JP2021067949A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表示領域の内側にコンポーネントが配置される透湿防止性能を向上させた表示装置を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、第１貫通孔１０Ｈと、第１貫通孔を取り囲む表示領域に配置され、第１貫通孔を挟んでそれぞれ離隔された画素を含む複数の画素のアレイと、第１貫通孔と表示領域との間の中間領域に配置され、第１ホール又はリセスを含む第１層２４０と、第１層上に位置し、第１ホール又はリセスに重畳する第２ホールを含む第２層２５０と、を備え、第２層は、第１ホール又はリセスを定義する第１層の内側面よりも第２ホールの中心に向かって更に延びる一対のチップを含み、複数の画素のそれぞれは、画素電極２２１、対向電極２２３、及び画素電極と対向電極との間の中間層２２２を含む発光ダイオードを含み、中間層の少なくとも一層の有機物層は、一対のチップを中心として断絶される。【選択図】図８

Description

本発明は、表示装置に係り、より詳細には、透過領域を含む表示装置に関する。

近年、表示装置は、その用途が様々になっている。また、表示装置の厚さが薄くなり、重さが軽く、その使用の範囲が広くなっている。

表示装置のうち、表示領域が占める面積を拡大しつつ表示装置に付加又は連係する様々な機能が追加されている。面積を拡大しつつ様々な機能を追加するための方案として、表示領域の内側にイメージディスプレイではない様々な機能を付加するための領域を有する表示装置の研究が続いている。

韓国公開特許第１０−２０１８−００２６５９９号公報

本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表示領域の内側にコンポーネントが配置される透湿防止性能を向上させた透過領域を備える表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明の一態様による表示装置は、第１貫通孔と、前記第１貫通孔を取り囲む表示領域に配置され、前記第１貫通孔を挟んでそれぞれ離隔された画素を含む複数の画素のアレイと、前記第１貫通孔と前記表示領域との間の中間領域に配置され、第１ホール又はリセスを含む第１層と、前記第１層上に位置し、前記第１ホール又は前記リセスに重畳する第２ホールを含む第２層と、を備え、前記第２層は、前記第１ホール又は前記リセスを定義する前記第１層の内側面よりも前記第２ホールの中心に向かって更に延びる一対のチップを含み、前記複数の画素のそれぞれは、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の中間層を含む発光ダイオードを含み、前記中間層の少なくとも一層の有機物層は、前記一対のチップを中心として断絶される。

前記少なくとも一層の有機物層は、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び電子輸送層から選択される一層以上を含み得る。
前記対向電極は、前記一対のチップを中心として断絶され得る。
前記第１層は、有機絶縁物を含み、前記第２層は、金属を含み得る。
前記表示装置は、前記複数の画素のアレイが配置された基板と、前記基板と前記画素電極との間の少なくとも一層の無機絶縁層と、を更に含み得る。
前記第１層は、前記少なくとも一層の無機絶縁層上に配置され、前記第２層は、前記第１層を通って前記少なくとも一層の無機絶縁層の上面に直接接触し得る。
前記表示装置は、前記少なくとも一層の無機絶縁層と前記画素電極との間の少なくとも一層の有機絶縁層を更に含み、前記第１層は、前記少なくとも一層の有機絶縁層と同じ物質を含み得る。
前記基板の一部分は、ベンディング領域に沿って延びるベンディング軸を中心としてベンディングされ、前記少なくとも一層の無機絶縁層は、前記ベンディング領域に位置する開口を含み得る。
前記表示装置は、前記少なくとも一層の無機絶縁層の前記開口に位置する有機絶縁層を更に含み、前記第１層は、前記有機絶縁層と同じ物質を含み得る。
前記表示装置は、前記第２層上の無機パッシベーション層を更に含み得る。
前記無機パッシベーション層は、前記第２層の側面及び底面、並びに前記第１層の内側面を連続的にカバーし得る。

上記目的を達成するためになされた本発明の他の態様による表示装置は、基板と、前記基板上に配置され、複数の画素を含む表示層と、前記表示層上に配置され、少なくとも一層の無機封止層及び少なくとも一層の有機封止層を含む薄膜封止層と、前記基板、前記表示層、及び前記薄膜封止層を貫通し、前記複数の画素のうちの隣接する二つの画素の間に位置する第１貫通孔と、前記第１貫通孔を取り囲むように配置され、第１層及び前記第１層上の第２層内に定義されるグルーブと、を備え、前記グルーブは、前記第１層の第１ホール又はリセス、及び第２層に形成された第２ホールを含み、前記第２層は、前記第１ホール又は前記リセスを定義する前記第１層の内側面よりも前記第２ホールの中心に向かって更に延びる一対のチップを含み、前記表示層の少なくとも一層の有機物層は、前記グルーブにより断絶される。

前記複数の画素のそれぞれは、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の発光層を含む発光ダイオードを含み、前記少なくとも一層の有機物層は、前記画素電極と前記対向電極との間に位置し得る。
前記少なくとも一層の有機物層は、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び電子輸送層から選択される一層以上を含み得る。
前記表示層は、前記基板と前記画素電極との間の少なくとも一層の無機絶縁層を含み、前記第１層は、前記少なくとも一層の無機絶縁層上に位置し得る。
前記第１層は、有機絶縁物を含み得る。
前記第２層は、前記第１層を通って前記少なくとも一層の無機絶縁層の上面に直接接触し得る。
前記第２層は、金属又は無機絶縁物を含み得る。
前記表示装置は、前記第２層上の無機パッシベーション層を更に含み得る。
前記無機パッシベーション層は、前記第２層の側面及び底面、並びに前記第１層の内側面を連続的にカバーし得る。
前記基板の一部分は、ベンディング領域に沿って延びるベンディング軸を中心としてベンディングされ、前記少なくとも一層の無機絶縁層は、前記ベンディング領域に位置する開口を含み得る。
前記表示装置は、前記少なくとも一層の無機絶縁層の前記開口に位置する有機絶縁層を更に含み、前記第１層は、前記有機絶縁層と同じ物質を含み得る。
前記表示装置は、前記第１貫通孔を取り囲む第２グルーブを更に含み、前記グルーブと前記第２グルーブとの間の隔壁を更に含み得る。
前記隔壁は、積層された複数の隔壁層を含み、前記複数の隔壁層のうちの隣接する隔壁層の間には、金属を含む間隔層が介在し得る。
前記間隔層は、第１層、及び前記第１層下の第２層を含み、前記第１層のエッジは、前記第２層のエッジよりも外側に向かって更に突出し、前記少なくとも一層の有機物層は、前記第１層のエッジと前記第２層のエッジとが形成する庇構造によって断絶され得る。

上述した箇所以外の他の側面、特徴、及び利点は、図面、特許請求の範囲、及び発明の詳細な説明から明確になるであろう。

本発明の表示装置によれば、貫通孔又は開口を介して流入する水分によって発光ダイオードが損傷することを防止することができ、表示層に含まれる層を活用することにより、工程を単純化させたり、コストを低減させたりすることができるという長所がある。

本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置を簡略に示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置を含む電子機器を概略的に示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの基板を示す斜視図である。 表示パネルのある一つの画素を概略的に示す等価回路図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。 本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルを示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の一部を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。 本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。 図１２の隔壁の一部を拡大した断面図である。

本発明は、様々な変更を加えることができ、様々な実施形態を有することができるが、特定の実施形態を図面に例示して詳細な説明で詳細に説明する。本発明の効果及び特徴、並びにそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述する実施形態を参照することで明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、様々な形態に具現可能である。

以下、本発明を実施するための形態の具体例を、図面を参照しながら詳細に説明する。図面を参照して説明する際、同一の又は対応する構成要素は、同じ図面符号を付与し、それについての重複説明は省略する。

以下の実施形態において、第１、第２などの用語は、限定的な意味ではなく、一つの構成要素を他の構成要素と区別する目的で使用する。

以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に取り立てて意味しない限り、複数の表現を含む。

以下の実施形態において、“含む”又は“有する”などの用語は、明細書上に記載した特徴又は構成要素が存在することを意味するものであり、一つ以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性を予め排除するものではない。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などの部分が他の部分上にあるという場合、他の部分の真上にある場合だけでなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在する場合も含む。

