KR20180083459A - 증착용 마스크 어셈블리 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 내로우 베젤의 표시 장치를 구현할 수 있는 증착용 마스크 어셈블리에 관한 것으로, 개구 영역을 정의하는 프레임; 프레임 상에 배치되며, 개구 영역과 중첩하는 복수의 패턴부 및 복수의 패턴부를 정의하는 제 1 바디부를 포함하는 제 1 오픈 마스크; 및 제 1 오픈 마스크 상에 배치되며, 복수의 패턴부와 중첩하는 복수의 개구부 및 복수의 개구부를 정의하는 제 2 바디부를 포함하는 제 2 오픈 마스크;를 포함하고, 복수의 패턴부는 각각 제 1 바디부와 이격되어 배치된 보조 패턴 및 제 1 바디부와 보조 패턴을 연결하는 제 1 브릿지 패턴을 포함한다.
Description
본 발명은 증착용 마스크 어셈블리에 관한 것이다.
표시 장치는 발광 방식에 따라 액정 표시 장치(liquid crystal display, LCD), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode display, OLED display), 플라즈마 표시 장치(plasma display panel, PDP) 및 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display) 등으로 분류된다.
그 중 유기 발광 표시 장치는 콘트라스트 비(Contrast Ratio)와 응답 속도(response time) 등의 표시 특성이 우수하며, 플렉서블 디스플레이(Flexible Display)의 구현이 용이하여 이상적인 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
일반적으로 유기 발광 표시 장치는 기판 상에 유기 재료로 이루어진 여러 층의 박막을 음극과 양극이 싸고 있는 구조로 이루어져 있으며, 음극과 양극에 전압을 인가하면 전류가 흐르게 되면서 유기 박막 내에서 발광 현상이 발생하게 된다. 즉, 전류 주입에 의해 유기 분자가 여기 상태(excited state)로 들뜨게 되었다가 다시 원래의 기저 상태(ground state)로 돌아오면서 여분의 에너지를 빛으로 방출하게 된다. 이와 같이, 여러 층의 유기 박막을 포함하고 있는 유기 발광 표시 장치를 형성하기 위해서는, 기판 전체에 걸쳐 균일한 두께로 유기 박막을 증착하는 것이 중요하다.
이러한 증착 공정에 사용되는 마스크의 종류로는, 각 표시 장치의 표시 영역 내에서 위치에 따른 정밀 패터닝을 진행할 때 사용되는 파인 메탈 마스크(fine metal mask, FMM)와, 표시 영역 전체에 걸쳐서 공통 박막층을 형성할 때 사용되는 오픈 마스크(open mask)가 있다. 예를 들어, 발광층과 같이 표시 영역 내의 정해진 화소 위치에만 정밀하게 증착 물질을 증착해야 하는 경우, 상기 파인 메탈 마스크가 사용된다. 반면, 전자 주입층, 전자 수송층, 정공 주입층, 정공 수송층과 같이 표시 영역 전체에 걸쳐서 증착 물질을 증착하는 경우, 그 전체 영역이 개방되어 있는 오픈 마스크가 사용된다.
최근, 내로우 베젤(narrow bezel)을 갖는 표시 장치가 요구됨에 따라, 카메라 홀, 센서 홀, LED 홀 및 스피커 홀 중 적어도 어느 하나가 표시 장치의 표시 영역 내에 위치할 수 있다. 이에 따라, 상기 홀에 대응하는 패턴을 포함하는 오픈 마스크를 제작할 필요가 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 내로우 베젤의 표시 장치를 구현할 수 있는 증착용 마스크 어셈블리를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 표시 장치는, 개구 영역을 정의하는 프레임; 프레임 상에 배치되며, 개구 영역과 중첩하는 복수의 패턴부 및 복수의 패턴부를 정의하는 제 1 바디부를 포함하는 제 1 오픈 마스크; 및 제 1 오픈 마스크 상에 배치되며, 복수의 패턴부와 중첩하는 복수의 개구부 및 복수의 개구부를 정의하는 제 2 바디부를 포함하는 제 2 오픈 마스크;를 포함하고, 복수의 패턴부는 각각 제 1 바디부와 이격되어 배치된 보조 패턴 및 제 1 바디부와 보조 패턴을 연결하는 제 1 브릿지 패턴을 포함한다.
제 1 바디부는 제 2 바디부와 실질적으로 동일한 형태를 갖는다.
보조 패턴은 평면상에서 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형태를 갖는다.
제 1 브릿지 패턴은 복수의 라인을 포함한다.
복수의 라인은 가상의 동일 직선 상에 배치된다.
패턴부는 제 1 브릿지 패턴과 평행하는 제 2 브릿지 패턴을 더 포함한다.
복수의 라인은 가상의 직선으로 연장 시 서로 평행한다.
복수의 라인은 가상의 직선으로 연장 시 서로 교차한다.
제 1 브릿지 패턴은 평면상에서 격자 형태를 갖는다.
제 2 오픈 마스크의 두께와 복수의 라인 중 어느 하나의 라인의 폭의 비는 1:1 내지 1:10이다.
제 2 오픈 마스크는 50um 내지 200um의 두께를 갖는다.
보조 패턴은 제 1 보조 패턴 및 제 2 보조 패턴을 포함한다.
제 1 보조 패턴은 평면상에서 제 2 보조 패턴과 다른 크기를 갖는다.
제 1 및 제 2 오픈 마스크는 각각 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어진다.
제 1 오픈 마스크는 제 2 오픈 마스크와 동일한 물질로 이루어진다.
제 1 오픈 마스크는 제 2 오픈 마스크와 일체로 형성된다.
