JP2021081727A - 表示装置、マスク組立体とその製造方法、及び表示装置の製造装置並びに表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】精密な画素パターンを有する表示装置、マスク組立体、マスク組立体の製造方法、表示装置の製造装置、及び表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】表示装置は、透過領域を含む第１表示領域ＤＡ１と、第１表示領域の少なくとも一部を取り囲むように配置される第２表示領域ＤＡ２と、を含む基板と、第１表示領域に配置され、第１画素電極と、第１中間層と、第１対向電極と、を含む第１画素ＰＸａと、第２表示領域に配置され、第２画素電極と、第２中間層と、第２対向電極と、を含む第２画素ＰＸｍと、を有し、第１中間層及び第２中間層のそれぞれは、厚みが一定している部分と、厚みが可変する区間と、を含み、第１中間層の厚みが可変する区間、又は第２中間層の厚みが可変する区間の内の１つの第１長は、第１中間層の厚みが可変する区間、又は第２中間層の厚みが可変する区間の内の他の１つの第２長と異なる。【選択図】図１１Ａ

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、精密な画素パターンを有する表示装置、マスク組立体、マスク組立体の製造方法、表示装置の製造装置、及び表示装置の製造方法に関する。

移動性をベースとする電子機器が幅広く使用されている。
移動用電子機器としては、モバイルフォンのような小型電子機器以外にも、近年になり、タブレットＰＣ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）が広く使用されている。
そのような移動型電子機器は、多様な機能を支援するために、イメージ又は映像のような視覚情報をユーザに提供するために、表示装置を含む。

近年、表示装置を駆動するためのその他部品が小型化されることにより、表示装置が電子機器で占める比重がだんだんと上昇しており、平らな状態で所定角度を有するように曲げることができる構造も開発されている。
そのような表示装置は、多様な部位に、互いに異なる解像度を有するように、画素が配置されうる。
このとき、そのような画素に有機物を蒸着するために使用されるマスク組立体の形態により、表示装置の性能が左右される。
一般的に、互いに異なる解像度を有する表示領域を含む表示装置を製造するために、各表示領域に対応するマスク組立体を別途に作製して使用する。

しかし、そのように、マスク組立体を別途に作製する場合、作製コストが多く発生するだけではなく、各マスク組立体と基板との整列が精密ではなく、所望品質の表示装置の製造が困難になるという問題がある。

特開２００７−１４１８４７号公報

本発明は上記従来の表示装置における課題に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、精密な画素パターンを有する表示装置、１つのマスク組立体を介して精密なパターンを有する表示装置を製造することが可能なマスク組立体、該マスク組立体の製造方法、該表示装置の製造装置、及び該表示装置の製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、透過領域を含む第１表示領域と、前記第１表示領域の少なくとも一部を取り囲むように配置される第２表示領域と、を含む基板と、前記第１表示領域に配置され、第１画素電極と、第１中間層と、第１対向電極と、を含む第１画素と、前記第２表示領域に配置され、第２画素電極と、第２中間層と、第２対向電極と、を含む第２画素と、を有し、前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれは、厚みが一定している部分と、厚みが可変する区間と、を含み、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の１つの第１長は、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の他の１つの第２長と異なることを特徴とする。

前記第１長又は前記第２長の内の一つは、前記第１長又は前記第２長の内の他の一つより短いことが好ましい。
前記第１表示領域で提供されるイメージの解像度は、前記第２表示領域で提供されるイメージの解像度と異なることが好ましい。
前記第１表示領域に対応するように前記基板の一面に配置され、光を放射したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントをさらに有することが好ましい。
前記第１表示領域の光透過率と前記第２表示領域の光透過率とは、互いに異なることが好ましい。
前記第１中間層の平面形状の大きさは、前記第２中間層の平面形状の大きさ以上であることが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明によるマスク組立体は、マスクシートを含むマスク組立体において、前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内面に配置され、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とする。

前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことが好ましい。
前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は互いに異なることが好ましい。
前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの平面サイズは、前記第２領域の一面から延長された前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの平面サイズ以上であることが好ましい。
前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることが好ましい。
前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの形状と、前記第２パターンホールの形状は、互いに異なることが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明によるマスク組立体の製造方法は、母材の第１面に第１開口部を具備するように、第１フォトレジストを配置する段階と、母材の第１面に第１開口部を具備するように、第１フォトレジストを配置する段階と、母材の第２面に第２開口部と第３開口部とを具備するように、第２フォトレジストを配置する段階と、前記第１開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の第１面の一部をエッチングする段階と、前記第１開口部と前記第２開口部との内部にエッチング液を噴射し、前記母材の第２面の一部をエッチングし、前記母材を貫通する第１パターンホール及び第２パターンホールを形成する段階と、を有することを特徴とする。

前記第２開口部の幅は、前記第１開口部の幅より大きいことが好ましい。
前記第１パターンホール内部には、前記第２パターンホール内面から前記第２パターンホール内部に突出した突出部が配置されることが好ましい。
前記第１面から前記突出部までの距離と、前記第２面から前記突出部までの距離は、互いに異なることが好ましい。
前記第１フォトレジストを除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記第２フォトレジストを除去する段階をさらに有することが好ましい。

また、上記目的を達成するためになされた本発明によるは、母材の第１領域に位置する第１開口部を具備する第１フォトレジストを、前記母材の第１面上に配置する段階と、前記第１開口部に対応する第２開口部を具備する第２フォトレジストを、前記母材の第２面上に配置する段階と、前記第１開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第１面の一部をエッチングする段階と、前記第２開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材を貫通する第１パターンホールを形成する段階と、前記母材の前記第２面において、前記第１領域と隣接した第２領域にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階と、を有することを特徴とする。

前記第１面又は前記第２面と平行な平面上における前記第１パターンホールと、前記第２パターンホールの形状は、互いに異なることが好ましい。
前記第１面又は前記第２面と平行な平面上における前記第１パターンホールの面積と、前記第２パターンホールの面積は、互いに異なることが好ましい。
前記第１パターンホールと前記第２パターンホールの同一面積当たりの個数は、互いに異なることが好ましい。
前記第１フォトレジストを除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記第２フォトレジストを除去する段階をさらに有することが好ましい。
前記第２パターンホールを形成する段階は、前記第２パターンホールの前記母材の厚み方向と垂直方向への幅が、前記第１面から前記第２面に行くにしたがって広くなるように形成される段階を含むことが好ましい。
前記第２フォトレジストは、前記第２領域全体に対応するように形成される第３開口部をさらに含み、前記第３開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングする段階をさらに有することが好ましい。
前記母材の前記第２面において、前記第３開口部に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階をさらに有することが好ましい。
前記第２フォトレジストは、前記第２領域に配置され、互いに離隔された複数の第４開口部をさらに含み、前記第４開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングする段階をさらに有することが好ましい。
前記第２パターンホールを形成する段階は、前記母材の前記第２面において、前記第４開口部に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階を含むことが好ましい。
前記第２フォトレジストは、前記第２領域の縁部に位置する複数の第５開口部をさらに含み、前記第５開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングすることにより、少なくとも２以上の基準ホールを形成する段階をさらに有することが好ましい。
レーザビームを照射する前に、前記基準ホールを利用して前記母材を整列させる段階をさらに有することが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造装置は、チャンバと、前記チャンバ内部に配置されるマスク組立体と、前記マスク組立体に対向するように配置される、ディスプレイ基板に蒸着物質を供給する蒸着ソースと、を有し、前記マスク組立体は、前記蒸着ソースから供給される蒸着物質が通過するマスクシートを含み、前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内面には、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とする。

前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことが好ましい。
前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は異なることが好ましい。
前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの入口部の平面サイズは、前記第１領域の一面から延長された前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの入口部の平面サイズ以上であることが好ましい。
前記マスクシートは、前記第１領域の縁部、又は前記第２領域の縁部に配置される複数の基準ホールを含むことが好ましい。
前記マスクシートの前記第２領域における厚みの内、前記第２パターンホールの周囲領域における厚みは、前記第１領域における厚みより薄く、互いに隣接した前記第２パターンホール間の領域における厚みは、前記第１領域における厚みと同一であることが好ましい。
前記マスクシートの厚み方向と垂直方向に沿う前記第２パターンホールの幅は、前記マスクシートの一面から他面に行くにしたがって広くなるように形成されることが好ましい。
前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの形状と、前記第２パターンホールとの形状は、互いに異なることが好ましい。
前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの面積と、前記第２パターンホールとの面積は、互いに異なることが好ましい。
前記第１パターンホールと、前記第２パターンホールの同一面積当たりの個数は、互いに異なることが好ましい。
前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、ディスプレイ基板とマスク組立体とをチャンバ内部に配置して整列させる段階と、蒸着ソースから前記ディスプレイ基板に、前記マスク組立体を通過させて蒸着物質を供給する段階と、を有し、前記マスク組立体は、前記蒸着ソースから供給される蒸着物質が通過するマスクシートを含み、前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内面には、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とする。

前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことが好ましい。
前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は異なることが好ましい。
前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの平面サイズは、前記第２領域の一面から延長された前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの入口部の平面サイズ以上であることが好ましい。
前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることが好ましい。

また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の製造方法は、ディスプレイ基板の第１表示領域上に、第１中間層を形成する段階と、前記ディスプレイ基板の第２表示領域上に、第２中間層を形成する段階と、を有し、前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれは、厚みが一定している部分と、厚みが可変する区間と、を含み、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の１つの第１長は、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の他の１つの第２長と異なることを特徴とする。

前記第１長又は前記第２長の内の一つは、前記第１長又は前記第２長の内の他の一つより短いことが好ましい。
前記第１表示領域で提供するイメージの解像度は、前記第２表示領域で提供するイメージの解像度と異なることが好ましい。
前記第１表示領域に対応するように、前記ディスプレイ基板の一面に配置され、光を放射したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントを配置する段階をさらに有することが好ましい。
前記第１表示領域の光透過率と前記第２表示領域の光透過率は、互いに異なることが好ましい。
前記第１中間層の平面形状の大きさは、前記第２中間層の平面形状の大きさ以上であることが好ましい。
前記第１中間層において厚みが一定している区間の厚みと、前記第２中間層において厚みが一定している区間の厚みは、互いに同一であることが好ましい。

本発明に係る表示装置によれば、精密なイメージを具現することが可能である。
本発明に係るマスク組立体とその製造方法、及び表示装置の製造装置並びに表示装置の製造方法によれば、基板上に精密なパターンに蒸着物質を蒸着させることが可能である。
また、本発明に係るマスク組立体とその製造方法、及び表示装置の製造装置並びに表示装置の製造方法によれば、解像度が互いに異なる表示領域を含む表示装置を製造することが可能である。
また、本発明に係るマスク組立体の製造方法によれば、互いに異なる大きさ、形状などを有するパターンホールを１つのマスクシートに形成することが可能であり、また、互いに異なる大きさ、形状などを有するパターンホールを１つのマスクシートに形成する場合にも、マスクシートの変形を最小化させることができ、各パターンホールの形態を精密に作製することが可能である。

本発明の一実施形態による表示装置の概略を示す斜視図である。 本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。 本発明の一実施形態による画素の画素回路を概略的に示した配置図である。 図６のＩ−Ｉ’線及びＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の製造装置の概略構成を示す断面図である。 図８に示したマスク組立体を示す斜視図である。 本発明の一実施形態によるマスク組立体のマスクシート及び支持フレームの一部構成を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態によるマスク組立体のマスクシート及び支持フレームの一部構成を概略的に示す平面図である。 本発明の一実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。 図１１Ａに示した第１メイン画素及び第１補助画素の製造時に使用される第１マスクシートの一部を示す平面図である。 図１１Ａに示した第２メイン画素及び第２補助画素の製造時に使用される第２マスクシートの一部を示す平面図である。 図１１Ａに示した第３メイン画素及び第３補助画素の製造時に使用される第３マスクシートの一部を示す平面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。 本発明のさらに他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の一実施形態によるレーザ加工装置の概略構成を示す図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。 本発明の他の実施形態による表示装置の概略を示す斜視図である。

次に、本発明に係る表示装置、マスク組立体とその製造方法、及び表示装置の製造装置並びに表示装置の製造方法を実施するための形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

本発明は、多様な変換を加えることができ、さまざまな実施形態を有することができるが、特定実施形態を図面に例示し、詳細な説明によって詳細に説明する。
本発明の効果、特徴、及びそれらを達成する方法は、図面と共に詳細に後述されている実施形態を参照すれば、明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示される実施形態に限定されるものではなく、多様な形態にも具現されるのである。

以下、添付した図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明することにするが、図面を参照して説明するとき、同一であるか、あるいは対応する構成要素は、同一図面符号を付し、それに係わる重複説明は、省略する。
以下の実施形態において、第１、第２のような用語は、限定的な意味ではなく、１つの構成要素を他の構成要素と区別する目的に使用されている。
以下の実施形態において、単数の表現は、文脈上明白に異なって意味しない限り、複数の表現を含む。
以下の実施形態において、「含む」又は「有する」というような用語は、明細書上に記載された特徴又は構成要素が存在するということを意味するものであり、１以上の他の特徴又は構成要素が付加される可能性を事前に排除するものではない。
以下の実施形態において、膜、領域、構成要素のような部分が、他の部分の上又は上部にあるとするとき、他の部分の真上にある場合だけではなく、その中間に、他の膜、領域、構成要素などが介在されている場合も含む。
図面においては、説明の便宜のために、構成要素がその大きさが誇張されていたり縮小されていたりする。例えば、図面に示された各構成の大きさ及び厚みは、説明の便宜のために任意に示されているので、本発明は、必ずしも図示されたところに限定されるものではない。
以下の実施形態において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、直交座標系上の三軸に限定されるものではなく、それを含む広い意味にも解釈される。例えば、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、互いに直交しもするが、互いに直交せずに、互いに異なる方向を指しもする。
ある実施形態が異なって具現可能な場合、特定の工程順序は、説明される順序と異なるようにも実行される。例えば、連続して説明される２つの工程が実質的に同時に実行され、説明される順序と反対の順序にも進められる。

図１は、本発明の一実施形態による表示装置の概略を示す斜視図である。
図１を参照すると、表示装置ＤＤは、イメージを具現する表示領域ＤＡと、イメージを具現しない周辺領域ＰＡと、を含む。

表示領域ＤＡは、互いに異なる解像度を有する、互いに隣接するように配置される第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２を含む。
例えば、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも低い。
他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも高い。
このとき、各表示領域の解像度は、各表示領域に配置され、互いに隣接した画素の中心間の間隔、画素の大きさ、各表示領域の単位面積当たり画素の全体面積，及び／又は各表示領域の単位面積当たり画素の個数などによっても決定される。
すなわち、各表示領域において、解像度が低い表示領域は、解像度がさらに高い表示領域より互いに隣接する画素の中心間の距離が長いか、あるいは単位面積（又は、同一面積）に配置される画素の個数が少なくもある。

又は、単位面積（又は、同一面積）に配置される画素の全体面積が、解像度が低い表示領域が他の表示領域よりも狭い。
以下においては、説明の便宜のために、第１表示領域ＤＡ１の解像度が第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも低い場合を中心に詳細に説明する。
第１表示領域ＤＡ１の光透過率は、第２表示領域ＤＡ２の光透過率とも異なる。
例えば、第１表示領域ＤＡ１又は第２表示領域ＤＡ２のうち１つの光透過率は、第１表示領域ＤＡ１又は第２表示領域ＤＡ２のうち他の１つの光透過率よりも高くなる。
以下においては、説明の便宜のために、第１表示領域ＤＡ１の光透過率が第２表示領域ＤＡ２の光透過率より高い場合を中心に詳細に説明する。

前述のような第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２は、多様な形態に配列される。
例えば、第１表示領域ＤＡ１の枠の内の一部は、第２表示領域ＤＡ２の内部に配置され、第１表示領域ＤＡ１の枠の内の他の一部は、周辺領域ＰＡと互いに出合う。
他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２内部に配置され、第１表示領域ＤＡ１の枠は、第２表示領域ＤＡ２が取り囲む。
以下においては、説明の便宜のために、第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２内部に配置される場合を中心に詳細に説明する。