図面では、説明の便宜上、構成要素の大きさを誇張したり縮小したりする。例えば、図面に示した各構成要素の大きさ及び厚さは、説明の便宜上、任意に表しているため、本発明が必ずしも図示したものに限定されない。

ある実施形態が異なって具現可能な場合に、特定の工程順序は、記述する順序と異なって行われることもある。例えば、連続して記述する二つの工程が実質的に同時に行われてもよいし、記述する順序と逆の順序で行われてもよい。

以下の実施形態において、膜、領域、構成要素などが連結されたという場合、膜、領域、構成要素が直接的に連結される場合だけでなく、膜、領域、構成要素の中間に他の膜、領域、構成要素が介在して間接的に連結される場合も含む。例えば、本明細書において、膜、領域、構成要素などが電気的に連結されるという場合、膜、領域、構成要素などが直接的に電気的連結される場合だけでなく、その中間に他の膜、領域、構成要素などが介在して間接的に電気的連結される場合も含む。

図１は、本発明の一実施形態による表示装置を概略的に示す斜視図である。

図１を参照すると、表示装置１は、表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む外郭領域ＰＡとを含む。表示領域ＤＡの内側には、透過領域ＴＡと透過領域ＴＡを取り囲む中間領域ＭＡとが配置される。

表示領域ＤＡには、複数の画素、例えば画素のアレイが配置される。表示領域ＤＡは、画素のアレイを介してイメージを表示する。表示領域ＤＡは、イメージを表示するアクティブ領域に該当する。表示領域ＤＡは、透過領域ＴＡを全体的に取り囲む。

透過領域ＴＡは、表示装置１に様々な機能を付与可能なコンポーネントが配置される領域である。例えば、コンポーネントが、光を利用するセンサ、カメラなどを含む場合、センサから放出されるか又はセンサに向かう光、或いはカメラに向かう光が透過領域ＴＡを透過する。

中間領域ＭＡは、透過領域ＴＡと表示領域ＤＡとの間に配置された領域であって、透過領域ＴＡを取り囲む。中間領域ＭＡは、画素が配置されない一種の非表示領域である。中間領域ＭＡには、透過領域ＴＡに隣接する画素に所定の信号や電圧を提供するためのラインが位置する。中間領域ＭＡには、後述するグルーブが配置される。

外郭領域ＰＡも、中間領域ＭＡと同様に、画素が配置されない一種の非表示領域である。外郭領域ＰＡには、様々な種類の配線、回路などが配置される。

表示装置１に備えられた各画素は、所定の色相の光を放出可能な表示要素として発光ダイオードを含む。発光ダイオードは、発光層として有機物を含む有機発光ダイオードを含む。又は、発光ダイオードは、無機発光ダイオードを含む。或いは、発光ダイオードは、発光層として量子点を含む。以下では、説明の便宜上、発光ダイオードが有機発光ダイオードを含む場合で説明する。

図１は、透過領域ＴＡが表示装置１の幅方向（例えば、±ｘ方向）に沿って表示領域ＤＡの中央に配置されたものを示しているが、本発明は、それに限定されない。他の実施形態として、透過領域ＴＡは、表示装置１の幅方向に沿って左側又は右側に偏って配置される。或いは、透過領域ＴＡは、表示装置１の長手方向（例えば、±ｙ方向）に沿って上側に配置されたり中央に配置されたり下側に配置されたりするなど、様々な位置に配置される。

図１は、表示装置１が一つの透過領域ＴＡを含むものを示しているが、他の実施形態として、表示装置１は、複数の透過領域ＴＡを含む。

図２は、本発明の一実施形態による表示装置を簡略に示す断面図であって、図１のＩＩ−ＩＩ′線に沿う断面に対応しており、図３は、本発明の一実施形態による表示装置を含む電子機器を概略的に示す断面図である。

図２を参照すると、表示装置１は、表示パネル１０、表示パネル１０の上面上に配置された入力感知部４０、及び光学機能部５０を含む。ウィンドウ６０は、光学透明粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＯＣＡ）のような粘着層を介してその下の構成要素、例えば光学機能部５０に結合される。

表示パネル１０は、表示領域ＤＡに配置された複数の発光ダイオードを含む。表示パネル１０は、複数の発光ダイオードのそれぞれに信号又は電圧を提供するためのライン（例えば、データライン、スキャンライン、駆動電圧ライン、共通電圧ラインなど）と複数のダイオードのそれぞれに連結されたトランジスタとを含む。

入力感知部４０は、外部の入力、例えばタッチイベントによる座標情報を獲得する。入力感知部４０は、タッチ電極とタッチ電極に連結されたトレースラインとを含む。入力感知部４０は、表示パネル１０上に配置される。入力感知部４０は、相互キャパシタンス方式又はセルフキャパシタンス方式により外部の入力を感知する。

入力感知部４０は、表示パネル１０上に直接形成される。或いは、入力感知部４０は、別途に形成された後、光学透明粘着剤（ＯＣＡ）のような粘着層を介して表示パネル１０上に結合される。一実施形態として、図２に示すように、入力感知部４０は表示パネル１０の真上に直接形成され、その場合、粘着層は入力感知部４０と表示パネル１０との間に介在しない。

光学機能部５０は、反射防止層を含む。反射防止層は、ウィンドウ６０を介して外部から表示パネル１０に向かって入射する光（外光）の反射率を減少させる。反射防止層は、位相遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）及び偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）を含む。位相遅延子は、フィルムタイプ又は液晶コーティングタイプであり、λ／２位相遅延子及び／又はλ／４位相遅延子を含む。偏光子も、フィルムタイプ又は液晶コーティングタイプである。フィルムタイプは延伸型合成樹脂フィルムを含み、液晶コーティングタイプは所定の配列で配列された液晶を含む。位相遅延子及び偏光子は、保護フィルムを更に含み得る。

他の実施形態として、反射防止層は、ブラックマトリックスとカラーフィルタとの構造物を含む。カラーフィルタは、表示パネル１０の画素のそれぞれから放出される光の色相を考慮して配列される。更に他の実施形態として、反射防止層は、相殺干渉構造物を含む。相殺干渉構造物は、異なる層上に配置された第１反射層と第２反射層とを含む。第１反射層及び第２反射層でそれぞれ反射された第１反射光と第２反射光とは相殺干渉され、それによって外光の反射率が減少する。

光学機能部５０は、レンズ層を含む。レンズ層は、表示パネル１０から放出される光の出光効率を向上させるか又は色偏差を減らす。レンズ層は、凹の又は凸のレンズ形状を有する層を含むか又は／及び屈折率が異なる複数の層を含む。光学機能部５０は、上述した反射防止層及びレンズ層の両者を含むか又はそれらのうちのいずれか一つを含む。

図３を参照すると、表示装置１は、携帯電話、タブレットＰＣ、ノート型パソコン、スマートウォッチのような様々な電子機器２に備えられる。電子機器２は、内部空間を有するハウジングＨＳを含み、ハウジングＨＳ内に表示パネル１０が配置される。ウィンドウ６０は、ハウジングＨＳに結合される。表示パネル１０の上面上には、上述したように、入力感知部４０及び光学機能部５０が配置される。

コンポーネントＣＰは、ハウジングＨＳ内に配置され、表示パネル１０とハウジングＨＳの内側底面との間に位置する。コンポーネントＣＰは、透過領域ＴＡに位置し得る。この場合、透過領域ＴＡは、コンポーネントＣＰが配置される一種のコンポーネント領域である。

コンポーネントＣＰは、電子要素を含む。例えば、コンポーネントＣＰは、光を利用する電子要素である。例えば、電子要素は、赤外線センサのように光を受光して利用するセンサ、光を受光してイメージを撮像するカメラ、光を出力し感知して距離を測定するか又は指紋などを認識するセンサ、光を出力する小型ランプなどを含む。

光を利用する電子要素は、可視光、赤外線光、紫外線光などのように様々な波長帯域の光を利用する。コンポーネントＣＰがカメラを含む場合、透過領域ＴＡで、表示装置１の透過率は、約７０％であるか又はそれよりも高い。或いは、コンポーネントＣＰがセンサを含む場合、透過領域ＴＡで、表示装置１の透過率は、７０％よりも低い値、例えば約５０％以上であるか又は６０％以上である。

