 격벽(500)은 유기절연층(209)과 동일한 물질로 형성된 제1서브-격벽부(510) 및 화소정의막(211)과 동일한 물질로 형성된 제2서브-격벽부(520)를 포함할 수 있다.
깊이(두께) 방향을 따라, 제1그루브(G1) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1)은 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)을 지나는 홀의 폭(W2) 보다 크게 형성되며, 따라서 제1그루브(G1)는 언더컷 구조를 가질 수 있다. 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 제1그루브(G1)의 중심을 향해 기판(100)의 상면과 평행한 방향으로 더 돌출된 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 부분들은 한 쌍의 처마 (또는 한 쌍의 돌출 팁 또는 팁, PT)에 해당한다.
제1그루브(G1)와 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)도 언더컷 구조/처마 구조를 갖는다. 제2 및 제3그루브(G2, G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 폭(W1', W1")은, 제1그루브(G1) 중 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)을 지나는 부분의 폭(W2', W2") 보다 크게 형성될 수 있다. 마찬가지로, 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 정의하는 버퍼층(201) 및/또는 제2무기층(104)의 측면은 제2베이스층(103)의 측면 보다 더 제1그루브(G1)의 중심을 향해 더 돌출될 수 있다. 버퍼층 및/또는 제2무기절연층(104)의 측면, 예컨대 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3) 각각의 돌출 팁(PT)은, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 중심을 향해 약 0.7㎛~1.5㎛ 정도 돌출될 수 있다.
도 13은 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 무기절연층을 지나는 홀, 예컨대 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀과 제2베이스층(103)에 형성된 리세스로 이루어진 것을 도시한다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 리세스의 깊이(h1, h2, h3)는 제2베이스층(103)의 두께(t) 보다 작을 수 있다. 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 상면과 하면 사이의 가상의 면 상에 놓일 수 있다.
다른 실시예로, 도 14에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G)는 무기절연층을 지나는 홀(예컨대, 버퍼층(201) 및 제2무기층(104)에 형성된 홀) 및 제2베이스층(103)을 지나는 홀로 이루어질 수 있다. 제2베이스층(103)에 형성된 각 홀의 깊이(h1', h2', h3')는 제2베이스층(103)의 두께(t)와 실질적으로 동일할 수 있으며, 따라서 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면은 각각 제2베이스층(103)의 하면과 동일한 가상의 면 상에 놓일 수 있다. 전술한 리세스 또는 홀의 깊이(h1, h2, h3, h1', h2', h3')는 약 2㎛ 이상일 수 있다.
이하에서는, 설명의 편의상 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 바닥면이 제2베이스층(103)의 상면 및 하면 사이에 위치하는 도 13의 구조를 중심으로 설명하나, 후술하는 실시예들 및 이들로부터 파생되는 실시예에서 제2베이스층(103)은 도 14를 참조하여 설명한 구조를 가질 수 있다.
도 15를 참조하면, 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)를 구비하는 기판(100) 상에 중간층(222) 및 대향전극(223)이 형성된다. 중간층(222) 및 대향전극(223)은 열증착법 등에 의해 형성될 수 있다.
중간층의 일부, 예컨대 제1 및 제2기능층, 및 대향전극(223)은 표시영역(DA) 및 제1비표시영역(NDA1)에서 일체로 형성될 수 있다. 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제2그루브(G2)의 언더컷 구조에 의해 제1비표시영역(NDA1)에서 단절될 수 있다. 제2그루브(G2)의 언더컷 구조를 정의하는 한 쌍의 팁("PT")에 의해 제1 및 제2기능층(222a, 222c)이 단절되고, 대향전극(223)도 단절된다. 제1 및 제2기능층(222a, 222c)과 대향전극(223)은 도 15에 도시된 바와 같이 제1 및 제2그루브(G1, G2)의 언더컷 구조에 의해서도 단절된다.
기판(100) 상의 층들 중 유기물을 포함하는 층은 수분이나 산소와 같은 이물질의 투습 경로가 될 수 있다. 유기물인 제1 및 제2기능층(222a, 222c)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)에 의해 단절되므로, 수분이 측 방향(lateral direction, x방향)으로 진행하면서 유기발광다이오드를 손상시키는 것을 방지할 수 있다.
