TWI536632B - 沉積遮罩 - Google Patents
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Description
本申請案主張於西元2011年3月24日向韓國智財局所提出,申請號為10-2011-0026424之韓國專利申請案的優先權效益,其全部內容納入此處作為參考。
本發明之係有關於一種沉積遮罩,且更具體地說,係有關於即使當拉力施加於沉積遮罩時,仍能維持沉積遮罩的圖樣精確度。
電激發光裝置,即自發光顯示裝置,由於廣視角、高對比以及反應速率快,已受到矚目作為下一世代之顯示裝置。
這些電激發光裝置根據形成發光層的材料,分成無機電激發光裝置和有機電激發光裝置。有機電激發光裝置較無機電激發光裝置具有更高的亮度和更快的反應速率,並且可顯示彩色影像。由於這些優勢,目前正在積極發展有機電激發光裝置。
本發明之一目的就是提供一種沉積遮罩,其係藉著拉力置於遮罩框架上;沉積遮罩包含第一個到第n個已校正圖樣(pattern),其係藉著校正包含第一個原始設計圖樣(pattern)和第n個原始設計圖樣(pattern)之第一個到第n個原始設計圖樣所得;基於施加於沉積遮罩之拉力的列的方向(row)與行的方向(column),第一個到第n個原始設計圖樣係依序排列在第一方向上,其中第一個到第n個已校正圖樣之最外側邊包含第一最外側邊,其係沿著垂直於第一方向之第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於第一方向的方向上延伸,其中第一最外側邊具有第一曲率且相對於第一個原始設計圖樣和第n個原始設計圖樣往內凹陷,且第二最外側邊具有第二曲率且相對於第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
第一曲率可藉由在每一第一個原始設計圖樣和第n個原始設計圖樣中,對應於每一第一最外側邊之第一側的相反兩端上之第一點和第二點、以及在相反於施加拉力之方向的方向上,以第一距離與第一側的第一中點分離之第三點來決定。
第二曲率可藉由在每一第一個到第n個原始設計圖樣中,對應於每一第二最外側邊之第二側的相反兩端上之第四點和第五點、以及在垂直於施加拉力之方向的方向上,以第二距離與第二側的第二中點分離之第六點來決定。
每一第一個到第n個已校正圖樣可包含複數條狹縫線(slit line)。
狹縫線可基於拉力而配置於每一第一個到第n個已校正圖樣中。
沉積遮罩可更包含第一個到第n個裝置圖樣,其係藉由拉力而置於遮罩框架上,其中每一第一個到第n個裝置圖樣具有由第一方向所定義的第一長度和由第二方向所定義的第一寬度,且第一個到第n個原始設計圖樣分別地對應於第一個到第n個裝置圖樣,並且具有由第一方向所定義的第二長度和由第二方向所定義的第二寬度,其中第二長度小於第一長度且第二寬度大於第一寬度。
第二長度與第一長度的比值、以及第二寬度相對於第一寬度的比值可藉由拉力的大小來決定。
第一個到第n個已校正圖樣可包含第二個已校正圖樣和第(n-1)個已校圖樣,且每一第一個到第n個已校正圖樣和每一第一個到第n個原始設計圖樣可包含至少四個側邊,其中第一個已校正圖樣包括包含於第一最外側邊內之第一側邊、包含於第二最外側邊內之第二側邊和第三側邊、以及面對第二個已校正圖樣第四側邊;第n個已校正圖樣包括包含於第一最外側邊內之第一側邊、包含於第二最外側邊內之第二側邊和第三側邊、以及面對第(n-1)個已校正圖樣之第四側邊;以及每一第二個到第(n-1)個已校正圖樣包括包含於第二最外側邊內之第二側邊和第三側邊、面對前一個已校正圖樣之第一側邊、以及面對下一個已校正圖樣之第四側邊。
第一個已校正圖樣和第n個已校正圖樣之第一側邊,可相對於第一個原始設計圖樣和第n個原始設計圖樣往內凹陷,且第一個到第n個已校正圖樣之第二側邊和第三側邊,可相對於第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
每一第一個到第n個原始設計圖樣可對應於置於遮罩框架上之複數個顯示面板中的任一個。
每一第一個到第n個原始設計圖樣可包含複數個開口(apertures)。
依據本發明再一目的係為提供一種沉積遮罩,其係藉著拉力而置於遮罩框架上;沉積遮罩包含第一個到第n個已校正圖樣,其係沿著與施加至沉積遮罩之拉力之方向平行之第一方向上,分別對應於排成列的複數個顯示面板,其中第一個到第n個已校正圖樣之最外側邊包含第一最外側邊,其係沿著垂直於第一方向之第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於第一方向的方向上延伸,第一最外側邊具有第一曲率且相對於第一個原始設計圖樣和
第n個原始設計圖樣往內凹陷,且第二最外側邊具有第二曲率且相對於第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
沉積遮罩更包含第一個到第n個裝置圖樣,其係藉著拉力置於遮罩框架上,且第一個到第n個原始設計圖樣分別地對應於第一個到第n個裝置圖樣,其中每一第一個到第n個裝置圖樣具有由第一方向所定義的第一長度,每一第一個到第n個原始設計圖樣具有由第一方向所定義的第二長度,其中第二長度小於第一長度。
每一第一個到第n個裝置圖樣可具有由垂直於第一方向之第二方向所定義的第一寬度,且每一第一個到第n個原始設計圖樣可具有由第二方向所定義的第二寬度,其中第二寬度大於第一寬度。
第一曲率可藉由在每一第一個原始設計圖樣和第n個原始設計圖樣中,對應至每一第一最外側邊之第一側的相反兩端上之第一點和第二點、以及在相反於施加拉力之方向的方向上,以第一距離與第一側的第一中點分離之第三點來決定。
第二曲率可藉由在每一第一個到第n個原始設計圖樣中,對應至每一第二最外側邊之第二側的相反兩端上之第四點和第五點、以及在垂直於施加拉力之方向的方向上,以第二距離與第二側的第二中點分離之第六點來決定。
100‧‧‧遮罩框架
120、220‧‧‧沉積遮罩
131、132、133、231、232、232a、232b、232c、233‧‧‧原始設計圖樣
135、135a、135b、135c、235‧‧‧裝置圖樣
141s‧‧‧狹縫線
141、142、143‧‧‧已校正圖樣
a‧‧‧距離
b11‧‧‧第一距離
b12‧‧‧第二距離
b22‧‧‧距離
b31‧‧‧第一距離