コンポーネントＣＰから放出されるか又はコンポーネントＣＰに進む光の進行経路に配置された構成要素によって透過率が低下する問題を防止するために、表示装置１（図２）は、開口ＯＰを含む。開口ＯＰは、表示装置１に含まれる構成要素、例えば、表示パネル１０、入力感知部４０、光学機能部５０、及びウィンドウ６０のうちから選択される一つ以上の一部分が除去されることによって形成される。一実施形態として、図２は、表示パネル１０、入力感知部４０、及び光学機能部５０がそれぞれ第１〜第３貫通孔（１０Ｈ、４０Ｈ、５０Ｈ）を含み、それらが開口ＯＰを形成することを示している。

図２を参照すると、表示パネル１０は表示パネル１０の上面及び底面を貫通する第１貫通孔１０Ｈを含み、入力感知部４０は入力感知部４０の上面及び底面を貫通する第２貫通孔４０Ｈを含み、光学機能部５０は光学機能部５０の上面及び底面を貫通する第３貫通孔５０Ｈを含む。第１貫通孔１０Ｈ、第２貫通孔４０Ｈ、及び第３貫通孔５０Ｈは、透過領域ＴＡに配置されて互いに重畳する。

図４は、本発明の一実施形態による表示パネルを概略的に示す平面図であり、図５は、本発明の一実施形態による表示パネルの基板を示す斜視図である。

図４を参照すると、表示パネル１０は、基板１００上に配置された画素Ｐを含む。画素Ｐは、表示領域ＤＡに配置されて所定のイメージを提供する。各画素Ｐは、所定の色相の光を放出する表示要素、例えば発光ダイオードを含む。

表示領域ＤＡの内側には、第１貫通孔１０Ｈが位置する。第１貫通孔１０Ｈは表示領域ＤＡの内側に配置されるため、第１貫通孔１０Ｈを挟んで両側には画素Ｐが配置される。例えば、隣接する二つの画素Ｐの間に第１貫通孔１０Ｈが位置する。

中間領域ＭＡは、第１貫通孔１０Ｈを取り囲むように所定の面積を有する。中間領域ＭＡには、第１貫通孔１０Ｈの周辺に配置された画素に信号又は電圧を印加するためのライン（例えば、データライン、スキャンライン、駆動電圧ラインなど）の一部分が位置する。中間領域ＭＡには、後述する水分浸透防止構造であるグルーブが配置される。

外郭領域ＰＡは、表示領域を取り囲む。外郭領域ＰＡには、スキャンドライバ、データドライバなどが配置される。外郭領域ＰＡには、パッドＰＡＤが位置する。パッドＰＡＤは、基板１００の一側のエッジに隣接するように配置される。パッドＰＡＤは、絶縁層によって覆われずに露出してフレキシブル印刷回路基板ＦＰＣＢに電気的に連結される。フレキシブル印刷回路基板ＦＰＣＢは、コントローラとパッドＰＡＤとを電気的に連結し、コントローラから伝達された信号又は電源をパッドＰＡＤに供給する。一実施形態において、フレキシブル印刷回路基板ＦＰＣＢには、データドライバが配置される。フレキシブル印刷回路基板ＦＰＣＢの信号又は電圧を画素Ｐに伝達するために、パッドＰＡＤは、複数の配線２０に連結される。

外郭領域ＰＡは、ベンディング領域ＢＡを含む。ベンディング領域ＢＡは、パッドＰＡＤと表示領域ＤＡとの間に配置される。ベンディング領域ＢＡは、配線２０の延長方向に交差する方向に沿って延びる。ベンディング領域ＢＡは、基板１００の一側のエッジに平行な方向に沿って延びる。ベンディング領域ＢＡにより、基板１００は、表示領域ＤＡを含む第１領域１Ａと第１領域１Ａの反対側である第２領域２Ａとに区切られる。ベンディング領域ＢＡは、第１領域１Ａと第２領域２Ａとの間に位置する。第１領域１Ａは表示領域ＤＡ及び外郭領域ＰＡの一部を含み、第２領域２Ａは外郭領域の一部のみを含む。

表示パネル１０は、ベンディング領域ＢＡを中心として曲げられる。これに関し、図５は、表示パネル１０の基板１００がベンディングされたものを示す。基板１００は、ｙ方向に沿って延びるベンディング軸ＢＡＸを中心としてベンディングされる。従って、表示パネル１０も、基板１００と同様にベンディングされた形状を有する。基板１００は、フレキシブル又はベンダブルの特性を有する様々な物質（例えば、高分子樹脂）を含む。図５では、便宜上、表示パネル１０の全体ではない基板１００がベンディングされた構造を示すが、基板１００上に配置された層も、基板１００と共にベンディングされる。

図４に示すように、各配線２０は、ベンディング領域ＢＡを挟んで両側に配置された第１部分２１及び第２部分２２とそれらを連結する第３部分２３とを含む。第１部分２１は表示領域ＤＡとベンディング領域ＢＡとの間に位置し、第２部分２２はベンディング領域ＢＡとパッドＰＡＤとの間に位置し、第３部分２３はベンディング領域ＢＡに位置する。

ベンディング領域ＢＡを中心として基板１００がベンディングされる場合、配線２０が切れたり配線２０の上下に配置された層が剥離されたりする。これを防止するために、配線２０は、上述したように、ベンディング領域ＢＡを挟んで相互に離隔された第１部分２１と第２部分２２とを含むが、第１部分２１と第２部分２２とは、相対的に軟性に優れた物質を含む第３部分２３により連結される。

図６は、表示パネルのある一つの画素を概略的に示す等価回路図である。

図６を参照すると、発光ダイオード、例えば有機発光ダイオードＯＬＥＤは、画素回路ＰＣに連結される。画素回路ＰＣは、第１薄膜トランジスタＴ１、第２薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。各画素Ｐは、有機発光ダイオードＯＬＥＤを介して、例えば、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放出する。

第２薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング薄膜トランジスタであって、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに連結され、スキャンラインＳＬから入力されるスイッチング電圧に基づいて、データラインＤＬから入力されたデータ電圧を第１薄膜トランジスタＴ１に伝達する。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２薄膜トランジスタＴ２と駆動電圧線ＰＬとに連結され、第２薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と駆動電圧線ＰＬに供給される第１電源電圧ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。

第１薄膜トランジスタＴ１は、駆動薄膜トランジスタであって、駆動電圧線ＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに連結され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応して、駆動電圧線ＰＬから有機発光ダイオードＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動電流により所定の輝度を有する光を放出する。有機発光ダイオードＯＬＥＤの対向電極（例えば、カソード）は、第２電源電圧ＥＬＶＳＳの供給を受ける。

図６は、画素回路ＰＣが二つの薄膜トランジスタと一つのストレージキャパシタとを含むものを示しているが、本発明は、これに限定されない。薄膜トランジスタの個数及びストレージキャパシタの個数は、画素回路ＰＣの設計によって様々に変更可能である。例えば、画素回路ＰＣは、上述した二つの薄膜トランジスタの外に、四つ、五つ、又はそれ以上の薄膜トランジスタを更に含む。

図７は、本発明の一実施形態による表示パネルの一部を示す平面図である。

図７を参照すると、画素Ｐが表示領域ＤＡに配置され、第１貫通孔１０Ｈは、隣接する画素Ｐの間に定義される。例えば、平面上で、第１貫通孔１０Ｈを中心として上下（±ｙ方向）にそれぞれ画素Ｐが配置され、第１貫通孔１０Ｈを中心として左右（±ｘ方向）にそれぞれ画素Ｐが配置される。

中間領域ＭＡには、第１貫通孔１０Ｈを介して水分が流入して画素Ｐの発光ダイオードを損傷させることを防止するために、グルーブＧが配置される。複数のグルーブＧは、同心円状に配置される。複数のグルーブＧのそれぞれは、相互に離隔される。図７には二つのグルーブＧを示しているが、グルーブＧの個数は、三つ以上であってもよい。

図８は、本発明の一実施形態による表示装置の断面図であり、図９及び図１０は、それぞれ本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図である。図８は、便宜上、表示装置のうちの光学機能部を省略し、表示パネルとタッチ感知部とを示している。

