CN102691031B - 沉积掩模 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种沉积掩模。在拉力的作用下放置在掩模框架上的沉积掩模包括由于施加到沉积掩模的拉力而沿行方向和列方向对包括第一初始设计图案和第n初始设计图案在内的第一初始设计图案至第n初始设计图案进行校正得到的第一校正图案至第n校正图案，第一初始设计图案至第n初始设计图案沿第一方向顺序地布置，其中，第一校正图案至第n校正图案的最外侧包括沿与第一方向平行的方向延伸的第一最外侧和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二最外侧，其中，第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案和第n初始设计图案向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。

Description

沉积掩模
于2011年3月24日在韩国知识产权局提交了第10-2011-0026424号韩国专利申请，该申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明涉及一种沉积掩模，更具体地讲，涉及一种即使在向其施加拉力时仍可保持其图案精度的沉积掩模。
背景技术
电致发光装置是自发光显示装置，由于其宽视角、高对比度和高响应速度而作为下一代显示装置备受关注。
根据形成发光层的材料，将这些电致发光装置分为无机电致发光装置和有机电致发光装置。有机电致发光装置与无机电致发光装置相比具有更高的亮度和更快的响应速度，并且有机电致发光装置能够显示彩色图像。由于这些优点，正在积极地开发有机电致发光装置。
发明内容
根据一个实施例，提供了一种在拉力的作用下放置在掩模框架上的沉积掩模，所述沉积掩模包括由于施加到沉积掩模的拉力而沿行方向和列方向对包括第一初始设计图案和第n初始设计图案在内的第一初始设计图案至第n初始设计图案进行校正得到的第一校正图案至第n校正图案，第一初始设计图案至第n初始设计图案沿第一方向顺序地布置，其中，第一校正图案至第n校正图案的最外侧包括沿与第一方向平行的方向延伸的第一最外侧和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二最外侧，其中，第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案和第n初始设计图案向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
可以通过第一初始设计图案和第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第一最外侧对应的第一侧的相对端部处的第一点和第二点以及在与施加拉力的方向相反的方向上与所述第一侧的第一中点分开第一距离的第三点来确定第一曲率。
可以通过第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第二最外侧对应的第二侧的相对端部处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与所述第二侧的第二中点分开第二距离的第六点来确定第二曲率。
第一校正图案至第n校正图案中的每个可以包括多条缝隙线。
由于拉力，可以将缝隙线布置在第一校正图案至第n校正图案中的每个校正图案中。
所述沉积掩模还可以包括在拉力的作用下放置在掩模框架上的第一装置图案至第n装置图案，其中，第一装置图案至第n装置图案中的每个具有由第一方向限定的第一长度和由第二方向限定的第一宽度，第一初始设计图案至第n初始设计图案分别对应于第一装置图案至第n装置图案，并且具有由第一方向限定的第二长度和由第二方向限定的第二宽度，其中，第二长度小于第一长度，第二宽度大于第一宽度。
第二长度与第一长度的比和第二宽度相对于第一宽度的比可以由拉力的大小来确定。
第一校正图案至第n校正图案可以包括第二校正图案和第(n-1)校正图案，第一校正图案至第n校正图案中的每个校正图案和第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案可以包括至少四侧，其中，第一校正图案包括包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第二校正图案的第四侧，第n校正图案包括包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第(n-1)校正图案的第四侧，第二校正图案至第(n-1)校正图案中的每个包括包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧、面向前一校正图案的第一侧以及面向下一校正图案的第四侧。
第一校正图案的第一侧可以相对于第一初始设计图案向内凹进，第n校正图案的第一侧可以相对于第n初始设计图案向内凹进，第一校正图案至第n校正图案的第二侧和第三侧可以相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个可以对应于放置在掩模框架上的多个显示面板中的任何一个显示面板。
第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个可以包括多个开口。
根据另一实施例，提供了一种在拉力的作用下放置在掩模框架上的沉积掩模，所述沉积掩模包括沿着与施加到沉积掩模的拉力的方向平行的第一方向分别对应于按行布置的多个显示面板的第一校正图案至第n校正图案，其中，第一校正图案至第n校正图案的最外侧包括沿与第一方向平行的方向延伸的第一最外侧和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二最外侧，其中，第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案和第n初始设计图案向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
