KR20210044943A - 표시 장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

일 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 하부 기판; 상기 제2 영역에 배치되는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층; 및 상기 표시층을 커버하는, 상부 기판을 포함하고, 상기 상부 기판은, 상기 하부 기판을 향하는 상기 상부 기판의 하면에, 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홈을 포함할 수 있다. 그밖에 다른 실시예들이 가능하다.

Description

표시 장치 및 이의 제조 방법{display apparatus and method manufacturing the same}
본 발명은 표시 장치 및 표시 장치를 제조하는 방법에 관한 것이다.
표시 장치는 그 용도가 다양해지고 있다. 또한, 표시 장치의 두께가 얇아지고 무게가 가벼워 그 사용의 범위가 광범위해지고 있는 추세이다.
표시 장치는 이미지를 출력하는 표시 영역이 차지하는 면적을 확대하는 한편, 표시 장치와 접목 또는 연계하여 다양한 기능들을 사용할 수 있도록, 점차 개발되는 추세이다.
표시 장치와 접목 또는 연계하여 다양한 기능을 제공하기 위한 일 방안으로, 표시 장치는 표시 영역의 내측에 카메라 또는 센서 등의 컴포넌트를 배치하고, 컴포넌트의 원활한 동작을 위해 컴포넌트의 배치 위치에 대응하여 광 투과도가 상대적으로 높게 형성된 영역을 구비할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 하부 기판; 상기 제2 영역에 배치되는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층; 및 상기 표시층을 커버하는, 상부 기판을 포함하고, 상기 상부 기판은, 상기 하부 기판을 향하는 상기 상부 기판의 하면에, 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홈을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역에서 상기 제1 홀 및 상기 제1 홈에 의해 형성된, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간은, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 가질 수 있다.
상기 제1 홈의 일단의 테이퍼 각도는 5 ° 이상 60 ° 이하일 수 있다.
상기 제1 홈의 깊이는 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하일 수 있다.
상기 복수의 표시요소들은, 이웃하는 제1 표시요소 및 제2 표시요소를 포함하고, 상기 제1 표시요소 및 상기 제2 표시요소는, 상기 제1 홀을 중심으로 상호 이격될 수 있다.
상기 복수의 표시요소들은, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층을 포함하고, 상기 대향전극은 일체로 형성되되 상기 제1 영역에 대응하는 홀을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는, 상기 상부 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 대응하는 제2 홀을 구비하는 입력감지층을 더 포함할 수 있다.
상기 하부 기판은, 상기 상부 기판을 향하는 상기 하부 기판의 상면에, 상기 제1 영역에 대응하는 제2 홈을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 홈은 상기 표시층을 형성하기 이전에 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
상기 제1 영역에서 상기 제1 홈, 상기 제1 홀, 및 상기 제2 홈에 의해 형성된, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간은, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 가질 수 있다.
상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은, SiO2, MgO, CaO, 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 글래스재를 포함할 수 있다.
제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 표시 장치의 제조 방법은, 하부 기판 또는 상부 기판 중 적어도 하나에, 상기 제1 영역에 대응하는 홈을 형성하는 동작; 상기 하부 기판 상에, 상기 제2 영역에 대응하는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층을 형성하는 동작; 상기 표시층을 사이에 두고 상기 상부 기판이 상기 하부 기판과 마주하도록, 상기 상부 기판을 배치하는 동작; 및 실링재를 이용하여 상기 하부 기판의 상면과 상기 상부 기판의 하면을 합착하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 홈을 형성하는 동작은, 상기 상부 기판의 하면에 내산성 필름(acid-resistant film)을 부착하는 동작; 상기 상부 기판에 부착된 상기 내산성 필름의 상기 제1 영역에 대응하는 부분을 제거하는 동작; 상기 내산성 필름이 부착된 상기 상부 기판을 식각액을 사용하여 식각하는 동작; 및 상기 상부 기판에 부착된 상기 내산성 필름의 나머지 부분을 제거하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 홈을 형성하는 동작은, 5 ° 이상 60 ° 이하의 테이퍼 각도를 갖도록 상기 홈을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 홈을 형성하는 동작은, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 갖도록 상기 홈을 형성하는 동작을 포함할 수 있다.
상기 홈 및 상기 제1 홀은 상호 중첩되어 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 갖는 공간을 형성할 수 있다.
상기 식각액은, 황산(H2SO4), 불산(HF) 및 염산(HCl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 실링재는 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 개재되며 상기 복수의 표시요소들을 둘러싸도록 위치할 수 있다.
다양한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 기판; 및 상기 기판의 제1 면에 배치되며, 상기 제1 영역에 대응하는 홀을 포함하는 입력 감지층을 포함하고, 상기 기판은, 상기 제1 면과 반대 방향으로 향하는 제2 면에 상기 제1 영역에 대응하는 홈을 포함할 수 있다.
상기 홈은 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 가질 수 있다.
다양한 실시예에 따른 표시 장치는, 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 하부 기판; 상기 제2 영역에 배치되는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층; 상기 표시층을 커버하는, 상부 기판; 및 상기 제1 영역에서, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간에 의해 형성되는 캐비티를 포함하고, 상기 캐비티는, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 가질 수 있다.