박막봉지층(300) 중 제1무기봉지층(310)은 중간층(222) 및 대향전극(223)과 달리 스텝 커버리지가 상대적으로 우수하므로, 제1무기봉지층(310)은 연속적으로 형성될 수 있다. 제1무기봉지층(310)은 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다.
유기봉지층(320)은 제1무기봉지층(310) 상에 형성된다. 제1그루브(G1)는 유기봉지층(320)으로 커버되며, 제1그루브(G1) 중 제1무기봉지층(310) 위의 공간은 유기봉지층(320)으로 채워질 수 있다. 유기봉지층(320)의 제조 공정 중, 모노머는 제1그루브(G1) 및 제2그루브(G2) 사이의 격벽(500)에 의해 흐름이 제어될 수 있다. 격벽(500)에 의해 흐름이 제어된 모노머가 경화되면서 형성된 유기봉지층(320)은 격벽(500)을 지나 연장되지 않을 수 있다.
일부 실시예에서, 도 15 및 도 16에 도시된 바와 같이 유기봉지층(320)의 제조 공정 중 유기물(320A)이 제2그루브(G2)에 위치할 수 있다. 예컨대, 모노머를 도포하는 과정에서 모노머의 일부가 제2그루브(G2)에 떨어진 채 경화되어 유기물(320A)를 형성할 수 있다. 다른 실시예로, 모노머를 경화하고 애슁하는 공정을 수행할 수 있는데 이 때 애슁에 의해 제거되지 않은 유기물(320A)이 제2그루브(G2)에 존재할 수 있다. 유기물(320A)은 제2그루브(G2)의 처마구조, 예컨대 돌출 팁(T) 아래에 존재할 수 있다. 유기물(320A)은 유기봉지층(320)과 동일한 물질일 수 있다. 유기물(320A)은 격벽(500)을 중심으로 유기봉지층(320)과 단절된다.
제2무기봉지층(330)은 유기봉지층(320) 상에 형성된다. 제1그루브(G1) 상에서 제1무기봉지층(310)은 유기봉지층(320)에 의해 제2무기봉지층(330)과 직접 접촉하지 않는다. 반면, 제2 및 제3그루브(G2, G3) 상에서 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 서로 접촉할 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 도 15에 도시된 바와 같이 제1비표시영역(NDA1) 뿐만 아니라 개구영역(OA)에도 형성될 수 있다.
다음으로, 하부 배리어층(700)이 제2무기봉지층(330) 상에 형성될 수 있다. 하부 배리어층(700)은 제1비표시영역(NDA1)의 일부, 예컨대 제2그루브(G2)를 커버하도록 형성될 수 있다. 일 실시예로, 하부 배리어층(700)은 도 16에 도시된 바와 같이, 제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)의 복수의 층으로 형성될 수 있다. 제2그루브(G2) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 깊이(h2)는 제1 및 제2기능층(222a, 222c), 대향전극(223), 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 하부 배리어층(700)의 수직 방향(기판의 상면에 수직인 방향, z방향)으로의 두께의 합 보다 크게 형성될 수 있다.
제1 내지 제4하부층(701, 702, 703, 704)은 순차적으로 제2무기봉지층(330) 상에 형성될 수 있다. 제2그루브(G2)의 언더컷 구조에 따른 공간, 즉 돌출 팁(T) 아래의 공간은 유기물(320A)에 의해 채워지므로, 하부 배리어층(700)의 층들은 돌출 팁(T) 주변에서 두께가 매우 얇게 형성되거나 끊어지는 등의 현상 없이 연속적으로 형성될 수 있다.
도 17를 참조하면, 하부 배리어층(700) 상에 평탄화층(610)이 형성될 수 있다. 평탄화층(610)은 앞서 도 8a 내지 도 10c를 참조하여 설명한 입력감지층에 구비된 층들 중 적어도 어느 하나의 층에 구비된 유기물과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 또는, 평탄화층(610)은 포토레지스트(예컨대, 네거티브 또는 포지티브 포토레지스트)를 포함하거나, 박막봉지층(300)의 유기봉지층과 동일한 물질을 포함할 수 있다.