所述沉积掩模还可以包括在拉力的作用下放置在掩模框架上的第一装置图案至第n装置图案以及分别对应于第一装置图案至第n装置图案的第一初始设计图案至第n初始设计图案，其中，第一装置图案至第n装置图案中的每个具有由第一方向限定的第一长度，第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个具有由第一方向限定的第二长度，其中，第二长度小于第一长度。
第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个可以具有由垂直于第一方向的第二方向限定的第一宽度，第一校正图案至第n校正图案中的每个具有由第二方向限定的第二宽度，其中，第二宽度大于第一宽度。
可以通过第一初始设计图案和第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第一最外侧对应的第一侧的相对端部处的第一点和第二点以及在与施加拉力的方向相反的方向上与所述第一侧的第一中点分开第一距离的第三点来确定第一曲率。
可以通过第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第二最外侧对应的第二侧的相对端部处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与所述第二侧的第二中点分开第二距离的第六点来确定第二曲率。
附图说明
通过参照附图详细地描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其它方面和特征将变得更加清楚，在附图中：
图1是根据本发明示例性实施例的沉积掩模的透视图；
图2是图1中示出的沉积掩模的平面图；
图3A至图3C是用来解释从图2中示出的初始设计图案获得校正图案的方法的构思图；
图3D示出了形成在校正图案中的缝隙线；
图4是根据本发明另一示例性实施例的沉积掩模的透视图；
图5是图4中示出的沉积掩模的剖视图。
具体实施方式
通过参照附图和以下对示例性实施例的详细描述，可以更容易地理解本发明及其实现方法的优点和特征。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为局限于在此提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的，并将把本发明的构思充分地传达给本领域技术人员，本发明将仅通过权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大元件的尺寸和相对尺寸。在整个说明书中，相同的标号表示相同的元件。如在此所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。
这里使用的术语仅是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本发明。如在此所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“由......制成”时，说明存在所述组件、步骤、操作和/或元件，但不排除存在或附加一个或多个其它组件、步骤、操作、元件和/或它们的组。
应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件，但是这些元件并不受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的第一元件可被命名为第二元件。
在此参照作为本发明的理想实施例的示意性图示的平面图和剖视图来描述本发明的实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状变化。因此，本发明的实施例不应该被解释为限制于在此图示的区域的具体形状，而应该包括例如由制造导致的形状偏差。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状不意图示出装置的区域的实际形状，并且不意图限制本发明的范围。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解，除非这里明确定义，否则术语例如在通用的字典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思相同的意思，而不是以理想的或者过于正式的意义来进行解释。对于如下更详细地讨论的校正图案和/或初始设计图案，术语“向内”和“向外”可以分别指朝着或远离沉积掩模的平面内的图案的中心的方向。
在下文中，将参照图1至图4来描述根据本发明示例性实施例的沉积掩模。图1是根据本发明示例性实施例的沉积掩模120的透视图。图2是图1中示出的沉积掩模120的平面图。图3A至图3C是用来解释从图2中示出的第一至第n初始设计图案131至133获得第一至第n校正图案141至143的方法的构思图。
参照图1至图3C，根据当前示例性实施例的沉积掩模120放置在掩模框架100上。沉积掩模120包括通过对第一至第n初始设计图案131至133进行校正得到的第一至第n校正图案141至143。
第一初始设计图案131至第n初始设计图案133可以沿第一方向顺序地布置，并且可以沿行方向和列方向进行校正以限定第一校正图案141至第n校正图案143。
参照图1，可以在拉力的作用下将沉积掩模120放置在掩模框架100上。因此，由于拉力，可以沿行方向和列方向来校正第一初始设计图案131至第n初始设计图案133。放置在掩模框架100上的沉积掩模120可以包括通过在拉力的作用下沿行方向和列方向对沿第一方向顺序布置的第一至第n初始设计图案131至133进行校正得到的第一至第n校正图案141至143。
第一至第n初始设计图案131至133中的每个以及第一至第n校正图案141至143中的每个可以对应于一个显示面板。例如，通过对第一初始设计图案131进行校正得到的第一校正图案141可以对应于第一显示面板。类似地，通过对第n初始设计图案133进行校正得到的第n校正图案143可以对应于第n显示面板。
如附图所示，第一至第n初始设计图案131至133以及第一至第n校正图案141至143可以限定为对应于沿第一方向的三个显示面板。三个初始设计图案131至133以及三个校正图案141至143可以按行布置在沉积掩模120上。图案的数量可以根据使用沉积掩模120的目的而改变。图案的数量不限于附图中所示的三个。可以设置一个或两个图案或者三个或更多的图案。