상기 상부 기판 또는 상기 하부 기판 중 적어도 하나는, 상기 제1 영역에 대응하는 위치에 상기 제1 홀과 중첩하는 홈을 포함하고, 상기 캐비티는, 상기 홈 및 상기 제1 홀에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 컴포넌트의 기능을 저해하지 않는, 광 특성이 개선된 표시 장치 및 이를 제조하는 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 4a 내지 도 4c는, 캐비티의 높이에 따른 파장대역 별 투과율 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 기판을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7a 내지 도 7e는 상부 기판에 제1 홈을 형성하는 방법을 도시한 흐름도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.
이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
본 명세서에서 "A 및/또는 B"는 "A"이거나, "B"이거나, "A 및 B"인 경우를 포함할 수 있다. 그리고, "A 및 B 중 적어도 하나"는 "A"이거나, "B"이거나, "A 및 B"인 경우를 포함할 수 있다. 또한, "A, B, 또는 C 중 적어도 하나"는 "A"이거나, "B"이거나, "C"이거나, "A 및 B 중 적어도 하나"이거나, "A 및 C 중 적어도 하나"이거나, "B 및 C 중 적어도 하나"이거나, "A, B, 및 C"인 경우를 포함할 수 있다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우, 또는/및 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우, 및/또는 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우를 나타낸다.
x축, y축 및 z축은 직교 좌표계 상의 세 축으로 한정되지 않고, 이를 포함하는 넓은 의미로 해석될 수 있다. 예를 들어, x축, y축 및 z축은 서로 직교할 수도 있지만, 서로 직교하지 않는 서로 다른 방향을 지칭할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(1)는 제1 영역(A1), 제2 영역(A2), 및 제3 영역(A3)을 포함할 수 있다.
제1 영역(A1)은 표시 장치(1)의 내측에 구비된 컴포넌트에 대응하여 광 투과율이 상대적으로 높게 형성된 영역을 포함할 수 있다. 예를 들어 제1 영역(A1)은, 컴포넌트로부터 외부로 출력되거나, 외부에서 컴포넌트를 향해 입사되는 빛이 투과될 수 있는 투과 영역(transmission area)으로 이해될 수 있다. 예컨대 상기 제1 영역(A1)은 컴포넌트 영역, 센서 영역, 또는 개구 영역으로 지칭될 수 있다.
제2 영역(A2)은 화소들이 배치된 영역으로 정의될 수 있다. 표시 장치(1)는 제2 영역(A2)에 배치된 복수의 화소들로부터 방출되는 빛을 이용하여, 소정의 이미지 정보를 제공할 수 있다. 예컨대 제2 영역(A2)은 표시 영역으로 지칭될 수 있다.
제2 영역(A2)은 제1 영역(A1)을 적어도 부분적으로 둘러싸도록 배치될 수 있다. 일 실시예로서, 제2 영역(A2)은, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)을 전체적으로 둘러쌀 수도 있다.
제2 영역(A2)은 제3 영역(A3)의 내측에 위치할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(A1)은 제2 영역(A2)에 의해 둘러싸일 수 있으며, 제2 영역(A2)은 제3 영역(A3)에 의해 둘러싸일 수 있다.
제3 영역(A3)은 제2 영역(A2)에 배치된 화소들에 전기적 신호를 제공하는 회로 구성이 배치된 영역을 포함할 수 있다. 도 1에서, 제1 영역(A1) 및 제3 영역(A3)은 화소들이 배치되지 않은 비표시 영역에 해당할 수 있다.
도 1에서는, 제1 영역(A1)이 실질적으로 사각형 형태인 제2 영역(A2)의 일측(좌상측)에 배치된 것을 도시하고 있으나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제2 영역(A2)의 형상은 원형, 타원, 또는 삼각형이나 오각형 등과 같은 다각형일 수 있으며, 제1 영역(A1)의 위치 및 개수도 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어 제1 영역(A1)은, 제2 영역(A2)의 평면(예: x-y 평면)을 기준으로 상측 중앙부에 배치될 수 있으며, 제1 영역(A1)은 제2 영역(A2)의 내측에 복수 개로 구비될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치(1)로서, 유기 발광 표시 장치를 예로 하여 설명하지만, 본 발명의 표시 장치는 이에 제한되지 않는다. 예컨대 다른 실시예로서, 표시 장치(1)는 무기 발광 표시 장치(Inorganic Light Emitting Display 또는 무기 EL 표시 장치)이거나, 양자점 발광 표시 장치(Quantum dot Light Emitting Display)와 같은 표시 장치일 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(1)에 구비된 표시요소의 발광층은 유기물을 포함하거나, 무기물을 포함하거나, 양자점을 포함하거나, 유기물과 양자점을 포함하거나, 또는 무기물과 양자점을 포함할 수 있다.
전술한 표시 장치(1)는 휴대폰(mobile phone), 노트북, 스마트 워치와 같은 다양한 종류의 전자 기기일 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다. 예컨대 도 2는, 도 1의 I-I'선에 따른 단면에 대응할 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 장치(1)는, 표시 패널(10)과, 표시 패널(10) 상에 배치되는 입력감지층(40) 및/또는 광학 기능층(50)을 포함할 수 있으며, 이들 구성은 윈도우(60)로 커버될 수 있다.
윈도우(60)는 광학 투명 점착제(OCA, optical clear adhesive)와 같은 점착층(70)을 통해 그 아래의 구성, 예컨대 광학 기능층(50)(또는, 입력감지층(40))과 결합될 수 있다.
표시 장치(1)는 표시 패널(10)의 하부에 컴포넌트(20)를 더 포함할 수 있다.