b32‧‧‧第二距離
L1‧‧‧第一長度
Lr‧‧‧第二長度
M11‧‧‧第一中點
M12‧‧‧第二中點
M22‧‧‧中點
M31‧‧‧第一中點
M32‧‧‧第二中點
W‧‧‧第一寬度
Wr‧‧‧第二寬度
藉由參考附圖以詳細描述例示性實施例,本發明上述與其他態樣與特徵將更為顯而易知,其中:第1圖 係根據本發明例示性實施例之沉積遮罩之透視圖;第2圖 係第1圖中沉積遮罩之平面圖;
第3A圖至第3C圖 係為用以解釋從顯示於第2圖之原始設計圖樣獲得校正過的圖樣之方法的概念圖;第3D圖 係為形成在校正過的圖樣中之狹縫的示意圖;第4圖 係根據本發明另一例示性實施例之沉積遮罩之透視圖;以及第5圖 係為第4圖中沉積遮罩之平面圖。
藉由參考以下例示性實施例與附圖的詳細說明,將更易於理解本發明的優點和特徵以及實現本發明之方法。然而,本發明係可以用許多不同形式實施,然而,且不應理解為這並不意在限制本發明於特定的實施模式限於此處之實施例;。相反的,這些實施例的提供反而將使得本發明的內容之揭露更加完整透徹,且完全地傳達本發明的概念,所以習之技藝者應瞭解,任何未脫離本發明之精神與技術範疇所進行之變更、等效修改或替代更換,均應包含於後附之申請專利範圍中。而在圖式中元件之尺寸、相對大小可能為了清楚解釋而誇大。整個說明書中,相同的參考符號代表相同的元件。在此所用的“及/或”等詞,包含一個或更多所列相關項目之任一個或所有的組合。
在此所用之專有名詞僅為了描述特定的實施例,而非為了限制本發明。在此雖用單數的形態但也包含其複數的形態,除非另有文字說明。同樣可理解的是,在本說明書中所使用“包含”及/或“由…所製成”等詞,係用以指定呈現所述之元件、步驟、操作及/或零組件,而非排除一個或多個其他上述對等物或其組合的呈現。
雖然在此說明書可能會使用第一、第二、第三等字詞來敘述不同的構成元件,但是這些構成元件則不受限於所用的字詞。而且,這些字詞僅是用來幫助區別一構成元件與另一個構成元件的不同,因此,以下所述之第一元件可命之為第二元件,而不會脫離本發明之教示。
在此所述之本發明之實施例係伴隨參閱本發明理想實施例之概念平面圖和截面圖。因此可預期,例如因製造技術及/或誤差,可能會造成圖例之形狀產生變化形的結果。所以,本發明之實施例不應受限於此處所示之區域的特定形狀,而是包含因製造而造成之形狀變化的結果。因此,在例圖中所示之區域係圖示出其實際的樣子,而其形狀並非意在圖示出裝置之區域的真實形狀,也不是意在限制本發明的範疇。
除非另有定義,在此所使用之所有字詞(包含技術和科學用詞)與本發明同屬技術領域者一般所了解的,具有相同的解釋意義。更進一步瞭解的是,在此所使用之字詞,例如定義在一般使用的字典裡的那些,應以其在相關領域中所具有之相同意義解釋,且除非本說明書如此定義,否則不要以理想化或過於正式之意義解釋之。關於以下更加詳細討論之已校正圖樣及/或原始設計圖樣,所用之“往內”和“往外”係可分別指朝向或遠離在沉積遮罩的平面中的圖樣中心。
以下將伴隨參閱第1圖到第3D圖,詳細地闡述本發明例示性實施例之沉積遮罩。第1圖係根據本發明例示性實施例之沉積遮罩120之透視圖。第2圖係第1圖中沉積遮罩120之平面圖。第3A圖至第3C圖係用以解釋由第2圖中從第一個到第n個原始設計圖樣131到133,獲得第一個到第n個已校正圖樣141到143之方法的概念圖。
參閱第1圖到第3C圖,根據本發明例示性實施例的沉積遮罩120係置於遮罩框架100上。沉積遮罩120包含第一個到第n個已校正圖樣141到143,其係藉由校正第一個到第n個原始設計圖樣131到133所得到。
第一個到第n個原始設計圖樣131到133可依序配置於第一方向上,且可在列的方向上和行的方向上進行修正以定義第一個到第n個已校正圖樣141到143。
參閱第1圖,沉積遮罩120可藉著拉力(tensile force)而置於遮罩框架100上。因此,第一個到第n個原始設計圖樣131到133可從拉力來看之列的方向上和行的方向上進行修正。置於遮罩框架100上之沉積遮罩120可包含第一個到第n個已校正圖樣141到143,其係藉由校正第一個到第n個原始設計圖樣131到133所得到,而所述的原始設計圖樣係基於拉力之列的方向與行的方向依序配置於第一方向上。
第一個到第n個原始設計圖樣131到133以及第一個到第n個已校正圖樣141到143中的每一個,可對應於一個顯示面板。舉例而言,藉著校正第一個原始設計圖樣131所得到的第一個已校正圖樣141,可對應於第一個顯示面板。依此類推,藉著校正第n個原始設計圖樣133所得到的第n個已校正圖樣143,可對應於第n個顯示面板。
如圖所示,第一個到第n個原始設計圖樣131到133以及第一個到第n個已校正圖樣141到143,可定義為在第一方向上對應於三個顯示面板。第一個到第n個原始設計圖樣131到133以及第一個到第n個已校正圖樣141到143,可配置於沉積遮罩120的一列上。依據使用沉積遮罩120之目的,圖樣的數量可改變。圖樣的數量並非如圖所示而限於三個,可提供一個或兩個圖樣或三個甚或更多的圖樣。
沉積遮罩120的厚度可為薄的,且可包含精細(fine)的圖樣。可在沉積遮罩120上施加最佳拉力使其結合到遮罩框架100上。在此希望能精確地放置圖樣,因此,置於遮罩框架100之上的沉積遮罩120可包含第一個到第n個裝置圖樣135a到135c(在第1圖中統一以參考符號135稱之),如第3A圖至第3B圖所示。第一個到第n個裝置圖樣135a到135c可藉由拉力,將具有第一個到第n個已校正圖樣141到143之沉積遮罩120結合到遮罩框架100之上。如此一來,沉積遮罩120可在不降低其圖樣精確度的情況下,置於遮罩框架100之上。
於列的方向和行的方向上,藉著校正第一個到第n個原始設計圖樣131到133所得到的第一個到第n個已校正圖樣141到143可定義於沉積遮罩120上,且該沉積遮罩120可以拉力結合到遮罩框架100上,從而形成第一個到第n個裝置圖樣135a到135c。雖然未圖示於第1圖中,第一個到第n個已校正圖樣141到143中的每一個,可包含複數個開口,例如狹縫。以下將伴隨參考第3A圖到第3D圖,詳細闡述第一個到第n個已校正圖樣141到143以及在每一第一個到第n個已校正圖樣141到143中之狹縫配置的定義方式。
