CN210916231U - 一种掩膜版 - Google Patents

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Abstract

本实用新型实施例公开了一种掩膜版。该掩膜版包括：多个开口区和围绕所述开口区的遮挡区；所述遮挡区设置有多个凹槽，多个所述凹槽相对多个所述开口区的对称线对称。本实用新型实施例的方案提高了掩膜版开孔位置精度，从而提高了显示面板的制作精度。

Description

一种掩膜版
技术领域
本实用新型实施例涉及显示技术，尤其涉及一种掩膜版。
背景技术
随着显示技术的发展，有机发光显示面板因其高响应幅度，高色纯度，宽视角、可折叠性、低能耗等优点而得到越来越广泛的应用。
有机发光显示面板制作时大多会采用蒸镀技术，将有机材料蒸镀至显示基板上，形成有机发光层。而这一过程需要用到掩模版，然而采用现有的掩膜版存在开孔位置偏位的问题，容易影响显示面板的制作精度。
实用新型内容
本实用新型提供一种掩膜版，以提高掩膜版开孔位置精度，从而提高显示面板的制作精度。
第一方面，本实用新型实施例提供了一种掩膜版，包括：
多个开口区和围绕所述开口区的遮挡区；
所述遮挡区设置有多个凹槽，多个所述凹槽相对所述多个开口区的对称线对称。
可选的，所述遮挡区包括第一遮挡区和第二遮挡区，所述第一遮挡区为相邻所述开口区之间的遮挡区，所述第二遮挡区为所述开口区与所述掩膜版的边缘之间的遮挡区；
所述第一遮挡区和所述第二遮挡区均设置有多个凹槽。
可选的，在所述第一遮挡区，沿一个开口区指向另一开口区的方向，凹槽的开口尺寸、凹槽深度和凹槽坡度中的至少一个由大变小再变大；
在所述第二遮挡区，沿所述开口区指向所述掩膜版的边缘的方向，凹槽的开口尺寸、凹槽深度和凹槽坡度中的至少一个由大变小。
可选的，在所述第一遮挡区，沿一个开口区指向另一开口区的方向，凹槽间距由小变大再变小；
在所述第二遮挡区，沿所述开口区指向所述掩膜版的边缘的方向，凹槽间距的由小变大。
可选的，所述掩膜版包括相对设置的第一表面和第二表面；
在所述遮挡区，所述第一表面设置有多个第一凹槽，和/或，所述第二表面设置有多个第二凹槽。
可选的，所述第一凹槽和所述第二凹槽交替设置，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述掩膜版的垂直投影不交叠。
可选的，凹槽的深度小于或等于所述掩膜版厚度的五分之四；
所述开口区包括多个像素开口，所述凹槽的开口尺寸小于或等于所述像素开口的开口尺寸；
凹槽间距大于或等于所述像素开口的开口间距；
凹槽坡度小于或等于所述像素开口的开口坡度。
可选的，所述多个开口区包括至少两条对称线，多个所述凹槽相对所述多个开口区的任意所述对称线对称。
可选的，所述凹槽垂直所述掩膜版的截面的形状为梯形或矩形。
可选的，所述掩膜版为精密金属掩膜版。
本实用新型实施例通过在遮挡区设置多个凹槽，可以减小开口区与遮挡区之间的强度差异，平衡开口区与遮挡区之间的受力，且通过设置多个凹槽相对于多个所述开口区的对称线对称，使得掩膜版的凹槽分布较为均匀，整个掩膜版的应力分布更为均匀，可以减小张网焊接时掩膜版的形变，从而提高掩膜版开口区边界位置的像素开口的位置精度，提高显示面板的制作精度。
附图说明
图1是本实用新型实施例提供的一种掩膜版的示意图；
图2是本实用新型实施例提供的图1中掩膜版沿剖面AA的剖面示意图；
图3是本实用新型实施例提供的图1中掩膜版沿剖面BB的剖面示意图；
图4是本实用新型实施例提供的另一种掩膜版的剖面示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本实用新型，而非对本实用新型的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本实用新型相关的部分而非全部结构。
