CN111809147B - 掩膜板及蒸镀装置 - Google Patents

Abstract

本发明实施例提供一种掩膜板及蒸镀装置，掩膜板包括本体部，本体部包括像素蒸镀区及位于像素蒸镀区至少一侧的虚拟蒸镀区，像素蒸镀区内设置有阵列排布的多个像素开口，虚拟蒸镀区内设置有虚拟开口，以通过虚拟开口变形吸收掩膜板的变形。本发明能够保证像素蒸镀区内各像素开口与显示基板相对位置的稳定性，提高像素开口与显示基板相对位置的精度，进而提高蒸镀精度。

Description

掩膜板及蒸镀装置

技术领域

本发明涉及显示制备技术领域，尤其涉及一种掩膜板及蒸镀装置。

背景技术

目前，有液晶显示面板(LCD)、有机发光显示面板(OLED)和电子墨水等多种显示板，其中OLED显示板借助轻薄、低功耗、高对比度、高色度域以及可柔性显示等优点，成为下一代显示器的发展趋势。

OLED显示面板的制造过程中通常选用蒸镀技术将有机材料蒸镀于显示基板上。在蒸镀技术中，采用掩膜板在背板上进行蒸镀时，掩膜板和背板之间贴合不良，掩膜板靠近背板边缘的位置发生褶皱，影响蒸镀的精度并导致OLED显示面板产生混色不良。

因此，亟需一种新的掩膜板及蒸镀装置。

发明内容

本发明实施例提供一种掩膜板及蒸镀装置，旨在提高蒸镀精度。

本发明第一方面的实施例提供了一种掩膜板，掩膜板包括本体部，本体部包括像素蒸镀区及位于像素蒸镀区至少一侧的虚拟蒸镀区，像素蒸镀区内设置有阵列排布的多个像素开口，虚拟蒸镀区内设置有虚拟开口，以通过虚拟开口变形吸收掩膜板的变形。

可选地，虚拟蒸镀区包括设置于本体部边缘与像素蒸镀区之间的第一虚拟蒸镀区。

可选地，本体部具有在第一方向上相对的两个第一侧边，每一第一侧边与像素蒸镀区之间均设置有第一虚拟蒸镀区。

可选地，本体部具有在第二方向上相对的两个第二侧边，每一第二侧边与像素蒸镀区之间设置有第一虚拟蒸镀区。

可选地，第一虚拟蒸镀区内设置有第一全刻区，虚拟开口包括设置于第一全刻区的第一全刻开口，第一全刻开口贯穿本体部设置。

可选地，第一全刻开口的形状和像素开口的形状相同。

可选地，第一虚拟蒸镀区还包括第一半刻区，虚拟开口包括设置于第一半刻区的第一半刻开口，第一半刻开口的厚度小于本体部的厚度。

优选的，第一虚拟蒸镀区中至少一个第一半刻区与像素蒸镀区相邻设置。

可选地，第一半刻开口的厚度为本体部厚度的1/3～2/3。

可选地，多个像素蒸镀区在本体部上沿第二方向成列排布，多个第一虚拟蒸镀区在本体部上沿第二方向成列排布，且各第一虚拟蒸镀区与各像素蒸镀区分别沿第一方向对应设置。

可选地，各第一虚拟蒸镀区内第一全刻区与各像素蒸镀区分别沿第一方向对应设置。

可选地，各第一虚拟蒸镀区内的第一半刻区与各像素蒸镀区分别沿第一方向对应设置。

可选地，第一全刻区和第一半刻区沿第二方向延伸呈条状，且在第一方向上，第一全刻区的延伸宽度大于第一半刻区的延伸宽度。

可选地，第一半刻区内设置有单个第一半刻开口，单个第一半刻开口沿第二方向延伸呈条状，或者，第一半刻区内设置有间隔分布的多个第一半刻开口。

可选地，第一虚拟蒸镀区内设置有第一全刻区和多个第一半刻区，第一全刻区和第一半刻区在第一方向上交替分布。

可选地，第一虚拟蒸镀区内设置的第一全刻区的个数为两个以上。

可选地，本体部具有多个像素蒸镀区；

相邻的两个像素蒸镀区之间设置有第二虚拟蒸镀区，第二虚拟蒸镀区内设置有第二半刻区，虚拟开口包括设置于第二半刻区的第二半刻开口，第二半刻开口的厚度小于本体部的厚度。

可选地，第二虚拟蒸镀区内还设置有第二全刻区，虚拟开口包括设置于第二全刻区的第二全刻开口，第二全刻开口贯穿本体部设置。

可选地，第二全刻开口的形状和像素开口的形状相同。

可选地，第二虚拟蒸镀区中，第二半刻区的个数为两个以上，第二半刻区位于第二全刻区和各像素蒸镀区之间。

可选地，多个像素蒸镀区在本体部上沿第一方向和第二方向成行成列排布，多个第二虚拟蒸镀区在本体部上沿第一方向和第二方向成行成列排布，且各第二虚拟蒸镀区分别位于相邻的两个像素蒸镀区之间。

