CN109830508B - 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 - Google Patents
像素阵列基板和验证掩膜板的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109830508B CN109830508B CN201910020586.0A CN201910020586A CN109830508B CN 109830508 B CN109830508 B CN 109830508B CN 201910020586 A CN201910020586 A CN 201910020586A CN 109830508 B CN109830508 B CN 109830508B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pixel
- sub
- quality
- verifying
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000012795 verification Methods 0.000 claims abstract description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 45
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 22
- 238000013519 translation Methods 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明实施例提供一种像素阵列基板和验证掩膜板的方法,基板具有显示区域和位于显示区域外周侧非显示区域,像素阵列基板包括:定位坐标系,包括第一定位标记及第二定位标记,多个第一定位标记在非显示区域沿第一方向间隔分布,多个第二定位标记在非显示区域沿第二方向间隔分布,第一方向与第二方向相交;像素标记,对应子像素区域设置,每个第一定位标记沿第二方向延伸形成的第一射线和每个第二定位标记沿第一方向形成的第二射线相交于显示区域并形成多个相交位置,在每个相交位置处设置有像素标记。在利用本发明实施例的像素阵列基板进行掩膜板质量的验证时,能够快速找到待验证的子像素区域,能够提高掩膜板的验证效率。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种像素阵列基板和验证掩膜板的方法。
背景技术
目前,有LCD、OLED、PDP和电子墨水等多种显示板,其中OLED显示板借助轻薄、低功耗、高对比度、高色度域以及可柔性显示等优点,成为下一代显示器的发展趋势。
OLED显示板包括PMOLED和AMOLED两种类型,其中AMOLED显示板一般采用金属掩膜板蒸镀工艺方式进行生产制造。在采用金属掩膜板在背板上进行蒸镀时,需要将金属掩膜板上的开口和背板上的预设电极位进行准确对准,这就要求金属掩膜板上的开口位置必须满足使用要求,在金属掩膜板的生产过程中,一般要对金属掩膜板上的开口进行验证。
现有技术中在金属掩膜板验证过程中,一般先使用该金属掩膜板在试验基板上进行蒸镀,人工随意选择蒸镀像素验证蒸镀结果,并对蒸镀结果进行计算。为了保证验证结果精准,一般需要进行4次以上的校准,需要在4块以上的基板上先后进行蒸镀,不仅需要消耗大量的基板,还需要大量的时间,极大的增加了金属掩膜板的生产成本。
因此,亟需一种新的像素阵列基板和验证掩膜板的方法。
发明内容
本发明实施例提供一种像素阵列基板和验证掩膜板的方法,旨在提高金属掩膜板的生产效率,降低金属掩膜板的生产成本。
本发明实施例一方面提供了一种像素阵列基板,基板具有显示区域和位于显示区域外周侧非显示区域,像素阵列基板包括:定位坐标系,包括第一定位标记及第二定位标记,多个第一定位标记在非显示区域沿第一方向间隔分布,多个第二定位标记在非显示区域沿第二方向间隔分布,第一方向与第二方向相交;像素标记,对应子像素区域设置,每个第一定位标记沿第二方向延伸形成的第一射线和每个第二定位标记沿第一方向形成的第二射线相交于显示区域并形成多个相交位置,在每个相交位置处设置有像素标记。
根据本发明的一个方面,像素标记对应像素定义结构设置,且像素标记位于子像素区域边缘。
根据本发明的一个方面,像素标记形成于像素阵列基板的金属层。
本发明实施例另一方面提供了一种验证掩膜板的方法,包括:
提供阵列基板,阵列基板包括定位坐标系和与定位坐标系对应的像素标记,以根据定位坐标系能够确定像素标记的位置;
蒸镀发光层,利用掩膜板在阵列基板的子像素区域蒸镀发光材料,以形成发光层;