第１表示領域ＤＡ１及び／又は第２表示領域ＤＡ２は、図２を参照して後述するように、その下部に赤外線、可視光線や音響などを利用するセンサのようなコンポーネントが配置される領域でもある。
以下においては、説明の便宜のために、該コンポーネントは、第１表示領域ＤＡ１に配置される場合を中心に詳細に説明する。
第２表示領域ＤＡ２は、配置された複数のメイン画素ＰＸｍが配置され、複数のメイン画素ＰＸｍは、光を放射し、そのような光を介し、メインイメージを提供する。
第１表示領域ＤＡ１は、コンポーネントから外部に出力されるか、あるいは外部からコンポーネントに向けて進む光又は／及び音響が透過することができる透過領域ＴＡを含む。
本発明の一実施形態において、第１表示領域ＤＡ１を介して赤外線が透過する場合、光透過率は、約１０％以上、さらに望ましくは、２０％以上、２５％以上、５０％以上、８５％以上、９０％以上であり得る。

本実施形態において、第１表示領域ＤＡ１には、複数の補助画素ＰＸａが配置され、複数の補助画素ＰＸａから放射される光を利用し、所定イメージを提供する。
第１表示領域ＤＡ１で提供されるイメージは、補助イメージであり、第２表示領域ＤＡ２で提供するイメージに比べ、解像度が低い場合がある。
すなわち、第１表示領域ＤＡ１は、光又は／及び音響が透過することができる透過領域ＴＡを具備するが、単位面積当たりの配置されうる補助画素ＰＸａの数が、第２表示領域ＤＡ２に単位面積当たりの配置されるメイン画素ＰＸｍの数に比べて少ない場合がある。

他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１の単位面積に配置された補助画素ＰＸａの全体面積は、第２表示領域ＤＡ２の単位面積に配置されたメイン画素ＰＸｍの全体面積よりも狭い。
さらに他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１に配置され、互いに隣接した補助画素ＰＸａの中心間の距離は、第２表示領域ＤＡ２に配置され、互いに隣接したメイン画素ＰＸｍの中心間の距離よりも広い。
そのような場合、解像度が互いに比較される補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、互いに同一色を発光する。

以下においては、本発明の一実施形態による表示装置ＤＤとして、有機発光表示装置を例にして説明するが、本発明の表示装置は、それに制限されるものではない。
他の実施形態として、無機ＥＬディスプレイ（ｉｎｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｄｉｓｐｌａｙ）、量子ドット発光ディスプレイ（ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏｔ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｓｐｌａｙ）などのような多様な方式の表示装置が使用され得る。

図１においては、第１表示領域ＤＡ１が四角形である第２表示領域ＤＡ２の一側（右上側）に配置されるように図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
第２表示領域ＤＡ２の形状は、円形、楕円、又は三角形や五角形のような多角形でもあり、第１表示領域ＤＡ１の位置及び個数も、多様に変更され得るということは、言うまでもない。

図２は、本発明の一実施形態による表示装置の概略構成を示す断面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面に対応する。
図２を参照すると、表示装置ＤＤは、表示要素を含む表示パネル２、及び表示パネル２下部に位置し、第１表示領域ＤＡ１に対応するコンポーネント３を含む。
表示パネル２は、基板１００、基板１００上に配置された表示要素層２００、表示要素層２００を密封する密封部材として、薄膜封止層３００を含む。
また、表示パネル２は、基板１００に下部に配置された下部保護フィルム１７５をさらに含んでもよい。

基板１００は、ガラス又は高分子樹脂を含み得る。
高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、又はセルロースアセテートプロピオネートのような高分子樹脂を含んでもよい。
高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブル、又はベンダブルな特性を有し得る。
基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造であり得る。

表示要素層２００は、薄膜トランジスタＴＦＴを含む回路層、表示要素としての有機発光ダイオードＯＬＥＤ、及びそれら間の絶縁層ＩＬを含む。
第２表示領域ＤＡ２には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含むメイン画素ＰＸｍが配置され、第１表示領域ＤＡ１には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及びそれと接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む補助画素ＰＸａが配置され、メイン画素ＰＸｍ及び補助画素ＰＸａと電気的に接続された配線（図示せず）が配置される。
また、第１表示領域ＤＡ１には、薄膜トランジスタＴＦＴ、及び画素が配置されていない透過領域ＴＡが配置される。
透過領域ＴＡは、コンポーネント３から放射される光／信号や、コンポーネント３に入射される光／信号が透過される領域と理解することができる。

コンポーネント３は、第１表示領域ＤＡ１に位置する。
コンポーネント３は、光や音響を利用する電子要素である。
例えば、コンポーネント３は、赤外線センサのように、光を受光して利用するセンサ、光や音響を出力して感知し、距離を測定したり、指紋などを認識したりするセンサ、光を出力する小型ランプや、音を出力するスピーカーなどであり得る。
光を利用する電子要素の場合、可視光、赤外線光、紫外線光のように、多様な波長帯域の光を利用することができるということは、言うまでもない。
第１表示領域ＤＡ１に配置されたコンポーネント３の数は、複数に具備され得る。
例えば、コンポーネント３として、発光素子及び受光素子が１つの第１表示領域ＤＡ１に共に具備されてもよい。
又は、１つのコンポーネント３に、発光部及び受光部が同時に具備されてもよい。

薄膜封止層３００は、少なくとも１層の無機封止層と、少なくとも１層の有機封止層とを含む。
それと関係し、図２は、第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０と、それらの間の有機封止層３２０と、を示す。
第１無機封止層３１０及び第２無機封止層３３０は、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化亜鉛、シリコンオキサイド、シリコンナイトライド、シリコンオキシナイトライドの内の１以上の無機絶縁物を含み得る。
有機封止層３２０は、ポリマー系の物質を含み得る。
ポリマー系の素材としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエチレンスルホネート、ポリオキシメチレン、ポリアリレート、ヘキサメチルジシロキサン、アクリル系樹脂（例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリアクリル酸など）、又はその任意の組み合わせを含み得る。

下部保護フィルム１７５は、基板１００の下部に付着され、基板１００を支持して保護する役割を行う。
下部保護フィルム１７５は、第１表示領域ＤＡ１に対応する開口１７５ＯＰを具備する。
下部保護フィルム１７５に開口１７５ＯＰを具備することにより、第１表示領域ＤＡ１の光透過率を向上させることができる。
下部保護フィルム１７５は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリイミド（ＰＩ）を含んで具備され得る。

第１表示領域ＤＡ１の面積は、コンポーネント３が配置される面積に比べ、大きく具備され得る。
図２においては、第１表示領域ＤＡ１と開口１７５ＯＰとの面積が同一であるように図示しているが、下部保護フィルム１７５に具備された開口１７５ＯＰの面積は、第１表示領域ＤＡ１の面積と同じであってもよい。
例えば、開口１７５ＯＰの面積は、第１表示領域ＤＡ１の面積に比べ、狭く具備され得る。

図示していないが、表示パネル２上には、タッチ入力を感知する入力感知部材、偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）及び遅延子（ｒｅｔａｒｄｅｒ）、又はカラーフィルタ及びブラックマットリックスを含む反射防止部材、並びに透明なウィンドウのような構成要素がさらに配置され得る。
また、本実施形態において、表示要素層２００を密封する封止部材として、薄膜封止層３００を利用しているように図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
例えば、表示要素層２００を密封する部材として、シーラント又はフリットにより、基板１００と合着される密封基板を利用することもできる。

図３は、本発明の一実施形態による表示パネルの構成を概略的に示す平面図である。
図３を参照すると、表示パネル２をなす各種構成要素は、基板１００上に配置される。
基板１００は、表示領域ＤＡ（図１）、及び表示領域を取り囲む周辺領域ＰＡを含む。

表示領域ＤＡは、メインイメージがディスプレイされる第２表示領域ＤＡ２、及び内部に透過領域ＴＡを具備し、補助イメージがディスプレイされる第１表示領域ＤＡ１を含む。
第２表示領域ＤＡ２には、複数のメイン画素ＰＸｍが配置される。
メイン画素ＰＸｍは、それぞれ有機発光素子ＯＬＥＤのような表示要素を含む。
各メイン画素ＰＸｍは、有機発光素子ＯＬＥＤを介し、例えば、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射する。
本明細書におけるメイン画素ＰＸｍとは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色の内のいずれか１つの色相の光を放射する画素と理解することができる。
第２表示領域ＤＡ２は、先に図２を参照して説明した封止部材にカバーされ、外気又は水分などから保護される。

第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２の内側に配置され、第１表示領域ＤＡ１には、複数の補助画素ＰＸａが配置される。
補助画素ＰＸａは、それぞれ有機発光ダイオードのような表示要素を含む。
各補助画素ＰＸａは、有機発光ダイオードを介し、例えば、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射する。
本明細書における補助画素ＰＸａとは、前述のように、赤色、緑色、青色、白色の内のいずれか１つの色相の光を放射する画素と理解することができる。
一方、第１表示領域ＤＡ１には、補助画素ＰＸａ間に配置される透過領域ＴＡが具備される。

第１表示領域ＤＡ１は、透過領域ＴＡを具備しているが、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２よりも低い。
例えば、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の約１／２である。
一部実施形態において、第２表示領域ＤＡ２の解像度は、４００ｐｐｉ以上であり、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、約２００ｐｐｉであり得る。
各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）は、周辺領域ＰＡに配置された外郭回路と電気的に接続され得る。
周辺領域ＰＡには、第１スキャン駆動回路１１０、第２スキャン駆動回路１２０、端子１４０、データ駆動回路１５０、第１電源供給配線１６０、及び第２電源供給配線１７０が配置される。
第１スキャン駆動回路１１０は、スキャンラインＳＬを介し、各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）にスキャン信号を提供する。
第１スキャン駆動回路１１０は、発光制御線ＥＬを介し、各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）に発光制御信号を提供する。
第２スキャン駆動回路１２０は、表示領域ＤＡを挟んで第１スキャン駆動回路１１０と平行に配置される。
表示領域ＤＡに配置された各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）の内の一部は、第１スキャン駆動回路１１０と電気的に接続され、残りは、第２スキャン駆動回路１２０に接続される。
他の実施形態において、第２スキャン駆動回路１２０は、省略してもよい。
端子１４０は、基板１００の一側に配置される。
端子１４０は、絶縁層によって覆われずに露出され、印刷回路基板ＰＣＢと電気的に接続される。
印刷回路基板ＰＣＢの端子ＰＣＢ−Ｐは、表示パネル２の端子１４０と電気的に接続される。
印刷回路基板ＰＣＢは、制御部（図示せず）の信号又は電源を表示パネル２に伝達する。
該制御部で生成された制御信号は、印刷回路基板ＰＣＢを介し、第１スキャン駆動回路１１０及び第２スキャン駆動回路１２０にそれぞれ伝達される。
該制御部は、第１連結配線１６１及び第２連結配線１７１を介し、第１電源供給配線１６０及び第２電源供給配線１７０に、それぞれ第１電源電圧ＥＬＶＤＤ及び第２電源電圧ＥＬＶＳＳ（図４、図５）を提供する。
第１電源電圧ＥＬＶＤＤは、第１電源供給配線１６０と接続された駆動電圧線ＰＬを介し、各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）に提供され、第２電源電圧ＥＬＶＳＳは、第２電源供給配線１７０と接続された各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）の対向電極に提供される。
データ駆動回路１５０は、データラインＤＬに電気的に接続される。
データ駆動回路１５０のデータ信号は、端子１４０に接続された連結配線１５１、及び連結配線１５１と接続されたデータラインＤＬを介し、各画素（メイン画素ＰＸｍ、補助画素ＰＸａ）に提供される。
図３は、データ駆動回路１５０が印刷回路基板ＰＣＢに配置されているように図示しているが、他の実施形態において、データ駆動回路１５０は、基板１００上にも配置され得る。
例えば、データ駆動回路１５０は、端子１４０と第１電源供給配線１６０の間に配置される。
第１電源供給配線１６０は、第２表示領域ＤＡ２と端子１４０との間に配置され、ｘ方向に沿って並んで延長された第１サブ配線１６２及び第２サブ配線１６３を含む。
第２電源供給配線１７０は、一側が開放されたループ状に表示領域ＤＡを部分的に取り囲む。

図４及び図５は、本発明の一実施形態による表示パネルの画素の等価回路図である。
図４及び図５を参照すると、各画素（ＰＸｍ、ＰＸａ）は、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続された画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに接続された有機発光素子ＯＬＥＤを含む。
画素回路ＰＣは、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、及びストレージキャパシタＣｓｔを含む。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬ及びデータラインＤＬに接続され、スキャンラインＳＬを介して入力されるスキャン信号Ｓｎにより、データラインＤＬを介して入力されたデータ信号Ｄｍを駆動薄膜トランジスタＴ１に伝達する。
ストレージキャパシタＣｓｔは、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び駆動電圧ラインＰＬに接続され、スイッチング薄膜トランジスタＴ２から伝達された電圧と、駆動電圧ラインＰＬに供給される駆動電圧（又は、電源電圧）ＥＬＶＤＤとの差に該当する電圧を保存する。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動電圧ラインＰＬとストレージキャパシタＣｓｔとに接続され、ストレージキャパシタＣｓｔに保存された電圧値に対応し、駆動電圧ラインＰＬから、有機発光素子ＯＬＥＤに流れる駆動電流を制御する。
有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動電流により、所定輝度を有する光を放射する。

図４においては、画素回路ＰＣが２個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含む場合について説明しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
図５に示しているように、画素回路ＰＣは、７個の薄膜トランジスタ、及び１個のストレージキャパシタを含んでもよい。
図５においては、１個のストレージキャパシタを含むように図示しているが、画素回路ＰＣは、２個以上のストレージキャパシタを含んでもよい。

図５を参照すると、各画素（ＰＸｍ、ＰＸａ）は、画素回路ＰＣ、及び画素回路ＰＣに接続された有機発光ダイオードＯＬＥＤを含む。
画素回路ＰＣは、複数の薄膜トランジスタ、及びストレージキャパシタを含む。
薄膜トランジスタ及びストレージキャパシタは、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）、初期化電圧線ＶＬ及び駆動電圧ラインＰＬに接続される。
図５においては、画素（ＰＸｍ、ＰＸａ）が信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）、初期化電圧線ＶＬ、及び駆動電圧ラインＰＬに接続されるように図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
他の実施形態として、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）の内の少なくともいずれか１本、初期化電圧線ＶＬや駆動電圧ラインＰＬなどは、隣接画素においても共有される。

信号線は、スキャン信号Ｓｎを伝達するスキャンラインＳＬ、第１初期化薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７に、以前スキャン信号（Ｓｎ−１）を伝達する以前スキャンライン（ＳＬ−１）、動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６に、発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御線ＥＬ、スキャンラインＳＬと交差し、データ信号Ｄｍを伝達するデータラインＤＬを含む。
駆動電圧ラインＰＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１に駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達し、初期化電圧線ＶＬは、駆動薄膜トランジスタＴ１及び画素電極を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する。

駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１に接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１は、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、駆動電圧ラインＰＬに接続されており、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１は、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と電気的に接続されている。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作により、データ信号Ｄｍを伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤを供給する。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングゲート電極Ｇ２は、スキャンラインＳＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２は、データラインＤＬに接続されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５を経由し、駆動電圧ラインＰＬに接続されている。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、データラインＤＬに伝達されたデータ信号Ｄｍを、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１に伝達するスイッチング動作を実行する。

補償薄膜トランジスタＴ３の補償ゲート電極Ｇ３は、スキャンラインＳＬに接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６を経由し、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極と接続されており、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。
補償薄膜トランジスタＴ３は、スキャンラインＳＬを介して伝達されたスキャン信号Ｓｎによってターンオンされ、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と、駆動ドレイン電極Ｄ１とを電気的に接続し、駆動薄膜トランジスタＴ１をダイオード接続させる。