參閱第2圖,第一個到第n個原始設計圖樣131到133,可沿著第一方向依序排列。如圖所示,第一個到第n個原始設計圖樣131到133,可在列的方向上排列,且拉力可施加於第一個到第n個原始設計圖樣131到133排列的方向上,例如,在第一方向上。拉力可朝第一個到第n個原始設計圖樣131到133排成列的方向之相反側施加。拉力可從整個第一個到第n個原始設計圖樣131到133的中間,分別朝第一個原始設計圖樣131和第n個原始設計圖樣133的側邊之方向上施加。在此“第一方向”一詞,可指第一個到第n個原始設計圖樣131到133、第一個到第n個已校正圖樣141到143、以及第一個到第n個裝置圖樣135a到135c所排列的方向;此外“第一方向”一詞,可指施加拉力的反方向之一。
第一個到第n個已校正圖樣141到143可藉由基於拉力之列的方向和行的方向上校正第一個到第n個原始設計圖樣131到133所獲得。第一個到第n個已校正圖樣141到143之最外側邊可包含第一最外側邊,其係沿著垂直於第一方向之第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於第一方向的方向上延伸。更明確地說,第一個到第n個已校正圖樣141到143的最外側邊,可為依序排列之第一個到第n個已校正圖樣141到143之最外側邊緣(edge)的側邊。在此,“沿著第二方向上延伸”一詞,可代表沿著垂直於第一方向之方向上延伸,換言之,係垂直於第一個到第n個原始設計圖樣131到133排列的方向,或是垂直於拉力施加的方向。
參閱第2圖,第一個原始設計圖樣131的上側邊、第n個原始設計圖樣133的下側邊、以及第一個到第n個原始設計圖樣131到133的左右側邊,可定義為依序排列之第一個到第n個原始設計圖樣131到133的最外側邊(上、下、左、右、側向可參考圖紙的上、下、左、右區域)。如上所述,第一個到第n個已校正圖樣141到143係藉著校正第一個到第n個原始設計圖樣131到133而獲得。因此,分別對應於第一個到第n個原始設計圖樣131到133之最外側邊的第一個到第n個已校正圖樣141到143之側邊,可定義為第一個到第n個已校正圖樣141到143之最外側邊。舉例而言,如第3A圖所示之第一個已校正圖樣141之上側邊、如第3B圖所示之第n個已校正圖樣143之下側邊、以及如第3A圖到第3C圖所示之第一個到第n個已校正圖樣141到143之兩側,可定義為第一個到第n個已校正圖樣141到143之最外側邊。
再者,第一個到第n個已校正圖樣141到143之第一最外側邊,係沿著垂直於第一方向(亦即是圖樣排列的方向)之第二方向上延伸的側邊,也就是第一個已校正圖樣141之上側邊以及第n個已校正圖樣143之下側邊。第一最外側邊具有第一曲率且相對於第一個和第n個原始設計圖樣131和133往內凹陷。第一
個到第n個已校正圖樣141到143之第二最外側邊係第一個到第n個已校正圖樣141到143沿著圖樣排列方向延伸的兩側邊。第二最外側邊具有第二曲率,且相對於第一個到第n個原始設計圖樣131到133往外凸出。
參閱第3A圖,第一曲率可藉由在第一原始設計圖樣131之第一側邊(對應至第一最外側邊其中之一)的相反兩端上的第一點和第二點、以及在施加拉力之相反方向上,以第一距離b11與第一側邊的第一中點M11分開之第三點來決定。舉例而言,第一曲率可藉著由第一點到第三點所定義的三角形之外接圓來決定。更明確地說,第一個已校正圖樣141可具有包含於第一最外側邊的第一側邊、包含於第二最外側邊的第二和第三側邊、以及面對第二個已校正圖樣142的第四側邊。在此情形下,第一側邊可為第一個已校正圖樣141之上側邊、第二和第三側邊可為第一個已校正圖樣141之兩側向相對之側邊、以及第四側邊可為第一個已校正圖樣141之下側邊,如第3A圖所示。
參閱第3A圖,在藉著拉力置於遮罩框架100上的第一個到第n個裝置圖樣135a到135c之中,第一個裝置圖樣135a可具有第一方向所定義之第一長度L1和第二方向所定義之第一寬度W。此外,第一個原始設計圖樣131可對應於第一個裝置圖樣135a,且具有第一方向所定義之第二長度Lr和第二方向所定義之第二寬度Wr。在此情形下,第二長度Lr可小於第一長度L1,而第二寬度Wr可大於第一寬度W。舉例而言,第一個原始設計圖樣131的第二長度Lr可為第一個裝置圖樣135a之第一長度L1的幾近99.97%。此外,第一個原始設計圖樣131的第二寬度Wr可比第一個裝置圖樣135a的第一寬度W,在第一個裝置圖樣135a的兩側向側邊更多了“a”的距離,而“a”的值可為1毫米(μm),在此情形下,第二寬度Wr可比第一寬度W寬2毫米(μm)。
換言之,從施加於沉積遮罩120的拉力來看,第一個裝置圖樣135a之第一長度L1可減少至預定的百分比,而第一個裝置圖樣135a的第一寬度W可
增加至預定的量。以上所述關於長度減少之百分比的值和寬度增加量的值只為列舉,且可隨拉力施加於沉積遮罩120的大小而有所不同。也就是說,第二長度Lr和第一長度L1的比率以及從第一寬度W到第二寬度Wr的增加量,可由拉力的大小而決定。
每一第一個至第n個原始設計圖樣131至133的第二長度Lr和第二寬度Wr,皆可於所有的第一個到第n個裝置圖樣135a到135c中顯示(be identified)出來。也就是說,第一個到第n個裝置圖樣135a到135c中的每一個可具有第一長度L1,而第一個至第n個原始設計圖樣131至133中的每一個可具有第二長度Lr。在此情形下,第二長度Lr可小於第一長度L1。在其他一些實施例中,由拉力在每一第一個至第n個原始設計圖樣131至133的施力大小來看,不同長度縮減百分比可適用於第一個到第n個裝置圖樣135a到135c中的每一個。換言之,不同長度縮減百分比可應用於第一個裝置圖樣135a和第二個裝置圖樣135b,以定義第一個原始設計圖樣131和第二個原始設計圖樣132。
再者,第一個裝置圖樣135a具有第二方向所定義的第一寬度W,且第一個原始設計圖樣131具有第二寬度Wr。在此情形下,第二寬度Wr可大於第一寬度W。舉例而言,可藉著在第一個裝置圖樣135a之兩相對側向的每一個側邊上,將第一個裝置圖樣135a的第一寬度W增加1毫米(μm),以得到第一個原始設計圖樣131的第二寬度Wr。換言之,因為當拉力沿著第一方向施加於沉積遮罩120時圖樣寬度可能縮減,故第一個裝置圖樣135a的第一寬度W係以一預定的量增加。然而,上述寬度的增加量僅係舉例性質,且可依據施加於沉積遮罩120之拉力大小而有所不同。也就是說,從第一寬度W到第二寬度Wr的增加量(例如,百分比)可由拉力的大小決定。