可选地，位于在第二方向上相邻的两个像素蒸镀区之间的第二虚拟蒸镀区内，第二全刻区和第二半刻区沿第一方向延伸呈条状，且在第二方向上，第二全刻区的延伸宽度大于第二半刻区的延伸宽度。

可选地，第二半刻区内设置有单个第二半刻开口，单个第二半刻开口沿第一方向延伸呈条状，或者，第二半刻区内设置有间隔分布的多个第二半刻开口。

可选地，第一全刻区内多个第一全刻开口的排布方式与多个像素开口的排布方式相同。

可选地，第二全刻区内多个第二全刻开口的排布方式与多个像素开口的排布方式相同。

可选地，像素蒸镀区包括中心轴线；

与同一像素蒸镀区在第一方向上相邻的两个虚拟蒸镀区关于中心轴线对称分布。

可选地，与同一像素蒸镀区在第一方向上相邻的虚拟开口关于中心轴线对称分布。

本发明第二方面还提供一种蒸镀装置，包括上述任一方面的掩膜板。

在本发明实施例的掩膜板中，掩膜板包括本体部。本体部上设置有像素蒸镀区和虚拟蒸镀区，像素蒸镀区内设置有阵列排布的多个像素开口，使得发光材料可以通过像素开口蒸镀在显示基板上。虚拟蒸镀区位于像素蒸镀区的周侧，虚拟蒸镀区内设置有虚拟开口，当掩膜板和显示基板相互贴合，掩膜板在像素蒸镀区的周侧产生褶皱时，虚拟开口变形可以吸收掩膜板的变形，将掩膜板的变形截断在虚拟蒸镀区处，避免褶皱向像素蒸镀区内传递，保证像素蒸镀区内各像素开口与显示基板相对位置的稳定性，提高像素开口与显示基板相对位置的精度，进而提高蒸镀精度。

附图说明

通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。

图1是本发明一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图2是图1中A-A处的剖视图；

图3是本发明另一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图4是本发明又一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图5是本发明再一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图6是本发明还一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图；

图7是本发明还一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。

附图标记说明：

10、本体部；11、第一侧边；12、第二侧边；

100、像素蒸镀区；110、像素开口；

200、虚拟蒸镀区；200a、虚拟开口；210、第一虚拟蒸镀区；211、第一全刻区；211a、第一全刻开口；212、第一半刻区；212a、第一半刻开口；220、第二虚拟蒸镀区；221、第二全刻区；222、第二半刻区。

具体实施方式

下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本发明的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。

下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

现有技术中，通常选用掩膜板将发光材料等蒸镀于显示基板上并最终新城显示面板。影响显示面板蒸镀精度的主要因素有两个：一是掩膜板本身蒸镀用像素开口110的位置精度，二是掩膜板与显示基板的相对位置精度。而即使掩膜板上像素开口110的位置精度较高，如果在蒸镀过程中，掩膜板和显示基板相互贴合时产生位置误差，也会导致显示面板的蒸镀精度较低。因此掩膜板与显示基板的相对位置精度是影响显示面板精度的主要因素。

发明人经过研究发现，掩膜板在蒸镀前会焊接到掩模框架上，在张网焊接时，会对掩膜板施加一定的拉力，而该拉力一般存在于掩膜板的边缘，拉力导致掩膜板边缘变形。因此当掩膜板与显示基板相互贴合时，掩膜板的边缘极易与显示基板之间出现错位，掩膜板与显示基板之间贴合不良，设置掩膜板上会出现褶皱，导致掩膜板与显示基板之间相对位置出现偏差，引起蒸镀阴影增大并导致显示面板出现混色等不良。

为了解决上述问题，提出本发明。为了更好地理解本发明，下面结合图1至图7根据本发明实施例的掩膜板及蒸镀装置的方法进行详细描述。

请参阅图1，图1为本发明第一方面实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。图1中以虚线框示出虚拟蒸镀区200的所在位置，虚线框并不构成对本发明实施例掩膜板结构上的限定。