沉积掩模120可以是薄的，并且可以包括精细图案。可以向沉积掩模120施加最佳拉力，以将沉积掩模120结合到掩模框架100上。这里，期望的是放置具有精度的图案。因此，放置在掩模框架100上的沉积掩模120可以包括如图3A至图3C所示的第一装置图案135a至第n装置图案135c(在图1中由标号135统一表示)。可以利用拉力将具有第一校正图案141至第n校正图案143的沉积掩模120结合到掩模框架100上来形成第一装置图案135a至第n装置图案135c。因此，可以将沉积掩模120放置在掩模框架100上而没有降低沉积掩模120的图案的精度。
通过沿行方向和列方向校正第一初始设计图案131至第n初始设计图案133得到的第一校正图案141至第n校正图案143可以限定在沉积掩模120上，并且可以利用拉力将该沉积掩模120结合到掩模框架100上，从而形成第一装置图案135a至第n装置图案135c。虽然在图1中未示出，但是第一校正图案141至第n校正图案143中的每个可以包括例如多个开口，例如，缝隙。随后将参照图3A至图3D来描述限定第一校正图案141至第n校正图案143的方法和第一校正图案141至第n校正图案143中的每个校正图案中的缝隙的布置。
参照图2，可以沿第一方向顺序地布置第一初始设计图案131至第n初始设计图案133。如图所示，第一初始设计图案131至第n初始设计图案133可以按行布置，并且可以沿布置第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的方向施加拉力，例如，沿第一方向施加拉力。可以朝着相对于第一初始设计图案131至第n初始设计图案133按行布置的方向的相对侧来施加拉力。可以从作为整体的第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的中部朝着第一初始设计图案131和第n初始设计图案133的各自的侧面的方向来施加拉力。这里，术语“第一方向”可以表示布置第一初始设计图案131至第n初始设计图案133、第一校正图案141至第n校正图案143以及第一装置图案135a至第n装置图案135c的方向。此外，术语“第一方向”可以表示施加拉力所沿的相反的方向中的一个方向。
根据拉力沿行方向和列方向校正第一初始设计图案131至第n初始设计图案133来得到第一校正图案141至第n校正图案143。第一校正图案141至第n校正图案143的最外侧可以包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第一最外侧和沿平行于第一方向的方向延伸的第二最外侧。更具体地讲，第一校正图案141至第n校正图案143的最外侧可以是在顺序布置的第一校正图案141至第n校正图案143的最外边缘处的侧面。这里，术语“沿第二方向延伸”可以表示沿与第一方向垂直的方向延伸，即，沿与布置第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的方向垂直的方向延伸或者沿与施加拉力的方向垂直的方向延伸。
参照图2，第一初始设计图案131的上侧、第n初始设计图案133的下侧以及第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的左侧和右侧可以定义为顺序布置的第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的最外侧。(术语“上”、“下”、“左”、“右”和“侧面”可以指关于图中的上部区域、下部区域、左部区域和右部区域的侧面的方向。)如上所述，通过对第一初始设计图案131至第n初始设计图案133进行校正得到第一校正图案141至第n校正图案143。因此，第一校正图案141至第n校正图案143的分别与第一初始设计图案131至第n初始设计图案133的最外侧对应的侧面可以定义为第一校正图案141至第n校正图案143的最外侧。例如，图3A中示出的第一校正图案141的上侧、图3B中示出的第n校正图案143的下侧以及图3A至图3C中示出的第一校正图案141至第n校正图案143的两侧可以定义为第一校正图案141至第n校正图案143的最外侧。
此外，第一校正图案141至第n校正图案143的第一最外侧是沿垂直于第一方向(即，图案布置方向)的第二方向延伸的侧面，即，第一校正图案141的上侧和第n校正图案143的下侧。第一最外侧具有第一曲率，并且相对于第一初始设计图案131至第n初始设计图案133向内凹进。第一校正图案141至第n校正图案143的第二最外侧是第一校正图案141至第n校正图案143的沿着图案布置方向延伸的两侧。第二最外侧具有第二曲率，并且相对于第一初始设计图案131至第n初始设计图案133向外凸出。
参照图3A，第一曲率可以通过第一初始设计图案131的第一侧(对应于第一最外侧之一)的两个相对的端部处的第一点和第二点以及沿与施加拉力的方向相反的方向与第一侧的第一中点M11分开第一距离b11的第三点来确定。例如，第一曲率可以通过由第一点至第三点定义的三角形的外接圆来确定。更具体地讲，第一校正图案141可以具有包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第二校正图案142的第四侧。在这种情况下，第一侧可以是第一校正图案141的上侧，第二侧和第三侧可以是第一校正图案141的相对的横向侧，第四侧可以是第一校正图案141的下侧，如图3A所示。
参照图3A，在通过拉力放置在掩模框架100上的第一装置图案135a至第n装置图案135c中，第一装置图案135a可以具有由第一方向限定的第一长度L1和由第二方向限定的第一宽度W。此外，第一初始设计图案131可以对应于第一装置图案135a，并且可以具有由第一方向限定的第二长度Lr和由第二方向限定的第二宽度Wr。在这种情况下，第二长度Lr可以小于第一长度L1，第二宽度Wr可以大于第一宽度W。例如，第一初始设计图案131的第二长度Lr可以为第一装置图案135a的第一长度L1的大约99.97％。此外，第一初始设计图案131的第二宽度Wr在第一装置图案135a的两个横向侧上可以比第一装置图案135a的第一宽度W大距离“a”。“a”的值可以是例如1μm。在这种情况下，第二宽度Wr可以比第一宽度W大2μm。
换言之，由于施加到沉积掩模120的拉力，可以使第一装置图案135a的第一长度L1减小到其预定的百分比，并且可以使第一装置图案135a的第一宽度W增大预定的量。长度减小百分比和宽度增大的量的上述值仅仅是示例，并且可以根据施加到沉积掩模120的拉力的大小而变化。即，可以通过拉力的大小来确定第二长度Lr与第一长度L1的比和从第一宽度W到第二宽度Wr的增大量。