每一第一個至第n個原始設計圖樣131至133的第二寬度Wr皆可於所有的第一個到第n個裝置圖樣135a到135c中顯示出來。也就是說,第一個到第n
個裝置圖樣135a到135c中的每一個可具有第一寬度W,且第一個至第n個原始設計圖樣131至133中的每一個可具有第二寬度Wr。在此情形下,第二寬度Wr可比第一寬度W長。在其他一些實施例中,不同的寬度增加量可適用於第一個到第n個裝置圖樣135a到135c。換言之,不同的寬度增加量可應用於第一個裝置圖樣135a和第二個裝置圖樣135b,以定義第一個原始設計圖樣131和第二個原始設計圖樣132。
每一第一寬度W和第二寬度Wr皆可代表每一第一個到第n個裝置圖樣135a到135c面向相鄰之裝置圖樣的側邊長度,或可代表每一第一個到第n個原始設計圖樣131到133面向相鄰之原始設計圖樣的側邊長度。舉例而言,第一個裝置圖樣135a的第一寬度W可為第一個裝置圖樣135a面向相鄰之第二個裝置圖樣135b的側邊(亦即下側邊)之寬度,且第一個原始設計圖樣131的第二寬度Wr可為第一個原始設計圖樣131面向相鄰之第二個原始設計圖樣132的側邊(亦即下側邊)之寬度。
第二最外側邊具有第二曲率,且相對於第一個到第n個原始設計圖樣131到133往外凸出。第二曲率可藉由在第一個到第n個原始設計圖樣131到133中,每一個原始設計圖樣之第二側邊(對應於每一個原始設計圖樣之第二最外側邊)的兩端上的第四點和第五點、以及在與施加拉力垂直的方向上,以第二距離b12與第二側邊的第二中點M12分開之第六點來決定。如第3A圖中所示,第二最外側邊可為第一個已校正圖樣141相對於第一個原始設計圖樣131之對應側邊而向外凸出的二側邊。
參閱第3B圖,第n個已校正圖樣143可以類似第一個已校正圖樣141(參閱第3A圖)之定義方式來定義。明確地說,第n個以校正圖樣143可具有包含於第一最外側邊之第一側邊、包含於第二最外側邊之第二和第三側邊、以及面對第(n-1)個已校正圖樣142之第四側邊,如第3B圖所示。
更明確地說,第n個已校正圖樣143的第一側邊(包含於第一最外側邊)可為沿著垂直於第一方向(亦即圖樣的排列方向)之第二方向上延伸的側邊(亦即是下側邊)。第n個已校正圖樣143的第一側邊可具有第一曲率,且可相對於第n個原始設計圖樣133往內凹陷。此外,第n個已校正圖樣143之第二和第三側邊(包含於第二最外側邊)可為第n個已校正圖樣143沿著圖樣排列方向延伸的側向側邊。第n個已校正圖樣143之第二和第三側邊可具有第二曲率,且可相對於第n個原始設計圖樣133往外凸出。
如第3B圖所示,第一曲率可藉由在第n個原始設計圖樣133之第一側邊(亦即下側邊)的相反兩端上之第一和第二點、以及在與施加拉力相反的方向上,以第一距離b31與第一側邊的第一中點M31分開之第三點來決定。更明確地說,第一曲率可藉由通過一點之弧線來定義,該點係位在與第n個原始設計圖樣133下側邊之中點M31相距第一距離b31的位置上。若沉積遮罩120藉著拉力而置於遮罩框架100上,第n個裝置圖樣135c可具有第一方向所定義之第一長度L1和第二方向所定義之第一寬度W。相似於第一個已校正圖樣141,從拉力來看,對應於第n個裝置圖樣135c的第n個已校正圖樣143可定義在沉積遮罩120上。第二曲率可藉由在第一個到第n個原始設計圖樣131到133中,每一個原始設計圖樣之第二側邊(對應於每一個第二最外側邊)的相反兩端上的第四和第五點、以及在與拉力施加垂直的方向上,以第二距離b32與第二側邊的第二中點M32分離之第六點來決定。校正第一長度L1和第一寬度W至第二長度Lr和第二寬度Wr的方法,與用於校正第一個已校正圖樣141的方法實質上相同,因此將不再贅述相同的細節。
參閱第3C圖,每一第二個到第(n-1)個已校正圖樣142可具有包含於第二最外側邊之第二和第三側邊、面向前一個已校正圖樣之第一側邊、以及面向下一個已校正圖樣之第四側邊。在第2圖到第3C圖中,n是3。因此,第二個
到第(n-1)個已校正圖樣142可以一個第二個已校正圖樣142來敘述。換言之,第二個已校正圖樣142的第二和第三側邊(包含於第二最外側邊)係第二個已校正圖樣142的兩側邊,第二個已校正圖樣142的第一側邊係面向第一個已校正圖樣141的上側邊,且第二個已校正圖樣142的第四側邊係面向第三個已校正圖樣143的下側邊。
第二個已校正圖樣142之上側邊和下側邊可相同於第二原始設計圖樣132中的對應側邊,如第3C圖中所示。然而,第二個已校正圖樣142之每一個相反側向側邊,可藉由第二個原始設計圖樣132之相反側向側邊中對應的一側邊,其相反兩端上的第四和第五點、以及在與拉力施加垂直的方向上,以一預定距離b22與對應之一側邊的中點M22分離之第六點來決定。換言之,第二個已校正圖樣142之每一個側向側邊可藉由第四點到第六點所定義的三角形的外接圓來決定。
第二個已校正過的圖樣142亦具有第二長度Lr和第二寬度Wr,其係藉由校正第二裝置圖樣135b的第一長度L1和第一寬度W所得,而所使用的校正方式可相同於上述之校正方式。
承上所述,例如狹縫(slits)之複數個開口可形成於每一第一個到第n個已校正圖樣141到143中。
舉例而言,參閱第3D圖,複數條狹縫線141s可配置於第一個已校正圖樣141內,以對應於第一個已校正圖樣141的最外側邊。狹縫線141s可配置以對應於由第一個原始設計圖樣131校正所得之第一個已校正圖樣141的最外側邊。
換言之,對應於第一個已校正圖樣141的第一最外側邊(即上側邊)之第一條狹縫線,可具有第一曲率,並可沿著相對於第一個原始設計圖樣131往內凹陷之第一最外側邊而配置。對應於第一個已校正圖樣141的下側邊(即第四側
邊)之第n條狹縫線可沿著第一個已校正圖樣141的下側邊而配置。當如上所述藉著在寬度方向上增加第一個原始設計圖樣131的長度而獲得第一個已校正圖樣141的下側邊的長度時,第n條狹縫線的切縫可對應於所述之增加的長度而配置。
如圖所示,狹縫線141s的曲率可從頂部到底部逐漸減少。換言之,配置於第一個已校正圖樣141頂部之第一條狹縫線的曲率,可大於配置在第一條狹縫線下方之第二條狹縫線的曲率,並且對應於第一個校正過的圖樣141下側邊之第n條狹縫線的曲率,可小於配置在第n條狹縫線上方之第(n-1)條狹縫線的曲率,例如,第n條狹縫線的曲率可為零。