도 18을 참조하면, 평탄화층(610)은 제2그루브(G2)를 채울 수 있다. 예컨대, 평탄화층(610)은 제2그루브(G2) 중 하부 배리어층(700) 위의 공간을 채울 수 있다.
다음으로, 개구영역(OA)에 해당하는 제1라인(SCL1)을 따라 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 진행하면, 도 19에 도시된 바와 같이 표시 패널의 개구(10H)를 형성할 수 있다. 커팅 또는 스크라이빙 공정을 통해, 기판(100)에는 제1개구(100H)가 형성될 수 있다. 기판(100)을 커팅하거나 스크라이빙하는 공정 중 무기절연층에 크랙이 야기되는 경우, 크랙은 측 방향(x방향)을 따라 진행할 수 있으나, 제3그루브(G3) 또는 제2그루브(G2)의 돌출 팁 주변에서 멈출 수 있다. 따라서, 크랙은 표시영역을 향해 더 이상 진행하지 않을 수 있다.
전술한 실시예에서는 기판(100)에 제1개구(100H)를 형성하는 방법으로 레이저 커팅 또는 스크라이빙 공정을 설명하였으나, 다른 실시예로서 기계적 연마법 등 다양한 방법을 이용할 수 있다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 20에서는 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다.
도 20을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형상일 수 있다. 하부 배리어층(700)은 제2그루브(G2)를 커버하되 제2그루브(G2)의 폭 보다 더 큰 폭을 가질 수 있다.
도 20에 도시된 제1비표시영역(NDA1)의 단면 구조는 앞서 도 11 내지 도 19를 참조하여 설명한 구조와 동일할 수 있다. 즉, 도 11 내지 도 19를 참조하여 설명한 구조는 도 20에 도시된 바와 같이 개구(10H), 즉 개구영역(OA)을 둘러싸는 구조로 이해할 수 있다. 예를 들어, 개구영역(OA)과 표시영역(DA) 사이의 하부 배리어층(700)은 도 20에 도시된 바와 같이 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해된다. 마찬가지로, 도 11 내지 도 19에서 설명한 평탄화층(610)도 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다. 격벽(500)도 평면상에서 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형으로 이해될 수 있다.
도 21은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 21는 도 20과 마찬가지로 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다.
도 21을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 개구영역(OA)을 둘러싸는 고리 형상이되, 평면상에서 제2그루브(G2)의 일부 영역만을 커버할 수 있다. 예컨대, 하부 배리어층(700)의 폭은 제2그루브(G2)의 폭 보다 작을 수 있으며, 하부 배리어층(700)은 제2그루브(G2)의 일측, 예컨대 도 16을 참조하여 설명한 제2그루브(G2)에 구비된 한 쌍의 돌출 팁 중 어느 하나, 예컨대 우측의 돌출 팁(T)을 커버할 수 있다.
도 20 및 도 21은 하부 배리어층(700)이 평면 상에서 폐곡선 형상인 것을 도시하지만, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예에서, 하부 배리어층(700)은 평면 상에서 개곡선 형상을 가질 수 있다.
도 22는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널에서 하부 배리어층을 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 22는 도 20과 마찬가지로 편의상 제1그루브(G1)를 생략한다.
도 22를 참조하면, 하부 배리어층(700')은 제1비표시영역(NDA1)에서 개곡선 형상을 가질 수 있다. 하부 배리어층(700')의 제1단부(710)와 제2단부(720)는 상호 이격된 구성으로서, 각각 독립적으로 형성된다. 도시되지는 않았으나, 도 22의 하부 배리어층(700')은 앞서 도 11을 참조하여 설명한 바와 같이 복수의 층의 적층 구조일 수 있다.
