CN114156319A - 显示设备 - Google Patents

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CN114156319A
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李智润
金炫荣
权纯范
金奎利
朴鲁眩
朴种力
梁仁淑
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Abstract

提供了一种显示设备。该显示设备包括：基底，包括第一区域、第二区域和第三区域；显示元件，在基底上；薄膜封装层，覆盖显示元件；第一坝部，在第三区域处，第一坝部与第二区域相邻；第二坝部，在第三区域处，并且与所述第一坝部间隔开；以及至少一个凹槽，在第三区域处。

Description

显示设备
本申请要求于2020年9月8日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0114863号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部公开内容通过引用包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种包括位于显示区域内部的第一区域的显示设备。
背景技术
显示设备已被用于各种目的。另外，因为显示设备的厚度和重量已经减小，所以显示设备的使用范围已经增大。
虽然显示设备的由显示区域占据的面积已经增大，但是各种功能已经被添加或链接到显示设备。作为在增大面积的同时添加各种功能的方法，正在对具有布置在显示区域中的各种元件的显示设备进行研究。
在该背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景技术的理解，因此，其可以包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本公开的一个或更多个实施例涉及一种显示设备，该显示设备包括位于显示区域中的第一区域，该第一区域可以用于以诸如在其中布置各种合适的种类的组件为例的各种合适的目的。然而，本公开的方面和特征不限于此。
本公开的附加方面和特征将部分地在下面的描述中被阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的给出的实施例中的一个或更多个来获悉。
根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一区域、第二区域以及第一区域与第二区域之间的第三区域，第一区域具有通孔；显示元件，在第二区域处，显示元件包括像素电极、对电极以及像素电极与对电极之间的中间层，并且中间层包括至少一个有机材料层；薄膜封装层，覆盖显示元件，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层以及第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层；第一坝部，在第三区域处，第一坝部与第二区域相邻；第二坝部，在第三区域处，并且与第一坝部间隔开；以及至少一个凹槽，在第三区域处。中间层的至少一个有机材料层被至少一个凹槽断开，至少一个凹槽之中的凹槽在第一坝部与第二坝部之间，并且有机封装层的至少一部分在至少一个凹槽处。
在实施例中，显示设备还可以包括基底与对电极之间的多层膜，多层膜包括第一有机绝缘层、第二有机绝缘层以及第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间的金属层。
在实施例中，至少一个凹槽可以在多层膜中。
在实施例中，显示设备还可以包括像素电路，像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器，薄膜晶体管电连接到显示元件。接触金属层可以将显示元件和薄膜晶体管彼此连接，并且金属层和接触金属层可以包括彼此相同的材料。
在实施例中，至少一个有机材料层可以包括从空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层之中选择的一个或更多个。
在实施例中，至少一个凹槽可以包括：第一孔，穿透金属层；第二孔，穿过第一有机绝缘层；以及第三孔，穿透第二有机绝缘层。
在实施例中，显示设备还可以包括：第三有机绝缘层，使像素电极至少部分地暴露；以及第四有机绝缘层，在第三有机绝缘层上。第一坝部可以包括从第一有机绝缘层、第二有机绝缘层、第三有机绝缘层和第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
在实施例中，第二坝部可以包括从第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和第三有机绝缘层之中选择的至少一个。
在实施例中，第一坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第一高度，第二坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第二高度，并且第二高度可以小于或等于第一高度。
在实施例中，第二坝部可以包括从第一有机绝缘层、第二有机绝缘层、第三有机绝缘层和第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
在实施例中，第一坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第一高度，第二坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第三高度，并且第三高度可以小于或等于第一高度。
在实施例中，多层膜可以包括在第一有机绝缘层下面的至少一个下绝缘层，并且至少一个下绝缘层可以包括无机绝缘层。
在实施例中，至少一个凹槽的底表面可以在基底的上表面与至少一个下绝缘层的上表面之间的虚拟表面处。
在实施例中，至少一个下绝缘层可以具有与至少一个凹槽叠置的开口。
在实施例中，第一无机封装层和第二无机封装层可以在第一坝部的上表面上彼此接触。
在实施例中，显示设备还可以包括在薄膜封装层上的输入感测层，输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，至少一个导电层包括感测电极或迹线。
在实施例中，输入感测层可以包括：第一绝缘层，在薄膜封装层上；第一导电层，在第二区域处的第一绝缘层上；第二绝缘层，覆盖第一导电层；第二导电层，在第二区域处的第二绝缘层上；以及第三绝缘层，覆盖第二导电层。
在实施例中，第一绝缘层的至少一部分、第二绝缘层的至少一部分和第三绝缘层的至少一部分可以在第三区域处。
在实施例中，显示设备还可以包括：平坦化层，在第三区域处，平坦化层在第一绝缘层与第二绝缘层之间；以及覆盖层，在第二绝缘层上。
在实施例中，至少一个凹槽可以具有底切结构。
根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括第一区域、第二区域以及第一区域与第二区域之间的第三区域，第一区域具有通孔；显示元件，在第二区域处，显示元件包括像素电极、对电极以及像素电极与对电极之间的中间层，并且中间层包括至少一个有机材料层；薄膜封装层，覆盖显示元件，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层以及第一无机封装层与第二无机封装层之间的有机封装层；第一坝部，在第三区域处，第一坝部与第二区域相邻；第二坝部，在第三区域处，并且与第一坝部间隔开；以及至少一个凹槽，在第一坝部与第二坝部之间。中间层的至少一个有机材料层被至少一个凹槽断开，并且有机封装层的至少一部分在第一坝部与第二坝部之间的至少一个凹槽中的与第一坝部相邻的凹槽中。
在实施例中，显示设备还可以包括基底与对电极之间的多层膜，多层膜包括第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和第一有机绝缘层与第二有机绝缘层之间的金属层，并且至少一个凹槽可以在多层膜中。
在实施例中，显示设备还可以包括：第三有机绝缘层，使像素电极至少部分地暴露；以及第四有机绝缘层，在第三有机绝缘层上。第一坝部可以包括从第一有机绝缘层、第二有机绝缘层、第三有机绝缘层和第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
在实施例中，显示设备还可以包括第一坝部与第二坝部之间的第一辅助坝部，并且第一辅助坝部可以包括第二有机绝缘层和第三有机绝缘层。
在实施例中，第一坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第一高度，第一辅助坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第二高度，并且第二高度可以小于或等于第一高度。
在实施例中，第一坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第一高度，第二坝部的上表面可以具有距基底的上表面的第三高度，并且第三高度可以小于或等于第一高度。
在实施例中，显示设备还可以包括薄膜封装层上的输入感测层，输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，至少一个导电层包括感测电极或迹线。
在实施例中，输入感测层可以包括：第一绝缘层，在薄膜封装层上；第一导电层，在第二区域处的第一绝缘层上；第二绝缘层，覆盖第一导电层；第二导电层，在第二区域处的第二绝缘层上；以及第三绝缘层，覆盖第二导电层。
在实施例中，第一绝缘层的至少一部分、第二绝缘层的至少一部分和第三绝缘层的至少一部分可以在第三区域处。
在实施例中，显示设备还可以包括：平坦化层，在第三区域处，平坦化层在第一绝缘层与第二绝缘层之间；以及覆盖层，在第二绝缘层上。
通过附图、权利要求书和具体实施方式，将更好地理解本公开的其他方面和特征。
附图说明
通过下面参照附图对示例实施例的详细描述，本公开的以上和其他方面和特征对于本领域技术人员将变得更明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的透视图；
图2A至图2B是根据一个或更多个实施例的显示设备的剖视图；
图3A至图3D是根据一个或更多个实施例的显示设备的剖视图；
图4A至图4D是根据一个或更多个实施例的显示设备的剖视图；
图5是根据实施例的显示设备的平面图；
图6是根据实施例的显示设备中的像素的等效电路图；
图7是部分地示出根据实施例的显示设备的平面图；
图8是根据实施例的显示设备的剖视图；
图9是根据实施例的显示设备的剖视图；
图10是根据实施例的显示设备的剖视图；
图11是根据实施例的显示设备的剖视图；
图12是根据实施例的显示设备中的输入感测层的平面图；
图13是根据实施例的显示设备的剖视图；
图14是根据实施例的显示设备的剖视图；
图15是根据实施例的显示设备的剖视图；
图16是根据实施例的显示设备的剖视图；
图17是根据实施例的显示设备的剖视图；
图18是根据实施例的显示设备的剖视图；以及
