CN112662994A - 掩膜版及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明实施例公开了一种掩膜版及其制备方法，该掩膜版包括开口区和围绕开口区设置的遮挡区，遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个半刻蚀结构围绕所述开口区设置，半刻蚀结构用于在掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低掩膜版在第二方向上的内缩量。本发明实施例提供的技术方案通过在遮挡区设置半刻蚀结构，使得掩膜版在进行拉伸时，可抵消拉力在掩膜版的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版在非拉伸方向的内缩量。由于掩膜版在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，将掩膜版焊接在框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

Description

掩膜版及其制备方法

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜版及其制备方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、宽视角等特点，逐渐成为显示领域的主流。

OLED显示面板通常采用掩膜版来蒸镀膜层材料，在利用掩膜版进行蒸镀之前，需要对掩膜版的精度进行模拟补偿。然而在现有技术中，掩膜版的模拟补偿准确度较低，并且在掩膜版张紧过程中容易出现拉伸褶皱的风险，从而影响产品的良率。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜版及其制备方法，以改善掩膜版的模拟补偿值不准确、容易出现拉伸褶皱的现象。

第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜版，包括开口区和围绕所述开口区设置的遮挡区，所述遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述半刻蚀结构用于在所述掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低所述掩膜版在第二方向上的内缩量；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉。

可选地，所述半刻蚀结构沿相邻所述开口区之间的遮挡区的中线排布。

可选地，所述半刻蚀结构为一字型，沿所述第一方向延伸的所述半刻蚀结构和沿所述第二方向延伸的所述半刻蚀结构间隔排布。

可选地，所述一字型的所述半刻蚀结构的延伸长度大于所述开口区的长度。

可选地，所述一字型的所述半刻蚀结构的一端与一所述开口区的中线对齐，另一端与相邻的所述开口区的中线对齐。

可选地，所述半刻蚀结构为工字型，所述半刻蚀结构包括沿所述第一方向延伸的第一半刻蚀部，和沿所述第二方向延伸的第二半刻蚀部，所述第一半刻蚀部和所述第二半刻蚀部为一体结构。

可选地，所述第一半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离，所述第二半刻蚀部至少横跨两个所述开口区；或所述第一半刻蚀部至少横跨两个所述开口区，所述第二半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离。

可选地，所述半刻蚀结构的深度小于或等于所述掩膜版的厚度的二分之一。

第二方面，本发明实施例还提供了一种掩膜版的制备方法，所述掩膜版的制备方法包括：

提供基材；

在所述基材的一面形成开口区的蒸镀面图形；

刻蚀所述基材上所述蒸镀面图形所在一面的背面，在所述开口区形成像素通孔，以及在遮挡区形成多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述遮挡区围绕所述开口区设置。

可选地，所述蒸镀面图形的刻蚀深度小于所述基材的厚度。

本发明实施例提供的技术方案，通过在遮挡区设置多个半刻蚀结构，使得每一开口区的四周均存在对应的半刻蚀结构，可以使得掩膜版在进行拉伸时，通过半刻蚀结构改变拉力的传递方向，与拉伸方向平行设置的半刻蚀结构同样发生内缩，而与拉伸方向垂直设置的半刻蚀结构发生外扩，因此在两个相互垂直方向上的半刻蚀结构的作用下，内缩力和外扩力的反作用力会使得半刻蚀结构产生外扩的形变，从而使得开口区产生外扩的趋势，进而可以抵消拉力在掩膜版的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版在非拉伸方向的内缩量。在对掩膜版进行模拟补偿时，由于掩膜版在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，在将掩膜版焊接在掩膜框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，进而提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

附图说明

图1为现有技术中的掩膜版内缩示意图；

图2为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图；

图3为图2所示掩膜版沿剖面线AA’的剖面结构示意图；

图4为图2所示掩膜版沿剖面线BB’的剖面结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种掩膜版的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种具有不同半刻蚀结构的掩膜版内缩量的曲线图；