하부 배리어층(700') 중 도전성 물질을 포함하는 층, 예컨대 제2 및/또는 제4하부층 중 적어도 어느 하나는 배선으로 활용될 수 있다. 예컨대, 제1단부(710)로 인가된 소정의 신호는 도전성 물질을 포함하는 층을 통해 제2단부(720)를 통해 외부로 출력될 수 있는데, 하부 배리어층(700')의 일부가 끊어진 경우, 제2단부(720)에서는 신호가 출력되지 않을 수 있다. 이와 같이, 하부 배리어층(700')은 표시 패널의 제조 공정 중 또는 표시 패널의 제조 이후에 발생할 수 있는 크랙의 발생을 확인하는데 사용될 수 있다.
하부 배리어층(700')의 일부, 예컨대 제1단부(710)와 제2단부(720) 사이의 부분은 도 22에 도시된 바와 같이 지그재그 형상을 가질 수 있다. 하부 배리어층(700')의 제1부분은 제2그루브(G2)를 일부 둘러싸도록 제2그루브(G2)의 가장자리를 따라 연장될 수 있고, 하부 배리어층(700')의 제2부분은 제2그루브(G2)와 중첩하도록 개구영역(OA)의 중심을 향해 소정의 간격 연장될 수 있다. 제1부분과 제2부분은 반복적으로 배치되면서, 하부 배리어층(700')은 평면상에서 지그재그 형상을 가질 수 있다.
전술한 실시예에서는 하부 배리어층(700)이 제2그루브(G2)를 커버하도록 제1비표시영역(NDA1)에 위치하는 것을 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 다른 실시예로서, 하부 배리어층(700)은 제2 및 제3그루브(G2, G3)을 커버할 수 있다.
도 23은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 제1비표시영역의 단면도를 나타내고, 도 24는 도 23의 XXIV부분을 확대한 단면도이다.
도 23을 참조하면, 하부 배리어층(700)은 제1비표시영역(NDA1)에서 제2 및 제3그루브(G2, G3)를 커버할 수 있으며, 이와 같은 특징을 제외한 나머지 구조 및 특징들은 앞서 설명한 바와 동일하므로 이하에서는 차이점을 중심으로 설명한다.
도 23의 제1비표시영역(NDA1)을 참조하면, 제2 및 제3그루브(G2, G3)는 각각 하부 배리어층(700)으로 커버되되, 하부 배리어층(700)의 일 단부(700E)는 기판(100)의 단부(100E)와 동일한 선상에 위치할 수 있다. 제2그루브(G2) 상의 적층 구조는 앞서 도 16 및 도 18을 참조하여 설명한 바와 동일하다.
제3그루브(G3) 상에는 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)과 하부 배리어층(700)이 순차적으로 형성된다. 제2무기봉지층(330)은 제1무기봉지층(310)의 상면과 직접 접촉하고, 하부 배리어층(700)은 제2무기봉지층(330)의 상면과 직접 접촉할 수 있다.
도 24를 참조하면, 제3그루브(G3) 중 제2베이스층(103)을 지나는 부분의 깊이(h3)는 제1 및 제2기능층(222a, 222c), 대향전극(223), 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 하부 배리어층(700)의 수직 방향(기판의 상면에 수직인 방향, z방향)으로의 두께의 합 보다 크게 형성될 수 있다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 및 제1 및 제3하부층(701, 703)은 화학기상증착법 등의 공정을 통해 형성될 수 있고, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 스퍼터링법 등의 공정을 통해 형성될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330) 그리고 제1 및 제3하부층(701, 703)은, 제3그루브(G3)의 내부 표면을 전체적으로 커버할 수 있다. 반면, 제2 및 제4하부층(702, 704)은 공정 조건 등에 따라 무기절연층 보다 스텝 커버리지가 상대적으로 낮을 수 있다. 이 경우 도 24에 도시된 바와 같이 제2 및 제4하부층(702, 704)은 돌출 팁 주변에서 불연속적이거나 매우 얇게 형성될 수 있다.
도 25는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 일부를 개략적으로 나타낸 평면이고, 도 26은 도 25의 XXVI- XXVI'선에 따른 단면도이다. 도 25의 제1비표시영역(NDA1)에는 개구영역(OA)을 둘러싸는 제1 내지 제3그루브(G1, G2, G3)가 위치할 수 있으며, 그 구체적 구성은 앞서 설명한 바와 같으며, 표시영역(DA)의 구조도 동일하므로, 이하에서는 차이점을 위주로 설명한다.