在所有的第一装置图案135a至第n装置图案135c中，第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个的第二长度Lr和第二宽度Wr可以相同。即，第一装置图案135a至第n装置图案135c中的每个可以具有第一长度L1，第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个可以具有第二长度Lr。在这种情况下，第二长度Lr可以小于第一长度L1。在一些其它的实施例中，鉴于施加到第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个的拉力的大小，可以对第一装置图案135a至第n装置图案135c中的每个应用不同的长度减小百分比。即，可以对第一装置图案135a和第二装置图案135b应用不同的长度减小百分比，以限定第一初始设计图案131和第二初始设计图案132。
此外，第一装置图案135a具有通过第二方向限定的第一宽度W，第一初始设计图案131具有第二宽度Wr。在这种情况下，第二宽度Wr可以大于第一宽度W。例如，可以通过将第一装置图案135a的第一宽度W在第一装置图案135a的相对的横向侧中的每个上增加1μm来实现第一初始设计图案131的第二宽度Wr。换言之，由于当沿着第一方向对沉积掩模120施加拉力时可以减小图案宽度，所以第一装置图案135a的宽度W增大了预定的量。然而，宽度增大的上述量仅仅是示例，而是可以根据施加到沉积掩模120的拉力的大小来变化。即，从第一宽度W增大到第二宽度Wr的量(例如，百分比)可以通过拉力的大小来确定。
在所有的第一装置图案135a至第n装置图案135c中，第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个的第二宽度Wr可以相同。即，第一装置图案135a至第n装置图案135c中的每个可以具有第一宽度W，第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个可以具有第二宽度Wr。在这种情况下，第二宽度Wr可以大于第一宽度W。在一些其它实施例中，可以对第一装置图案135a至第n装置图案135c应用不同的宽度增加量。即，可以对第一装置图案135a和第二装置图案135b应用不同的宽度增加量，以限定第一初始设计图案131和第二初始设计图案132。
第一宽度W和第二宽度Wr中的每个宽度可以指第一装置图案135a至第n装置图案135c中的每个的面向相邻的装置图案的侧面的长度或者第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个的面向相邻的初始设计图案的侧面的长度。例如，第一装置图案135a的第一宽度W可以是第一装置图案135a的面向相邻的第二装置图案135b的侧面(即，下侧)的宽度，第一初始设计图案131的第二宽度Wr可以是第一初始设计图案131的面向相邻的第二初始设计图案132的侧面(即，下侧)的宽度。
第二最外侧具有第二曲率，并且相对于第一初始设计图案131至第n初始设计图案133向外凸出。可以通过在第一初始设计图案131至第n初始设计图案133中的每个的第二侧(对应于每个第二最外侧)的两端处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与第二侧的第二中点M12分开第二距离b12的第六点来确定第二曲率。如图3A所示，第二最外侧可以是第一校正图案141的相对于第一初始设计图案131的对应侧向外凸出的相应的横向侧。
参照图3B，可以以与限定第一校正图案141(见图3A)的方式类似的方式来限定第n校正图案143。具体地讲，第n校正图案143可以具有包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第(n-1)校正图案142的第四侧，如图3B所示。
更具体地讲，第n校正图案143的第一侧(包括在第一最外侧中)可以是沿垂直于第一方向(即，图案布置方向)的第二方向延伸的侧面(即，下侧)。第n校正图案143的第一侧可以具有第一曲率，并且可以相对于第n初始设计图案133向内凹进。此外，第n校正图案143的第二侧和第三侧(包括在第二最外侧中)可以是第n校正图案143的沿图案布置方向延伸的横向侧。第n校正图案143的第二侧和第三侧可以具有第二曲率，并且可以相对于第n初始设计图案133向外凸出。
如图所示，可以通过处于第n初始设计图案133的第一侧(即，下侧)的相对的端部处的第一点和第二点以及在与施加拉力的方向相反的方向上与第一侧的第一中点M31分开第一距离b31的第三点来确定第一曲率。更具体地讲，可以由经过这样一个点的曲线来限定第一曲率，所述一个点在从第n初始设计图案133的下侧的中点M31向第n初始设计图案133中行进第一距离b31之处。如果通过拉力将沉积掩模120放置在掩模框架100上，则第n装置图案135c可以具有沿第一方向定义的第一长度L1和沿第二方向定义的第一宽度W。与第一校正图案141一样，由于拉力，可以将与第n装置图案135c对应的第n校正图案143限定在沉积掩模120上。将第一长度L1和第一宽度W校正为第二长度Lr和第二宽度Wr的方法与用于第一校正图案141的方法基本相同，因此，将不再重复对其的详细描述。
参照图3C，第二至第(n-1)校正图案142中的每个可以具有包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧、面向前一校正图案的第一侧以及面向下一校正图案的第四侧。在图2至图3C中，n为3。因此，可以将第二至第(n-1)校正图案142作为一个第二校正图案142来描述。换言之，第二校正图案142的第二侧和第三侧(包括在第二最外侧中)是第二校正图案142的两侧，第二校正图案142的第一侧是面向第一校正图案141的上侧，第二校正图案142的第四侧是面向第三校正图案143的下侧。
第二校正图案142的上侧和下侧可以与第二初始设计图案132的上侧和下侧相同，如图3C所示。然而，第二校正图案142的相对的横向侧中的每个可以通过第二初始设计图案132的相对的横向侧中的对应的一个横向侧的相对的端部处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与横向侧中的所述对应的一个横向侧的中点M22分开预定距离b22的第六点来确定。换言之，第二校正图案142的每个横向侧可以通过由第四点至第六点定义的三角形的外接圆的弧来确定。