第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ゲート電極Ｇ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７と、初期化電圧線ＶＬとに接続されており、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ドレイン電極Ｄ４は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１、補償薄膜トランジスタＴ３の補償ドレイン電極Ｄ３、及び駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に接続されている。
第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）を介して伝達された以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によってターンオンされ、初期化電圧Ｖｉｎｔを駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１に伝達し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１の電圧を初期化させる初期化動作を実行する。

動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ゲート電極Ｇ５は、発光制御線ＥＬに接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ソース電極Ｓ５は、駆動電圧ラインＰＬと接続されており、動作制御薄膜トランジスタＴ５の動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ソース電極Ｓ１、及びスイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングドレイン電極Ｄ２と接続されている。
発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ゲート電極Ｇ６は、発光制御線ＥＬに接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ドレイン電極Ｄ１、及び補償薄膜トランジスタＴ３の補償ソース電極Ｓ３に接続されており、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６は、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７、及び有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に電気的に接続されている。
動作制御薄膜トランジスタＴ５及び発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御線ＥＬを介して伝達された発光制御信号Ｅｎによって同時にターンオンされ、駆動電圧ＥＬＶＤＤが有機発光素子ＯＬＥＤに伝達され、有機発光素子ＯＬＥＤに駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤが流れるようにする。

第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ゲート電極Ｇ７は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ソース電極Ｓ７は、発光制御薄膜トランジスタＴ６の発光制御ドレイン電極Ｄ６、及び有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極に接続されており、第２初期化薄膜トランジスタＴ７の第２初期化ドレイン電極Ｄ７は、第１初期化薄膜トランジスタＴ４の第１初期化ソース電極Ｓ４、及び初期化電圧線ＶＬに接続されている。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）を介して伝達された以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によってターンオンされ、有機発光素子ＯＬＥＤの画素電極を初期化させる。

図５においては、第１初期化薄膜トランジスタＴ４と第２初期化薄膜トランジスタＴ７とが以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続された場合を図示したが、本発明は、それに限定されるものではない。
他の実施形態として、第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、以前スキャンライン（ＳＬ−１）に接続され、以前スキャン信号（Ｓｎ−１）によって駆動し、第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、別途の信号線（例えば、以後スキャンライン）に接続され、信号線に伝達される信号によって駆動される。

ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧ラインＰＬに接続されており、有機発光素子ＯＬＥＤの対向電極は、共通電圧ＥＬＶＳＳに接続されている。
それにより、有機発光素子ＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流Ｉ_ＯＬＥＤを伝達されて発光することにより、画像を表示することができる。
図５においては、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４とがデュアルゲート電極を有するように図示しているが、補償薄膜トランジスタＴ３と第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、１つのゲート電極を有することができる。

図６は、本発明の一実施形態による画素の画素回路を概略的に示した配置図であり、図７は、図６のＩ−Ｉ’線及びＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断した断面図である。
図６及び図７を参照すると、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６、及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、半導体層１１３０に沿って配置される。

半導体層１１３０は、無機絶縁物質であるバッファ層が形成された基板上に配置される。
本実施形態において、半導体層１１３０は、低温ポリシリコン（ｌｏｗ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｐｏｌｙ−ｓｉｌｉｃｏｎ：ＬＴＰＳ）を含んでもよい。
ポリシリコン物質は、電子移動度が高く（１００ｃｍ^３／Ｖｓ以上）、エネルギー消費電力が低くて信頼性にすぐれるので、表示装置において、薄膜トランジスタの半導体層として利用される。
ただし、本発明は、それに限定されるものではなく、他の実施形態において、半導体層１１３０は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）及び／又は酸化物半導体によって形成され、複数の薄膜トランジスタの内の一部半導体層は、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）によって形成され、他の一部半導体層は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）及び／又は酸化物半導体によって形成することができる。

半導体層１１３０の一部領域は、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６、及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７の半導体層に該当する。
言い換えれば、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、第１初期化薄膜トランジスタＴ４、動作制御薄膜トランジスタＴ５、発光制御薄膜トランジスタＴ６、及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７の半導体層は、互いに接続され、多様な形状で曲折されていると理解することができる。

半導体層１１３０は、チャンネル領域、並びにチャンネル領域両側のソース領域及びドレイン領域を含むが、当該のソース領域及びドレイン領域は、該当する薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極とも理解される。
以下においては、便宜上、ソース領域及びドレイン領域をそれぞれソース電極及びドレイン電極と呼ぶ。

駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動チャンネル領域に重畳する駆動ゲート電極Ｇ１、並びに駆動チャンネル領域両側の駆動ソース電極Ｓ１及び駆動ドレイン電極Ｄ１を含む。
駆動ゲート電極Ｇ１と重畳する駆動チャンネル領域は、ギリシャ文字のオメガの形状のように曲折された形状を有することにより、狭い空間内に長いチャネル長を形成することができる。
駆動チャネル領域の長さが長い場合、ゲート電圧の駆動範囲（ｄｒｉｖｉｎｇ ｒａｎｇｅ）が広くなり、有機発光ダイオードＯＬＥＤから放射される光の階調をさらに精巧に制御することができ、表示品質を向上させることができる。

スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スイッチングチャネル領域に重畳するスイッチングゲート電極Ｇ２、並びにスイッチングチャネル領域両側のスイッチングソース電極Ｓ２及びスイッチングドレイン電極Ｄ２を含む。
スイッチングドレイン電極Ｄ２は、駆動ソース電極Ｓ１と接続される。
補償薄膜トランジスタＴ３は、デュアル薄膜トランジスタであり、２個の補償チャネル領域に重畳する補償ゲート電極Ｇ３を具備し、両側に配置された補償ソース電極Ｓ３及び補償ドレイン電極Ｄ３を含む。
補償薄膜トランジスタＴ３は、後述するノード接続線１１７４を介し、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と接続される。

第１初期化薄膜トランジスタＴ４は、デュアル薄膜トランジスタであり、２個の第１初期化チャネル領域に重畳する第１初期化ゲート電極Ｇ４を具備し、両側に配置された第１初期化ソース電極Ｓ４及び第１初期化ドレイン電極Ｄ４を含む。
動作制御薄膜トランジスタＴ５は、動作制御チャネル領域に重畳する動作制御ゲート電極Ｇ５、並びに両側に位置する動作制御ソース電極Ｓ４及び動作制御ドレイン電極Ｄ５を含む。
動作制御ドレイン電極Ｄ５は、駆動ソース電極Ｓ１と接続される。

発光制御薄膜トランジスタＴ６は、発光制御チャネル領域に重畳する発光制御ゲート電極Ｇ６、並びに両側に位置する発光制御ソース電極Ｓ６及び発光制御ドレイン電極Ｄ６を含む。発光制御ソース電極Ｓ６は、駆動ドレイン電極Ｄ１と接続される。
第２初期化薄膜トランジスタＴ７は、第２初期化チャネル領域に重畳する第２初期化ゲート電極Ｇ７、並びに両側に位置する第２初期化ソース電極Ｓ７及び第２初期化ドレイン電極Ｄ７を含む。
前述の薄膜トランジスタは、信号線（ＳＬ、ＳＬ−１、ＥＬ、ＤＬ）、初期化電圧ラインＶＬ及び駆動電圧ラインＰＬに接続される。

前述の半導体層１１３０上には、絶縁層を挟み、スキャンラインＳＬ、以前スキャンライン（ＳＬ−１）、発光制御ラインＥＬ、及び駆動ゲート電極Ｇ１が配置される。
スキャンラインＳＬは、第１方向ＤＲ１に沿って延長される。
スキャンラインＳＬの一領域は、スイッチングゲート電極Ｇ２及び補償ゲート電極Ｇ３に該当する。
例えば、スキャンラインＳＬにおいて、スイッチング薄膜トランジスタＴ２及び補償薄膜トランジスタＴ３のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれスイッチングゲート電極Ｇ２及び補償ゲート電極Ｇ３でもある。

以前スキャンライン（ＳＬ−１）は、第１方向ＤＲ１に沿って延長され、一部領域は、それぞれ第１初期化ゲート電極Ｇ４及び第２初期化ゲート電極Ｇ７に該当する。
例えば、以前スキャンライン（ＳＬ−１）において、第１初期化駆動薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化駆動薄膜トランジスタＴ７のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれ第１初期化ゲート電極Ｇ４及び第２初期化ゲート電極Ｇ７であってもよい。
発光制御ラインＥＬは、第１方向ＤＲ１に沿って延長される。
発光制御ラインＥＬの一領域は、それぞれ動作制御ゲート電極Ｇ５及び発光制御ゲート電極Ｇ６に該当する。
例えば、発光制御ラインＥＬにおいて、動作制御駆動薄膜トランジスタＴ６及び発光制御駆動薄膜トランジスタＴ７のチャネル領域と重畳する領域が、それぞれ動作制御ゲート電極Ｇ５及び発光制御ゲート電極Ｇ６でもある。
駆動ゲート電極Ｇ１は、フローティング電極であり、前述のノード接続線１１７４を介し、補償薄膜トランジスタＴ３と接続される。

前述のスキャンラインＳＬ、以前スキャンライン（ＳＬ−１）、発光制御ラインＥＬ及び駆動ゲート電極Ｇ１の上には、絶縁層を挟み、電極電圧ラインＨＬが配置される。
電極電圧ラインＨＬは、データラインＤＬ及び駆動電圧ラインＰＬと交差するように、第１方向ＤＲ１に沿って延長される。
電極電圧ラインＨＬの一部は、駆動ゲート電極Ｇ１の少なくとも一部をカバーし、駆動ゲート電極Ｇ１と共に、ストレージキャパシタＣｓｔを形成する。
例えば、駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１になり、電極電圧ラインＨＬの一部は、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２になる。

ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧ラインＰＬと電気的に接続される。
それと関係し、電極電圧ラインＨＬは、電極電圧ラインＨＬ上に配置された駆動電圧ラインＰＬと、コンタクトホールＣＮＴを介して接続される。
従って、電極電圧ラインＨＬは、駆動電圧ラインＰＬと同一電圧レベル（定電圧）を有する。
例えば、電極電圧ラインＨＬは、＋５Ｖの定電圧を有し得る。
電極電圧ラインＨＬは、横方向駆動電圧ラインと理解することができる。

駆動電圧ラインＰＬは、第２方向ＤＲ２に沿って延長され、駆動電圧ラインＰＬと電気的に接続された電極電圧ラインＨＬは、第２方向ＤＲ２に交差する第１方向ＤＲ１に沿って延長されるので、表示領域ＤＡ（図１）において、複数の駆動電圧ラインＰＬと電極電圧ラインＨＬは、網構造（ｍｅｓｈ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）をなす。
電極電圧ラインＨＬ上には、絶縁層を挟み、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、初期化接続線１１７３、及びノード接続線１１７４が配置される。
データラインＤＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、コンタクトホール１１５４を介し、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチングソース電極Ｓ２に接続される。
データラインＤＬの一部は、スイッチングソース電極とも理解される。

駆動電圧ラインＰＬは、第２方向ＤＲ２に延長され、前述のように、コンタクトホールＣＮＴを介し、電極電圧ラインＨＬに接続される。
また、コンタクトホール１１５５を介し、動作制御薄膜トランジスタＴ５に接続される。
駆動電圧ラインＰＬは、コンタクトホール１１５５を介し、動作制御ドレイン電極Ｄ５に接続される。
初期化接続線１１７３の一端は、コンタクトホール１１５２を介し、第１初期化薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化薄膜トランジスタＴ７に接続され、他端は、コンタクトホール１１５１を介し、後述する初期化電圧ラインＶＬと接続される。
ノード接続線１１７４の一端は、コンタクトホール１１５６を介し、補償ドレイン電極Ｄ３に接続され、他端は、コンタクトホール１１５７を介し、駆動ゲート電極Ｇ１に接続される。

データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、初期化接続線１１７３、及びノード接続線１１７４の上には、絶縁層を挟み、初期化電圧ラインＶＬが配置される。
初期化電圧ラインＶＬは、第１方向ＤＲ１に延長される。
初期化電圧ラインＶＬは、初期化接続線１１７３を介し、第１初期化駆動薄膜トランジスタＴ４及び第２初期化駆動薄膜トランジスタＴ７に接続される。
初期化電圧ラインＶＬは、定電圧（例えば、−２Ｖなど）を有し得る。
初期化電圧ラインＶＬは、有機発光ダイオードＯＬＥＤ（図７）の画素電極２１０と同一層上に配置され、同一物質を含み得る。

画素電極２１０は、発光制御薄膜トランジスタＴ６に接続される。
画素電極２１０は、コンタクトホール１１６３を介し、接続メタル１１７５に接続され、接続メタル１１７５は、コンタクトホール１１５３を介し、発光制御ドレイン電極Ｄ６に接続される。
図６においては、初期化電圧ラインＶＬが、画素電極２１０と同一層上に配置されたところについて説明したが、他の実施形態において、初期化電圧ラインＶＬは、電極電圧ラインＨＬと同一層上にも配置され得る。

以下、図７を参照して、本発明の一実施形態による表示パネルに含まれた構成の積層された構造について説明する。
基板１００は、ガラス又は高分子樹脂を含み得る。
高分子樹脂は、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート、又はセルロースアセテートプロピオネートのような高分子樹脂を含んでもよい。
高分子樹脂を含む基板１００は、フレキシブル、ローラブル、又はベンダブルな特性を有することができる。

基板１００は、前述の高分子樹脂を含む層、及び無機層（図示せず）を含む多層構造であり得る。
バッファ層１１１は、基板１００上に位置し、基板１００の下部から異物、湿気又は外気の浸透を低減させたり遮断したりすることができ、基板１００上に、平坦面を提供する。
バッファ層１１１は、酸化物又は窒化物のような無機物、又は有機物、又は有機／無機複合物を含んでもよく、無機物と有機物との単層構造又は多層構造によってもなり得る。
基板１００とバッファ層１１１との間には、外気の浸透を遮断するバリア層（図示せず）がさらに含まれ得る。

半導体層（Ａ１、Ａ６）上には、第１ゲート絶縁層１１２を挟み、ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）が配置される。
ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含み、単層又は多層によってもなり得る。
一例として、ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）は、Ｍｏの単層である。
スキャンラインＳＬ（図６）、以前スキャンライン（ＳＬ−１）（図６）及び発光制御ラインＥＬ（図６）は、ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）と同一層に形成される。
すなわち、ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）、スキャンラインＳＬ（図６）、以前スキャンライン（ＳＬ−１）（図６）及び発光制御ラインＥＬ（図６）は、第１ゲート絶縁層１１２上に配置される。

第１ゲート絶縁層１１２は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含み得る。
ゲート電極（Ｇ１、Ｇ６）を覆うように、第２ゲート絶縁層１１３が具備される。
第２ゲート絶縁層１１３は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含み得る。

ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１は、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１と一体に形成される。
例えば、駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動ゲート電極Ｇ１は、ストレージキャパシタＣｓｔの下部電極ＣＥ１としての機能を実行する。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、第２ゲート絶縁層１１３を挟み、下部電極ＣＥ１と重畳する。
この場合、第２ゲート絶縁層１１３は、ストレージキャパシタＣｓｔの誘電体層の機能を行う。
上部電極ＣＥ２は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含んでもよく、前述の材料を含む多層又は単層に形成され得る。
一例として、上部電極ＣＥ２は、Ｍｏの単層や、又はＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの多層である。

図７において、ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳するように図示しているが、本発明は、それに限定されるものではない。
ストレージキャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴ１と重畳されないように配置されるというように、多様な変形が可能である。
上部電極ＣＥ２は、電極電圧ラインＨＬとして機能する。
例えば、電極電圧ラインＨＬの一部は、ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２になり得る。

上部電極ＣＥ２を覆うように層間絶縁層１１５が具備される。
層間絶縁層１１５は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含み得る。
図７において、層間絶縁層１１５が単層であるように図示しているが、一実施形態において、層間絶縁層１１５は、多層構造にも形成され得る。