图19是根据实施例的显示设备的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，同样的附图标记始终指同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里示出的实施例。相反，这些实施例作为示例被提供，使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述本领域普通技术人员为了完全理解本公开的方面和特征而不是必需的工艺、元件和技术。除非另外指出，否则贯穿附图和书面描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于解释，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语，来描述如图中示出的一个元件或特征与另一(其他)元件或特征的关系。将理解的是，除了图中描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用中或在操作中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件或特征“下方”或“之下”或“下面”的元件随后将被定位为“在”所述其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以涵盖上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其他方位)，并且应相应地解释这里使用的空间相对描述语。
如这里的说明书中所使用的，“在第一方向或第二方向上延伸”的线表示以锯齿形形状或以曲线在第一方向或第二方向上延伸，以及在第一方向或第二方向上直线或基本上直线延伸。
贯穿说明书，短语“在平面图中”表示从顶部的目标部分的视图，并且短语“在剖视图中”表示从横向方向垂直地切割的目标部分的剖面的视图。贯穿说明书中，表述“叠置”包括“在平面图中”叠置和“在剖视图中”叠置。
将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个居间元件或居间层。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，该元件或层可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或唯一层，或者也可以存在一个或更多个居间元件或居间层。
这里使用的术语是出于描述特定实施例的目的，而不旨在限制本公开。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”和“一个(种/者)”也旨在包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，表述“A和/或B”表示A、B或A和B。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述在一列元件之后时修饰整列元件，而不修饰该列中的个别元件。例如，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或它们的变型。
如这里所使用的，术语“基本上”、“约”和相似术语用作近似术语而不用作程度术语，并且旨在考虑本领域普通技术人员将认识到的测量值或计算值的固有变化。此外，当描述本公开的实施例时，“可以”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里所使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”旨在指示例或说明。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的意思一致的意思，并且不应当以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在这里明确地如此定义。
图1是根据实施例的显示设备1的透视图。
参照图1，显示设备1包括第一区域OA和显示区域DA，显示区域DA是至少部分地围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的第二区域。显示设备1可以经由从布置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)的多个像素发射的光来提供期望的图像(例如，预定图像)。图1示出了一个第一区域OA在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)，并且所述一个第一区域OA(例如，在其外围周围)被显示区域DA完全围绕，但是本公开不限于此。第一区域OA可以是其处(例如，其中或其上)布置有将在下面参照图2A更详细地描述的组件的区域。
作为第三区域的中间区域MA在第一区域OA与显示区域DA(例如，第二区域)之间，并且显示区域DA可以(例如，在其外围周围)被作为第四区域的外围区域PA围绕。中间区域MA和外围区域PA可以是其处(例如，其中或其上)未布置像素的非显示区域。中间区域MA可以(例如，在其外围周围)被显示区域DA完全围绕，并且显示区域DA可以(例如，在其外围周围)被外围区域PA完全围绕。
在下文中，为了方便起见，在根据实施例的有机发光显示设备的上下文中更详细地描述显示设备1，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，量子点发光显示器可以用作显示设备1。
图1示出了设置了具有圆形形状的一个第一区域OA，但是本公开不限于此。例如，在其他实施例中，可以设置两个或更多个第一区域OA，并且第一区域OA中的每个可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状、星状形状、菱形形状等的各种合适的形状。
图2A和图2B是根据一个或更多个实施例的显示设备1的沿着图1的线I-I'截取的剖视图。
参照图2A，显示设备1包括显示面板10、显示面板10上的输入感测层40和可以被窗60覆盖的光学功能层50。显示设备1可以包括在各种合适的电子装置(以诸如移动电话、膝上型计算机、智能手表等为例)中(例如，可以被实现为各种合适的电子装置(以诸如移动电话、膝上型计算机、智能手表等为例)的部分)。
显示面板10可以显示图像。显示面板10包括布置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)的像素。像素中的每个可以包括显示元件和连接到显示元件的像素电路。显示元件可以包括有机发光二极管、量子点有机发光二极管等。
输入感测层40获得根据外部输入(例如，触摸事件)产生的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以布置在显示面板10上。输入感测层40可以通过互电容方法和/或自电容方法感测外部输入。
输入感测层40可以直接布置在显示面板10上，或者可以单独地形成并且然后经由粘合层(以诸如光学透明粘合剂为例)结合到显示面板10。例如，可以在形成显示面板10的工艺之后连续地形成输入感测层40。在这种情况下，输入感测层40可以被理解为显示面板10的一部分，并且粘合层可以不设置在输入感测层40与显示面板10之间。图2A示出了输入感测层40布置在显示面板10与光学功能层50之间，但是本公开不限于此，在另一实施例中，输入感测层40可以布置在光学功能层50上。
光学功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从外部经由窗60入射到显示面板10的光(例如，外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型或液晶涂层型，并且可以包括半波(λ/2)延迟器和/或四分之一波(λ/4)延迟器。偏振器可以具有膜型或液晶涂层型。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器可以包括以合适的方位(例如，预定方位)布置的液晶。延迟器和偏振器还可以包括保护膜。延迟器和偏振器的保护膜可以被定义为抗反射层的基体层。
在另一实施例中，抗反射层可以包括黑色矩阵和滤色器。滤色器可以根据从显示面板10中的像素中的每个发射的光的颜色来布置。在另一实施例中，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括布置在彼此不同的层处(例如，在彼此不同的层中或彼此不同的层上)的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，因此，可以降低外部光的反射率。
光学功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示面板10发射的光的发光效率，或者可以减小色差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，并且/或者可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层两者，或者可以包括抗反射层和透镜层中的任一个。换句话说，光学功能层50可以包括抗反射层和透镜层中的至少一个。
在实施例中，光学功能层50可以在形成显示面板10和/或输入感测层40的工艺之后连续地形成。在这种情况下，粘合层可以不设置在光学功能层50与显示面板10之间和/或光学功能层50与输入感测层40之间。
显示面板10、输入感测层40和/或光学功能层50均可以包括开口(例如，孔或通孔)。就这一点而言，图2A示出了显示面板10、输入感测层40和光学功能层50分别包括彼此叠置的第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H。第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H可以定位为与第一区域OA对应。在另一实施例中，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的一个或更多个可以不包括开口。例如，从显示面板10、输入感测层40和光学功能层50之中选择的一个或两个元件可以不包括开口。作为另一示例，例如，如图2B中所示，显示面板10、输入感测层40和光学功能层50中的每个可以不包括开口。
第一区域OA可以是其处(其中或其上)定位有用于向显示设备1添加各种合适的功能的组件20的一种组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。例如，如图2A中所示，组件20可以位于第一开口10H、第二开口40H和第三开口50H中。作为另一示例，如图2B中所示，组件20可以位于显示面板10下面(例如，之下)。
组件20可以包括电子元件。例如，组件20可以是使用光或声音的电子元件。例如，电子元件可以包括用于输出和/或用于接收光的传感器(诸如红外线传感器)、用于通过接收光来捕获图像的相机、用于输出和用于感测光或声音以测量距离或识别指纹的传感器、用于照明光的小尺寸灯、用于输出声音的扬声器等。使用光的电子元件可以使用各种合适的波段的光(以诸如可见光、红外线光、紫外线光等为例)。在一些实施例中，第一区域OA可以被认为是从组件20输出或从外部朝向电子元件行进的光和/或声音可以穿过其的透射区域。