在第3D圖中圖示對應於第一個已校正圖樣141之狹縫線141s。然而,相同之狹縫線141s也可以應用於第二個到第n個已校正圖樣142到143。舉例而言,在第n個已校正圖樣143中之狹縫線的曲率可從頂部到底部逐漸增加,如第3B圖中所示。換言之,在第n個已校正圖樣143頂部之第一條狹縫線的曲率可小於配置在第一條狹縫線下方之第二條狹縫線的曲率。在此,第一條狹縫線的曲率可為,例如零。再者,第n條狹縫線的曲率可大於配置在第n條狹縫線上方之第(n-1)條狹縫線的曲率。例如,第n條狹縫線可具有第n個已校正圖樣143之下側邊的第一曲率。
以下,“狹縫線的曲率”一詞可表示藉著虛擬線所連接之狹縫線,所形成之具有特定曲率的曲線之配置。如圖中所示,不僅在列的方向上同時在行的方向上,狹縫線141s可以具有曲率的方式配置。在行的方向上的曲率可由每一第一個到第n個已校正圖樣141到143之側向側邊(亦即第二最外側邊)的曲率所決定。
依據本發明之實施例,在沉積遮罩120中,原始設計圖樣和已校正圖樣皆係從施加拉力到沉積遮罩120上,使沉積遮罩120安裝到遮罩框架100上的觀點來看,因此,可維持圖樣的精確性。
以下,將參閱第4圖和第5圖詳細闡述依據本發明例示性實施例之沉積遮罩。第4圖係根據本發明另一例示性實施例之沉積遮罩220之透視圖。置於遮罩框架100上之沉積遮罩220可包含裝置圖樣235。第5圖係為第4圖中沉積遮罩220之平面圖。
參閱第4圖和第5圖,依據本發明例示性實施例之沉積遮罩係置於遮罩框架上。沉積遮罩220包含第一個到第n個已校正圖樣,其係藉由校正第一個到第n個原始設計圖樣231到233所得到。因為沉積遮罩220係藉由拉力而置於遮罩框架上,所以第一個到第n個已校正圖樣可依拉力的觀點在沉積遮罩220上來定義。
更明確地說,第一個到第n個原始設計圖樣231到233可依序以第一方向排列,且第一個到第n個已校正圖樣可基於拉力的方向,藉著在列的方向和行的方向上修改第一個到第n個原始設計圖樣231到233而定義。第一個到第n個已校正圖樣的最外側邊可包含第一最外側邊,其係沿著垂直於第一方向之第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於第一方向的方向上延伸。第一最外側邊具有第一曲率且相對於第一個到第n個原始設計圖樣231到233往內凹陷,而第二最外側邊具有第二曲率,且相對於第一個到第n個原始設計圖樣231到233往外凸出。
依據本例示性實施例之沉積遮罩220係不同於前一個例示性實施例之沉積遮罩120,根據本實施例之沉積遮罩220包含5個裝置圖樣。換言之,n是5。第一最外側邊可從第一個原始設計圖樣231的上側邊、以及從第五個原始設計圖樣233的下側邊,相對於沉積遮罩220往內凹陷;而第二最外側邊可從第一個、第二個、第三個、第四個、與第五個原始設計圖樣231、232a、232b、232c、與233的兩側邊,相對於沉積遮罩220往外凸出。第二個、第三個、與第四個原始設計圖樣232a、232b、與232c可視為置中的原始設計圖樣232。
換言之,依據本例示性實施例之第一個原始設計圖樣231,可依前一個例示性實施例之第一個原始設計圖樣131(參閱第3A圖)使用相同的方式,相對於第一個已校正圖樣141向內校正,且依據本例示性實施例之第n個原始設計圖樣,即第五個原始設計圖樣233,可依前一個例示性實施例之第三個原始設計圖樣133(參閱第3B圖)使用相同的方式,相對於第三個已校正圖樣143向內校正。類似的情形,依據本例示性實施例,包含第二個到第四個原始設計圖樣232a到232c之置中的原始設計圖樣232,其可依前一個例示性實施例之第二個原始設計圖樣132(參閱第3C圖)使用相同的方式,相對於第二個已校正圖樣142向內校正。由於校正方式已如上所述,其相關之詳細的敘述將不再重複。
通過總結與回顧的方式,有機電激發光裝置可包括以預定圖樣而形成在絕緣基板上之第一電極、藉由真空沉積而形成在具有第一電極之絕緣基板上的有機薄膜、以及與第一電極相交(intersecting)的方向形成於有機薄膜上的第二電極。由於有機薄膜可能會受到濕氣影響,使得當有機薄膜在有機電激發光裝置製造期間形成之後,可能難以進行使用微影製程之蝕刻製程。因此,有機薄膜的有機發光材料和第二電極的材料可使用具有特定圖樣之遮罩在真空狀態內沉積。
當使用沉積遮罩時,沉積遮罩可置於框架上,如此可施加拉力於沉積遮罩。然而,當施加拉力於沉積遮罩時,可能難以維持形成在沉積遮罩上之圖樣的精確性。
因此,本發明實施例提供一種沉積遮罩,即使當施加拉力於其上時,仍可維持圖樣的精確性。更明確地說,依據本例示性實施例所提供之沉積遮罩中,原始設計圖樣和已校正圖樣皆係從施加拉力到沉積遮罩上,使沉積遮罩安裝到遮罩框架上的觀點來看,因此,可維持圖樣的精確性。
100‧‧‧遮罩框架
120‧‧‧沉積遮罩
135‧‧‧裝置圖樣
Claims (16)
- 一種沉積遮罩,其係藉著一拉力而置於一遮罩框架上,該沉積遮罩包含:第一個到第n個已校正圖樣,其係藉著校正包含一第一個原始設計圖樣和一第n個原始設計圖樣之第一個到第n個原始設計圖樣所得,基於施加於該沉積遮罩之該拉力的列的方向(row)與行的方向(column),該些第一個到第n個原始設計圖樣係依序排列在一第一方向上,其中該些第一個到第n個已校正圖樣之最外側邊包含第一最外側邊,其係沿著垂直於該第一方向之一第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於該第一方向的方向上延伸,其中該些第一最外側邊具有一第一曲率且相對於該第一個原始設計圖樣和該第n個原始設計圖樣往內凹陷,且該些第二最外側邊具有一第二曲率且相對於該些第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,其中該第一曲率係藉由在每一該第一個原始設計圖樣和該第n個原始設計圖樣中,對應於每一該第一最外側邊之一第一側的相反兩端上之一第一點和一第二點、以及在相反於施加該拉力之一方向的一方向上,以一第一距離與該第一側的一第一中點分離之一第三點來決定。
- 如申請專利範圍第2項所述之沉積遮罩,其中該第二曲率係藉由在每一該第一個到第n個原始設計圖樣中,對應於每一該第二最外側邊之一第二側的相反兩端上之一第四點和一第五點、 以及在垂直於施加該拉力之該方向的一方向上,以一第二距離與該第二側的一第二中點分離之一第六點來決定。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,其中每一該第一個到第n個已校正圖樣包含複數條狹縫線。