도 25 및 도 26을 참조하면, 제2비표시영역(NDA2)에는 적어도 하나의 외측그루브가 구비될 수 있다. 이와 관련하여 도 25 및 도 26에는, 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 도시한다. 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)는 제2비표시영역(NDA2)에서 표시영역(DA)을 적어도 부분적으로 둘러쌀 수 있다.
도 26의 제2비표시영역(NDA2)을 참조하면, 기판(100) 상에 형성된 절연층들 중 유기물을 포함하는 절연층(들)은 밸리홀을 포함할 수 있다. 예컨대, 유기절연층(209) 및 화소정의막(211)은 각각 제1 및 제2밸리홀(209VH, 211VH)를 포함할 수 있다. 일부 실시예에서, 유기절연층(209) 아래의 무기물을 포함하는 절연층도 도 26에 도시된 바와 같이 밸리홀을 구비할 수 있다. 전술한 바와 같이 유기물은 투습 경로가 될 수 있는데, 표시 패널은 제1 및 제2밸리홀(209VH, 211VH)을 포함하는 밸리 구조(VY)를 구비하므로, 기판(100)의 상면과 나란한 방향(x방향)으로 침투하는 수분은 표시영역(DA)을 향해 이동할 수 없다.
제2비표시영역(NDA2)에는 격벽(1500)이 구비될 수 있으며, 격벽(1500)은 제1외측그루브(OG1)의 내측, 즉 제1외측그루브(OG1) 보다 표시영역(DA)에 인접하게 배치될 수 있다. 격벽(1500)은 표시영역(DA)을 둘러쌀 수 있다. 격벽(1500)에 의해 유기봉지층(320)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 향해 연장되지 않을 수 있다. 또는, 유기봉지층(320)을 형성하는 공정에서 제1외측그루브(OG1)에 유기물(1320A)이 존재할 수 있으나, 제1외측그루브(OG1)의 유기물(1320A)과 유기봉지층(320)의 단부는 격벽(1500)을 사이에 두고 분리될 수 있다.
제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 각각 제2비표시영역(NDA2)을 커버하도록 기판(100)의 외측 단부(100OE)까지 연장된다. 제1 및 제2무기봉지층(310, 330)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2) 상에서 서로 접촉할 수 있다.
제2무기봉지층(330) 상에는 배리어층(1700)이 구비될 수 있다. 배리어층(1700)은 앞서 설명한 하부 배리어층(700)과 동일한 공정에서 형성될 수 있으며, 동일한 적층 구조를 가질 수 있다.
배리어층(1700)은 적어도 어느 하나의 외측그루브, 예컨대 제1외측그루브(OG1)를 커버할 수 있으며, 제1외측그루브(OG1)를 중심으로 한 적층 구조는 앞서 도 16을 참조하여 설명한 구조와 실질적으로 동일하므로, 중복 설명은 생략한다. 다른 실시예로, 배리어층(1700)은 제1 및 제2외측그루브(OG1, OG2)를 모두 커버할 수 있으며, 배리어층(1700)의 단부는 기판(100)의 외측 단부(100OE)와 동일한 선상에 위치할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
100: 기판
101: 제1베이스층
102: 제1무기층
103: 제2베이스층
104: 제2무기층
200: 표시요소층
300: 박막봉지층
310: 제1무기봉지층
320: 유기봉지층
330: 제2무기봉지층
400: 입력감지층
610: 평탄화층
620: 배리어층
700: 하부 배리어층/ 배리어층

Claims (20)

  1. 개구영역 및 상기 개구영역을 둘러싸는 표시영역을 구비한 기판;
    상기 표시영역에 위치하는 복수의 표시요소들;
    상기 표시요소들을 커버하며, 유기봉지층 및 무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
    상기 개구영역과 상기 표시영역 사이에 위치하고, 각각 언더컷 구조를 갖는 제1그루브 및 제2그루브;
    상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 유기절연물을 포함하는 평탄화층; 및
    상기 평탄화층의 아래에 배치된 하부 배리어층;
    을 포함하며,
    상기 평탄화층은 상기 무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하며,