在另一实施例中，当显示设备1用在智能手表或车辆的仪表板中时，组件20可以包括具有时钟针或指示以诸如车辆速度等为例的各种期望的信息(例如，预定信息)的指针的构件。当显示设备1包括时钟针或用于车辆的仪表板时，组件20可以在穿透窗60之后暴露于外部，并且在这种情况下，窗60可以包括与第一区域OA对应的开口。
组件20可以包括与如上所述的显示面板10的各种功能相关的一个或更多个元件，或者可以包括以诸如用于增加显示面板10的美感的附件为例的一个或更多个元件。尽管在图2A和图2B中未示出，但是光学透明粘合剂等也可以位于窗60与光学功能层50之间。
图3A至图3D是根据一个或更多个实施例的显示设备1的剖视图。
参照图3A，显示设备1可以包括位于基底100上的显示层200。基底100可以包括玻璃或聚合物树脂。基底100可以具有多层结构。例如，如图3A中的放大视图中所示，基底100可以包括第一基体层101、第一阻挡层102、第二基体层103和第二阻挡层104。
第一基体层101和第二基体层103均可以包括聚合物树脂。例如，第一基体层101和第二基体层103均可以包括以诸如聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)、乙酸丙酸纤维素(CAP)等为例的聚合物树脂。上述聚合物树脂可以是透明的。
第一阻挡层102和第二阻挡层104是用于防止或基本上防止外部杂质渗透的阻挡层，并且均可以具有包括以诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)和/或氧化硅(SiOx，x>0)为例的无机材料的单层结构或多层结构。
显示层200可以包括多个像素。显示层200可以包括显示元件层200A和像素电路层200B。显示元件层200A包括位于每个像素中的显示元件，像素电路层200B包括位于每个像素中的像素电路和绝缘层。每个像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器，每个显示元件可以包括有机发光二极管OLED(见图6)。
显示层200中的显示元件可以被以诸如薄膜封装层300为例的封装构件覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。当显示设备1包括包含聚合物树脂的基底100以及包含至少一个无机封装层和至少一个有机封装层的薄膜封装层300时，可以改善显示设备1的柔性。
显示设备1可以包括穿透显示面板10的第一开口10H。第一开口10H可以在第一区域OA中，在这种情况下，第一区域OA可以是开口区域。图3A示出了基底100和薄膜封装层300分别包括与显示面板10的第一开口10H对应的通孔100H和300H。显示层200还可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。
在另一实施例中，如图3B中所示，基底100可以不包括与第一区域OA对应的通孔。显示层200可以包括与第一区域OA对应的通孔200H。薄膜封装层300可以不包括与第一区域OA对应的通孔。
在另一实施例中，如图3C中所示，显示层200可以不包括与第一区域OA对应的通孔200H，显示元件层200A可以不位于第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或第一区域OA上)。
图3A至图3C示出了显示元件层200A不在第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或在第一区域OA上)，但是本公开不限于此。例如，在另一实施例中，如图3D中所示，辅助显示元件层200C可以在第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或在第一区域OA上)。辅助显示元件层200C可以包括具有与显示元件层200A中的显示元件的结构不同的结构和/或以与操作显示元件层200A中的显示元件的方式不同的方式操作的显示元件。
在实施例中，显示元件层200A中的像素中的每个可以包括有源有机发光二极管，辅助显示元件层200C可以包括其中的每个包括无源有机发光二极管的像素。当辅助显示元件层200C包括无源有机发光二极管的显示元件时，像素电路的组件可以不位于无源有机发光二极管下面(例如，之下)。例如，在像素电路层200B中，辅助显示元件层200C下面(例如，之下)的部分可以不包括薄膜晶体管和存储电容器。
在另一实施例中，辅助显示元件层200C可以包括与显示元件层200A的显示元件的种类相同或基本上相同的种类的显示元件(例如，有源有机发光二极管)，但是可以在其下具有有着不同结构的像素电路。例如，辅助显示元件层200C下面(例如，之下)的像素电路(例如，在基底100与薄膜晶体管之间包括光阻挡层的像素电路等)可以具有与显示元件层200A下面(例如，之下)的像素电路的结构不同的结构。作为另一示例，可以根据与操作显示元件层200A中的显示元件的控制信号不同的控制信号来操作辅助显示元件层200C的显示元件。在其中定位有辅助显示元件层200C的第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或在第一区域OA上)，可以布置不使用相对高透射率的组件(例如，红外线传感器等)。在这种情况下，第一区域OA可以被理解为组件区域和辅助显示区域。
图4A至图4D是根据一个或更多个实施例的显示设备1的剖视图。与以上参照图3A至图3D描述的包括薄膜封装层300的显示设备1不同，图4A至图4D中示出的显示设备1可以包括封装基底300A和密封剂340。
如图4A至图4C中所示，基底100、显示层200和封装基底300A之中的一个或更多个可以包括与第一区域OA对应的通孔100H、200H和300AH。显示元件层200A可以不在第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或在第一区域OA上)，或者，例如，如图4D所示，辅助显示元件层200C可以在第一区域OA处(例如，在第一区域OA中或在第一区域OA上)。以上参照图3D描述了辅助显示元件层200C，因此可以不重复其冗余的描述。
图5是根据实施例的显示设备1的平面图，图6是根据实施例的显示设备1中的像素P的等效电路图。
参照图5，显示设备1可以包括第一区域OA、作为第二区域的显示区域DA、作为第三区域的中间区域MA和作为第四区域的外围区域PA。图5示出了显示设备1中的基底100。例如，可以理解的是，基底100包括第一区域OA、显示区域DA、中间区域MA和外围区域PA。
显示设备1包括布置在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或显示区域DA上)的多个像素P。像素P中的每个可以包括像素电路PC和连接到像素电路PC的显示元件。例如，显示元件可以是如图6中示出的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。每个像素P可以经由有机发光二极管OLED发射以诸如红色光、绿色光或蓝色光为例的光，或者可以经由有机发光二极管OLED发射例如色光、绿色光、蓝色光或白色光。
第二薄膜晶体管T2是开关薄膜晶体管，并且连接到扫描线SL和数据线DL。第二薄膜晶体管T2可以被配置为基于从扫描线SL输入的开关电压将从数据线DL输入的数据电压传输到第一薄膜晶体管T1。存储电容器Cst连接到第二薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从第二薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD之间的差异对应的电压。
第一薄膜晶体管T1是连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst的驱动薄膜晶体管，并且可以控制来自于驱动电压线PL在有机发光二极管OLED中流动的驱动电流。驱动电流可以与存储在存储电容器Cst中的电压值对应。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有期望亮度(例如，预定或特定亮度)的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电力电压ELVSS的供应。
图6示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此，薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量可以根据像素电路PC的设计而改变。例如，在其他实施例中，像素电路PC可以包括四个或更多个薄膜晶体管。
返回参照图5，中间区域MA可以在平面上(例如，在平面图中)围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)。中间区域MA是其处(例如，其中或其上)未布置用于发射光的显示元件(以诸如有机发光二极管(OLED)为例)的区域，并且用于向第一区域OA周围(例如，与第一区域OA相邻)的像素P提供信号的信号线可以穿过中间区域MA(例如，可以沿着中间区域MA延伸)。外围区域PA可以包括用于向每个像素P提供扫描信号的扫描驱动器1100、用于向每个像素P提供数据信号的数据驱动器1200以及用于供应第一电力电压和第二电力电压的主电力线。图5示出了数据驱动器1200布置为与基底100的一侧(例如，端部)相邻，但是本公开不限于此，根据另一实施例，数据驱动器1200可以布置在电连接到布置在显示设备1的一侧处的垫(pad，或称为“焊盘”)的柔性印刷电路板(FPCB)上。
图7是部分地示出根据实施例的显示设备1的平面图。
参照图7，像素P在第一区域OA周围(例如，与第一区域OA相邻)的显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或显示区域DA上)。像素P中的一些可以基于第一区域OA彼此间隔开，并且可以在像素P之间限定第一区域OA。例如，在图7的平面图中，像素P在第一区域OA上方和下面，并且在第一区域OA的左侧和右侧处。
在向像素P供应信号的信号线之中，与第一区域OA相邻的信号线可以绕过第一区域OA。在图7的平面图中，穿过(例如，延伸穿过)显示区域DA的数据线DL中的至少一条在y方向上延伸以向布置在第一区域OA上方和下面的像素P提供数据信号，并且可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)沿着第一区域OA的边缘绕过。在平面图中，穿过(例如，延伸穿过)显示区域DA的扫描线SL中的至少一条在x方向上延伸以向布置在第一区域OA的左侧和右侧处的像素P提供扫描信号，并且可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)沿着第一区域OA的边缘绕过(例如，可以沿着第一区域OA的边缘拱起)。