図８を参照すると、基板１００、複数の画素のアレイを含む表示層２００、及び薄膜封止層３００を含む表示パネル１０は、透過領域ＴＡに対応する第１貫通孔１０Ｈを含み、表示パネル１０上の入力感知部４０は、透過領域ＴＡに対応する第２貫通孔４０Ｈを含む。第１貫通孔１０Ｈは、基板１００、表示層２００、及び薄膜封止層３００を貫通するように形成される。第１貫通孔１０Ｈと第２貫通孔４０Ｈとは重畳し、それらは先に図２を参照して説明した開口ＯＰを形成する。

図８の表示領域ＤＡを参照すると、基板１００は、高分子樹脂を含む。一実施形態として、基板１００は、高分子樹脂を含むベース層とベース層上の無機絶縁層とを含む。例えば、基板１００は、二層のベース層と各ベース層上の無機絶縁層とを含む。高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルファイド、ポリイミド、ポリカーボネート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートプロピオネートなどを含む。

基板１００上には、不純物の薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層Ａｃｔへの浸透を防止するために形成されたバッファ層２０１が形成される。バッファ層２０１は、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、及びシリコンオキサイドのような無機絶縁物を含み、上述した無機絶縁物を含む単層又は多層である。

バッファ層２０１上には、画素回路ＰＣが配置される。画素回路ＰＣは、薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。薄膜トランジスタＴＦＴは、半導体層Ａｃｔ、ゲート電極ＧＥ、ソース電極ＳＥ、及びドレイン電極ＤＥを含む。

画素回路ＰＣのデータラインＤＬは、図８には示していないが、画素回路ＰＣに含まれるスイッチング薄膜トランジスタに電気的に連結される。本実施形態では、ゲート電極ＧＥがゲート絶縁層２０３を挟んで半導体層Ａｃｔ上に配置されたトップゲートタイプを示しているが、他の実施形態として、薄膜トランジスタＴＦＴは、ボトムゲートタイプである。

半導体層Ａｃｔは、ポリシリコンを含む。或いは、半導体層Ａｃｔは、非晶質シリコン、酸化物半導体、有機半導体などを含む。ゲート電極ＧＥは、低抵抗金属物質を含む。ゲート電極ＧＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上記の材料を含む多層又は単層で形成される。

半導体層Ａｃｔとゲート電極ＧＥとの間のゲート絶縁層２０３は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイドなどの無機絶縁物を含む。ゲート絶縁層２０３は、上述した物質を含む単層又は多層である。

ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、データラインＤＬと同じ層上に位置し、同じ物質を含む。ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びデータラインＤＬは、導電性に優れた材料を含む。ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上記の材料を含む多層又は単層で形成される。一実施形態として、ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、及びデータラインＤＬは、チタン層、アルミニウム層、及びチタン層（Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉ）の多層構造で形成される。

ストレージキャパシタＣｓｔは、第１層間絶縁層２０５を挟んで重畳する下部電極ＣＥ１と上部電極ＣＥ２とを含む。ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴに重畳する。これに関し、図８は、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＥがストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１であることを示している。図示していないが、他の実施形態として、ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴに重畳しないことがある。ストレージキャパシタＣｓｔは、第２層間絶縁層２０７によりカバーされる。ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上記の材料を含む多層又は単層で形成される。

第１層間絶縁層２０５及び／又は第２層間絶縁層２０７は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライド、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイドなどの無機絶縁物を含む。第１層間絶縁層２０５及び第２層間絶縁層２０７は、上述した物質を含む単層又は多層である。

薄膜トランジスタＴＦＴ及びストレージキャパシタＣｓｔを含む画素回路ＰＣは、第１有機絶縁層２０９によりカバーされる。第１有機絶縁層２０９は、上面が略偏平な面を含む。

画素回路ＰＣは、画素電極２２１に電気的に連結される。例えば、図８に示すように、薄膜トランジスタＴＦＴと画素電極２２１との間には、コンタクトメタル層ＣＭが介在する。コンタクトメタル層ＣＭは、第１有機絶縁層２０９に形成されたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタＴＦＴに接続され、画素電極２２１は、コンタクトメタル層ＣＭ上の第２有機絶縁層２１１に形成されたコンタクトホールを介してコンタクトメタル層ＣＭに接続される。コンタクトメタル層ＣＭは、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み、上記の材料を含む多層又は単層で形成される。一実施形態として、コンタクトメタル層ＣＭは、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層で形成される。

第１有機絶縁層２０９及び／又は第２有機絶縁層２１１は、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般の汎用高分子、フェノール類を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びこれらのブレンドのような有機絶縁物を含む。一実施形態として、第１有機絶縁層２０９及び／又は第２有機絶縁層２１１は、ポリイミドを含む。

画素電極２２１は、第２有機絶縁層２１１上に形成される。画素電極２２１は、インジウムスズオキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）、ジンクオキサイド（ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＺｎＯ）、インジウムオキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｏｘｉｄｅ：Ｉｎ_２Ｏ_３）、インジウムガリウムオキサイド（ｉｎｄｉｕｍ ｇａｌｌｉｕｍ ｏｘｉｄｅ：ＩＧＯ）、又はアルミニウムジンクオキサイド（ａｌｕｍｉｎｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ：ＡＺＯ）のような導電性酸化物を含む。他の実施形態として、画素電極２２１は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、又はこれらの化合物を含む反射膜を含む。他の実施形態として、画素電極２２１は、上述した反射膜の上及び／又は下に、ＩＴＯ，ＩＺＯ，ＺｎＯ、又はＩｎ_２Ｏ_３で形成される透明導電酸化物膜を更に含む。

画素電極２２１上には、画素定義膜２１５が形成される。画素定義膜２１５は、画素電極２２１の上面を露出する開口を含むが、画素電極２２１のエッジをカバーする。画素定義膜２１５は、有機絶縁物を含む。又は、画素定義膜２１５は、シリコンナイトライド（ＳｉＮ_ｘ）やシリコンオキシナイトライド（ＳｉＯＮ）、又はシリコンオキサイド（ＳｉＯ_ｘ）のような無機絶縁物を含む。或いは、画素定義膜２１５は、有機絶縁物及び無機絶縁物を含む。

中間層２２２は、発光層２２２ｂを含む。中間層２２２は、発光層２２２ｂの下に配置された第１機能層２２２ａ、及び／又は発光層２２２ｂの上に配置された第２機能層２２２ｃを含む。発光層２２２ｂは、所定の色相の光を放出する高分子又は低分子の有機物を含む。

第１機能層２２２ａは、単層又は多層である。例えば、第１機能層２２２ａが高分子物質で形成される場合、第１機能層２２２ａは、単層構造であるホール輸送層（Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）であって、ポリ（３，４−エチレンジヒドロキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮ）で形成される。第１機能層２２２ａが低分子物質で形成される場合、第１機能層２２２ａは、ホール注入層（Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）及びホール輸送層（ＨＴＬ）を含む。

第２機能層２２２ｃは、選択的である。例えば、第１機能層２２２ａと発光層２２２ｂとを高分子物質で形成する場合、第２機能層２２２ｃを形成することが望ましい。第２機能層２２２ｃは、単層又は多層である。第２機能層２２２ｃは、電子輸送層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ：ＥＴＬ）及び／又は電子注入層（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ：ＥＩＬ）を含む。

中間層２２２のうち、発光層２２２ｂは、表示領域ＤＡの画素毎に配置される。発光層２２２ｂは、画素電極２２１に対応するようにパターニングされる。発光層２２２ｂと異なり、中間層２２２のうちの第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃは、表示領域ＤＡだけでなく、中間領域ＭＡにも位置するように基板１００上に一体に形成される。

対向電極２２３は、仕事関数の低い導電性物質からなる。例えば、対向電極２２３は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、又はこれらの合金などを含む（半）透明層を含む。或いは、対向電極２２３は、上述した物質を含む（半）透明層上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ_２Ｏ_３のような層を更に含む。対向電極２２３は、表示領域ＤＡだけでなく、中間領域ＭＡ上にも一体に形成される。第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、及び対向電極２２３は、熱蒸着法により形成される。

キャッピング層２３０は、対向電極２２３上に位置する。例えば、キャッピング層２３０は、ＬｉＦ層を含み、熱蒸着法により形成される。一実施形態において、キャッピング層２３０は省略される。

画素定義膜２１５上には、スペーサ２１７が形成される。スペーサ２１７は、ポリイミドのような有機絶縁物を含む。或いは、スペーサ２１７は、無機絶縁物を含むか、又は有機絶縁物及び無機絶縁物を含む。

