CN109207920B - 掩模版 - Google Patents

掩模版 Download PDF

Info

Publication number
CN109207920B
CN109207920B CN201811338402.7A CN201811338402A CN109207920B CN 109207920 B CN109207920 B CN 109207920B CN 201811338402 A CN201811338402 A CN 201811338402A CN 109207920 B CN109207920 B CN 109207920B
Authority
CN
China
Prior art keywords
opening area
density opening
low
reticle
density
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811338402.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109207920A (zh
Inventor
白珊珊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201811338402.7A priority Critical patent/CN109207920B/zh
Publication of CN109207920A publication Critical patent/CN109207920A/zh
Priority to JP2020560749A priority patent/JP2022503355A/ja
Priority to US16/770,183 priority patent/US20210301386A1/en
Priority to PCT/CN2019/117513 priority patent/WO2020098645A1/zh
Priority to EP19884926.7A priority patent/EP3882369A4/en
Application granted granted Critical
Publication of CN109207920B publication Critical patent/CN109207920B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明提供一种掩模版，属于显示技术领域，其可至少部分解决现有的掩模版在划分低密度开口区和高密度开口区后，张网时难于精确控制图形开口的形状和位置的问题。本发明的掩模版包括至少一个图形区，每个图形区包括在沿掩模版的长度方向上相邻的低密度开口区和高密度开口区，每个低密度开口区和每个高密度开口区中均有多个贯通的图形开口，其中，在高密度开口区内图形开口的面积之和占高密度开口区总面积的比例大于在低密度开口区内图形开口的面积之和占低密度开口区总面积的比例，在低密度开口区的图形开口的间隙处，还设置有未贯通的补偿凹槽。