본 발명에 따른 증착용 마스크 어셈블리는 제 1 및 제 2 오픈 마스크를 포함하여, 내로우 베젤을 갖는 표시 장치의 공통 박막층을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 나타낸 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 3a는 도 2의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3b는 도 2의 II-II` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 표시 장치의 증착 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 제조되는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 3a는 도 2의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 3b는 도 2의 II-II` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 표시 장치의 증착 공정을 설명하기 위한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 제조되는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 따라서, 몇몇 실시예에서, 잘 알려진 공정 단계들, 잘 알려진 소자 구조 및 잘 알려진 기술들은 본 발명이 모호하게 해석되는 것을 피하기 위하여 구체적으로 설명되지 않는다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 예를 들면, 도면에 도시되어 있는 소자를 뒤집을 경우, 다른 소자의 "아래(below)"또는 "아래(beneath)"로 기술된 소자는 다른 소자의 "위(above)"에 놓여질 수 있다. 따라서, 예시적인 용어인 "아래"는 아래와 위의 방향을 모두 포함할 수 있다. 소자는 다른 방향으로도 배향될 수 있고, 이에 따라 공간적으로 상대적인 용어들은 배향에 따라 해석될 수 있다.
본 명세서에서 제 1, 제 2, 제 3 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 이러한 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소들로부터 구별하는 목적으로 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 벗어나지 않고, 제 1 구성 요소가 제 2 또는 제 3 구성 요소 등으로 명명될 수 있으며, 유사하게 제 2 또는 제 3 구성 요소도 교호적으로 명명될 수 있다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않은 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하, 도 1 내지 도 3b을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리에 대하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 나타낸 분해 사시도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이며, 도 3a는 도 2의 I-I` 선을 따라 자른 단면도이고, 도 3b는 도 2의 II-II` 선을 따라 자른 단면도이다.
도 1 내지 도 3b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리(10)는 프레임(100), 제 1 오픈 마스크(200) 및 제 2 오픈 마스크(300)를 포함한다. 이하에서, 설명의 편의상 프레임(100)의 장변 방향을 제 1 방향(D1), 프레임(100)의 단변 방향을 제 2 방향(D2), 프레임(100)의 두께 방향을 제 3 방향(D3)이라 한다.
프레임(100)은 프레임(100)의 중앙에 위치하는 개구 영역(101)을 정의한다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 프레임(100)은 증착 대상물인 기판에 대응하여 사각 형태를 가질 수 있고, 기판의 증착 공정을 수행할 수 있도록 중앙에 사각형의 개구 영역(101)을 가질 수 있다.
프레임(100) 상에 제 1 오픈 마스크(200) 및 제 2 오픈 마스크(300)가 배치된다. 제 1 및 제 2 오픈 마스크(200, 300)는 제 1 및 제 2 방향(D1, D2)으로 인장력을 받으면서 프레임(100) 상에 고정될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 오픈 마스크(200, 300)는 각각 용접 방식으로 고정될 수 있다. 용접은 점 용접(Spot Welding)일 수 있다. 점 용접은 복수의 용접 포인트를 설정하여 각각 용접함으로써, 용접 시 제 1 및 제 2 오픈 마스크(200, 300)의 변형을 최소화할 수 있다. 용접 포인트는, 예를 들어, 적어도 하나의 열(Column) 또는 지그재그(Zigzag) 형태로 이루어질 수 있다.
이에 따라, 프레임(100)은 제 1 및 제 2 방향(D1, D2)으로 인장력의 반작용인 압축력을 받을 수 있으며, 용접 시 발생하는 열에 의한 변형이 발생할 수 있다. 따라서, 프레임(100)은 프레임(100)에 작용하는 압축력 또는 열에 의한 변형을 최소화하기 위하여, 강성이 큰 금속으로 이루어진다.
제 1 오픈 마스크(200)는 복수의 패턴부(210) 및 복수의 패턴부(210)를 정의하는 제 1 바디부(220)를 포함한다.
복수의 패턴부(210)는 개구 영역(101)과 중첩한다. 이때, 하나의 패턴부(210)는 하나의 표시 장치 영역에 대응된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(200)는 8개의 패턴부(210)를 가질 수 있으며, 이에 따라, 제 1 오픈 마스크(200)는 8개의 표시 장치 영역에 대응되는 크기를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 공정 조건에 따라 패턴부(210)의 수 및 크기가 결정될 수 있다.
복수의 패턴부(210)는 각각 보조 패턴(211) 및 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)을 포함한다. 복수의 패턴부(210)는 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
보조 패턴(211)은 제 1 바디부(220)와 이격되어 배치된다. 보조 패턴(211)은 평면상에서 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 보조 패턴(211)은 평면상에서 원형의 형태를 가질 수 있다.
보조 패턴(211)은 표시 장치의 전면에 배치되는 공통 박막층을 형성하기 위한 증착 공정 시 표시 장치의 표시 영역과 중첩하며, 표시 장치의 표시 영역 내에 위치하는 어느 하나의 홀과 대응된다. 이때, 홀은 표시 장치의 카메라 홀, 센서 홀, LED 홀 및 스피커 홀 중 어느 하나일 수 있다.
상세하게는, 최근 내로우 베젤(narrow bezel)을 갖는 표시 장치가 요구됨에 따라, 카메라 홀, 센서 홀, LED 홀 및 스피커 홀 중 적어도 어느 하나가 표시 장치의 표시 영역 내에 위치할 수 있다. 이때, 오픈 마스크를 이용한 증착 공정 시, 표시 영역 내에 위치하는 상기 홀에는 증착 물질이 증착되지 않아야 한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(200)는 보조 패턴(211)을 포함함으로써, 표시 영역 내에 위치하는 홀과 대응되는 영역에 증착 물질이 증착되지 않을 수 있다.
보조 패턴(211)의 크기는 상기 홀의 크기를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 3a에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 원형 보조 패턴(211)의 직경(d1)은 증착 공정 시 발생하는 쉐도우(shadow) 현상을 고려하여, 표시 장치의 표시 영역 내에 위치하는 홀의 직경보다 크게 형성될 수 있다.