扫描线SL的旁路部分(例如，绕行部分或迂回部分)SL-D可以在与扫描线SL的穿过显示区域DA的延伸部分SL-L的层相同的层处(例如，在相同的层中或在相同的层上)，并且可以与延伸部分SL-L一体地形成。数据线DL之中的至少一条数据线DL的旁路部分DL-D1可以在与穿过显示区域DA的至少一条数据线DL的延伸部分DL-L1的层不同的层处(例如，在不同的层中或在不同的层上)，并且数据线DL的旁路部分DL-D1和延伸部分DL-L1可以经由接触孔CNT彼此连接。在图7中，用于将数据线DL的旁路部分DL-D1和延伸部分DL-L1彼此连接的接触孔CNT被示出为限定在中间区域MA中，但是本公开不限于此，用于将数据线DL的旁路部分DL-D1和延伸部分DL-L1彼此连接的接触孔CNT可以限定在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)。数据线DL中的至少一条的旁路部分DL-D2可以在与其延伸部分DL-L2的层相同的层处(例如，在其中或在其上)，并且可以与延伸部分DL-L2一体地形成。
一个或更多个凹槽G可以位于第一区域OA与扫描线SL和数据线DL在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)绕过的区域之间。凹槽G均可以具有在平面图中围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的环形形状，并且可以彼此间隔开。
图8是根据实施例的显示设备1的剖视图。图8示出了沿着图7的线II-II'截取的剖视图。
参照图8，基底100可以包括玻璃材料或聚合物树脂。在实施例中，基底100可以包括多个子层，例如，如图3A中的放大部分视图中所示。
缓冲层201可以在基底100上，以防止或基本上防止杂质渗透到薄膜晶体管TFT的半导体层Act中。缓冲层201可以包括以诸如氮化硅、氮氧化硅和/或氧化硅为例的无机绝缘材料，并且可以具有包括上述无机绝缘材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
像素电路PC可以在缓冲层201上。像素电路PC可以包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、栅电极GE、源电极SE和漏电极DE。图8中示出的薄膜晶体管TFT可以与以上参照图6描述的驱动薄膜晶体管(例如，第一薄膜晶体管T1)对应。在本实施例中，示出了顶栅型晶体管，在顶栅型晶体管中，栅电极GE在半导体层Act之上，且栅极绝缘层203在栅电极GE与半导体层Act之间，但是本公开不限于此，在另一实施例中，薄膜晶体管TFT可以是底栅型晶体管。
半导体层Act可以包括例如多晶硅。作为一些其他示例，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体、有机半导体等。栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构。
半导体层Act与栅电极GE之间的栅极绝缘层203可以包括以诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等为例的无机绝缘材料。栅极绝缘层203可以具有包括以上材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
源电极SE和漏电极DE可以包括高导电材料。源电极SE和漏电极DE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有包括以上材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。在实施例中，源电极SE、漏电极DE和数据线DL均可以具有包括钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的多层结构。
存储电容器Cst可以包括下电极CE1和与下电极CE1叠置的上电极CE2，且第一层间绝缘层205在下电极CE1与上电极CE2之间。存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT叠置。例如，图8示出了其中薄膜晶体管TFT的栅电极GE是存储电容器Cst的下电极CE1的结构。在另一实施例中，存储电容器Cst可以不与薄膜晶体管TFT叠置。存储电容器Cst可以被第二层间绝缘层207覆盖。存储电容器Cst的上电极CE2可以包括以诸如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等为例的导电材料，并且可以具有包括上述材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以包括以诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪等为例的无机绝缘材料。第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以具有包括以上提及的材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。
包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的像素电路PC可以被第一有机绝缘层209覆盖。第一有机绝缘层209可以具有平坦的或基本上平坦的上表面。
像素电路PC可以电连接到像素电极221。例如，如图8中所示，接触金属层CM可以在薄膜晶体管TFT与像素电极221之间。接触金属层CM可以经由第一有机绝缘层209中(例如，穿透第一有机绝缘层209)的接触孔连接到薄膜晶体管TFT。像素电极221可以经由接触金属层CM上的第二有机绝缘层211中(例如，穿透第二有机绝缘层211)的接触孔连接到接触金属层CM。接触金属层CM可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电材料，并且可以具有单层结构或多层结构。在实施例中，接触金属层CM可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括以诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS))、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酰类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化物类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物和/或它们的混合物为例的有机绝缘材料。在实施例中，第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211可以包括聚酰亚胺。
像素电极221可以在第二有机绝缘层211上。像素电极221可以包括以诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓或氧化铝锌(AZO)为例的导电氧化物。在另一实施例中，像素电极221可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的化合物或混合物的反射层。在另一实施例中，像素电极221还可以包括在反射层上和/或下面的包括ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。
第三有机绝缘层215可以在像素电极221上。第三有机绝缘层215可以是用于限定像素P的发光区域的像素限定层。第三有机绝缘层215可以包括使像素电极221的上表面至少部分地暴露的开口，并且可以覆盖像素电极221的边缘。第三有机绝缘层215可以包括例如有机绝缘材料。作为另一示例，第三有机绝缘层215可以包括以诸如氮化硅(SiNx，x>0)、氮氧化硅(SiON)或氧化硅(SiOx，x>0)为例的无机绝缘材料。作为另一示例，第三有机绝缘层215可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
中间层222可以包括发射层222b。中间层222可以包括在发射层222b下面(例如，之下)的第一功能层222a和/或在发射层222b上(例如，上方)的第二功能层222c。发射层222b可以包括用于发射合适的彩色光(例如，预定彩色光)的聚合物或低分子量有机材料。
第一功能层222a可以具有单层结构或多层结构。例如，当第一功能层222a包括以诸如聚(3,4)-乙撑-二氧噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)为例的聚合物材料时，第一功能层222a可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。当第一功能层222a包括低分子量有机材料时，第一功能层222a可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
根据中间层222的结构，第二功能层222c是可选的。例如，当第一功能层222a和发射层222b包括聚合物材料时，可以形成第二功能层222c。第二功能层222c可以具有单层结构或多层结构。第二功能层222c可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
中间层222的发射层222b可以位于显示区域DA的每个像素P处(例如，在每个像素P中或在每个像素P上)。发射层222b可以被图案化为与像素电极221对应。与发射层222b不同，中间层222中的第一功能层222a和/或第二功能层222c可以朝向中间区域MA延伸以位于中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)以及显示区域DA处(例如，显示区域DA中或显示区域DA上)。
对电极223可以包括具有低逸出功的导电材料。例如，对电极223可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或它们的合金的(半)透明层。作为另一示例，对电极223还可以包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层，所述层在包括以上材料中的一种或更多种的(半)透明层上。对电极223可以设置在中间区域MA以及显示区域DA中。第一功能层222a、第二功能层222c和对电极223可以通过热蒸发方法制造。
盖层230可以在对电极223上。例如，盖层230可以包括LiF，并且可以通过热蒸发方法形成。在一些实施例中，可以省略盖层230。
第四有机绝缘层217可以在第三有机绝缘层215上。第四有机绝缘层217可以包括以诸如聚酰亚胺为例的有机绝缘材料。作为另一示例，第四有机绝缘层217可以包括无机绝缘材料或者有机绝缘材料和无机绝缘材料。
第四有机绝缘层217可以包括与第三有机绝缘层215的材料不同或相同的材料。在实施例中，第三有机绝缘层215和第四有机绝缘层217可以包括聚酰亚胺。第三有机绝缘层215和第四有机绝缘层217可以通过使用半色调掩模的掩模工艺一起制造。
有机发光二极管OLED被薄膜封装层300覆盖。薄膜封装层300可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。例如，图8示出了薄膜封装层300包括第一无机封装层310和第二无机封装层330以及第一无机封装层310与第二无机封装层330之间的有机封装层320。在另一实施例中，可以不同地修改有机封装层和无机封装层的堆叠顺序和/或数量。