Description

掩模版
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种掩模版。
背景技术
在现有的一类“全面屏”显示装置中，以全面屏手机为例，其显示区被分为两个区域，靠近一端的显示区域内像素的面积占比较小，分辨率较低，这部分显示区域背面用来放置摄像头等传感器，更低的分辨率可以为这些传感器留出足够的透明区域；其余的大部分显示区域内像素的面积占比较大，分辨率也更高。
在制作这类显示装置中的显示基板时，常用的一类掩模版例如是精密金属掩模版。可以利用这类掩模版进行诸如蒸镀等的成膜工艺，从而在显示基板上形成像素的图案(例如是有机发光二极管的有机发光层的外形)。图1示出的是这类掩模版中一种图形开口13的形状和分布。图形开口13贯穿整个掩模版，从而蒸镀材料可以通过这些图形开口13到达显示基板。具体地，图1中示出的图形开口13对应的是红色有机发光二极管的有机发光层的形状。容易理解图1示出的是掩模版中的一个图形区，它用于形成一个显示基板(也称panel)上的图案，为形成两种分辨率的区域，每个图形区中具有两个区域(低密度开口区11和高密度开口区12)。
由于低密度开口区11和高密度开口区12中图形开口13的形状和分布都不一样，这导致在将掩模版展开拉平(也称张网)时，两个区域内掩模版的伸缩是不一致的，这极易导致张网后各个图形开口13的位置和形状不是预期的位置和形状，张网后图形开口13的精确控制难度加大。
发明内容
本发明至少部分解决现有的掩模版在分低密度开口区和高密度开口区后，张网时难于精确控制图形开口的形状和位置的问题，提供一种掩模版。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩模版，包括至少一个图形区，每个所述图形区包括在沿所述掩模版的长度方向上相邻的低密度开口区和高密度开口区，每个所述低密度开口区和每个所述高密度开口区中均有多个贯通的图形开口，其中，在所述高密度开口区内图形开口的面积之和占所述高密度开口区总面积的比例大于在所述低密度开口区内图形开口的面积之和占所述低密度开口区总面积的比例，在所述低密度开口区的图形开口的间隙处，还设置有未贯通的补偿凹槽。
可选地，所述低密度开口区中的图形开口具有长度方向，所述补偿凹槽具有长度方向，所述补偿凹槽的形状和长度方向与其所在低密度开口区中的图形开口的形状和长度方向均相同。
也即是不仅补偿凹槽的形状与低密度开口区中的图形开口相同，二者的长度方向也是相同(当然如果它们具有长度方向)。
可选地，至少部分所述补偿凹槽的中心设置在与其相邻的多个图形开口的中心构成的图形的中心。
可选地，在所述低密度开口区中的图形开口排成多行多列，至少部分所述补偿凹槽设置在所述低密度开口区中相邻行的图形开口之间，且设置在所述低密度开口区中相邻列的图形开口之间。
可选地，所述掩模版用于对在基板成膜过程中遮挡部分传向基板的成膜材料。
可选地，所述掩模版在未受沿其长度方向的外力时处于原始状态，所述掩模版在被沿其长度方向的外力拉伸平整时处于平整状态；所述掩模版在其长度方向上的不同位置处，所述掩模版在原始状态下的沿任意方向的尺寸与所述掩模版在平整状态下的沿该方向的尺寸的比为该位置处在该方向的伸缩比例；除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处与所述高密度开口区中任意位置处相比，二者在所述掩模版的长度方向和宽度方向的伸缩比例均不同。
可选地，除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例小于后者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例。
可选地，除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例大于后者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例。
可选地，所述掩模版还包括虚拟低密度开口区和位于所述掩模版长度方向两端的虚拟端部区，所述虚拟低密度开口区设置在距离所述低密度开口区更远的虚拟端部区和与该虚拟端部区最接近的高密度开口区之间，所述虚拟低密度开口区的形状与所述低密度开口区的形状相同。
可选地，所述虚拟低密度开口区以及与另一个虚拟端部区相邻的低密度开口区二者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例沿所述掩模版的长度方向呈线性变化关系。
可选地，所述掩模版具有两个沿所述掩模版的长度方向重复排列的所述图形区，除所述与另一个虚拟端部区相邻的低密度开口区，另一个低密度开口区在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例从其内的第一位置分别到相邻的两个高密度开口区的边界均呈线性变化关系。
附图说明
图1为现有的掩模版中低密度开口区和高密度开口区内图形开口的分布图；