确认实际子像素,利用定位坐标系初步确定像素标记,利用像素标记确定待验证子像素区域,并确认与待验证子像素区域所对应的实际子像素;
验证掩膜板的质量,确认实际子像素的蒸镀误差,并根据蒸镀误差验证掩膜板的质量。
根据本发明的一个方面,掩膜板上具有与待验证子像素区域对应的验证开口,在验证掩膜板的质量之前还包括:
获取验证开口的制造误差;
验证掩膜板的质量还包括:根据制造误差和蒸镀误差确认实际误差,根据实际误差确认掩膜板的质量。
根据本发明的一个方面,蒸镀误差包括偏移量和偏移方向,验证掩膜板的质量步骤还包括根据两个以上的验证子像素的偏移量和偏移方向验证掩膜板的质量。
根据本发明的一个方面,验证掩膜板的质量步骤还包括:当两个以上的实际子像素的偏移方向和偏移量均一致时,确认掩膜板的质量符合要求。
根据本发明的一个方面,验证掩膜板的质量步骤还包括:当两个以上的实际子像素的偏移方向不一致时,确认掩膜板的质量不符合要求。
根据本发明的一个方面,验证掩膜板的质量步骤还包括当两个以上的实际子像素的偏移方向一致,且偏移量不一致时,确认掩膜板不符合要求。
根据本发明的一个方面,偏移方向包括平移方向和旋转角度,验证掩膜板的质量步骤还包括:根据实际子像素的平移方向和偏移量验证掩膜板的质量,和/或,根据实际子像素的旋转角度和偏移量验证掩膜板的质量。
在本发明实施例的像素阵列基板中,像素阵列基板包括显示区域和非显示区域,显示区域内设置有像素标记,非显示区域内设置有定位坐标系,且显示区域的像素坐标位于第一定位标记沿所述第二方向延伸形成的第一射线和第二定位标记沿所述第一方向形成的第二射线相交形成的多个相交位置处,因此根据定位坐标系能够快速查找出像素标记,且像素标记和子像素区域对应设置,因此在利用本发明实施例的像素阵列基板进行掩膜板质量的验证时,能够快速找到待验证的子像素区域,能够提高掩膜板的验证效率。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显,其中,相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1是本发明实施例的一种像素阵列基板的结构示意图;
图2是图1中I处的局部放大图;
图3是本发明实施例的一种待验证掩膜板的结构示意图;
图4是本发明实施例的一种验证掩膜板方法的流程示意图;
图5是本发明实施例的一种实际子像素偏移的结构示意图;
图6是本发明另一实施例的一种实际子像素偏移的结构示意图;
图7是本发明又一实施例的一种实际子像素偏移的结构示意图;
图8是本发明再一实施例的一种实际子像素偏移的结构示意图。
附图标记说明:
100、基板;
110、定位坐标系;
111、第一定位标记;112、第二定位标记;
120、像素标记;
130、像素区域;131、发光区域;
140、实际子像素;
200、掩膜板;
210、验证开口。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本发明的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中,至少部分的公知结构和技术没有被示出,以便避免对本发明造成不必要的模糊;并且,为了清晰,可能夸大了部分结构的尺寸。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向,并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
为了更好地理解本发明,下面结合图1至图6根据本发明实施例的像素阵列基板和验证掩膜板的方法进行详细描述。
图1为本发明实施例提供的一种像素阵列基板100,图2为图1中I处的局部示意图,基板100具有显示区域和位于显示区域外周侧非显示区域,像素阵列基板100还包括:定位坐标系110,包括第一定位标记111及第二定位标记112,多个第一定位标记111在非显示区域沿第一方向间隔分布,多个第二定位标记112在非显示区域沿第二方向间隔分布,第一方向与第二方向相交;像素标记120,对应子像素区域130设置,每个第一定位标记111沿第二方向延伸形成的第一射线和每个第二定位标记112沿第一方向形成的第二射线相交于显示区域并形成多个相交位置,在每个相交位置处设置有像素标记120。
其中,可以理解的是,由第一定位标记111沿第二方向延伸形成的第一射线并不构成对像素阵列基板100的结构限定,同理,第二定位标记112沿第一方向延伸形成的第二射线也不构成对像素阵列基板100的结构限定。此处仅仅是为了便于对像素标记120的设置位置进行描述,引入了第一射线和第二射线的概念,实际上,像素阵列基板100中并不真正的存在第一射线和第二射线,只要由第一定位标记111沿第二方向延伸能够形成第一射线,由第二定位标记112沿第一方向延伸能够形成第二射线,且像素标记120位于第一射线和第二射线的相交位置即可。