第二校正图案142也具有通过校正第二装置图案135b的第一长度L1和第一宽度W而获得的第二长度Lr和第二宽度Wr。校正方法可以与上面描述的校正方法相同。
如上所述，多个开口(例如，缝隙)可以形成在第一校正图案141至第n校正图案143中的每个校正图案中。
例如，参照图3D，多条缝隙线141s可以布置在第一校正图案141中以对应于第一校正图案141的最外侧。第一缝隙线141s可以布置成对应于从第一初始设计图案131校正得到的第一校正图案141的最外侧。
即，与第一校正图案141的第一最外侧(即，上侧)对应的第一缝隙线可以具有第一曲率并且可以沿着相对于第一初始设计图案131向内凹进的第一最外侧布置。与第一校正图案141的下侧(即，第四侧)对应的第n缝隙线可以沿着第一校正图案141的下侧布置。当第一校正图案141的下侧具有通过如上所述使第一初始设计图案131的长度沿宽度方向增加而获得的长度时，第n缝隙线的缝隙可以布置成对应于增加的长度。
缝隙线141s的曲率可以从顶部到底部逐渐减小，如图所示。换言之，设置在第一校正图案141的顶部处的第一缝隙线的曲率可以大于设置在第一缝隙线下方的第二缝隙线的曲率，与第一校正图案141的下侧对应的第n缝隙线的曲率可以小于设置在第n缝隙线上方的第(n-1)缝隙线的曲率。例如，第n缝隙线的曲率可以为零。
在该图中，示出了与第一校正图案141对应的缝隙线141s。然而，也可以将相同的缝隙线141s应用于第二校正图案142至第n校正图案143。例如，第n校正图案143中的缝隙线的曲率从如图3B所示的底部到顶部逐渐减小。换言之，位于第n校正图案143的顶部的第一缝隙线的曲率可以小于设置在第一缝隙线下方的第二缝隙线的曲率。这里，第一缝隙线的曲率可以为例如零。此外，第n缝隙线的曲率可以大于设置在第n缝隙线上方的第(n-1)缝隙线的曲率。例如，第n缝隙线可以具有第n校正图案143的下侧的第一曲率。
这里，用语“缝隙线具有曲率”可以是指由虚线连接的缝隙形成具有特定曲率的曲线的构造。如图所示，缝隙线141s可以被布置成不仅沿行方向具有曲率而且沿列方向具有曲率。沿列方向的曲率可以通过第一校正图案141至第n校正图案143中的每个的横向侧(即，第二最外侧)的曲率来限定。
在根据当前示例性实施例的沉积掩模120中，初始设计图案和校正图案是按作用于沉积掩模120以将沉积掩模120固定到掩模框架100上的拉力来限定的。因此，可以保持图案的精度。
在下文中，将参照图4和图5来描述根据本发明另一示例性实施例的沉积掩模。图4是根据本发明另一示例性实施例的沉积掩模的透视图。图5是图4中示出的沉积掩模的剖视图。
参照图4和图5，根据当前示例性实施例的沉积掩模放置在掩模框架上。沉积掩模包括通过对第一初始设计图案231至第n初始设计图案233进行校正得到的第一校正图案至第n校正图案。由于在拉力的作用下将沉积掩模放置在掩模框架上，所以可以根据拉力将第一校正图案至第n校正图案限定在沉积掩模上。
更具体地讲，第一初始设计图案231至第n初始设计图案233可以沿第一方向顺序地布置，可以通过在拉力的作用下沿行方向和列方向校正第一初始设计图案231至第n初始设计图案233来限定第一校正图案至第n校正图案。第一校正图案至第n校正图案的最外侧可以包括沿垂直于第一方向的第二方向延伸的第一最外侧和沿平行于第一方向的方向延伸的第二最外侧。第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案231至第n初始设计图案233向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案231至第n初始设计图案233向外凸出。
根据当前示例性实施例的沉积掩模与根据前面的示例性实施例的沉积掩模120的不同之处在于：根据当前示例性实施例的沉积掩模包括五个装置图案。换言之，n为5。第一最外侧可以相对于沉积掩模从第一初始设计图案231的上侧和第五初始设计图案233的下侧向内凹进，第二最外侧可以相对于沉积掩模从第一至第五初始设计图案231、232a、232b、232c和233的两侧向外凸出。
即，根据当前示例性实施例的第一初始设计图案231可以按照与根据前面的示例性实施例的第一初始设计图案131(见图3A)相对于第一校正图案141被向内校正的方式相同的方式来进行校正，根据当前示例性实施例的第n初始设计图案(即，第五初始设计图案233)可以按照与根据前面的示例性实施例的第三初始设计图案133(见图3B)相对于第三校正图案143被向内校正的方式相同的方式来进行校正。类似地，根据当前示例性实施例的第二初始校正图案232a至第四初始校正图案232c可以按照与根据前面的示例性实施例的第二初始设计图案132(见图3C)相对于第二校正图案142被向内校正的方式相同的方式来进行校正。由于上面已经描述了校正方法，所以将不重复对其的详细描述。
作为总结和回顾，有机电致发光装置可以包括以预定的图案形成在绝缘基底上的第一电极、通过真空沉积形成在具有第一电极的基底上的有机膜以及沿与第一电极交叉的方向形成在有机膜上的第二电极。由于有机膜会易受湿气的影响，所以在制造有机电致发光装置的过程中形成有机膜之后会难以利用光刻工艺来执行蚀刻工艺。因此，可以利用具有特定图案的掩模在真空状态下来沉积有机膜的有机发光材料和第二电极的材料。
当使用沉积掩模时，可以将沉积掩模放置在框架上，从而对沉积掩模施加拉力。然而，当向沉积掩模施加拉力时，可能难以保持形成在沉积掩模上的图案的精度。
目前的实施例提供了即使在向其施加拉力时仍可保持其图案精度的沉积掩模。更具体地讲，在根据当前示例性实施例的沉积掩模中，在施加到沉积掩模的拉力的作用下限定初始设计图案和校正图案，以将沉积掩模固定到掩模框架上。因此，可以保持图案的精度。

Claims (16)