根据本发明实施例提供的掩膜板，掩膜板包括本体部10，本体部10包括像素蒸镀区100及位于像素蒸镀区100至少一侧的虚拟蒸镀区200，像素蒸镀区100内设置有阵列排布的多个像素开口110，虚拟蒸镀区200内设置有虚拟开口200a，以通过虚拟开口200a变形吸收掩膜板的变形。根据本发明的一个方面。

在本发明实施例的掩膜板中，掩膜板包括本体部10。本体部10上设置有像素蒸镀区100和虚拟蒸镀区200，像素蒸镀区100内设置有阵列排布的多个像素开口110，使得发光材料可以通过像素开口110蒸镀在显示基板上。虚拟蒸镀区200位于像素蒸镀区100的周侧，虚拟蒸镀区200内设置有虚拟开口200a，当掩膜板和显示基板相互贴合，掩膜板在像素蒸镀区100的周侧产生褶皱时，虚拟开口200a变形可以吸收掩膜板的变形，将掩膜板的变形截断在虚拟蒸镀区200处，避免褶皱向像素蒸镀区100内传递，保证像素蒸镀区100内各像素开口110与显示基板相对位置的稳定性，提高像素开口110与显示基板相对位置的精度，进而提高蒸镀精度。

此外，在像素蒸镀区100的周侧设置虚拟蒸镀区200，且虚拟蒸镀区200内开设有虚拟开口200a，能够使得虚拟蒸镀区200的结构强度与像素蒸镀区100的结构强度接近。在掩膜板张网焊接在掩模框架上时，掩膜板的受力更加均衡，避免掩膜板的局部出现较大形变，提高掩膜板和显示基板相对位置的精度，进而提高蒸镀精度，改善显示面板的混色等不良。

像素蒸镀区100对应于显示面板的显示区，像素开口110对应显示面板上的子像素。蒸镀材料通过像素开口110蒸镀到显示基板上相应的子像素位置。虚拟开口200a对应于显示面板上的非显示区，虚拟开口200a并不是为了蒸镀子像素，虚拟开口200a能够发生变形以吸收掩膜板的变形量。

掩膜板的成型工艺有多种，掩膜板例如选用电铸和/或刻蚀工艺成型，掩膜板本体部10上的像素开口110和/或虚拟开口200a也可以选用电铸和/或刻蚀工艺成型。刻蚀工艺例如为化学刻蚀或激光刻蚀。

虚拟蒸镀区200的设置方式有多种，在一些可选的实施例中，虚拟蒸镀区200包括设置于本体部10边缘和像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210。

通常的，由于掩膜板在蒸镀时需要张网焊接到掩模框上，张网焊接时掩膜板的边缘极易受力变形，导致掩膜板的边缘与像素蒸镀区100之间存在较大位置误差。在这些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210设置于本体部10的边缘和像素蒸镀区100之间，使得第一虚拟蒸镀区210内的虚拟开口200a能够有效吸收本体部10边缘附近的变形，避免本体部10边缘附近的变形传递至像素蒸镀区100。

本体部10的设置方式有多种，本体部10例如为圆形、椭圆形，虚拟蒸镀区200例如为一个，一个虚拟蒸镀区200设置于像素蒸镀区100与本体部10的边缘之间。或者虚拟蒸镀区200可以为多个，多个虚拟蒸镀区200在本体部10的边缘附近沿本体部10的周向间隔分布。

在一些可选的实施例中，本体部10包括在第一方向(图1中的水平X方向)上相对的两个第一侧边11，第一侧边11与像素蒸镀区100之间均设置有第一虚拟蒸镀区210。

在这些可选的实施例中，侧边与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210，第一虚拟蒸镀区210内的虚拟开口200a能够吸收第一侧边11附近的掩膜板变形，进而能够避免第一侧边11附件的变形传递至像素蒸镀区100。

在一些实施例中，掩膜板呈长条状，本体部10的第一侧边11附近被夹持并焊接于掩膜框架上，掩膜板沿第一方向拉伸变形，在第一侧边11与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210，能够吸收掩膜板在第一方向上的拉伸变形。

请一并参阅图2和图3，图2为图1中A-A处的剖视图；图3为本发明第一方面另一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。

根据本发明实施例提供的掩膜板，本体部10还具有在第二方向(图1中的竖直Y方向)上相对的两个第二侧边12，第二侧边12与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210。

在这些可选的实施例中，第二侧边12与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210，第一虚拟蒸镀区210内的虚拟开口200a能够吸收第二侧边12附近的掩膜板变形，进而能够避免侧边附件的变形传递至像素蒸镀区100。