此外,第一方向和第二方向的设置方式有多种,第一方向和第二方向可以以任意预设角度相交设置,优选的,第一方向和第二方向之间的夹角呈90度,根据沿第一方向和第二方向分布的第一定位标记111可以沿着横平竖直的方向查找像素标记120,方便查找确认像素标记120,提高验证掩膜板200的效率。本实施例中,第一方向和第二方向可以分别为图1中的X方向和Y方向。
在本发明实施例的像素阵列基板100中,像素阵列基板100包括显示区域和非显示区域,显示区域内设置有像素标记120,非显示区域内设置有定位坐标系110,且显示区域的像素坐标位于第一定位标记111沿所述第二方向延伸形成的第一射线和第二定位标记112沿所述第一方向形成的第二射线相交形成的多个相交位置处,因此根据定位坐标系110能够快速查找出像素标记120,且像素标记120和子像素区域130对应设置,因此在利用本发明实施例的像素阵列基板100进行掩膜板200质量的验证时,能够快速找到待验证的子像素区域130,能够提高掩膜板200的验证效率。
其中,定位坐标系110中第一定位标记111和第二定位标记112的具体设置方式在此不做限定,例如第一定位标记111和第二定位标记112可以设置在光反射度较高的金属膜层,清空第一定位标记111或第二定位标记112标记所在位置周围的其他材料,曝光出单个的定位标记。此外还可以根据验证需求,调整第一定位标记111和/第二定位标记112的数量。
第一定位标记111和第二定位标记112的形状在此不做限定,例如第一定位标记111和第二定位标记112可以为圆形、矩形和多边形等。
优选的,第一定位标记111呈矩形,且第一定位标记111沿第二方向延伸预设距离,便于用户确认由第一定位标记111沿第二方向延伸形成的第一射线,进而便于用户根据第一定位标记111找到像素标记120在第二方向上的位置。
第二定位标记112的形状可以和第一定位标记111相同或不同,此处为了简化定位坐标系110的设置方式,第二定位标记112的形状和第一定位标记111相似。第二定位标记112为矩形,且第二定位标记112沿第一方向延伸预设距离设置,便于用户确认由第二定位标记112沿第一方向延伸形成的第二射线,进而便于用户根据第二定位标记112找到像素标记120在第一方向上的位置。
因此通过矩形的第一定位标记111和第二定位标记112便于用户快速找到像素标记120在像素阵列基板100显示区域内的具体位置。
像素标记120的具体设置个数在此不做限定,为了根据多个像素标记120对应的子像素区域130确认验证掩膜板200的结果,像素标记120为两个以上,优选的像素标记120为4个、9个等。在本实施例中,像素标记120为9个。
第一定位标记111和第二定位标记112的个数在此不做限定,第一定位标记111和第二定位标记112可以根据像素标记120的个数确定,在本实施例中,当像素标记120为9个时,第一定位标记111和第二定位标记112分别为3个。
像素标记120的具体设置位置在此不做限定,在一些可选的实施例中,像素标记120对应像素定义层设置,也可以认为像素标记120对应像素定义结构设置,即像素标记120不位于像素阵列基板100上的像素开口内,像素标记120位于子像素区域130边缘设置。使得在对像素阵列基板100进行蒸镀形成发光层时,发光层的实际子像素140不会遮挡像素标记120,便于查找和确认像素标记120。如图2所示,理想状态下当利用该像素阵列基板100进行蒸镀时,蒸镀形成的实际子像素140应该填充于待验证子像素区域130内。
像素标记120的具体形状在此不做限定,优选的,像素标记120为异形,即像素标记120与像素阵列基板100上的其他结构形状不同,便于在像素阵列基板100上快速找到像素标记120。例如,像素标记120可以为十字形、多边形等。在本发明实施例中,像素标记120呈十字形。
在一些可选的实施例中,像素标记120形成于像素阵列基板100的金属层。在阵列基板100形成金属层时,同时形成像素标记120,使得像素标记120不需要多余的单独工序进行制作,可以较好的节省成本。
像素标记120的材质在此不做限定,像素标记120可以选用一些反光度较好的金属材料,如Ag、Al等材料。
本发明第二实施例还提供一种验证掩膜板200的方法,如图3所示,包括:
步骤S301:提供基板。
其中,基板100为上述任一第一实施例提供的像素阵列基板100,阵列基板100包括定位坐标系110和与定位坐标系110对应的像素标记120,且根据定位坐标系110能够确定像素标记120的位置。
步骤S302:蒸镀发光层。
请一并结合图5至图8,利用待验证的掩膜板200在基板100的子像素区域130蒸镀发光材料,形成发光层。发光层包括蒸镀形成的实际子像素140,实际子像素140对应设置于基板100上相应的子像素区域130。