图2为本发明的实施例的一种掩模版中虚拟低密度开口区的分布图；
图3为图2所示掩模版沿L线的剖面图；
图4为本发明的实施例的一种掩模版在张网前的尺寸示意图；
其中，附图标记为：11、低密度开口区；12、高密度开口区；13、图形开口；100、补偿凹槽；20、虚拟端部区；30、虚拟低密度开口区。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
本发明中，“掩模版的长度方向”指的是从掩模版被拉伸的方向，“掩模版的宽度方向”为与上述掩模版的长度方向相垂直的方向。
实施例1：
参见图2-图4，本实施例提供一种掩模版，包括至少一个图形区，每个图形区包括在沿掩模版的长度方向上相邻的低密度开口区11和高密度开口区12，每个低密度开口区11和每个高密度开口区12中均有多个贯通的图形开口13，其中，在高密度开口区12内图形开口13的面积之和占高密度开口区12总面积的比例大于在低密度开口区11内图形开口13的面积之和占低密度开口区11总面积的比例，在低密度开口区11的图形开口13的间隙处，还设置有未贯通的补偿凹槽100。
图2示出的是一个图形区的图形开口13的细节，图4示出的掩模版中具有两个图形区。沿掩模版的长度方向(图2和图4中的上下方向)相邻的低密度开口区11和高密度开口区12分别用于形成一个显示基板(panel)中的低分辨率显示区域内的图案和高分辨率显示区域内的图案。图形开口13的作用是使成膜材料通过图形开口13，从而可以根据图形开口13的形状在显示基板上形成对应成膜材料的外形。
低密度开口区11内的图形开口13的面积可以是与高密度开口区内的图形开口13的面积更大、或者二者面积相等，但低密度开口区11中单位面积内图形开口13的数量更小，即分辨率更低，保证低密度开口区11中可以留出更多的透明区域。更多的透明区域也就是相当于在诸如手机等显示设备中为摄像头等留出了更多的有效检测面积。
参见图2和图3，本发明提出在低密度开口区11中设置未贯通的补偿凹槽100。补偿凹槽100并非贯通的开口，从而补偿凹槽100仍能阻挡成膜材料。而由于补偿凹槽100的引入，使得低密度开口区11的机械强度与高密度开口区12的机械强度趋于接近，二者内的图形开口13在张网时伸缩的趋势更加接近，从而降低了张网时精确控制图形开口13的形状和位置的难度。
可选地，低密度开口区11中的图形开口13具有长度方向，补偿凹槽100具有长度方向，补偿凹槽100的形状和长度方向与其所在低密度开口区11中的图形开口13的形状和长度方向均相同。
参见图2，补偿凹槽100的长度方向是上下方向的，这与其所在低密度开口区11中的图形开口13的长度方向是相同的。
当然如果这里的图形开口13的长度方向是具有极性的，那么补偿凹槽100的长度方向的“朝向”也应该是和其所在低密度开口区11中的图形开口13的“朝向”是相同的。
如此，是为了使低密度开口区11内的机械结构的形状的分布更加均匀，从而有利于在张网时控制其内图案的形状。
可选地，参加图2，至少部分补偿凹槽100的中心设置在与其相邻的多个图形开口13的中心构成的图形的中心。
也即是补偿凹槽100位于其周围结构的质心位置处，如此设置的目的也是使低密度开口区11内的机械结构的形状分布更加均匀，从而有利于在张网时控制其内图案的形状。
可选地，参加图2，在低密度开口区11中的图形开口13排成多行多列，至少部分补偿凹槽100设置在低密度开口区11中相邻行的图形开口13之间，且设置在低密度开口区11中相邻列的图形开口13之间。
如此设置的目的也是使低密度开口区11内的机械结构的形状分布更加均匀，从而有利于在张网时控制其内图案的形状。
可选地，掩模版用于对在基板成膜过程中遮挡部分传向基板的成膜材料。
具体地，例如在蒸镀工艺中，掩模版中除图形开口13以外的区域阻挡成膜材料接触显示基板。
具体地，参加图3，设定图3中掩模版的下表面是正对基板的。那么补偿凹槽100可以设置掩模版的上表面、上下两个表面均开槽。当然，补偿凹槽100也可以是设置在掩模版的下表面的。只要这些补偿凹槽100没有贯通掩模版，就仍可以起到阻挡成膜材料接触基板的作用。
可选地，掩模版在未受沿其长度方向的外力时处于原始状态，掩模版在被沿其长度方向的外力拉伸平整时处于平整状态；掩模版在其长度方向上的不同位置处，掩模版在原始状态下的沿任意方向的尺寸与掩模版在平整状态下的沿该方向的尺寸的比为该位置处在该方向的伸缩比例；除了在低密度开口区和高密度开口区的交界处外，低密度开口区中任意位置处与高密度开口区中任意位置处相比，二者在掩模版的长度方向和宽度方向的伸缩比例均不同。
用掩模版完全展平(张网完成)后的各个尺寸作为参考标准，各自归一化为1，那么掩模版在张网前低密度开口区11内各种图案的尺寸的归一化值与高密度开口区12内各种图案的尺寸的归一化值是不一样的。
例如低密度开口区11内各图案在掩模版的宽度方向上的预扩与高密度开口区12内图案在掩模版的宽度方向的预扩的程度是不同的；低密度开口区11内图案在掩模版的长度度方向上的预缩与高密度开口区12内图案在掩模版的长度度方向的预缩的程度是不同的。