第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包括氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌(ZnO和/或ZnO2)、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅之中的一种或更多种无机材料。第一无机封装层310和第二无机封装层330均可以具有包括以上提及的材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。有机封装层320可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括以诸如聚甲基丙烯酸酯和聚丙烯酸为例的丙烯酰类树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺、聚乙烯等。在实施例中，有机封装层320可以包括丙烯酸酯聚合物。
包括在第一无机封装层310和第二无机封装层330中的材料可以彼此不同。例如，第一无机封装层310可以包括氮氧化硅，第二无机封装层330可以包括氮化硅。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此不同的厚度。例如，第一无机封装层310的厚度可以比第二无机封装层330的厚度大。作为另一示例，第二无机封装层330的厚度可以比第一无机封装层310的厚度大，或者第一无机封装层310和第二无机封装层330可以具有彼此相同或基本上相同的厚度。
图9是根据实施例的显示设备1的剖视图。图9示出了沿着图7的线III-III'截取的剖视图。
参照图9，凹槽G和坝部510、520和530可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)。在第一区域OA周围绕过的线(例如，图7中示出的数据线DL和/或扫描线SL)可以位于中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)。例如，绕过第一区域OA的线可以交替地布置在第二层间绝缘层207和第一有机绝缘层209处(例如，在第二层间绝缘层207和第一有机绝缘层209中或在第二层间绝缘层207和第一有机绝缘层209上)。
一个或更多个凹槽G可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)。包括在中间层222中(例如，包括在第一功能层222a和/或第二功能层222c中)的有机材料层可以通过凹槽G断开(或隔离)。中间区域MA可以理解为有机材料层的凹槽区域或断开区域(或隔离区域)。
凹槽G可以在基底100与对电极223之间的多层膜ML中。多层膜ML包括包含彼此不同材料的至少两个层。多层膜ML可以包括包含有机层的第一子层、包含无机层(例如，金属层和/或无机绝缘层)的第二子层以及包含有机层的第三子层。凹槽G包括形成在第一子层中的凹陷或孔、形成在第二子层中的孔和形成在第三子层中的孔。
在实施例中，图9示出了多层膜ML包括作为有机层的第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211以及作为无机层的金属层210。这里，多层膜ML的金属层210可以在与以上参照图8描述的接触金属层CM的层相同的层处(例如，在相同的层中或在相同的层上)(例如，在第一有机绝缘层209上)，并且可以通过与接触金属层CM的掩模工艺相同或基本上相同的掩模工艺制造。
金属层210和接触金属层CM可以包括彼此相同或基本上相同的材料。例如，金属层210可以具有其中堆叠有钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的结构。
坝部510、520和530可以位于凹槽G之间。坝部510、520和530可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。
图10是根据实施例的显示设备1的剖视图。更详细地，提供图10以更详细地描述根据实施例的显示设备1中的凹槽G和坝部510、520和530，并且图10示出了在制造有机发光二极管OLED的中间层222之前的结构。
参照图9和图10，可以在形成中间层222的工艺之前制造多层膜ML的凹槽G。每个凹槽G可以具有底切结构。可以通过部分地去除多层膜ML来形成凹槽G，并且金属层210中的孔具有比第一有机绝缘层209中的孔(或凹陷)的宽度小的宽度，以便形成具有底切结构的凹槽G。在实施例中，图10示出了其中金属层210中的第一孔210h、第一有机绝缘层209中的第二孔209h和第二有机绝缘层211中的第三孔211h彼此叠置以形成凹槽G的示例。凹槽G的底表面可以位于基底100的上表面与第一有机绝缘层209的上表面之间的虚拟表面上。例如，图10示出了凹槽G的底表面位于与缓冲层201的上表面相同或基本上相同的虚拟表面处(例如，在虚拟表面中或在虚拟表面上)。然而，本公开不限于此。例如，在其他实施例中，凹槽G的底表面可以在与栅极绝缘层203的上表面相同或基本上相同的虚拟表面处(例如，在虚拟表面中或在虚拟表面上)、在与第一层间绝缘层205的上表面相同或基本上相同的虚拟表面处(例如，在虚拟表面中或在虚拟表面上)或者在与第二层间绝缘层207的上表面相同或基本上相同的虚拟表面处(例如，在虚拟表面中或在虚拟表面上)。
因为凹槽G的底表面在与根据图10中示出的实施例的缓冲层201的上表面相同或基本上相同的虚拟表面处(例如，在虚拟表面中或在虚拟表面上)，所以栅极绝缘层203、第一层间绝缘层205和第二层间绝缘层207均可以包括与凹槽G叠置(或与凹槽G对应)的开口或孔。
与金属层210下面的第一有机绝缘层209的内表面相比，金属层210的限定第一孔210h的端部可以朝向凹槽G的中心突出得更远。例如，第一孔210h的第一宽度W1可以比第二孔209h的第二宽度W2小，其中，第二孔209h的第二宽度W2被定义为直接位于金属层210的限定第一孔210h的端部下面的宽度。金属层210的朝向凹槽G和/或第一孔210h的中心突出的端部可以构造一对檐(或一对突出的尖端或尖端PT)。每个尖端PT的突出距离D1可以小于第二孔209h的深度。例如，每个尖端PT的突出距离D1可以是约2.0μm或更小。在实施例中，突出距离D1可以是约1μm至约1.5μm。
坝部510和520可以位于凹槽G之间。例如，坝部510(例如，第一坝部)或辅助坝部520(例如，第一辅助坝部或第二坝部)可以位于凹槽G之间。第一坝部510可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。在实施例中，如图10中所示，第一坝部510可以具有其中堆叠有第二有机绝缘层211的部分211a、第三有机绝缘层215的部分215a和第四有机绝缘层217的部分217a的结构。第一辅助坝部520可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。在实施例中，第一辅助坝部520可以具有其中堆叠有第二有机绝缘层211的部分211b和第三有机绝缘层215的部分215b的结构。至少一个凹槽G可以形成在第一坝部510与第一辅助坝部520之间。
在实施例中，第一坝部510的上表面具有距基底100的上表面的第一高度H1，并且第一辅助坝部520的上表面可以具有距基底100的上表面的第二高度H2。第一坝部510的第一高度H1可以大于或等于第一辅助坝部520的第二高度H2。当第一坝部510等于或大于第一辅助坝部520时，可以防止或减少用于形成有机封装层320的单体到切割线中的损失。
中间区域MA处(例如，中间区域MA中或中间区域MA上)的多层膜ML和包括在坝部510和520中的第二有机绝缘层211可以通过彼此相同或基本上相同的工艺获得。然而，当包括在多层膜ML中的第二有机绝缘层211比坝部510和520的第二有机绝缘层211厚时，用于形成凹槽G的蚀刻时间增加，并且在蚀刻期间可能会产生尖端。因此，根据实施例，中间区域MA处(例如，中间区域MA中或中间区域MA上)的多层膜ML和包括在坝部510和520中的第二有机绝缘层211通过彼此相同或基本上相同的工艺制造，但是包括在坝部510和520中的第二有机绝缘层211可以通过使用半色调掩模形成为比包括在多层膜ML中的第二有机绝缘层211厚。例如，第二有机绝缘层211的厚度可以比包括在多层膜ML中的第二有机绝缘层211的厚度大约
Figure BDA0003251601910000211
再次参照图9，基底100上的层之中的包括有机材料的层可以是湿气行进所通过的路径。第一功能层222a和/或第二功能层222c包括有机材料，因此会变成上述可透过湿气的路径。然而，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以由于凹槽G而断开或隔离，因此，可以防止或基本上防止湿气通过第一功能层222a和/或第二功能层222c朝向有机发光二极管OLED行进。
与第一功能层222a和/或第二功能层222c相似，通过热沉积方法制造的对电极223可以由于凹槽G而断开。包括LiF等的盖层230也可以通过凹槽G断开。
在另一实施例中，当盖层230包括以诸如氮化硅、氧化硅或氮氧化硅为例的无机材料时，盖层230可以不被凹槽G断开，而是可以连续地形成。在另一实施例中，可以根据需要或期望省略盖层230。
薄膜封装层300可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)位于多个凹槽G和坝部510、520和530上。中间区域MA处的薄膜封装层300可以是在显示区域DA处(例如，在显示区域DA中或在显示区域DA上)的薄膜封装层300的朝向中间区域MA延伸的一部分(如图8中所示)。
可以连续地形成薄膜封装层300中的第一无机封装层310。例如，第一无机封装层310可以完全覆盖凹槽G的内表面。
有机封装层320可以例如通过在基底100上施用单体并使单体固化来获得。作为另一示例，可以通过施用聚合物来获得有机封装层320。有机封装层320的面对第一区域OA的端部可以布置为与第一坝部510和/或第一辅助坝部520的一侧相邻。
当凹槽G由包括第一有机绝缘层209、金属层210和第二有机绝缘层211的多层膜ML形成时，在金属层210的尖端PT中可能会发生裂纹，并且有机发光二极管OLED可能会被损坏。
根据实施例，形成有机封装层320的单体布置在显示区域DA与第一坝部510之间的凹槽G(例如，第一凹槽)中，并且用于形成有机封装层320的单体布置在第一坝部510与第一辅助坝部520(例如，第二坝部)之间的凹槽G(例如，第二凹槽)中。因此，可以防止或基本上防止在与显示区域DA相邻的凹槽G中发生裂纹，并且可以防止或基本上防止由于裂纹引起的对有机发光二极管OLED的损坏。
此外，可以通过使用第一辅助坝部520(例如，第二坝部)来控制用于形成有机封装层320的单体的溢出，因此，可以防止或基本上防止单体渗透到切割线中。
为了改善显示设备1的白角差异(WAD)特性和光学效率，可以通过使用具有低折射率(例如，1.6或更小的折射率)的材料来形成无机封装层(例如，第一无机封装层310)。然而，当通过使用包括聚合物树脂的基底形成凹槽G时，无机封装层可以包括具有高折射率(例如，1.77或更大的折射率)的材料，以便防止或基本上防止由于湿气对有机发光二极管OLED的损坏。