步骤S303:确认实际子像素140。
利用定位坐标系110初步确定像素标记120,利用像素标记120确定待验证子像素区域130,并根据待验证子像素区域130确认与待验证子像素区域130对应的实际子像素140。其中,待验证的子像素区域130和像素标记120对应设置,即待验证的子像素区域130为像素标记120对应的子像素区域130。
步骤S304:验证掩膜板200的质量。
根据实际子像素140的实际蒸镀位置确认实际子像素140的蒸镀误差,并根据蒸镀误差验证掩膜板200的质量。其中蒸镀误差为发光层上形成实际的实际子像素140和与其对应的待验证子像素区域130之间的位置误差,根据该位置误差可以确认掩膜板200的质量是否符合要求。
在一些可选的实施例中,如图4所示,掩膜板200上具有与待验证子像素区域130对应的验证开口210,在验证掩膜板200的质量之前还包括:获取验证开口210的制造误差。步骤S304还包括:根据制造误差和蒸镀误差确认实际误差,根据实际误差确认掩膜板200的质量。
其中,图4中仅示出了一个验证开口210,但是可以理解的是,验证开口210的个数和像素标记120的个数相同,验证开口210和像素标记120对应的子像素区域130对应,不再对其他验证开口210进行标记,只要验证开口210和待验证子像素区域130对应,待验证子像素区域130和像素标记120对应即可。
当掩膜板200的验证开口210存在制造误差时,根据掩膜板200的制造误差和蒸镀误差确认实际误差,根据实际误差能够使得验证掩膜板200的结果更加准确。
通常情况下,掩膜板200在生产制造过程中存在一定的制造误差,如果忽略掩膜板200的制造误差,直接以蒸镀误差确认掩膜板200的质量,会导致确认掩膜板200质量的实际误差较大,使得验证结果存在偏差;根据掩膜板200的制造误差和蒸镀误差找出实际子像素140的实际误差,根据实际子像素140的实际误差却确认掩膜板200的质量,使得掩膜板200的验证结果更准确。
例如,在一个坐标系中,掩膜板200上某一个待验证开口210的实际位置相对于设计位置向左偏移了一个单位,即该待验证开口210的制造误差为(-1,0)。该待验证开口210对应的实际子像素140的实际蒸镀位置相对于其对应的子像素区域130向左偏移了两个单位,即实际子像素140的蒸镀误差为(-2,0),由于掩膜板200本身存在一定的制造误差,实际误差应该是蒸镀误差综合制造误差之后的误差值,即实际误差应该是(-1,0)。如果根据蒸镀位置误差确认掩膜板200的质量,会导致确认掩膜板200质量的实际误差较大,使得验证结果存在偏差,根据实际误差能够使得验证掩膜板200的结果更加准确。
以上仅仅是示出验证开口210的制造误差和实际子像素140的蒸镀误差发生了平移,存在平移误差。而实际蒸镀过程中还会存在其他各种误差,例如旋转误差,在此不再一一举例说明。
在一些可选的实施例中,蒸镀误差包括偏移量和偏移方向,步骤S304还包括根据两个以上的验证子像素的偏移量和偏移方向验证掩膜板200的质量。其中,偏移量是指实际子像素140相对于待验证子像素区域130的偏移距离,偏移方向是指实际子像素140相对于待验证子像素区域130相对于哪个方向发生了偏移。
如图5至图8所示,图中以点划线表示待验证子像素区域130,以实线表示实际蒸镀后形成的实际子像素140,实际子像素140相对于待验证子像素区域130有可能是发生了平移,有可能是在发生平移的基础上还发生了旋转,如图5和图6所示,实际子像素140相对于待验证子像素区域130平移了距离a;如图7和图8所示,实际子像素140相对于待验证子像素区域130发生了偏转,且偏转角为α角,偏移量为b。因此偏移方向包括平移方向和旋转角度两种。
因此,在一些可选的实施例中,步骤S304还包括:根据实际子像素140的平移方向和偏移量验证掩膜板200的质量,和/或,根据实际子像素140的旋转角度和偏移量验证掩膜板200的质量。
可以理解的是,由于验证过程中仅关注于待验证子像素区域130,因此其它子像素区域不做关注,图5至图8中其它子像素区130蒸镀形成的实际子像素是否产生蒸镀误差在此不做限定,图5至图8并不构成对其他子像素区域的限定。
在上述任一实施例中,根据两个以上的实际子像素140的偏移量和偏移方向验证掩膜板200的质量的方法有多种,例如在一些可选的实施例中,
步骤S304包括步骤S3041:当两个以上的实际子像素140的偏移方向和偏移量均一致时,确认掩膜板200的质量符合要求。其中,可以理解的是,这里的偏移量一致是指在误差允许范围内的一致,而不是严格意义上的一致。