컴포넌트(20)는 빛을 이용하는 전자 요소를 포함할 수 있다. 예컨대 컴포넌트(20)는 가시광, 적외선광, 자외선광 등의 다양한 파장대역의 빛을 이용하는 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어 컴포넌트(20)는 외부로부터의 빛을 이용하여 이미지 정보를 획득하는 카메라 모듈을 포함할 수 있다.
표시 패널(10)은, 하부 기판(100), 하부 기판(100)과 마주하는 상부 기판(200), 및 이들 사이에 개재되는 표시층(300)을 포함할 수 있다. 표시 패널(10)은 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에서 표시층(300)의 측면을 커버하는 실링재(540)를 더 포함할 수 있다. 실링재(540)는 표시층(300)의 복수의 표시요소들을 둘러싸도록 위치하여 표시요소들을 보호하며, 하부 기판(100)과 상부 기판(200)을 합착하는 역할을 할 수도 있다.
하부 기판(100) 및 상부 기판(200)은, SiO2, MgO, CaO, 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예컨대, 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)은, SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 포함할 수 있다.
다른 예에 따르면, 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)은 고분자 수지를 포함할 수도 있다. 예컨대 하부 기판(100) 및 상부 기판(200)은, 고분자 수지를 포함하는 층 및 무기층을 포함하는 다층 구조일 수 있다.
하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에는 표시층(300)이 배치될 수 있다.
표시층(300)은 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 표시층(300)은 각 화소마다 구비되는 표시요소들을 포함하는 표시요소층(300A)과, 상기 각 표시요소들과 전기적으로 연결되는 화소회로들 및 이들 사이의 절연층들을 포함하는 화소회로층(300B)을 포함할 수 있다. 예를 들어 표시요소층(300A)의 각 표시요소들은 유기발광다이오드(organic light-emitting diode, OLED)를 포함할 수 있다. 각 표시요소들은 제2 영역(A2)에 위치할 수 있다.
표시층(300)은 제1 영역(A1)에 대응하는 위치에 제1 홀(350)을 포함할 수 있다. 예를 들어 하부 기판(100)의 아래에 제1 영역(A1)에 대응하여 배치된 컴포넌트(20)는, 상기 제1 홀(350)을 통과한 빛을 수광하거나, 제1 홀(350)을 통해 빛을 외부로 방출할 수 있다. 예를 들어 제1 홀(350)은 제1 영역(A1)을 정의할 수 있다. 예컨대 표시 장치(1)에서 제1 영역(A1)은 표시층(300)의 제1 홀(350)이 형성된 영역에 해당할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상부 기판(200)은, 하부 기판(100)을 향하는 면인 상부 기판(200)의 하면에, 제1 영역에 대응하는 제1 홈(250)을 포함할 수 있다. 제1 홈(250)은 상부 기판(200) 하면의 제1 영역(A1)에 대응하는 위치에서 상부 기판(200)의 내측으로 오목한 형태로 구비될 수 있다. 상부 기판(200)은, 제1 영역(A1)에서의 두께(H201)가 다른 영역, 예컨대 제2 영역(A2)에서의 두께(H202)보다 작게 형성될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 패널(10)은 제1 영역(A1)에서, 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이의 공간에 의해 형성되는 캐비티(cavity)를 포함할 수 있다. 캐비티는, 하부 기판(100) 및 상부 기판(200) 사이에 형성된 공극(air gap)을 의미할 수 있다. 상기 캐비티는, 표시층(300)의 제1 홀(350) 및 상부 기판(200)의 제1 홈(250)에 의해 형성된 공간에 대응할 수 있다. 즉, 도 2에서 캐비티는, 제1 홀(350) 및 제1 홈(250)과 중첩될 수 있다.
상부 기판(200)의 제1 홈(250)은, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 가질 수 있다. 또한, 표시층(300)의 제1 홀(350)은 약 5 ㎛ 의 높이를 가질 수 있다. 제1 홈(250) 및 제1 홀(350)과 중첩하는 상기 캐비티의 높이(H10)는, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 값을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 패널(10)은 컴포넌트(20)의 위치에 대응하여 제1 영역(A1)에 형성된 캐비티가 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 가짐에 따라, 캐비티의 높이 편차에 기인하는 파장대역 별 광 투과율 편차를 최소화할 수 있다.
입력감지층(40)은 표시 패널(10) 위에 배치될 수 있다. 예컨대, 입력감지층(40)은 상부 기판(200) 상에 배치될 수 있다.
입력감지층(40)은, 외부의 입력, 예를 들어, 터치 이벤트에 따른 좌표정보를 획득할 수 있다. 입력감지층(40)은 감지전극(sensing electrode 또는 touch electrode) 및 감지전극과 연결된 트레이스 라인(trace line)들을 포함할 수 있다. 상기 입력감지층(40)은 뮤추얼 캡 방식 또는 셀프 캡 방식으로 외부 입력을 감지할 수 있다.
일 실시예에서 입력감지층(40)은 표시 패널(10)과 별도로 형성된 후 광학 투명 접착제(optical clear adhesive)와 같은 접착층을 통해 표시 패널(10)과 접착될 수 있다. 다른 실시예에서, 입력감지층(40)은 표시 패널(10), 예컨대 상부 기판(200) 상에 직접 형성될 수도 있다. 예컨대 입력감지층(40)은 표시 패널(10)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 표시 패널(10) 상에 형성될 수 있다. 이 경우 입력감지층(40)은 표시 패널(10)의 일부로 이해될 수 있으며, 입력감지층(40)과 표시 패널(10) 사이에는 접착층이 개재되지 않을 수 있다. 입력감지층(40)은 도 2에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)과 광학 기능층(50) 사이에 개재될 수 있으나, 또 다른 실시예로서, 입력감지층(40)은 광학 기능층(50) 위에 배치될 수도 있다.