- 如申請專利範圍第4項所述之沉積遮罩,其中該複數條狹縫線係基於該拉力而配置於每一該第一個到第n個已校正圖樣中。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,更包含第一個到第n個裝置圖樣,其係藉由該拉力而置於該遮罩框架上,其中每一該第一個到第n個裝置圖樣具有由該第一方向所定義的一第一長度和由該第二方向所定義的一第一寬度,且該些第一個到第n個原始設計圖樣分別地對應於該些第一個到第n個裝置圖樣,並且具有由該第一方向所定義的一第二長度和由該第二方向所定義的一第二寬度,其中該第二長度小於該第一長度且該第二寬度大於該第一寬度。
- 如申請專利範圍第6項所述之沉積遮罩,其中該第二長度與該第一長度的比值、以及該第二寬度相對於該第一寬度的比值係藉由該拉力的大小來決定。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,其中該些第一個到第n個已校正圖樣包含一第二個已校正圖樣和一第(n-1)個已校正圖樣,且每一該第一個到第n個已校正圖樣和每一該第一個到第n個原始設計圖樣包含至少四個側邊,其中該第一個已校正圖樣包括包含於該些第一最外側邊內之一第一側邊、包含於該些第二最外側邊內之一第二側邊和一第三側邊、以及面對該第二個已校正圖樣之一第四側邊;該第n個已校正圖樣包括包含 於該些第一最外側邊內之一第一側邊、包含於該些第二最外側邊內之一第二側邊和一第三側邊、以及面對該第(n-1)個已校正圖樣之一第四側邊;每一該第二個到第(n-1)個已校正圖樣包括包含於該些第二最外側邊內之一第二側邊和一第三側邊、面對前一個已校正圖樣之一第一側邊、以及面對下一個已校正圖樣之一第四側邊。
- 如申請專利範圍第8項所述之沉積遮罩,其中該第一個已校正圖樣和該第n個已校正圖樣之該些第一側邊,係相對於該第一個原始設計圖樣和該第n個原始設計圖樣往內凹陷,且該些第一個到第n個已校正圖樣之該第二側邊和該第三側邊,係相對於該些第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,其中每一該第一個到第n個原始設計圖樣對應於置於該遮罩框架上之複數個顯示面板中的任一個。
- 如申請專利範圍第1項所述之沉積遮罩,其中每一該第一個到第n個原始設計圖樣包含複數個開口。
- 一種沉積遮罩,其係藉著一拉力而置於一遮罩框架上,該沉積遮罩包含:第一個到第n個已校正圖樣,其係沿著與施加至該沉積遮罩之該拉力之一方向平行之一第一方向上,分別對應於排成列的複數個顯示面板,其中該些第一個到第n個已校正圖樣之最外側邊包含第一最外側邊,其係沿著垂直於該第一方向之一第二方向上延伸、以及第二最外側邊,其係沿著平行於該第一方向的一方向上 延伸,該些第一最外側邊具有一第一曲率且相對於一第一個原始設計圖樣和一第n個原始設計圖樣往內凹陷,且該些第二最外側邊具有一第二曲率且相對於第一個到第n個原始設計圖樣往外凸出。
- 如申請專利範圍第12項所述之沉積遮罩,更包含第一個到第n個裝置圖樣,其係藉著該拉力置於該遮罩框架上,且該些第一個到第n個原始設計圖樣分別地對應於該些第一個到第n個裝置圖樣,其中每一該第一個到第n個裝置圖樣具有由該第一方向所定義的一第一長度,每一該第一個到第n個原始設計圖樣具有由該第一方向所定義的一第二長度,其中該第二長度小於該第一長度。
- 如申請專利範圍第13項所述之沉積遮罩,其中每一該第一個到第n個裝置圖樣具有由垂直於該第一方向之該第二方向所定義的一第一寬度,且每一該第一個到第n個原始設計圖樣具有由該第二方向所定義的一第二寬度,其中該第二寬度大於該第一寬度。
- 如申請專利範圍第13項所述之沉積遮罩,其中該第一曲率係藉由在每一該第一個原始設計圖樣和該第n個原始設計圖樣中,對應至每一該第一最外側邊之一第一側的相反兩端上之一第一點和一第二點、以及在相反於施加該拉力之該方向的一方向上,以一第一距離與該第一側的一第一中點分離之一第三點來決定。
- 如申請專利範圍第15項所述之沉積遮罩,其中該第二曲率係藉由在每一該第一個到第n個原始設計圖樣中,對應至每一該 第二最外側邊之一第二側的相反兩端上之一第四點和一第五點、以及在垂直於施加該拉力之該方向的一方向上,以一第二距離與該第二側的一第二中點分離之一第六點來決定。
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KR102160695B1 (ko) * | 2013-05-10 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 |
KR20150019695A (ko) * | 2013-08-14 | 2015-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 마스크 및 마스크 조립체 |
KR20150056112A (ko) * | 2013-11-14 | 2015-05-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 막 형성용 마스크, 이를 이용한 막 형성 방법 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
CN103713466B (zh) * | 2013-12-30 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制作方法 |
CN104561893B (zh) * | 2014-12-25 | 2018-02-23 | 信利(惠州)智能显示有限公司 | 掩膜板制造方法 |
CN106048520B (zh) * | 2016-05-27 | 2017-11-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜版框架及主体、掩膜版及制作方法、基板和显示面板 |