图7为本发明实施例所提供的一种掩膜版的制备方法的流程图；

图8-图16为对应掩膜版制备方法的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如背景技术所述，OLED显示面板包括多个子像素，每一个子像素包括阳极、发光层和阴极，现有技术中通常采用掩膜版，如精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)，来蒸镀发光层中的有机材料。图1为现有技术中的掩膜版内缩示意图，在进行蒸镀时，需要将掩膜版焊接在框架上形成蒸镀组件使用，然而在形成蒸镀组件过程中，需要对掩膜版进行张网拉伸操作，如图1所示，掩膜版受到拉力的作用会在非拉伸方向(X方向)上发生内缩，使得掩膜版边缘位置出现偏移，从而在蒸镀有机层时容易造成相邻像素出现混色，影响显示效果。因此在蒸镀有机材料前，需对掩膜版进行模拟补偿，如采用仿真模拟的方式确定在掩膜版非拉伸方向上施加的作用力，以抵消位置偏移。如果掩膜版在非拉伸方向上的内缩量较大，则会降低模拟补偿值的准确度，同时还会造成掩膜版拉伸褶皱的风险，大大降低了产品的良率。

基于上述原因，本发明实施例提供一种掩膜版，图2为本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，参考图2，该掩膜版10包括开口区101和围绕开口区101设置的遮挡区102，每个开口区101对应蒸镀一个子像素，遮挡区102包括多个半刻蚀结构103，多个半刻蚀结构103围绕开口区101设置，半刻蚀结构103用于在掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低掩膜版在第二方向上的内缩量；其中，第一方向和第二方向交叉。

具体地，掩膜版10设置有开口区101和遮挡区102，遮挡区102围绕开口区101设置，在蒸镀过程中，通过掩膜版10上的开口区101将有机材料蒸镀到指定位置以形成子像素。其中，在蒸镀之前，需要对掩膜版10张网焊接在掩膜框架上，张网过程需要对掩膜版10进行拉伸操作，在拉伸过程中掩膜版10由于两侧受到拉伸力的作用，使得掩膜版10在垂直于拉伸方向上产生向内收缩的形变，当掩膜版10的内缩量较大时，还会在垂直于拉伸方向产生褶皱，在对掩膜版10在垂直于拉伸方向上产生向内收缩的形变进行模拟补偿时，会降低补偿值的准确度，在蒸镀有机材料时，容易造成像素位置精度较差的问题，进而出现像素混色而影响显示效果的问题。

本发明实施例在掩膜版10的遮挡区102上设置多个半刻蚀结构103，所谓半刻蚀结构103，也即为不贯穿掩膜版10的凹槽结构。位于遮挡区102上的半刻蚀结构103围绕开口区101设置，也就是说，在第一方向(XX’)和第二方向(YY’)上均设置有多个半刻蚀结构103，每一个开口区101的上下左右均设置有对应的半刻蚀结构103(如图2中虚线框所示)。当对掩膜版10进行拉伸时，半刻蚀结构10会在非拉伸方向(垂直于拉伸方向)上产生外扩趋势，起到抵消掩膜版10在非拉伸方向的内缩效果，进而减小了掩膜版10在非拉伸方向的内缩量。示例性地，参考图2，分别在Y方向和Y’方向上施加拉力，将掩膜版10拉伸至指定位置，拉力通过遮挡区102进行传递，每一个开口区101都会在垂直于拉伸方向上产生内缩的形变，掩膜版10上所有的开口区101的形变产生累积效应，产生挤压作用力，作用于掩膜版10的边缘形成对掩膜版10的挤压效果，则掩膜版10非拉伸的两个边缘分别向内侧收缩(沿着X方向和X’方向向掩膜版10内侧收缩)，由于半刻蚀结构103的存在，改变了拉力的传递方向，使得半刻蚀结构103产生外扩的形变，从而可以抵消部分非拉伸方向的内缩效果，进而减小了掩膜版10的内缩量。例如，如图2中虚线框所示，当沿着Y方向和Y’方向向两侧拉伸掩膜版10时，开口区101会在非拉伸方向上内缩，由于围绕开口区101设置的遮挡区102上设置有半刻蚀结构103(每一开口区101对应四个半刻蚀结构103)，则与拉伸方向平行设置的两个半刻蚀结构103同样发生内缩，而与拉伸方向垂直设置的两个半刻蚀结构103发生外扩，由于开口区101和遮挡区102是连接在一起的，因此在两个相互垂直方向上的半刻蚀结构103的作用下，两个内缩力和两个外扩力的反作用力会使得整个开口区101产生外扩的趋势(两个内缩力和两个外扩力的反作用力使得开口区产生旋转的趋势，但是由于开口区101与遮挡区102是连接在一起的，因此形成旋转趋势的作用力使得开口区发生外扩的形变)，从而能够抵消部分内缩的趋势，进而能够降低开口区101的内缩量。掩膜版10上所有的开口区101均能产生外扩的趋势，从而体现在整个掩膜版10上的效果就是减小了掩膜版10的内缩量。