正如背景技术中提到的，现有的掩膜版存在开孔位置偏位，影响显示面板的制作精度的问题。发明人经过研究发现出现这种问题的原因在于：掩膜版本质是具有许多极小通孔的金属薄片，蒸镀时有机材料经加热后上升，通过掩膜版通孔的有机材料便会蒸镀到相应位置上，因此掩膜版上通孔的位置精度决定了蒸镀材料的位置精度。现有的掩膜版在蒸镀前会张网焊接到掩膜框架上，在张网焊接前，会对掩膜版施加一定的拉力，以防止掩膜版下垂过大，但由于掩膜版开口区的全刻通孔与遮挡区的不刻金属薄片存在强度差异，导致开口区与遮挡区受力不均，使得张网焊接后掩膜版发生形变，从而导致开口区边界开孔位置偏位，导致有机材料的蒸镀位置偏位，从而影响显示面板的制作精度。
基于上述问题，本实施例提供了一种掩膜版，图1是本实用新型实施例提供的一种掩膜版的示意图，参考图1，掩膜版包括：
多个开口区10和围绕开口区10的遮挡区20；
遮挡区20设置有多个凹槽30，多个凹槽30相对多个开口区10的对称线40对称。
其中，开口区10对应显示面板的显示区，每一开口区10设置有多个像素开口(图中并未示出)，蒸镀材料通过像素开口蒸镀到显示基板上相应的像素位置。遮挡区20即蒸镀材料无法通过的区域。掩膜版可以采用电铸和/或刻蚀工艺，相应的多个凹槽30也可以采用电铸和/或刻蚀工艺在形成，其中刻蚀工艺可以包括化学刻蚀和激光刻蚀。
本实施例通过在遮挡区20设置多个凹槽30，可以减小开口区10与遮挡区20之间的强度差异，平衡开口区10与遮挡区20之间的受力，且通过设置多个凹槽30相对于多个开口区10的对称线40对称，使得掩膜版的凹槽30分布较为均匀，整个掩膜版的应力分布更为均匀，可以减小张网焊接时掩膜版的形变，从而提高掩膜版开口区10边界位置的像素开口的位置精度，提高显示面板的制作精度。
需要说明的是，图1中仅示例性的示出了凹槽30的个数、形状和位置，并示例性的示出了对称线40的个数和位置，并非对本实用新型的限定，凹槽30的个数、形状和位置可以根据需要设置，多个开口区10可以包括一条或多条对称线40。
可选的，多个开口区10包括至少两条对称线40，多个凹槽30相对多个开口区10的任意对称线40对称。
这样设置，使得掩膜版的凹槽30分布更为均匀，整个掩膜版的应力分布更为均匀，进一步减小张网焊接时掩膜版的形变，提高掩膜版开口区10边界位置的像素开口的位置精度，提高显示面板的制作精度。
此外，掩膜版可以为普通掩膜版也可以为精密金属掩膜版。可选的，掩膜版为精密金属掩膜版。
可选的，参考图1，遮挡区20包括第一遮挡区21和第二遮挡区22，第一遮挡区21为相邻开口区10之间的遮挡区，第二遮挡区22为开口区10与掩膜版的边缘之间的遮挡区；第一遮挡区21和第二遮挡区22均设置有多个凹槽30。
具体的，通过在第一遮挡区21和第二遮挡区22均设置多个凹槽30，不仅可以减小开口区10之间的遮挡区20与开口区10的强度差异，还可以减小开口区10和掩膜版边缘之间的遮挡区20与开口区10的强度差异，即可以减小开口区10与掩膜版所有遮挡区20的强度差异，进一步平衡开口区10与遮挡区20之间的受力，使得整个掩膜版的应力分布更为均匀，进一步减小张网焊接时掩膜版的形变。此外还可以减小掩膜版的重量，进一步减小张网焊接时掩膜版的形变。
图2是本实用新型实施例提供的图1中掩膜版沿剖面AA的剖面示意图，可选的，参考图2，在第一遮挡区21，沿一个开口区10指向另一开口区10的方向，凹槽30的开口尺寸D、凹槽深度H和凹槽坡度a中的至少一个由大变小再变大。
其中，凹槽30的开口尺寸D即凹槽30沿平行于掩膜版表面方向的最大尺寸，示例性的可以为凹槽30在掩膜版表面所在平面的最大尺寸。凹槽坡度a即凹槽30的侧表面与底面的夹角。凹槽深度H即凹槽30在掩膜版厚度方向的尺寸。
通过设置第一遮挡区21中，沿一个开口区10指向另一开口区10的方向，凹槽30的开口尺寸D、凹槽深度H和凹槽坡度a中的至少一个由大变小再变大，可以避免第一遮挡区21中多个凹槽30占用的面积、深度或坡度太大，导致第一遮挡区21的结构强度太小，同时可以避免多个凹槽30占用的面积、深度或坡度等太小，与开口区10的像素开口的尺寸、深度或坡度等相差太大，对第一遮挡区21与开口区10的平衡作用太小，使得第一遮挡区21向位于其两侧的开口区10均均匀过渡，较好的减小开口区10与第一遮挡区21的强度差异，使得应力分布更为均匀，减小张网焊接时掩膜版的形变。
具体的，可以以第一遮挡区21中距离其相邻的两开口区10相等的中线为分界线，由一个开口区10指向中线的方向，凹槽30的开口尺寸D、凹槽深度H和凹槽坡度a中的至少一个由大变小。由中线指向另一开口区10的方向，凹槽30的开口尺寸D、凹槽深度H和凹槽坡度a中的至少一个由小变大。