광학 기능층(50)은 반사 방지층을 포함할 수 있다. 반사 방지층은 윈도우(60)를 통해 외부에서 표시 패널(10)을 향해 입사하는 빛의 반사율을 감소시킬 수 있다. 반사 방지층은 위상지연자(retarder) 및 편광자(polarizer)를 포함할 수 있다.
위상지연자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있고, λ/2 위상지연자 및/또는 λ/4 위상지연자를 포함할 수 있다. 편광자는 필름타입 또는 액정 코팅타입일 수 있다. 필름타입은 연신형 합성수지 필름을 포함하고, 액정 코팅타입은 소정의 배열로 배열된 액정들을 포함할 수 있다. 위상지연자 및 편광자는 보호필름을 더 포함할 수 있다. 예컨대 위상지연자 및 편광자 자체 또는 보호필름이 반사방지 층의 베이스층으로 정의될 수 있다. 다른 실시예로, 반사 방지층은 블랙매트릭스와 컬러필터들을 포함할 수 있다. 컬러필터들은 표시 패널(10)의 화소들 각각에서 방출되는 빛의 색상을 고려하여 배열될 수 있다.
또 다른 실시예로, 반사 방지층은 상쇄간섭 구조물을 포함할 수 있다. 상쇄간섭 구조물은 서로 다른 층 상에 배치된 제1 반사층과 제2 반사층을 포함할 있다. 제1 반사층 및 제2 반사층에서 반사된 제1 반사광과 제2 반사광은 상쇄 간섭될 수 있고, 그에 따라 외부광 반사율이 감소될 수 있다.
광학 기능층(50)은 렌즈층을 포함할 수 있다. 렌즈층은 표시 패널(10)에서 방출되는 빛의 출광 효율을 향상시키거나, 색편차를 줄일 수 있다. 렌즈층은 오목하거나 볼록한 렌즈 형상을 가지는 층을 포함하거나, 또는/및 굴절률이 서로 다른 복수의 층을 포함할 수 있다. 광학 기능층(50)은 전술한 반사 방지층 및 렌즈층을 모두 포함하거나, 이들 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 광학 기능층(50)은 표시 패널(10) 및/또는 입력감지층(40)을 형성하는 공정 이후에 연속적으로 형성될 수 있다. 이 경우, 광학 기능층(50) 표시 패널(10) 및/또는 입력감지층(40) 사이에 별도의 접착층이 개재되지 않을 수 있다.
입력감지층(40), 및/또는 광학 기능층(50)은 제1 영역(A1)에 대응하는 홀들을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 도 2에는 입력감지층(40) 및 광학 기능층(50)이 각각 제2 홀(45) 및 제3 홀(55)을 포함하며, 제1 홀(45)과 제2 홀(55) 서로 중첩되는 구조를 도시한다. 예컨대 표시층(300)의 제1 홀(350)과 상부 기판(200)의 제1 홈(250)은 각각 컴포넌트(20)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있으며, 제2 홀(45) 및 제3 홀(55)은 각각 제1 홀(350)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. 예컨대 제3 홀(55)은 제2 홀(45)의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다.
다른 실시예로, 입력감지층(40) 또는 광학 기능층(50) 중 적어도 하나는 홀을 포함하지 않을 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치(1)에 포함된 표시 패널(10)은 하부 기판(100), 상부 기판(200), 및 이들 사이에 개재된 표시층(300)을 포함할 수 있다.
표시층(300)은 제1 영역(A1)에 대응하는 제1 홀(350)을 포함할 수 있으며, 하부 기판(100)은 제1 영역(A1)에 대응하는 제2 홈(150)을 포함할 수 있다. 상기 제2 홈(150)은 하부 기판(100)이 상부 기판(200)을 향하는 하부 기판(100)의 상면에 형성될 수 있다. 하부 기판(100)이 제2 홈(150)을 구비함에 따라, 하부 기판(100)은 제1 영역(A1)에서의 두께(H101)가 다른 영역, 예컨대 제2 영역(A2)에서의 두께(H102)보다 작은 값을 가질 수 있다.
제1 영역(A1)에서 하부 기판(100)의 상면과 상부 기판(200)의 하면 사이에는, 상기 제1 홀(350)과 제2 홈(150)에 의해 형성된 공간으로서 캐비티가 형성될 수 있다. 즉, 도 3에서 캐비티는 제1 홀(350) 및 제2 홈(150)과 중첩될 수 있다.
하부 기판(100)의 제2 홈(150)은, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 가질 수 있고, 표시층(300)의 제1 홀(350)은 약 5 ㎛ 의 깊이를 가질 수 있다. 상기 제2 홈(150)과 제1 홀(350)에 의해 형성되는 캐비티의 높이(H10)는, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 크기를 가질 수 있다.
예를 들어 도 3에 도시된 바와 같이 표시 패널(10)은 하부 기판(100)이 제2 홈(150)을 구비함에 따라, 상부 기판(200)에 도 2에 도시된 제1 홈(250)을 갖지 않을 수 있다.
또는, 다른 실시예로서 표시 패널(10)은 상부 기판(200)의 제1 홈(250)과 하부 기판(100)의 제2 홈(150, 도 2 참조)을 각각 포함할 수도 있다. 이 경우 제1 영역(A1)에서 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이의 공간에 의해 형성되는 캐비티는, 제1 홈(250), 제1 홀(350), 및 제2 홈(150)과 각각 중첩할 수 있다.
상기 하부 기판(100) 의 제2 홈(150)은 표시층(300)을 배치하기 전 단계에서 식각 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 3에 도시된 표시 장치(1)의 다른 구성요소에 대한 설명은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같으므로, 전술한 내용으로 갈음하도록 한다.
도 4a 내지 도 4c는, 캐비티의 높이에 따른 파장대역 별 투과율 특성을 설명하기 위한 그래프이다.
캐비티는, 투명 재질의 두 기판 사이에 형성된 공극(air gap)을 의미할 수 있다. 예컨대 캐비티는, 도 2 또는 도 3에 도시된 제1 영역(A1)에서 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이의 공간에 의해 형성된 공극을 의미할 수 있다. 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이, 표시 장치(1)의 표시층(300)은 컴포넌트(20)에 대응하여 제1 영역(A1)에서 광 투과율이 상대적으로 높게 형성되도록 제1 홀(350)을 구비할 수 있으며, 상기 제1 홀(350)에 의해 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에 공간, 즉 캐비티가 형성될 수 있다.
도 4a는 캐비티의 높이가 약 2 ㎛인 경우, 도 4b는 캐비티의 높이가 약 4 ㎛인 경우, 도 4c는 캐비티의 높이가 약 10 ㎛인 경우의 가시광 파장대역의 투과율 그래프이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 캐비티가 형성된 영역을 투과하는 빛의 투과율 값은 파장대역에 따라 특정 주기 및 진폭을 갖고 진동하는 형태를 가질 수 있다.
도 4a 내지 도 4c에 도시된 바와 같이, 캐비티가 형성된 영역을 통과하는 빛의 파장대역에 따른 투과율 값은, 캐비티의 높이, 즉 공극(air gap)의 높이가 클수록 상대적으로 짧은 주기를 갖고 진동할 수 있다. 이 경우, 캐비티의 높이 산포에 따라 다른 투과율 스펙트럼을 갖는 빛 간에 상쇄간섭이 발생할 가능성이 더 높아지며, 그에 따라 캐비티가 형성된 영역을 통과하는 빛은 파장대역 별 투과율 편차가 감소할 수 있다.
본 발명의 다양한 실시예에 따르면, 표시 장치(1)는 제1 영역(A1, 도 2)에 형성되는 캐비티가 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 의 높이를 갖도록 하여, 컴포넌트(20, 도 2)의 광 특성 왜곡을 최소화할 수 있다. 예컨대 표시 장치(1)는 제1 영역(A1, 도 2)에 대응하여 상부 기판(200, 도 2)에 제1 홈(250)을 구비(및/또는, 하부 기판(100, 도 1)에 제2 홈(150)을 구비)함으로써 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 의 높이를 갖는 캐비티를 형성할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널을 구체적으로 도시한 단면도이다.
도 5를 참조하면, 표시 패널은, 하부 기판(100), 상부 기판(200), 및 상기 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에 개재되는 표시층(300)을 포함할 수 있다.
표시층(300)은 제1 및 제2 화소(P1, P2)를 포함하는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 각각의 화소들은, 박막트랜지스터(TFT)를 포함하는 화소 회로(PC), 및 각 화소 회로(PC)와 전기적으로 연결되는 표시요소(예: OLED)을 포함할 수 있다. 화소들은 제2 영역(A2)에 배치될 수 있다.
박막트랜지스터(TFT)는 비정질실리콘, 다결정실리콘 또는 유기반도체물질을 포함하는 반도체층(A), 게이트전극(G), 소스전극(S) 및 드레인전극(D)을 포함할 수 있다.
반도체층(A)은 비정질 실리콘(amorphous silicon)을 포함할 수 있다. 다른 실시예로, 반도체층(A)은 인듐(In), 갈륨(Ga) 스태늄(Sn), 지르코늄(Zr), 바나듐(V), 하프늄(Hf) 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge) 크롬(Cr), 티타늄(Ti), 및/또는 아연(Zn)을 포함하는 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체층(A)은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), ZIO(Zinc Indium Oxide)와 같은 산화물 반도체를 포함할 수 있다.
게이트전극(G)은 게이트절연층(310)을 사이에 두고 반도체층(A) 상에 배치될 수 있다. 게이트전극(G)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 게이트전극(G)은 Mo의 단층일 수 있다.
게이트절연층(310)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물 (Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2) 등을 포함할 수 있다.
소스전극(S) 및/또는 드레인전극(D)은 층간절연층(320)을 사이에 두고 게이트전극(G) 상에 배치될 수 있다. 소스전극(S) 및/또는 드레인전극(D)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 티타늄(Ti) 등을 포함하며 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다. 일 예로, 소스전극(S) 및/또는 드레인전극(D)은 Ti/Al/Ti의 다층 구조로 이루어질 수 있다.