需要说明的是，由于掩模版各个位置在不同方向的预缩或预拉都应当是连续的，故在低密度开口区11和高密度开口区12的交界处，这些预缩的预缩量或预拉的拉伸量也是连续的。
如此设置是因为即使在低密度开口区11中设置了补偿凹槽100从而缩短了低密度开口区11与高密度开口区12的机械性能的差异，但二者的差异不可能被完全消除。从而依靠区别设置低密度开口区11和高密度开口区12中各种图案的尺寸的预缩程度或预扩量程度来弥补这些差异。如此，进一步有利于精确控制掩模版张网后各种图案的位置和形状。
可选地，除了在低密度开口区11和高密度开口区12的交界处外，低密度开口区11中任意位置处和高密度开口区12中任意位置处相比，前者在掩模版的宽度方向的伸缩比例小于后者在掩模版的宽度方向的伸缩比例。
也即是在掩模版的宽度方向上，低密度开口区11内图案的预缩程度是大于高密度开口区12内图案的预缩程度的。这是由于低密度开口区11的机械强度比高密度开口区12的机械强度更大，在展网时，低密度开口区11更不容易在掩模版的宽度方向上被压缩，为使张网后低密度开口区11的整体宽度与高密度开口区12的整体宽度相同，低密度开口区11在张网前的宽度应该更窄一些。
可选地，除了在低密度开口区11和高密度开口区12的交界处外，低密度开口区11中任意位置处和高密度开口区12中任意位置处相比，前者在掩模版的长度方向的伸缩比例大于后者在掩模版的长度方向的伸缩比例。
由于沿掩模版的长度方向上施加的拉力在掩模版的各个位置处都是相同的，低密度开口区11更不容易被沿掩模版的长度方向被“拉长”，从而在掩模版未张网时，应设计低密度开口区11在掩模版的长度方向上比高密度开口区12被预缩地更轻微一些。
可选地，掩模版还包括虚拟低密度开口区30和位于掩模版长度方向两端的虚拟端部区20，虚拟低密度开口区30设置在距离低密度开口区11更远的虚拟端部区20和与该虚拟端部区20最接近的高密度开口区12之间，虚拟低密度开口区30的形状与低密度开口区11的形状相同。
参见图4，设置虚拟低密度开口区30的目的是使掩模版是“上下对称”的。这种对称的结构有利于控制掩模版的形变。由于低密度开口区11内设置了补偿凹槽100，虚拟低密度开口区30中也应按照相同的方式进行补偿凹槽100的设置。
虚拟端部区20则主要是直接与拉伸机构(未示出)相接触。拉伸机构拉住两个虚拟端部区20，将掩模版拉平。
可选地，虚拟低密度开口区30以及与另一个虚拟端部区20相邻的低密度开口区11二者在掩模版的宽度方向的伸缩比例沿掩模版的长度方向呈线性变化关系。
参照图4，图4中的X方向为掩模版的宽度方向，Y方向为掩模版的长度方向。图4中标注的Y1和Y2为对应结构在Y方向的伸缩比例，X1、X2、X3为对应结构在X方向上的伸缩比例，其中，X1标注的是虚拟端部区20在X方向的伸缩比例，这个区域内整体图案在X方向的预拉伸程度是相同的；X2标注的是高密度开口区12在X方向的伸缩比例，这个区域内整体图案在X方向的预拉伸程度也是相同的；X3标注的是图4中从上到下第二个低密度开口区11的最窄位置处在X方向的伸缩比例。掩模版左侧的折线反应的是按照当前视角，掩模版在张网前其“左侧”的轮廓。
按照图4当前视角，如此设置也即是在张网前，虚拟低密度开口区30的左右边界为一条斜线；与虚拟低密度开口区30周边环境相同的那个低密度开口区11的左右边界也是一条斜线。
如此设置是因为本发明的发明人研究掩模版在张网时的位移云图发现在这两个区域内的收缩值是呈线性过渡的。当然，对这两个区域在宽度方向上的预扩也是线性过渡的。
可选地，掩模版具有两个沿掩模版的长度方向重复排列的图形区，除与另一个虚拟端部区20相邻的低密度开口区11，另一个低密度开口区11在掩模版的宽度方向的伸缩比例从其内的第一位置分别到相邻的两个高密度开口区12的边界均呈线性变化关系。
也就掩模版具有两个图形区时，除了最端部的图形区外，另一个图形区内低密度开口区11在掩模版的宽度方向的伸缩比例也是线性过渡的。如果掩模版的形状是严格的上下对称的，那么另一个图形区的低密度开口区11的中心恰好位于掩模版长度方向的中间位置，从这个中心到掩模版的长度方向的两端的方向，掩模版在宽度方向的预扩是线性增加的，也就得到了上述的变化规律。当然，如果掩模版的形状如果不是严格上下对称的，前述的第一位置相对于这个中心会有一定的偏移。
以下为一个具体的掩模版在其长度方向和宽度方向上预缩和预扩的参数设定。结合图4，其中，X1＝1.00005，X2＝1.0001，X3＝1.00007，Y1＝0.9998，Y2＝0.9999。对于不同的掩模版，具体数值的选取各有不同。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种掩模版，包括至少一个图形区，每个所述图形区包括在沿所述掩模版的长度方向上相邻的低密度开口区和高密度开口区，每个所述低密度开口区和每个所述高密度开口区中均有多个贯通的图形开口，其中，在所述高密度开口区内图形开口的面积之和占所述高密度开口区总面积的比例大于在所述低密度开口区内图形开口的面积之和占所述低密度开口区总面积的比例，其特征在于，在所述低密度开口区的图形开口的间隙处，还设置有未贯通的补偿凹槽，所述补偿凹槽与任一所述图形开口间隔设置。