可选的，参考图2，在第一遮挡区21，沿一个开口区10指向另一开口区10的方向，凹槽间距L由小变大再变小。这样设置，进一步使得第一遮挡区21向位于其两侧的开口区10均匀过渡，较好的减小开口区10与第一遮挡区21的强度差异，使得应力分布更为均匀，减小张网焊接时掩膜版的形变。
此外，需要说明的是，凹槽间距L即相邻凹槽30的中心之间的距离。
图3是本实用新型实施例提供的图1中掩膜版沿剖面BB的剖面示意图，可选的，参考图3，在第二遮挡区22，沿开口区10指向掩膜版的边缘的方向，凹槽30的开口尺寸D、凹槽深度H和凹槽坡度a中的至少一个由大变小。在第二遮挡区22，沿开口区10指向掩膜版的边缘的方向，凹槽间距L的由小变大。
这样设置，使得开口区10向掩膜版的边缘第二遮挡区22的形状过渡更为平缓，使得应力分布更为均匀，进一步减小张网时掩膜版的形变。
图4是本实用新型实施例提供的另一种掩膜版的剖面示意图，可选的，可选的，参考图4，掩膜版包括相对设置的第一表面51和第二表面52；
在遮挡区20，第一表面51设置有多个第一凹槽31，和/或，第二表面52设置有多个第二凹槽32。
其中，在形成开口区10中的像素开口11时，通常通过在第一表面51刻蚀形成第三凹槽，在第二表面52刻蚀形成第四凹槽，第三凹槽与第四凹槽一一对应，一组第三凹槽和第四凹槽贯穿掩膜版形成一个像素开口11。
具体的，第一凹槽31可以与第一表面51的第三凹槽采用同一掩膜版在同一工艺中形成，第二凹槽32可以与第二表面52的第四凹槽采用同一掩膜版在同一工艺中形成，因此在第一表面51设置第一凹槽31和在第二表面52设置第二凹槽32均不会增加掩膜版的数量，保证了掩膜版制作时具有较低的成本。当只在第一表面51或只在第二表面52形成凹槽时，只需改变一个掩膜版(形成第三凹槽时采用的掩膜版或形成第四凹槽时采用的掩膜版)的开口数量，在减小开口区10与遮挡区20的强度差异的同时，可进一步降低成本。
此外，由于像素开口为通孔形式，当在第一表面51和第二表面52均形成凹槽时，可以同时较好的平衡第一表面51上遮挡区20与开口区10的强度差异以及第二表面52上遮挡区20与开口区10的强度差异，使得第一表面51和第二表面52上的应力分布均较均匀，进一步减小张网时掩膜版的形变。
需要说明的是，第一表面51可以为掩膜版的玻璃面，即掩膜版面向待蒸镀显示基板的表面，第二表面52可以为蒸镀面，即掩膜版面向蒸镀源的表面。
可选的，第一凹槽31和第二凹槽32交替设置，且第一凹槽31和第二凹槽32在掩膜版的垂直投影不交叠。
具体的，第一凹槽31和第二凹槽32交替设置使得第一表面51和第二表面52的凹槽分布类似，可保证第一表面51和第二表面52的强度差异较小，保证整个掩膜版应力分布更为均匀。此外由于第一凹槽31与第二凹槽32的交叠位置掩膜版厚度较薄，其强度较弱，容易应力集中，通过设置第一凹槽31和第二凹槽32在掩膜版的垂直投影不交叠，可避免应力集中，保证掩膜版具有较高的结构强度。
可选的，凹槽深度H小于或等于掩膜版厚度的五分之四；
开口区10包括多个像素开口11，凹槽的开口尺寸D小于或等于像素开口11的开口尺寸；
凹槽间距L大于或等于像素开口11的开口间距；
凹槽坡度a小于或等于像素开口11的开口坡度。
这样设置，可以避免遮挡区20凹槽占用的面积、深度或坡度太大，以及凹槽间距L过小导致遮挡区20的结构强度太小，保证掩膜版具有较高的结构强度，同时可以较好平衡的对遮挡区20与开口区10的强度差异，使得应力分散较为均匀，减小张网时掩膜版的形变。
需要说明的是，凹槽深度H、凹槽的开口尺寸D、凹槽间距L以及凹槽坡度a可以根据掩膜版应力分布需求设定，示例性的，凹槽深度H可以设置为小于或等于掩膜版厚度的三分之二或二分之一等。
可选的，凹槽垂直掩膜版的截面的形状为梯形或矩形。