1.一种沉积掩模，所述沉积掩模在拉力的作用下放置在掩模框架上，所述沉积掩模包括由于施加到沉积掩模的拉力而沿行方向和列方向对包括第一初始设计图案和第n初始设计图案在内的第一初始设计图案至第n初始设计图案进行校正得到的第一校正图案至第n校正图案，第一初始设计图案至第n初始设计图案沿第一方向顺序地布置，其中，第一校正图案至第n校正图案的最外侧包括沿与第一方向平行的方向延伸的第一最外侧和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二最外侧，其中，第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案和第n初始设计图案向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，通过第一初始设计图案和第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第一最外侧对应的第一侧的相对端部处的第一点和第二点以及在与施加拉力的方向相反的方向上与所述第一侧的第一中点分开第一距离的第三点来确定第一曲率。
3.根据权利要求2所述的沉积掩模，其中，通过第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第二最外侧对应的第二侧的相对端部处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与所述第二侧的第二中点分开第二距离的第六点来确定第二曲率。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第一校正图案至第n校正图案中的每个包括多条缝隙线。
5.根据权利要求4所述的沉积掩模，其中，由于拉力，将缝隙线布置在第一校正图案至第n校正图案中的每个校正图案中。
6.根据权利要求1所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括在拉力的作用下放置在掩模框架上的第一装置图案至第n装置图案，其中，第一装置图案至第n装置图案中的每个具有由第一方向限定的第一长度和由第二方向限定的第一宽度，第一初始设计图案至第n初始设计图案分别对应于第一装置图案至第n装置图案，并且具有由第一方向限定的第二长度和由第二方向限定的第二宽度，其中，第二长度小于第一长度，第二宽度大于第一宽度。
7.根据权利要求6所述的沉积掩模，其中，第二长度与第一长度的比和第二宽度相对于第一宽度的比是由拉力的大小来确定的。
8.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第一校正图案至第n校正图案包括第二校正图案和第(n-1)校正图案，其中，第一校正图案至第n校正图案中的每个校正图案和第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案包括至少四侧，其中，第一校正图案具有包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第二校正图案的第四侧，第n校正图案具有包括在第一最外侧中的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向第(n-1)校正图案的第四侧，第二校正图案至第(n-1)校正图案中的每个包括面向前一校正图案的第一侧、包括在第二最外侧中的第二侧和第三侧以及面向下一校正图案的第四侧。
9.根据权利要求8所述的沉积掩模，其中，第一校正图案的第一侧相对于第一初始设计图案向内凹进，第n校正图案的第一侧相对于第n初始设计图案向内凹进，第一校正图案至第n校正图案的第二侧和第三侧相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
10.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个对应于放置在掩模框架上的多个显示面板中的任何一个显示面板。
11.根据权利要求1所述的沉积掩模，其中，第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个包括多个开口。
12.一种沉积掩模，所述沉积掩模在拉力的作用下放置在掩模框架上，所述沉积掩模包括沿着与施加到沉积掩模的拉力的方向平行的第一方向分别对应于按行布置的多个显示面板的第一校正图案至第n校正图案，其中，第一校正图案至第n校正图案的最外侧包括沿与第一方向平行的方向延伸的第一最外侧和沿与第一方向垂直的第二方向延伸的第二最外侧，其中，第一最外侧具有第一曲率并且相对于第一初始设计图案和第n初始设计图案向内凹进，第二最外侧具有第二曲率并且相对于第一初始设计图案至第n初始设计图案向外凸出。
13.根据权利要求12所述的沉积掩模，所述沉积掩模还包括在拉力的作用下放置在掩模框架上的第一装置图案至第n装置图案以及分别对应于第一装置图案至第n装置图案的第一初始设计图案至第n初始设计图案，其中，第一装置图案至第n装置图案中的每个具有由第一方向限定的第一长度，第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个具有由第一方向限定的第二长度，其中，第二长度小于第一长度。
14.根据权利要求13所述的沉积掩模，其中，第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个具有由与第一方向垂直的第二方向限定的第一宽度，第一校正图案至第n校正图案中的每个具有由第二方向限定的第二宽度，其中，第二宽度大于第一宽度。
15.根据权利要求13所述的沉积掩模，其中，通过第一初始设计图案和第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第一最外侧对应的第一侧的相对端部处的第一点和第二点以及在与施加拉力的方向相反的方向上与所述第一侧的第一中点分开第一距离的第三点来确定第一曲率。
16.根据权利要求15所述的沉积掩模，其中，通过第一初始设计图案至第n初始设计图案中的每个初始设计图案的与每个第二最外侧对应的第二侧的相对端部处的第四点和第五点以及在与施加拉力的方向垂直的方向上与所述第二侧的第二中点分开第二距离的第六点来确定第二曲率。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101232181B1 (ko) * 2010-02-03 2013-02-12 엘지디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리
KR101813549B1 (ko) * 2011-05-06 2018-01-02 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크와 그 분할 마스크를 포함한 마스크 프레임 조립체의 조립장치