スペーサ２１７は、画素定義膜２１５と異なる物質を含むか、又は画素定義膜２１５と同じ物質を含む。一実施形態として、画素定義膜２１５及びスペーサ２１７は、ポリイミドを含む。画素定義膜２１５及びスペーサ２１７は、ハーフトーンマスクを利用したマスク工程で共に形成される。

有機発光ダイオードＯＬＥＤは、薄膜封止層３００によりカバーされる。薄膜封止層３００は、少なくとも一層の有機封止層と少なくとも一層の無機封止層とを含み、図８は、薄膜封止層３００が第１及び第２無機封止層（３１０、３３０）、並びにこれらの間に介在する有機封止層３２０を含むものを示している。他の実施形態において、有機封止層の層数、無機封止層の層数、及び積層順序は変更可能である。

第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、アルミニウムオキサイド、チタンオキサイド、タンタルオキサイド、ハフニウムオキサイド、ジンクオキサイド、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、及びシリコンオキシナイトライドのうちの一つ以上の無機物を含む。第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、上述した物質を含む単層又は多層である。有機封止層３２０は、ポリマー系物質を含む。ポリマー系物質としては、ポリメチルメタクリレート及びポリアクリル酸のようなアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド、ポリエチレンなどを含む。一実施形態として、有機封止層３２０は、アクリレートポリマーを含む。

第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０の物質は、それぞれ異なる。例えば、第１無機封止層３１０はシリコンオキシナイトライドを含み、第２無機封止層３３０はシリコンナイトライドを含む。第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０の厚さは、それぞれ異なる。第１無機封止層３１０の厚さが第２無機封止層３３０の厚さよりも厚い。或いは、第２無機封止層３３０の厚さが第１無機封止層３１０の厚さよりも厚いか、又は第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０の厚さが同じである。

図８の中間領域ＭＡを参照すると、一つ以上のグルーブＧが中間領域ＭＡに配置される。中間層２２２に含まれる有機物層、例えば第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃは、グルーブＧにより断絶（又は、分離）される。

グルーブＧは、それぞれ異なる物質を含む第１層２４０と第２層２５０とで形成される。第１層２４０は有機絶縁物を含み、第２層２５０は無機絶縁物や金属を含む。一実施形態として、第２層２５０は、金属を含む。

図９及び図１０を参照すると、第１層２４０は無機絶縁層である第２層間絶縁層２０７上に形成され、第２層２５０は第１層２４０の上面上に形成される。第１層２４０の厚さＴは、第２層２５０の厚さｔよりも厚い。

第１層２４０は、一般の汎用高分子、フェノール類を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びこれらのブレンドのような有機絶縁物を含む。一実施形態において、第１層２４０は、第１有機絶縁層２０９を形成する前に、例えば図１１を参照して後述する有機物層を形成する工程で形成される。

第２層２５０は、第１層２４０の上面に直接接触し、金属を含む。第２層２５０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、上記の材料を含む多層又は単層で形成される。一実施形態において、第２層２５０は、データラインＤＬ、或いは薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＥ又はドレイン電極ＤＥと同じ物質を含む。

グルーブＧは、アンダーカット構造又は庇構造を有する。グルーブＧは、第２層２５０に形成された第２ホール２５０ｈと第１層２４０に形成された第１ホール２４０ｈとを含む。グルーブＧは、エッチング、例えば等方性エッチング工程により形成され、エッチングされる程度によって、図９に示すように、第２層２５０に形成された第２ホール２５０ｈと第１層２４０に形成された第１ホール２４０ｈとを含むグルーブＧが形成されるか、或いは、図１０に示すように、第２層２５０に形成された第２ホール２５０ｈと第１層２４０に形成されたリセス２４０ｒとを含むグルーブＧが形成される。第１層２４０がリセス２４０ｒを含む場合、グルーブＧの深さｄは、第１層２４０の厚さＴよりも小さい。一実施形態において、グルーブＧの深さｄは、約３μｍであるか又はそれよりも大きい値を有する。

グルーブＧの底面は、図９に示すように、第１層２４０の底面、又は第２層間絶縁層２０７の上面と同じ平面上に位置する。或いは、グルーブＧの底面は、図１０に示すように、第１層２４０の上面と底面との間、又は第１層２４０の上面と第２層間絶縁層２０７の上面との間に位置する。

第２ホール２５０ｈを定義する第２層２５０の端部は、第１ホール２４０ｈ又はリセス２４０ｒを定義する第１層２４０の内側面よりも、第２ホール２５０ｈの中心に向かって更に延びる。例えば、第２層２５０は、第２ホール２５０ｈを定義し、第２ホール２５０ｈの中心に向かって第１層２４０の内側面よりも更に延びた一対のチップ２５１を含む。

それぞれのチップ２５１は第１幅Ｗ１を有し、第１幅Ｗ１は約２μｍであるか又はそれよりも大きい値を有する。チップ２５１の第１幅Ｗ１は、チップ２５１の真下に位置する第１層２４０の上面のエッジからチップ２５１のエッジまでの水平方向への距離である。

上述した構造を有するグルーブＧは、中間層２２２を形成する工程の前に形成される。基板１００上に形成された層のうちの有機物を含む層は、水分が進む経路となる。例えば、図８に示すように、表示パネル１０が第１貫通孔１０Ｈを含む場合、基板１００の上面に平行な方向（以下、側方向という）に沿って水分が進むが、本発明の実施形態によると、グルーブＧの庇構造又はアンダーカット構造により、有機物層、例えば第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃが断絶又は分離される。第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃは熱蒸着法により形成され、第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃの蒸着時、チップ２５１の構造により、第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃは、不連続的に形成される。

同様に、対向電極２２３及び／又はキャッピング層２３０のＬｉＦ層も、熱蒸着法により形成され、チップ２５１の構造により不連続的に形成される。一実施形態として、図８、図９、及び図１０は、第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０がチップ２５１を中心として離隔された構造を示している。第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０の一部は、グルーブＧの底面に位置する。

隔壁ＰＷは、グルーブＧの間に配置される。隔壁ＰＷは、順次に積層された複数の隔壁層を含む。一実施形態として、図８に示すように、隔壁ＰＷは、第１隔壁層ＰＷ１、第２隔壁層ＰＷ２、及び第３隔壁層ＰＷ３を含む。第１隔壁層ＰＷ１は第１有機絶縁層２０９と同じ物質を含み、第２隔壁層ＰＷ２は第２有機絶縁層２１１と同じ物質を含み、第３隔壁層ＰＷ３は画素定義膜２１５及び／又はスペーサ２１７と同じ物質を含む。

隔壁ＰＷは、第１層２４０と相互に離隔されて配置される。例えば、第１隔壁層ＰＷ１、第２隔壁層ＰＷ２、及び第３隔壁層ＰＷ３は、それぞれ第１層２４０から離隔される。隔壁ＰＷと第１層２４０との間で、第２層２５０は、第１層２４０を通って第１層２４０下に配置された無機絶縁層、例えば第２層間絶縁層２０７に直接接触する。第２層２５０は、第１層２４０の外側面を通って第２層間絶縁層２０７の上面に直接接触する。

本発明の比較例として、隔壁ＰＷをなす層と第１層２４０とが接触する場合、水分が進む有機物経路を形成してしまう。しかし、本発明の実施形態によると、隔壁ＰＷをなす層と第１層２４０とが相互に離隔され、及び／又は無機絶縁層である第２層間絶縁層２０７と金属を含む第２層２５０とが直接接触するため、水分の進行経路が遮断される。

先に図７を参照して説明したグルーブＧが第１貫通孔１０Ｈを取り囲むループ形状であると同様に、グルーブＧが定義される第１層２４０と第２層２５０との積層構造は、平面上で第１貫通孔１０Ｈを取り囲むループ形状である。同様に、隔壁ＰＷも、平面上で第１貫通孔１０Ｈを取り囲むループ形状である。いずれか一つのグルーブＧを定義する第１層２４０、隔壁ＰＷ、及び他の一つのグルーブＧを定義する第１層２４０は、相互に離隔されて第１貫通孔１０Ｈを取り囲むループ形状である。