根据实施例，通过使用包括作为有机层的第一有机绝缘层209和第二有机绝缘层211的多层膜ML以及作为无机层的金属层210来形成凹槽G，因此，可以通过使用具有低折射率(例如，1.6或更小的折射率)的材料来形成无机封装层。因此，可以改善WAD特性和光学效率。另外，第一功能层222a和/或第二功能层222c可以断开(或隔离)，因此，可以防止或基本上防止湿气通过第一功能层222a和/或第二功能层222c渗入到有机发光二极管OLED中。
第二无机封装层330可以在有机封装层320上，并且可以在中间区域MA的一部分处(例如，在中间区域MA的一部分中或在中间区域MA的一部分上)与第一无机封装层310直接接触。例如，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一坝部510上和第一辅助坝部520(例如，第二坝部)上彼此直接接触。此外，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在中间区域MA的与第一区域OA相邻的区域处(例如，在该区域中或在该区域上)彼此直接接触。
除了第一坝部510和第一辅助坝部520(例如，第二坝部)之外，还可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)设置第二辅助坝部530。第二辅助坝部530可以具有与第一辅助坝部520(例如，第二坝部)的结构相同或基本上相同的结构。第二辅助坝部530可以比第一辅助坝部520(例如，第二坝部)靠近第一区域OA。凹槽G也可以形成在第一辅助坝部520(例如，第二坝部)与第二辅助坝部530之间。
在实施例中，显示设备1可以包括与第一区域OA对应的第一开口10H。在另一实施例中，如以上参照图3B至图3D描述的，显示设备1可以不包括与第一区域OA对应的第一开口10H。
图9中示出的显示设备1的剖视图可以被理解为围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的结构。例如，当从垂直于或基本上垂直于基底100的上表面的方向(例如，在平面图中)观看时，如图7中所示，图9中的凹槽G均可以具有围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的环形形状。相似地，当从垂直于或基本上垂直于基底100的上表面的方向观看时，坝部510、520和530均可以具有围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的环形形状。相似地，当从垂直于或基本上垂直于基底100的上表面的方向观看时，图9中示出的以诸如中间区域MA处(例如，中间区域MA中或中间区域MA上)的元件(例如，金属层210)为例的元件均可以具有围绕第一区域OA(例如，在第一区域OA的外围周围)的环形形状。
图11是根据实施例的显示设备1的剖视图。图11的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于在图11中的中间区域MA处(例如，在图11中的中间区域MA中或在图11中的中间区域MA上)还设置有第二坝部540和第三坝部550。在下文中，下面将主要更详细地描述图9和图11的实施例之间的差异，图11中的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图11，根据本实施例的显示设备1还可以包括第二坝部540和第三坝部550。与第一坝部510、第一辅助坝部520和第二辅助坝部530相比，第二坝部540和第三坝部550可以与第一区域OA相邻(例如，更靠近第一区域OA)。
因为显示设备1还包括第二坝部540和第三坝部550，所以还可以防止或基本上防止用于形成有机封装层320的单体被引入到切割线中。
在实施例中，凹槽G可以位于第二辅助坝部530与第二坝部540之间。此外，在一些实施例中，凹槽G还可以设置在第二坝部540与第三坝部550之间。因为凹槽G设置在第二辅助坝部530与第二坝部540之间以及第二坝部540与第三坝部550之间，所以中间层222中(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c中)的有机材料层可以通过凹槽G断开(或隔离)。
图12是根据实施例的显示设备1中的输入感测层40的平面图。
参照图12，输入感测层40可以包括第一感测电极IE1-1、IE1-2、IE1-3、IE1-4和IE1-5、连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一信号线SL1-1、SL1-2、SL1-3、SL1-4和SL1-5、第二感测电极IE2-1、IE2-2、IE2-3和IE2-4以及连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二信号线SL2-1、SL2-2、SL2-3和SL2-4。
根据本实施例的输入感测层40由第一导电层420(例如，见图13)形成第一感测电极IE1-1至IE1-5，并且由第二导电层440(例如，见图13)形成第二感测电极IE2-1至IE2-4。作为示例，图12示出了均具有网格形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4。在实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构(例如，三层结构)。
尽管未在图12中示出，但是输入感测层40还可以包括布置在第一感测电极IE1-1至IE1-5与第二感测电极IE2-1至IE2-4之间的边界区域处(例如，在边界区域中或在边界区域上)的光学虚设电极。就这一点而言，输入感测层40还可以包括由第一导电层420形成的第一虚设电极和由第二导电层440形成的第二虚设电极。
第一虚设电极经由接触孔连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的第二传感器SP2。第二虚设电极经由接触孔连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的第一传感器SP1。第一虚设电极和第二虚设电极可以减小第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4的电阻。
第一感测电极IE1-1至IE1-5中的每个包括第一传感器SP1和第一连接部CP1。第二感测电极IE2-1至IE2-4中的每个包括第二传感器SP2和第二连接部CP2。在第一传感器SP1之中，第一感测电极IE1-1至IE1-5的相对端部处的两个第一传感器SP1可以具有比位于中心处(例如，位于中心中或位于中心上)的第一传感器SP1的尺寸小的尺寸(以诸如中心的第一传感器SP1的尺寸的一半为例)。在第二传感器SP2之中，第二感测电极IE2-1至IE2-4的相对端部处的两个第二传感器SP2可以具有比位于中心处(例如，位于中心中或位于中心上)的第二传感器SP2的尺寸小的尺寸(以诸如中心的第二传感器SP2的尺寸的一半为例)。
在图12中，第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4被示出为具有合适的图案(例如，预定或特定图案)，但是图案不限于此。在实施例中，图12示出了均具有菱形形状的第一传感器SP1和第二传感器SP2，但是本公开不限于此，第一传感器SP1和第二传感器SP2中的每个可以具有另一合适的多边形形状。例如，在另一实施例中，第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4均可以具有其中传感器和连接部彼此不可区分的形状(例如，条形形状)。
在一个第一感测电极中，第一传感器SP1在x方向上布置。在一个第二感测电极中，第二传感器SP2在y方向上布置。第一连接部CP1中的每个将第一传感器SP1中的相邻的第一传感器SP1彼此连接，并且第二连接部CP2中的每个将第二传感器SP2中相邻的第二传感器SP2彼此连接。
第一信号线SL1-1至SL1-5分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的端部。第二信号线SL2-1至SL2-4分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的相对的端部。在另一实施例中，第一信号线SL1-1至SL1-5可以分别连接到第一感测电极IE1-1至IE1-5的相对的端部。在另一实施例中，第二信号线SL2-1至SL2-4可以分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的端部。
当与其中输入感测层40包括分别连接到第二信号线SL2-1至SL2-4的一个端部的第二感测电极IE2-1至IE2-4的对比示例相比时，可以改善灵敏度。与第一感测电极IE1-1至IE1-5相比，第二感测电极IE2-1至IE2-4具有较大的长度，因此，可能存在检测信号(或传输信号)的电压降，使得其灵敏度可能会劣化。根据实施例，因为经由分别连接到第二感测电极IE2-1至IE2-4的相对的端部的第二信号线SL2-1至SL2-4提供检测信号(或传输信号)，所以可以防止或基本上防止检测信号(或传输信号)的电压降，并且还可以防止或基本上防止其灵敏度的劣化。
第一信号线SL1-1至SL1-5以及第二信号线SL2-1至SL2-4均可以包括线部SL-W和垫部SL-P。
参照图12，第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4均可以具有网格形状。第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4均具有网格形状，因此，可以减小相对于对电极223的寄生电容。
具有网格形状的第一感测电极IE1-1至IE1-5以及第二感测电极IE2-1至IE2-4可以包括可以在低温下处理的银、铝、铜、铬、镍、钛等，但是本公开不限于此。即使当通过连续工艺形成输入感测层40时，也可以防止或基本上防止对有机发光二极管OLED的损坏。
图13是根据实施例的显示设备1的剖视图。图13的实施例与图8的实施例的不同之处可以在于输入感测层40还设置在图13中的薄膜封装层300上。在下文中，下面将主要更详细地描述图8和图13的实施例之间的差异，图13的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图13，根据本实施例的显示设备1还可以包括在薄膜封装层300上的输入感测层40。
输入感测层40可以包括均包括感测电极和/或迹线的第一导电层420和第二导电层440。第一绝缘层410可以在薄膜封装层300与第一导电层420之间。更详细地，第一绝缘层410可以在薄膜封装层300的第二无机封装层330与第一导电层420之间。第二绝缘层430可以在第一导电层420与第二导电层440之间。
第一导电层420和第二导电层440均可以包括导电材料。导电材料可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并且第一导电层420和第二导电层440均可以具有包括上述材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。在一些实施例中，第一导电层420和第二导电层440可以具有其中顺序地堆叠有钛层、铝层和钛层(Ti/Al/Ti)的结构。