KR102618351B1 (ko) | 2016-07-19 | 2023-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 패턴위치조정기구가 구비된 마스크 프레임 조립체 및 그것을 이용한 패턴 위치 조정 방법 |
KR102642345B1 (ko) * | 2016-09-06 | 2024-02-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 분할 마스크 |
KR102640221B1 (ko) * | 2016-09-22 | 2024-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 분할 마스크의 제조 방법 |
JP6376483B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2018-08-22 | 大日本印刷株式会社 | 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク装置の製造方法および蒸着マスクの良否判定方法 |
CN206706184U (zh) * | 2017-05-12 | 2017-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板以及掩模片 |
CN109103101B (zh) * | 2017-06-21 | 2020-09-29 | 清华大学 | 纳米微结构的制备方法 |
CN109103075B (zh) * | 2017-06-21 | 2020-12-04 | 清华大学 | 纳米级沟道的制备方法 |
CN108950474B (zh) * | 2018-07-25 | 2020-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及掩模组件 |
US11326246B2 (en) * | 2020-07-27 | 2022-05-10 | Rockwell Collins, Inc. | Controlled warping of shadow mask tooling for improved reliability and miniturization via thin film deposition |
KR20230127393A (ko) * | 2022-02-24 | 2023-09-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 제조 방법 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3241519A (en) * | 1962-04-05 | 1966-03-22 | Western Electric Co | Tensioned and cooled mask |
US4828523A (en) * | 1987-06-04 | 1989-05-09 | Zenith Electronics Corporation | Tension mask securement means and process therefore |
US5162008A (en) * | 1988-07-22 | 1992-11-10 | Zenith Electronics Corporation | Method and apparatus for stretching interchangeable tension masks in color cathode ray tubes |
EP0480616B1 (en) | 1990-10-08 | 1997-08-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus with an aberration compensation device of a projection lens |
JP3402681B2 (ja) * | 1993-06-02 | 2003-05-06 | サンエー技研株式会社 | 露光における位置合わせ方法 |
JPH08162035A (ja) * | 1994-11-30 | 1996-06-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラー受像管用色選別電極およびその製造方法 |
US5854819A (en) * | 1996-02-07 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask supporting device and correction method therefor, and exposure apparatus and device producing method utilizing the same |
US6069931A (en) * | 1997-02-28 | 2000-05-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Mask structure and mask holding mechanism for exposure apparatus |
JP3598927B2 (ja) | 1999-12-27 | 2004-12-08 | 松下電器産業株式会社 | シャドウマスク組立体の製造方法および陰極線管の製造方法 |
KR100382491B1 (ko) * | 2000-11-28 | 2003-05-09 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el의 새도우 마스크 |
KR100848972B1 (ko) * | 2001-08-24 | 2008-07-30 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 진공증착용 다면부착 마스크장치 |
KR100490534B1 (ko) | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