在又一些可选的实施例中，第二侧边12与像素蒸镀区100之间均设置有第一虚拟蒸镀区210，第一侧边11与像素蒸镀区100之间也设置有第一虚拟蒸镀区210。当本体部10的第一侧边11和第二侧边12均被夹持并焊接于掩膜框架上时，即本体部10的沿第一方向和第二方向变形时，第一侧边11、第二侧边12与像素蒸镀区100之间均设置有像素蒸镀区100，即本体部10的边缘附近均设置有第一虚拟蒸镀区210。不仅能够保证本体部10边缘附近的变形被虚拟开口200a吸收，避免本体部10边缘附近的变形传递至像素蒸镀区100，还能够保证本体部10边缘各处的强度一致，避免掩膜板张网焊接至掩模框架时，本体部10局部变形量过大。

第二侧边12附近的第一虚拟蒸镀区210与第一侧边11附近的第一虚拟蒸镀区210的形状可以相同或不同。例如当第一虚拟蒸镀区210呈条状时，第二侧边12附近的第一虚拟蒸镀区210与第一侧边11附近的第一虚拟蒸镀区210的形状相同，且第二侧边12附近的第一虚拟蒸镀区210与第一侧边11附近的第一虚拟蒸镀区210的排布方式不同。第一侧边11附近的第一虚拟蒸镀区210沿第一侧边11的延伸方向延伸成型，第二侧边12附近的第一虚拟蒸镀区210沿第二侧边12的延伸方向延伸成型。使得本体部10各处的结构强度更加趋于一致，且使得各第一虚拟蒸镀区210对本体部10边缘变形的吸收能力趋于一致。

第二侧边12附近的第一虚拟蒸镀区210是指第二侧边12与像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210，第一侧边11附近的第一虚拟蒸镀区210是指第一侧边11与像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210。

第一虚拟区的设置方式有多种，在一些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210内设置有第一全刻区211，虚拟开口200a包括设置于第一全刻区211的第一全刻开口211a，第一全刻开口211a贯穿本体部10设置。在这些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210内设置有第一全刻区211，第一全刻区211内设置有第一全刻开口211a，第一全刻开口211a贯穿本体部10设置。像素开口110也是贯穿本体部10设置，第一全刻开口211a与像素开口110均贯穿本体部10设置，使得第一全刻区211与像素蒸镀区100的结构强度更加接近。

在一些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210还包括第一半刻区212，虚拟开口200a包括设置于第一半刻区212的第一半刻开口212a，第一半刻开口212a的厚度小于本体部10的厚度。第一半刻开口212a例如由本体部10的表面凹陷形成。

在这些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210内还设置有第一半刻区212，第一半刻区212内设置有第一半刻开口212a，第一半刻开口212a的厚度小于本体部10的厚度，即第一半刻开口212a呈凹槽状。通过设置第一半刻区212，且第一半刻区212内的第一半刻开口212a与第一全刻开口211a设置方式不同，因此第一全刻区211与第一半刻区212处的本体部10结构强度不同，能够更好的截断本体部10边缘处的褶皱变形，避免本体部10边缘处的褶皱变形向像素蒸镀区100传递。

可选的，第一虚拟蒸镀区210中至少一个第一半刻区212与像素蒸镀区100相邻设置，即第一全刻区211与像素蒸镀区100之间至少设置有一个第一半刻区212。显示面板显示区的周侧可能需要设置驱动电路等结构，第一半刻区212内的第一半刻开口212a呈凹槽状，因此蒸镀材料不会通过第一半刻开口212a蒸镀于显示基板上，能够为驱动电路等结构提供让位，不影响驱动电路等结构设置于显示基板上。

可选的，第一半刻开口212a的厚度为本体部10厚度的1/3～2/3。当第一半刻开口212a的厚度在上述范围之内时，既能够避免厚度过薄影响第一半刻区212的结构强度，还能够避免厚度过厚导致第一半刻区212无法吸收变形。

本体部10上像素蒸镀区100的设置方式有多种，在一些可选的实施例中，本体部10包括多个像素蒸镀区100，多个像素蒸镀区100沿第一方向和第二方向成行成列分布。多个像素蒸镀区100可以沿第一方向和第二方向呈多行多列分布，或者多个像素蒸镀区100还可以沿第一方向或第二方向呈单行单列分布。第一方向例如为行方向，第二方向例如为列方向。

例如，多个像素蒸镀区100在本体部10上沿第二方向成列排布，多个第一虚拟蒸镀区210在本体部10上沿第二方向成列排布，且各第一虚拟蒸镀区210与各像素蒸镀区100分别沿第一方向对应设置。在这些可选的实施例中，第一虚拟蒸镀区210与各像素蒸镀区100对应设置，能够简化掩膜板的成型工艺。

