CN112670321A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及显示装置和制造显示装置的方法，所述显示装置包括：下部基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；显示层，包括位于所述第二区域处的多个显示元件，并且具有与所述第一区域相对应的第一孔；以及上部基底，覆盖所述显示层。所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面，并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年10月15日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0127862号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一个或多个示例实施例的各方面涉及显示装置和制造显示装置的方法。
背景技术
显示装置的使用已经变得更加多样化。此外，随着显示装置的厚度和重量已经减小，显示装置的使用范围已经逐渐扩大。
用于输出图像的显示区域所占据的面积已经增加，并且已经逐渐开发了可以与显示装置结合或关联的各种功能。
在本背景技术部分中公开的以上信息用于增强对本公开的背景的理解，并且因此，以上信息可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或多个示例实施例可以涉及一种显示装置，所述显示装置包括其中在显示区域内部(例如，在显示区域内)布置有诸如以相机和/或传感器等为例的组件的区域，并且该区域可以具有与组件的布置位置相对应的相对高的透光率以用于组件的平稳的操作(例如，意图的操作、期望的操作、增强的操作或改善的操作)。
根据本公开的一个或多个示例实施例，一种显示装置包括：下部基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；显示层，包括位于所述第二区域处的多个显示元件，并且具有与所述第一区域相对应的第一孔；以及上部基底，覆盖所述显示层。所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面，并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。
在示例实施例中，在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处可以由所述第一孔和所述第一凹槽限定空间，并且所述空间可以具有大约10μm至大约50μm的高度。
在示例实施例中，在所述第一凹槽的一端处的锥角可以为大约5°至大约60°。
在示例实施例中，所述第一凹槽的深度可以为大约5μm至大约45μm。
在示例实施例中，所述多个显示元件可以包括可以彼此相邻的第一显示元件和第二显示元件，并且所述第一显示元件和所述第二显示元件可以相对于所述第一孔彼此间隔开。
在示例实施例中，所述多个显示元件中的每一个可以包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，并且所述相对电极可以被一体地提供为单个主体并且可以具有与所述第一区域相对应的孔。
在示例实施例中，所述显示装置还可以包括：输入感测层，位于所述上部基底上，并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的第二孔。
在示例实施例中，所述下部基底可以包括面对所述上部基底的上表面，并且所述下部基底的所述上表面可以具有与所述第一区域相对应的第二凹槽。
在示例实施例中，在形成所述显示层之前，可以通过蚀刻工艺形成所述第二凹槽。
在示例实施例中，在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处可以由所述第一凹槽、所述第一孔和所述第二凹槽限定空间，并且所述空间可以具有大约10μm至大约50μm的高度。
在示例实施例中，所述下部基底和所述上部基底中的每一个可以包括玻璃材料，所述玻璃材料包含氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。
根据本公开的一个或多个示例实施例，一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述方法包括：在下部基底和上部基底中的至少一个基底处形成与所述第一区域相对应的凹槽；在所述下部基底上形成显示层，所述显示层包括与所述第二区域相对应的多个显示元件，并且所述显示层具有与所述第一区域相对应的第一孔；在所述下部基底上布置所述上部基底，所述显示层介于所述下部基底和所述上部基底之间；以及通过使用密封剂将所述下部基底的上表面接合到所述上部基底的下表面。
在示例实施例中，所述形成所述凹槽可以包括：将耐酸膜附着到所述上部基底的所述下表面；去除与所述第一区域相对应且附着到所述上部基底的所述耐酸膜的一部分；通过使用蚀刻剂蚀刻附着有所述耐酸膜的所述上部基底；以及去除附着到所述上部基底的所述耐酸膜的残留部分。
在示例实施例中，所述形成所述凹槽可以包括形成具有大约5°至大约60°的锥角的所述凹槽。
在示例实施例中，所述形成所述凹槽可以包括形成具有大约5μm至大约45μm的深度的所述凹槽。
在示例实施例中，所述凹槽和所述第一孔可以彼此重叠以形成具有大约10μm至大约50μm的高度的空间。
在示例实施例中，所述蚀刻剂可以包含硫酸(H2SO4)、氢氟酸(HF)和盐酸(HCl)中的至少一种。
在示例实施例中，所述密封剂可以在所述下部基底和所述上部基底之间，并且可以围绕所述多个显示元件。
根据本公开的一个或多个示例实施例，一种显示装置包括：基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；和输入感测层，位于所述基底的第一表面上，并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的孔。所述基底在与所述第一表面相对的第二表面处具有与所述第一区域相对应的凹槽。
