CN109468584B - 掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法。所述掩膜版组合包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中，所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置；所述第一遮光岛和所述第二遮光岛具有相同的形状、尺寸，且彼此重叠设置。

Description

掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法
技术领域
本发明涉及电子显示领域，尤其涉及一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法。
背景技术
由于OLED显示装置不需要背光即可实现显示，目前已经得到了广泛的应用。现阶段，中小尺寸的OLED面板的制作工艺中，蒸镀是很重要的一个工艺环节。在蒸镀制程中，用于图形定义的工具为金属掩模版，可分为精密金属掩膜板和通用金属掩模版。精密金属掩膜板用于像素定义，主要用于R、G、B像素层和掺杂材料蒸镀。通用金属掩模版用于共通层图形定义，主要用于电子注入层、空穴注入层、电子传输层和空穴传输层等的材料蒸镀。
目前，出现了一种新型的类似“地中海”式的屏幕需求，如图1所示，即显示屏的显示区中存在一块被显示区包裹的非显示区，所述非显示区通常用于设置摄像头或其他非显示元件。在目前形成所述“地中海”式的显示屏的方法为通常为暴力切割，即显示区域制作完成之后通过激光切割去除“地中海”区的显示元件，镶嵌其他非显示元件。然而暴力切割会严重损坏发光元件，且难以精确控制。
发明内容
本发明提供一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，以在OLED显示屏上实现“地中海”式的显示结构。
为解决上述问题，本发明提供了一种掩膜版组合，其包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小，其中，
所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行，且在所述第一掩膜版上间隔分布，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；
所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行，且在所述第二掩膜版上间隔分布，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；其中，
所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置；所述第一遮光岛和所述第二遮光岛具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
根据本发明的其中一个方面，所述第一遮光岛和所述第二遮光岛的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
根据本发明的其中一个方面，所述第一掩膜版和第二掩膜版为带状等间距图形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的对称轴的带状图形。
根据本发明的其中一个方面，所述带状图形的宽度小于或等于5μm。
根据本发明的其中一个方面，所述第一掩膜版和第二掩膜版为矩形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区的位置与所示第二透光区的位置重合，所述第二遮光区的位置与所示第一透光区的位置重合。
相应的，本发明还提供了一种使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，其特征在于，所述掩膜版组合包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小；所述方法包括以下步骤：
将第一掩膜版上的图形转移到所述半导体薄膜上；其中，所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行，且在所述第一掩膜版上间隔分布，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；
将第二掩膜版上的图形转移到所述半导体薄膜上；其中，所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行，且在所述第二掩膜版上间隔分布，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置；所述第一遮光岛和所述第二遮光岛具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
根据本发明的其中一个方面，所述第一遮光岛和所述第二遮光岛的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
根据本发明的其中一个方面，所述第一掩膜版和第二掩膜版为带状等间距图形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的对称轴的带状图形。
根据本发明的其中一个方面，所述带状图形的宽度小于或等于5μm。
根据本发明的其中一个方面，所述第一掩膜版和第二掩膜版为矩形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区的位置与所示第二透光区的位置重合，所述第二遮光区的位置与所示第一透光区的位置重合。
本发明提供的掩膜版组合，通过互补设置的遮光区和透光区实现了对OLED显示区的整体蒸镀，通过重叠设置的遮光岛实现了对“地中海”式非显示区的遮挡，从而避免了对显示区进行激光切割。由于遮光区和透光区的宽度不超过5μm，能够基本消除两次图形化形成的图案的高度差，在形成“地中海”式非显示区的同时，避免在显示区形成凹凸不平的蒸镀图案。
附图说明
图1为本发明的一个具体实施例中的“地中海”式的OLED显示屏的结构示意图；
图2为本发明的一个具体实施例中的第一掩膜版的结构示意图；
图3为本发明的一个具体实施例中的第二掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明提供一种掩膜版组合和使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，以在OLED显示屏上实现“地中海”式的显示结构。下面，将结合附图对本发明进行详细说明。
参见图2和图3，本发明提供了一种掩膜版组合，其包括第一掩膜版10和第二掩膜版，所述第一掩膜版10和第二掩膜版20具有相同的形状和大小。
在本实施例中，参见图1，所述第一掩膜版10包括多个第一遮光区14、多个第一透光区16和至少一个第一遮光岛12。所述多个第一遮光区14和第一透光区16彼此平行，且在所述第一掩膜版10上间隔分布。所述第一遮光岛12覆盖部分所述第一遮光区14和第一透光区16。所述第一遮光岛12的边界不与所述掩膜版的边界相连。
在本实施例中，参见图2，所述第二掩膜版20包括多个第二遮光区26、多个第二透光区24和至少一个第二遮光岛22。所述多个第二遮光区26和第二透光区24彼此平行，且在所述第二掩膜版20上间隔分布。所述第二遮光岛22覆盖部分所述第二遮光区26和第二透光区24。所述第二遮光岛22的边界不与所述掩膜版的边界相接触。
所述第一遮光区14和所述第二遮光区26互补设置，所述第一透光区16和所述第二透光区24互补设置；所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
在本实施例中，所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的面积不小于所述多个第一遮光区14、多个第一透光区16、多个第二遮光区26和多个第二透光区24中的任意一个的面积的100倍。具体的，所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的面积不小于0.5cm2。所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
在本实施例中，所述第一掩膜版10和第二掩膜版20为带状等间距图形，所述第一遮光区14、第一透光区16、第二遮光区26和第二透光区24为平行于所述第一掩膜版10和第二掩膜版20的对称轴的带状图形，所述带状图形的宽度小于或等于5μm。优选的，述第一掩膜版10和第二掩膜版20为矩形，所述第一遮光区14、第一透光区16、第二遮光区26和第二透光区24为平行于所述第一掩膜版10和第二掩膜版20的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区14的位置与所示第二透光区24的位置重合，所述第二遮光区26的位置与所示第一透光区16的位置重合。
相应的，本发明还提供了一种使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，所述掩膜版组合包括第一掩膜版10和第二掩膜版20，所述第一掩膜版10和第二掩膜版20具有相同的形状和大小；所述方法包括以下步骤：
首先，将第一掩膜版10上的图形转移到所述半导体薄膜上。其中，所述第一掩膜版10包括多个第一遮光区14、多个第一透光区16和至少一个第一遮光岛12，所述多个第一遮光区14和第一透光区16彼此平行，且在所述第一掩膜版10上间隔分布，所述第一遮光岛12覆盖部分所述第一遮光区14和第一透光区16；所述第一遮光岛12的边界不与所述掩膜版的边界相连；
之后，将第二掩膜版20上的图形转移到所述半导体薄膜上。其中，所述第二掩膜版20包括多个第二遮光区26、多个第二透光区24和至少一个第二遮光岛22，所述多个第二遮光区26和第二透光区24彼此平行，且在所述第二掩膜版20上间隔分布，所述第二遮光岛22覆盖部分所述第二遮光区26和第二透光区24；所述第二遮光岛22的边界不与所述掩膜版的边界相接触；所述第一遮光区14和所述第二遮光区26互补设置，所述第一透光区16和所述第二透光区24互补设置；所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
当然，也可以先将第二掩膜版20上的图形转移到所述半导体薄膜上，再将第一掩膜版10上的图形转移到所述半导体薄膜上，都可以形成对“地中海”式非显示区的遮挡。
在本实施例中，所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的面积不小于所述多个第一遮光区14、多个第一透光区16、多个第二遮光区26和多个第二透光区24中的任意一个的面积的100倍，且所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的面积不小于0.5cm2；所述第一遮光岛12和所述第二遮光岛22的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
在本实施例中，所述第一掩膜版10和第二掩膜版20为带状等间距图形，所述第一遮光区14、第一透光区16、第二遮光区26和第二透光区24为平行于所述第一掩膜版10和第二掩膜版20的对称轴的带状图形，所述带状图形的宽度小于或等于5μm。
在本实施例中，所述第一掩膜版10和第二掩膜版20为矩形，所述第一遮光区14、第一透光区16、第二遮光区26和第二透光区24为平行于所述第一掩膜版10和第二掩膜版20的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区14的位置与所示第二透光区24的位置重合，所述第二遮光区26的位置与所示第一透光区16的位置重合。
本发明提供的掩膜版组合，通过互补设置的遮光区和透光区实现了对OLED显示区的整体蒸镀，通过重叠设置的遮光岛实现了对“地中海”式非显示区的遮挡，从而避免了对显示区进行激光切割。由于遮光区和透光区的宽度不超过5μm，能够基本消除两次图形化形成的图案的高度差，在形成“地中海”式非显示区的同时，避免在显示区形成凹凸不平的蒸镀图案。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (8)