例如第一虚拟蒸镀区210内第一全刻区211与各像素蒸镀区100在第一方向上对应设置。可选的，第一全刻区211内的第一全刻开口211a与各像素蒸镀区100内的像素开口110的排布方式一致。

在这些可选的实施例中，第一全刻区211与各像素蒸镀区100在第一方向上对应设置能够使得第一全刻区211与像素蒸镀区100的结构强度更加接近，第一全刻区211内的第一全刻开口211a与各像素蒸镀区100内的像素开口110的排布方式一致，使得可以选用与像素开口110相同的成型方式制作第一全刻开口211a，进一步简化掩膜板的成型工艺。

可选的，第一全刻开口211a的形状和像素开口110的形状相同，使得第一全刻区211的结构强度与像素蒸镀区100的结构强度更加接近。

可选的，第一虚拟蒸镀区210内第一半刻区212与各像素蒸镀区100在第一方向上对应设置，能够更好的阻断本体部10的变形，避免本体部10的变形传递至像素蒸镀区100。

在另一些可选的实施例中，多个像素蒸镀区100还可以在本体部10上沿第一方向成行排布，多个第一虚拟蒸镀区210在本体部10上沿第一方向成行排布，且各像素蒸镀区100分别与各第一虚拟蒸镀区210沿第二方向对应设置。

可选的，第一虚拟蒸镀区210内第一全刻区211与各像素蒸镀区100在第二方向上对应设置。可选的，第一全刻区211内的第一全刻开口211a与各像素蒸镀区100内的像素开口110的排布方式一致。可选的，第一虚拟蒸镀区210内第一半刻区212与各像素蒸镀区100在第二方向上对应设置。

在又一些可选的实施例中，多个像素蒸镀区100沿第一方向和第二方向成行成列分布。例如本体部10包括沿第一方向相对设置的第一侧边11和沿第二方向相对设置的第二侧边12。则第一侧边11与像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210与第一列及最后一列的各第一虚拟蒸镀区210沿第一方向对应设置。第二侧边12与像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210与第一行及最后一行的第一虚拟蒸镀区210沿第二方向对应设置。对应的，第一侧边11与像素蒸镀区100之间的第一全刻区211和/或第一半刻区212与第一列及最后一列的各第一虚拟蒸镀区210沿第一方向对应设置。第二侧边12与像素蒸镀区100之间的第一全刻区211和/或第一半刻区212与第一行及最后一行的各第一虚拟蒸镀区210沿第二方向对应设置。

当第一虚拟蒸镀区210与像素蒸镀区100沿第一方向对应设置时，第一全刻区211和第一半刻区212沿第二方向延伸呈条状，且在第一方向上，第一全刻区211的延伸宽度大于第一半刻区212的延伸宽度。第一半刻区212的宽度较窄能够避免因增加第一半刻区212而给本体部10的结构带来较大影响，使得第一虚拟区的设置既能够保证本体部10各处结构强度趋于一致，还能够更好的截断本体部10边缘的变形，避免本体部10边缘的变形传递至像素蒸镀开口区。

在另一些实施例中，当第一虚拟蒸镀区210与像素蒸镀沿第二方向对应设置时，第一全刻区211和第一半刻区212沿第一方向延伸呈条状，且在第二方向上，第一全刻区211的延伸宽度大于第一半刻区212的延伸宽度。

第一半刻区212内第一半刻开口212a的设置方式有多种，例如当第一半刻区212沿第一方向延伸呈条状时，单个第一半刻开口212a沿第一方向延伸呈条状，或者，第一半刻区212内设置有间隔分布的多个第一半刻开口212a。例如当第一半刻区212沿第二方向延伸呈条状时，单个第一半刻开口212a沿第二方向延伸呈条状，或者，第一半刻区212内设置有间隔分布的多个第一半刻开口212a。

第一虚拟蒸镀区210内第一全刻区211的个数和第一半刻区212的个数不做限定，在一些可选的实施例中，当第一虚拟蒸镀区210与像素蒸镀沿第一方向对应设置时，第一虚拟蒸镀区210内设置有第一全刻区211和多个第一半刻区212，第一全刻区211和第一半刻区212在第一方向上交替分布。第一全刻区211内的第一全刻开口211a和第一半刻区212内第一半刻开口212a对本体部10边缘变形的吸收能力不同，第一半刻区212和第一全刻区211交替分布，使得第一全刻开口211a和第一半刻开口212a能够更好的吸收本体部10边缘附近的变形。

在另一些可选的实施例中，当第一虚拟蒸镀区210与像素蒸镀沿第二方向对应设置时，第一虚拟蒸镀区210内设置有第一全刻区211和多个第一半刻区212，第一全刻区211和第一半刻区212在第二方向上交替分布

可选的第一虚拟蒸镀区210内第一全刻区211的个数为两个以上，两个以上的第一全刻区211能够更好的吸收本体部10边缘附近的变形。

请一并参阅图4，图4为本发明第一方面又一实施例提供的一种掩膜板的局部结构示意图。

在一些可选的实施例中，当本体部10具有多个像素蒸镀区100时，相邻的两个像素蒸镀区100之间设置有第二虚拟蒸镀区220，第二虚拟蒸镀区220内设置有第二半刻区222，虚拟开口200a包括设置于第二半刻区222的第二半刻开口，第二半刻开口的厚度小于本体部10的厚度。通过设置第二半刻开口，能够进一步提高第二虚拟蒸镀区220对本体部10变形的吸收能力。

请一并参阅图5，图5为本发明第一方面再一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。

当多个像素蒸镀区100在本体部10上沿第一方向和第二方向成行成列分布时，多个第二虚拟蒸镀区220在本体部10上沿第一方向和第二方向成行成列排布，且各第二虚拟蒸镀区220分别位于相邻的两个像素蒸镀区100之间。能够进一步提高本体部10不同区域内结构强度的一致性。

请一并参阅图6，图6为本发明第一方面还一实施例提供的一种掩膜板的结构示意图。

根据本发明实施例提供的掩膜板，第二虚拟蒸镀区220内还设置有第二全刻区221，虚拟开口200a包括设置于第二全刻区221的第二全刻开口，第二全刻开口贯穿本体部10设置。

在这些可选的实施例中，通过设置第二虚拟蒸镀区220，且第二虚拟蒸镀区220内设置有第二全刻区221，第二全刻区221内的第二全刻开口与像素开口110均贯穿本体部10设置，能够进一步提高本体部10不同区域内结构强度的一致性。

可选的，第二全刻区221内多个第二全刻开口的排布方式与像素蒸镀区100内像素开口110的排布方式相同。能够使得本体部10各处的结构强度趋于一致。可选的，第二全刻开口的设置方式与第一全刻开口211a的设置方式相同。使得第二全刻区221的结构强度更加接近像素蒸镀区100的结构强度。

可选的，第二虚拟蒸镀区220中，第二半刻区222的个数为两个以上，第二半刻区222位于第二全刻区221和各像素蒸镀区100之间。在这些可选的实施例中，第二半刻区222与像素蒸镀区100相邻设置，第二半刻区222内的第二半刻开口未贯穿本体部10，使得蒸镀材料不会蒸镀于显示基板上，不影响在显示基板上设置电路板等结构。可选的，第二半刻开口与第一半刻开口212a的设置方式相同。

在一些可选的实施例中，在第二方向上相邻的两个像素蒸镀区100之间的第一虚拟蒸镀区210内，第二全刻区221和第二半刻区222沿第一方向延伸呈条状，且在第二方向上，第二全刻区221的延伸宽度大于第二半刻区222的延伸宽度。能够减小因增加第二半刻区222而对本体部10结构产生的影响。

请一并参阅图7，当多个像素蒸镀区100在本体部10上沿第一方向和第二方向成行成列分布时，多个第二虚拟蒸镀区220在本体部10上沿第一方向和第二方向成行成列排布，且各第二虚拟蒸镀区220分别位于相邻的两个像素蒸镀区100之间。能够进一步提高本体部10不同区域内结构强度的一致性。

可选的，第二虚拟蒸镀区220包括第二全刻区221和第二半刻区222，各第二全刻区221分别位于相邻的两个像素蒸镀区100之间，各第二半刻区222分别位于相邻的两个像素蒸镀区100之间。

在另一些可选的实施例中，在第一方向上相邻的两个像素蒸镀区100之间的第二虚拟蒸镀区220内，第二全刻区221和第二半刻区222沿第二方向延伸呈条状，且在第一方向上，第二全刻区221的延伸宽度大于第二半刻区222的延伸宽度。能够减小因增加第二半刻区222而对本体部10结构产生的影响。

当第二半刻区222沿第一方向延伸呈条状时，第二半刻区222内设置有单个第二半刻开口，单个第二半刻开口沿第一方向延伸呈条状，或者，第二半刻区222内设置有间隔分布的多个第二半刻开口。

当第二半刻区222沿第二方向延伸呈条状时，第二半刻区222内设置有单个第二半刻开口，单个第二半刻开口沿第二方向延伸呈条状，或者，第二半刻区222内设置有间隔分布的多个第二半刻开口。

在一些可选的实施例中，像素蒸镀区100包括中心轴线，与同一像素蒸镀区100在第一方向上相邻的两个虚拟蒸镀区200关于中心轴线对称分布。即位于像素蒸镀区100两侧的两个虚拟蒸镀区200到像素蒸镀区100的距离相同，使得本体部10上各处的结构强度趋于一致，能够使得掩膜板的应力分布的更加均匀。

可选的，与同一像素蒸镀区100在第一方向上相邻的虚拟开口200a关于中心轴线对称分布。使得本体部10上各处的结构强度趋于一致。

例如，请继续参阅图7，当多个像素蒸镀区100沿第一方向和第二方向成行成列排布时，像素蒸镀区100具有沿第一方向延伸的第一中心轴线P和沿第二方向延伸的第二中心轴线Q。图6中仅示出一组第一中心轴线P和第二中心轴线Q，每一像素蒸镀区100均具有第一中心轴线P和第二中心轴线Q。

第一侧边11与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210，相邻的两个像素蒸镀区100之间设置有第二虚拟蒸镀区220。则第一虚拟蒸镀区210和第二虚拟蒸镀区220分别与第一列的像素蒸镀区100相邻，第一虚拟蒸镀区210和第二虚拟蒸镀区220关于第一列像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。可选的，第一全刻区211内的第一全刻开口211a和第二全刻区221内的第二全刻开口关于第一列像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。可选的，第一半刻区212内的第一半刻开口212a和第二半刻区222内的第二半刻开口关于第一列像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。

在另一些实施例中，第二侧边12与像素蒸镀区100之间设置有第一虚拟蒸镀区210，相邻的两个像素蒸镀区100之间设置有第二虚拟蒸镀区220。则第一虚拟蒸镀区210和第二虚拟蒸镀区220分别与第一行的像素蒸镀区100相邻，第一虚拟蒸镀区210和第二虚拟蒸镀区220关于第一行像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。可选的，第一全刻区211内的第一全刻开口211a和第二全刻区221内的第二全刻开口关于第一行像素蒸镀区100的第一中心轴线对称分布。可选的，第一半刻区212内的第一半刻开口212a和第二半刻区222内的第二半刻开口关于第一行像素蒸镀区100的第一中心轴线对称分布。

可选的，第二列至倒数第二列的像素蒸镀的两侧均设置有第二虚拟蒸镀区220，则在第一方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220关于该像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。可选的，在第一方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220内的第二全刻开口关于该像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。可选的，在第一方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220内的第二半刻开口关于该像素蒸镀区100的第二中心轴线对称分布。

可选的，第二行至倒数第二行的像素蒸镀的两侧均设置有第二虚拟蒸镀区220，则在第二方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220关于该像素蒸镀区100的第一中心轴线对称分布。可选的，在第二方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220内的第二全刻开口关于该像素蒸镀区100的第一中心轴线对称分布。可选的，在第二方向上与同一像素蒸镀区100相邻的两个第二虚拟蒸镀区220内的第二半刻开口关于该像素蒸镀区100的第一中心轴线对称分布。

可选的，在上述任一实施例中，掩膜板可以为普通掩膜板或者精密金属掩膜板。

本发明第二方面还提供一种蒸镀装置，包括上述任一第一方面实施例提供的掩膜板。由于本发明的蒸镀装置包括上述的掩膜板，因此本发明实施例的蒸镀装置具有上述任一掩膜板所具有的有益效果，在此不再赘述。

本发明可以以其他的具体形式实现，而不脱离其精神和本质特征。例如，特定实施例中所描述的算法可以被修改，而系统体系结构并不脱离本发明的基本精神。因此，当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的，本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义，并且，落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。

Claims (24)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括本体部，所述本体部包括像素蒸镀区及位于所述像素蒸镀区至少一侧的虚拟蒸镀区，所述像素蒸镀区内设置有阵列排布的多个像素开口，所述虚拟蒸镀区内设置有虚拟开口，以通过所述虚拟开口的变形吸收所述掩膜板的变形；

所述虚拟蒸镀区包括设置于所述本体部边缘和所述像素蒸镀区之间的第一虚拟蒸镀区；所述第一虚拟蒸镀区内设置有第一全刻区和第一半刻区，所述虚拟开口包括设置于所述第一全刻区的第一全刻开口以及设置于所述第一半刻区的第一半刻开口，所述第一全刻开口贯穿所述本体部设置；所述第一半刻开口的厚度小于所述本体部的厚度。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述本体部具有在第一方向上相对的两个第一侧边，每一所述第一侧边与所述像素蒸镀区之间均设置有所述第一虚拟蒸镀区，所述第一方向为行方向。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述本体部具有在第二方向上相对的两个第二侧边，每一所述第二侧边与所述像素蒸镀区之间设置有所述第一虚拟蒸镀区，所述第二方向为列方向。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一全刻开口的形状和所述像素开口的形状相同。