薄膜封止層３００は、中間領域ＭＡにも形成される。第１無機封止層３１０は、上述した第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０よりもステップカバレージが相対的に優れている。第１無機封止層３１０は、図８に示すように、連続的に形成される。例えば、第１無機封止層３１０は、グルーブＧの内部表面を連続的且つ全体的にカバーする。第１無機封止層３１０は、化学気相蒸着法により形成される。

有機封止層３２０は、グルーブＧのうちの相対的に表示領域ＤＡに隣接するグルーブＧに重畳する。表示領域ＤＡに隣接するグルーブＧは、有機封止層３２０をなす物質で少なくとも部分的に充填される。

第２無機封止層３３０は、第１無機封止層３１０と同様にステップカバレージが相対的に優れているため、グルーブＧのうちの一部、例えば隔壁ＰＷと第１貫通孔１０Ｈとの間のグルーブＧの内部表面を連続的にカバーする。

基板１００と、基板１００上の画素回路ＰＣ及び有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む表示層２００と、薄膜封止層３００とを含む表示パネル１０上に入力感知部４０が位置する。入力感知部４０は、表示パネル１０上に直接形成される。

入力感知部４０は、順次に積層された第１絶縁層４１０、第２絶縁層４２０、第３絶縁層４４０、及び第４絶縁層４６０を含む。入力感知部４０は、第２絶縁層４２０と第３絶縁層４４０との間の第１導電層４３０、及び第３絶縁層４４０と第４絶縁層４６０との間の第２導電層４５０を含む。第１導電層４３０及び／又は第２導電層４５０は、タッチ入力をセンシングするためのタッチ電極とタッチ電極に連結されたトレースラインとを含む。

第１絶縁層４１０、第２絶縁層４２０、又は第３絶縁層４４０は、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、又はシリコンオキシナイトライドのような無機絶縁物を含み、第４絶縁層４６０は、有機絶縁物を含む。例えば、第４絶縁層４６０は、有機絶縁物としてフォトレジスト（ネガティブ又はポジティブ）やポリマー系の有機物などを含む。第１導電層４３０及び／又は第２導電層４５０は、金属又は透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む。一実施形態において、第１導電層４３０及び／又は第２導電層４５０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含む。

第１絶縁層４１０、第２絶縁層４２０、第３絶縁層４４０、及び第４絶縁層４６０は、表示領域ＤＡ及び中間領域ＭＡに位置するように一体に形成される。これと異なり、平坦化層４１５は、中間領域ＭＡに位置する。平面上で、平坦化層４１５は、第１貫通孔１０Ｈを取り囲むループ形状である。

平坦化層４１５は、有機絶縁層である。平坦化層４１５は、ポリマー系物質を含む。例えば、平坦化層４１５は、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド、ポリエチレンなどを含む。平坦化層４１５は、有機封止層３２０と異なる物質を含む。

表示領域ＤＡに隣接する平坦化層４１５の一部分は、有機封止層３２０に重畳する。互いに重畳する有機封止層３２０と平坦化層４１５との間には、第２無機封止層３３０及び第１絶縁層４１０が介在する。

有機封止層３２０は隔壁ＰＷの一側に位置し、中間領域ＭＡのうちの有機封止層３２０でカバーされていない領域は平坦化層４１５によりカバーされる。平坦化層４１５は、中間領域ＭＡのうちの有機封止層３２０でカバーされていない領域に位置することにより、第１貫通孔１０Ｈの周辺で表示パネル１０の扁平度を増加させる。従って、表示パネル１０上の入力感知部４０又は／及び光学機能部５０（図２）が剥離されるなどの問題を防止することができる。

図１１は、本発明の一実施形態による表示パネルを示す断面図である。

図１１の表示領域ＤＡは、先に図１０を参照して説明した表示領域ＤＡの積層構造と同じであるため、ここでの説明は省略する。表示パネル１０の外郭領域には、先に図４及び図５を参照して説明したように、ベンディング領域ＢＡを含む。

図１１のベンディング領域ＢＡを含む外郭領域ＰＡを参照すると、基板１００上に配置された無機絶縁構造ＩＬは、開口ＩＬ−ＯＰを含む。無機絶縁構造ＩＬは、少なくとも一層の無機絶縁層を含む。一実施形態において、無機絶縁構造ＩＬは、バッファ層２０１、ゲート絶縁層２０３、第１層間絶縁層２０５、及び／又は第２層間絶縁層２０７を含む。バッファ層２０１の開口２０１ａ、ゲート絶縁層２０３の開口２０３ａ、第１層間絶縁層２０５の開口２０５ａ、及び／又は第２層間絶縁層２０７の開口２０７ａは、互いに重畳することにより、無機絶縁構造ＩＬの開口ＩＬ−ＯＰを形成する。開口ＩＬ−ＯＰの幅ＯＷは、ベンディング領域ＢＡの幅よりも大きく形成される。一実施形態において、基板１００が二層のベース層と各ベース層上の無機絶縁層とを含む場合、基板１００の最上層に含まれる無機絶縁層も、開口ＩＬ−ＯＰに対応する開口を含む。この場合、開口ＩＬ−ＯＰを介して基板１００のベース層が露出され、露出されたベース層は、後述する有機絶縁層２６０に直接接触する。

ベンディング領域ＢＡには、有機絶縁層２６０が形成される。有機絶縁層２６０は、少なくとも一層の無機絶縁層の開口を少なくとも部分的に充填する。例えば、有機絶縁層２６０は、無機絶縁構造ＩＬの開口ＩＬ−ＯＰを少なくとも部分的に充填する。有機絶縁層２６０は、ベンディング領域ＢＡにのみ形成される。有機絶縁層２６０は、アクリル、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）などの有機絶縁物を含む。有機絶縁層２６０は、先に図８を参照して説明した第１層２４０（図８）と同じ工程で共に形成され、第１層２４０と同じ物質を含む。

無機絶縁構造ＩＬは、ベンディング領域ＢＡで開口ＩＬ−ＯＰを含むため、ベンディングストレスにより少なくとも一層の無機絶縁層にクラックが生じることを防止するか又は最小化することができ、有機絶縁層２６０がベンディング時に生じるストレスを吸収するため、上述したクラックの問題を防止することができる。

ベンディング領域ＢＡを中心として、第１領域１Ａに配置された配線の第１部分２１と第２領域２Ａに配置された配線の第２部分２２とは、ベンディング領域ＢＡを中心として相互に離隔される。第１部分２１及び第２部分２２は、例えばゲート絶縁層２０３上に位置する。或いは、第１部分２１及び／又は第２部分２２は、例えば第１層間絶縁層２０５上に位置する。

第１部分２１及び第２部分２２は、有機絶縁層２６０上に位置する第３部分２３により電気的に連結される。第３部分２３は、ベンディング領域ＢＡを横切って延びる。第３部分２３の一端部は、第１部分２１に重畳して第１及び第２層間絶縁層（２０５、２０７）を貫通するコンタクトホールを介して第１部分２１に接続される。第３部分２３の他端部は、第２部分２２に重畳して第１及び第２層間絶縁層（２０５、２０７）を貫通するコンタクトホールを介して第２部分２２に接続される。

第３部分２３は、第１部分２１及び／又は第２部分２２よりも軟性に優れる物質、例えばアルミニウムを含む。一実施形態として、第３部分２３は、先に図８を参照して説明した第２層２５０（図８）と同じ工程で形成され、第２層２５０と同じ物質を含む。

一層以上の保護層が外郭領域ＰＡに配置される。一実施形態として、図１１は、第１保護層２７１及び第２保護層２７２を示している。第１保護層２７１及び第２保護層２７２は、有機絶縁物を含む。第１保護層２７１及び／又は第２保護層２７２は、配線の第３部分２３を保護し、ベンディング時に表示パネルの中立面を調整するか又はベンディングストレスを分散させるために形成される。

図１２は、本発明の一実施形態による表示装置の一部を示す断面図であり、図１３〜図１５は、本発明の一実施形態によるグルーブ構造を示す断面図であり、図１６は、図１２のＸＶＩを拡大した断面図である。図１２は、説明の便宜上、表示装置のうちの光学機能部を省略し、表示パネルと入力感知部とを示している。