제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)은 보조 패턴(211)과 제 1 바디부(220)를 연결한다. 이에 따라, 증착 공정 시, 보조 패턴(211)의 위치가 고정될 수 있다. 상세하게는, 증착 공정 시, 보조 패턴(211)의 위치가 표시 장치의 카메라 홀, 센서 홀, LED 홀 및 스피커 홀 중 적어도 어느 하나와 대응되는 위치에 고정될 수 있다.
제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)은 복수의 라인을 포함한다. 이때, 복수의 라인은 가상의 동일 직선 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 라인 중 어느 하나를 제 1 라인(212a)이라고 정의하고, 다른 하나의 라인을 제 2 라인(212b)이라고 정의할 때, 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)은 제 2 방향(D2)을 따라 연장된 가상의 직선(L1) 상에 배치될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)은 서로 다른 가상의 직선 상에 배치될 수도 있다.
제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)은 공통 박막층을 형성하기 위한 증착 공정 시 표시 장치의 표시 영역 및 비표시 영역과 중첩할 수 있다. 다만, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)은, 보조 패턴(211)과는 달리, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)과 중첩하는 표시 영역 및 비표시 영역에 증착 물질이 증착되는 것을 방해하지 않는다. 즉, 보조 패턴(211)과 대응되는 영역을 제외한 표시 장치의 전면에 공통 박막층이 형성될 수 있다.
따라서, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)의 크기는 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)과 중첩하는 표시 영역 및 비표시 영역에 증착 물질이 증착되는 것을 방해하지 않는 범위 내에서 결정될 수 있다. 즉, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)을 이루는 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)의 폭은 각각 증착 물질이 증착되는 것을 방해하지 않는 범위 내에서 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 3b에 도시된 바와 같이, 제 2 라인(212b)의 폭(W1)은 증착 공정 시 발생하는 쉐도우(shadow) 현상을 고려하여 결정될 수 있다. 이에 대하여는 뒤에서 자세하게 설명하기로 한다.
제 1 바디부(220)는 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 제 1 바디부(220)는 보조 패턴(211) 및 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)과 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 제 1 바디부(220)는 보조 패턴(211) 및 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)과 일체로 형성될 수 있다.
보조 패턴(211), 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b) 및 제 1 바디부(220)에 의해 제 1 오픈 마스크(200)의 개구 패턴(213)이 정의될 수 있다. 증착 물질은 개구 패턴(213)을 통과하여 후술할 기판(S) 상에 증착될 수 있다.
제 2 오픈 마스크(300)는 복수의 개구부(310) 및 복수의 개구부(310)를 정의하는 제 2 바디부(320)를 포함한다.
복수의 개구부(310)는 복수의 패턴부(210)와 각각 중첩한다. 이때, 하나의 개구부(310)는 하나의 표시 장치 영역에 대응된다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 오픈 마스크(300)는 8개의 개구부(310)를 가질 수 있으며, 이에 따라, 제 2 오픈 마스크(300)는 8개의 표시 장치 영역에 대응되는 크기를 가질 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 표시 장치의 공정 조건에 따라 개구부(310)의 수 및 크기가 결정될 수 있다. 증착 물질은 복수의 개구부(310)를 통과하여 후술할 기판(S) 상에 증착될 수 있다.
제 2 바디부(320)는 제 1 바디부(220)와 실질적으로 동일한 형태를 가질 수 있다. 2 바디부(320)는 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제 2 바디부(320)는 제 1 바디부(220)와 별개로 형성된 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제 2 바디부(320)는 제 1 바디부(220)와 일체로 형성될 수 있다. 즉, 제 2 오픈 마스크(300)는 제 1 오픈 마스크(200)와 일체로 형성될 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하는 표시 장치의 증착 공정에 대하여 상세히 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하는 표시 장치의 증착 공정을 설명하기 위한 단면도이다. 이때, 도 5는 도 2의 II-II`에 대응한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착 공정 장비는 증착용 마스크 어셈블리(10), 마그넷 유닛(420), 고정 부재(430), 증착원(440) 및 챔버(450)를 포함한다.
증착용 마스크 어셈블리(10)는 프레임(100), 제 1 오픈 마스크(200) 및 제 2 오픈 마스크(300)를 포함하고, 증착원(440)과 마주보도록 챔버(450) 내의 상부에 위치한다.
마그넷 유닛(420)은 증착 대상물인 기판(S)을 사이에 두고 증착용 마스크 어셈블리(10)와 대향하여 위치한다. 마그넷 유닛(420)으로부터의 자기력을 통해, 증착용 마스크 어셈블리(10)의 제 2 오픈 마스크(300)가 기판(S)과 밀착될 수 있다.
고정 부재(430)는 증착용 마스크 어셈블리(10)의 가장자리를 지지한다. 고정 부재(430)는 증착원(440)으로부터 기판(S)으로 공급되는 증착 물질의 이동 경로 외측에 배치된다.
증착원(440)은 증착용 마스크 어셈블리(10)의 하부에 위치하고, 제 1 오픈 마스크(200)의 개구 패턴(213) 및 제 2 오픈 마스크(300)의 개구부(310)를 통해 증착 물질을 기판(S)으로 공급한다. 즉, 챔버(450) 내의 상부에 위치하는 기판(S)의 증착면을 향해 증착 물질을 공급한다.
증착원(440)은 내부에 증착 물질을 포함하는 가열 용기(crucible) 형태로서, 열로 증착 물질을 증발시켜 기판(S)에 증착시킬 수 있다. 증착 공정 장비는 증착 물질을 가열시키기 위한 히터(미도시)를 더 포함할 수 있다. 히터(미도시)는 증착원(440)의 양측에 구비되어, 증착원(440)을 가열하여 증착원(440) 내에 담겨있는 증착 물질을 가열하여 승화시키는 역할을 한다.