KR20130028165A (ko) * 2011-06-21 2013-03-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 유닛
KR102014479B1 (ko) * 2012-11-28 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP5382257B1 (ja) * 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR102218656B1 (ko) * 2013-05-08 2021-02-23 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
KR102160695B1 (ko) * 2013-05-10 2020-09-29 삼성디스플레이 주식회사 마스크
KR20150019695A (ko) * 2013-08-14 2015-02-25 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 및 마스크 조립체
KR20150056112A (ko) * 2013-11-14 2015-05-26 삼성디스플레이 주식회사 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
CN103713466B (zh) * 2013-12-30 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法
CN104561893B (zh) * 2014-12-25 2018-02-23 信利（惠州）智能显示有限公司 掩膜板制造方法
CN106048520B (zh) * 2016-05-27 2017-11-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版框架及主体、掩膜版及制作方法、基板和显示面板
KR102618351B1 (ko) 2016-07-19 2023-12-28 삼성디스플레이 주식회사 패턴위치조정기구가 구비된 마스크 프레임 조립체 및 그것을 이용한 패턴 위치 조정 방법
KR102642345B1 (ko) * 2016-09-06 2024-02-29 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크
KR102640221B1 (ko) * 2016-09-22 2024-02-23 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크의 제조 방법
JP6376483B2 (ja) * 2017-01-10 2018-08-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法
CN206706184U (zh) * 2017-05-12 2017-12-05 京东方科技集团股份有限公司 掩模板以及掩模片
CN109103101B (zh) * 2017-06-21 2020-09-29 清华大学 纳米微结构的制备方法
CN109103075B (zh) * 2017-06-21 2020-12-04 清华大学 纳米级沟道的制备方法
CN108950474B (zh) * 2018-07-25 2020-06-23 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及掩模组件
US11326246B2 (en) * 2020-07-27 2022-05-10 Rockwell Collins, Inc. Controlled warping of shadow mask tooling for improved reliability and miniturization via thin film deposition
KR20230127393A (ko) * 2022-02-24 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 제조 방법

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3241519A (en) * 1962-04-05 1966-03-22 Western Electric Co Tensioned and cooled mask
US4828523A (en) * 1987-06-04 1989-05-09 Zenith Electronics Corporation Tension mask securement means and process therefore
US5162008A (en) * 1988-07-22 1992-11-10 Zenith Electronics Corporation Method and apparatus for stretching interchangeable tension masks in color cathode ray tubes
US5184176A (en) 1990-10-08 1993-02-02 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus with an aberration compensation device of a projection lens
JP3402681B2 (ja) * 1993-06-02 2003-05-06 サンエー技研株式会社 露光における位置合わせ方法
JPH08162035A (ja) * 1994-11-30 1996-06-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd カラー受像管用色選別電極およびその製造方法
US5854819A (en) * 1996-02-07 1998-12-29 Canon Kabushiki Kaisha Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same