2.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述低密度开口区中的图形开口具有长度方向，所述补偿凹槽具有长度方向，所述补偿凹槽的形状与其所在低密度开口区中的图形开口的形状相同，所述补偿凹槽的长度方向与其所在低密度开口区中的图形开口的长度方向均相同。
3.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，至少部分所述补偿凹槽的中心设置在与其相邻的多个图形开口的中心构成的图形的中心。
4.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，在所述低密度开口区中的图形开口排成多行多列，至少部分所述补偿凹槽设置在所述低密度开口区中相邻行的图形开口之间，且设置在所述低密度开口区中相邻列的图形开口之间。
5.根据权利要求1所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版用于对在基板成膜过程中遮挡部分传向基板的成膜材料。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版在未受沿其长度方向的外力时处于原始状态，所述掩模版在被沿其长度方向的外力拉伸平整时处于平整状态；
所述掩模版在其长度方向上的不同位置处，所述掩模版在原始状态下的沿任意方向的尺寸与所述掩模版在平整状态下的沿该方向的尺寸的比为该位置处在该方向的伸缩比例；
除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处与所述高密度开口区中任意位置处相比，二者在所述掩模版的长度方向和宽度方向的伸缩比例均不同。
7.根据权利要求6所述的掩模版，其特征在于，
除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例小于后者在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例。
8.根据权利要求7所述的掩模版，其特征在于，除了在所述低密度开口区和所述高密度开口区的交界处外，所述低密度开口区中任意位置处和所述高密度开口区中任意位置处相比，前者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例大于后者在所述掩模版的长度方向的伸缩比例。
9.根据权利要求8所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版还包括虚拟低密度开口区和位于所述掩模版长度方向两端的虚拟端部区，其中一个虚拟端部区与低密度开口区直接连接，另一个虚拟端部区与所述虚拟低密度开口区直接连接，所述虚拟低密度开口区位于其所连接的虚拟端部区以及与该虚拟端部区最近的高密度开口区之间，所述虚拟低密度开口区的形状与所述低密度开口区的形状相同。
10.根据权利要求9所述的掩模版，其特征在于，所述虚拟低密度开口区在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例沿所述掩模版的长度方向呈线性变化关系；
与一个虚拟端部区直接连接的低密度开口区在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例沿所述掩模版的长度方向呈线性变化关系。
11.根据权利要求10所述的掩模版，其特征在于，所述掩模版具有两个沿所述掩模版的长度方向重复排列的所述图形区；
位于两个高密度开口区之间的低密度开口区，其在所述掩模版的宽度方向的伸缩比例从其内的第一位置分别到相邻的两个高密度开口区的边界均呈线性变化关系。
CN201811338402.7A 2018-11-12 2018-11-12 掩模版 Active CN109207920B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811338402.7A CN109207920B (zh) 2018-11-12 2018-11-12 掩模版
JP2020560749A JP2022503355A (ja) 2018-11-12 2019-11-12 マスクプレートおよびその製造方法
US16/770,183 US20210301386A1 (en) 2018-11-12 2019-11-12 Mask plate and manufacturing method thereof
PCT/CN2019/117513 WO2020098645A1 (zh) 2018-11-12 2019-11-12 掩膜板及其制造方法
EP19884926.7A EP3882369A4 (en) 2018-11-12 2019-11-12 MASK AND ITS MANUFACTURING METHOD