如图5至图8所示,子像素区域130内包括发光区域131,当子像素区域130发生偏转,但是发光区域131仍然在子像素区域130内时,如图5和图7所示,说明子像素区域130虽然发生偏转,但是不影响显示,因此偏移量在误差允许的范围之内;但是当子像素区域130发生偏转,发光区域131已经不在子像素区域130内时,如图6和图8所示,说明子像素区域130的偏转已经影响显示,因此偏移量不在误差允许的范围之内
在这些可选的实施例中,当两个以上的实际子像素140的偏移方向和偏移量均一致时,表明蒸镀过程中只需根据偏移方向和偏移量改变掩膜板200的位置,即能够弥补蒸镀误差,说明掩膜板200的质量不存在问题。
在另一些可选的是实施例中,步骤S304包括步骤S3042:当两个以上的实际子像素140的偏移方向不一致时,确认掩膜板200的质量不符合要求。
在这些可选的实施例中,当两个以上的实际子像素140的偏移方向不一致时,说明通过改变掩膜板200和基板100之间的相对位置,无法弥补蒸镀误差,所以掩膜板200的质量存在问题,掩膜板200不合格。
在又一些可选的实施例中,步骤S304包括步骤S3043:验证掩膜板200的质量步骤还包括当两个以上的实际子像素140的偏移方向一致,且偏移量不一致时,确认掩膜板200不符合要求。其中,可以理解的是,这里的偏移量不一致是指偏移量超出了误差范围,而不是严格意义上的不一致。
在这些可选的实施例中,当两个以上的实际子像素140的偏移方向一致,且偏移量不一致时,说明通过改变掩膜板200和基板100之间的相对位置,无法弥补蒸镀误差,所以掩膜板200的质量存在问题,掩膜板200不合格。
本发明实施的验证掩膜板200的方法仅需要蒸镀一次,根据蒸镀结果即可能够判断掩膜板200是否合格,且验证过程中能够根据定位坐标系110和像素标记120快速找到待验证的子像素区域130和待验证的子像素,能够有效提高掩膜板200的验证效率,提高掩膜板200的生产效率。
本发明可以以其他的具体形式实现,而不脱离其精神和本质特征。例如,特定实施例中所描述的算法可以被修改,而系统体系结构并不脱离本发明的基本精神。因此,当前的实施例在所有方面都被看作是示例性的而非限定性的,本发明的范围由所附权利要求而非上述描述定义,并且,落入权利要求的含义和等同物的范围内的全部改变从而都被包括在本发明的范围之中。
Claims (5)
1.一种验证掩膜板的方法,包括:
提供一种像素阵列基板,所述基板具有显示区域和位于所述显示区域外周侧非显示区域,所述像素阵列基板包括定位坐标系和像素标记,所述定位坐标系包括第一定位标记及第二定位标记,多个所述第一定位标记在所述非显示区域沿第一方向间隔分布,多个所述第二定位标记在所述非显示区域沿第二方向间隔分布,所述第一方向与所述第二方向相交,所述像素标记对应待验证子像素区域设置,所述待验证子像素区域对应于掩模板的验证开口,每个所述第一定位标记沿所述第二方向延伸形成的第一射线和每个所述第二定位标记沿所述第一方向形成的第二射线相交于所述显示区域并形成多个相交位置,在每个所述相交位置处设置有所述像素标记;
蒸镀发光层,利用掩膜板在所述阵列基板的待验证子像素区域蒸镀发光材料,以形成发光层;
确认实际子像素,利用所述定位坐标系确定所述像素标记,利用所述像素标记确定待验证子像素区域,并确认与所述待验证子像素区域所对应的实际子像素;
验证掩膜板的质量,根据所述实际子像素和所述待验证子像素区域之间的位置误差确认所述实际子像素的蒸镀误差,根据两个以上的所述实际子像素的偏移量和偏移方向验证所述掩膜板的质量,当两个以上的所述实际子像素的偏移方向和偏移量均一致时,确认所述掩膜板的质量符合要求。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述掩膜板上具有与所述待验证子像素区域对应的验证开口,在验证掩膜板的质量之前还包括:
获取所述验证开口的制造误差;
验证掩膜板的质量还包括:根据所述制造误差和所述蒸镀误差确认实际误差,根据所述实际误差确认所述掩膜板的质量。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述验证掩膜板的质量步骤还包括:当两个以上的所述实际子像素的所述偏移方向不一致时,确认所述掩膜板的质量不符合要求。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述验证掩膜板的质量步骤还包括当两个以上的所述实际子像素的所述偏移方向一致,且所述偏移量不一致时,确认所述掩膜板不符合要求。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述偏移方向包括平移方向和旋转角度,所述验证掩膜板的质量步骤还包括:根据所述实际子像素的所述平移方向和所述偏移量验证所述掩膜板的质量,和/或,根据所述实际子像素的所述旋转角度和所述偏移量验证所述掩膜板的质量。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910020586.0A CN109830508B (zh) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