5.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一虚拟蒸镀区中至少一个所述第一半刻区与所述像素蒸镀区相邻设置。

6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述第一半刻开口的厚度为所述本体部厚度的1/3～2/3。

7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，多个所述像素蒸镀区在所述本体部上沿第二方向成列排布，多个所述第一虚拟蒸镀区在所述本体部上沿所述第二方向成列排布，且各所述第一虚拟蒸镀区与各所述像素蒸镀区分别沿第一方向对应设置；其中，所述第一方向为行方向，所述第二方向为列方向。

8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，各所述第一虚拟蒸镀区内所述第一全刻区与各所述像素蒸镀区分别沿所述第一方向对应设置。

9.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，各所述第一虚拟蒸镀区内的所述第一半刻区与各所述像素蒸镀区分别沿所述第一方向对应设置。

10.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一全刻区和所述第一半刻区沿所述第二方向延伸呈条状，且在所述第一方向上，所述第一全刻区的延伸宽度大于所述第一半刻区的延伸宽度。

11.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一半刻区内设置有单个所述第一半刻开口，单个所述第一半刻开口沿所述第二方向延伸呈条状，或者，所述第一半刻区内设置有间隔分布的多个第一半刻开口。

12.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述第一虚拟蒸镀区内设置有所述第一全刻区和多个所述第一半刻区，所述第一全刻区和所述第一半刻区在所述第一方向上交替分布。

13.根据权利要求12所述的掩膜板，其特征在于，所述第一虚拟蒸镀区内设置有至少两个所述第一全刻区。

14.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，所述本体部具有多个所述像素蒸镀区；相邻的两个所述像素蒸镀区之间设置有第二虚拟蒸镀区，所述第二虚拟蒸镀区内设置有第二半刻区，所述虚拟开口包括设置于所述第二半刻区的第二半刻开口，所述第二半刻开口的厚度小于所述本体部的厚度。

15.根据权利要求14所述的掩膜板，其特征在于，所述第二虚拟蒸镀区内还设置有第二全刻区，所述虚拟开口包括设置于所述第二全刻区的第二全刻开口，所述第二全刻开口贯穿所述本体部设置。

16.根据权利要求15所述的掩膜板，其特征在于，所述第二全刻开口的形状和所述像素开口的形状相同。

17.根据权利要求15所述的掩膜板，其特征在于，所述第二虚拟蒸镀区中，所述第二半刻区的个数为两个以上，所述第二半刻区位于所述第二全刻区和各所述像素蒸镀区之间。

18.根据权利要求14所述的掩膜板，其特征在于，多个所述像素蒸镀区在所述本体部上沿第一方向和第二方向成行成列排布，多个所述第二虚拟蒸镀区在所述本体部上沿第一方向和第二方向成行成列排布，且各所述第二虚拟蒸镀区分别位于相邻的两个所述像素蒸镀区之间。

19.根据权利要求15所述的掩膜板，其特征在于，位于在所述第二方向上相邻的两个所述像素蒸镀区之间的所述第二虚拟蒸镀区内，所述第二全刻区和所述第二半刻区沿所述第一方向延伸呈条状，且在所述第二方向上，所述第二全刻区的延伸宽度大于所述第二半刻区的延伸宽度。

20.根据权利要求14所述的掩膜板，其特征在于，所述第二半刻区内设置有单个所述第二半刻开口，单个所述第二半刻开口沿所述第一方向延伸呈条状，或者，所述第二半刻区内设置有间隔分布的多个第二半刻开口。

21.根据权利要求15所述的掩膜板，其特征在于，所述第一全刻区内多个所述第一全刻开口的排布方式与多个所述像素开口的排布方式相同；

和/或，所述第二全刻区内多个所述第二全刻开口的排布方式与多个所述像素开口的排布方式相同。

22.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于， 所述像素蒸镀区包括中心轴线；与同一所述像素蒸镀区在第一方向上相邻的两个虚拟蒸镀区关于所述中心轴线对称分布。

23.根据权利要求22所述的掩膜板，其特征在于，与同一所述像素蒸镀区在第一方向上相邻的所述虚拟开口关于所述中心轴线对称分布。

24.一种蒸镀装置，其特征在于，包括权利要求1-23任一项所述的掩膜板。

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