第一绝缘层410和第二绝缘层430可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。有机绝缘材料可以包括丙烯酰类有机材料或酰亚胺类有机材料。
第三绝缘层450可以在第二导电层440和第二绝缘层430上。第三绝缘层450可以是用于使输入感测层40的导电层(以诸如第二导电层440为例)钝化的保护层。
包括在显示区域DA的输入感测层40中的第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450的至少一些部分可以朝向中间区域MA延伸。
图14是根据实施例的显示设备1的剖视图。图14的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于附加层还设置在图14中的薄膜封装层300上。在下文中，下面将主要更详细地描述图9和图14的实施例之间的差异，图14的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图14，根据本实施例的显示设备1可以包括位于薄膜封装层300上并且在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或中间区域MA上)的平坦化层460。在实施例中，平坦化层460可以仅位于中间区域MA处(例如，位于中间区域MA中或位于中间区域MA上)。
平坦化层460可以包括有机绝缘层。平坦化层460可以包括聚合物类材料。例如，平坦化层460可以包括硅类树脂、丙烯酰类树脂、环氧类树脂、PI、聚乙烯等。在实施例中，平坦化层460可以包括与有机封装层320的材料相同或基本上相同的材料。在另一实施例中，平坦化层460可以包括与有机封装层320的材料不同的材料。
平坦化层460可以覆盖中间区域MA处(例如，中间区域MA中或中间区域MA上)的至少一个凹槽G。平坦化层460覆盖中间区域MA处(例如，中间区域MA中或中间区域MA上)的未被有机封装层320覆盖的区域，并且可以增大第一区域OA周围的显示设备1的平坦度。因此，可以防止或基本上防止显示设备1的输入感测层40(例如，见图12)的隔离或消除。
在图13中，输入感测层40的第一绝缘层410、第二绝缘层430和第三绝缘层450也可以位于中间区域MA处(例如，位于中间区域MA中或位于中间区域MA上)。平坦化层460可以通过曝光工艺和显影工艺等形成在中间区域MA处，并且在形成平坦化层460的工艺之中的一些工艺(例如，清洁工艺)期间，当以诸如湿气为例的外部杂质沿着显示设备1的横向方向行进时，显示设备1的有机发光二极管OLED可能会被损坏。然而，根据一个或更多个实施例，绝缘层(例如，第一绝缘层410和第二绝缘层430)在平坦化层460上和下面，并且因此，可以防止或基本上防止由形成平坦化层460的工艺期间和之后的湿气渗透和/或外围层的抬起引起的上述问题。
第一绝缘层410和第二绝缘层430可以分别与平坦化层460的底表面和上表面直接接触。
覆盖层470可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或中间区域MA上)的第二绝缘层430上，以便防止或基本上防止平坦化层460与其下面的层隔离或从其下面的层抬起。覆盖层470可以在第一绝缘层410与平坦化层460之间存在台阶和/或第二绝缘层430与平坦化层460之间存在台阶的部分上。
覆盖层470可以包括与以上参照图13描述的输入感测层40的第一导电层420或第二导电层440的材料相同或基本上相同的材料并且可以通过与以上参照图13描述的输入感测层40的第一导电层420或第二导电层440的工艺相同或基本上相同的工艺形成。
图15是根据实施例的显示设备1的剖视图。图15的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于通过图15中的第一坝部510和第二坝部540的方式控制单体。在下文中，下面将主要更详细地描述图9和图15的实施例之间的差异，图15中的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图15，凹槽G以及坝部510和540可以在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)。根据本实施例的显示设备1可以包括与显示区域DA相邻的第一坝部510和与第一坝部510间隔开的第二坝部540。凹槽G(例如，第一凹槽)在显示区域DA与第一坝部510之间，并且凹槽G(例如，第二凹槽)可以在第一坝部510与第二坝部540之间。
用于形成有机封装层320的单体可以在显示区域DA与第一坝部510之间的凹槽G(例如，第一凹槽)中以及第一坝部510与第二坝部540之间的凹槽G(例如，第二凹槽)中。
根据实施例，形成有机封装层320的单体布置在显示区域DA与第一坝部510之间的凹槽G(例如，第一凹槽)中，并且用于形成有机封装层320的单体布置在第一坝部510与第二坝部540之间的凹槽G(例如，第二凹槽)中。因此，可以防止或基本上防止在与显示区域DA相邻的凹槽G中出现裂纹，并且可以防止或基本上防止由于裂纹引起的对有机发光二极管OLED的损坏。
此外，可以通过使用第二坝部540来控制用于形成有机封装层320的单体的溢出，因此，可以防止或基本上防止单体渗透到切割线中。
第二无机封装层330可以在有机封装层320上，并且可以在中间区域MA的一部分处(例如，在中间区域MA的一部分中或在中间区域MA的一部分上)与第一无机封装层310直接接触。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在第一坝部510和第二坝部540上彼此直接接触。此外，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以在中间区域MA的与第一区域OA相邻的区域处(例如，在该区域中或在该区域上)彼此直接接触。
图16是根据实施例的显示设备1的剖视图。更详细地，图16是更详细地示出图15的第一坝部510和第二坝部540的图，并且示出了在形成有机发光二极管OLED的中间层222之前的结构。
参照图15和图16，根据本实施例的显示设备1可以包括在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或中间区域MA上)的第一坝部510和第二坝部540以及在第一坝部510与第二坝部540之间的凹槽G(例如，第二凹槽)。第一坝部510和第一坝部510与第二坝部540之间的凹槽G(例如，第二凹槽)的结构可以与以上参照图10描述的第一坝部510和第一坝部510与第一辅助坝部520之间的凹槽G的结构相同或基本上相同(或相似)。
第二坝部540可以具有其中堆叠有第二有机绝缘层211的部分211d、第三有机绝缘层215的部分215d和第四有机绝缘层217的部分217d的结构。
在实施例中，第一坝部510的上表面具有距基底100的上表面的第一高度H1，并且第二坝部540的上表面可以具有距基底100的上表面的第三高度H3。这里，第一坝部510的第一高度H1可以大于或等于第二坝部540的第三高度H3。当第一坝部510等于或大于第二坝部540时，可以防止或减少用于形成有机封装层320的单体到切割线中的损失。
图17是根据实施例的显示设备1的剖视图。图17的实施例与图15的实施例的不同之处可以在于第三坝部550和第四坝部560还设置在图17中的中间区域MA处(例如，在图17中的中间区域MA中或在图17中的中间区域MA上)。在下文中，下面可以主要更详细地描述图15和图17的实施例之间的差异，图17的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图17，根据本实施例的显示设备1还可以包括在中间区域MA处(例如，在中间区域MA中或在中间区域MA上)的第三坝部550和第四坝部560。与第一坝部510和第二坝部540相比，第三坝部550和第四坝部560可以与第一区域OA相邻(例如，更靠近第一区域OA)。
因为显示设备1还包括第三坝部550和第四坝部560，所以可以防止或基本上防止用于形成有机封装层320的单体被引入到切割线中。
尽管未在图17中示出，但是凹槽G还可以设置在第二坝部540与第三坝部550之间。此外，凹槽G也可以设置在第三坝部550与第四坝部560之间。因为凹槽G在第二坝部540与第三坝部550之间以及第三坝部550与第四坝部560之间，所以中间层222中的有机材料层(例如，第一功能层222a和/或第二功能层222c)可以通过凹槽G断开(或隔离)。
图18是根据实施例的显示设备1的剖视图。图18的实施例与图9的实施例的不同之处可以在于第一坝部510还包括图18中的第一有机绝缘层209的部分209a。在下文中，下面可以主要更详细地描述图9和图18的实施例之间的差异，图18中的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图18，根据本实施例的显示设备1可以包括坝部510、520、530和540。更详细地，显示设备1可以包括第一坝部510、第一辅助坝部520、第二辅助坝部530和第二坝部540。
凹槽G可以分别设置在显示区域DA与第一坝部510之间、第一坝部510与第一辅助坝部520之间、第一辅助坝部520与第二辅助坝部530之间以及第二辅助坝部530与第二坝部540之间。
第一坝部510可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。在实施例中，第一坝部510可以具有其中堆叠有第一有机绝缘层209的部分209a、第二有机绝缘层211的部分211a、第三有机绝缘层215的部分215a和第四有机绝缘层217的部分217a的结构。在另一实施例中，可以省略第一有机绝缘层209的部分209a、第二有机绝缘层211的部分211a、第三有机绝缘层215的部分215a和第四有机绝缘层217的部分217a之中的一个或更多个，在这种情况下，从基底100到第一坝部510的上表面的高度可以比从基底100到第四有机绝缘层217的上表面的高度小。
图19是根据实施例的显示设备1的剖视图。图19的实施例与图15的实施例的不同之处可以在于第一坝部510和第二坝部540还分别包括图19中的第一有机绝缘层209的部分209a和209d。在下文中，下面可以主要更详细地描述图15和图19的实施例之间的差异，图19中的其他元件可以与上述实施例的其他元件相同或基本上相同(或相似)，使得可以不重复其冗余描述。
参照图19，根据本实施例的显示设备1可以包括坝部510和540。更详细地，显示设备1可以包括第一坝部510和第二坝部540。
凹槽G可以分别设置在显示区域DA与第一坝部510之间以及第一坝部510与第二坝部540之间。
第一坝部510可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。在实施例中，第一坝部510可以具有其中堆叠有第一有机绝缘层209的部分209a、第二有机绝缘层211的部分211a、第三有机绝缘层215的部分215a和第四有机绝缘层217的部分217a的结构。在另一实施例中，可以省略第一有机绝缘层209的部分209a、第二有机绝缘层211的部分211a、第三有机绝缘层215的部分215a和第四有机绝缘层217的部分217a之中的一个或更多个。