PCT/CN2019/098315 WO2020143216A1 (zh) | 2019-01-09 | 2019-07-30 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910020586.0A CN109830508B (zh) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109830508A CN109830508A (zh) | 2019-05-31 |
CN109830508B true CN109830508B (zh) | 2021-06-01 |
Family
ID=66860172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910020586.0A Active CN109830508B (zh) | 2019-01-09 | 2019-01-09 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109830508B (zh) |
WO (1) | WO2020143216A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109830508B (zh) * | 2019-01-09 | 2021-06-01 | 昆山国显光电有限公司 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
CN111220106A (zh) * | 2019-12-05 | 2020-06-02 | 紫光宏茂微电子(上海)有限公司 | 针对贴附于基板上芯片的量测方法、存储设备以及终端 |
CN111965961B (zh) * | 2020-08-31 | 2023-03-10 | 南方科技大学 | 用于光刻工艺的定位方法及定位标识 |
CN117197749B (zh) * | 2023-09-21 | 2024-05-24 | 广东博惠建安科技有限公司 | 一种校园安全监控系统 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN204714884U (zh) * | 2015-06-04 | 2015-10-21 | 昆山国显光电有限公司 | 调整蒸镀偏位的装置 |
CN105280842A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-01-27 | 上海和辉光电有限公司 | 用于在oled制程中量测子像素偏移量的方法 |
CN107009729A (zh) * | 2015-09-09 | 2017-08-04 | 小森公司 | 对齐误差量检测方法和装置 |
CN108681127A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4053723B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2008-02-27 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法 |
US20150287767A1 (en) * | 2014-04-08 | 2015-10-08 | Apple Inc. | Organic Light-Emitting Diode Display With Varying Anode Pitch |
CN104943429B (zh) * | 2015-05-18 | 2019-03-08 | 尹毅 | 一种定位膜 |
CN107994136B (zh) * | 2017-12-08 | 2019-11-12 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
CN109830508B (zh) * | 2019-01-09 | 2021-06-01 | 昆山国显光电有限公司 | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 |
-
2019
- 2019-01-09 CN CN201910020586.0A patent/CN109830508B/zh active Active