具体的，凹槽垂直掩膜版的截面形状可以根据开口区10中像素开口11的垂直掩膜版的截面形状设定，凹槽30的垂直掩膜版的截面的形状可以与开口区10中像素开口11垂直掩膜版的截面的形状相同，以较好的减小遮挡区20与开口区10的强度差异。示例性的，设置于第一表面51的第一凹槽31的垂直掩膜版的截面的形状可以与像素开口11垂直掩膜版的截面在第一表面51侧的形状相同，设置于第二表面52的第二凹槽32垂直掩膜版的截面的形状可以与像素开口11垂直掩膜版的截面在第二表面52侧的形状相同，即第一凹槽31可以与第三凹槽垂直掩膜版的截面的形状相同，第二凹槽32可以与第四凹槽垂直掩膜版的截面的形状相同。
此外，凹槽平行于第一表面51或第二表面52的截面形状可以与像素开口11平行于第一表面51或第二表面52的截面形状相同或不同，本实施例并不做具体限定，可以根据具体的应力分布要求进行设定，示例性的凹槽平行于第一表面51或第二表面52的截面形状可以为圆形、长方形或正方形等。
注意，上述仅为本实用新型的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本实用新型不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本实用新型的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本实用新型进行了较为详细的说明，但是本实用新型不仅仅限于以上实施例，在不脱离本实用新型构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本实用新型的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括：
多个开口区和围绕所述开口区的遮挡区；
所述遮挡区设置有多个凹槽，多个所述凹槽相对多个所述开口区的对称线对称。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
所述遮挡区包括第一遮挡区和第二遮挡区，所述第一遮挡区为相邻所述开口区之间的遮挡区，所述第二遮挡区为所述开口区与所述掩膜版的边缘之间的遮挡区；
所述第一遮挡区和所述第二遮挡区均设置有多个凹槽。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于：
在所述第一遮挡区，沿一个开口区指向另一开口区的方向，凹槽的开口尺寸、凹槽深度和凹槽坡度中的至少一个由大变小再变大；
在所述第二遮挡区，沿所述开口区指向所述掩膜版的边缘的方向，凹槽的开口尺寸、凹槽深度和凹槽坡度中的至少一个由大变小。
4.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于：
在所述第一遮挡区，沿一个开口区指向另一开口区的方向，凹槽间距由小变大再变小；
在所述第二遮挡区，沿所述开口区指向所述掩膜版的边缘的方向，凹槽间距的由小变大。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
所述掩膜版包括相对设置的第一表面和第二表面；
在所述遮挡区，所述第一表面设置有多个第一凹槽，和/或，所述第二表面设置有多个第二凹槽。
6.根据权利要求5所述的掩膜版，其特征在于：
所述第一凹槽和所述第二凹槽交替设置，且所述第一凹槽和所述第二凹槽在所述掩膜版的垂直投影不交叠。
7.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
凹槽的深度小于或等于所述掩膜版厚度的五分之四；
所述开口区包括多个像素开口，所述凹槽的开口尺寸小于或等于所述像素开口的开口尺寸；
凹槽间距大于或等于所述像素开口的开口间距；
凹槽坡度小于或等于所述像素开口的开口坡度。
8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
所述多个开口区包括至少两条对称线，多个所述凹槽相对所述多个开口区的任意所述对称线对称。
9.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
所述凹槽垂直所述掩膜版的截面的形状为梯形或矩形。
10.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：
所述掩膜版为精密金属掩膜版。
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