US6897164B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
US6821348B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
US20030151118A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
US6878208B2 (en) * | 2002-04-26 | 2005-04-12 | Tohoku Pioneer Corporation | Mask for vacuum deposition and organic EL display manufactured by using the same |
US6955726B2 (en) * | 2002-06-03 | 2005-10-18 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Mask and mask frame assembly for evaporation |
US6729927B2 (en) * | 2002-08-01 | 2004-05-04 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for making a shadow mask array |
JP4072422B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2008-04-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機el素子の製造方法 |
JP4173722B2 (ja) * | 2002-11-29 | 2008-10-29 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着マスク、これを利用した有機el素子の製造方法及び有機el素子 |
JP4230258B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2009-02-25 | 東北パイオニア株式会社 | 有機elパネル、有機elパネルの製造方法 |
US20050130422A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | 3M Innovative Properties Company | Method for patterning films |
KR100659057B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2006-12-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 유기 전계 발광표시장치 |
EP1802177A4 (en) * | 2004-09-08 | 2010-04-14 | Toray Industries | ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF |
KR100708654B1 (ko) * | 2004-11-18 | 2007-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 |
KR100700838B1 (ko) * | 2005-01-05 | 2007-03-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 섀도우마스크 패턴 형성방법 |
KR100682760B1 (ko) * | 2005-03-22 | 2007-02-15 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자의 제조장치 |
US7674148B2 (en) * | 2006-02-10 | 2010-03-09 | Griffin Todd R | Shadow mask tensioning method |
US20090151630A1 (en) * | 2006-05-10 | 2009-06-18 | Advantech Global, Ltd. | Tensioned aperture mask and method of mounting |
EP2110455A1 (en) * | 2008-04-18 | 2009-10-21 | Applied Materials, Inc. | Mask support, mask assembly, and assembly comprising a mask support and a mask |
US20090311427A1 (en) | 2008-06-13 | 2009-12-17 | Advantech Global, Ltd | Mask Dimensional Adjustment and Positioning System and Method |
KR101182439B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
KR101941695B1 (ko) * | 2012-05-31 | 2019-01-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 인장 장치, 마스크 시트 및 이를 포함하는 마스크 제조 시스템 |
KR102014479B1 (ko) * | 2012-11-28 | 2019-08-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법 |
CN104630705A (zh) * | 2015-03-13 | 2015-05-20 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种掩膜板及其制备方法 |
-
2011
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