層間絶縁層１１５上には、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、及び接続メタル１１７５が配置される。
データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、及び接続メタル１１７５は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）などを含む導電物質を含み得、前述の材料を含む多層又は単層に形成され得る。
一例として、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、及び接続メタル１１７５は、Ｔｉ／Ａｌ／Ｔｉの多層構造によってなる。
ストレージキャパシタＣｓｔの上部電極ＣＥ２は、駆動電圧ラインＰＬと、層間絶縁層１１５に定義されたコンタクトホールＣＮＴを介しても接続される。
それは、電極電圧ラインＨＬが、駆動電圧ラインＰＬと、コンタクトホールＣＮＴを介して接続されることを意味する。
従って、電極電圧ラインＨＬは、駆動電圧ラインＰＬと同一電圧レベル（定電圧）を有する。

接続メタル１１７５は、層間絶縁層１１５、第２ゲート絶縁層１１３、及び第１ゲート絶縁層１１２を貫通するコンタクトホール１１５３を介し、発光制御薄膜トランジスタＴ６の半導体層Ａ６と接続される。
接続メタル１１７５を介し、発光制御薄膜トランジスタＴ６は、有機発光ダイオードＯＬＥＤの画素電極２１０と電気的に接続される。
データラインＤＬ、駆動電圧ラインＰＬ、及び接続メタル１１７５の上には、平坦化層１１７が位置し、平坦化層１１７上に、有機発光ダイオードＯＬＥＤが位置する。

平坦化層１１７は、画素電極２１０が平坦に形成されるように、平坦な上面を有する。
平坦化層１１７は、有機物質からなる膜が、単層又は多層で形成される。
そのような平坦化層１１７は、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリイミド（ＰＩ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＸＭＭＡ）やポリスチレン（ＰＳ）のような一般汎用高分子、フェノール系基を有する高分子誘導体、アクリル系高分子、イミド系高分子、アリールエーテル系高分子、アミド系高分子、フッ素系高分子、ｐ−キシレン系高分子、ビニルアルコール系高分子、及びそれらの混合物などを含み得る。

平坦化層１１７は、無機物質を含んでもよい。
そのような平坦化層１１７は、シリコン酸化物（ＳｉＯ_２）、シリコン窒化物（ＳｉＮ_ｘ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、チタン酸化物（ＴｉＯ_２）、タンタル酸化物（Ｔａ_２Ｏ_５）、ハフニウム酸化物（ＨｆＯ_２）、又は亜鉛酸化物（ＺｎＯ_２）などを含み得る。
平坦化層１１７が無機物質によって具備される場合、場合によって化学的平坦化研磨工程を実行する。
一方、平坦化層１１７は、有機物質及び無機物質をいずれも含んでもよい。

画素電極２１０は、（半）透光性電極又は反射電極である。
一部実施形態において、画素電極２１０は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、及びそれらの化合物などによって形成された反射膜と、反射膜上に形成された透明電極層又は半透明電極層とを具備する。
透明電極層又は半透明電極層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、亜鉛酸化物（ＺｎＯ）、インジウム酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３）、インジウムガリウム酸化物（ＩＧＯ）、及びアルミニウム亜鉛酸化物（ＡＺＯ）を含むグループの内から選択された少なくとも１以上を具備する。
一部実施形態において、画素電極２１０は、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯによって積層された構造で具備される。

平坦化層１１７上には、画素定義膜１１９が配置され、画素定義膜１１９は、画素電極３１０（図２）の中央部を露出させる開口部１１９ＯＰを有することにより、画素の発光領域を定義する役割を行う。
また、画素定義膜１１９は、画素電極３１０の縁部と、画素電極２１０上部の対向電極２３０との距離を増大させることにより、画素電極２１０の縁部において、アークなどが発生することを防止する役割を行う。
画素定義膜１１９は、ポリイミド（ＰＩ）、ポリアミド、アクリル樹脂、ベンゾシクロブテン、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、及びフェノール樹脂のような有機絶縁物質であり、スピンコーティングなどの方法によって形成される。

有機発光ダイオードＯＬＥＤの中間層２２０は、有機発光層を含む。
有機発光層は、赤色、緑色、青色、又は白色の光を放射する蛍光物質又はリン光物質を含む有機物を含み得る。
有機発光層は、低分子有機物又は高分子有機物であり、有機発光層の上下には、ホール輸送層（ＨＴＬ）、ホール注入層（ＨＩＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）のような機能層が選択的にさらに配置される。
中間層２２０は、複数の画素電極２１０のそれぞれに対応して配置される。
しかし、それに限定されるものではない。
中間層２２０は、複数の画素電極２１０にわたって一体である層を含むというような、多様な変形が可能である。

互いに同一色相の光を放射する中間層２２０の大きさは、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２において、互いに異なっている。
例えば、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０の内の少なくとも１層の平面上の面積は、補助画素ＰＸａの中間層２２０の内の少なくとも１層の平面上の面積と異なる。
特に、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０の内の少なくとも１層の平面上の面積は、補助画素ＰＸａの中間層２２０の内の少なくとも１層の平面上の面積よりも狭い。
例えば、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０において、ホール注入層の平面上の面積は、補助画素ＰＸａの中間層２２０において、ホール注入層の平面上の面積よりも狭い。
他の実施形態として、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０において、有機発光層の平面上の面積は、補助画素ＰＸａの中間層２２０において、有機発光層の平面上の面積よりも狭い。
さらに他の実施形態として、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０において、ホール注入層及び有機発光層の平面上の面積は、補助画素ＰＸａの中間層２２０において、ホール注入層及び有機発光層の平面上の面積よりも狭い。
このとき、前述のような関係は、前述したところに限定されるものではなく、画素電極、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などにも適用され得る。

また、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０の厚みと、補助画素ＰＸａの中間層２２０の厚みは、それぞれ均一な部分と可変する区間とが存在する。
例えば、各画素の画素電極２１０上に配置される中間層２２０の厚みは、一定であり、画素定義膜１１９の開口部１１９ＯＰの内面に配置された中間層２２０の厚みは、一定ではない。
そのような場合、画素定義膜１１９の開口部１１９ＯＰの内面に配置された中間層２２０の厚みは、画素電極２１０から遠くなるほど薄くなる。
他の実施形態として、各画素の画素電極２１０の内の一部に配置される中間層２２０の厚みは、一定であり、中間層２２０の厚みが一定している部分の終端（又は、枠）から中間層２２０の終端に行くほど、中間層２２０の厚みが薄くなる。
このとき、中間層２２０の厚みは、中間層２２０が直接接触する画素電極２１０の表面、又は画素定義膜１１９の表面から、対向電極２３０と接触する中間層２２０の表面まで垂直方向に測定される。
以下においては、説明の便宜のために、中間層２２０の厚みが可変する区間が、画素定義膜１１９の開口内面にだけ配置される場合を中心に詳細に説明する。

前述のような場合、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０において、厚みが一定している部分の中間層２２０厚みと、補助画素ＰＸａの中間層２２０において、厚みが一定している部分の中間層２２０の厚みは、互いに同一である。
また、メイン画素ＰＸｍの中間層２２０の厚みが可変する区間の第１長ＬＸ_ｍは、補助画素ＰＸａの中間層２２０の厚みが可変する区間の第２長ＬＸ_ａと異なる。
例えば、第１長ＬＸ_ｍ又は第２長ＬＸ_ａの内の一つは、第１長ＬＸ_ｍ又は第２長ＬＸ_ａよりも長くなる。
具体的には、第１長ＬＸ_ｍは、第２長ＬＸ_ａよりも長いか、あるいは第２長ＬＸ_ａは、第１長ＬＸ_ｍよりも長くなる。
このとき、第２表示領域ＤＡ２の解像度が、第１表示領域ＤＡ１の解像度より高い場合、第１長ＬＸ_ｍは、第２長ＬＸ_ａよりも長くなる。
他の実施形態として、第２表示領域ＤＡ２の解像度が、第１表示領域ＤＡ１の解像度より低い場合、第１長ＬＸ_ｍは、第２長ＬＸ_ａよりも短い。

そのような場合、各画素の中間層２２０の厚みが可変する区間が短くなることにより、第１表示領域ＤＡ１及び第２表示領域ＤＡ２の内の少なくとも一つは、鮮明なイメージを具現することが可能である。
特に、第２長ＬＸ_ａが第１長ＬＸ_ｍより短い場合、透過領域ＴＡを最大限確保することが可能であるので、第１表示領域ＤＡ１に配置されるコンポーネント（図示せず）の作動時、誤作動や作動性能の低下を防止することができる。
以下においては、説明の便宜のために、第２長ＬＸ_ａが第１長ＬＸ_ｍより短い場合を中心に詳細に説明する。

対向電極２３０は、透光性電極又は反射電極である。
一部実施形態において、対向電極２３０は、透明電極又は半透明電極であり、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇ、及びそれらの化合物を含む、仕事関数が小さい金属薄膜によって形成される。
また、金属薄膜上に、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、又はＩｎ_２Ｏ_３のようなＴＣＯ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｏｘｉｄｅ）膜がさらに配置され得る。

画素電極２１０が反射電極として、対向電極２３０が透光性電極として具備される場合、中間層２２０から放射される光は、対向電極２３０側に放射され、表示装置は、前面発光型になる。
画素電極２１０が透明電極又は半透明電極で構成され、対向電極２３０が反射電極で構成される場合、中間層２２０から放射された光は、基板１００側に放射され、表示装置は、背面発光型になる。
しかし、本実施形態は、それらに限定されるものではない。
本実施形態の表示装置は、前面及び背面の両方向に光を放射する両面発光型もあり得る。

本実施形態において、対向電極２３０は、第２表示領域ＤＡ２全面にわたって配置され、縁部の一部は、周辺領域ＰＡに位置する。
対向電極２３０は、第２表示領域ＤＡ２上に位置したメイン画素ＰＸｍ、すなわち、複数の有機発光ダイオードＯＬＥＤにおいて一体に形成され、複数の画素電極２１０に対応する。
一方、対向電極２３０は、第１表示領域ＤＡ１上に位置した補助画素ＰＸａに具備される。
ただし、第１表示領域ＤＡ１は、補助画素ＰＸａ間に位置した透過領域ＴＡを含むが、対向電極２３０の一部は、透過領域ＴＡに対応する一部領域においては、具備されない。
ここで、前面発光型表示装置の場合、対向電極２３０側に光が放射されるが、対向電極２３０によって透過率が一部低下してしまうということは、言うまでもない。
従って、透過領域ＴＡに対応する領域において、対向電極２３０を具備しないことにより、透過領域ＴＡの透過率を向上させることができる。

このとき、第１表示領域ＤＡ１に配置される、互いに離隔されるように配置された対向電極２３０は、別途のブリッジによって接続されるか、あるいは互いに隣接する対向電極２３０の少なくとも一部分が互いに重畳される。
前述のようなメイン画素ＰＸｍと補助画素ＰＸａは、それぞれ前述の画素電極２１０、中間層２２０、及び対向電極２３０を含む。
このとき、図には示していないが、補助画素ＰＸａは、第１画素電極（図示せず）、第１中間層（図示せず）、及び第１対向電極（図示せず）を含み、メイン画素ＰＸｍは、第２画素電極（図示せず）、第２中間層（図示せず）、及び第２対向電極（図示せず）を含み得る。

図８は、本発明の一実施形態による表示装置の製造装置の概略構成を示す断面図であり、図９は、図８に示したマスク組立体を示す斜視図である。
図８及び図９を参照すると、表示装置ＤＤは、表示装置の製造装置１によって製造される。
表示装置の製造装置１は、チャンバ１０、マスク組立体２０、第１支持部３０、第２支持部４０、蒸着ソース５０、磁力生成部６０、ビジョン部７０、及び圧力調節部８０を含む。

チャンバ１０は、内部に空間が形成され、チャンバ１０の一部は、開口されるように形成される。
このとき、チャンバ１０の開口された部分には、開閉可能になるように、ゲート弁１１が配置される。
マスク組立体２０は、チャンバ１０内部に選択的に配置される。
このとき、マスク組立体２０は、マスクフレーム２１とマスクシート２２とを含み得る。
マスクシート２２は、マスクフレーム２１に引っ張られた状態に固定される。
マスクシート２２は、少なくとも１以上の第１パターンホールＰＨ１、及び少なくとも１つの第２パターンホールＰＨ２を含む。
第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２は、蒸着物質がマスクシート２２を通過するように形成された貫通ホールである。

マスク組立体２０は、マスクフレーム２１及びマスクシート２２を含む。
マスクフレーム２１は、複数個のフレームが互いに接続されて形成され、内部に開口部を含む。
このとき、マスクフレーム２１は、１つの開口を含むか、あるいは互いに区分される複数個の開口を含んでもよい。
そのような場合、マスクフレーム２１は、窓枠のように格子状に形成される。

マスクシート２２は、マスクフレーム２１に引っ張られた状態に固定される。マスクシート２２は、１又は複数個具備されうる。マスクシート２２が一つ具備される場合、マスクシート２２は、マスクフレーム２１上に配置され、マスクフレーム２１の開口部を遮蔽する。
他の実施形態において、マスクシート２２が複数個具備される場合、複数個のマスクシート２２は、マスクフレーム２１の一辺に沿い（例えば、Ｘ方向又はＹ方向）、互いに隣接するように配置され、マスクフレーム２１の開口部を遮蔽することが可能である。
以下においては、説明の便宜のために、マスクシート２２が複数個具備される場合を中心に詳細に説明する。

マスク組立体２０は、マスクシート２２を支持する支持フレーム２３をさらに具備する。
マスクシート２２は、支持フレーム２３上に配置される。
支持フレーム２３は、マスクフレーム２１の開口部に配置され、複数個で具備される。
支持フレーム２３は、マスクシート２２の長手方向（例えば、Ｙ方向）と平行方向又は垂直方向に、互いに離隔されるように配列される。
第１支持部３０には、基板１００が載置される。
このとき、第１支持部３０は、基板１００の位置を調節することができる。
例えば、第１支持部３０は、ＵＶＷステージを含み得る。

第２支持部４０には、マスク組立体２０が載置される。
このとき、第２支持部４０は、第１支持部３０と類似して、マスク組立体２０の位置を調節することが可能である。
第１支持部３０及び第２支持部４０の内の少なくとも一つは、チャンバ１０内部において、昇降される。
そのような場合、第１支持部３０及び第２支持部４０の内の少なくとも一つは、基板１００とマスクフレーム２１との間隔を調節することが可能である。

蒸着ソース５０は、蒸着物質が収納された後、蒸着物質を気化させるか、あるいは昇華させ、チャンバ１０に供給する。
このとき、蒸着ソース５０は、内部にヒータを含んでもよく、ヒータの作動により、蒸着ソース５０内部の蒸着物質を加熱することにより、蒸着物質を溶融させたり昇華させたりすることができる。
前述のような場合、蒸着ソース５０は、チャンバ１０の中央又はコーナーに配置される。
磁力生成部６０は、チャンバ１０に配置され、基板１００とマスク組立体２０とを密着させる。
このとき、磁力生成部６０は、磁力を生成する電磁石又は永久磁石などを含み得る。

ビジョン部７０は、チャンバ１０に配置され、マスク組立体２０及び基板１００の位置を撮影する。
このとき、ビジョン部７０は、マスク組立体２０及び基板１００の内の少なくとも１つの整列マークなどを撮影する。
圧力調節部８０は、チャンバ１０と接続され、チャンバ１０内部の圧力を調節する。
このとき、圧力調節部８０は、チャンバ１０と接続される接続配管８１、及び接続配管８１に配置されるポンプ８２を含む。

前述のような表示装置の製造装置１の作動について述べれば、圧力調節部８０がチャンバ１０内部の気圧を大気圧と、同一であるか、あるいは類似して維持した状態でゲート弁１１を開放し、基板１００及びマスク組立体２０をチャンバ１０内部に挿入する。
このとき、基板１００及びマスク組立体２０の内の少なくとも一つは、チャンバ１０外部に配置された別途のロボットアーム又はチャンバ１０に、挿入したり引き出したりするシャトルなどを介して移動する。
このとき、基板１００は、例えば、図７に示したような画素定義膜１１９の下部に配置された各層、画素定義膜１１９及び画素電極２１０が形成された状態である。
マスクフレーム２１と基板１００とを、それぞれ第２支持部４０及び第１支持部３０に配置した後、マスクフレーム２１及び基板１００の位置をビジョン部７０で感知して整列させる。

その後、基板１００とマスクフレーム２１とを互いに近接させた後、磁力生成部６０で、マスクフレーム２１と基板１００とを互いに密着させる。
蒸着ソース５０から蒸着物質が放出されれば、マスクシート２２の第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２を介し、蒸着物質が基板１００に蒸着され、パターンを形成する。
このとき、蒸着物質は、基板１００に蒸着され、例えば、中間層２２０（図７）、又は中間層２２０（図７）中の少なくとも１層（例えば、有機発光層及び機能層の内の少なくとも１層）を形成する。
上述の工程が完了すれば、基板１００をチャンバ１０外部に搬出するか、あるいはチャンバ１０の他のところに移動させ、基板１００上に他層を形成する。

上述のような作業は、多様な層において個別的に実行される。
例えば、上述のようなマスク組立体２０を介して画素電極を形成し、他の表示装置の製造装置に基板１００を移送し、画素電極上に、機能層の内、ホール輸送層及びホール注入層の内の少なくとも１層を形成する。
他の表示装置の製造装置において、基板１００を移送し、機能層上に有機発光層を形成し、他の表示装置の製造装置に基板１００を移送し、有機発光層上に、機能層に内、ホール輸送層及び電子注入層を形成する。
このとき、有機発光層は、互いに異なる色を具現する有機発光層別に、別途の表示装置の製造装置において、互いに異なるマスク組立体を使用し、基板１００上に形成される。
上述の工程が完了すれば、機能層上に、対向電極及び薄膜封止層が、さらに他の表示装置の製造装置で順次に形成される。
上述のような場合、画素電極、機能層、及び有機発光層において、少なくとも１層は、図８に示した表示装置の製造装置１と同一であるか、あるいは類似した表示装置の製造装置において、基板１００上に形成される。

図１０Ａ及び図１０Ｂは、本発明の一実施形態によるマスク組立体のマスクシート及び支持フレームの一部構成を概略的に示す平面図である。
まず、図１０Ａを参照すると、マスクシート２２の一部は、支持フレーム２３と重畳される。
支持フレーム２３は、マスクシート２２のパターンホールにおいて、支持フレーム２３と重畳した領域に位置するパターンホールは、支持フレーム２３によって遮蔽される。

すなわち、支持フレーム２３とマスクシート２２とが重畳する領域に位置するパターンホールを介して蒸着物質が通過することはできない。
従って、互いに離隔された支持フレーム２３間の領域は、蒸着領域Ａと定義される。
蒸着領域Ａは、支持フレーム２３の形状及び配置により、例えば、長方形及び正方形は言うまでもなく、三角形のような多角形、楕円、円などの形状を有することができる。
蒸着領域Ａは、第１領域Ａ１、及び平面上で第１領域Ａ１によって少なくとも一側が取り囲まれた第２領域Ａ２を含む。
図１０Ａは、第２領域Ａ２が一つであるように示しているが、それに限定されるものではなく、２以上の第２領域Ａ２を含んでもよい。

マスクシート２２は、蒸着物質が通過するように、第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２を具備する。
第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２は、マスクシート２２の厚み方向に貫通するホールである。
第１パターンホールＰＨ１は、蒸着領域Ａにおいて、第１領域Ａ１に配置され、第２パターンホールＰＨ２は、蒸着領域Ａにおいて、第２領域Ａ２に配置される。
第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２のそれぞれの形状は、長方形又は正方形であり、三角形などの多角形、円形、楕円形のように多様な形状であり得る。

ここで、第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２の形状とは、例えば、蒸着ソース５０に向かうマスクシート２２の一面と平行な平面上での形状でもある。
図１０Ａにおいて、第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２は、いずれも長方形の形状を有しているが、それに制限されるものではない。
第１パターンホールＰＨ１と第２パターンホールＰＨ２との形状は、互いに異なってもよい。
また、第１パターンホールＰＨ１と第２パターンホールＰＨ２との面積は、互いに異なってもよい。
ここで、第１パターンホールＰＨ１と第２パターンホールＰＨ２との面積とは、平面上での第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２の形状サイズである。
一例として、第１パターンホールＰＨ１の形状サイズは、第２パターンホールＰＨ２の平面上形状サイズよりも小さい。
図１０Ａは、第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２の形状サイズは、互いに同一に示しているが、それに制限されるものではない。

第１パターンホールＰＨ１及び第２パターンホールＰＨ２の同一面積当たりの個数（すなわち、密度）は、互いに異なってもよい。
一実施形態において、同一面積当たりの第１パターンホールＰＨ１の個数は、同一面積当たりの第２パターンホールＰＨ２の個数よりも多い。
それを介して、マスクシート２２の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とにそれぞれ対応する、表示装置ＤＤの第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２との間に、互いに異なる解像度を有するように、表示装置ＤＤを製造することができる。
図１０Ａは、第２パターンホールＰＨ２が、第２領域Ａ２において４個配置されるように示しているが、それは例示的なものであり、それに制限されるものではない。

一方、マスクシート２２の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とにおける厚みは、互いに異なってもよい。
一例として、第２領域Ａ２での厚みは、第１領域Ａ１での厚みよりも薄く、第２領域Ａ２での厚みは、第１領域Ａ１における厚みの５０％以下、４０％以下、３０％以下、又は２０％以下であり得る。
それと関係することは、図１６Ｆを参照して詳細に後述する。

図１０Ｂを参照すると、マスクシート２２の第２領域Ａ２には、基準ホールＲＨが追加して配置される。
基準ホールＲＨは、貫通ホールである。
基準ホールＲＨは、第２領域Ａ２の縁部に、少なくとも２以上配置される。
例えば、第２領域Ａ２が四角形状を有する場合、第２領域Ａ２の４個のコーナーの内、互いに対角線の反対側に位置した２個のコーナーにそれぞれ隣接した２個の基準ホールＲＨが配置され、又は図１０Ｂに示しているように、第２領域Ａ２の４個のコーナーにそれぞれ隣接した４個の基準ホールＲＨが配置される。
それら以外にも、第２領域Ａ２が円形の形状を有する場合、円周に沿ってその縁部に、少なくとも２個以上の基準ホールＲＨが配置され得る。
基準ホールＲＨは、図１９を参照して詳細に説明するように、レーザビームを利用した加工段階において、マスクシート２２の材料（母材）を整列させるのにも活用される。
それを介して、マスクシート２２の材料上の正確な位置にレーザビームを照射し、精巧なパターンホールを形成することができる。

図１１Ａは、本発明の一実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１１Ａを参照すると、第１表示領域ＤＡ１に配置される補助画素ＰＸａは、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３を含む。
このとき、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３それぞれは、互いに異なる色を発光する。
また、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３は、形態及び平面上の面積が、互いに同一であるか、あるいは互いに異なるように形成される。

第２表示領域ＤＡ２に配置されるメイン画素ＰＸｍは、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３を含む。
このとき、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３のそれぞれは、互いに異なる色を発光し、それぞれの形態及び平面上の面積が、互いに同一であるか、あるいは互いに異なるように形成され得る。
第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３は、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３とそれぞれ同一色を発光する。

前述のような補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、多様な形態であり得る。
例えば、メイン画素ＰＸｍは、Ｓ−ストライプ（Ｓ−ｓｔｒｉｐｅ）タイプに配置される。
このとき、Ｓ−ストライプタイプは、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３の内の一つが長方形状であり、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３の内の残り２個は、正方形状でもある。
そのような場合、図１１Ａに示した第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３の内の残り２個は、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３の内の一つに対応するように配列される。

補助画素ＰＸａは、ダイヤモンド構造のペンタイル（ｐｅｎｔｉｌｅ）タイプに配置される。
そのような場合、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３は、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３の内の一つを基準に、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３の内の残り２個が放射形に配列される。
前述のような場合、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも低くなる。
例えば、一実施形態として、互いに同一色を発光する補助画素ＰＸａの平面上の面積と、メイン画素ＰＸｍの平面上の面積は、互いに異なる。
例えば、互いに同一色を発光する補助画素ＰＸａの平面上の面積は、メイン画素ＰＸｍの平面上の面積未満である。

他の実施形態として、同一色を発光しながら、互いに隣接するメイン画素ＰＸｍの中心間の距離は、同一色を発光しながら、互いに隣接する補助画素ＰＸａの中心間の距離よりも短い。
さらに他の実施形態として、第１表示領域ＤＡ１の単位面積（例えば、第１表示領域ＤＡ１の１ｃｍ^２）に配置された補助画素ＰＸａの個数が、第２表示領域ＤＡ２の単位面積（例えば、第２表示領域ＤＡ２の１ｃｍ^２）に配置されたメイン画素ＰＸｍの個数よりも少ない。
又は、同一面積に、第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とのそれぞれに配置された補助画素ＰＸａの個数は、メイン画素ＰＸｍの個数よりも少ない。
そのような場合、各画素の個数は、同一色を発光する画素の個数である。

図１１Ｂは、図１１Ａに示した第１メイン画素及び第１補助画素の製造時に使用される第１マスクシートの一部を示す平面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、マスクシート２２の第１パターンホールＰＨ１を利用して製造された表示装置ＤＤの画素は、Ｓ−ストライプタイプに配置され、第２パターンホールＰＨ２を利用して製造された表示装置ＤＤの画素は、ダイヤモンド構造のペンタイルタイプに配置される。

１つのパターンホールは、表示装置ＤＤの１つの画素に対応する。
例えば、１つのパターンホールを通過し、基板に蒸着された蒸着物質は、表示装置ＤＤの１つの画素の中間層２２０（図７）を形成する。
各画素は、それぞれ互いに異なる色を発光する発光領域を意味し、各画素は、例えば、赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素、及び青色（Ｂ）画素の内の一つである。
図８に示した表示装置の製造装置１を介し、第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１とを形成する場合、第１マスクシート（２２−１）を使用する。
このとき、第１マスクシート（２２−１）には、第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）及び第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）が形成される。
そのような第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）と第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）とを通過した蒸着物質は、基板１００上に蒸着され、それぞれ第１メイン画素ＰＸｍ１と第１補助画素ＰＸａ１とに、ソース電極、有機発光層、機能層の内の一部のように、一定パターンを有する層を形成する。

前述のような第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）及び第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）は、それぞれ第１補助画素ＰＸａ１及び第１メイン画素ＰＸｍ１の大きさ及び形状に対応するように形成される。
そのような場合、第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）及び第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）は、それぞれ第１補助画素ＰＸａ１及び第１メイン画素ＰＸｍ１の位置に対応するように、第１マスクシート（２２−１）に配置される。
そのような場合、第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）と第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）との関係は、第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１との関係と同一であるか、あるいは類似している。

例えば、第１マスクシート（２２−１）の第１領域Ａ１における同一面積当たりの第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）の個数は、第１マスクシート（２２−１）の第２領域Ａ２における同一面積当たりの第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）の個数よりも多い。
例えば、図１１Ｂで示した第１領域Ａ１と第２領域Ａ２との面積は同一であり、同一面積の第１領域Ａ１には、２４個の第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）が配置され、同一面積の第２領域Ａ２には、４個の第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）が配置される。
それを介して、互いに異なる解像度を有する表示領域を有する表示装置ＤＤを製造することができる。

設計された解像度により、同一面積当たり、第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）及び第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）の個数は、異なり得る。
一方、第２領域Ａ２において、第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）が配置されていない領域は、表示装置ＤＤの透過領域ＴＡに対応する。
前述のような場合、互いに隣接する第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）間の第１間隔Ｗ１は、互いに隣接する第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）間の第２間隔Ｗ２と異なる。
このとき、パターンホール間の間隔は、互いに隣接するパターンホールの中心と中心との距離、互いに隣接するように配置されたパターンホールの枠において、互いに同一位置に配置される枠間の距離などとも定義される。

ただし、以下においては、パターンホール間の間隔は、互いに隣接するパターンホールの中心と中心との距離を意味することにして詳細に説明する。
前述のような場合、第１間隔Ｗ１は、第２間隔Ｗ２よりも狭い。
それを介し、表示装置ＤＤに形成された互いに隣接する第１メイン画素ＰＸｍ１間の間隔は、互いに隣接する第１補助画素ＰＸａ１間の間隔よりも狭い。
前述のような場合、第１補助画素ＰＸａ１及び第１メイン画素ＰＸｍ１は、赤色、緑色、又は青色の内の１つの色を発光する。
以下においては、説明の便宜のために、第１補助画素ＰＸａ１及び第１メイン画素ＰＸｍ１は、赤色を発光する場合を中心に詳細に説明する。

図１１Ｃは、図１１Ａに示した第２メイン画素及び第２補助画素の製造時に使用される第２マスクシートの一部を示す平面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｃを参照すると、図８に示した表示装置の製造装置１を介し、第２補助画素ＰＸａ２と第２メイン画素ＰＸｍ２とを形成する場合、第２マスクシート（２２−２）を使用する。

このとき、第２マスクシート（２２−２）には、第（１−２）パターンホール（ＰＨ１−２）及び第（２−２）パターンホール（ＰＨ２−２）が形成される。
そのような第（１−２）パターンホール（ＰＨ１−２）と第（２−２）パターンホール（ＰＨ２−２）とを通過した蒸着物質は、基板１００上に蒸着され、それぞれ第２メイン画素ＰＸｍ２と第２補助画素ＰＸａ２とに、ソース電極、有機発光層、機能層の内の一部のように、一定パターンを有する層を形成する。
前述のような第（１−２）パターンホール（ＰＨ１−２）及び第（２−２）パターンホール（ＰＨ２−２）は、それぞれ第２補助画素ＰＸａ２及び第２メイン画素ＰＸｍ２の大きさ及び形状に対応するように形成される。

そのような場合、第（１−２）パターンホール（ＰＨ１−２）及び第（２−２）パターンホール（ＰＨ２−２）は、それぞれ第２メイン画素ＰＸｍ２及び第２補助画素ＰＸａ２の位置に対応するように、第２マスクシート（２２−２）に配置される。
そのような場合、第（１−２）パターンホール（ＰＨ１−２）と第（２−２）パターンホール（ＰＨ２−２）との関係は、図１１Ｂに示した第（１−１）パターンホール（ＰＨ１−１）と第（２−１）パターンホール（ＰＨ２−１）との関係と同一であるか、あるいは類似している。
また、第２補助画素ＰＸａ２と第２メイン画素ＰＸｍ２との関係は、前述の第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１との関係と同一であるか、あるいは類似している。
前述のような場合、第２補助画素ＰＸａ２及び第２メイン画素ＰＸｍ２は、赤色、緑色、又は青色の内の１つの色を発光する。
以下においては、説明の便宜のために、第２補助画素ＰＸａ２及び第２メイン画素ＰＸｍ２は、緑色を発光する場合を中心に詳細に説明する。

図１１Ｄは、図１１Ａに示した第３メイン画素及び第３補助画素の製造時に使用される第３マスクシートの一部を示す平面図である。
図１１Ａ及び図１１Ｄを参照すると、図８に示した表示装置の製造装置１を介し、第３補助画素ＰＸａ３と第３メイン画素ＰＸｍ３とを形成する場合、第３マスクシート（２２−３）を使用する。
このとき、第３マスクシート（２２−３）には、第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）及び第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）が形成される。
そのような第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）と第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）とを通過した蒸着物質は、基板１００上に蒸着され、それぞれ第３メイン画素ＰＸｍ３と第３補助画素ＰＸａ３との対応する位置に、ソース電極、有機発光層、機能層の内の一部のように、一定パターンを有する層を形成する。

前述のような第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）及び第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）は、それぞれ第３メイン画素ＰＸｍ３及び第３補助画素ＰＸａ３の大きさ及び形状に対応するように形成される。
このとき、第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）及び第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）は、それぞれ第３メイン画素ＰＸｍ３及び第３補助画素ＰＸａ３の位置に対応するように、第３マスクシート（２２−３）に配置される。
そのような場合、第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）及び第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）は、互いに形状が異なる。
そのような場合、第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）の大きさが第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）の大きさよりも小さい。

しかし、単位面積当たりの第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）の個数、及び互いに隣接する第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）間の距離が、単位面積当たりの第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）の個数、及び互いに隣接する第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）間の距離よりも大きくなる。
このとき、第３補助画素ＰＸａ３と第３メイン画素ＰＸｍ３との関係は、前述の第（２−３）パターンホール（ＰＨ２−３）と第（１−３）パターンホール（ＰＨ１−３）との関係と同一であるか、あるいは類似している。
前述のような場合、第３補助画素ＰＸａ３及び第３メイン画素ＰＸｍ３は、赤色、緑色、又は青色の内の１つの色を発光する。
以下においては、説明の便宜のために、第３補助画素ＰＸａ３及び第３メイン画素ＰＸｍ３は、青色を発光する場合を中心に詳細に説明する。

一方、前述のような場合、それら以外にも、画素電極を形成するか、あるいは機能層において、すべての画素に共通して入りながら、パターン形態に層を形成する場合、図１１Ｂ〜図１１Ｄに示したマスクシートを使用するか、あるいは図に示していないが、１枚のマスクシートを使用することもできる。
１枚のマスクシートを使用して全ての画素に共通して入る層を形成する場合、図１１Ａに示したように、全ての画素に対応するように、第１パターンホール及び第２パターンホールが形成されたマスクシートを使用する。
そのような場合、図１１Ｂ〜図１１Ｄのパターンホールが互いに重畳しないように、１枚のマスクシートに配列される。

図１２は、本発明の他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１２を参照すると、メイン画素ＰＸｍは、ヘキサゴン（ｈｅｘａｇｏｎ）構造であり、補助画素ＰＸａは、Ｓ−ストライプ構造である。
このとき、ヘキサゴン構造は、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３が、平面形状が六角形でありながら、互いに一定間隔に配列される。

また、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３は、図１１Ａに示した第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３と同一形態に配列される。
ただし、そのような場合、互いに隣接する第１補助画素ＰＸａ１間の距離、互いに隣接する第２補助画素ＰＸａ２の距離、及び互いに隣接する第３補助画素ＰＸａ３の距離は、それぞれ図１１Ａに示した互いに隣接する第１メイン画素ＰＸｍ１間の距離、互いに隣接する第２メイン画素ＰＸｍ２間の距離、及び互いに隣接する第３メイン画素ＰＸｍ３間の距離と異なる。

前述のような補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、それぞれ図１１Ｂ〜図１１Ｄに示したものと類似した形態のマスクシートを介して製造される。
すなわち、図１１Ｂ〜図１１Ｄに示した各パターンホールが、それぞれ図１２に示した補助画素ＰＸａ及びメイン画素ＰＸｍにそれぞれに対応するように形成される。
そのような場合、第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１は、同時に基板上に形成され、第２補助画素ＰＸａ２と第２メイン画素ＰＸｍ２も、基板上に同時に形成される。
また、第３補助画素ＰＸａ３と第３メイン画素ＰＸｍ３も、基板上に同時に形成される。

図１３は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１３を参照すると、補助画素ＰＸａは、ストライプ形態に配列され、メイン画素ＰＸｍは、平面形状が円形であり、ペンタイル構造に配列される。
このとき、第１補助画素ＰＸａ１、第２補助画素ＰＸａ２、及び第３補助画素ＰＸａ３の平面形状は、ライン形態に形成される。
また、第１メイン画素ＰＸｍ１、第２メイン画素ＰＸｍ２、及び第３メイン画素ＰＸｍ３の平面形状は、円形である。

前述のような場合、同一面積又は単位面積において、第１表示領域ＤＡ１に配置された第１補助画素ＰＸａ１の面積は、第２表示領域ＤＡ２に配置された第１メイン画素ＰＸｍ１の面積よりも狭い。
同一面積又は単位面積において、第１表示領域ＤＡ１に配置された第２補助画素ＰＸａ２の面積は、第２表示領域ＤＡ２に配置された第２メイン画素ＰＸｍ２の面積よりも狭い。
同一面積又は単位面積において、第１表示領域ＤＡ１に配置された第３補助画素ＰＸａ３の面積は、第２表示領域ＤＡ２に配置された第３メイン画素ＰＸｍ３の面積よりも狭い。

前述のような補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、それぞれ図１１Ｂ〜図１１Ｄに示したところと類似した形態のマスクシートを介して製造される。
すなわち、図１１Ｂ〜図１１Ｄに示した各パターンホールが、それぞれ図１２に示した補助画素ＰＸａ及びメイン画素ＰＸｍとそれぞれに対応するように形成される。
そのような場合、第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１は、同時に基板上に形成され、第２補助画素ＰＸａ２と第２メイン画素ＰＸｍ２も、基板上に同時に形成される。
また、第３補助画素ＰＸａ３と第３メイン画素ＰＸｍ３も、基板上に同時に形成される。

図１４は、本発明のさらに他の実施形態による表示装置の画素配列を示す平面図である。
図１４を参照すると、補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、それぞれ菱形状に形成され、ペンタイル構造に配列される。
そのような場合、互いに同一色を発光する補助画素ＰＸａの平面上の面積と、メイン画素ＰＸｍの平面上の面積は、互いに異なる。
例えば、互いに同一色を発光するメイン画素ＰＸｍの平面上の面積は、補助画素ＰＸａの平面上の面積よりも狭い。

具体的には、第１メイン画素ＰＸｍ１の平面上の面積は、第１補助画素ＰＸａ１の平面上の面積よりも狭く、第２メイン画素ＰＸｍ２の平面上の面積は、第２補助画素ＰＸａ２の平面上の面積よりも狭く、第３メイン画素ＰＸｍ３の平面上の面積は、第３補助画素ＰＸａ３の平面上の面積よりも狭い。
前述のような場合、同一色を発光し、単位面積当たりのメイン画素ＰＸｍの個数は、単位面積当たりの補助画素ＰＸａの個数よりも多くなる。
他の実施形態として、同一色を発光する単位面積に含まれるメイン画素ＰＸｍの全体面積は、単位面積に含まれる補助画素ＰＸａの全体面積よりも広くなる。
又は、同一色を発光しながら、互いに隣接する補助画素ＰＸａ間の距離は、同一色を発光しながら、互いに隣接するメイン画素ＰＸｍ間の距離よりも長くなる。
そのような場合、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも低くなる。
前述のメイン画素ＰＸｍと補助画素ＰＸａとの関係は、第１表示領域ＤＡ１の解像度が第２表示領域ＤＡ２の解像度より高い場合は、反対である。

前述のような補助画素ＰＸａとメイン画素ＰＸｍは、それぞれ図１１Ｂ〜図１１Ｄに示したものと類似した形態のマスクシートを介して製造される。
すなわち、図１１Ｂ〜図１１Ｄに示した各パターンホールが、それぞれ図１２に示した補助画素ＰＸａ及びメイン画素ＰＸｍとそれぞれに対応するように形成される。
そのような場合、第１補助画素ＰＸａ１と第１メイン画素ＰＸｍ１は、同時に基板上に形成され、第２補助画素ＰＸａ２と第２メイン画素ＰＸｍ２も、基板上に同時に形成される。
また、第３補助画素ＰＸａ３と第３メイン画素ＰＸｍ３も、基板上に同時に形成される。

前述のようなメイン画素ＰＸｍの形態及び配列と、補助画素ＰＸａの形態及び配列は、前述のところに限定されるものではない。
例えば、各画素は、Ｓ−ストライプ形態でありながら、長方形を有する画素がＸ方向に配列される形態を有することも可能である。
他の実施形態として、各画素は、いずれもストライプ形態に形成されることも可能である。
前述のような場合、メイン画素ＰＸｍと補助画素ＰＸａとの形態及び配列は、前述のところに限定されるものではなく、第１表示領域ＤＡ１の解像度と、第２表示領域ＤＡ２の解像度とが互いに異なるようにする全ての形態及び配列を含み得る。

図１５Ａ〜図１５Ｆは、本発明の一実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。
図１５Ａを参照すると、マスクシート２２を製造するために、母材Ｍを準備する。
そのような母材Ｍは、研磨工程、洗浄工程などを介し、各面に吸着された異物が除去された状態である。
母材Ｍは、薄板であり、ステンレススチール、インバー（ｉｎｖａｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル合金、ニッケル・コバルト合金などを含み得る。

母材Ｍが準備されれば、母材Ｍの第１面Ｍ１と第２面Ｍ２との上に、それぞれ第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とを配置する。
このとき、第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２は、順次に母材Ｍに配置するか、あるいは同時に母材Ｍに配置することができる。
その後、第１領域Ａ１の第１フォトレジストＰＲ１を露光して現像液処理し、第１開口部ＯＰ１を形成し、第１領域Ａ１の第２フォトレジストＰＲ２を露光して現像し、第２開口部ＯＰ２を形成する。
第２開口部ＯＰ２の位置は、第１開口部ＯＰ１の位置に対応する。
このとき、フォトレジストを露光し、フォトレジスト開口部を形成する方法は、フォトレジストの性質がネガティブ（ｎｅｇａｔｉｖｅ）方式であるか又はポジティブ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）方式であるかということによっても異なる。

すなわち、フォトレジストを露光した後で現像液処理すれば、フォトレジストがネガティブ方式である場合、露光していないフォトレジスト部位が除去されるが、フォトレジストがポジティブ方式である場合、露光したフォトレジスト部位が除去される。
前述の工程を介して、母材Ｍの第１領域Ａ１に位置する第１開口部ＯＰ１を具備する第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１上に形成し、第１開口部ＯＰ１に対応する第２開口部ＯＰ２を具備する第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２上に形成する。
一方、図９で示したように、マスクシート２２を含むマスク組立体２０がチャンバ１０内に配置されるとき、第１面Ｍ１は、基板１００に向かうマスクシート２２の一面と対応し、第２面Ｍ２は、蒸着ソース５０に向かうマスクシート２２の他面と対応する。

図１５Ｂを参照すると、前述の工程が完了した後、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射する。
このとき、第１フォトレジストＰＲ１が配置された母材Ｍの第１面Ｍ１は、下に向かうように配置され、エッチング液は、第１フォトレジストＰＲ１の下部から第１面Ｍ１に向けて噴射される。
第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射した場合、第１開口部ＯＰ１に対応する位置において、母材Ｍの第１面Ｍ１の一部がエッチングされる。
それを介して、第１面Ｍ１には、第１開口部ＯＰ１に対応する溝が生じる。
第１開口部ＯＰ１は、第１領域Ａ１にだけ配置されるので、第２領域Ａ２には、エッチング液によって溝が形成されない。

図１５Ｃを参照すると、第１フォトレジストＰＲ１は、母材Ｍの第１面Ｍ１から除去する。
他の例として、第１フォトレジストＰＲ１は、後述するように、第２フォトレジストＰＲ２を除去するとき、共に除去する。

図１５Ｄを参照すると、第２開口部ＯＰ２にエッチング液を噴射する。
このとき、エッチング液は、第２フォトレジストＰＲ２の上部から母材Ｍの第２面Ｍ２に向けて噴射される。
第２開口部ＯＰ２にエッチング液を噴射した場合、第２開口部ＯＰ２に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２がエッチングされ、従って、母材Ｍには、母材Ｍを貫通する第１パターンホールＰＨ１が形成される。
第２開口部ＯＰ２は、第１領域Ａ１にだけ配置されるので、第２領域Ａ２には、ホールが形成されない。

図１５Ｅを参照すると、第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２から除去する。
図１５Ｆを参照すると、前述のような工程が完了した後、母材Ｍの第２領域Ａ２の内、既設定位置において、レーザ加工装置により、母材Ｍの第２面Ｍ２にレーザビームを照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
このとき、第２パターンホールＰＨ２の内面の幅が、第１面Ｍ１から第２面Ｍ２に行くほどだんだんと広くなるように、第２パターンホールＰＨ２が形成される。
このとき、該幅は、母材Ｍの厚み方向に垂直方向に沿う第２パターンホールＰＨ２内面間の距離である。
他の例として、第２フォトレジストＰＲ２は、レーザビームを母材Ｍに照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成した後で除去する。

一実施形態において、レーザビームを介し、第２パターンホールＰＨ２を形成する工程は、レーザ加工条件、例えば、レーザビームの焦点深度、加工面積などを異ならせ、複数回の加工を反復することによって実行される。
母材Ｍの第２面Ｍ２上にレーザビームを照射することにより、第２面Ｍ２から、母材Ｍの厚み方向に沿って母材Ｍを除去する。
このとき、レーザビームの焦点深度を、母材Ｍの厚み方向に変化させながら、第２パターンホールＰＨ２の内面のプロファイルを形成する。
レーザビームを介した加工精度を高めるために、スキャナ又はＡＯＤ（ａｃｏｕｓｔｏ ｏｐｔｉｃ ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ）などを使用し、レーザビームの個数、焦点深度、入射角度、形態、位置などを制御することができる。
以下、図１９を参照し、レーザ加工装置について詳細に後述する。

表示装置ＤＤが複数の表示領域を有し、表示領域間には、表示領域に配置される画素の形状、配置、大きさ、解像度などの特徴において、差違が要求される。
そのような表示装置ＤＤを製造するためには、マスクシート２２も、複数の表示領域に対応する領域間に、パターンホールの形状、配置、大きさ、密度などの特徴において、差違が要求される。
本発明の一実施形態によれば、前述のような１枚のマスクシート２２に、互いに異なる特徴を有する２以上のパターンホールを形成するとき、品質が向上したマスクシート２２を製造することができる。

比較例として、マスクシート２２の第１領域Ａ１の第１パターンホールＰＨ１と、第２領域Ａ２の第２パターンホールＰＨ２とが互いに異なる特徴を有するにもかかわらず、１つの加工条件を適用してエッチングを行えば、パターンホール間に加工偏差が大きくなり、マスクシート２２の加工品質が低下してしまう。
例えば、一般的に形成するパターンホールの大きさ（面積）により、使用可能な母材Ｍの厚みも異なるが、比較例の場合、それを考慮することができないので、パターンホールの加工品質が低下してしまう。
しかし、本発明の一実施形態によれば、マスクシート２２の第１領域Ａ１に配置される第１パターンホールＰＨ１の場合、第１パターンホールＰＨ１の形状、配置、大きさ、密度などの特徴を考慮して決定した加工条件下でエッチングを行い、一貫した品質を取得し、比較的精密な加工が要求される第２領域Ａ２の第２パターンホールＰＨ２の場合、レーザビームを介して別途に形成することにより、加工精度を向上させることができる。
それにより、全体的に品質が向上したマスクシート２２を取得することができる。

また、第２パターンホールＰＨ２の場合、レーザビームを利用し、第２パターンホールＰＨ２の内面の幅が、第１面Ｍ１から第２面Ｍ２に行くほどだんだんと広くなるように、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
そのような場合、第２パターンホールＰＨ２内面の中間に突出部が形成されない。
そのような第２パターンホールＰＨ２を利用した蒸着時、シャドー現象を最小化させ、表示装置ＤＤの製造品質を向上させることができる。
また、第２パターンホールＰＨ２の場合、レーザビームを利用して加工するので、第２パターンホールＰＨ２の多様な形状に対する制約なしに、精密な加工が可能である。

図１６Ａ〜図１６Ｆは、本発明の他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。
まず、図１５Ａ〜図１５Ｆを参照して説明した製造順序と同一内容は、省略し、以下、相違部分を中心に説明する。

図１６Ａを参照すると、母材Ｍの第１面Ｍ１と第２面Ｍ２との上に、それぞれ第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とを配置する。
その後、第１フォトレジストＰＲ１を露光して現像液処理し、第１領域Ａ１に配置される第１開口部ＯＰ１を形成する。
第２フォトレジストＰＲ２を露光して現像し、第１領域Ａ１に配置される第２開口部ＯＰ２、及び第２領域Ａ２に配置される第３開口部ＯＰ３を形成する。
第２開口部ＯＰ２は、第１開口部ＯＰ１に対応し、第３開口部ＯＰ３は、第２領域Ａ２全体に対応するように形成される。
前述の工程を介して、母材Ｍの第１面Ｍ１上に、母材Ｍの第１領域Ａ１に位置する第１開口部ＯＰ１を具備する第１フォトレジストＰＲ１を形成し、母材Ｍの第２面Ｍ２上に、第１開口部ＯＰ１に対応する第２開口部ＯＰ２、及び母材Ｍの第２領域Ａ２全体に対応するように形成された第３開口部ＯＰ３を具備する第２フォトレジストＰＲ２を形成する。

図１６Ｂを参照すると、前述の工程が完了した後、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射し、第１開口部ＯＰ１に対応する位置において、母材Ｍの第１面Ｍ１の一部をエッチングする。
それによって、第１面Ｍ１には、第１開口部ＯＰ１に対応する溝が生じる。
図１６Ｃを参照すると、第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１から除去する。

図１６Ｄを参照すると、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３に、エッチング液を噴射する。
第２開口部ＯＰ２にエッチング液を噴射する場合、第２開口部ＯＰ２に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２がエッチングされ、従って、母材Ｍには、母材Ｍを貫通する第１パターンホールＰＨ１が形成される。
第３開口部ＯＰ３にエッチング液を噴射する場合、第３開口部ＯＰ３に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２が一部エッチングされ、従って、母材Ｍの第２領域Ａ２には、広いエッチング面が形成される。
このとき、エッチングされる深さは、母材Ｍの本来の厚さの５０％以上、６０％以上、７０％以上、又は８０％以上であり得る。

図１６Ｅを参照すると、第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２から除去する。
図１６Ｆを参照すると、前述のような工程が完了した後、母材Ｍの第２領域Ａ２の内、既設定位置において、レーザ加工装置によって、母材Ｍの第２面Ｍ２において、第３開口部ＯＰ３に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
それによって、マスクシート２２を製造する。

このとき、マスクシート２２の第１領域Ａ１と第２領域Ａ２とにおける厚みは、互いに異なってもよい。
例えば、マスクシート２２の厚みの内、第１領域Ａ１における厚みＴ１は、第２領域Ａ２における厚みＴ２よりも薄い。
第２領域Ａ２における厚みは、第１領域Ａ１における厚みの５０％以下、４０％以下、３０％以下、又は２０％以下であり得る。
前述の本発明の実施形態によれば、第２パターンホールＰＨ２を形成する前、あらかじめ第２領域Ａ２の第２面Ｍ２を一部エッチングしたので、レーザビームの加工量を減らすことができる。
それにより、レーザビームの加工性を向上させ、レーザ加工中に発生する可能性がある粉塵発生量を最小化させることができる。

図１７Ａ〜図１７Ｇは、本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。
まず、図１５Ａ〜図１５Ｆを参照して説明した製造順序と同一内容は、省略し、以下、相違部分を中心に説明する。

図１７Ａを参照すると、母材Ｍの第１面Ｍ１と第２面Ｍ２との上に、それぞれ第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とを配置する。
その後、第１フォトレジストＰＲ１を露光して現像液処理し、第１領域Ａ１に配置される第１開口部ＯＰ１を形成する。
第２フォトレジストＰＲ２を露光して現像し、第１領域Ａ１に配置される第２開口部ＯＰ２、及び第２領域Ａ２に配置され、互いに離隔された複数の第４開口部ＯＰ４を形成する。
第２開口部ＯＰ２は、第１開口部ＯＰ１に対応し、第４開口部ＯＰ４は、第２パターンホールＰＨ２が形成される事前に定められた位置に対応する。
従って、第４開口部ＯＰ４の個数は、形成される第２パターンホールＰＨ２の個数と同一である。
前述の工程を介して、母材Ｍの第１領域Ａ１に位置する第１開口部ＯＰ１を具備する第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１上に形成し、第１開口部ＯＰ１に対応する第２開口部ＯＰ２、及び母材Ｍの第２領域Ａ２に配置され、互いに離隔された複数の第４開口部ＯＰ４を具備する第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２上に形成する。

図１７Ｂを参照すると、前述の工程が完了した後、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射し、第１開口部ＯＰ１に対応する位置において、母材Ｍの第１面Ｍ１の一部をエッチングする。
それによって、第１面Ｍ１には、第１開口部ＯＰ１に対応する溝が生じる。
図１７Ｃを参照すると、第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１から除去する。

図１７Ｄを参照すると、第２開口部ＯＰ２及び第４開口部ＯＰ４に、エッチング液を噴射する。
第２開口部ＯＰ２にエッチング液を噴射する場合、第２開口部ＯＰ２に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２がエッチングされ、従って、母材Ｍには、母材Ｍを貫通する第１パターンホールＰＨ１が形成される。
第４開口部ＯＰ４にエッチング液を噴射する場合、第４開口部ＯＰ４に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２が一部エッチングされる。
このとき、エッチングされる深さは、母材Ｍの本来の厚さの５０％以上、６０％以上、７０％以上、又は８０％以上であり得る。
第４開口部ＯＰ４に対応する位置に形成されたホールの大きさ（面積）は、第２パターンホールＰＨ２の大きさよりも小さい。

図１７Ｅを参照すると、第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２から除去する。
図１７Ｆを参照すると、前述のような工程が完了した後、母材Ｍの第２領域Ａ２において、レーザ加工装置によって、母材Ｍの第２面Ｍ２の内、第４開口部ＯＰ４に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
それによって、マスクシート２２を製造する。

前述の本発明の実施形態によれば、第２パターンホールＰＨ２を形成する前、事前に第２パターンホールＰＨ２が形成される位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２の一部をエッチングしたので、レーザ加工量を減らすことができるということは、言うまでもなく、第２パターンホールＰＨ２が形成される位置の識別が容易であり、従って、必要時、レーザ加工を手動で進めることが可能である。

図１７Ｇを参照すると、一部実施形態により、第２パターンホールＰＨ２の周囲には、エッチング液により、母材Ｍの一部エッチングされた部分が残っている。
そのような構造は、第４開口部ＯＰ４の幅が、第２パターンホールＰＨ２の幅より広い場合に形成される。
その場合、マスクシート２２の第２領域Ａ２における厚みｔ２において、第２パターンホールＰＨ２と隣接した周囲領域における厚み（ｔ２−１）は、第１領域Ａ１における厚みｔ１より薄く、互いに隣接した第２パターンホールＰＨ２間領域における厚み（ｔ２−２）は、第１領域Ａ１における厚みｔ１と実質的に同一である。
第２パターンホールＰＨ２を形成する前、事前に第２パターンホールＰＨ２が形成される位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２の一部を十分にエッチングし、レーザ加工量を減らすことができ、第２パターンホールＰＨ２が形成される位置の識別が容易である。

図１８Ａ〜図１８Ｆは、本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。
図１８Ａを参照すると、母材Ｍの第１面Ｍ１と第２面Ｍ２との上に、それぞれ第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とを配置する。
その後、第１フォトレジストＰＲ１を露光して現像液処理し、第１領域Ａ１に配置される第１開口部ＯＰ１を形成する。
第２フォトレジストＰＲ２を露光して現像し、第１領域Ａ１に配置される第２開口部ＯＰ２、及び第２領域Ａ２の縁部に位置する複数の第５開口部ＯＰ５を形成する。
第２開口部ＯＰ２は、第１開口部ＯＰ１に対応する。

第５開口部ＯＰ５は、第２領域Ａ２の縁部に、少なくとも２以上配置される。
例えば、第２領域Ａ２が四角形状を有する場合、４コーナーの内の互いに対角線反対側に位置したコーナーに隣接して、第５開口部ＯＰ５が配置されてもよい。
又は、４コーナーに隣接し、４個の第５開口部ＯＰ５が配置されてもよい。
それら以外にも、第２領域Ａ２が円形状を有する場合、その縁部に、円周に沿って少なくとも２個以上の第５開口部ＯＰ５が配置されてもよい。
前述の工程を介して、母材Ｍの第１領域Ａ１に位置する第１開口部ＯＰ１を具備する第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１上に形成し、第１開口部ＯＰ１に対応する第２開口部ＯＰ２、及び母材Ｍの第２領域Ａ２の縁部に位置する複数の第５開口部ＯＰ５を具備する第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２上に形成する。

図１８Ｂを参照すると、前述の工程が完了した後、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射し、第１開口部ＯＰ１に対応する位置において、母材Ｍの第１面Ｍ１の一部をエッチングする。
それにより、第１面Ｍ１には、第１開口部ＯＰ１に対応する溝が生じる。
図１８Ｃを参照すると、第１フォトレジストＰＲ１を、母材Ｍの第１面Ｍ１から除去する。

図１８Ｄを参照すると、第２開口部ＯＰ２及び第５開口部ＯＰ５に、エッチング液を噴射する。
第２開口部ＯＰ２にエッチング液を噴射する場合、第２開口部ＯＰ２に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２がエッチングされ、従って、母材Ｍには、母材Ｍを貫通する第１パターンホールＰＨ１が形成される。
第５開口部ＯＰ５にエッチング液を噴射した場合、第５開口部ＯＰ５に対応する位置において、母材Ｍの第２面Ｍ２が一部エッチングされる。
このとき、エッチングされる深さは、母材Ｍの本来の厚さの１０％以上、２０％以上、３０％以上、４０％以上、又は５０％以上であり得る。
それによって、第５開口部ＯＰ５に対応する位置に、少なくとも２以上の基準ホールＲＨを形成する。
基準ホールＲＨは、図１９を参照して詳細に説明するように、レーザビームを利用した加工段階において、母材Ｍを整列させるのにも活用される。

図１８Ｅを参照すると、第２フォトレジストＰＲ２を、母材Ｍの第２面Ｍ２から除去する。
図１８Ｆを参照すると、前述のような工程が完了した後、母材Ｍの第２領域Ａ２において、レーザ加工装置によって、母材Ｍの第２面Ｍ２にレーザビームを照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
それによって、マスクシート２２を製造する。

図１９は、本発明の一実施形態によるレーザ加工装置の概略構成を示す図である。
図１９を参照すると、レーザ加工装置９０は、レーザ発振部９１、光学系９２、スキャン部９３、ステージ９４及び検査部９５を含む。

レーザ発振部９１は、母材Ｍにパターンホールを形成するパルスレーザビームを出射する。
レーザ発振部９１としては、ＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）レーザ、ＣＯ_２レーザなどを含み得る。
光学系９２は、レーザ発振部９１から出射されたレーザビームを受光し、パターンホール形成に最適条件になるように調整する。
例えば、レーザビームの強度、スポットサイズ、照射角度、及び照射回数を微細に調整する。
一例として、レーザビームのスポットサイズは、２０μｍ以下であるが、それに限定されるものではなく、表示装置ＤＤの解像度によるマスクシート２２の設計変更により、レーザビームのスポットサイズも変更され得る。
また、一例として、該レーザは、数十フェムト秒から数百ピコ秒までの超短パルスレーザの使用により、マスクシート２２の表面でのバリ（ｂｕｒｒ）発生を抑制することができる。

スキャン部９３は、レーザ発振部９１から放射されたレーザビームの位置、例えば、被加工体である母材Ｍの第２面Ｍ２上において、レーザビームの位置を決定する。
スキャン部９３は、レーザビームの経路を変更させ、母材Ｍの第２面Ｍ２上にレーザビームを照射するスキャナを含み得る。
ステージ９４は、被加工体である母材Ｍを支持する。
母材Ｍは、ステージ９４上に配置され、静電チャックなどによって固定される。
また、ステージ９４は、駆動部（図示せず）により、所望する位置において母材Ｍを加工するために、平面上で精密に動くことができる。

検査部９５は、母材Ｍの加工領域を確認し、加工の成否を検査することができる三次元（３Ｄ）撮像モジュールを含み得る。
また、検査部９５は、母材Ｍの所定地点を撮影する整列カメラを含んでもよい。
整列カメラから取得した映像データと、事前に設定されたデータとを比較し、母材Ｍの整列程度を判断した後、それを反映させ、駆動部（図示せず）を介し、ステージ９４を動かす。
それによって、被加工体である母材Ｍの加工位置と、レーザビームが照射するスキャン部９３の位置とが一致するように、母材Ｍを整列させる。

本発明の一実施形態によれば、母材Ｍを整列させるのに、基準ホールＲＨを活用することもできる。
整列カメラは、レーザビームによる加工領域になる母材Ｍの第２領域Ａ２を撮影し、第２領域Ａ２に配置された基準ホールＲＨの位置情報を取得する。
それを参照し、母材Ｍの整列程度を判断し、事前に設定された第２パターンホールＰＨ２の位置情報を基に、ステージ９４を動かし、母材Ｍを整列させる。
それによって、母材Ｍの第２面Ｍ２上の正確な位置にレーザビームを照射し、第２パターンホールＰＨ２を形成することができる。

図２０Ａ〜図２０Ｆは、本発明のさらに他の実施形態によるマスクシートの製造順序を説明するための概略断面図である。
図２０Ａを参照すると、マスクシート２２を製造するために、母材Ｍを準備する。
そのような母材Ｍは、研磨工程、洗浄工程などを介し、各面に吸着された異物が除去された状態である。

図２０Ｂを参照すると、母材Ｍが準備されれば、母材Ｍの第１面Ｍ１と第２面Ｍ２とに、それぞれ第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とを配置する。
このとき、第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２は、順次に母材Ｍに配置するか、あるいは同時に母材Ｍに配置する。
その後、第１フォトレジストＰＲ１を露光して現像液処理し、第１開口部ＯＰ１を形成し、第２フォトレジストＰＲ２を露光して現像し、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３を形成する。
このとき、フォトレジストを露光し、フォトレジスト開口部を形成する方法は、フォトレジストの性質がネガティブ方式であるか、又はポジティブ方式であるかということによっても異なる。
すなわち、フォトレジストを露光した後、現像液処理すれば、フォトレジストがネガティブ方式である場合、露光されていないフォトレジスト部位が除去されるが、フォトレジストがポジティブ方式である場合、露光されたフォトレジスト部位が除去される。

図２０Ｃを参照すれば、前述のように、第１フォトレジストＰＲ１と第２フォトレジストＰＲ２とが母材Ｍ上に配置される場合、平面上の第２開口部ＯＰ２と第３開口部ＯＰ３との大きさは、互いに異なってもよい。
例えば、第２開口部ＯＰ２の形状と第３開口部ＯＰ３の形状とが同一である場合、平面上で第２開口部ＯＰ２の広さが第３開口部ＯＰ３の広さよりも狭くなる。
このとき、単位面積又は同一面積に配置される複数個の第２開口部ＯＰ２の個数は、第３開口部ＯＰ３の個数よりも多い。
前述のような場合、第２開口部ＯＰ２は、第１パターンホールＰＨ１に対応し、第３開口部ＯＰ３は、第２パターンホールＰＨ２にも対応する。

後述する工程が完了した後、第１パターンホールＰＨ１と第２パターンホールＰＨ２とが形成されれば、第１パターンホールＰＨ１と第２パターンホールＰＨ２との関係は、第２開口部ＯＰ２と第３開口部ＯＰ３との関係と類似している。
すなわち、マスクシート２２の一面に配置された第２パターンホールＰＨ２の平面サイズは、同一マスクシート２２の一面に配置された第１パターンホールＰＨ１の平面サイズ以上である。
ただし、同一面積に配置される第１パターンホールＰＨ１の個数は、第２パターンホールＰＨ２の個数よりも多くなる。
前述のような関係は、本発明の実施形態にいずれも適用される。
また、前述のような関係は、第１パターンホールＰＨ１によって形成され、第１表示領域に配置される第２中間層と、第２パターンホールＰＨ２によって形成され、第２表示領域に配置される第１中間層との関係にも、同一に適用され得る。

図２０Ｄを参照すると、前述の工程が完了した後、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射する。
このとき、第１フォトレジストＰＲ１が配置された母材Ｍの第１面Ｍ１は、下面を向くように配置され、エッチング液は、第１フォトレジストＰＲ１の下部から上面に噴射される。
前述のように、第１開口部ＯＰ１にエッチング液を噴射する場合、母材Ｍには、第１開口部ＯＰ１に対応するように、第１溝（Ｍ１−１）が形成される。
その後、第１フォトレジストＰＲ１は、母材Ｍの第１面Ｍ１から除去される。