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811338402.7A CN109207920B (zh) 2018-11-12 2018-11-12 掩模版

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109207920A CN109207920A (zh) 2019-01-15
CN109207920B true CN109207920B (zh) 2021-02-09

Family

ID=64995490

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811338402.7A Active CN109207920B (zh) 2018-11-12 2018-11-12 掩模版

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210301386A1 (zh)
EP (1) EP3882369A4 (zh)
JP (1) JP2022503355A (zh)
CN (1) CN109207920B (zh)
WO (1) WO2020098645A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109207920B (zh) * 2018-11-12 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 掩模版
CN109487206B (zh) * 2018-12-11 2020-08-11 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 掩膜版及采用该掩膜版的掩膜装置
CN110764362B (zh) * 2019-01-31 2020-12-29 昆山国显光电有限公司 掩膜条、阵列基板、显示屏及显示装置
CN110760790A (zh) * 2019-02-28 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及掩膜组件
CN110760791A (zh) * 2019-02-28 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 掩膜板及掩膜组件
WO2020219267A1 (en) * 2019-04-23 2020-10-29 Apple Inc. Methods and configurations for improving the performance of sensors under a display
CN210916231U (zh) * 2019-10-18 2020-07-03 昆山国显光电有限公司 一种掩膜版
KR20210054644A (ko) * 2019-11-05 2021-05-14 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조장치, 및 표시 장치의 제조방법
US11805678B2 (en) 2019-11-21 2023-10-31 Samsung Display Co., Ltd. Display device, mask assembly, method of manufacturing the mask assembly, apparatus for manufacturing the display device, and method of manufacturing the display device
CN113471136A (zh) * 2020-03-30 2021-10-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及形成方法
KR20210138210A (ko) 2020-05-11 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 검사 장치 및 이를 이용한 마스크 검사 방법
KR20210142030A (ko) * 2020-05-14 2021-11-24 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN112662994B (zh) * 2020-12-04 2023-04-25 合肥维信诺科技有限公司 掩膜版及其制备方法
CN114107895A (zh) * 2021-11-26 2022-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种精细金属掩膜板及有机电致发光显示面板