평탄화층(330)은 소스전극(S) 및/또는 드레인전극(D) 상면을 덮으며, 화소전극(380)이 평탄하게 형성될 수 있도록 평탄한 상면을 가질 수 있다. 평탄화층(330)은 유기 물질로 이루어진 막이 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 평탄화층(330)은 BCB(Benzocyclobutene), 폴리이미드(polyimide), HMDSO(Hexamethyldisiloxane), Polymethylmethacrylate(PMMA)나, Polystyrene(PS)과 같은 일반 범용고분자, 페놀계 그룹을 갖는 고분자 유도체, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 아마이드계 고분자, 불소계고분자, p-자일렌계 고분자, 비닐알콜계 고분자 및 이들의 블렌드 등을 포함할 수 있다. 평탄화층(330)은 무기 물질을 포함할 수 있다. 평탄화층(330)은 실리콘산화물(SiO2), 실리콘질화물(SiNx), 실리콘산질화물(SiON), 알루미늄산화물(Al2O3), 티타늄산화물(TiO2), 탄탈산화물(Ta2O5), 하프늄산화물(HfO2), 또는 아연산화물(ZnO2)등을 포함할 수 있다. 평탄화층(330)이 무기 물질로 구비되는 경우, 경우에 따라서 화학적 평탄화 폴리싱을 진행할 수 있다. 한편, 평탄화층(330)은 유기물질 및 무기물질을 모두 포함할 수도 있다.
화소전극(380)은 (반)투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(380)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막과, 반사막 상에 형성된 투명 또는 반투명 전극층을 구비할 수 있다. 투명 또는 반투명 전극층은 인듐틴산화물(ITO; indium tin oxide), 인듐아연산화물(IZO; indium zinc oxide), 아연산화물(ZnO; zinc oxide), 인듐산화물(In2O3; indium oxide), 인듐갈륨산화물(IGO; indium gallium oxide) 및 알루미늄아연산화물(AZO; aluminum zinc oxide)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상을 구비할 수 있다. 일부 실시예에서, 화소전극(380)은 ITO/Ag/ITO로 적층된 구조로 구비될 수 있다.
평탄화층(330) 상에는 화소정의막(340)이 배치될 수 있다. 화소정의막(340)은 화소전극(380)의 중앙부에 대응하는 개구를 가짐으로써 각 화소의 발광영역을 정의하는 역할을 할 수 있다. 또한, 화소정의막(340)은 화소전극(380)의 가장자리와 화소전극(380) 상부의 대향전극(370)의 사이의 거리를 증가시킴으로써 화소전극(380)의 가장자리에서 아크 등이 발생하는 것을 방지하는 역할을 할 수 있다. 화소정의막(340)은 폴리이미드, 폴리아마이드(Polyamide), 아크릴 수지, 벤조사이클로부텐, HMDSO(hexamethyldisiloxane) 및 페놀 수지 등과 같은 유기 절연 물질로, 스핀 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다.
표시요소(OLED)의 중간층(360)은 유기발광층을 포함할 수 있다. 유기발광층은 적색, 녹색, 청색, 또는 백색의 빛을 방출하는 형광 또는 인광 물질을 포함하는 유기물을 포함할 수 있다. 유기발광층은 저분자 유기물 또는 고분자 유기물일 수 있으며, 유기발광층의 아래 및 위에는, 홀 수송층(HTL; hole transport layer), 홀 주입층(HIL; hole injection layer), 전자 수송층(ETL; electron transport layer) 및 전자 주입층(EIL; electron injection layer) 등과 같은 기능층이 선택적으로 더 배치될 수 있다. 중간층(360)은 복수의 화소전극(380) 각각에 대응하여 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않는다. 중간층(360)은 복수의 화소전극(380)에 걸쳐서 일체인 층을 포함할 수 있는 등 다양한 변형이 가능하다.
대향전극(370)은 투광성 전극 또는 반사 전극일 수 있다. 일부 실시예에서, 대향전극(370)은 투명 또는 반투명 전극일 수 있으며, Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Ag, Mg 및 이들의 화합물을 포함하는 일함수가 작은 금속 박막으로 형성될 수 있다. 또한, 금속 박막 위에 ITO, IZO, ZnO 또는 In2O3 등의 TCO(transparent conductive oxide)막이 더 배치될 수 있다. 대향전극(370)은 중간층(360)과 화소정의막(340)의 상부에 배치될 수 있다. 대향전극(370)은 복수의 표시요소(OLED)들을 커버하도록 일체(一體)로 형성되되 제1 영역(A1)에 대응하여 홀(370H)을 포함할 수 있다.
도 5를 참조하면, 제1 영역(A1)에는 화소 회로(PC) 및/또는 표시요소(OLED)가 배치되지 않을 수 있다. 제1 영역(A1) 주변의 이웃하는 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)의 제1 및 제2 화소 회로(PC)들은 제1 영역(A1)에 대응하는 제1 홀(350)을 중심으로 상호 이격될 수 있다. 또한, 상기 제1 화소(P1)와 제2 화소(P2)의 제1 및 제2 표시요소(OLED)들은, 제1 영역(A1)에 대응하는 제1 홀(350)을 중심으로 상호 이격될 수 있다.
제1 홀(350)은, 표시층(300)에 구비된 복수의 층들을 관통하여 형성될 수 있다. 일 실시예로서, 제1 홀(350)은, 게이트절연층(310), 층간절연층(320), 평탄화층(330), 화소정의막(340), 및 대향전극(370)의 적층체를 관통할 수 있다. 예컨대 제1 홀(350)은 서로 중첩하는 게이트절연층(310), 층간절연층(320), 평탄화층(330), 화소정의막(340), 및 대향전극(370)의 각각의 홀들로 형성될 수 있다.