在示例实施例中，所述凹槽具有大约5μm至大约45μm的深度。
根据一个或多个实施例，一种显示装置可以包括：下部基底，包括第一区域和围绕所述第一区域(例如，在所述第一区域的外围周围)的第二区域；显示层，包括布置在所述第二区域处(例如，布置在所述第二区域中或布置在所述第二区域上)的多个显示元件以及与所述第一区域相对应的第一孔；上部基底，覆盖所述显示层；以及腔体，由位于所述第一区域处(例如，位于所述第一区域中或位于所述第一区域上)的所述下部基底和所述上部基底之间的空间来限定。所述腔体具有大约10μm至大约50μm的深度。
在示例实施例中，所述上部基底和所述下部基底中的至少一个基底可以包括：凹槽，在与所述第一区域相对应的位置处与第一孔重叠；和所述腔体，可以由所述凹槽和所述第一孔来限定。
附图说明
通过下面参照附图的示例实施例的详细描述，本公开的上述和其他方面及特征对于本领域技术人员而言将变得更加明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2是根据实施例的显示装置的截面图；
图3是根据实施例的显示装置的截面图；
图4A至图4C是示出根据腔体的高度的每个波段的透射率特性的曲线图；
图5是根据实施例的显示面板的详细的截面图；
图6是根据实施例的上部基底的示意图；以及
图7A至图7E示出了根据实施例的在上部基底中形成第一凹槽的方法的工艺。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实现，并且不应被解释为仅限于本文中示出的实施例。而是，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是充分的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言完全理解本公开的方面和特征并非必要的工艺、元件和技术。此外，当可以不同地实现特定实施例时，特定工艺顺序可以与所描述的工艺顺序不同。例如，两个连续描述的工艺可以同时或基本上同时执行，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序来执行。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，并且因此，可以不再重复其描述。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了便于说明，在本文中可以使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……之下”、“在……上方”和“上”等空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另一元件(多个元件)或特征(多个特征)的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，空间相对术语还旨在覆盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“下面”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……之下”可以覆盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位处)，并且应当相应地解释本文中使用的空间相对描述语。在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以代表彼此不垂直的不同方向。
将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当诸如以膜、区域和/或板等为例的元件、层或组件被称为“在”另一元件、层或组件“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件、层或组件时，该元件、层或组件可以直接在所述另一元件、层或组件上、直接连接到或直接耦接到所述另一元件、层或组件，或者可以存在一个或多个中间元件、层或组件。另外，还将理解的是，当元件、层或组件被称为“在”两个元件、层或组件“之间”时，该元件、层或组件可以是在所述两个元件、层或组件之间的唯一元件、层或组件，或者也可以存在一个或多个中间元件、层或组件。
本文中使用的术语是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制本公开。如本文中所使用的，除非上下文另外明确指示，否则单数形式“一个”和“一种”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“含有”和/或“具有”时，说明存在陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任意组合和所有组合。例如，“A和/或B”是指A或B或者A和B。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件之前时，修饰整列元件而不修饰该列的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种)”可以表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有a、b和c或者它们的变形。
如本文中所使用的，术语“基本上”、“大约”和类似术语被用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在解释将由本领域普通技术人员认可的测量值或计算值的固有偏差。此外，当使用“可以”来描述本公开的实施例时，是指“本公开的一个或多个实施例”。如本文中所使用的，术语“使用”可以被认为与术语“利用”同义。另外，术语“示例性”意指示例或举例。
除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在本文中明确地如此定义，否则诸如在通用词典中定义的术语的术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和/或本说明书中的含义相一致的含义，而不应以理想化的或过于形式化的含义来解释。