本发明实施例提供的技术方案，通过在遮挡区设置多个半刻蚀结构，使得每一开口区的四周均存在对应的半刻蚀结构，可以使得掩膜版在进行拉伸时，通过半刻蚀结构改变拉力的传递方向，与拉伸方向平行设置的半刻蚀结构同样发生内缩，而与拉伸方向垂直设置的半刻蚀结构发生外扩，因此在两个相互垂直方向上的半刻蚀结构的作用下，内缩力和外扩力的反作用力会使得半刻蚀结构产生外扩的形变，从而使得开口区产生外扩的趋势，进而可以抵消拉力在掩膜版的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版在非拉伸方向的内缩量。在对掩膜版进行模拟补偿时，由于掩膜版在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，在将掩膜版焊接在框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，进而提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

继续参考图2，半刻蚀结构103沿相邻开口区101之间的遮挡区102的中线排布。这样设置的好处是，沿遮挡区102的中线排布的半刻蚀结构103能够保证每一半刻蚀结构均匀分布在掩膜版10上，从而使得掩膜版10的应变更加均匀，有利于保持掩膜版10整体形变的均匀性。

其中，半刻蚀结构103为一字型，沿第一方向延伸的半刻蚀结构103和沿第二方向延伸的半刻蚀结构103间隔排布。具体地，如图2所示，通过半刻蚀工艺在掩膜版10的遮挡区102形成一字型的半刻蚀结构103，并且在遮挡区102的中线沿X方向和Y方向间隔排布，在本实施例中，一字型的半刻蚀结构103的延伸长度大于开口区101的长度，以保证整个开口区101均能受到半刻蚀结构103因形变产生的内缩力或外扩力。以每一半刻蚀结构103在延伸方向上的长度对应两个开口区101为例(开口区101可以为方形)，在XX’方向上，相邻两行开口区101之间第一个半刻蚀结构103为沿XX’方向延伸，第二个半刻蚀结构103沿YY’方向延伸，第三个半刻蚀结构103沿XX’方向延伸……从而形成间隔排布方式，能够保证任意相邻两个开口区101之间均同时存在沿两个相互垂直方向延伸的半刻蚀结构103，以保证每一开口区103受到均匀的内缩力和外扩力，从而保证整个掩膜版10的受力均匀，能够更好地抵消每一开口区101的向内侧发生的形变，进而减小整个掩膜版10在非拉伸方向上的内缩量。其具体工作原理如上所述，在此不再赘述。为了保证每一开口区101在拉伸过程中受到拉力作用发生的形变量最大，以更好地减小掩膜版10的内缩量，优选一字型的半刻蚀结构103的一端与一开口区101的中线对齐，另一端与相邻的开口区101的中线对齐，即一个一字型的半刻蚀结构103对齐两个相邻的开口区101的中线。