US6069931A (en) * 1997-02-28 2000-05-30 Canon Kabushiki Kaisha Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus
JP3598927B2 (ja) 1999-12-27 2004-12-08 松下電器産業株式会社 シャドウマスク組立体の製造方法および陰極線管の製造方法
KR100382491B1 (ko) * 2000-11-28 2003-05-09 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ의 새도우 마스크
CA2426641C (en) * 2001-08-24 2010-10-26 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Multi-face forming mask device for vacuum deposition
KR100490534B1 (ko) 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
US20030151118A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US6897164B2 (en) * 2002-02-14 2005-05-24 3M Innovative Properties Company Aperture masks for circuit fabrication
US6878208B2 (en) * 2002-04-26 2005-04-12 Tohoku Pioneer Corporation Mask for vacuum deposition and organic EL display manufactured by using the same
US6955726B2 (en) * 2002-06-03 2005-10-18 Samsung Sdi Co., Ltd. Mask and mask frame assembly for evaporation
US6729927B2 (en) * 2002-08-01 2004-05-04 Eastman Kodak Company Method and apparatus for making a shadow mask array
JP4072422B2 (ja) * 2002-11-22 2008-04-09 三星エスディアイ株式会社 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
JP4230258B2 (ja) * 2003-03-19 2009-02-25 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネル、有機ｅｌパネルの製造方法
US20050130422A1 (en) * 2003-12-12 2005-06-16 3M Innovative Properties Company Method for patterning films
KR100659057B1 (ko) * 2004-07-15 2006-12-21 삼성에스디아이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치
US7821199B2 (en) * 2004-09-08 2010-10-26 Toray Industries, Inc. Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof
KR100708654B1 (ko) * 2004-11-18 2007-04-18 삼성에스디아이 주식회사 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체
KR100700838B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 섀도우마스크 패턴 형성방법
KR100682760B1 (ko) * 2005-03-22 2007-02-15 엘지전자 주식회사 유기전계발광표시소자의 제조장치
US7674148B2 (en) * 2006-02-10 2010-03-09 Griffin Todd R Shadow mask tensioning method
WO2007133252A2 (en) * 2006-05-10 2007-11-22 Advantech Global, Ltd. Tensioned aperture mask and method of mounting
EP2110455A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-21 Applied Materials, Inc. Mask support, mask assembly, and assembly comprising a mask support and a mask
US20090311427A1 (en) 2008-06-13 2009-12-17 Advantech Global, Ltd Mask Dimensional Adjustment and Positioning System and Method
KR101182439B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR101941695B1 (ko) * 2012-05-31 2019-01-24 삼성디스플레이 주식회사 마스크 인장 장치, 마스크 시트 및 이를 포함하는 마스크 제조 시스템
KR102014479B1 (ko) * 2012-11-28 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
CN104630705A (zh) * 2015-03-13 2015-05-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种掩膜板及其制备方法

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