图1是根据实施例的显示装置1的示意性透视图。
参照图1，显示装置1可以包括第一区域A1、第二区域A2和第三区域A3。
第一区域A1可以包括与设置在显示装置1内的(例如，设置在显示装置1内部的)组件相对应的具有相对高的透光率的区域。例如，第一区域A1可以被理解为从该组件输出的光穿过其向外部透射和/或从外部入射的光穿过其向所述组件透射的透射区域。例如，第一区域A1可以被称为组件区域、传感器区域或开口区域。
第二区域A2可以被限定为在其处(例如，在其中或在其上)布置有多个像素的区域。显示装置1可以通过使用从布置在第二区域A2处(例如，布置在第二区域A2中或布置在第二区域A2上)的多个像素发射的光来提供期望的图像信息。例如，第二区域A2可以被称为显示区域。
第二区域A2可以布置为至少部分地围绕第一区域A1(例如，在第一区域A1的外围周围)。在实施例中，第二区域A2可以完全围绕如图1中所示的第一区域A1(例如，在如图1中所示的第一区域A1的外围周围)。
第二区域A2可以定位在第三区域A3内(例如，定位在第三区域A3内部)。换句话说，第三区域A3可以围绕第二区域A2(例如，在第二区域A2的外围周围)。例如，第一区域A1可以被第二区域A2围绕(例如，第二区域A2可以在第一区域A1的外围周围)，并且第二区域A2可以被第三区域A3围绕(例如，第三区域A3可以在第二区域A2的外围周围)。
第三区域A3可以包括在其处(例如，在其中或在其上)可以定位用于向布置在第二区域A2处(例如，布置在第二区域A2中或布置在第二区域A2上)的像素提供电信号的电路配置的区域。在图1中，第一区域A1和第三区域A3可以对应于在其处(例如，在其中或在其上)未布置像素的非显示区域。
尽管图1示出了第一区域A1布置在第二区域A2的一侧(例如，左上侧)处(例如，布置在第二区域A2的一侧(例如，左上侧)中或布置在第二区域A2的一侧(例如，左上侧)上)，但是本公开不限于此，并且第一区域A1的位置和/或数量可以被不同地修改。例如，第一区域A1可以布置在第二区域A2的平面(例如，x-y平面)的上部中央部分处(例如，布置在第二区域A2的平面(例如，x-y平面)的上部中央部分中或布置在第二区域A2的平面(例如，x-y平面)的上部中央部分上)，和/或第一区域A1可以在第二区域A2处(例如，在第二区域A2中、在第二区域A2上、在第二区域A2内部或在第二区域A2内)被设置为多个第一区域A1。此外，虽然图1示出了第二区域A2(例如，在平面图中)具有矩形或大致矩形的形状，但是本公开不限于此。例如，第二区域A2(例如，在平面图中)可以具有任何其他合适的形状，诸如圆形、多边形(例如，诸如三角形和/或五边形等)和/或椭圆形等。
在下文中，为了便于描述，可以将有机发光显示装置描述为根据实施例的显示装置1的示例，但是本公开不限于此。例如，在其他实施例中，显示装置1可以包括(例如可以是)各种合适种类的显示装置，诸如以无机发光显示(例如，无机EL显示)装置和/或量子点发光显示装置等为例。例如，设置在显示装置1中的显示元件的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点以及/或者无机材料和量子点等。
显示装置1可以被包括在各种电子装置中(或者可以是各种电子装置)，所述各种电子装置诸如以移动电话、膝上型计算机和/或智能手表等为例。
图2是根据实施例的显示装置1的截面图。例如，图2可以对应于沿着图1的线I-I’截取的显示装置1的横截面。
参照图2，显示装置1可以包括：显示面板10；输入感测层40和/或光学功能层50，布置在显示面板10上；以及窗口60，覆盖显示面板10以及输入感测层40和/或光学功能层50。
窗口60可以经由诸如以光学透明粘合剂(OCA)为例的粘合层70连接到其下方的元件(例如，附着到其下方的元件或与其下方的元件结合)，该元件诸如以光学功能层50(或输入感测层40)为例。
显示装置1还可以包括位于显示面板10下方的组件20。
组件20可以包括使用光的电子元件。例如，组件20可以包括使用诸如可见光、红外光和/或紫外光等的各种波段的光的装置。例如，组件20可以包括用于通过使用来自外部的光(例如，通过使用外部光)获得图像信息的相机模块(例如，相机或相机装置)。
显示面板10可以包括：下部基底100；上部基底200，位于下部基底100上(例如，面对下部基底100)；以及介于下部基底100和上部基底200之间的显示层300。显示面板10还可以包括覆盖介于下部基底100和上部基底200之间的显示层300的侧表面的密封剂540。密封剂540可以定位为围绕显示层300的多个显示元件(例如，在显示层300的多个显示元件的外围周围)以保护多个显示元件，并且可以将下部基底100连接到上部基底200(例如，可以将下部基底100接合到上部基底200)。
下部基底100和上部基底200中的每一个可以包含氧化硅(SiO2)、氧化镁(MgO)、氧化钙(CaO)和氧化锌(ZnO)中的至少一种。例如，在实施例中，下部基底100和上部基底200中的每一个可以包括使用SiO2作为主要成分的玻璃材料。
根据另一示例，下部基底100和上部基底200中的每一个可以包括聚合物树脂。例如，在实施例中，下部基底100和上部基底200中的每一个可以具有多层结构，该多层结构包括包含聚合物树脂的层和无机层。
显示层300可以定位在下部基底100和上部基底200之间。
显示层300可以包括多个像素。显示层300可以包括：显示元件层300A，包括为每个像素提供的显示元件；以及像素电路层300B，包括电连接到显示元件中的每个显示元件的像素电路以及介于像素电路之间的绝缘层。例如，显示元件层300A的显示元件中的每个显示元件可以包括有机发光二极管(OLED)。显示元件中的每个显示元件可以定位在第二区域A2处(例如，定位在第二区域A2中或定位在第二区域A2上)。
显示层300在与第一区域A1相对应的位置处可以包括第一孔350。例如，定位在下部基底100下方以对应于第一区域A1的组件20可以接收穿过(例如，透射通过)第一孔350的光，和/或可以通过第一孔350向外部发射光。例如，第一孔350可以限定第一区域A1。作为示例，在显示装置1中，第一区域A1可以对应于在其处(例如，在其中或在其上)形成有显示层300的第一孔350的区域。
根据实施例，上部基底200可以包括与第一区域A1相对应的第一凹槽250。例如，第一凹槽250可以定位在上部基底200的下表面上，上部基底200的该下表面可以是上部基底200的面对下部基底100的表面。第一凹槽250可以设置为在上部基底200的下表面上的与第一区域A1相对应的位置处具有朝向上部基底200的内部(例如，朝向上表面延伸)的凹入形状。上部基底200可以在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中)(例如，在Z轴方向上)具有厚度H201，所述厚度H201可以小于(例如，少于)在另一区域处(例如，在另一区域中)的上部基底200(例如，在Z轴方向上)的厚度，例如，在第二区域A2处(例如，在第二区域A2中)的厚度H202。
参照图2，显示面板10可以包括在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中或在第一区域A1上)通过下部基底100和上部基底200之间的空间形成的腔体。腔体可以是指形成在下部基底100和上部基底200之间的气隙。腔体可以对应于通过显示层300的第一孔350和上部基底200的第一凹槽250限定的空间。换句话说，在图2中，腔体可以与第一孔350和第一凹槽250重叠。
上部基底200的第一凹槽250(例如，在Z轴方向上)可以具有大约5微米(μm)至大约45μm的深度。另外，显示层300的第一孔350(例如，在Z轴方向上)可以具有大约5μm的高度。在这种情况下，与第一凹槽250和第一孔350重叠的腔体(例如，在Z轴方向上)可以具有大约10μm至大约50μm的高度H10。
根据实施例，在显示面板10中，形成在与组件20的位置相对应的第一区域A1处(例如，形成在与组件20的位置相对应的第一区域A1中或形成在与组件20的位置相对应的第一区域A1上)的腔体可以具有大约10μm至大约50μm的高度，并且因此，可以减小源自腔体的高度变化(例如，高度偏差)的(例如，由腔体的高度变化(例如，高度偏差)导致的)每个波段的透光率的变化(例如，偏差)，或者可以使源自腔体的高度变化(例如，高度偏差)的(例如，由腔体的高度变化(例如，高度偏差)导致的)每个波段的透光率的变化(例如，偏差)最小化。
输入感测层40可以定位在显示面板10上。例如，输入感测层40可以定位在上部基底200上。
输入感测层40可以根据例如触摸事件的外部输入获得坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极和/或触摸电极以及连接到感测电极和/或触摸电极的迹线。输入感测层40可以通过使用互电容(例如，互容)方法或者自电容(例如，自容)方法来感测外部输入(例如，触摸事件)。
在实施例中，输入感测层40可以与显示面板10单独地形成，并且可以通过诸如以光学透明粘合剂为例的粘合层连接到(例如，附着到或接合到)显示面板10。在另一实施例中，输入感测层40可以形成在显示面板10上(例如，直接形成在显示面板10上)，例如，可以形成在上部基底200上(例如，直接形成在上部基底200上)。例如，在形成显示面板10的工艺之后，在显示面板10上可以形成(例如，可以连续地形成)输入感测层40。在这种情况下，输入感测层40可以被理解为显示面板10的一部分，并且可以从输入感测层40和显示面板10之间省略粘合层(例如，粘合层可以不在输入感测层40和显示面板10之间)。虽然图2示出了输入感测层40可以在显示面板10和光学功能层50之间，但是本公开不限于此，并且在另一实施例中，输入感测层40可以定位在光学功能层50上(例如，定位在光学功能层50的相对侧)。在这种情况下，例如，光学功能层50可以在显示面板10和输入感测层40之间。
光学功能层50可以包括反射防止层。反射防止层可以减小从外部通过窗口60朝向显示面板10入射的光的反射率。反射防止层可以包括相位延迟器和偏振器。
相位延迟器可以是膜型或液晶涂覆型，并且可以包括λ/2(例如，半波)相位延迟器和/或λ/4(例如，四分之一波长)相位延迟器。偏振器可以是膜型或液晶涂覆型。膜型可以包括伸长的合成树脂膜，并且液晶涂覆型可以包括以期望的或合适的布置排列的液晶。相位延迟器和偏振器还可以包括保护膜。例如，可以将保护膜或相位延迟器和偏振器本身限定为反射防止层的基体层。在另一实施例中，反射防止层可以包括黑矩阵和滤色器。可以考虑到从显示面板10的像素中的每个像素中发射的光的颜色来布置滤色器。
在另一实施例中，反射防止层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层处(例如，布置在彼此不同的层中或布置在彼此不同的层上)的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，并且因此，可以减小外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以提高从显示面板10发射的光的发光效率，和/或可以减小颜色变化(例如，颜色偏差)。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，和/或可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括反射防止层和透镜层两者，或者可以根据需要或期望而包括反射防止层和透镜层中的任何一个。
在实施例中，在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后，可以形成(例如，可以连续地形成)光学功能层50。在这种情况下，可以从光学功能层50、显示面板10和/或输入感测层40之间省略单独的粘合层(例如，单独的粘合层可以不在光学功能层50、显示面板10和/或输入感测层40之间)。
输入感测层40和/或光学功能层50可以包括与第一区域A1相对应的孔。在此方面，在一些实施例中，如图2中所示，输入感测层40和光学功能层50可以分别包括第二孔45和第三孔55，并且第二孔45和第三孔55可以彼此重叠。例如，显示层300的第一孔350和上部基底200的第一凹槽250可以各自具有大于组件20的宽度的(例如，在X轴方向上的)宽度，并且第二孔45和第三孔55可以各自具有大于第一孔350的宽度的(例如，在X轴方向上的)宽度。在实施例中，第三孔55可以具有大于第二孔45的宽度的宽度。
在另一实施例中，输入感测层40和光学功能层50中的至少一个可以不包括孔。
图3是根据实施例的显示装置1的截面图。
参照图3，包括在显示装置1中的显示面板10可以包括下部基底100、上部基底200以及介于下部基底100和上部基底200之间的显示层300。
显示层300可以包括与第一区域A1相对应的第一孔350，并且下部基底100可以包括与第一区域A1相对应的第二凹槽150。第二凹槽150可以形成在下部基底100的面对上部基底200的上表面处(例如，形成在下部基底100的面对上部基底200的上表面中或形成在下部基底100的面对上部基底200的上表面上)。由于下部基底100包括第二凹槽150，因此下部基底100可以在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中)(例如，在Z轴方向上)具有厚度H101，该厚度H101可以小于(例如，少于)在另一区域处(例如，在另一区域中)的下部基底100的厚度，例如，在第二区域A2处(例如，在第二区域A2中或在第二区域A2上)(例如，在Z轴方向上)的厚度H102。
在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中或在第一区域A1上)，在下部基底100的上表面和上部基底200的下表面之间可以形成腔体以作为通过第一孔350和第二凹槽150形成的空间。换句话说，如图3中所示，腔体可以与第一孔350和第二凹槽150重叠。
下部基底100的第二凹槽150(例如，在Z轴方向上)可以具有大约5μm至大约45μm的深度，并且显示层300的第一孔350可以具有大约5μm的深度。通过第二凹槽150和第一孔350形成的腔体(例如，在Z轴方向上)的高度H10可以为大约10μm至大约50μm。
在实施例中，由于显示面板10的下部基底100包括如图3中所示的第二凹槽150，因此显示面板10的上部基底200可以不包括如图2中所示的第一凹槽250，但是本公开不限于此。
例如，在另一实施例中，显示面板10可以包括在上部基底200处(例如，在上部基底200中)的第一凹槽250(例如，参见图2)和在下部基底100处(例如，在下部基底100中)的第二凹槽150(例如，参见图3)。在这种情况下，通过在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中或在第一区域A1上)的下部基底100和上部基底200之间的空间形成的腔体可以与第一凹槽250、第一孔350和第二凹槽150重叠。
在布置显示层300之前，下部基底100的第二凹槽150可以通过蚀刻工艺形成。
由于图3中所示的显示装置1的其他元件可以与图2的相应元件相同或基本上相同，因此可以不重复其冗余描述。
图4A至图4C是示出根据腔体的高度的每个波段的透射率特性的曲线图。
腔体可以是指两个透明材料的基底之间形成的气隙。例如，如图2或图3中所示，腔体可以是指在第一区域A1处(例如，在第一区域A1中或在第一区域A1上)由下部基底100和上部基底200之间的空间所限定的气隙。如参照图2所述，显示装置1的显示层300可以包括第一孔350，使得透光率可以在与组件20相对应的第一区域A1处(例如，在与组件20相对应的第一区域A1中)相对地高。诸如以腔体为例的空间可以通过第一孔350被限定在下部基底100和上部基底200之间。
图4A、图4B和图4C分别是示出当腔体的高度为大约2μm时、当腔体的高度为大约4μm时以及当腔体的高度为大约10μm时的可见光波段的透射率的曲线图。
参照图4A至图4C，穿过其中形成有腔体的区域的光的透射率值可以具有根据波段而具备周期(例如，特定周期)和振幅(例如，特定振幅)的波形。
如图4A至图4C中所示，穿过其中形成有腔体的区域的光的透射率值可以随着腔体的高度(例如，气隙的高度)增加而具有相对更短的周期。在这种情况下，根据腔体的高度分布，在具有不同透射光谱的光线之间引起相消干涉的可能性会增加。因此，可以减小关于穿过其中形成有腔体的区域的光的每个波段的透射率的变化(例如，偏差)。
根据一个或多个实施例，显示装置1包括腔体，该腔体可以形成在第一区域A1(例如，参见图2)处(例如，形成在第一区域A1(例如，参见图2)中或形成在第一区域A1(例如，参见图2)上)，所述腔体具有大约10μm至大约50μm的高度，并且因此，可以减小组件20(例如，参见图2)的光学特性的失真，或者可以使组件20(例如，参见图2)的光学特性的失真最小化。例如，显示装置1可以在上部基底200(例如，参见图2)处(例如，在上部基底200(例如，参见图2)中或在上部基底200(例如，参见图2)上)包括第一凹槽250，和/或可以在下部基底100(例如，参见图3)处(例如，在下部基底100(例如，参见图3)中或在下部基底100(例如，参见图3)上)包括第二凹槽150，以形成具有大约10μm至大约50μm的高度的腔体。
图5是根据实施例的显示面板10的详细的截面图。
参照图5，显示面板10可以包括下部基底100、上部基底200以及介于下部基底100和上部基底200之间的显示层300。
显示层300可以包括多个像素，所述多个像素包括第一像素P1和第二像素P2。第一像素P1和第二像素P2中的每一个可以包括像素电路PC和电连接到像素电路PC的显示元件(例如，OLED)。每个像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT。第一像素P1和第二像素P2可以定位在第二区域A2处(例如，定位在第二区域A2中或定位在第二区域A2上)。
薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A、栅电极G、源电极S和漏电极D。半导体层A可以包括非晶硅、多晶硅和/或有机半导体材料等。
在实施例中，半导体层A可以包括非晶硅。在另一实施例中，半导体层A可以包括氧化物半导体，该氧化物半导体包含例如铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和/或锌(Zn)。例如，在实施例中，半导体层A可以包括氧化物半导体，诸如氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和/或氧化锌铟(ZIO)。
栅电极G可以定位在半导体层A上方，栅极绝缘层310介于栅电极G和半导体层A之间。栅电极G可以由包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等中的一种或多种的单层或多层形成。例如，在实施例中，栅电极G可以具有由Mo形成的单层结构。
栅极绝缘层310可以包含例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和/或氧化锌(ZnO2)。
源电极S和/或漏电极D可以定位在栅电极G上方，层间绝缘层320介于源电极S和/或漏电极D与栅电极G之间。源电极S和/或漏电极D可以由包含Mo、Al、Cu和/或Ti等中的一种或多种的单层或多层形成。例如，在实施例中，源电极S和/或漏电极D可以具有由Ti/Al/Ti形成的多层结构。
平坦化层330可以覆盖源电极S和/或漏电极D的上表面，并且可以具有平坦的或基本上平坦的(例如，平坦化的)上表面，使得可以在平坦化层330上形成平坦的或基本上平坦的像素电极380。平坦化层330可以由包括例如有机材料的单层或多层形成。平坦化层330可以包括：诸如以苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅醚(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)为例的通用聚合物、具有例如酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物和/或它们的组合(例如，它们的混合物)。平坦化层330可以包括例如无机材料。平坦化层330可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。当平坦化层330由无机材料形成时，在某些情况下可以执行化学平坦化研磨。平坦化层330可以包括有机材料和无机材料两者。
像素电极380可以包括(半)透射电极或反射电极。在一些实施例中，像素电极380可以包括由例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的组合(例如，它们的化合物)形成的反射层，并且可以包括形成在反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、ZnO、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。在一些实施例中，像素电极380可以具有例如ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
在平坦化层330上可以定位像素限定层340。像素限定层340可以通过具有与像素电极380的中央部分(例如，中央区域)相对应的开口来限定每个像素的发射区域。此外，像素限定层340可以通过增大像素电极380的边缘和位于像素电极380的上部的相对电极370之间的距离以防止或基本上防止在像素电极380的边缘处产生电弧等。像素限定层340可以包括诸如以聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、BCB、HMDSO和/或酚醛树脂为例的有机绝缘材料，并且可以通过使用旋涂等形成。
显示元件OLED的中间层360可以包括有机发射层。有机发射层可以包括有机材料，该有机材料包括例如用于发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光或磷光材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料，并且诸如以空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)为例的功能层可以选择性地布置在有机发射层上和/或布置在有机发射层下方。中间层360可以布置(例如，可以单独地布置)为对应于多个像素电极380中的每一个。然而，本公开不限于此。例如，中间层360可以以包括例如作为形成在多个像素电极380上方的一体层的各种合适的形式来实现。
相对电极370可以包括透光电极或反射电极。在一些实施例中，相对电极370可以包括透明或半透明电极，并且可以包括金属薄膜，该金属薄膜具有小的功函数并且包含例如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂(LiF)/Ca、LiF/Al、Al、银(Ag)、镁(Mg)和/或它们的混合物(例如，它们的化合物)。此外，诸如以ITO、IZO、ZnO和/或In2O3为例的透明导电氧化物(TCO)膜可以进一步布置在金属薄膜上。相对电极370可以定位在中间层360和像素限定层340的上部。相对电极370可以一体地形成为覆盖多个显示元件OLED，并且可以包括与第一区域A1相对应的孔(例如，开口)370H。
仍然参照图5，像素电路PC和/或显示元件OLED可以不定位在第一区域A1处(例如，不定位在第一区域A1中或不定位在第一区域A1上)。与第一区域A1相邻的第一像素P1的像素电路PC和第二像素P2的像素电路PC可以相对于与第一区域A1相对应的第一孔350彼此间隔开。此外，第一像素P1的显示元件OLED和第二像素P2的显示元件OLED可以相对于与第一区域A1相对应的第一孔350彼此间隔开。
第一孔350可以穿过设置在显示层300处(例如，设置在显示层300中或设置在显示层300上)的多个层形成。在实施例中，第一孔350可以穿透栅极绝缘层310、层间绝缘层320、平坦化层330、像素限定层340和相对电极370的堆叠。例如，第一孔350可以由(例如，延伸穿过)彼此重叠的栅极绝缘层310、层间绝缘层320、平坦化层330、像素限定层340和相对电极370的各个孔(例如，各个开口)形成。