図１２の表示領域ＤＡを参照すると、先に図１０を参照して説明した表示領域ＤＡの積層構造と同じであるため、ここでの説明は省略する。

図１２の中間領域ＭＡを参照すると、グルーブＧは、第１層２４０′及び第２層２５０′に形成される。図１２及び図１３を参照すると、第１層２４０′は無機絶縁層である第２層間絶縁層２０７上に形成され、第２層２５０′は第１層２４０′の上面上に形成される。

第１層２４０′は、有機絶縁物を含む。一部の実施形態において、第１層２４０′は、図１２に示した第１有機絶縁層２０９を形成する工程と同じ工程で形成され、第１有機絶縁層２０９と同じ物質を含む。

第２層２５０′は、第１層２４０′の上面に直接接触し、金属を含む。第２層２５０′は、図１２に示したコンタクトメタル層ＣＭと同じ工程で形成され、コンタクトメタル層ＣＭと同じ物質を含む。

グルーブＧは、アンダーカット構造又は庇構造を有する。グルーブＧは、第２層２５０′に形成された第２ホール２５０ｈ′と第１層２４０′に形成された第１ホール２４０ｈ′とを含む。グルーブＧは、エッチング、例えば等方性エッチング工程により形成されるが、図１２及び図１３は、第２層２５０′に形成された第２ホール２５０ｈ′と第１層２４０′に形成された第１ホール２４０ｈ′とがグルーブＧを形成するものを示している。他の実施形態として、先に図１０を参照して説明したように、第１層２４０′に第１ホール２４０ｈ′の代わりにリセスが形成される。

第２ホール２５０ｈ′を定義する第２層２５０′の端部は、第１ホール２４０ｈ′又はリセスを定義する第１層２４０′の内側面よりも第２ホール２５０ｈ′の中心に向かって更に延びて一対のチップ２５１′を形成する。チップ２５１′により、中間層２２２の有機物層、例えば第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃが分離又は断絶されることは、上述した通りである。同様に、対向電極２２３及び／又はキャッピング層２３０も、アンダーカット構造又は庇構造により分離又は断絶される。

薄膜封止層３００は、第１無機封止層３１０、有機封止層３２０、及び第２無機封止層３３０を含む。第１無機封止層３１０は、相対的にステップカバレージが優れているため、図１２及び図１３に示すように、グルーブＧの内部表面を連続的にカバーする。薄膜封止層３００の具体的構造及び薄膜封止層３００上に配置された入力感知部４０の構造は、先に図８を参照して説明した通りである。

図１２及び図１３は、グルーブＧの内側面、例えばチップ２５１′の側面及び底面並びに第１層２４０′の内側面が第１無機封止層３１０に直接接触するものを示している。一実施形態において、グルーブＧの内側面と第１無機封止層３１０との間には、無機パッシベーション層ＰＶＸが配置される。

図１４を参照すると、無機パッシベーション層ＰＶＸは、第２層２５０′上に位置する。例えば、無機パッシベーション層ＰＶＸは、第２層２５０′が形成された後、中間層２２２（図８）が形成される前に形成される。図示していないが、無機パッシベーション層ＰＶＸは表示領域ＤＡ（図８）に延び、この場合、無機パッシベーション層ＰＶＸは表示領域ＤＡでコンタクトメタル層ＣＭ（図１２）と第２有機絶縁層２１１との間に配置される。

無機パッシベーション層ＰＶＸは、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、及びシリコンオキシナイトライドのような無機絶縁物を含む。無機パッシベーション層ＰＶＸは、化学気相蒸着法などにより形成される。

無機パッシベーション層ＰＶＸは、グルーブＧの内部表面を連続的且つ全体的にカバーする。例えば、無機パッシベーション層ＰＶＸは、第２層２５０′の上面、側面、及び底面をカバーし、第１層２４０′の内側面及び第１層２４０′の真下の第２層間絶縁層２０７の上面を連続的にカバーする。

無機パッシベーション層ＰＶＸが形成された後、第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０が形成される。第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０は、一対のチップ２５１′を中心として断絶又は分離される。

キャッピング層２３０後に形成される第１無機封止層３１０は、グルーブＧの内部表面を連続的にカバーするが、一部の領域で無機パッシベーション層ＰＶＸに直接接触する。

図１４は、第１層２４０′が単層であるものを示しているが、一部の実施形態において、第１層２４０′は、複数の層を含む。

図１５を参照すると、第１層２４０″は、第１サブ層２４１及び第２サブ層２４２を含む。第１サブ層２４１は先に図１２を参照して説明した第１有機絶縁層２０９と同じ物質を含み、第２サブ層２４２は第２有機絶縁層２１１と同じ物質を含む。或いは、第１サブ層２４１は先に図１１を参照して説明した有機絶縁層２６０と同じ物質を含み、第２サブ層２４２は第１有機絶縁層２０９と同じ物質を含む。

第２層２５０″は、金属や無機絶縁物を含む。第２層２５０″の第２ホール２５０ｈ″及び第１層２４０″の第１ホール又はリセス２４０ｒ″は、グルーブＧを形成する。第２層２５０″は、第２ホール２５０ｈ″の中心に向かって突出する一対のチップ２５１″を含む。一対のチップ２５１″は、第１層２４０″の内側面よりも第２ホール２５０ｈ″の中心に向かって更に突出してアンダーカット構造又は庇構造を形成する。

第２層２５０″上には、先に図１４を参照して説明したように、無機パッシベーション層ＰＶＸが形成され、一対のチップ２５１″を中心として、第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０は、断絶又は分離される。

無機パッシベーション層ＰＶＸはグルーブＧの内側面を連続的にカバーし、第１無機封止層３１０が無機パッシベーション層ＰＶＸに部分的に直接接触することは、上述した通りである。他の実施形態として、無機パッシベーション層ＰＶＸは省略される。

再び図１２を参照すると、複数のグルーブＧの間に隔壁ＰＷが位置する。隔壁ＰＷは、複数の隔壁層、例えば、第１隔壁層ＰＷ１、第２隔壁層ＰＷ２、及び第３隔壁層ＰＷ３を含む。第１隔壁層ＰＷ１は第１有機絶縁層２０９と同じ物質を含み、第２隔壁層ＰＷ２は第２有機絶縁層２１１と同じ物質を含み、第３隔壁層ＰＷ３は画素定義膜２１５及び／又はスペーサ２１７と同じ物質を含む。

隔壁層のうちの隣接する隔壁層の間、例えば第２隔壁層ＰＷ２と第３隔壁層ＰＷ３との間には、金属を含む間隔層２８０が形成される。間隔層２８０は微細なアンダーカット構造を有し、一実施形態において、第１機能層２２２ａ及び／又は第２機能層２２２ｃは断絶又は分離される。同様に、対向電極２２３及び／又はキャッピング層２３０も断絶又は分離される。

図１２及び図１６を参照すると、間隔層２８０は、金属を含む。間隔層２８０は、エッチング選択比が異なる少なくとも二層を含む。一実施形態として、間隔層２８０は、第１層２８１、第２層２８２、及び第３層２８３を含む。第１層２８１及び第３層２８３は同じ物質を含み、第２層２８２は第１層２８１及び第３層２８３と異なる物質を含む。一実施形態として、第１層２８１及び第３層２８３はＩＴＯのような透明導電性酸化物を含み、第２層２８２は、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオジム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、又はそれらの化合物を含む金属を含む。第２層２８２の厚さは、第１層２８１及び第３層２８３のものよりも大きい。

表示パネル１０（図１２）を形成する工程の間に、間隔層２８０のエッジはエッチングされ、この際、第２層２８２が第１層２８１及び第３層２８３よりも更にエッチングされる。この場合、第１層２８１のエッジが第２層２８２のエッジよりも側方向に沿って更に突出し、第１層２８１のエッジは、上述したグルーブＧのチップと実質的に同じ機能を有する。即ち、第１層２８１のエッジが第２層２８２のエッジよりも更に突出することにより、間隔層２８０には、微細にアンダーカット構造又は庇構造が形成される。

第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、及び対向電極２２３の厚さの和、又は第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０の厚さの和が間隔層２８０の厚さよりも小さい場合、第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及び／又はキャッピング層２３０は断絶又は分離される。これに関し、図１６は、第１機能層２２２ａ、第２機能層２２２ｃ、対向電極２２３、及びキャッピング層２３０が間隔層２８０のエッジを中心として断絶されたものを示している。