图3为图2所示掩膜版沿剖面线AA’的剖面结构示意图，图4为图2所示掩膜版沿剖面线BB’的剖面结构示意图，在上述技术方案的基础上，参考图3和4，半刻蚀结构103的深度d2小于或等于掩膜版10的厚度d1的二分之一。

具体地，在掩膜版10的二分之一的厚度范围内，半刻蚀结构103的深度d2越深，在对掩膜版10拉伸过程中，半刻蚀结构103外扩趋势越明显，也即越有利于减小掩膜版10的内缩量。其中，半刻蚀结构103的深度d2受刻蚀工艺的影响，如刻蚀时间。

需要说明的是，图3和图4仅是示例性给出了开口区101结构和半刻蚀结构103的截面图，其具体结构本发明实施例不作任何限定。

当然，在其他实施例中，半刻蚀结构103还可以为其他形状。图5为本发明实施例提供的另一种掩膜版的结构示意图，在上述各技术方案的基础上，参考图5，半刻蚀结构103为工字型，半刻蚀结构103包括沿第一方向延伸的第一半刻蚀部113，和沿第二方向延伸的第二半刻蚀部123，第一半刻蚀部和第二半刻蚀部为一体结构。

具体地，工字型的半刻蚀结构103为一体结构。沿第一方向XX’延伸的半刻蚀结构103包括一个沿第一方向延伸的第一半刻蚀部113，和两个沿第二方向延伸的第二半刻蚀部123，其中，第二半刻蚀部123的延伸长度等于相邻两个开口区101的中线之间的距离K1，第一半刻蚀部123至少横跨两个开口区101，由于半刻蚀结构103沿相邻开口区101之间的遮挡区102的中线排布，因此K2大于两个开口区101长度之和。两个第二半刻蚀部123位于第一半刻蚀部113延伸方向的两端。

沿第二方向YY’延伸的半刻蚀结构103包括两个沿第一方向延伸的第一半刻蚀部113，和一个沿第二方向延伸的第二半刻蚀部123，其中，第一半刻蚀部113的延伸长度等于相邻两个开口区101的中线之间的距离K1，第二半刻蚀部123的延伸长度K2至少横跨两个开口区101的长度。两个第一半刻蚀部113位于第二半刻蚀部123延伸方向的两端。

工字型的半刻蚀结构103和一字型的半刻蚀结构103的工作原理类似，但由于工字型的半刻蚀结构能够对开口区101形成半包裹形式，因此，能够更好地缓解掩膜版的内缩趋势。每一工字型的半刻蚀结构103均包括与拉伸方向平行设置的半刻蚀部，和与拉伸方向垂直设置的半刻蚀部，当对掩膜版进行拉伸操作时，与拉伸方向平行的半刻蚀部产生内缩力，而与拉伸方向垂直的半刻蚀部产生外扩力，由于与拉伸方向平行设置的半刻蚀部和与拉伸方向垂直设置的半刻蚀部是一体结构，在内缩力和外扩力共同作用下，能够使得工字型的半刻蚀结构103的外扩趋势最大化，从而能够进一步减小开口区101的内缩效果，进而降低掩膜版10的内缩量。因此可以提高模拟补偿值的准确度，在将掩膜版焊接在框架上时，有利于将掩膜版平坦化，从而降低了掩膜版的拉伸褶皱，进而提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