챔버(450)는 증착 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 챔버(450)는 증착 공정 시 챔버(450) 내부를 진공 상태로 유지하도록 TMP(Turbo Molecular Pump)와 같은 진공 펌프(미도시)와 연결된다. 챔버(450)는 내부의 벽면을 둘러싸도록 배치된 방착판(미도시)을 더 포함할 수 있다. 방착판은 증착원(440)으로부터 분출되는 증착 물질 중 기판(S)에 증착되지 않은 증착 물질이 챔버(450) 내부 벽면에 흡착되는 것을 방지한다.
기판(S)은 증착용 마스크 어셈블리(10) 상에 위치한다. 기판(S)은 증착용 마스크 어셈블리(10)의 개구 영역(101)에 중첩되도록 배치될 수 있다.
도시되지 않았으나, 증착 공정 장비는 증발하는 증착 물질의 속도를 측정하기 위한 두께 센서(thickness monitoring sensor), 측정된 두께에 따라 증착원(440)을 제어하는 두께 컨트롤러(thickness controller), 증착원(440)으로부터의 증발된 증착 물질을 차단할 수 있는 셔터(shutter) 등을 더 포함할 수 있다. 또한, 증착 공정 장비는 기판(S)과 증착용 마스크 어셈블리(10)를 정렬시키기 위하여, 정렬기(aligner) 및 챔버(450)의 외부에는 배치되는 CCD 카메라를 더 포함할 수 있다.
기판(S)의 증착면에 증착 물질이 증착되는 과정을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 증착용 마스크 어셈블리(10)를 고정 부재(430)에 고정하고, 제 2 오픈 마스크(300)의 상부에 기판(S)을 배치한다.
이어서, 챔버(450) 내의 하부에 위치하는 증착원(440)이 증착용 마스크 어셈블리(10)를 향하여 증착 물질을 분사한다. 상세하게는, 증착원(440)과 연결된 히터에 전원을 인가하면, 증착 물질이 담겨 있는 증착원(440)이 가열되고, 이에 따라 증착 물질이 가열 및 승화되어 증착용 마스크 어셈블리(10)를 향하여 분사된다. 이때, 챔버(450) 내부는 높은 진공도 및 높은 온도로 유지된다.
증착 물질이 분사되면, 제 1 오픈 마스크(200)의 개구 패턴(213) 및 제 2 오픈 마스크(300)의 개구부(310)를 통해 기판(S)의 증착면에 증착 물질이 증착된다. 이때, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리(10)는 패턴부(210)를 포함하는 제 1 오픈 마스크(200)를 포함함으로써, 보조 패턴(211)과 대응되는 영역을 제외한 기판(S)의 전면에 공통 박막층이 형성될 수 있다.
상세하게는, 제 1 오픈 마스크(200)는 증착 공정 시 표시 장치의 표시 영역과 중첩하며, 표시 장치의 표시 영역 내에 위치하는 어느 하나의 홀과 대응되는 보조 패턴(211)을 포함함으로써, 표시 영역 내에 위치하는 홀과 대응되는 영역에 증착 물질이 증착되지 않을 수 있다.
또한, 제 1 오픈 마스크(200)는 증착 공정 시 표시 장치의 표시 영역 및 비표시 영역과 중첩하는 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)을 포함한다. 이때, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)을 이루는 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)의 폭은 상기 중첩되는 영역에서 증착 물질이 증착되는 것을 방해하지 않는 범위 내에서 결정될 수 있다.
예를 들어, 5에 도시된 바와 같이, 제 1 오픈 마스크(200)의 두께를 제 1 두께(T1)라고 정의하고, 제 2 오픈 마스크(300)의 두께를 제 2 두께(T2)라고 정의할 때, 제 1 오픈 마스크(200)의 제 2 라인(212b)과 기판(S) 사이의 간격(G1)은 제 2 두께(T2)와 동일하다. 이에 따라, 단면 상에서 제 2 라인(212b)과 기판(S)이 제 2 두께(T2)만큼 이격되어 배치됨으로써, 제 2 라인(212b)과 기판(S)의 중첩 영역에서도 쉐도우(shadow) 현상을 통해 기판(S) 상에 증착 물질이 증착될 수 있다.
제 2 오픈 마스크(300)의 제 2 두께(T2)와 제 2 라인(212b)의 폭(W1)의 비(T2:W1)는 약 1:1 내지 1:10일 수 있다. 이때, 제 2 오픈 마스크(300)는 각각 50um 내지 200um의 두께를 가질 수 있다. 제 2 오픈 마스크(300)의 제 2 두께(T2)가 50um보다 작은 경우, 제 2 라인(212b)과 기판(S) 사이의 간격(G1)이 감소하여 쉐도우 현상이 작게 나타난다. 이에 따라, 제 2 라인(212b)과 기판(S)의 중첩 영역의 적어도 일부에서 기판(S) 상에 증착 물질이 증착되지 않을 수 있다. 반면, 제 2 오픈 마스크(300)의 제 2 두께(T2)가 200um보다 큰 경우, 증착용 마스크 어셈블리(10)의 전체 두께가 증가하여 증착의 정밀도가 감소할 수 있다.
또한, 제 2 라인(212b)의 폭(W1)은 제 2 라인(212b)과 기판(S) 사이의 간격(G1), 제 1 오픈 마스크(200)의 강성 및 공정 마진을 고려하여 결정될 수 있다. 제 2 라인(212b)의 폭(W1)이 지나치게 작은 경우, 제 1 오픈 마스크(200)의 강성이 낮아져 반복적인 이송, 정렬 및 세정에 따른 제 1 오픈 마스크(200)의 변형이 발생할 수 있다. 반면, 제 2 라인(212b)의 폭(W1)이 지나치게 큰 경우, 제 2 라인(212b)과 기판(S)의 중첩 영역이 증가하여 중첩 영역의 적어도 일부에서 기판(S) 상에 증착 물질이 증착되지 않을 수 있다.
이에 따라, 제 2 오픈 마스크(300)의 제 2 두께(T2) 및 제 2 라인(212b)의 폭(W1)을 조절하여, 제 2 라인(212b)과 기판(S)의 중첩 영역에서 증착 물질이 증착되지 않는 것을 막을 수 있다. 즉, 제 1 오픈 마스크(200)와 기판(S) 사이의 간격 및 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)의 폭을 조절함으로써, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b)과 기판(S)의 중첩 영역에서도 기판(S) 상에 증착 물질이 증착될 수 있다.
따라서, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리(10)는 패턴부(210)를 포함하는 제 1 오픈 마스크(200)를 포함함으로써, 보조 패턴(211)과 대응되는 영역을 제외한 기판(S)의 전면에 공통 박막층이 형성될 수 있다.
이하, 도 6을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 제조되는 유기 발광 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 어셈블리를 이용하여 제조되는 유기 발광 표시 장치를 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(600)는 베이스 기판(611), 배리어막(612), 반도체 활성층(613), 게이트 절연막(617), 층간 절연막(619), 소스 전극(620), 드레인 전극(621), 패시베이션막(622), 평탄화막(623), 화소 정의막(624), 유기 발광 소자(OLED) 및 밀봉부(640)를 포함한다.
베이스 기판(611)은 유연성을 가지는 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(611)은 폴리이미드(Polyimide, PI), 폴리카보네이트(Polycarbonate, PC), 폴리에테르설폰(Polyethersulphone, PES), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphthalate, PEN), 폴리아릴레이트(Polyarylate, PAR), 유리섬유 강화플라스틱(Fiber glass reinforced plastic, FRP) 등의 고분자 물질로 이루어질 수 있다. 또는, 베이스 기판(611)은 글래스 기판일 수 있다. 베이스 기판(611)은 투명하거나, 반투명하거나, 불투명할 수 있다.
배리어막(612)은 베이스 기판(611) 상에 배치된다. 배리어막(612)은 베이스 기판(611)의 상부면을 전체적으로 커버하도록 배치될 수 있다. 배리어막(612)은 무기막 또는 유기막으로 이루어질 수 있다. 배리어막(612)은 단일막으로 이루어지거나, 다층막으로 이루어질 수 있다. 예를 들면, 배리어막(612)은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 알루미늄나이트라이드(AlON) 등의 무기물이나, 아크릴, 폴리이미드, 폴리에스테르 등의 유기물 중에서 선택된 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
배리어막(612)은 산소와 수분을 차단하는 역할을 수행하고, 베이스 기판(611)을 통한 수분이나 불순물의 확산을 방지하고, 베이스 기판(611)의 상부에 평탄한 면을 제공한다. 배리어막(612) 상에는 박막 트랜지스터(Thin film transistor, TFT)가 형성된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터(TFT)는 탑 게이트(Top gate) 방식의 박막 트랜지스터(TFT)를 도시하고 있으나 이에 한정되는 것은 아니며, 바텀 게이트(Botton gate) 방식 등 다른 구조의 박막 트랜지스터(TFT)일 수 있다.
배리어막(612) 상에 반도체 활성층(613)이 배치된다. 반도체 활성층(613)은 소스 영역(614), 드레인 영역(615) 및 채널 영역(616)을 포함한다. 반도체 활성층(613)에 N형 또는 P형 불순물 이온을 도핑하여, 소스 영역(614) 및 드레인 영역(615)이 만들어진다. 소스 영역(614)과 드레인 영역(615) 사이의 영역은 불순물이 도핑되지 않는 채널 영역(616)이다.
반도체 활성층(613)은 폴리 실리콘 또는 아몰퍼스 실리콘으로 이루어질 수 있다. 또한, 반도체 활성층(613)은 산화물 반도체로 이루어질 수 있다. 예컨대, 산화물 반도체는 아연(Zn), 인듐(In), 갈륨(Ga), 주석(Sn), 카드뮴(Cd), 게르마늄(Ge), 하프늄(Hf)과 같은 4, 12, 13, 14족 금속 원소 및 이들의 조합에서 선택된 물질의 산화물을 포함할 수 있다.
반도체 활성층(613) 상에 게이트 절연막(617)이 배치된다. 게이트 절연막(617)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물이나, 금속 산화물과 같은 무기막을 포함할 수 있다. 게이트 절연막(617)은 단일층이나 다중층의 구조일 수 있다.
게이트 절연막(617) 상에 게이트 전극(618)이 배치된다. 게이트 전극(618)은 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd, Al, Mo, Cr 등의 단일막이나 다층막을 포함하거나, Al:Nd, Mo:W과 같은 합금을 포함할 수 있다.
게이트 전극(618) 상에 층간 절연막(619)이 배치된다. 층간 절연막(619)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물 등과 같은 절연성 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 층간 절연막(619)은 절연성 유기막으로 이루어질 수도 있다.
층간 절연막(619) 상에 소스 전극(620)과 드레인 전극(621)이 배치된다. 구체적으로, 게이트 절연막(617) 및 층간 절연막(619)에는 이들의 일부를 제거하여 콘택홀이 형성되고, 콘택홀을 통하여 소스 영역(614)과 소스 전극(620)이 전기적으로 연결되고, 드레인 영역(615)과 드레인 전극(621)이 전기적으로 연결될 수 있다.
소스 전극(620)과 드레인 전극(621) 상에 패시베이션막(622)이 배치된다. 패시베이션막(622)은 실리콘 산화물이나, 실리콘 질화물과 같은 무기막이나, 유기막으로 이루어질 수 있다.
패시베이션막(622) 상에 평탄화막(623)이 배치된다. 평탄화막(623)은 아크릴(acryl), 폴리이미드(polyimide), BCB(Benzocyclobutene) 등의 유기막을 포함한다.
박막 트랜지스터(TFT)의 상에 유기 발광 소자(OLED)가 형성될 수 있다. 유기 발광 소자(OLED)는 제 1 전극(625), 제 2 전극(627) 및 제 1 전극(625)과 제 2 전극(627) 사이에 개재되는 중간층(626)을 포함한다.
제 1 전극(625)은 콘택홀을 통하여 소스 전극(620)이나 드레인 전극(621)중 어느 한 전극에 전기적으로 연결되어 있다. 제 1 전극(625)은 화소 전극에 대응된다.
제 1 전극(625)은 애노드로 기능하는 것으로서, 다양한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 제 1 전극(625)은 투명 전극일 수 있고, 반사형 전극일 수도 있다. 예를 들어, 제 1 전극(625)이 투명 전극인 경우, 제 1 전극(625)은 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등을 포함할 수 있다. 제 1 전극(625)이 반사형 전극인 경우, 제 1 전극(625)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 및 이들의 화합물 등으로 반사막을 형성하고, 반사막의 상부에 ITO, IZO, ZnO, In2O3 등을 형성할 수 있다.
평탄화막(623) 상에 제 1 전극(625)의 가장자리를 덮도록 화소 정의막(Pixel define layer, PDL, 624)이 배치된다. 화소 정의막(624)은 제 1 전극(625)의 가장자리를 둘러싸는 것에 의하여 각 서브 화소의 발광 영역을 정의한다.
화소 정의막(624)은 유기물이나, 무기물로 이루어진다. 예를 들면, 화소 정의막(624)은 폴리이미드, 폴리아마이드, 벤조사이클로부텐, 아크릴 수지, 페놀 수지 등과 같은 유기물이나, SiNx와 같은 무기물로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(624)은 단일막으로 이루어지거나, 다중막으로 이루어질 수 있다.
제 1 전극(625) 상에 중간층(626)이 배치된다. 중간층(626)은 화소 정의막(624)의 일부를 에칭하는 것에 의하여 노출된 영역에 배치될 수 있다. 중간층(626)은 증착 공정에 의하여 만들어질 수 있다.
중간층(626)은 저분자 유기물이나, 고분자 유기물로 이루어질 수 있다. 중간층(626)은 유기 발광층(Emissive layer, EML)을 포함할 수 있다. 또한, 중간층(626)은 유기 발광층을 구비하고, 그 외에, 정공 주입층(Hole injection layer, HIL), 정공 수송층(Hole transport layer, HTL), 전자 수송층(Electron transport layer, ETL), 전자 주입층(Electron injection layer, EIL) 중 적어도 어느 하나를 더 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 이에 한정되지 않고, 중간층(626)이 유기 발광층을 포함하고, 기타 다양한 기능층을 더 포함할 수 있다.
중간층(626) 상에 제 2 전극(627)이 배치된다. 제 2 전극(627)은 공통 전극에 대응된다. 제 2 전극(627)은 투명 전극일 수 있다.
제 1 전극(625)은 각 화소 정의막(624)의 개구와 대응되는 형태로 배치될 수 있다. 반면에, 제 2 전극(627)은 기판(611)의 전면에 증착할 수 있다. 또는, 제 2 전극(627)은 전면 증착 대신에 특정한 패턴을 가질 수 있다. 제 1 전극(625)과 제 2 전극(627)은 위치가 서로 반대로 하여 적층될 수도 있다.
한편, 제 1 전극(625)과 제 2 전극(627)은 중간층(626)에 의하여 서로 절연되어 있다. 제 1 전극(625) 및 제 2 전극(627)에 전압이 인가되면, 중간층(626)에서 가시광이 발광하여 사용자가 인식할 수 있는 화상이 구현된다.
유기 발광 소자(OLED)의 상부에는 밀봉부(640, Encapsulation)가 배치된다. 밀봉부(640)는 외부의 수분이나 산소 등으로부터 중간층(626) 및 다른 박막들을 보호한다.
밀봉부(640)는 유기막이나, 무기막이 각각 적어도 한 층 적층된 구조일 수 있다. 예를 들어, 밀봉부(640)는 에폭시, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 폴리아크릴레이트 등과 같은 적어도 하나의 유기막(641, 642)과, 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트 라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 징크 옥사이드(ZnO) 등과 같은 적어도 하나의 무기막(643, 644, 645)이 적층된 구조일 수 있다.
밀봉부(640)는 유기막(641, 642)이 적어도 1층이고, 무기막(643, 644, 645)이 적어도 2층의 구조를 가질 수 있다. 밀봉부(640)중 외부로 노출된 최상층(645)은 유기 발광 소자에 대한 투습을 방지하기 위하여 무기막으로 이루어질 수 있다.
이하, 도 7을 참조하여, 본 발명의 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(201)의 복수의 패턴부(도 1의 210)는 각각 보조 패턴(211) 및 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b, 212c, 212d)을 포함한다.
제 1 브릿지 패턴(212a, 212b, 212c, 212d)은 복수의 라인을 포함한다. 이때, 복수의 라인 중 어느 두 개의 라인은 가상의 동일 직선 상에 배치되거나, 가상의 직선으로 연장 시 서로 평행할 수 있다. 예를 들어, 도 7에 도시된 바와 같이, 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 복수의 라인을 각각 제 1 내지 제 4 라인(212a, 212b, 212c, 212d)이라고 정의할 때, 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)은 제 1 방향(D1)을 따라 연장된 가상의 직선 상에 배치될 수 있고, 제 3 라인(212c) 및 제 4 라인(212d)은 제 1 방향(D1)을 따라 연장된 다른 가상의 직선 상에 배치될 수 있다. 이때, 제 1 라인(212a) 및 제 2 라인(212b)을 따라 연장된 가상의 직선은 제 3 라인(212c) 및 제 4 라인(212d)을 따라 연장된 다른 가상의 직선과 서로 평행할 수 있다.
본 발명의 다른 일 실시예에 따른 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b, 212c, 212d)은 네 개의 라인을 포함하는 것으로 도시되어 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 브릿지 패턴(212a, 212b, 212c, 212d)은 제 1 오픈 마스크(201)의 강성을 고려하여, 더 많은 수의 라인을 포함할 수 있다.
이하, 도 8을 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(202)의 복수의 패턴부(도 1의 210)는 복수의 보조 패턴(211a, 211b), 제 1 브릿지 패턴(212) 및 제 2 브릿지 패턴(214)을 포함한다.
복수의 보조 패턴(211a, 211b)은 제 1 보조 패턴(211a) 및 제 2 보조 패턴(211b)을 포함한다. 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)은 각각 제 1 바디부(220)와 이격되어 배치된다. 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)은 각각 평면상에서 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형태를 가질 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)은 평면상에서 원형의 형태를 가질 수 있다.
제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)은 표시 장치의 전면에 배치되는 공통 박막층을 형성하기 위한 증착 공정 시 표시 장치의 표시 영역과 중첩하며, 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b) 각각은 표시 장치의 표시 영역 내에 위치하는 어느 하나의 홀과 대응된다. 이때, 홀은 표시 장치의 카메라 홀, 센서 홀, LED 홀 및 스피커 홀 중 어느 하나일 수 있다.
제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)의 크기는 각각 대응되는 홀의 크기를 고려하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 제 1 보조 패턴(211a)의 직경은 제 2 보조 패턴(211b)의 직경보다 작을 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제 1 보조 패턴(211a)의 직경과 제 2 보조 패턴(211b)의 직경은 동일할 수도 있다.
제 1 브릿지 패턴(212)은 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)과 제 1 바디부(220)를 연결한다. 이에 따라, 증착 공정 시, 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)의 위치가 고정될 수 있다.
제 2 브릿지 패턴(214)은 제 1 브릿지 패턴(212)과 평행하게 배치된다. 제 2 브릿지 패턴(214)은, 제 1 브릿지 패턴(212)과는 달리, 제 1 및 제 2 보조 패턴(211a, 211b)과 직접 연결되지 않는다. 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(202)는 제 2 브릿지 패턴(214)을 더 포함함으로써, 제 1 오픈 마스크(202)의 강성이 향상될 수 있다.
이때, 제 1 브릿지 패턴(212) 및 제 2 브릿지 패턴(214)의 폭은 각각 기판(S) 상에 증착 물질이 증착되는 것을 방해하지 않는 범위 내에서 결정될 수 있다. 또한, 제 1 브릿지 패턴(212) 및 제 2 브릿지 패턴(214)의 폭은 서로 동일하거나 다를 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 복수의 보조 패턴(211a, 211b), 제 1 브릿지 패턴(212), 제 2 브릿지 패턴(214) 및 제 1 바디부(220)는 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 복수의 보조 패턴(211a, 211b), 제 1 브릿지 패턴(212), 제 2 브릿지 패턴(214) 및 제 1 바디부(220)는 동일한 공정으로 형성될 수 있다.
이하, 도 9를 참조하여, 본 발명의 또 다른 일 실시예를 설명한다. 본 발명의 일 실시예와 동일한 구성에 대한 설명은 설명의 편의를 위해 생략한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크의 일부를 확대하여 나타낸 평면도이다.
도 9을 참조하면, 본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(203)의 복수의 패턴부(도 1의 210)는 보조 패턴(211) 및 제 1 브릿지 패턴(212)을 포함한다.
제 1 브릿지 패턴(212)은 복수의 라인을 포함한다. 이때, 복수의 라인 중 어느 두 개의 라인은 가상의 동일 직선 상에 배치되거나, 가상의 직선으로 연장 시 서로 평행하거나, 서로 교차할 수 있다. 예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같이, 제 1 브릿지 패턴(212)은 평면상에서 격자 형태를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 실시예에 따른 제 1 오픈 마스크(203)는 격자 형태의 제 1 브릿지 패턴(212)을 포함함으로써, 제 1 오픈 마스크(203)의 강성이 향상될 수 있다.
이상, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 일 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100: 프레임
200: 제 1 오픈 마스크
210: 패턴부 211: 보조 패턴
212a, 212b: 제 1 브릿지 패턴 220: 제 1 바디부
300: 제 2 오픈 마스크 310: 개구부
320: 제 2 바디부 S: 기판
210: 패턴부 211: 보조 패턴
212a, 212b: 제 1 브릿지 패턴 220: 제 1 바디부
300: 제 2 오픈 마스크 310: 개구부
320: 제 2 바디부 S: 기판
Claims (16)
- 개구 영역을 정의하는 프레임;
상기 프레임 상에 배치되며, 상기 개구 영역과 중첩하는 복수의 패턴부 및 상기 복수의 패턴부를 정의하는 제 1 바디부를 포함하는 제 1 오픈 마스크; 및
상기 제 1 오픈 마스크 상에 배치되며, 상기 복수의 패턴부와 중첩하는 복수의 개구부 및 상기 복수의 개구부를 정의하는 제 2 바디부를 포함하는 제 2 오픈 마스크;를 포함하고,
상기 복수의 패턴부는 각각 상기 제 1 바디부와 이격되어 배치된 보조 패턴 및 상기 제 1 바디부와 상기 보조 패턴을 연결하는 제 1 브릿지 패턴을 포함하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 바디부는 상기 제 2 바디부와 실질적으로 동일한 형태를 갖는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 보조 패턴은 평면상에서 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형태를 갖는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 브릿지 패턴은 복수의 라인을 포함하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 라인은 가상의 동일 직선 상에 배치되는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 5 항에 있어서,
상기 패턴부는 상기 제 1 브릿지 패턴과 평행하는 제 2 브릿지 패턴을 더 포함하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 라인은 가상의 직선으로 연장 시 서로 평행하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 라인은 가상의 직선으로 연장 시 서로 교차하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 1 브릿지 패턴은 평면상에서 격자 형태를 갖는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 4 항에 있어서,
상기 제 2 오픈 마스크의 두께와 상기 복수의 라인 중 어느 하나의 라인의 폭의 비는 1:1 내지 1:10인 증착용 마스크 어셈블리. - 제 10 항에 있어서,
상기 제 2 오픈 마스크는 50um 내지 200um의 두께를 갖는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 보조 패턴은 제 1 보조 패턴 및 제 2 보조 패턴을 포함하는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 12 항에 있어서,
상기 제 1 보조 패턴은 평면상에서 상기 제 2 보조 패턴과 다른 크기를 갖는 증착용 마스크 어셈블리. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 오픈 마스크는 각각 스테인레스 스틸(SUS), 인바(Invar) 합금, 니켈(Ni), 코발트(Co), 니켈 합금, 니켈-코발트 합금 중 어느 하나로 이루어진 증착용 마스크 어셈블리. - 제 14 항에 있어서,
상기 제 1 오픈 마스크는 상기 제 2 오픈 마스크와 동일한 물질로 이루어진 증착용 마스크 어셈블리. - 제 15 항에 있어서,
상기 제 1 오픈 마스크는 상기 제 2 오픈 마스크와 일체로 형성된 증착용 마스크 어셈블리.
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11171317B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-11-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display apparatus |
| US11199922B2 (en) | 2020-01-14 | 2021-12-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11404518B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with dummy pixels and black lines in transmission area |
| US11515505B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having a transmission area |
| US11600792B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for and method of manufacturing display apparatus |
| US11678555B2 (en) | 2019-08-20 | 2023-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having transmissive area |
| US11690246B2 (en) | 2020-08-12 | 2023-06-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and display apparatus including component and transmission areas |
| US11696469B2 (en) | 2019-02-26 | 2023-07-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device |
Families Citing this family (12)
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| CN109136833B (zh) * | 2018-08-29 | 2021-01-19 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置 |
| KR102618039B1 (ko) | 2018-08-29 | 2023-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체, 이를 포함한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| CN109166976B (zh) * | 2018-08-29 | 2020-10-30 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板、掩膜板、显示面板的制作方法及显示装置 |
| CN109468584B (zh) * | 2018-12-14 | 2020-04-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法 |
| US20200357869A1 (en) * | 2019-05-10 | 2020-11-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| KR20200131396A (ko) | 2019-05-13 | 2020-11-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN110438446B (zh) * | 2019-07-31 | 2020-12-29 | 昆山国显光电有限公司 | 一种掩模组件以及一种显示装置 |
| KR20210032586A (ko) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 |
| CN111575648B (zh) * | 2020-06-23 | 2022-07-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板组件及其制造方法 |
| KR20220004893A (ko) * | 2020-07-03 | 2022-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0987828A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-03-31 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品の電極を形成する方法およびそれに用いる装置 |
| US6518353B2 (en) * | 2000-12-22 | 2003-02-11 | Eastman Kodal Company | Reduced temperature sensitive polymeric optical article and method of making same |
| DE60228599D1 (de) * | 2001-08-24 | 2008-10-09 | Dainippon Printing Co Ltd | Maskeneinrichtung zur bildung mehrerer seiten für die vakuumablagerung |
| KR100486716B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-05-03 | 삼성전자주식회사 | 2-ｄ 액튜에이터 및 그 제조방법 |
| KR101135544B1 (ko) * | 2009-09-22 | 2012-04-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치 |
| JP5710843B2 (ja) * | 2012-07-09 | 2015-04-30 | シャープ株式会社 | マスクユニットおよび蒸着装置 |
| JP6142196B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-06-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスクの製造方法 |
| KR102081285B1 (ko) | 2013-04-16 | 2020-02-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착마스크, 이를 이용한 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 디스플레이 장치 |
| KR102027213B1 (ko) | 2013-05-13 | 2019-10-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널의 제조 방법 |
| KR102177784B1 (ko) | 2013-12-18 | 2020-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 오픈 마스크 조립체 |
| KR102334410B1 (ko) * | 2015-04-13 | 2021-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 어셈블리 |
| KR102505877B1 (ko) * | 2016-01-29 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법 |
| CN106086782B (zh) * | 2016-06-28 | 2018-10-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版组件及其安装方法、蒸镀装置 |
| KR101659960B1 (ko) | 2016-07-25 | 2016-09-29 | 주식회사 엠더블유와이 | 살대형 오픈 마스크 시트, 이를 이용한 오픈 마스크 조립체 제조 방법, 제조 장치 및 오픈 마스크 조립체 |
-
2017
- 2017-01-12 KR KR1020170005076A patent/KR20180083459A/ko not_active Application Discontinuation
-
2018
- 2018-01-11 US US15/867,918 patent/US11545626B2/en active Active
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11696469B2 (en) | 2019-02-26 | 2023-07-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device |
| US11171317B2 (en) | 2019-04-16 | 2021-11-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing display apparatus |
| US11404518B2 (en) | 2019-07-09 | 2022-08-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel with dummy pixels and black lines in transmission area |
| US11678555B2 (en) | 2019-08-20 | 2023-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having transmissive area |
| US11515505B2 (en) | 2019-09-03 | 2022-11-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having a transmission area |
| US11600792B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-03-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus for and method of manufacturing display apparatus |
| US11199922B2 (en) | 2020-01-14 | 2021-12-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11586313B2 (en) | 2020-01-14 | 2023-02-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| US11690246B2 (en) | 2020-08-12 | 2023-06-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and display apparatus including component and transmission areas |
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