제1 홀(350)의 폭(W350)은, 게이트절연층(310), 층간절연층(320), 평탄화층(330), 화소정의막(340), 및 대향전극(370)에 구비된 각각의 홀들 중 작은 크기를 갖는 홀의 폭에 의해 정의될 수 있다. 이와 관련하여 도 5는 게이트절연층(310)의 폭이 제1 홀(350)을 정의하는 것으로 도시되어 있으나, 다른 실시예로서 평탄화층(330)이 그 아래의 층들(310, 320)의 측면을 커버하고, 제1 홀(350)은 상기 평탄화층(330)에 구비된 홀의 폭에 의해 정의될 수도 있다.
상부 기판(200)은 제1 영역(A1)에 대응하여 제1 홈(250)을 포함할 수 있다. 제1 홈(250)의 폭(W250)은 표시 패널(10) 아래에 배치되는 컴포넌트(20)의 폭(W0)보다 크게 형성될 수 있다. 상기 컴포넌트(20)의 폭(W0)은 제1 홈(250)의 폭(W250) 및 제1 홀(350)의 폭(W350)보다 각각 작은 크기를 가질 수 있다.
제1 홀(350) 및 제1 홈(250)은 하부 기판(100)과 상부 기판(200) 사이에서 캐비티를 형성할 수 있다. 상기 캐비티의 높이(H10)는, 제1 홀(350)의 높이(H350) 및 제1 홈(250)의 깊이(H250)의 합에 대응할 수 있다. 예컨대 제1 홀(350)의 높이(H350)는 약 5 ㎛ 일 수 있으며, 제1 홈(250)의 깊이(H250)는 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하일 수 있다. 상기 제1 홀(350)과 제1 홈(250)에 의해 형성된 캐비티의 높이(H10)는, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하일 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 상부 기판을 개략적으로 도시한 도면이다. 예컨대, 도 6은 도 5의 상부 기판(200)에서 제1 홈(250)이 형성된 부분을 확대한 도면이다.
도 5를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 홈(250)은 상부 기판(200)의 하면에 배치되어 표시층(300, 도 5)의 제1 홀(350)과 함께 캐비티를 형성할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상부 기판(200)은 제1 홈(250)을 구비함에 따라, 제1 홈(250)이 형성된 부분의 두께(H201)가 다른 부분의 두께(H202)보다 작은 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 홈(250)이 형성된 부분의 두께(H201)는 다른 부분의 두께(H202)보다 제1 홈(250)의 깊이(H250)만큼 작은 크기를 가질 수 있다. 예컨대 상기 제1 홈(250)이 형성되지 않은 부분의 두께(H202)는 150 ㎛ 이상 250 ㎛ 이하일 수 있으며, 제1 홈(250)은 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 가질 수 있다.
한편, 제1 홈(250)은 식각 공정을 통해 형성될 수 있다. 그에 따라 제1 홈(250)은 5 ° 이상 60 ° 이하의 테이퍼 각도를 갖는 경사면을 포함할 수 있다.
도 7a 내지 도 7e는 상부 기판에 제1 홈을 형성하는 방법을 도시한 흐름도이다.
표시 장치는, 하부 기판의 상면에 표시층을 형성하고, 상부 기판의 하면에 제1 홈을 형성한 후, 하부 기판의 상면과 상부 기판의 하면을 합착하는 방식으로 형성될 수 있다. 이하 도 7a 내지 도 7e를 참조하여 제1 홈을 형성하는 방법으 설명한다.
우선, 도 7a에서, 제1 홈을 형성할 상부 기판(200)의 일면, 예컨대 합착 시 하부 기판과 마주하는 방향이 되는 상부 기판(200)의 하면에 내산성 필름(acid-resistant film)(700)이 부착될 수 있다. 도시되지 않았으나, 상부 기판(200)의 하면 뿐 아니라 상면에도 내산성 필름(700)이 더 부착될 수 있다. 내산성 필름(700)은 아크릴 계열의 접착제를 통해 상부 기판(200)에 부착될 수 있다.
다음으로, 도 7b에서, 제1 홈을 형성할 위치에 대응하여, 상부 기판(200) 하면에 부착된 내산성 필름(700)에 홀(750)을 형성할 수 있다. 예컨대, 내산성 필름(700)의 홀(750)은, 상부 기판(200)의 제1 홈을 형성할 영역의 외곽부를 따라 내산성 필름(700)을 커팅한 후, 상기 커팅된 부분 내측의 필름을 제거함으로써 형성될 수 있다. 상기 제1 홈을 형성할 위치는, 도 2에 도시된 제1 영역(A1)에 대응할 수 있다.
다음으로, 도 7c에서, 상기 내산성 필름(700)이 부착된 상부 기판(200)에 식각액을 도포하는 방식으로 식각 공정을 수행할 수 있다.
식각액은, SiO2를 주성분으로 하는 글래스재를 식각할 수 있는 재료로서, 황산(H2SO4), 불산(HF) 및 염산(HCl) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 식각 공정에 따라, 도 7d에 도시된 바와 같이, 상부 기판(200)에는 내산성 필름(700)의 홀(750) 영역에 대응하는 제1 홈(250)이 형성될 수 있다.
내산성 필름(700)은 식각액에 반응하지 않는 재료로 형성되어, 상부 기판(200)에서 제1 홈(250)이 형성된 부분 이외의 나머지 부분들이 식각되지 않도록 보호할 수 있다.
최종적으로, 도 7e에서, 상부 기판(200)에 부착된 내산성 필름(700)을 전부 제거하여 제1 홈(250)이 형성된 상부 기판(200)을 획득할 수 있다.
전술한 방식으로 형성되는 제1 홈(250)은 5 ° 이상 60 ° 이하의 테이퍼 각도를 가질 수 있으며, 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 갖도록 식각될 수 있다.