- 2019-07-30 WO PCT/CN2019/098315 patent/WO2020143216A1/zh active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105280842A (zh) * | 2014-07-25 | 2016-01-27 | 上海和辉光电有限公司 | 用于在oled制程中量测子像素偏移量的方法 |
CN204714884U (zh) * | 2015-06-04 | 2015-10-21 | 昆山国显光电有限公司 | 调整蒸镀偏位的装置 |
CN107009729A (zh) * | 2015-09-09 | 2017-08-04 | 小森公司 | 对齐误差量检测方法和装置 |
CN108681127A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-10-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、其制作方法及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109830508A (zh) | 2019-05-31 |
WO2020143216A1 (zh) | 2020-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109830508B (zh) | 像素阵列基板和验证掩膜板的方法 | |
US10790339B2 (en) | OLED array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
EP2950348B1 (en) | Pixel structure for oled display screen | |
CN106920826B (zh) | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 | |
CN102691031B (zh) | 沉积掩模 | |
CN100460946C (zh) | 液晶显示装置的制造方法 | |
US20150061978A1 (en) | Pixel arrangement of color display apparatus | |
KR20190091530A (ko) | 픽셀 구조 구동 방법 | |
CN106373982A (zh) | 显示基板及其制作方法、以及显示装置 | |
US10930712B2 (en) | Irregularly-shaped flat-panel display having irregularly-shaped pixels | |
CN110098239B (zh) | 像素结构、显示基板、掩模板及蒸镀方法 | |
CN111200004A (zh) | 一种像素结构及其制备方法、显示面板 | |
CN110707141A (zh) | 有机发光显示基板及显示装置 | |
KR20160129688A (ko) | 유기발광 다이오드 표시장치 | |
CN113437122B (zh) | 像素排布结构、掩膜组件及显示面板 | |
WO2020147164A1 (zh) | Oled显示面板 | |
EP4152399A1 (en) | Display panel, mask, mask assembly, and method for manufacturing mask assembly | |
CN100456488C (zh) | 全彩有机电致发光显示面板及其制造方法 | |
US20050221713A1 (en) | Alignment structure for plasma display panel | |
US20200091259A1 (en) | Organic light emitting display device | |
US20180198066A1 (en) | Mask plates and methods for assembling the same | |
CN112825345A (zh) | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 | |
CN111613650B (zh) | 显示面板母板及显示面板喷墨打印方法 | |
CN112420785B (zh) | Oled显示面板 | |
JP5179105B2 (ja) | 有機el表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |