CN105845711B - 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105845711B
CN105845711B CN201610327713.8A CN201610327713A CN105845711B CN 105845711 B CN105845711 B CN 105845711B CN 201610327713 A CN201610327713 A CN 201610327713A CN 105845711 B CN105845711 B CN 105845711B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel defining
structures
preset area
substrate
forming
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610327713.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105845711A (zh
Inventor
王永志
尹招弟
熊志勇
朱见杰
蒋卡恩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianma Microelectronics Co Ltd
Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd
Original Assignee
Tianma Microelectronics Co Ltd
Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianma Microelectronics Co Ltd, Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd filed Critical Tianma Microelectronics Co Ltd
Priority to CN201610327713.8A priority Critical patent/CN105845711B/zh
Publication of CN105845711A publication Critical patent/CN105845711A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105845711B publication Critical patent/CN105845711B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置，所述阵列基板包括：第一基板、位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，其中，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽以及位于所述凹槽内的支撑结构，从而在包括该阵列基板的显示面板上表面对应所述支撑结构的位置受到外界压力时，所述支撑结构产生的作用力主要位于所述凹槽内，使得所述支撑结构对应位置的阴极层即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。

Description

阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法以及一种包括该阵列基板的显示面板和包括该显示面板的显示装置。
背景技术
如图1所示，现有技术中的OLED显示面板在制作时，通常先在第一基板01上表面形成像素定义结构02，然后在像素定义结构02上表面形成支撑结构03，最后再蒸镀发光层(图中未示出)和阴极层04，从而导致所述OLED显示面板制作完成后，所述支撑结构03对应的位置受到外界压力F作用时，所述支撑结构03会发生挤压变形，进而对所述支撑结构03上表面的阴极层04产生斜向上的作用力F’，使得所述阴极层04发生损坏，导致部分发光层不发光，影响显示效果。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种OLED阵列基板及其制作方法，以及包括该阵列基板的显示面板和显示装置，以解决所述显示面板上表面受到压力时，导致部分发光层不发光的问题，提高显示效果。
为解决上述问题，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种OLED阵列基板，包括：
第一基板；
位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域，且至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；
位于所述像素定义结构上表面凹槽内的支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
位于所述子像素区域内的阳极和发光层；
覆盖所述发光层和所述支撑结构上表面的阴极层。
一种显示面板，包括上述OLED阵列基板。
一种显示装置，包括上述显示面板。
一种OLED阵列基板的制作方法，该方法包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上表面形成多个阳极；
在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，其中，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域；
在所述子像素区域内形成发光层；
在所述发光层和所述支撑结构上表面形成阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构。
与现有技术相比，上述技术方案具有以下优点：
本发明实施例所提供的阵列基板，包括：第一基板、位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，其中，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽以及位于所述凹槽内的支撑结构，从而在包括该阵列基板的显示面板上表面对应所述支撑结构的位置受到外界压力时，所述支撑结构产生的作用力主要位于所述凹槽内，使得所述支撑结构对应位置的阴极层即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
图2为本发明一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；
图3为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的结构示意图；
图4为本发明一个实施例所提供的显示面板的结构示意图；
图5为本发明一个实施例所提供的阵列基板的制作方法流程图；
图6(a)和图6(b)为本发明一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图；
图7(a)-图7(c)为本发明另一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图；
图8(a)-图8(d)为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图；
图9(a)和图9(b)为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图；
图10(a)-图10(d)为本发明又一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图；
图11(a)-图11(g)为本发明再一个实施例所提供的阵列基板的制作方法中步骤3的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
本发明实施例提供了一种OLED阵列基板，如图2所示，所述阵列基板包括：
第一基板10；
位于所述第一基板10上表面的多个像素定义结构20，所述多个像素定义结构20将所述第一基板10上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域，且所述多个像素定义结构20中至少一个所述像素定义结构20的上表面具有凹槽；
位于所述像素定义结构20上表面凹槽内的支撑结构30，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
位于所述子像素区域内的阳极和发光层；
覆盖所述发光层和所述支撑结构30上表面的阴极层40。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面，以实现所述支撑结构30的支撑作用，所述支撑结构30位于所述像素定义结构20的凹槽内，以在所述阵列基板对应所述支撑结构30的位置受到外界压力而发生弯曲时，所述支撑结构30产生的作用力主要位于所述凹槽内，使得所述支撑结构30对应位置的阴极层40即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构30两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。
需要说明的是，在本发明实施例中，所述多个像素定义结构20中可以每个像素定义结构20上表面都具有凹槽，也可以部分像素定义结构20上表面具有凹槽，部分像素定义结构20上表面没有凹槽，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述实施例的基础上，如图3所示，在本发明的一个可选实施例中，位于所述凹槽任一侧的所述像素定义结构20的上表面的宽度A不小于1微米。需要说明的是，在本发明的其他实施例中，位于所述凹槽任一侧的所述像素定义结构20的上表面的宽度A还可以为其他数值，本发明对此并不做限定，只要位于所述凹槽任一侧的所述像素定义结构20的上表面的宽度A大于零，以保证当所述支撑结构30对应的位置受到压力时，所述支撑结构30对所述像素定义结构20的作用力不会使得所述像素定义结构20上表面的凹槽深度减小过多而对位于所述支撑结构30上表面的阴极层40造成损坏即可。
此外，仍然参照图3所示实施例，所述凹槽的深度D不小于所述像素定义结构20上表面至下表面之间距离H的1/10，包括端点值，以在所述支撑结构30对应的位置受到外界压力而发生变形时，使得所述支撑结构30对周围产生的作用力位于所述凹槽内，保证所述支撑结构30对应位置的阴极层40即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构30两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。可选的，所述凹槽的深度D不大于所述像素定义结构20上表面至下表面之间距离H的1/5，包括端点值，以避免由于在所述像素定义结构20内设置凹槽，导致所述像素定义结构20的尺寸过大，而影响所述阵列基板的开口率。
需要说明的是，在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述凹槽上开口面积与所述凹槽底部的面积相等，如矩形；在本发明的另一个实施例中，所述凹槽上开口的面积大于所述凹槽底部的面积，如倒梯形或类梯形，其中，所述类梯形与所述倒梯形的区别在于，所述梯形的侧面为平面，所述类梯形的侧面为曲面或其他非平面。本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
相应的，本发明实施例还提供了一种包括上述任一实施例所提供的阵列基板的显示面板和包括该显示面板的显示装置。具体的，在本发明的一个可选实施例中，如图4所示，所述显示面板包括：上述任一实施例所提供的阵列基板；与所述阵列基板相对设置的第二基板50。需要说明的是，所述第二基板50可以为玻璃盖板，也可以为其他结构，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。还需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述显示面板还可以包括封装结构、触控结构等其他结构，本发明对此并不做限定，只要包括本发明上述任一实施例所提供的阵列基板即可。
由上所述可知，本发明实施例所提供的阵列基板及包括该阵列基板的显示面板和包括该显示面板的显示装置，包括：第一基板10、位于所述第一基板10上表面的多个像素定义结构20，其中，至少一个所述像素定义结构20上表面具有凹槽以及位于所述凹槽内的支撑结构30，从而在包括该阵列基板的显示面板上表面对应所述支撑结构30的位置受到外界压力时，所述支撑结构30产生的作用力主要位于所述凹槽内，使得所述支撑结构30对应位置的阴极层40即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构30两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。
此外，本发明实施例还提供了一种OLED阵列基板的制作方法，如图5所示，该制作方法包括：
S1：提供第一基板；
S2：在所述第一基板上表面形成多个阳极；
S3：在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，所述多个像素定义结构中至少一个像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，其中，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域；
S4：在所述子像素区域内形成发光层；
S5：在所述发光层和所述支撑结构上表面形成阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S301：如图6(a)所示，在所述第一基板100上表面形成光阻层200，所述光阻层200上表面具有第一预设区域201、第二预设区域202和第三预设区域203；
S302：如图6(b)所示，对所述第一预设区域201、第二预设区域202和第三预设区域203采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板100上表面对应所述第一预设区域201的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板100上表面对应所述第二预设区域202的位置形成多个像素定义结构20，并在所述第一基板100上表面对应所述第三预设区域203的位置形成支撑结构30，其中，至少一个所述像素定义结构20上表面具有凹槽，所述支撑结构30位于所述像素定义结构20上表面的凹槽内，且所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域201对应的曝光量大于所述第二预设区域202对应的曝光量，所述第三预设区域203对应的曝光量大于所述第二预设区域202对应的曝光量且小于所述第一预设区域201对应的曝光量。
需要说明的是，在上述实施例中，所述像素定义结构和所述支撑结构制作材料为同一种光阻材料，以保证所述像素定义结构、所述支撑结构和所述开口区可以再同一步曝光、显影工艺中完成，以节省工艺步骤，降低制作成本。
在本发明的另一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S311：如图7(a)所示，在所述第一基板100上表面形成第一光阻层300，所述第一光阻层300上表面具有第一预设区域301、第二预设区域302和第三预设区域303；
S312：如图7(b)所示，对所述第一预设区域301、第二预设区域302和第三区域303采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板100上表面对应所述第一预设区域301的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板100上表面对应所述第二预设区域302的位置形成多个像素定义结构20，在所述像素定义结构20上表面对应所述第三预设区域303的位置形成凹槽304；
S313：如图7(c)所示，在所述凹槽304内沉积所述支撑结构30，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域301对应的曝光量大于所述第二预设区域302对应的曝光量，所述第三预设区域303对应的曝光量大于所述第二预设区域302对应的曝光量且小于所述第一预设区域301对应的曝光量。
在本发明的又一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S321：如图8(a)和图8(b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一光阻层400，对所述第一光阻层400上表面对应第一预设区域401和第二预设区域402的位置进行曝光、显影，形成开口区和多个像素定义结构20；
S322：如图8(b)所示，在所述像素定义结构20上表面对应第三预设区域403的位置进行曝光、显影，在至少一个所述像素定义结构20上表面形成凹槽404；
S323：如图8(d)所示，在所述凹槽404内沉积支撑结构30，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域401对应的曝光量大于所述第二预设区域402对应的曝光量，所述第三预设区域403对应的曝光量大于所述第二预设区域402对应的曝光量且小于所述第一预设区域401对应的曝光量。
需要说明的是，在上述两个实施例中，所述支撑结构与所述像素定义结构的制作材料可以相同(即为同一种光阻材料)，也可以不同(即未不同种光阻材料)，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。还需要说明的是，在本发明实施例中，所述第二预设区域的曝光量可以为零，也可以大于零，本发明对此也不做限定，具体视情况而定。
在上述两个实施例的基础上，当所述支撑结构与所述像素定义结构分别形成时(即不在同一步曝光、显影工艺中形成时)，在本发明的一个可选实施例中，在所述凹槽内沉积支撑结构包括：
在所述像素定义结构背离所述第一基板的一侧形成第三光阻层；
对所述第三光阻层上表面对应第四预设区域的位置进行曝光、显影，在所述像素定义结构的凹槽内形成支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面。其中，所述第四预设区域是指所述第一基板上方除所述第三预设区域外的区域。
需要说明的是，在上述实施例中，所述像素定义结构和所述支撑结构的制作材料均为光阻材料，在本发明的其他实施例中，所述像素定义结构和所述支撑结构的制作材料还可以为非光阻材料类的绝缘材料，下面以所述像素定义结构和所述支撑结构的制作材料均为非光阻材料类的绝缘材料为例，对所述像素定义结构和所述支撑结构的制作方法进行说明。
在上述实施例的基础上，在本发明的一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S331：如图9(a)所示，在所述第一基板100上表面形成绝缘层500；
S332：在所述绝缘层500上表面形成光阻层510，所述光阻层510上表面具有第一预设区域501、第二预设区域502和第三预设区域503；
S333：如图9(b)所示，对所述第一预设区域501、第二预设区域502和第三预设区域503采用不同曝光量对所述光阻层510进行曝光、显影，形成光阻图案；
S334：以所述光阻图案为掩膜版，对所述绝缘层500进行刻蚀，在所述第一基板100上表面对应第一预设区域501的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板100上表面对应所述第二预设区域502的位置形成多个像素定义结构20，并在所述第一基板100上表面对应所述第三预设区域503的位置形成支撑结构30，其中，至少一个所述像素定义结构20上表面具有凹槽，所述支撑结构30位于所述像素定义结构20上表面的凹槽内，且所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域501对应的曝光量大于所述第二预设区域502对应的曝光量，所述第三预设区域503对应的曝光量大于所述第二预设区域502对应的曝光量且小于所述第一预设区域501对应的曝光量。
需要说明的是，在上述实施例中，所述像素定义结构和所述支撑结构制作材料为同一种绝缘材料，以保证所述像素定义结构、所述支撑结构和所述开口区可以再同一步刻蚀工艺中完成，以节省工艺步骤，降低制作成本。
在本发明的另一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S341：如图10(a)和图10(b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一绝缘层600；
S342：在所述第一绝缘层600上表面形成第一光阻层610，所述第一光阻层610上表面具有第一预设区域601、第二预设区域602和第三预设区域603；
S343：对所述第一预设区域601、第二预设区域602和第三区域603采用不同曝光量对所述第一光阻层610进行曝光、显影，形成光阻图案；
S344：如图10(c)所示，以所述光阻图案为掩膜版，对所述第一绝缘层600进行刻蚀，在所述第一基板100上表面对应所述第一预设区域601的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板100上表面对应所述第二预设区域602的位置形成多个像素定义结构20，在所述像素定义结构20上表面对应所述第三预设区域603的位置形成凹槽604；
S345：如图10(d)所示，在所述凹槽604内沉积所述支撑结构30，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域601对应的曝光量大于所述第二预设区域602对应的曝光量，所述第三预设区域603对应的曝光量大于所述第二预设区域602对应的曝光量且小于所述第一预设区域601对应的曝光量。
在本发明的又一个实施例中，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
S351：如图11(a)和图11(b)所示，在所述第一基板100上表面形成第一绝缘层700；
S352：在所述第一绝缘层700上表面形成第一光阻层710；
S353：如图11(b)所示，采用不同的曝光量，对所述第一光阻层710上表面对应第一预设区域701和第二预设区域702的位置进行曝光、显影，形成第一光阻图案；
S354：如图11(c)所示，以所述第一光阻图案为掩膜，对所述第一绝缘层700进行刻蚀，形成开口区和多个像素定义结构20，并去除所述第一光阻层710；
S355：如图11(d)所示，在所述像素定义结构20上表面形成第二光阻层720；
S357：如图11(e)所示，采用不同的曝光量对所述第二光阻层720上表面对应第三预设区域703的位置进行曝光、显影，形成第二光阻图案；
S358：如图11(f)所示，以所述第二光阻图案为掩膜，对所述像素定义结构20进行刻蚀，在至少一个所述像素定义结构20上表面形成凹槽704；
S359：如图11(g)所示，在所述凹槽704内沉积支撑结构30，所述支撑结构30的上表面高于所述像素定义结构20的上表面；
其中，所述第一预设区域701对应的曝光量大于所述第二预设区域702对应的曝光量，所述第三预设区域703对应的曝光量大于所述第二预设区域702对应的曝光量且小于所述第一预设区域701对应的曝光量。
需要说明的是，在上述两个实施例中，所述支撑结构与所述像素定义结构的制作材料可以相同(即为同一种绝缘材料)，也可以不同(即未不同种绝缘材料)，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。还需要说明的是，在本发明实施例中，所述第二预设区域的曝光量可以为零，也可以大于零，本发明对此也不做限定，具体视情况而定。
在上述两个实施例的基础上，当所述支撑结构与所述像素定义结构分别形成时(即不在同一步刻蚀工艺中形成时)，在本发明的一个可选实施例中，在所述凹槽内沉积支撑结构包括：
在所述像素定义结构背离所述第一基板的一侧形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上表面形成第三光阻层；
对所述第三光阻层进行曝光、显影，形成第三光阻图案；
以所述第三光阻图案为掩膜，对所述第二绝缘层进行刻蚀，在所述第二绝缘层上表面对应第四预设区域的位置形成支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面。其中，所述第四预设区域为所述第一基板上方除所述第三预设区域之外的区域。
需要说明的是，在本发明任一实施例里，所述多个像素定义结构中可以每个像素定义结构上表面都具有凹槽，也可以部分像素定义结构上表面具有凹槽，部分像素定义结构上表面没有凹槽，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
还需要说明的是，在本发明的其他实施例中，所述像素定义结构和所述支撑结构的制作材料还可以一个为光阻材料，一个为非光阻材料类绝缘材料，如所述像素定义结构的制作材料为光阻材料，所述支撑结构的制作材料为非光阻材料类绝缘材料，或所述支撑结构的制作材料为光阻材料，所述像素定义结构的制作材料为非光阻材料类绝缘材料，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
在上述任一实施例的基础上，在本发明的一个可选实施例中，所述第三预设区域包括第一子区域和位于所述第一子区域周缘的第二子区域，其中，所述第一子区域对应的曝光量大于所述第二子区域的曝光量，以形成类倒梯形的凹槽。可选的，在沿所述第二子区域至所述第一子区域方向上，所述第二子区域中各位置对应的曝光量逐渐增大，以形成倒梯形凹槽。在本发明的其他实施例中，所述第一子区域对应的曝光量和所述第二子区域的曝光量还可以相同，以形成矩形的凹槽，本发明对此并不做限定，具体视情况而定。
综上所述，利用本发明实施例所提供的制作方法制作的阵列基板，包括：第一基板、位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，其中，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽以及位于所述凹槽内的支撑结构，从而在包括该阵列基板的显示面板上表面对应所述支撑结构的位置受到外界压力时，所述支撑结构产生的作用力主要位于所述凹槽内，使得所述支撑结构对应位置的阴极层即使发生损坏也是位于对应所述凹槽的位置，而不会延伸到所述支撑结构两侧的发光层区，解决了由于所述显示面板上表面受到压力而导致部分发光层不发光的问题，提高了显示效果。
本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (12)

1.一种OLED阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板；
位于所述第一基板上表面的多个像素定义结构，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域，且至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽；
位于所述像素定义结构上表面凹槽内的支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积；
位于所述子像素区域内的阳极和发光层；
覆盖所述发光层和所述支撑结构上表面的阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构；
其中，所述凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值。
2.根据权利要求1所述的OLED阵列基板，其特征在于，位于所述凹槽任一侧的所述像素定义结构的上表面宽度不小于1μm。
3.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1或2所述的OLED阵列基板。
4.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求3所述的显示面板。
5.一种OLED阵列基板的制作方法，其特征在于，该方法包括：
提供第一基板；
在所述第一基板上表面形成多个阳极；
在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面，所述支撑结构的制作材料为绝缘材料，且所述支撑结构的剖视图为梯形，所述支撑结构背离所述凹槽一侧的面积小于所述支撑结构朝向所述凹槽一侧的面积，其中，所述多个像素定义结构将所述第一基板上表面对应显示区的位置划分成多个子像素区域；
在所述子像素区域内形成发光层；
在所述发光层和所述支撑结构上表面形成阴极层，所述阴极层完全覆盖所述发光层、所述支撑结构和所述像素定义结构；
其中，所述凹槽的深度为所述像素定义结构上表面至下表面之间距离的1/10-1/5，包括端点值。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成光阻层，所述光阻层上表面具有第一预设区域、第二预设区域和第三预设区域；
对所述第一预设区域、第二预设区域和第三区域采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板上表面对应所述第一预设区域的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板上表面对应所述第二预设区域的位置形成多个像素定义结构，在所述第一基板上表面对应所述第三预设区域的位置形成支撑结构，其中，所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成第一光阻层，所述第一光阻层上表面具有第一预设区域、第二预设区域和第三预设区域；
对所述第一预设区域、第二预设区域和第三区域采用不同曝光量进行曝光、显影，在所述第一基板上表面对应所述第一预设区域的位置形成开口区，用于形成后续的发光层，同时在所述第一基板上表面对应所述第二预设区域的位置形成多个像素定义结构，在所述像素定义结构上表面对应所述第三预设区域的位置形成凹槽；
在所述凹槽内沉积所述支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
8.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一基板上表面形成多个像素定义结构和支撑结构，至少一个所述像素定义结构上表面具有凹槽，所述支撑结构位于所述像素定义结构上表面凹槽内，且所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面包括：
在所述第一基板上表面形成第一光阻层，对所述第一光阻层上表面对应第一预设区域和第二预设区域的位置进行曝光、显影，形成开口区和多个像素定义结构；
对所述像素定义结构上表面对应第三预设区域的位置进行曝光、显影，在至少一个所述像素定义结构上表面形成凹槽；
在所述凹槽内沉积支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面；
其中，所述第一预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量，所述第三预设区域对应的曝光量大于所述第二预设区域对应的曝光量且小于所述第一预设区域对应的曝光量。
9.根据权利要求7或8所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽内沉积支撑结构包括：
在所述像素定义结构背离所述第一基板的一侧形成第三光阻层；
对所述第三光阻层上表面对应第四预设区域的位置进行曝光、显影，在所述像素定义结构的凹槽内形成支撑结构，所述支撑结构的上表面高于所述像素定义结构的上表面。
10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述像素定义结构的制作材料与所述支撑结构的制作材料相同或不同。
11.根据权利要求7-8任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第三预设区域包括第一子区域和位于所述第一子区域周缘的第二子区域，其中，所述第一子区域对应的曝光量大于所述第二子区域的曝光量。
12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在沿所述第二子区域至所述第一子区域方向上，所述第二子区域中各位置对应的曝光量逐渐增大。
CN201610327713.8A 2016-05-17 2016-05-17 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 Active CN105845711B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610327713.8A CN105845711B (zh) 2016-05-17 2016-05-17 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610327713.8A CN105845711B (zh) 2016-05-17 2016-05-17 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105845711A CN105845711A (zh) 2016-08-10
CN105845711B true CN105845711B (zh) 2020-05-29

Family

ID=56593561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610327713.8A Active CN105845711B (zh) 2016-05-17 2016-05-17 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105845711B (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106384744B (zh) * 2016-11-16 2020-04-03 信利（惠州）智能显示有限公司 有机发光显示器件的制造方法
CN108091670B (zh) * 2016-11-22 2022-04-15 天马微电子股份有限公司 显示装置及其制造方法
TWI649736B (zh) * 2016-12-16 2019-02-01 南韓商Ｌｇ顯示器股份有限公司 電致發光顯示裝置
CN108231824B (zh) * 2016-12-16 2024-04-23 京东方科技集团股份有限公司 一种oled显示面板及其制备方法
CN108615746A (zh) * 2018-04-28 2018-10-02 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN108922902B (zh) * 2018-07-03 2021-06-11 云谷（固安）科技有限公司 显示屏及显示装置
CN108807494B (zh) 2018-07-06 2021-09-14 云谷（固安）科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN108878502B (zh) * 2018-07-26 2020-08-25 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109065596B (zh) * 2018-08-17 2022-07-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN109148531B (zh) * 2018-08-20 2021-01-26 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制备方法
CN109585683A (zh) * 2018-12-06 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN110993646B (zh) * 2019-11-08 2022-07-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled背板的制备方法及oled背板
CN113451524A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN116784018A (zh) * 2022-01-14 2023-09-19 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376747A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 索尼公司 显示装置及其制造方法
TW201248962A (en) * 2011-02-10 2012-12-01 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and manufacturing method thereof, lighting device, and display device
CN103094487A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 株式会社半导体能源研究所 发光模块、发光装置
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102376747A (zh) * 2010-08-17 2012-03-14 索尼公司 显示装置及其制造方法
TW201248962A (en) * 2011-02-10 2012-12-01 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and manufacturing method thereof, lighting device, and display device
CN103094487A (zh) * 2011-11-04 2013-05-08 株式会社半导体能源研究所 发光模块、发光装置
CN104885251A (zh) * 2012-12-28 2015-09-02 乐金显示有限公司 透明的有机发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN105845711A (zh) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105845711B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN102998897B (zh) 制造掩模的方法
KR101139323B1 (ko) 유기전계 발광소자 제조 용 쉐도우 마스크 제조 방법
US10012905B2 (en) Device substrate and fabricating method thereof
US20090047788A1 (en) Method for fabricating semiconductor device
JP6184985B2 (ja) 二層透明導電膜及びその製造方法
JP5426489B2 (ja) テンプレートの製造方法
JP2013174766A (ja) マスクパターン作成方法、マスクパターン作成プログラムおよび半導体装置の製造方法
US8535858B2 (en) Photomask and method for forming overlay mark using the same
KR100623419B1 (ko) 쉐도우 마스크 및 그의 제조 방법
WO2020143201A1 (zh) 掩膜板制作方法及掩膜板
JP2005507171A (ja) スピン・オンガラス用フィルパターンの生成及び関連する自己平坦化堆積法
CN109950282B (zh) 像素结构、阵列基板以及显示装置
WO2019184911A1 (zh) 柔性显示面板及其制作方法、显示装置
CN108269837B (zh) 一种电致发光显示面板、掩膜板及制作方法
US20090309257A1 (en) Master for manufacturing mold, mold for manufacturing display device and manufacturing methods thereof
CN110690197A (zh) 一种半导体对位结构及半导体基板
US20070096652A1 (en) Methods for fabricating step-formed patterned layer and frbricating rib of plasma display panel
KR100611075B1 (ko) 오엘이디 풀 컬러용 메탈 마스크 제작방법 및 이 방법에의해 제작된 메탈 마스크
CN112242098B (zh) 基板及其制备方法、显示面板
US10818504B2 (en) Method for producing a pattern of features by lithography and etching
JP2016173392A (ja) 光反射型リソグラフィマスク、その製造方法、マスクデータの生成方法、およびマスクブランク
CN114200780A (zh) 一种套刻对准标记结构及相关方法和器件
CN113846287B (zh) 金属掩膜版以及金属掩膜版的加工方法
CN113009772B (zh) 掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211013

Address after: No.8, liufangyuan Henglu, Donghu New Technology Development Zone, Wuhan City, Hubei Province

Patentee after: WUHAN TIANMA MICRO-ELECTRONICS Co.,Ltd.

Patentee after: Wuhan Tianma Microelectronics Co.,Ltd. Shanghai Branch

Patentee after: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.

Address before: Room 509, building 1, No. 6111, Longdong Avenue, Pudong New Area, Shanghai, 201201

Patentee before: SHANGHAI TIANMA AM-OLED Co.,Ltd.

Patentee before: Tianma Micro-Electronics Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right