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269837A (zh) * 2018-01-23 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、掩膜板及制作方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3878904B2 (ja) * 2002-10-29 2007-02-07 京セラ株式会社 スクリーン印刷用マスク及びそれを用いた電子部品の製造方法
JP5262226B2 (ja) * 2007-08-24 2013-08-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
KR101897481B1 (ko) * 2010-11-04 2018-09-12 루미리즈 홀딩 비.브이. 결정학적으로 이완된 구조에 기초한 고체 상태 발광 디바이스
NO334241B1 (no) * 2011-05-18 2014-01-20 Aker Subsea As Koblingsanordning
CN103205687B (zh) * 2012-01-16 2016-03-02 昆山允升吉光电科技有限公司 蒸镀掩模板及其制作方法
JP2014194062A (ja) * 2013-03-29 2014-10-09 Sony Corp マスクフレームユニット、マスク装置及び処理方法
KR102160695B1 (ko) * 2013-05-10 2020-09-29 삼성디스플레이 주식회사 마스크
KR102106336B1 (ko) * 2013-07-08 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크
KR102237428B1 (ko) * 2014-02-14 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
CN204434717U (zh) * 2014-12-05 2015-07-01 信利（惠州）智能显示有限公司 一种掩膜板
KR102404576B1 (ko) * 2015-04-24 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
TWI550108B (zh) * 2015-04-28 2016-09-21 友達光電股份有限公司 遮罩
CN105803389B (zh) * 2016-05-18 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
CN106294935B (zh) * 2016-07-28 2019-08-20 上海华力微电子有限公司 一种基于图形密度的工艺模型建模与修正方法
KR102632617B1 (ko) * 2016-08-08 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치, 이를 이용한 표시 장치의 제조방법 및 표시 장치
KR102642345B1 (ko) * 2016-09-06 2024-02-29 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크
WO2018139822A1 (ko) * 2017-01-24 2018-08-02 주식회사 다원시스 반도체 도너 기판과, 반도체 도너 기판의 제조 방법과, 유기 발광 장치의 제조 방법 및 도너 기판 모듈
CN108666420B (zh) * 2017-03-27 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法
CN107740065B (zh) * 2017-09-26 2020-03-31 京东方科技集团股份有限公司 一种掩模版及其成膜方法、成膜设备
CN107435131B (zh) * 2017-09-29 2019-08-02 上海天马微电子有限公司 掩膜装置、蒸镀设备以及掩膜装置制备方法
CN107885030B (zh) * 2017-12-01 2021-02-26 信利（惠州）智能显示有限公司 掩膜板
CN208013662U (zh) * 2018-03-30 2018-10-26 昆山国显光电有限公司 显示面板及制作显示面板用掩模板
CN108642440B (zh) * 2018-05-14 2019-09-17 昆山国显光电有限公司 掩膜板及掩膜组件
CN109207920B (zh) * 2018-11-12 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 掩模版

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108269837A (zh) * 2018-01-23 2018-07-10 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光显示面板、掩膜板及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP3882369A4 (en) 2022-08-10
CN109207920A (zh) 2019-01-15
EP3882369A1 (en) 2021-09-22
WO2020098645A9 (zh) 2020-12-30
WO2020098645A1 (zh) 2020-05-22
JP2022503355A (ja) 2022-01-12
US20210301386A1 (en) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109207920B (zh) 掩模版
TWI728777B (zh) 顯示面板
CN108866476B (zh) 掩膜版及其制作方法、蒸镀方法、显示屏
CN110620129B (zh) 显示基板、其驱动方法、显示装置及高精度金属掩模板
EP4123714A1 (en) Pixel arrangement optimization method, light-transmitting display panel, and display panel
CN110838505B (zh) 显示结构和显示装置
KR20220038308A (ko) 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
CN110783498B (zh) 一种掩膜板组件及其制备方法、电致发光显示面板
CN109487206B (zh) 掩膜版及采用该掩膜版的掩膜装置
KR20120105292A (ko) 증착 마스크 및 증착 마스크 제조 방법
CN105789223B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
KR102373442B1 (ko) 박막증착용 마스크와, 이의 제조방법
CN109509779B (zh) 一种像素排布、包含其的有机发光显示面板及显示装置
US20210399255A1 (en) Array substrate, display panel and display apparat
CN109554664A (zh) 一种掩膜板
CN110055493B (zh) 蒸镀用的精密金属掩膜版及其组件
KR20220140461A (ko) 금속판, 증착용마스크 및 이를 이용한 oled 패널
CN107316888A (zh) 一种基板和显示装置
CN110993662A (zh) 一种显示面板及掩膜板
CN112114493A (zh) Oled显示基板
CN106773259A (zh) 一种彩膜基板及其制备方法、显示装置
CN108363270B (zh) 一种相移掩模板、阵列基板、其制备方法及显示装置
WO2022022072A1 (zh) 显示基板、显示面板及显示装置
CN110098232A (zh) Oled显示面板
WO2019184911A1 (zh) 柔性显示面板及其制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant