CN114078926A - 显示面板及包括其的显示设备 - Google Patents

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金宰贤
崔永瑞
徐昇旴
郑素娟
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Abstract

提供了显示面板和包括显示面板的显示设备。在包括主显示区、包含透射区的组件区和主显示区外部的外周区的显示面板中，显示面板包括：基板；无机绝缘层，在基板上方且包括对应于透射区的第一孔；平坦化层，在无机绝缘层上方；像素限定层，在平坦化层上方且具有1.3μm至2μm的厚度；以及薄膜封装层，在像素限定层上方，其中像素限定层的侧表面和平坦化层的上表面之间的角度为30度至40度。

Description

显示面板及包括其的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求在韩国知识产权局于2020年8月12日提交的韩国专利申请第10-2020-0101408号的优先权和权益，其公开通过引用以其整体并入本文。
技术领域
一个或多个示例实施方式的方面涉及显示面板和包括显示面板的显示设备。
背景技术
最近，显示设备的各种用途和应用已经多样化。而且，显示设备已经变得更薄和更轻，因此，显示设备的用途已经扩大。
由于以各种方式使用显示设备，因此可以使用各种方法来设计显示设备的形状，而且，越来越多的功能可以与显示设备组合或关联。
该背景技术章节中公开的上述信息仅仅用于增强对背景技术的理解，因此在背景技术部分讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个示例实施方式的方面涉及显示面板和包括显示面板的显示设备，并且例如，涉及其中显示区被扩展以使得即使在作为电子元件的组件被布置的区中也可以显示图像的显示面板和包括该显示面板的显示设备。
一个或多个示例实施方式的方面包括显示面板和包括该显示面板的显示设备，在该显示面板中，显示区域被扩展，使得即使在布置有电子组件的区中也可以显示图像。然而，这种技术问题是示例，并且根据本公开的实施方式不限于此。
另外的方面将部分在如下的描述中陈述，并且部分将从描述中是显而易见的，或者可以通过所呈现的实施方式的实践来了解。
根据一个或多个示例实施方式，在包括主显示区、包含透射区的组件区和主显示区外部的外周区的显示面板中，显示面板包括：基板，布置在基板上方且包括对应于透射区的第一孔的无机绝缘层，布置在无机绝缘层上方的平坦化层，布置在平坦化层上方且具有约1.3μm至约2μm厚度的像素限定层，以及布置在像素限定层上方的薄膜封装层，其中像素限定层的侧表面与平坦化层的上表面之间的角度为约30度至约40度。
根据一些示例实施方式，像素限定层可具有距平坦化层的上表面约1.3μm至约2μm的厚度。
根据一些示例实施方式，第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层可按顺序堆叠在薄膜封装层中，并且有机封装层可布置在第一孔中。
根据一些示例实施方式，平坦化层可包括对应于透射区的第二孔，像素限定层可包括对应于透射区的第三孔，并且有机封装层可布置在第二孔和第三孔中。
根据一些示例实施方式，布置在透射区上方的有机封装层可具有平坦的上表面。
根据一些示例实施方式，布置在透射区上方的有机封装层可包括凹面部分。
根据一些示例实施方式，从有机封装层的上表面的底部表面到有机封装层的上表面的顶部表面的距离可大于约0μm并且小于或等于约2μm。
根据一些示例实施方式，布置在透射区上方的有机封装层可包括凸面部分。
根据一些示例实施方式，从有机封装层的上表面的底部表面到有机封装层的上表面的顶部表面的距离可大于约0μm并且小于或等于约2μm。
根据一些示例实施方式，显示面板可进一步包括布置在对应于主显示区的平坦化层上方的主显示元件，和布置在对应于组件区的平坦化层上方的辅助显示元件。
根据一些示例实施方式，主显示元件可包括第一像素电极，辅助显示元件可包括第二像素电极，并且像素限定层可暴露第一像素电极和第二像素电极的至少一部分。
根据一些示例实施方式，显示面板可进一步包括布置在薄膜封装层上方的触摸屏层，其中第一触摸绝缘层、第二触摸绝缘层和第三触摸绝缘层可按顺序堆叠在触摸屏层中，并且触摸屏层可包括布置在第一触摸绝缘层和第二触摸绝缘层之间的第一触摸电极以及布置在第二触摸绝缘层和第三触摸绝缘层之间的第二触摸电极。
根据一些示例实施方式，第一触摸电极和第二触摸电极可至少部分地与像素限定层重叠。
根据一些示例实施方式，显示面板可进一步包括底部金属层，该底部金属层布置在组件区中的基板和无机绝缘层之间，并且包括对应于透射区的底部孔。
根据一个或多个示例实施方式，在包括主显示区、包含透射区的组件区和主显示区外部的外周区的显示面板中，显示面板包括：基板，布置在基板上方且包括对应于透射区的第一孔的无机绝缘层，布置在无机绝缘层上方且具有约1.3μm至约2μm厚度的像素限定层，以及布置在像素限定层上方且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的薄膜封装层，其中有机封装层包括凹面部分或凸面部分。
根据一些示例实施方式，从有机封装层的上表面的底部表面到有机封装层的上表面的顶部表面的距离可大于约0μm并且小于或等于约2μm。
根据一些示例实施方式，显示面板可进一步包括布置在无机绝缘层和像素限定层之间的平坦化层，其中像素限定层可具有距平坦化层的上表面约1.3μm至约2μm的厚度。
根据一些示例实施方式，像素限定层的侧表面和平坦化层的上表面之间的角度可为约30度至约40度。
根据一些示例实施方式，有机封装层可布置在第一孔中。
根据一个或多个示例实施方式，显示设备包括：显示面板，包括主显示区、包含透射区的组件区和主显示区外部的外周区；以及布置在显示面板下方以对应于组件区的组件，该显示面板包括基板，布置在基板上方且包括对应于透射区的第一孔的无机绝缘层，布置在无机绝缘层上方的平坦化层，布置在平坦化层上方且具有约1.3μm至约2μm的厚度的像素限定层，以及布置在像素限定层上方的薄膜封装层，其中像素限定层的侧表面和平坦化层的上表面之间的角度为约30度至约40度。
根据一些示例实施方式，组件可包括成像装置或传感器。
根据一些示例实施方式，像素限定层可具有距平坦化层的上表面约1.3μm至约2μm的厚度。
根据一些示例实施方式，第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层可按顺序堆叠在薄膜封装层中，并且有机封装层可布置在第一孔中。
根据一些示例实施方式，布置在透射区上方的有机封装层可具有平坦的上表面。
根据一些示例实施方式，布置在透射区上方的有机封装层可包括凹面部分或凸面部分。
根据一些示例实施方式，从有机封装层的上表面的底部表面到有机封装层的上表面的顶部表面的距离可大于约0μm并且小于或等于约2μm。
根据以下详细描述、所附权利要求和附图，除了上述以外的其他方面、特征和特性将变得更加显而易见。
附图说明
某些示例实施方式的上面和其他方面、特征和特性将从结合附图的以下描述中更显而易见，在附图中：
图1为示意性阐释根据一些示例实施方式的显示设备的透视图；
图2为示意性阐释根据一些示例实施方式的显示设备的一部分的截面图；
图3为示意性阐释可包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图；
图4和图5为根据一些示例实施方式的驱动子像素的像素电路的等效电路图；
图6为示意性阐释根据一些示例实施方式的主显示区中的像素布置结构的布置图；
图7和图8为示意性阐释根据一些示例实施方式中的组件区中的像素布置结构的布置图；
图9为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区；
图10为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区；
图11为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图；
图12为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图；
图13为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图；以及
图14为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区。
具体实施方式
现将更详细地参考一些示例实施方式的方面，这些方面在附图中阐释，其中相同的附图标记通篇指代相同的元件。在这点上，根据本公开的实施方式可以具有不同的形式，并且不应该被解释为限于本文阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述示例实施方式，以解释本说明书的各方面。如本文所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、所有的a、b和c或者其变体。
由于本说明书允许各种变化和许多实施方式，某些实施方式将在附图中阐释并以书面描述描写。结合附图，从一个或多个实施方式的以下详细描述中，一个或多个实施方式的效果和特征以及达到它们的方法将变得显而易见。然而，示例实施方式可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文阐述的描述。
虽然比如“第一”和“第二”这样的术语可以用来描述各种组件，但是这些组件不应局限于上述术语。以上术语用于区分一个组件与另一个组件。
如本文所使用的单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。
应当理解，如本文所使用的术语“包含(comprise)”、“包含(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括(including)”指定了所述特征或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征或组件的添加。
应进一步理解，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，它可以直接或间接在另一层、区域或组件上。也就是说，例如，可以存在中间层、区域或组件。
为了便于描述，附图中元件的尺寸可以放大或缩小。换句话说，由于附图中组件的尺寸和厚度是为了描述方便而任何阐释出的，因此以下实施方式不限于此。
在本公开中，“A和/或B”可包括“A”、“B”或“A和B”。另外，在本公开中，“A和B中的至少一个”可包括“A”、“B”或“A和B”。
在以下公开中，应当理解，当线被称为“沿第一方向或第二方向延伸”时，它不仅可以以线性形状延伸，还可以以之字形或曲线沿第一方向或第二方向延伸。
在以下公开中，“平面图”表示从上方观察目标物体的一部分，并且“截面图”表示垂直切割目标物体的一部分，并且从侧面观察该截面。在以下公开中，术语“重叠”包括在平面图和截面图中的重叠。
现在将参考附图更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。附图中相同的附图标记表示相同的元件。
图1是示意性阐释根据一些示例实施方式的显示设备的透视图。
参考图1，显示设备1可包括显示区DA和显示区DA外部的外周区DPA。显示区DA可包括组件区CA和至少部分围绕组件区CA的主显示区MDA。组件区CA和主显示区MDA中的每一个可单独或一起显示图像。外周区DPA可为其中没有布置显示元件的一种类型的非显示区。显示区DA可以完全被外周区DPA围绕。
图1阐释了一个组件区CA位于主显示区MDA中。根据一些示例实施方式，显示设备1可包括两个或更多个组件区CA，并且组件区CA的形状和尺寸可彼此不同。当在基本上垂直于显示设备1的顶部表面的方向(例如，平面图，或者相对于显示区DA的显示表面的平面垂直的方向)上观察时，组件区CA可以具有各种形状，比如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状比如四边形形状、星形形状或者钻石形状。而且，图1阐释了当在基本上垂直于显示设备1的顶部表面的方向上观看时，组件区CA布置在具有基本上矩形形状的主显示区MDA的上中心(在+y方向上)处；然而，组件区CA可以布置在具有矩形形状的主显示区MDA的一侧处，例如，在其右上侧处或其左上侧处。
显示设备1可以通过使用布置在主显示区MDA中的多个主子像素Pm和布置在组件区CA中的多个辅助子像素Pa来显示图像。
如下参考图2所述，在组件区CA中，作为电子元件的组件40可以布置在对应于组件区CA的显示面板10下方。组件40可以包括成像装置，例如使用红外光或可见光的照相机。可选地，组件40可以包括太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近传感器或虹膜传感器。可选地，组件40可以具有接收声音的功能。为了最小化组件40的功能限制，组件区CA可以包括透射区TA，该透射区TA可以传输从组件40向外部输出的光和/或声音或者从外部向组件40传播的光和/或声音。在根据一些示例性实施方式的显示面板和包括显示面板的显示设备的情况下，当光透射通过组件区CA时，组件区CA或透射区TA的透光率可以是约10％或更多，例如，约40％或更多、约25％或更多、约50％或更多、约85％或更多或者约90％或更多。
多个辅助子像素Pa可以布置在组件区CA中。多个辅助子像素Pa可以通过发光来提供特定图像。在组件区CA中显示的图像可以是辅助图像，并且可以具有比在主显示区MDA中显示的图像更低的分辨率。也就是说，组件区CA可以包括光和声音可以传输的透射区TA，并且当没有子像素布置在透射区TA中时，可以布置在组件区CA中的每单位面积的辅助子像素Pa的数量可以小于布置在主显示区MDA中的每单位面积的主子像素Pm的数量。
图2为示意性阐释根据一些示例实施方式的显示设备的一部分的截面图。
参考图2，显示设备1可包括显示面板10和与显示面板10重叠的组件40。用于保护显示面板10的覆盖窗口50可进一步布置在显示面板10上方。
显示面板10可包括与组件40重叠的组件区CA和显示主图像的主显示区MDA。显示面板10可包括基板100，基板100上的显示层DISL，触摸屏层TSL，光学功能层OFL，覆盖窗口50和布置在基板100下方的面板保护构件PB。
显示层DISL可包括包含薄膜晶体管TFT和TFT'的电路层PCL，包括发光二极管OLED和OLED'作为显示元件的显示元件层EDL以及封装构件ENCM比如薄膜封装层TFEL或封装基板。绝缘层IL和IL'可布置在显示层DISL中以及在基板100和显示层DISL之间。
基板100可包括绝缘材料，比如聚合物树脂，并且可包括能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。
主薄膜晶体管TFT和连接到其的主发光二极管OLED可布置在显示面板10的主显示区MDA中以实现主子像素Pm，并且辅助薄膜晶体管TFT'和连接到其的辅助发光二极管OLED'可布置在组件区CA中以实现辅助子像素Pa。其中布置有辅助子像素Pa的组件区CA的区可被称为辅助显示区。
在组件区CA中，可以布置其中没有布置显示元件的透射区TA。透射区TA可以是从组件40输出的光/信号或输入到对应于组件区CA布置的组件40的光/信号传输通过的区。辅助显示区和透射区TA可以交替地布置在组件区CA中。
底部金属层BML可布置在组件区CA中。底部金属层BML可被布置成对应于辅助薄膜晶体管TFT'的底部。例如，底部金属层BML可布置在辅助薄膜晶体管TFT'和基板100之间。底部金属层BML可防止外部光到达辅助薄膜晶体管TFT'。根据一些示例实施方式，可将恒定电压或信号施加到底部金属层BML，以防止由于静电放电而损坏像素电路。
显示元件层EDL可被薄膜封装层TFEL或封装基板覆盖。根据一些示例实施方式，薄膜封装层TFEL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，如图2中所阐释的。根据一些示例实施方式，薄膜封装层TFEL可包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及其间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的一种或多种无机绝缘材料。有机封装层132可包括聚合物类材料。聚合物类材料可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。
当显示元件层EDL被封装基板封装时，封装基板可被布置成面对基板100，其间具有显示元件层EDL。间隙可在封装基板和显示元件层EDL之间。封装基板可包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可布置在基板100和封装基板之间，并且密封剂可布置在上述外周区DPA中。布置在外周区DPA中的密封剂可围绕显示区DA，以防止或减少水分或其他污染物渗透穿过其侧表面的情况。
触摸屏层TSL可被配置为根据外部输入例如触摸事件获得坐标信息。触摸屏层TSL可包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏层TSL可根据自电容方法或互电容方法来感测外部输入。
触摸屏层TSL可布置在薄膜封装层TFEL上。可选地，触摸屏层TSL可单独形成在触摸基板上，然后通过比如光学透明粘合剂(OCA)的粘合层耦合到薄膜封装层TFEL上。根据一些示例实施方式，触摸屏层TSL可直接形成在薄膜封装层TFEL上，并且在该情况下，粘合层可不在触摸屏层TSL和薄膜封装层TFEL之间。
可提供光学功能层OFL以改善可见性。光学功能层OFL可包括抗反射层。抗反射层可配置为降低从外部向显示设备1入射的光(外部光)的反射率。
根据一些示例实施方式，抗反射层可包括偏振膜。偏振膜可包括线性偏振板和相位延迟膜比如四分之一波长(λ/4)板。相位延迟膜可在触摸屏层TSL上，并且线性偏振板可在相位延迟膜上。
根据一些示例实施方式，抗反射层可包括过滤器层，该过滤器层包括黑色基质和滤色器。可以考虑从显示设备1的每个像素发射的光的颜色来布置滤色器。例如，过滤器层可包括红色、绿色或蓝色的滤色器。
根据一些示例实施方式，抗反射层可包括相消干涉结构。相消干涉结构可包括布置在不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可彼此相消干涉，因此，可降低外部光反射率。
覆盖窗口50可布置在显示面板10上方以保护显示面板10。光学功能层OFL可用光学透明粘合剂附接至覆盖窗口50，或者可用光学透明粘合剂附接至触摸屏层TSL。
面板保护构件PB可附接在基板100下方，以支撑和保护基板100。面板保护构件PB可包括对应于组件区CA的开口PB_OP。因为面板保护构件PB包括开口PB_OP，所以可改善组件区CA的透光率。面板保护构件PB可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
组件区CA可具有比布置组件40的面积更大的面积。相应地，包括在面板保护构件PB中的开口PB_OP的面积可与组件区CA的面积不匹配。
而且，多个组件40可布置在组件区CA中。多个组件40可具有不同的功能。例如，多个组件40可包括照相机(成像装置)、太阳能电池、闪光灯、接近传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
图3为示意性阐释可包括在图1的显示设备中的显示面板的平面图。
参考图3，构成显示面板10的各种组件可布置在基板100上方。基板100可包括显示区DA和围绕显示区DA的外周区DPA。显示区DA可以包括其上显示主图像的主显示区MDA，以及包含透射区TA并且其上显示辅助图像的组件区CA。辅助图像可以与主图像一起形成单个完整图像，或者可以是独立于主图像的图像。也就是说，辅助图像和主图像可以各自形成图像的子部分，使得它们共同形成图像的整体，或者辅助图像和主图像可以单独或独立地显示不是同一图像的一部分的单独图像。
多个主子像素Pm可布置在主显示区MDA中。多个主子像素Pm中的每一个可由显示元件比如有机发光二极管OLED实现。多个主子像素Pm中的每一个可发射，例如，红光、绿光、蓝光或白光。主显示区MDA可被封装构件ENCM覆盖，因此可被保护免受周围空气、水分或污染物等的影响。
组件区CA可如上述位于主显示区MDA的一侧上，或可布置在显示区DA中并被主显示区MDA围绕。多个辅助子像素Pa可布置在组件区CA中。多个辅助子像素Pa中的每一个可由显示元件比如辅助有机发光二极管OLED'实现。多个辅助子像素Pa中的每一个可发射，例如，红光、绿光、蓝光或白光。组件区CA可被封装构件ENCM覆盖，因此可被保护免受周围空气或水分等的影响。
此外，组件区CA可包括透射区TA。透射区TA可布置成围绕多个辅助子像素Pa。可选地，透射区TA可以以具有多个辅助子像素Pa的网格形式布置。
因为组件区CA具有透射区TA，所以组件区CA的分辨率可低于主显示区MDA的分辨率。例如，组件区CA的分辨率可为主显示区MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9或1/16。例如，主显示区MDA的分辨率可为约400ppi或更高，并且组件区CA的分辨率可为约200ppi或约100ppi。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路可分别电连接到布置在外周区DPA中的外周电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD、驱动电压供应线11和公共电压供应线13可布置在外周区DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以通过扫描线SL向驱动子像素Pm和Pa的每个像素电路施加扫描信号。第一扫描驱动电路SDRV1可以通过发射控制线EL向每个像素电路施加发射控制信号。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于主显示区MDA位于第一扫描驱动电路SDRV1的相对侧上，并且可以基本上平行于第一扫描驱动电路SDRV1。主显示区MDA的主子像素Pm的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，而其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。组件区CA的辅助子像素Pa的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1，而其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。可以省略第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可布置在基板100的一侧处。端子部分PAD可通过没有被绝缘层覆盖而暴露，以连接到显示电路板30。显示驱动器32可布置在显示电路板30上。
显示驱动器32可产生传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可产生数据信号，并且所产生的数据信号可通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL传输到子像素Pm和Pa的像素电路。
显示驱动器32可向驱动电压供应线11供应驱动电压ELVDD(见图4)，并且可向公共电压供应线13供应公共电压ELVSS(见图4)。驱动电压ELVDD可通过连接到驱动电压供应线11的驱动电压线PL施加到子像素Pm和Pa的像素电路，并且公共电压ELVSS可以施加到公共电压供应线13以施加到显示元件的相对电极。
可提供驱动电压供应线11以在主显示区MDA下方沿x方向延伸。公共电压供应线13可具有一侧开放的环形形状，并且可围绕主显示区MDA的一部分。
尽管图3阐释了存在一个组件区CA的情况，但是可提供多个组件区CA。在该情况下，多个组件区CA可布置成彼此间隔开，第一照相机可对应于一个组件区CA布置，并且第二照相机可对应于另一组件区CA布置。可选地，照相机可对应于一个组件区CA布置，并且红外传感器可对应于另一组件区CA布置。多个组件区CA的形状和尺寸可彼此不同。
此外，组件区CA可具有多边形形状。例如，组件区CA可具有八边形形状。组件区CA可具有任何多边形形状，比如四角形形状或六边形形状。组件区CA可被主显示区MDA围绕。
图4和图5为根据一些示例实施方式的驱动子像素的像素电路的等效电路图。
参考图4，像素电路PC可连接到有机发光二极管OLED以实现子像素的发光。像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管T2可连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn，将通过数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1。
存储电容器Cst可连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储对应于从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供应给驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之差的电压。
驱动薄膜晶体管T1可连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流经有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有一定亮度的光。
尽管图4阐释像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是根据本公开的实施方式不限于此。例如，根据一些示例实施方式，在不脱离根据本公开的实施方式的精神和范围的情况下，像素电路PC可包括附加的晶体管、电容器或其他电子组件。
参考图5，像素电路PC可包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图5阐释了每个像素电路PC包括信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL，初始化电压线VL和驱动电压线PL，但是根据本公开的实施方式不限于此。根据一些示例实施方式，信号线，也就是说扫描线SL、前一扫描线SL-1、下一扫描线SL+1、发射控制线EL和数据线DL中的至少一条，或/和初始化电压线VL可在相邻像素电路之间共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可经发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机发光二极管OLED。驱动薄膜晶体管T1可根据开关薄膜晶体管T2的开关操作接收数据信号Dm，并且向有机发光二极管OLED供应驱动电流。
开关薄膜晶体管T2的栅电极可连接到扫描线SL，并且其源电极可连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极，并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2可根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并且执行将从数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极，并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到有机发光二极管OLED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可连接到存储电容器Cst的任何一个电极，第一初始化薄膜晶体管T4的源电极以及驱动薄膜晶体管T1的栅电极。补偿薄膜晶体管T3可以根据通过扫描线SL接收的扫描信号Sn导通，并将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接，从而实现驱动薄膜晶体管T1的二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可连接到存储电容器Cst的任何一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可根据通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1导通，以通过向驱动薄膜晶体管T1的栅电极传输初始化电压Vint来执行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6可根据通过发射控制线EL接收的发射控制信号En同时导通，使得驱动电压ELVDD可传输到有机发光二极管OLED，并且驱动电流可流过有机发光二极管OLED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可根据通过下一扫描线SL+1接收的下一扫描信号Sn+1导通来初始化有机发光二极管OLED的像素电极。
尽管图5阐释了其中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描信号SL+1的情况，但是根据本公开的实施方式不限于此。根据一些示例实施方式，第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7都可连接到前一扫描线SL-1以根据前一扫描信号Sn-1来驱动。
存储电容器Cst的任何一个电极可连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。存储电容器Cst的另一电极可连接到驱动电压线PL。
有机发光二极管OLED的相对电极(例如，阴极电极)可接收公共电压ELVSS。有机发光二极管OLED可从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流以发光。
像素电路PC不限于参考图4和图5描述的薄膜晶体管和存储电容器的组件数量和电路设计，并且在不脱离根据本公开的实施方式的精神和范围的情况下，可以对其电子组件的数量和电路设计进行各种修改。
驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可以以相的同方式提供，或者可以不同的方式提供。例如，驱动主子像素Pm和辅助子像素Pa的像素电路PC可被提供为图5中所阐释的像素电路PC。根据一些示例实施方式，驱动主子像素Pm的像素电路PC可使用图5中所阐释的像素电路PC，并且驱动辅助子像素Pa的像素电路PC可使用图4中所阐释的像素电路PC。
图6为示意性阐释根据一些示例实施方式的主显示区中的像素布置结构的布置图。
多个主子像素Pm可布置在主显示区MDA中。在说明书中，子像素可指作为用于实现图像的最小单位的发射区。当有机发光二极管用作显示元件时，发射区可由像素限定层的开口来限定。这将在下面更详细地描述。
如图6中所阐释，布置在主显示区MDA中的主子像素Pm可布置成蜂窝状(PenTile)结构。主子像素Pm可包括第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb，并且第一子像素Pr、第二子像素Pg和第三子像素Pb可分别实现红色、绿色和蓝色。
多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb可交替地布置在第一行1N中，多个第二子像素Pg可以以一定间隔布置在与第一行1N相邻的第二行2N中，并且多个第三子像素Pb和多个第一子像素Pr可交替地布置在与第二行2N相邻的第三行3N中，多个第二子像素Pg可以以一定间隔布置在与第三行3N相邻的第四行4N中，并且这种像素布置可以重复到第N行NN。在该情况下，第一子像素Pr和第三子像素Pb可大于第二子像素Pg。
布置在第一行1N中的多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb，以及布置在第二行2N的多个第二子像素Pg可交替地布置。因此，多个第一子像素Pr和多个第三子像素Pb可交替地布置在第一列1M中，多个第二子像素Pg可以以一定间隔布置在与第一列1M相邻的第二列2M中，并且多个第三子像素Pb和多个第一子像素Pr可交替地布置在与第二列2M相邻的第三列3M中，多个第二子像素Pg可以以一定间隔布置在与第三列3M相邻的第四列4M中，并且这种像素布置可重复到第M列MM。
当该像素布置结构被不同地表达时，可以说在以第二子像素Pg的中心点作为其中心点的虚拟正方形VS的顶点中，第一子像素Pr布置在彼此面对的第一顶点和第三顶点处，并且第三子像素Pb布置在第二顶点和第四顶点处，即虚拟正方形VS的其他顶点。在这种情况下，虚拟正方形VS可以被不同地修改成矩形或菱形等。
该像素布置结构可称为蜂窝状矩阵结构或蜂窝状结构。通过应用其中像素的颜色通过共享其相邻像素的颜色来表现的渲染，可以通过少量像素获得高分辨率。
尽管图6阐释了多个主子像素Pm以蜂窝状矩阵结构布置，但是根据本公开的实施方式不限于此。例如，多个主子像素Pm可以以各种形式布置，比如条纹结构、马赛克布置结构和三角形布置结构。
图7和图8为示意性阐释根据一些示例实施方式的组件区中的像素布置结构的布置图。
参考图7，多个辅助子像素Pa可布置在组件区CA中。每个辅助子像素Pa可发射红色、绿色、蓝色和白色中的任何一种的光。
组件区CA可包括像素组PG和透射区TA，像素组PG包括至少一个辅助子像素Pa。像素组PG和透射区TA可在x方向和y方向上交替地布置，并且可以例如以网格形式布置。在该情况下，组件区CA可包括多个像素组PG和多个透射区TA。
像素组PG可被定义为其中多个辅助子像素Pa以预设单位绑定的子像素组。例如，如图7中所阐释，一个像素组PG可包括以蜂窝状结构布置的八个辅助子像素Pa。也就是说，一个像素组PG可包括两个第一子像素Pr'、四个第二子像素Pg'和两个第三子像素Pb'。
在组件区CA中，可以在x方向和y方向上重复布置基础单元U，在该基础单元U中绑定了一定数量的像素组PG和一定数量的透射区TA。在图7中，基础单元U可以具有这样的形式，其中两个像素组PG和布置在其周围的两个透射区TA以正方形形状结合。基础单元U是重复形式的划分，并不意味着配置的断开。
可以在主显示区MDA中设置与基础单元U具有相同面积的相应单元U’。在这种情况下，包括在相应单元U’中的主子像素Pm的数量可以大于包括在基础单元U中的辅助子像素Pa的数量。也就是说，包括在基础单元U中的辅助子像素Pa的数量可以是16，而包括在相应单元U’中的主子像素Pm的数量可以是32，使得每个相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量可以是1∶2的比例。
其中辅助子像素Pa的布置结构是如图7中所阐释的蜂窝状结构并且其分辨率是主显示区MDA的分辨率的1/2的组件区CA的像素布置结构将被称为1/2蜂窝状结构。像素组PG中包括的辅助子像素Pa的数量或布置可以根据组件区CA的分辨率来修改。
参考图8，组件区CA的像素布置结构可为1/4蜂窝状结构。根据一些示例实施方式，八个辅助子像素Pa可在像素组PG中以蜂窝状结构布置，但是基础单元U中可以仅包括一个像素组PG。基础单元U的剩余区可以被提供为透射区TA。因此，每个相同面积布置的辅助子像素Pa的数量和主子像素Pm的数量可以是1∶4的比例。在这种情况下，一个像素组PG可以被透射区TA围绕。
尽管图7和图8阐释了多个辅助子像素Pa以蜂窝状矩阵结构布置，但是根据本公开的实施方式不限于此。例如，多个辅助子像素Pa可以以各种形式布置，比如条纹结构、马赛克布置结构和三角形布置结构。
而且，尽管图7和图8阐释了辅助子像素Pa的尺寸等于图6的主子像素Pm的尺寸，但是根据本公开的实施方式不限于此。辅助子像素Pa的尺寸可大于发射相同颜色的主子像素Pm的尺寸。例如，辅助子像素Pa的第三子像素Pb'的尺寸可大于主子像素Pm的第三子像素Pb的尺寸。可以考虑组件区CA和主显示区MDA之间的明度和/或分辨率的差异来设计它们之间的尺寸差异。
图9为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区。
参考图9，显示面板10可包括主显示区MDA和组件区CA。主子像素Pm可布置在主显示区MDA中，并且组件区CA可包括辅助子像素Pa和透射区TA。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PC，以及作为连接到主像素电路PC的显示元件的主有机发光二极管OLED可布置在主显示区MDA中。包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PC'，以及作为连接到辅助像素电路PC'的显示元件的辅助有机发光二极管OLED'可布置在组件区CA中。
根据一些示例实施方式，有机发光二极管用作显示元件；然而，在其他实施方式中，无机发光装置或量子点发光装置可用作显示元件。
下文，将描述包括在显示面板10中的组件堆叠的结构。显示面板10可包括基板100、缓冲层111、电路层PCL、显示元件层EDL和作为封装构件ENCM的薄膜封装层TFEL的堆叠。
基板100可包括绝缘材料，比如聚合物树脂。基板100可包括能够弯曲、折叠或卷曲等的柔性基板。
根据一些示例实施方式，基板100可包括按顺序堆叠的第一层101、第一阻挡层102、第二层103和第二阻挡层104。
第一层101和第二层103可包括具有高耐热性的聚合物树脂。例如，第一层101和第二层103可包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳族酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素和聚芳醚砜中的至少一种。例如，第一层101和第二层103可包括聚酰亚胺。第一阻挡层102和第二阻挡层104可阻挡外部空气的渗透。
缓冲层111可位于基板100上并且可减少或防止外来物质、水分或环境空气从基板100下面的渗入，并且可在基板100上提供平坦的表面。缓冲层111可包括无机材料比如氧化物或氮化物、有机材料或者有机-无机复合材料，并且可具有包含无机材料或有机材料的单层结构或多层结构。根据一些示例实施方式，缓冲层111可包括硅氧化物(SiOX)或硅氮化物(SiNX)。根据一些示例实施方式，缓冲层111可包括硅氧化物(SiOX)和硅氮化物(SiNX)的堆叠。
在组件区CA中，底部金属层BML可布置在基板100和缓冲层111之间。底部金属层BML可以位于辅助像素电路PC’下面，并且可以防止或减少辅助薄膜晶体管TFT'的特性由于例如从组件40发射的光而退化的情况。而且，底部金属层BML可以防止或减少从组件40等发出的或导向组件40的光通过连接到辅助像素电路PC’的线之间的狭窄间隙被衍射的情况。底部金属层BML可不在透射区TA中。
偏置电压可施加到底部金属层BML。通过接收偏置电压，底部金属层BML可以显著降低静电放电发生的概率。底部金属层BML可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)。底部金属层BML可为包含上面材料的单层或多层。
电路层PCL可布置在缓冲层111上方并且可包括像素电路PC和PC'、第一绝缘层112、第二绝缘层113、第三绝缘层115和第一平坦化层117。主像素电路PC可包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst，并且辅助像素电路PC'可包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和/或辅助薄膜晶体管TFT'可在缓冲层111上方。主薄膜晶体管TFT可包括第一半导体层A1、第一栅电极G1、第一源电极S1和第一漏电极D1，并且辅助薄膜晶体管TFT'可包括第二半导体层A2、第二栅电极G2、第二源电极S2和第二漏电极D2。主薄膜晶体管TFT可连接到主有机发光二极管OLED并且可驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可连接到辅助有机发光二极管OLED'以驱动辅助有机发光二极管OLED'。
第一半导体层A1和第二半导体层A2可布置在缓冲层111上方并且可包括多晶硅。根据一些示例实施方式，第一半导体层A1和第二半导体层A2可包括非晶硅。根据一些示例实施方式，第一半导体层A1和第二半导体层A2可包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)中的至少一种的氧化物。第一半导体层A1和第二半导体层A2可包括掺杂有掺杂剂的沟道区以及源区和漏区。
第二半导体层A2可与底部金属层BML重叠，其间有缓冲层111。根据一些示例实施方式，第二半导体层A2的宽度可小于底部金属层BML的宽度，因此，第二半导体层A2可在垂直于基板100的方向上与底部金属层BML完全重叠。
可提供第一绝缘层112以覆盖第一半导体层A1和第二半导体层A2。第一绝缘层112可包括无机绝缘材料，比如硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的一种或多种。第一绝缘层112可包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
第一栅电极G1和第二栅电极G2可布置在第一绝缘层112上方以分别与第一半导体层A1和第二半导体层A2重叠。第一栅电极G1和第二栅电极G2可包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可包括单层或多层。根据一些示例实施方式，第一栅电极G1和第二栅电极G2可包括钼(Mo)单层。
可提供第二绝缘层113以覆盖第一栅电极G1和第二栅电极G2。第二绝缘层113可包括无机绝缘材料，比如硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的一种或多种。第二绝缘层113可包括包含上述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的第一上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的第二上电极CE2'可布置在第二绝缘层113上方。
在主显示区MDA中，第一上电极CE2可与布置在其下方的第一栅电极G1重叠。彼此重叠且其间具有第二绝缘层113的第一栅电极G1和第一上电极CE2可构成主存储电容器Cst。根据一些示例实施方式，第一栅电极G1可为主存储电容器Cst的第一下电极CE1。根据一些示例实施方式，主存储电容器Cst的第一下电极CE1可为与主薄膜晶体管TFT的第一栅电极G1分开的独立组件。
在组件区CA中，第二上电极CE2'可与布置在其下方的第二栅电极G2重叠。彼此重叠且其间具有第二绝缘层113的第二栅电极G2和第二上电极CE2'可构成辅助存储电容器Cst'。根据一些示例实施方式，第二栅电极G2可为辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'。根据一些示例实施方式，辅助存储电容器Cst'的第二下电极CE1'可为与辅助薄膜晶体管TFT'的第二栅电极G2分开的独立组件。
第一上电极CE2和第二上电极CE2'可包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可包括上述材料的单层或多层。
可提供第三绝缘层115以覆盖第一上电极CE2和第二上电极CE2'。第三绝缘层115可包括无机绝缘材料，比如硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的一种或多种。
当第一绝缘层112、第二绝缘层113和第三绝缘层115共同称为无机绝缘层IL时，无机绝缘层IL可包括对应于透射区TA的第一孔H1。第一孔H1可暴露基板100或缓冲层111的顶部表面的一部分。第一孔H1可通过将第一绝缘层112的开口、第二绝缘层113的开口和第三绝缘层115的开口重叠以对应于透射区TA。这些开口可以通过单独的工艺单独形成，或者可以通过相同的工艺同时形成。当开口在单独的工艺中形成时，第一孔H1的内表面可不光滑，并且可具有阶梯状台阶。
此外，根据一些示例实施方式，缓冲层111可包括对应于透射区TA的缓冲孔H0。缓冲孔H0可暴露基板100的顶部表面的一部分。缓冲孔H0的面积可小于第一孔H1的面积。因为缓冲层111和无机绝缘层IL包括对应于透射区TA的第一孔H1和缓冲孔H0，所以可改善组件区CA的透光率。
数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可布置在第三绝缘层115上方。数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可包括导电材料，该导电材料包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或钛(Ti)等，并且可包括包含上述材料的单层或多层。例如，数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可包括钛(Ti)/铝(Al)/钛(Ti)的多层结构。
第一平坦化层117可布置成覆盖数据线DL、源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。第一平坦化层117可具有平坦的顶部表面，使得布置在其上方的第一像素电极121和第二像素电极121'可以是平坦的。
第一平坦化层117可包括有机材料或无机材料，并且可具有单层结构或多层结构。第一平坦化层117可包括通用聚合物比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)，具有酚基的聚合物衍生物，丙烯酸聚合物，酰亚胺类聚合物，芳基醚类聚合物，酰胺类聚合物，氟类聚合物，对二甲苯类聚合物或者乙烯醇类聚合物。此外，第一平坦化层117可包括无机绝缘材料，比如硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的一种或多种。当形成第一平坦化层117时，在形成层之后，可在该层的顶部表面上执行化学机械抛光以提供平坦的顶部表面。
第一平坦化层117可包括对应于透射区TA的第二孔H2。第二孔H2可与第一孔H1重叠。图9阐释了第二孔H2大于第一孔H1。根据一些示例实施方式，可提供第一平坦化层117以覆盖无机绝缘层IL的第一孔H1的边缘，使得第二孔H2的面积可小于第一孔H1的面积。
第一平坦化层117可包括用于暴露主薄膜晶体管TFT的第一源电极S1和第一漏电极D1中的任何一个的通孔，并且第一像素电极121可通过经由通孔接触第一源电极S1或第一漏电极D1而电连接到主薄膜晶体管TFT。而且，第一平坦化层117可包括用于暴露辅助薄膜晶体管TFT'的第二源电极S2和第二漏电极D2中的任何一个的通孔，并且第二像素电极121'可通过经由通孔接触第二源电极S2或第二漏电极D2而电连接到辅助薄膜晶体管TFT'。
第一像素电极121和第二像素电极121'可包括导电氧化物比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。第一像素电极121和第二像素电极121'可包括反射层，该反射层包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其任何化合物。例如，第一像素电极121和第二像素电极121'可具有包括在反射层上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的层的结构。在该情况下，第一像素电极121和第二像素电极121'可具有氧化铟锡(ITO)/银(Ag)/氧化铟锡(ITO)按顺序堆叠的结构。
像素限定层119可覆盖第一平坦化层117上方的第一像素电极121和第二像素电极121'的边缘，并且可包括用于分别暴露第一像素电极121和第二像素电极121'的至少一部分的第一开口OP1和第二开口OP2。第一开口OP1和第二开口OP2可分别限定有机发光二极管OLED和OLED'的发射区，也就是说，子像素Pm和Pa的尺寸和形状。
像素限定层119可增加像素电极121和121'的边缘与像素电极121和121'上方的相对电极123之间的距离，以防止像素电极121和121'的边缘出现电弧等。像素限定层119可通过旋涂等由有机绝缘材料比如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(HMDSO)或酚醛树脂形成。而且，根据一些示例实施方式，可在像素限定层119上方进一步提供间隔物。
像素限定层119可包括对应于透射区TA的第三孔H3。第三孔H3可与第一孔H1和第二孔H2重叠。可通过位于透射区TA中的第一孔H1至第三孔H3改善透射区TA中的透光率。下面描述的相对电极123的一部分可布置在第一孔H1至第三孔H3的内表面处。
第一发射层122b和第二发射层122b'可布置在像素限定层119的第一开口OP1和第二开口OP2内部，以分别对应于第一像素电极121和第二像素电极121'。第一发射层122b和第二发射层122b'可包括高分子量有机材料或低分子量有机材料，并且可发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层122e可布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方和/或下方。有机功能层122e可包括第一功能层122a和/或第二功能层122c。可省略第一功能层122a或第二功能层122c。
第一功能层122a可布置在第一发射层122b和第二发射层122b'下方。第一功能层122a可包括包含有机材料的单层或多层。第一功能层122a可包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可选地，第一功能层122a可包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层122a可一体提供为对应于包括在主显示区MDA中的主有机发光二极管OLED和包括在组件区CA中的辅助有机发光二极管OLED'。
第二功能层122c可布置在第一发射层122b和第二发射层122b'上方。第二功能层122c可包括包含有机材料的单层或多层。第二功能层122c可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层122c可一体提供为对应于包括在主显示区MDA中的主有机发光二极管OLED和包括在组件区CA中的辅助有机发光二极管OLED'。
相对电极123可布置在第二功能层122c上方。相对电极123可包括具有低功函的导电材料。例如，相对电极123可包括(半)透明层，(半)透明层包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或其任何合金。可选地，相对电极123可在包含任何上述材料的(半)透明层上进一步包括包含比如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。相对电极123可一体形成为对应于包括在主显示区MDA中的主有机发光二极管OLED和包括在组件区CA中的辅助有机发光二极管OLED'。
形成在主显示区MDA中的从第一像素电极121到相对电极123的层可构成主有机发光二极管OLED。形成在组件区CA中的从第二像素电极121'到相对电极123的层可构成辅助有机发光二极管OLED'。
包含有机材料的封盖层可形成在相对电极123上方。可提供封盖层以保护相对电极123并改善光提取效率。封盖层可包含折射率高于相对电极123的折射率的有机材料。
相对电极123可包括对应于透射区TA的透射孔TAH。对应于透射区TA的透射孔TAH可理解为与透射区TA重叠的透射孔TAH。图9阐释了透射孔TAH的面积大于形成在无机绝缘层IL中的第一孔H1的面积。然而，根据本公开的实施方式不限于此。根据一些示例实施方式，透射孔TAH的面积可小于或等于第一孔H1的面积。
由于透射孔TAH，相对电极123的一部分可不在透射区TA中，因此，透射区TA中的透光率可显著改善。包括透射孔TAH的相对电极123可以以各种方式形成。根据一些示例实施方式，在用于形成相对电极123的材料沉积在基板100的整个表面上之后，可以通过激光剥离来去除对应于透射区TA的沉积材料的一部分，因此可形成具有透射孔TAH的相对电极123。根据一些示例实施方式，具有透射孔TAH的相对电极123可通过金属自图案化(MSP)形成。根据一些示例实施方式，包括透射孔TAH的相对电极123可通过使用精细金属掩模(FMM)沉积相对电极123来形成。
组件区CA的底部金属层BML可被提供为对应于整个组件区CA。在该情况下，底部金属层BML可包括与透射区TA重叠的底部孔BMLH。根据一些示例实施方式，透射区TA的形状和尺寸可由底部孔BMLH的形状和尺寸来限定。
作为封装构件ENCM的薄膜封装层TFEL可布置在显示面板10的显示元件层EDL上方。也就是说，有机发光二极管OLED和OLED'可由薄膜封装层TFEL封装。薄膜封装层TFEL可布置在相对电极123上方。薄膜封装层TFEL可防止外部水分或外来物质渗透进入有机发光二极管OLED和OLED'。
薄膜封装层TFEL可包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层，就此而言，图9阐释了其中第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133堆叠的结构。根据一些示例实施方式，有机封装层的数量、无机封装层的数量及其堆叠顺序可改变。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可包括无机绝缘材料比如硅氧化物(SiOX)、硅氮化物(SiNX)、硅氮氧化物(SiOXNY)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)和氧化锌(ZnO2)中的一种或多种，并且可通过化学气相沉积(CVD)等形成。有机封装层132可包括聚合物类材料。聚合物类材料的实例可包括硅酮树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可一体形成以覆盖主显示区MDA和组件区CA。相应地，第一无机封装层131和有机封装层132可布置在无机绝缘层IL的第一孔H1中。而且，第一无机封装层131和有机封装层132可布置在第一平坦化层117的第二孔H2中以及在像素限定层119的第三孔H3中。
图10为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区。关于图10描述的实施方式与关于图9描述的实施方式的不同之处在于，在第一平坦化层117和像素限定层119之间进一步提供了第二平坦化层118以及接触电极CM和CM'。在图10中，与图9中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，为了简明起见，可以省略其一些冗余描述。
参考图10，第二平坦化层118可布置在第一平坦化层117上方。第二平坦化层118可具有平坦的顶部表面，使得布置在其上方的第一像素电极121和第二像素电极121'可以是平坦的。根据一些示例实施方式，第二平坦化层118可与第一平坦化层117包括相同的材料。根据一些示例实施方式，第二平坦化层118可与第一平坦化层117包括不同的材料。因为第二平坦化层118进一步提供在第一平坦化层117上方，所以可以有相对高的集成度。
第二平坦化层118可包括对应于透射区TA的第四孔H4。第四孔H4可与第一孔H1和第二孔H2重叠。图10阐释了第四孔H4大于第一孔H1和第二孔H2。根据一些示例实施方式，可提供第二平坦化层118以覆盖无机绝缘层IL的第一孔H1的边缘或第一平坦化层117的第二孔H2的边缘，使得第四孔H4的面积可小于第一孔H1或第二孔H2的面积。
接触电极CM和CM'可布置在第一平坦化层117上方。第一像素电极121和第二像素电极121'可通过布置在第一平坦化层117上方的接触电极CM和CM'分别电连接到主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'。
图11为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图。
参考图11，无机绝缘层IL、第一平坦化层117、第二平坦化层118和像素限定层119可分别包括对应于透射区TA的第一孔H1至第四孔H4。因为第一孔H1至第四孔H4被提供为对应于透射区TA，所以可改善组件区CA的透光率；然而，由于第一孔H1至第四孔H4被提供为对应于透射区TA，在透射区TA、主显示区MDA和除透射区TA之外的组件区CA之间可能出现台阶，因此布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度可降低。例如，随着布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的有机封装层132的平坦度降低，布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40会失焦。
根据一些示例实施方式，像素限定层119可布置在第二平坦化层118上方，并且可具有距第二平坦化层118的上表面约1.3μm至约2μm的厚度t1。当像素限定层119具有距第二平坦化层118的上表面小于约1.3μm的厚度时，像素限定层119可能无法保持其厚度和面积，因此可能坍塌。而且，当像素限定层119具有距第二平坦化层118的上表面大于约2μm的厚度时，由于像素限定层119的厚度，构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性可能被抑制，因此有机材料可能不会流向透射区TA，并且因此布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度可能降低。因此，因为像素限定层119具有距第二平坦化层118的上表面约1.3μm至约2μm的厚度t1，所以可以防止像素限定层119塌陷，并且可以改善构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性，以改善布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度。也就是说，由于像素限定层119具有距第二平坦化层118的上表面约1.3μm至约2μm的厚度t1，所以构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料可以更好地流向透射区TA，从而可以改善布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度。
而且，当在像素限定层119上方进一步提供间隔物时，像素限定层119的厚度和间隔物的厚度之和可以为距第二平坦化层118的上表面约1.3μm至约2μm的厚度t1。
根据一些示例实施方式，像素限定层119可布置在第二平坦化层118上方，并且像素限定层119的侧表面可以相对于第二平坦化层118的上表面形成约30度至约40度的角度θ。当像素限定层119的侧表面和第二平坦化层118的上表面之间的角度小于约30度时，像素限定层119可能无法保持其厚度和面积，因此可能塌陷。而且，当像素限定层119的侧表面和第二平坦化层118的上表面之间的角度大于约40度时，构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性可能被抑制，因此有机材料可能不会流向透射区TA，因此布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度可能降低。因此，因为像素限定层119的侧表面和第二平坦化层118的上表面之间的角度为约30度至约40度，所以可以防止像素限定层119塌陷，并且可以改善构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性，以改善布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度。因此，由于像素限定层119的侧表面和第二平坦化层118的上表面之间的角度为约30度至约40度，所以构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性可以得到改善，因此布置在透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度可以得到改善。
因为根据一些示例实施方式的像素限定层119布置在第一像素电极121和第二像素电极121'上方，所以像素限定层119的侧表面与第一像素电极121和第二像素电极121'的上表面之间的角度也可为约30度至约40度。
根据一些示例实施方式，为了确保透射区TA上方的薄膜封装层TFEL的平坦度，也就是说，为了确保透射区TA上方的有机封装层132的平坦度，用于形成有机封装层132的更大量的有机材料可以施加在透射区TA中，而不是施加在主显示区MDA和除透射区TA之外的组件区CA中。而且，用于形成有机封装层132的有机材料可以通过透射区TA中比主显示区MDA和除透射区TA之外的组件区CA中更大的区来施加。
根据一些示例实施方式，透射区TA上方的有机封装层132可具有平坦的上表面132a。也就是说，透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a可以是平坦的。因为透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a是平坦的，所以可以防止布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40失焦。
图12为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图。关于图12描述的实施方式与关于图11描述的实施方式的不同之处在于，透射区TA上方的有机封装层132包括凹面部分135。在图12中，与图11中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，为了简明起见，可以省略其一些冗余描述。
参考图12，透射区TA上方的有机封装层132可包括凹面部分135。透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a可以是凹面的。
根据一些示例实施方式，从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132b到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132c的距离d1可大于约0μm并且小于或等于约2μm。当从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132b到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132c的距离d1大于约2μm时，布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40可能失焦。而且，当从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132b到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132c的距离d1约为0μm时，有机封装层132的上表面132a可能不被认为是凹面的。因此，因为从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132b到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132c的距离d1大于约0μm并且小于或等于2μm，所以可以防止布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40失焦。
因为透射区TA上方的有机封装层132包括凹面部分135，因此透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a是凹面的，所以有机封装层132上方的第二无机封装层133也可以是凹面的。
图13为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其对应于图10的区域A的放大的截面图。关于图13描述的实施方式与关于图11描述的实施发生的不同之处在于，透射区TA上方的有机封装层132包括凸面部分137。在图13中，与图11中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，为了简明起见，可以省略其一些冗余描述。
参考图13，透射区TA上方的有机封装层132可包括凸面部分137。透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a可以是凸面的。
根据一些示例实施方式，从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132e到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132d的距离d2可以大于约0μm并且小于或等于约2μm。当从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132e到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132d的距离d2大于约2μm时，布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的元件40可能失焦。而且，当从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132e到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132d的距离d2为约0μm时，有机封装层132的上表面132a可能不被认为是凸面的。因此，因为从透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a的底部表面132e到有机封装层132的上表面132a的顶部表面132d的距离d2大于约0μm并且小于或等于2μm，所以可以防止布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40失焦。
因为透射区TA上方的有机封装层132包括凸面部分137，因此透射区TA上方的有机封装层132的上表面132a为凸面的，所以有机封装层132上方的第二无机封装层133也可以是凸面的。
图14为阐释根据一些示例实施方式的显示面板的一部分的截面图，其示意性阐释主显示区和组件区。关于图14描述的实施方式与关于图9描述的实施方式的不同之处在于，触摸屏层TSL可以进一步布置在薄膜封装层TFEL上。在图14中，与图9中的附图标记相同的附图标记表示相同的构件，因此，为了简明起见，可以省略其一些冗余描述。
参考图14，触摸屏层TSL可布置在薄膜封装层TFEL上方。触摸屏层TSL可包括第一触摸绝缘层210、第二触摸绝缘层230和第三触摸绝缘层250。而且，触摸屏层TSL可包括布置在第一触摸绝缘层210和第二触摸绝缘层230之间的第一触摸电极220以及布置在第二触摸绝缘层230和第三触摸绝缘层250之间的第二触摸电极240。根据一些示例实施方式，第一触摸电极220和第二触摸电极240可通过限定在第二触摸绝缘层230中的接触孔电连接。第一触摸电极220和第二触摸电极240可以至少部分地与布置在其下方的像素限定层119重叠。
触摸屏层TSL可包括驱动电极和感测电极。触摸屏层TSL可以通过两层互电容方法来驱动，其中驱动信号被施加到驱动电极，然后通过感测电极感测在互电容器中充电的电压。触摸屏层TSL的第一触摸电极220和第二触摸电极240可以是驱动电极或感测电极。
根据一些示例实施方式，因为像素限定层119具有约1.3μm至约2μm的厚度，并且像素限定层119的侧表面以约30度至约40度的角度提供，所以构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性可以被改善，以改善布置在透射区TA上方的有机封装层132的平坦度。
而且，通过改善构成薄膜封装层TFEL的有机封装层132的有机材料的铺展性，以改善布置在透射区TA上方的有机封装层132的平坦度，可以防止布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40失焦。
而且，可以根据布置在对应于组件区CA的显示面板10下方的组件40的特性来调整透射区TA上方的有机封装层132的上表面的平坦度和形状。
如上述，在根据一些示例实施方式的显示面板和包括显示面板的显示设备中，可以通过减小像素限定层的厚度来确保对应于透射区的有机封装层的平坦度。
应理解，本文描述的实施方式应该仅被认为是描述性的，而不是为了限制的目的。每个实施方式中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其他实施方式中的其他类似特征或方面。虽然已经参照附图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等同物限定的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。

Claims (26)

1.一种显示面板，包括主显示区、包含透射区的组件区和所述主显示区外部的外周区，所述显示面板包括：
基板；
无机绝缘层，在所述基板上方且包括对应于所述透射区的第一孔；
平坦化层，在所述无机绝缘层上方；
像素限定层，在所述平坦化层上方且具有1.3μm至2μm的厚度；以及
薄膜封装层，在所述像素限定层上方，
其中所述像素限定层的侧表面和所述平坦化层的上表面之间的角度为30度至40度。
2.如权利要求1所述的显示面板，其中所述像素限定层具有距所述平坦化层的所述上表面的1.3μm至2μm的厚度。
3.如权利要求1所述的显示面板，其中第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层按顺序堆叠在所述薄膜封装层中，并且所述有机封装层在所述第一孔中。
4.如权利要求3所述的显示面板，其中所述平坦化层包括对应于所述透射区的第二孔，所述像素限定层包括对应于所述透射区的第三孔，并且所述有机封装层在所述第二孔和所述第三孔中。
5.如权利要求4所述的显示面板，其中所述透射区上方的所述有机封装层具有平坦的上表面。
6.如权利要求4所述的显示面板，其中所述透射区上方的所述有机封装层包括凹面部分。
7.如权利要求6所述的显示面板，其中从所述有机封装层的上表面的底部表面到所述有机封装层的所述上表面的顶部表面的距离大于0μm并且小于或等于2μm。
8.如权利要求4所述的显示面板，其中所述透射区上方的所述有机封装层包括凸面部分。
9.如权利要求8所述的显示面板，其中从所述有机封装层的上表面的底部表面到所述有机封装层的所述上表面的顶部表面的距离大于0μm并且小于或等于2μm。
10.如权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
对应于所述主显示区的所述平坦化层上方的主显示元件；和
对应于所述组件区的所述平坦化层上方的辅助显示元件。
11.如权利要求10所述的显示面板，其中所述主显示元件包括第一像素电极，所述辅助显示元件包括第二像素电极，并且所述像素限定层暴露所述第一像素电极和所述第二像素电极的至少一部分。
12.如权利要求1所述的显示面板，进一步包括所述薄膜封装层上方的触摸屏层，
其中第一触摸绝缘层、第二触摸绝缘层和第三触摸绝缘层按顺序堆叠在所述触摸屏层中，并且
所述触摸屏层包括在所述第一触摸绝缘层和所述第二触摸绝缘层之间的第一触摸电极以及在所述第二触摸绝缘层和所述第三触摸绝缘层之间的第二触摸电极。
13.如权利要求12所述的显示面板，其中所述第一触摸电极和所述第二触摸电极至少部分地与所述像素限定层重叠。
14.如权利要求1所述的显示面板，进一步包括底部金属层，所述底部金属层布置在所述组件区中的所述基板和所述无机绝缘层之间，并且包括对应于所述透射区的底部孔。
15.一种显示面板，包括主显示区、包含透射区的组件区和所述主显示区外部的外周区，所述显示面板包括：
基板；
无机绝缘层，在所述基板上方且包括对应于所述透射区的第一孔；
像素限定层，布置在所述无机绝缘层上方且具有1.3μm至2μm的厚度；以及
薄膜封装层，在所述像素限定层上方且包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层，
其中所述有机封装层包括凹面部分或凸面部分。
16.如权利要求15所述的显示面板，其中从所述有机封装层的上表面的底部表面到所述有机封装层的所述上表面的顶部表面的距离大于0μm并且小于或等于2μm。
17.如权利要求15所述的显示面板，进一步包括在所述无机绝缘层和所述像素限定层之间的平坦化层，
其中所述像素限定层具有距所述平坦化层的上表面1.3μm至2μm的厚度。
18.如权利要求17所述的显示面板，其中所述像素限定层的侧表面和所述平坦化层的所述上表面之间的角度为30度至40度。
19.如权利要求15所述的显示面板，其中所述有机封装层在所述第一孔中。
20.一种显示设备，包括：
显示面板，所述显示面板包括主显示区，包含透射区的组件区和所述主显示区外部的外周区；以及
组件，在所述显示面板下方以对应于所述组件区，
所述显示面板包括：
基板；
无机绝缘层，在所述基板上方且包括对应于所述透射区的第一孔；
平坦化层，在所述无机绝缘层上方；
像素限定层，在所述平坦化层上方且具有1.3μm至2μm的厚度；以及
薄膜封装层，在所述像素限定层上方，
其中所述像素限定层的侧表面和所述平坦化层的上表面之间的角度为30度至40度。
21.如权利要求20所述的显示设备，其中所述组件包括成像装置或传感器。
22.如权利要求20所述的显示设备，其中所述像素限定层具有距所述平坦化层的所述上表面1.3μm至2μm的厚度。
23.如权利要求20所述的显示设备，其中第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层按顺序堆叠在所述薄膜封装层中，并且所述有机封装层在所述第一孔中。
24.如权利要求23所述的显示设备，其中所述透射区上方的所述有机封装层具有平坦的上表面。
25.如权利要求23所述的显示设备，其中所述透射区上方的所述有机封装层包括凹面部分或凸面部分。
26.如权利要求25所述的显示设备，其中从所述有机封装层的上表面的底部表面到所述有机封装层的所述上表面的顶部表面的距离大于0μm并且小于或等于2μm。
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