需要说明的是，本发明实施例所提供的半刻蚀结构103不仅限于上述实施例所描述的一字型和工字型，在其他实施例中，半刻蚀结构103还可以为L型。

图6为本发明实施例提供的一种具有不同半刻蚀结构的掩膜版内缩量的曲线图。参考图6，实线为无半刻蚀结构的掩膜版的内缩量曲线，虚线为具有一字型半刻蚀结构的掩膜版的内缩量曲线，点划线为具有工字型半刻蚀结构的掩膜版的内缩量曲线。横坐标代表掩膜版的长度，纵坐标代表掩膜版在非拉伸方向上的内缩量。本发明实施例选取7mm长度的掩膜版10，在Y方向和Y’方向上施加同样大小的位移量，掩膜版10边缘的内缩量小于中的位置的内缩量。在同一位置，具有不同半刻蚀结构103的掩膜版10的内缩量也不同，例如在掩膜版1mm的位置，无半刻蚀结构103的掩膜版10的内缩量最大，具有工字型半刻蚀结构103的掩膜版10的内缩量最小，相比于无半刻蚀结构103的掩膜版10，具有一字型半刻蚀结构103的掩膜版10的内缩量降低了7％，而具有工字型半刻蚀结构103的掩膜版10的内缩量降低了10％。因此通过在遮挡区设置半刻蚀结构103，可以使得掩膜版10在进行拉伸时，抵消拉力在掩膜版10的非拉伸方向上产生的挤压力对掩膜版10产生的内缩形变，进而能够减小掩膜版10在非拉伸方向的内缩量。在对掩膜版10进行模拟补偿时，由于掩膜版10在非拉伸方向的内缩量较小，因此可以提高模拟补偿值的准确度，在将掩膜版10焊接在掩膜框架上时，有利于将掩膜版10平坦化，从而降低了掩膜版10的拉伸褶皱，进而提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

本发明实施例还提供了一种掩膜版的制备方法，图7为本发明实施例所提供的一种掩膜版的制备方法的流程图，图8-图16为对应掩膜版制备方法的结构示意图，在上述各技术方案的基础上，参考图7-图16，本发明实施例提供的掩膜版的制备方法包括：

S110、提供基材。

具体地，基材200为形成掩膜版10的原材料。由于蒸镀是在高温环境下进行的，为了避免蒸镀过程中掩膜版10受热膨胀程度较大而发生变形，其材料可以为热膨胀系数较小的因瓦合金材料。

S120、在基材的一面形成开口区的蒸镀面图形。

具体地，基材200包括蒸镀面和基板(glass)面，选择基材200的一面为蒸镀面，并在蒸镀面上形成开口区的蒸镀图形210，蒸镀图形用于形成像素通孔。示例性地，如图8至图12所示，步骤S120具体包括：在基材200的一面涂覆光阻材料300，并进行曝光显影，形成第二掩膜图案；刻蚀形成蒸镀面图形210。首先在基材200的蒸镀面上涂覆一层光阻材料300，其中，光阻材料300为一种光敏材料。然后对光阻材料300进行曝光显影形成第二掩膜图案310，例如，光阻材料300为正性光阻，将涂覆有光阻材料300的基材200放置于显影液中，采用曝光掩膜版覆盖光阻材料300，并用光照射光阻材料300，被光照射到的光阻材料会溶于显影液，暴露出基材200，而未被光照射到的光阻材料300不溶于显影液，仍然存在于基材200上，从而形成第二掩膜图案320。对第二掩膜图案320暴露出的基材200进行刻蚀，如，湿法刻蚀，从而形成蒸镀面图形210，然后去除光阻材料300形成的第二掩膜图案320。

其中，蒸镀面图形210的刻蚀深度小于基材200的厚度，也就是说，在刻蚀形成蒸镀面图形210时，不会将基材200完全刻蚀通，而是采用半刻蚀的方式保留一定厚度的基材200不被刻蚀，以防止在蒸镀面图形210所在一面的背面形成的开口不均匀，从而影响蒸镀像素位置的精度。

S130、刻蚀基材上蒸镀面图形所在一面的背面，在开口区形成像素通孔，以及在遮挡区形成多个半刻蚀结构，多个半刻蚀结构围绕开口区设置，遮挡区围绕开口区设置。

具体地，在基材200的蒸镀面上形成开口区101的蒸镀面图形210后，在蒸镀面图形210所在一面的背面，也即在基材200的glass面上的开口区101进行刻蚀形成像素通孔，同时在glass面上的遮挡区102形成半刻蚀结构103。