第二坝部540可以包括顺序地堆叠的多个子有机绝缘层。在实施例中，第二坝部540可以具有其中堆叠有第一有机绝缘层209的部分209d、第二有机绝缘层211的部分211d、第三有机绝缘层215的部分215d和第四有机绝缘层217的部分217d的结构。在另一实施例中，可以省略第一有机绝缘层209的部分209d、第二有机绝缘层211的部分211d、第三有机绝缘层215的部分215d和第四有机绝缘层217的部分217d之中的一个或更多个。
在根据本公开的一个或更多个实施例的显示设备中，可以防止或基本上防止由于第一区域中的以诸如湿气为例的外部杂质引起的对显示元件的损坏。
尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中能够进行各种修改。将理解的是，除非另外描述，否则每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他相似特征或方面。因此，对于本领域普通技术人员将明显的是，除非另外具体地指出，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，将理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且将不被解释为限于这里公开的具体的示例实施例，并且对所公开的示例实施例的各种修改以及其他示例实施例旨在包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。

Claims (30)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括第一区域、第二区域以及所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，所述第一区域具有通孔；
显示元件，位于所述第二区域处，所述显示元件包括像素电极、对电极以及所述像素电极与所述对电极之间的中间层，并且所述中间层包括至少一个有机材料层；
薄膜封装层，覆盖所述显示元件，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层以及所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；
第一坝部，位于所述第三区域处，所述第一坝部与所述第二区域相邻；
第二坝部，位于所述第三区域处，并且与所述第一坝部间隔开；以及
至少一个凹槽，位于所述第三区域处，
其中，所述中间层的所述至少一个有机材料层被所述至少一个凹槽断开，并且
其中，所述至少一个凹槽之中的凹槽在所述第一坝部与所述第二坝部之间，并且所述有机封装层的至少一部分在所述至少一个凹槽处。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括所述基底与所述对电极之间的多层膜，所述多层膜包括第一有机绝缘层、第二有机绝缘层以及所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间的金属层。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽在所述多层膜中。
4.根据权利要求2所述的显示设备，所述显示设备还包括像素电路，所述像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器，所述薄膜晶体管电连接到所述显示元件，
其中，接触金属层将所述显示元件和所述薄膜晶体管彼此连接，并且
其中，所述金属层和所述接触金属层包括彼此相同的材料。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个有机材料层包括从空穴传输层、空穴注入层、电子注入层和电子传输层之中选择的一个或更多个。
6.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽包括：
第一孔，穿透所述金属层；
第二孔，穿透所述第一有机绝缘层；以及
第三孔，穿透所述第二有机绝缘层。
7.根据权利要求2所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第三有机绝缘层，使所述像素电极至少部分地暴露；以及
第四有机绝缘层，位于所述第三有机绝缘层上，
其中，所述第一坝部包括从所述第一有机绝缘层、所述第二有机绝缘层、所述第三有机绝缘层和所述第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二坝部包括从所述第一有机绝缘层、所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层之中选择的至少一个。
9.根据权利要求8所述的显示设备，其中，所述第一坝部的上表面具有距所述基底的上表面的第一高度，所述第二坝部的上表面具有距所述基底的所述上表面的第二高度，并且所述第二高度小于或等于所述第一高度。
10.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二坝部包括从所述第一有机绝缘层、所述第二有机绝缘层、所述第三有机绝缘层和所述第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一坝部的上表面具有距所述基底的上表面的第一高度，所述第二坝部的上表面具有距所述基底的所述上表面的第三高度，并且所述第三高度小于或等于所述第一高度。
12.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述多层膜包括在所述第一有机绝缘层下面的至少一个下绝缘层，并且所述至少一个下绝缘层包括无机绝缘层。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽的底表面在所述基底的上表面与所述至少一个下绝缘层的上表面之间的虚拟表面处。
14.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述至少一个下绝缘层具有与所述至少一个凹槽叠置的开口。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一无机封装层和所述第二无机封装层在所述第一坝部的上表面上彼此接触。
16.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括在所述薄膜封装层上的输入感测层，所述输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述输入感测层包括：
第一绝缘层，位于所述薄膜封装层上；
第一导电层，位于所述第二区域处的所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，覆盖所述第一导电层；
第二导电层，位于所述第二区域处的所述第二绝缘层上；以及
第三绝缘层，覆盖所述第二导电层。
18.根据权利要求17所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层的至少一部分、所述第二绝缘层的至少一部分和所述第三绝缘层的至少一部分在所述第三区域处。
19.根据权利要求18所述的显示设备，所述显示设备还包括：
平坦化层，位于所述第三区域处，所述平坦化层在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；以及
覆盖层，位于所述第二绝缘层上。
20.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述至少一个凹槽具有底切结构。
21.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括第一区域、第二区域以及所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，所述第一区域具有通孔；
显示元件，位于所述第二区域处，所述显示元件包括像素电极、对电极以及所述像素电极与所述对电极之间的中间层，并且所述中间层包括至少一个有机材料层；
薄膜封装层，覆盖所述显示元件，并且包括第一无机封装层、第二无机封装层以及所述第一无机封装层与所述第二无机封装层之间的有机封装层；
第一坝部，位于所述第三区域处，所述第一坝部与所述第二区域相邻；
第二坝部，位于所述第三区域处，并且与所述第一坝部间隔开；以及
至少一个凹槽，位于所述第一坝部与所述第二坝部之间，
其中，所述中间层的所述至少一个有机材料层被所述至少一个凹槽断开，并且
所述有机封装层的至少一部分在所述第一坝部与所述第二坝部之间的所述至少一个凹槽中的与所述第一坝部相邻的凹槽中。
22.根据权利要求21所述的显示设备，所述显示设备还包括所述基底与所述对电极之间的多层膜，所述多层膜包括第一有机绝缘层、第二有机绝缘层和所述第一有机绝缘层与所述第二有机绝缘层之间的金属层，
其中，所述至少一个凹槽在所述多层膜中。
23.根据权利要求22所述的显示设备，所述显示设备还包括：
第三有机绝缘层，使所述像素电极至少部分地暴露；以及
第四有机绝缘层，位于所述第三有机绝缘层上，
其中，所述第一坝部包括从所述第一有机绝缘层、所述第二有机绝缘层、所述第三有机绝缘层和所述第四有机绝缘层之中选择的至少一个。
24.根据权利要求23所述的显示设备，所述显示设备还包括所述第一坝部与所述第二坝部之间的第一辅助坝部，
其中，所述第一辅助坝部包括所述第二有机绝缘层和所述第三有机绝缘层。
25.根据权利要求24所述的显示设备，其中，所述第一坝部的上表面具有距所述基底的上表面的第一高度，所述第一辅助坝部的上表面具有距所述基底的所述上表面的第二高度，并且所述第二高度小于或等于所述第一高度。
26.根据权利要求23所述的显示设备，其中，所述第一坝部的上表面具有距所述基底的上表面的第一高度，所述第二坝部的上表面具有距所述基底的所述上表面的第三高度，并且所述第三高度小于或等于所述第一高度。
27.根据权利要求21所述的显示设备，所述显示设备还包括所述薄膜封装层上的输入感测层，所述输入感测层包括绝缘层和至少一个导电层，所述至少一个导电层包括感测电极或迹线。
28.根据权利要求27所述的显示设备，其中，所述输入感测层包括：
第一绝缘层，位于所述薄膜封装层上；
第一导电层，位于所述第二区域处的所述第一绝缘层上；
第二绝缘层，覆盖所述第一导电层；
第二导电层，位于所述第二区域处的所述第二绝缘层上；以及
第三绝缘层，覆盖所述第二导电层。
29.根据权利要求28所述的显示设备，其中，所述第一绝缘层的至少一部分、所述第二绝缘层的至少一部分和所述第三绝缘层的至少一部分在所述第三区域处。
30.根据权利要求29所述的显示设备，所述显示设备还包括：
平坦化层，位于所述第三区域处，所述平坦化层在所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间；以及
覆盖层，位于所述第二绝缘层上。
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