以上、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明は、例えば表示装置関連の技術分野に適用可能である。

１ 表示装置
１Ａ、２Ａ 第１、第２領域
２ 電子機器
１０ 表示パネル
１０Ｈ、４０Ｈ、５０Ｈ 第１〜第３貫通孔
２０ 配線
２１、２２、２３ 第１〜第３部分
４０ 入力感知部
５０ 光学機能部
６０ ウィンドウ
１００ 基板
２００ 表示層
２０１ バッファ層
２０１ａ、２０３ａ，２０５ａ、２０７ａ 開口
２０３ ゲート絶縁層
２０５、２０７ 第１、第２層間絶縁層
２０９、２１１ 第１、第２有機絶縁層
２１５ 画素定義膜
２１７ スペーサ
２２１ 画素電極
２２２ 中間層
２２２ａ、２２２ｃ 第１、第２機能層
２２２ｂ 発光層
２２３ 対向電極
２３０ キャッピング層
２４０、２４０′２４０″ 第１層
２４０ｈ、２４０ｈ′ 第１ホール
２４０ｒ、２４０ｒ″ リセス
２４１、２４２ 第１、第２サブ層
２５０、２５０′、２５０″ 第２層
２５０ｈ、２５０ｈ′、２５０ｈ″ 第２ホール
２５１、２５１′２５１″ チップ
２６０ 有機絶縁層
２７１、２７２ 第１、第２保護層
２８０ 間隔層
２８１、２８２、２８３ 第１〜第３層
３００ 薄膜封止層
３１０、３３０ 第１、第２無機封止層
３２０ 有機封止層
４１０、４２０、４４０、４６０ 第１〜第４絶縁層
４１５ 平坦化層
４３０、４５０ 第１、第２導電層
Ａｃｔ 半導体層
ＢＡ ベンディング領域
ＢＡＸ ベンディング軸
ＣＥ１ 下部電極
ＣＥ２ 上部電極
ＣＭ コンタクトメタル層
ＣＰ コンポーネント
Ｃｓｔ ストレージキャパシタ
ＤＡ 表示領域
ＤＥ ドレイン電極
ＤＬ データライン
ＥＬＶＤＤ、ＥＬＶＳＳ 第１、第２電源電圧
ＦＰＣＢ フレキシブル印刷回路基板
Ｇ グルーブ
ＧＥ ゲート電極
ＨＳ ハウジング
ＩＬ 無機絶縁構造
ＩＬ−ＯＰ、ＯＰ 開口
ＭＡ 中間領域
ＯＣＡ 光学透明粘着剤（ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ）
ＯＬＥＤ 有機発光ダイオード
ＯＷ 開口の幅
Ｐ 画素
ＰＡ 外郭領域
ＰＡＤ パッド
ＰＣ 画素回路
ＰＬ 駆動電圧線
ＰＶＸ 無機パッシベーション層
ＰＷ 隔壁
ＰＷ１〜ＰＷ３ 第１〜第３隔壁層
ＳＥ ソース電極
ＳＬ スキャンライン
Ｔ１、Ｔ２ 第１、第２薄膜トランジスタ
ＴＡ 透過領域
ＴＦＴ 薄膜トランジスタ

Claims (25)

1. 第１貫通孔と、
   前記第１貫通孔を取り囲む表示領域に配置され、前記第１貫通孔を挟んでそれぞれ離隔された画素を含む複数の画素のアレイと、
   前記第１貫通孔と前記表示領域との間の中間領域に配置され、第１ホール又はリセスを含む第１層と、
   前記第１層上に位置し、前記第１ホール又は前記リセスに重畳する第２ホールを含む第２層と、を備え、
   前記第２層は、前記第１ホール又は前記リセスを定義する前記第１層の内側面よりも前記第２ホールの中心に向かって更に延びる一対のチップを含み、
   前記複数の画素のそれぞれは、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の中間層を含む発光ダイオードを含み、
   前記中間層の少なくとも一層の有機物層は、前記一対のチップを中心として断絶されることを特徴とする表示装置。
2. 前記少なくとも一層の有機物層は、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び電子輸送層から選択される一層以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記対向電極は、前記一対のチップを中心として断絶されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１層は、有機絶縁物を含み、
   前記第２層は、金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記複数の画素のアレイが配置された基板と、
   前記基板と前記画素電極との間の少なくとも一層の無機絶縁層と、を更に含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１層は、前記少なくとも一層の無機絶縁層上に配置され、
   前記第２層は、前記第１層を通って前記少なくとも一層の無機絶縁層の上面に直接接触することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
7. 前記少なくとも一層の無機絶縁層と前記画素電極との間の少なくとも一層の有機絶縁層を更に含み、
   前記第１層は、前記少なくとも一層の有機絶縁層と同じ物質を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
8. 前記基板の一部分は、ベンディング領域に沿って延びるベンディング軸を中心としてベンディングされ、
   前記少なくとも一層の無機絶縁層は、前記ベンディング領域に位置する開口を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
9. 前記少なくとも一層の無機絶縁層の前記開口に位置する有機絶縁層を更に含み、
   前記第１層は、前記有機絶縁層と同じ物質を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
10. 前記第２層上の無機パッシベーション層を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
11. 前記無機パッシベーション層は、前記第２層の側面及び底面、並びに前記第１層の内側面を連続的にカバーすることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
12. 基板と、
    前記基板上に配置され、複数の画素を含む表示層と、
    前記表示層上に配置され、少なくとも一層の無機封止層及び少なくとも一層の有機封止層を含む薄膜封止層と、
    前記基板、前記表示層、及び前記薄膜封止層を貫通し、前記複数の画素のうちの隣接する二つの画素の間に位置する第１貫通孔と、
    前記第１貫通孔を取り囲むように配置され、第１層及び前記第１層上の第２層内に定義されるグルーブと、を備え、
    前記グルーブは、前記第１層の第１ホール又はリセス、及び第２層に形成された第２ホールを含み、
    前記第２層は、前記第１ホール又は前記リセスを定義する前記第１層の内側面よりも前記第２ホールの中心に向かって更に延びる一対のチップを含み、
    前記表示層の少なくとも一層の有機物層は、前記グルーブにより断絶されることを特徴とする表示装置。
13. 前記複数の画素のそれぞれは、画素電極、対向電極、及び前記画素電極と前記対向電極との間の発光層を含む発光ダイオードを含み、
    前記少なくとも一層の有機物層は、前記画素電極と前記対向電極との間に位置することを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記少なくとも一層の有機物層は、ホール輸送層、ホール注入層、電子注入層、及び電子輸送層から選択される一層以上を含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
15. 前記表示層は、前記基板と前記画素電極との間の少なくとも一層の無機絶縁層を含み、
    前記第１層は、前記少なくとも一層の無機絶縁層上に位置することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
16. 前記第１層は、有機絶縁物を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
17. 前記第２層は、前記第１層を通って前記少なくとも一層の無機絶縁層の上面に直接接触することを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
18. 前記第２層は、金属又は無機絶縁物を含むことを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
19. 前記第２層上の無機パッシベーション層を更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
20. 前記無機パッシベーション層は、前記第２層の側面及び底面、並びに前記第１層の内側面を連続的にカバーすることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
21. 前記基板の一部分は、ベンディング領域に沿って延びるベンディング軸を中心としてベンディングされ、
    前記少なくとも一層の無機絶縁層は、前記ベンディング領域に位置する開口を含むことを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
22. 前記少なくとも一層の無機絶縁層の前記開口に位置する有機絶縁層を更に含み、
    前記第１層は、前記有機絶縁層と同じ物質を含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
23. 前記第１貫通孔を取り囲む第２グルーブを更に含み、
    前記グルーブと前記第２グルーブとの間の隔壁を更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
24. 前記隔壁は、積層された複数の隔壁層を含み、
    前記複数の隔壁層のうちの隣接する隔壁層の間には、金属を含む間隔層が介在することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
25. 前記間隔層は、第１層及び前記第１層下の第２層を含み、
    前記第１層のエッジは、前記第２層のエッジよりも外側に向かって更に突出し、
    前記少なくとも一層の有機物層は、前記第１層のエッジと前記第２層のエッジとが形成する庇構造によって断絶されることを特徴とする請求項２４に記載の表示装置。

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