    상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 바닥면은, 상기 제2베이스층의 하면이거나 상기 제2베이스층의 상면과 하면 사이에 위치한 가상의 면 상에 놓이는, 표시 패널.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 박막봉지층은, 순차적으로 적층된 제1무기봉지층, 상기 유기봉지층, 및 제2무기봉지층을 포함하는, 표시 패널.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제1무기봉지층은 상기 제1그루브 및 상기 제2그루브 각각의 내부 표면을 커버하는, 표시 패널.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하며, 상기 제1그루브를 채우는, 표시 패널.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 하부 배리어층은 상기 제2무기봉지층 위에 위치하며, 상기 제2무기봉지층의 상면과 직접 접촉하는, 표시 패널.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하부 배리어층은 상기 제2그루브를 커버하는, 표시 패널.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 개구영역과 상기 제2그루브 사이에 배치되는 제3그루브를 더 포함하며, 상기 하부 배리어층은 상기 제2 및 제3그루브를 커버하는, 표시 패널.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2그루브는 상기 제2그루브의 중심을 향해 연장된 한 쌍의 팁을 포함하고,
    상기 한 쌍의 팁의 바로 아래에 위치하는 유기물을 더 포함하는, 표시 패널.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 표시요소들 상에 배치된 입력감지층을 더 포함하는, 표시 패널.
  11. 제11항에 있어서,
    상기 하부 배리어층은 상기 입력감지층에 포함된 무기물과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  12. 개구를 갖는 기판;
    상기 개구를 적어도 부분적으로 둘러싸는 표시영역에 위치한 표시요소들;
    상기 표시요소들 상에 위치하며, 제1무기봉지층, 유기봉지층 및 제2무기봉지층을 포함하는 박막봉지층;
    상기 표시요소들 상에 위치하는 입력감지층;
    상기 개구와 상기 표시영역 사이의 그루브영역에 위치하는 복수의 그루브들;
    상기 복수의 그루브들 중 적어도 어느 하나를 커버하며, 무기물을 포함하는 배리어층;
    을 구비하는, 표시 패널.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 그루브영역에 위치하는 평탄화층을 더 포함하며,
    상기 평탄화층은 상기 제2무기봉지층의 위에 배치되고 상기 유기봉지층은 상기 제2무기봉지층의 아래에 배치된, 표시 패널.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 입력감지층은 다층을 포함하며,
    상기 배리어층 또는 상기 평탄화층 중 적어도 어느 하나는, 상기 입력감지층의 층들 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 표시 패널은 유기물층과 상기 유기물층 위에 배치된 적어도 하나의 무기물층을 포함하는 다층 막을 포함하고,
    상기 복수의 그루브들은 상기 다층 막의 두께 방향으로 오목하게 형성된, 표시 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 기판은 순차적으로 적층된 제1베이스층, 제1무기층, 제2베이스층 및 제2무기층을 포함하되, 상기 유기물층은 상기 제2베이스층을 포함하고 상기 적어도 하나의 무기물층은 상기 제2무기층을 포함하는, 표시 패널.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 무기물층은 각각의 상기 복수의 그루브들에 대응하는 제1홀을 구비하고,
    상기 유기물층은 상기 제1홀과 대응하는 홀 또는 리세스를 포함하며,
    상기 제1홀을 정의하는 상기 적어도 하나의 무기물층의 측면은, 상기 홀 또는 상기 리세스를 정의하는 상기 유기물층의 측면 보다 상기 제1홀의 중심을 향해 더 돌출된, 표시 패널.
  18. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 그루브는, 상기 표시영역에 인접한 제1그루브, 및 상기 제1그루브 보다 상기 개구에 인접한 제2그루브를 포함하며,
    상기 유기봉지층은 상기 제1그루브를 커버하되, 상기 제1그루브를 채우는, 표시 패널.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제2그루브 내에 존재하는 유기물을 포함하며, 상기 유기물은 상기 유기봉지층과 동일한 물질을 포함하는, 표시 패널.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제2그루브는 상기 배리어층으로 커버되는, 표시 패널.
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