进一步地，如图13至图16所示，步骤S130具体包括：在基材200上蒸镀面图形210所在一面的背面涂覆光阻材料300，并进行曝光显影，形成第一掩膜图案；刻蚀形成像素通孔和半刻蚀结构103。同样的，光阻材料300为正性光阻，将涂覆有光阻材料300的基材200放置于显影液中，采用曝光掩膜版覆盖光阻材料300，并用光照射光阻材料300，被光照射到的光阻材料会溶于显影液，暴露出基材200的glass面，而未被光照射到的光阻材料300不溶于显影液，仍然存在于基材200的glass面上，从而形成第一掩膜图案310。对第一掩膜图案310暴露出的基材200进行刻蚀，当在开口区101将基材200刻透时，停止刻蚀，形成像素通孔和半刻蚀结构103，其中，像素通孔和半刻蚀结构103采用统一曝光掩模版，并同时进行刻蚀，不需要增加新的工艺制程以及曝光掩模版，从而不会增加制作成本，最后去除光阻材料300形成的第一掩膜图案310，形成如图15所示的掩膜版结构。在本发明实施例中，像素通孔是分两次刻蚀完成，这样制作的好处是能够保证像素通孔开口均匀，有利于增加产品的良率。综上，半刻蚀结构103的深度取决于蒸镀面图形210的刻蚀深度，蒸镀面图形210的刻蚀深度越深，半刻蚀结构103的深度就越浅，蒸镀面图形210的刻蚀深度越浅，半刻蚀结构103的深度就越深。在本发明实施例中，半刻蚀结构103的深度小于或等于掩膜版10的厚度的二分之一，在掩膜版10的二分之一的厚度范围内，半刻蚀结构103的深度越深，在对掩膜版10拉伸过程中，半刻蚀结构103外扩趋势越明显，也即越有利于减小掩膜版10的内缩量。在对掩膜版进行模拟补偿时，掩膜版在非拉伸方向的内缩量越小，模拟补偿值的准确度就越高，在将掩膜版10焊接在框架上时，有利于将掩膜版10平坦化，从而降低了掩膜版10的拉伸褶皱，进而提高了像素位置精度，降低了蒸镀混色的风险。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种掩膜版，其特征在于，包括开口区和围绕所述开口区设置的遮挡区，所述遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述半刻蚀结构用于在所述掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低所述掩膜版在第二方向上的内缩量；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构沿相邻所述开口区之间的遮挡区的中线排布。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构为一字型，沿所述第一方向延伸的所述半刻蚀结构和沿所述第二方向延伸的所述半刻蚀结构间隔排布。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述一字型的所述半刻蚀结构的延伸长度大于所述开口区的长度。

5.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述一字型的所述半刻蚀结构的一端与一所述开口区的中线对齐，另一端与相邻的所述开口区的中线对齐。

6.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构为工字型，所述半刻蚀结构包括沿所述第一方向延伸的第一半刻蚀部，和沿所述第二方向延伸的第二半刻蚀部，所述第一半刻蚀部和所述第二半刻蚀部为一体结构。

7.根据权利要求6所述的掩膜版，其特征在于，所述第一半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离，所述第二半刻蚀部至少横跨两个所述开口区；或所述第一半刻蚀部至少横跨两个所述开口区，所述第二半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离。

8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构的深度小于或等于所述掩膜版的厚度的二分之一。

9.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，所述掩膜版的制备方法包括：

提供基材；

在所述基材的一面形成开口区的蒸镀面图形；

刻蚀所述基材上所述蒸镀面图形所在一面的背面，在所述开口区形成像素通孔，以及在遮挡区形成多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述遮挡区围绕所述开口区设置。

10.根据权利要求9所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，

所述蒸镀面图形的刻蚀深度小于所述基材的厚度。

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