図２０Ｅを参照すると、前述の工程が完了した後、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３に、エッチング液を噴射する。
このとき、エッチング液は、母材Ｍの上面から母材Ｍの第２面Ｍ２側に噴射される。
前述のような工程が完了すれば、エッチング液は、第２開口部ＯＰ２及び第３開口部ＯＰ３を通過し、母材Ｍの一部を除去する。
このとき、第２開口部ＯＰ２を通過したエッチング液は、母材Ｍの第２面Ｍ２から母材Ｍの厚み方向に、母材Ｍの第１面Ｍ１まで母材Ｍを除去し、第１開口部ＯＰ１に対応するように形成された第１面Ｍ１の第１溝（Ｍ１−１）と連結し、第１パターンホールＰＨ１を形成する。

また、第３開口部ＯＰ３を通過したエッチング液は、母材Ｍを、第２面Ｍ２から第１面Ｍ１まで除去することにより、第２パターンホールＰＨ２を形成する。
前述のような場合、エッチング液による母材Ｍのエッチング程度は、第２開口部ＯＰ２の幅（又は、平面上の面積）と第１開口部ＯＰ１の幅（又は、平面上の面積）との差によって調節される。
具体的には、第２開口部ＯＰ２の幅（又は、平面上の面積）が第１開口部ＯＰ１の幅（又は、平面上の面積）よりも広く形成されることにより、同一エッチング液を同一時間に噴射する場合に、母材Ｍの厚み方向にエッチングされる距離を調節することができる（図２０Ｃ参照）。
すなわち、そのような場合、第２開口部ＯＰ２を通過したエッチング液により、母材Ｍがエッチングされる厚みは、第１開口部ＯＰ１を通過したエッチング液により、母材Ｍがエッチングされる厚みよりも厚くなる。

前述のような場合、第２パターンホールＰＨ２の内部には、第２突出部（ＰＨ２−ａ）が配置されない一方、第１パターンホールＰＨ１の内部には、第１突出部（ＰＨ１−ａ）が配置される。
すなわち、第２突出部（ＰＨ２−ａ）は、第２パターンホールＰＨ２の終端に配置され、第１突出部ＰＨ１は、第１パターンホールＰＨ１内部に突出する。
前述のような場合、第１面Ｍ１から第１突出部（ＰＨ１−ａ）までの第１距離Ｌ１は、第２面Ｍ２から第１突出部（ＰＨ１−ａ）までの第２距離Ｌ２と異なる。
具体的には、第１面Ｍ１から第１突出部（ＰＨ１−ａ）までの第１距離Ｌ１は、第２面Ｍ２から第１突出部（ＰＨ１−ａ）までの第２距離Ｌ２よりも短い。
このとき、第１面Ｍ１は、図１１に示した表示装置の製造装置１にマスクシート２２が配置される場合、基板１００と対向する面である。

従って、本発明による表示装置の製造方法は、第１表示領域（図示せず）の中間層（図示せず）を形成するときに使用される第２パターンホールＰＨ２部分に、第２突出部を形成しないことが可能である。
また、本発明による表示装置の製造方法は、それにより、表示パネルの製造時、精密なパターンを有する中間層を形成することが可能であり、中間層の厚みが可変する区間を短く形成することにより、設計値とほぼ同一な中間層の面積を有するように中間層を蒸着することが可能である。

図２１は、本発明の他の実施形態による表示装置の概略を示す斜視図である。
図２１を参照すると、表示装置ＤＤは、図１に示したものと類似している。
このとき、表示装置ＤＤは、第１表示領域ＤＡ１、第２表示領域ＤＡ２、及び周辺領域ＰＡを含む。
第１表示領域ＤＡ１は、図１と異なるように、表示装置ＤＤの一定領域である。
このとき、第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２と形状が類似している。
例えば、第１表示領域ＤＡ１は、Ｘ軸方向に長く形成されている。
そのような第１表示領域ＤＡ１は、第２表示領域ＤＡ２に比べ、光透過率が高く、第１表示領域ＤＡ１の解像度は、第２表示領域ＤＡ２の解像度よりも低い。
第１表示領域ＤＡ１には、前述のように、補助画素ＰＸａが配置され、第２表示領域ＤＡ２には、メイン画素ＰＸｍが配置される。
また、第１表示領域ＤＡ１は、補助画素ＰＸａが配置されていない透過領域ＴＡを含んでもよい。

前述のような第１表示領域ＤＡ１には、コンポーネントが多様な位置に配置される。
このとき、第１表示領域ＤＡ１には、少なくとも１以上のコンポーネントが配置され得る。
前述のような第１表示領域ＤＡ１には、補助画素ＰＸａと透過領域ＴＡとが配置され得る。
このとき、補助画素ＰＸａは、少なくとも１以上が具備され、１つの画素領域を形成し、そのような画素領域は、第１表示領域ＤＡ１において、互いに離隔されるように配置される。
そのような場合、透過領域ＴＡは、互いに離離隔されるに素領域間に配置される。
例えば、画素領域は、格子状にも配列され、そのような画素領域間に、透過領域ＴＡが配置される形態であり得る。
第２表示領域ＤＡ２には、第１表示領域ＤＡ１と異なるように、別途の透過領域が存在しない。
このとき、第２表示領域ＤＡ２には、複数個のメイン画素ＰＸｍが配置される。

上述したような本発明の具体的な側面は、システム、方法、コンピュータプログラム、又はいかなるシステム、方法、コンピュータプログラムの組み合わせを使用しても実施されうる。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

２ 表示パネル
３ コンポーネント
１０ チャンバ
１１ ゲート弁
２０ マスク組立体
２１ マスクフレーム
２２ マスクシート
２２−１ 第１マスクシート
２２−２ 第２マスクシート
２２−３ 第３マスクシート
２３ 支持フレーム
３０ 第１支持部
４０ 第２支持部
５０ 蒸着ソース
６０ 磁力生成部
７０ ビジョン部
８０ 圧力調節部
８１ 接続配管
８２ ポンプ
９０ レーザ加工装置
９１ レーザ発振部
９２ 光学系
９３ スキャン部
９４ ステージ
９５ 検査部
１００ 基板
１１１ バッファ層
１１２ 第１ゲート絶縁層
１１３ 第２ゲート絶縁層
１１５ 層間絶縁層
１１７、１１７５ 接続メタル
１１９ 画素定義膜
１７５ 下部保護フィルム
１７５ＯＰ 開口
２００ 表示要素層
２１０ 画素電極
２２０ 中間層
２３０ 対向電極
３００ 薄膜封止層
１１５３、１１６３ コンタクトホール

Claims (54)

1. 透過領域を含む第１表示領域と、前記第１表示領域の少なくとも一部を取り囲むように配置される第２表示領域と、を含む基板と、
   前記第１表示領域に配置され、第１画素電極と、第１中間層と、第１対向電極と、を含む第１画素と、
   前記第２表示領域に配置され、第２画素電極と、第２中間層と、第２対向電極と、を含む第２画素と、を有し、
   前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれは、厚みが一定している部分と、厚みが可変する区間と、を含み、
   前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の１つの第１長は、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の他の１つの第２長と異なることを特徴とする表示装置。
2. 前記第１長又は前記第２長の内の一つは、前記第１長又は前記第２長の内の他の一つより短いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第１表示領域で提供されるイメージの解像度は、前記第２表示領域で提供されるイメージの解像度と異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１表示領域に対応するように前記基板の一面に配置され、光を放射したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１表示領域の光透過率と前記第２表示領域の光透過率とは、互いに異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
6. 前記第１中間層の平面形状の大きさは、前記第２中間層の平面形状の大きさ以上であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
7. マスクシートを含むマスク組立体において、
   前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、
   少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、
   前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内面に配置され、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、
   前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とするマスク組立体。
8. 前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことを特徴とする請求項７に記載のマスク組立体。
9. 前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は互いに異なることを特徴とする請求項７に記載のマスク組立体。
10. 前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの平面サイズは、前記第２領域の一面から延長された前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの平面サイズ以上であることを特徴とする請求項７に記載のマスク組立体。
11. 前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることを特徴とする請求項７に記載のマスク組立体。
12. 前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの形状と、前記第２パターンホールの形状は、互いに異なることを特徴とする請求項７に記載のマスク組立体。
13. 母材の第１面に第１開口部を具備するように、第１フォトレジストを配置する段階と、
    母材の第２面に第２開口部と第３開口部とを具備するように、第２フォトレジストを配置する段階と、
    前記第１開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の第１面の一部をエッチングする段階と、
    前記第１開口部と前記第２開口部との内部にエッチング液を噴射し、前記母材の第２面の一部をエッチングし、前記母材を貫通する第１パターンホール及び第２パターンホールを形成する段階と、を有することを特徴とするマスク組立体の製造方法。
14. 前記第２開口部の幅は、前記第１開口部の幅より大きいことを特徴とする請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
15. 前記第１パターンホール内部には、前記第２パターンホール内面から前記第２パターンホール内部に突出した突出部が配置されることを特徴とする請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
16. 前記第１面から前記突出部までの距離と、前記第２面から前記突出部までの距離は、互いに異なることを特徴とする請求項１５に記載のマスク組立体の製造方法。
17. 前記第１フォトレジストを除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
18. 前記第２フォトレジストを除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載のマスク組立体の製造方法。
19. 母材の第１領域に位置する第１開口部を具備する第１フォトレジストを、前記母材の第１面上に配置する段階と、
    前記第１開口部に対応する第２開口部を具備する第２フォトレジストを、前記母材の第２面上に配置する段階と、
    前記第１開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第１面の一部をエッチングする段階と、
    前記第２開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材を貫通する第１パターンホールを形成する段階と、
    前記母材の前記第２面において、前記第１領域と隣接した第２領域にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階と、を有することを特徴とするマスク組立体の製造方法。
20. 前記第１面又は前記第２面と平行な平面上における前記第１パターンホールと、前記第２パターンホールの形状は、互いに異なることを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
21. 前記第１面又は前記第２面と平行な平面上における前記第１パターンホールの面積と、前記第２パターンホールの面積は、互いに異なることを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
22. 前記第１パターンホールと前記第２パターンホールの同一面積当たりの個数は、互いに異なることを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
23. 前記第１フォトレジストを除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
24. 前記第２フォトレジストを除去する段階をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
25. 前記第２パターンホールを形成する段階は、前記第２パターンホールの前記母材の厚み方向と垂直方向への幅が、前記第１面から前記第２面に行くにしたがって広くなるように形成される段階を含むことを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
26. 前記第２フォトレジストは、前記第２領域全体に対応するように形成される第３開口部をさらに含み、
    前記第３開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングする段階をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
27. 前記母材の前記第２面において、前記第３開口部に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項２６に記載のマスク組立体の製造方法。
28. 前記第２フォトレジストは、前記第２領域に配置され、互いに離隔された複数の第４開口部をさらに含み、
    前記第４開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングする段階をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
29. 前記第２パターンホールを形成する段階は、前記母材の前記第２面において、前記第４開口部に対応して形成されたエッチング面にレーザビームを照射し、前記母材を貫通する第２パターンホールを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２８に記載のマスク組立体の製造方法。
30. 前記第２フォトレジストは、前記第２領域の縁部に位置する複数の第５開口部をさらに含み、
    前記第５開口部内部にエッチング液を噴射し、前記母材の前記第２面の一部をエッチングすることにより、少なくとも２以上の基準ホールを形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項１９に記載のマスク組立体の製造方法。
31. レーザビームを照射する前に、前記基準ホールを利用して前記母材を整列させる段階をさらに有することを特徴とする請求項３０に記載のマスク組立体の製造方法。
32. チャンバと、
    前記チャンバ内部に配置されるマスク組立体と、
    前記マスク組立体に対向するように配置される、ディスプレイ基板に蒸着物質を供給する蒸着ソースと、を有し、
    前記マスク組立体は、前記蒸着ソースから供給される蒸着物質が通過するマスクシートを含み、
    前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、
    少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、
    前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内面には、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、
    前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とする表示装置の製造装置。
33. 前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
34. 前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は異なることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
35. 前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの入口部の平面サイズは、前記第１領域の一面から延長された前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの入口部の平面サイズ以上であることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
36. 前記マスクシートは、前記第１領域の縁部、又は前記第２領域の縁部に配置される複数の基準ホールを含むことを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
37. 前記マスクシートの前記第２領域における厚みの内、前記第２パターンホールの周囲領域における厚みは、前記第１領域における厚みより薄く、
    互いに隣接した前記第２パターンホール間の領域における厚みは、前記第１領域における厚みと同一であることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
38. 前記マスクシートの厚み方向と垂直方向に沿う前記第２パターンホールの幅は、前記マスクシートの一面から他面に行くにしたがって広くなるように形成されることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
39. 前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの形状と、前記第２パターンホールとの形状は、互いに異なることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
40. 前記マスクシートの一面と平行な平面上における前記第１パターンホールの面積と、前記第２パターンホールとの面積は、互いに異なることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
41. 前記第１パターンホールと、前記第２パターンホールの同一面積当たりの個数は、互いに異なることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
42. 前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることを特徴とする請求項３２に記載の表示装置の製造装置。
43. ディスプレイ基板とマスク組立体とをチャンバ内部に配置して整列させる段階と、
    蒸着ソースから前記ディスプレイ基板に、前記マスク組立体を通過させて蒸着物質を供給する段階と、を有し、
    前記マスク組立体は、前記蒸着ソースから供給される蒸着物質が通過するマスクシートを含み、
    前記マスクシートは、少なくとも１以上の第１パターンホールを含む第１領域と、
    少なくとも１以上の第２パターンホールを含む第２領域と、
    前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内面には、前記第１パターンホール又は前記第２パターンホールの内の１つの内部に突出する突出部と、を含み、
    前記第１パターンホールの内面と、前記第２パターンホールの内面とは、互いに異なることを特徴とする表示装置の製造方法。
44. 前記突出部は、前記第１パターンホールの内面から前記第１パターンホール内部に突出した第１突出部を含むことを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
45. 前記第１領域の厚みと前記第２領域の厚みは、互いに同一であるか、又は異なることを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
46. 前記第２領域の一面に形成された前記第２パターンホールの平面サイズは、前記第２領域の一面から延長された前記第１領域の一面に形成された前記第１パターンホールの入口部の平面サイズ以上であることを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
47. 前記マスクシートは、前記第２領域の縁部に、複数の基準ホールが配置されることを特徴とする請求項４３に記載の表示装置の製造方法。
48. ディスプレイ基板の第１表示領域上に、第１中間層を形成する段階と、
    前記ディスプレイ基板の第２表示領域上に、第２中間層を形成する段階と、を有し、
    前記第１中間層及び前記第２中間層のそれぞれは、厚みが一定している部分と、厚みが可変する区間と、を含み、
    前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の１つの第１長は、前記第１中間層の厚みが可変する区間、又は前記第２中間層の厚みが可変する区間の内の他の１つの第２長と異なることを特徴とする表示装置の製造方法。
49. 前記第１長又は前記第２長の内の一つは、前記第１長又は前記第２長の内の他の一つより短いことを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
50. 前記第１表示領域で提供するイメージの解像度は、前記第２表示領域で提供するイメージの解像度と異なることを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
51. 前記第１表示領域に対応するように、前記ディスプレイ基板の一面に配置され、光を放射したり受光したりする電子要素を含むコンポーネントを配置する段階をさらに有することを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
52. 前記第１表示領域の光透過率と前記第２表示領域の光透過率は、互いに異なることを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
53. 前記第１中間層の平面形状の大きさは、前記第２中間層の平面形状の大きさ以上であることを特徴とする請求項４８に記載の表示装置の製造方法。
54. 前記第１中間層において厚みが一定している区間の厚みと、前記第２中間層において厚みが一定している区間の厚みは、互いに同一であることを特徴とする請求項５３に記載の表示装置の製造方法。
    

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