한편, 도 7a 내지 도 7e에 도시된 방법과 동일한 방식으로, 도 3의 하부 기판(100, 도 3 참조)에 제2 홈(150, 도 3 참조)을 형성할 수 있다. 이 경우, 제2 홈(150, 도 3 참조)은 하부 기판(100, 도 3 참조)에 표시층(300, 도 3 참조)을 형성하기 전 단계에서 형성하는 것이 바람직할 수 있다.
도시되지 않았지만, 상기 상부 기판(200)의 하면에 제1 홈(250)이 형성된 후, 상부 기판(200)의 상면에 입력감지층(40, 도 2 참조)이 형성될 수 있다. 상기 입력감지층(40, 도 2 참조)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 영역(A1)에 대응하는 제2 홀(45, 도 2 참조)을 포함할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것 이다.
표시 장치(1) 표시 패널(10)
하부 기판(100) 상부 기판(200)
표시층(300) 제1 홀(350)
제1 홈(250) 제2 홈(150)
제1 영역(A1) 제2 영역(A2)
컴포넌트(20) 입력감지층(40)

Claims (20)

  1. 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는, 하부 기판;
    상기 제2 영역에 배치되는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층; 및
    상기 표시층을 커버하는, 상부 기판을 포함하고,
    상기 상부 기판은, 상기 하부 기판을 향하는 상기 상부 기판의 하면에, 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홈을 포함하는, 표시 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 영역에서 상기 제1 홀 및 상기 제1 홈에 의해 형성된, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간은, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 갖는, 표시 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 홈의 일단의 테이퍼 각도는 5 ° 이상 60 ° 이하인, 표시 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1 홈의 깊이는 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하인, 표시 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 표시요소들은, 이웃하는 제1 표시요소 및 제2 표시요소를 포함하고,
    상기 제1 표시요소 및 상기 제2 표시요소는, 상기 제1 홀을 중심으로 상호 이격된, 표시 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 표시요소들은, 화소전극, 대향전극, 및 상기 화소전극과 상기 대향전극 사이의 중간층을 포함하고,
    상기 대향전극은 일체로 형성되되 상기 제1 영역에 대응하는 홀을 포함하는, 표시 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 기판 상에 배치되며, 상기 제1 영역에 대응하는 제2 홀을 구비하는 입력감지층을 더 포함하는, 표시 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판은, 상기 상부 기판을 향하는 상기 하부 기판의 상면에, 상기 제1 영역에 대응하는 제2 홈을 더 포함하는, 표시 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제2 홈은 상기 표시층을 형성하기 이전에 식각 공정을 통해 형성되는, 표시 장치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1 영역에서 상기 제1 홈, 상기 제1 홀, 및 상기 제2 홈에 의해 형성된, 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이의 공간은, 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 갖는, 표시 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 하부 기판 및 상기 상부 기판은,
    SiO2, MgO, CaO, 또는 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 글래스재를 포함하는, 표시 장치.
  12. 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 표시 장치의 제조 방법에 있어서,
    하부 기판 또는 상부 기판 중 적어도 하나에, 상기 제1 영역에 대응하는 홈을 형성하는 동작;
    상기 하부 기판 상에, 상기 제2 영역에 대응하는 복수의 표시요소들 및 상기 제1 영역에 대응하는 제1 홀을 포함하는, 표시층을 형성하는 동작;
    상기 표시층을 사이에 두고 상기 상부 기판이 상기 하부 기판과 마주하도록, 상기 상부 기판을 배치하는 동작; 및
    실링재를 이용하여 상기 하부 기판의 상면과 상기 상부 기판의 하면을 합착하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈을 형성하는 동작은,
    상기 상부 기판의 하면에 내산성 필름(acid-resistant film)을 부착하는 동작;
    상기 상부 기판에 부착된 상기 내산성 필름의 상기 제1 영역에 대응하는 부분을 제거하는 동작;
    상기 내산성 필름이 부착된 상기 상부 기판을 식각액을 사용하여 식각하는 동작; 및
    상기 상부 기판에 부착된 상기 내산성 필름의 나머지 부분을 제거하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈을 형성하는 동작은,
    5 ° 이상 60 ° 이하의 테이퍼 각도를 갖도록 상기 홈을 형성하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈을 형성하는 동작은,
    5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 갖도록 상기 홈을 형성하는 동작을 포함하는, 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 홈 및 상기 제1 홀은 상호 중첩되어 10 ㎛ 이상 50 ㎛ 이하의 높이를 갖는 공간을 형성하는, 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제 13 항에 있어서,
    상기 식각액은, 황산(H2SO4), 불산(HF) 및 염산(HCl) 중 적어도 하나를 포함하는, 표시 장치의 제조방법.
  18. 제 12 항에 있어서,
    상기 실링재는 상기 하부 기판과 상기 상부 기판 사이에 개재되며 상기 복수의 표시요소들을 둘러싸도록 위치하는, 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제1 영역 및 상기 제1 영역을 둘러싸는 제2 영역을 포함하는 기판; 및
    상기 기판의 제1 면에 배치되며, 상기 제1 영역에 대응하는 홀을 포함하는 입력 감지층을 포함하고,
    상기 기판은,
    상기 제1 면과 반대 방향으로 향하는 제2 면에 상기 제1 영역에 대응하는 홈을 포함하는, 표시 장치.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 홈은 5 ㎛ 이상 45 ㎛ 이하의 깊이를 갖는, 표시 장치.

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