第一孔350(例如，在X轴方向上)的宽度W350可以通过设置在栅极绝缘层310、层间绝缘层320、平坦化层330、像素限定层340和相对电极370中(例如，延伸穿过栅极绝缘层310、层间绝缘层320、平坦化层330、像素限定层340和相对电极370)的各个孔(例如，各个开口)中的具有最小尺寸的孔(例如，开口)(例如，在X轴方向上)的宽度来限定。在此方面，尽管图5示出了栅极绝缘层310的宽度限定了第一孔350的宽度W350，但是在另一实施例中，平坦化层330可以覆盖其下方的各个层(例如，栅极绝缘层310和层间绝缘层320)的侧表面，使得第一孔350可以通过设置在平坦化层330中的孔(例如，开口)的宽度来限定。
上部基底200可以包括与第一区域A1相对应的第一凹槽250。第一凹槽250(例如，在X轴方向上)的宽度W250可以大于定位在显示面板10下方的组件20(例如，在X轴方向上)的宽度W0。组件20的宽度W0可以小于第一凹槽250的宽度W250和第一孔350的宽度W350中的每个宽度。
第一孔350和第一凹槽250可以在下部基底100和上部基底200之间形成腔体。腔体(例如，在Z轴方向上)的高度H10可以对应于第一孔350(例如，在Z轴方向上)的高度H350和第一凹槽250(例如，在Z轴方向上)的深度H250之和。例如，第一孔350的高度H350可以为大约5μm，并且第一凹槽250的深度H250可以为大约5μm至大约45μm。在这种情况下，通过第一孔350和第一凹槽250形成的腔体的高度H10可以为大约10μm至大约50μm。
图6是根据实施例的上部基底200的示意图。例如，图6是图5的上部基底200的在其处(例如，在其中或在其上)形成有第一凹槽250的部分的放大图。
如参照图5所述，第一凹槽250可以定位在上部基底200的下表面处(例如，定位在上部基底200的下表面中或定位在上部基底200的下表面上)，以与显示层300的第一孔350一起形成腔体。
参照图6，由于上部基底200包括第一凹槽250，因此上部基底200的其中形成有第一凹槽250的一部分的厚度H201可以小于上部基底200的其中未形成第一凹槽250的另一部分的厚度H202。例如，由于第一凹槽250的深度H250，其中形成有第一凹槽250的一部分的厚度H201可以小于另一部分的厚度H202。作为示例，其中未形成第一凹槽250的另一部分的厚度H202可以为大约150μm至大约250μm，并且第一凹槽250可以具有大约5μm至大约45μm的深度。
第一凹槽250可以通过蚀刻工艺形成。因此，第一凹槽250可以包括具有大约5°至大约60°的锥角θ的倾斜表面。
图7A至图7E示出了根据实施例的在上部基底200处(例如，在上部基底200中或在上部基底200上)形成第一凹槽250的方法的工艺。
根据一个或多个实施例，可以通过在下部基底的上表面上形成显示层、在上部基底的下表面处(例如，在上部基底的下表面中或在上部基底的下表面上)形成第一凹槽以及将下部基底的上表面连接(例如，附着或接合)到上部基底的下表面来形成显示装置。在下文中，将参照图7A至图7E更详细地描述形成第一凹槽的方法。
参照图7A，耐酸膜700可以附着到上部基底200的在其处(例如，在其中或在其上)有待形成第一凹槽的一个表面，例如，可以附着到上部基底200的下表面，当彼此连接(例如，彼此附着或彼此接合)时，该一个表面面对下部基底。在实施例中，耐酸膜700可以进一步附着到上部基底200的上表面以及上部基底200的下表面。在实施例中，可以通过使用丙烯酸类粘合剂将耐酸膜700附着到上部基底200。
参照图7B，在附着到上部基底200的下表面的耐酸膜700中可以形成孔(例如，开口)750，使得孔750对应于其中有待形成第一凹槽的位置。例如，可以通过沿着上部基底200的其中有待形成第一凹槽的区域的外围部分切割耐酸膜700，并且然后去除耐酸膜700的位于切割部分内(例如，位于切割部分内部)的部分，来形成耐酸膜700的孔750。其中有待形成第一凹槽的位置可以对应于第一区域A1(例如，如图2中所示)。
参照图7C，可以通过向附着有耐酸膜700的上部基底200涂敷蚀刻剂来执行蚀刻工艺。
蚀刻剂可以是能够蚀刻的材料，例如，包含SiO2作为主要成分的玻璃材料，且在这种情况下，该蚀刻剂可以包括硫酸(H2SO4)、氢氟酸(HF)和盐酸(HCl)中的至少一种。
根据刻蚀工艺，如图7D中所示，与耐酸膜700的孔750的区域相对应的第一凹槽250可以形成在上部基底200处(例如，形成在上部基底200中或形成在上部基底200上)。
耐酸膜700可以由不与蚀刻剂反应的材料形成，并且因此，可以保护或基本上保护上部基底200的其中未形成第一凹槽250的部分(例如，除了其中形成有第一凹槽250的部分以外的部分)以免被蚀刻。
参照图7E，可以去除耐酸膜700的附着到上部基底200的残留部分(例如，耐酸膜700的附着到上部基底200的全部残留部分或耐酸膜700的附着到上部基底200的所有残留部分)，以形成(例如，获得)其中形成有第一凹槽250的上部基底200。
可以将根据上述方法形成的第一凹槽250蚀刻为具有大约5°至大约60°的锥角和大约5μm至大约45μm的深度。
类似地，可以在下部基底100处(例如，在下部基底100中或在下部基底100上)使用与图7A至图7E中所示的相同或基本上相同的方法形成第二凹槽150(例如，参见图3)。在这种情况下，在实施例中，可以在下部基底100上形成显示层300之前形成第二凹槽150(例如，参见图3)，但是本公开不限于此。
在上部基底200的下表面处(例如，在上部基底200的下表面中或在上部基底200的下表面上)形成第一凹槽250之后，可以在上部基底200的上表面上形成输入感测层40(例如，参见图2)。如图2中所示，输入感测层40可以包括与第一区域A1相对应的第二孔45。
根据一个或多个实施例，可以提供具有改善的光学特性而不使组件的功能劣化(例如，不降低组件的功能或基本上不降低组件的功能)的显示装置以及制造所述显示装置的方法。
尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将易于理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中可以进行各种修改。将理解的是，除非另有描述，否则对每个实施例内的特征或方面的描述通常应当被认为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。因此，将理解的是，前述内容是对各种示例实施例的举例说明，并且不被解释为受限于本文中公开的特定示例实施例，并且对所公开的示例实施例的各种修改以及其他示例实施例旨在被包括在如在所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
下部基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；
显示层，包括位于所述第二区域处的多个显示元件，并且所述显示层具有与所述第一区域相对应的第一孔；以及
上部基底，覆盖所述显示层，
其中，所述上部基底包括面对所述下部基底的下表面，并且所述上部基底的所述下表面具有与所述第一区域相对应的第一凹槽。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处由所述第一孔和所述第一凹槽限定空间，并且所述空间具有10μm至50μm的高度。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
在所述第一凹槽的一端处的锥角为5°至60°。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第一凹槽的深度为5μm至45μm。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个显示元件包括彼此相邻的第一显示元件和第二显示元件，并且所述第一显示元件和所述第二显示元件相对于所述第一孔彼此间隔开。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述多个显示元件中的每一个包括像素电极、相对电极以及在所述像素电极和所述相对电极之间的中间层，并且所述相对电极被一体地提供为单个主体并且具有与所述第一区域相对应的孔。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：输入感测层，位于所述上部基底上，并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的第二孔。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述下部基底包括面对所述上部基底的上表面，并且所述下部基底的所述上表面具有与所述第一区域相对应的第二凹槽。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
在形成所述显示层之前，通过蚀刻工艺形成所述第二凹槽。
10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，
在所述下部基底和所述上部基底之间、在所述第一区域处由所述第一凹槽、所述第一孔和所述第二凹槽限定空间，并且所述空间具有10μm至50μm的高度。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述下部基底和所述上部基底中的每一个包括玻璃材料，所述玻璃材料包含氧化硅、氧化镁、氧化钙和氧化锌中的至少一种。
12.一种制造显示装置的方法，所述显示装置包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，其中，所述方法包括：
在下部基底和上部基底中的至少一个基底处形成与所述第一区域相对应的凹槽；
在所述下部基底上形成显示层，所述显示层包括与所述第二区域相对应的多个显示元件，并且所述显示层具有与所述第一区域相对应的第一孔；
在所述下部基底上布置所述上部基底，所述显示层介于所述下部基底和所述上部基底之间；以及
通过使用密封剂将所述下部基底的上表面接合到所述上部基底的下表面。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述形成所述凹槽包括：
将耐酸膜附着到所述上部基底的所述下表面；
去除与所述第一区域相对应且附着到所述上部基底的所述耐酸膜的一部分；
通过使用蚀刻剂蚀刻附着有所述耐酸膜的所述上部基底；以及
去除附着到所述上部基底的所述耐酸膜的残留部分。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述形成所述凹槽包括形成具有5°至60°的锥角的所述凹槽。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述形成所述凹槽包括形成具有5μm至45μm的深度的所述凹槽。
16.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述凹槽和所述第一孔彼此重叠以形成具有10μm至50μm的高度的空间。
17.根据权利要求13所述的方法，其中，
所述蚀刻剂包含硫酸、氢氟酸和盐酸中的至少一种。
18.根据权利要求12所述的方法，其中，
所述密封剂在所述下部基底和所述上部基底之间，并且围绕所述多个显示元件。
19.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
基底，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域；和
输入感测层，位于所述基底的第一表面上，并且所述输入感测层具有与所述第一区域相对应的孔，
其中，所述基底在与所述第一表面相对的第二表面处具有与所述第一区域相对应的凹槽。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，
所述凹槽具有5μm至45μm的深度。
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