1.一种掩膜版组合，其特征在于，包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小，其中，
所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行，且在所述第一掩膜版上间隔分布，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；
所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行，且在所述第二掩膜版上间隔分布，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；其中，
所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的对称轴的带状图形，所述带状图形的宽度小于或等于5μm；所述第一透光岛和所述第二透光岛具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
2.根据权利要求1所述的掩膜版组合，其特征在于，所述第一透光岛和所述第二透光岛的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
3.根据权利要求2所述的掩膜版组合，其特征在于，所述第一掩膜版和第二掩膜版为带状等间距图形。
4.根据权利要求1所述的掩膜版组合，其特征在于，所述第一掩膜版和第二掩膜版为矩形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区的位置与所示第二透光区的位置重合，所述第二遮光区的位置与所示第一透光区的位置重合。
5.一种使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，其特征在于，所述掩膜版组合包括第一掩膜版和第二掩膜版，所述第一掩膜版和第二掩膜版具有相同的形状和大小；所述方法包括以下步骤：
将第一掩膜版上的图形转移到所述半导体薄膜上；其中，所述第一掩膜版包括多个第一遮光区、多个第一透光区和至少一个第一遮光岛，所述多个第一遮光区和第一透光区彼此平行，且在所述第一掩膜版上间隔分布，所述第一遮光岛覆盖部分所述第一遮光区和第一透光区；所述第一遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相连；
将第二掩膜版上的图形转移到所述半导体薄膜上；其中，所述第二掩膜版包括多个第二遮光区、多个第二透光区和至少一个第二遮光岛，所述多个第二遮光区和第二透光区彼此平行，且在所述第二掩膜版上间隔分布，所述第二遮光岛覆盖部分所述第二遮光区和第二透光区；所述第二遮光岛的边界不与所述掩膜版的边界相接触；所述第一遮光区和所述第二遮光区互补设置，所述第一透光区和所述第二透光区互补设置，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的对称轴的带状图形，所述带状图形的宽度小于或等于5μm；所述第一透光岛和所述第二透光岛具有相同的形状、尺寸和位置，且彼此重叠设置。
6.根据权利要求5所述的使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，其特征在于，所述第一透光岛和所述第二透光岛的形状包括但不限于圆形、椭圆形、三角形、矩形、多边形、心形。
7.根据权利要求6所述的使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，其特征在于，所述第一掩膜版和第二掩膜版为带状等间距图形。
8.根据权利要求5所述的使用掩膜版组合将半导体薄膜图形化的方法，其特征在于，所述第一掩膜版和第二掩膜版为矩形，所述第一遮光区、第一透光区、第二遮光区和第二透光区为平行于所述第一掩膜版和第二掩膜版的一条边的带状图形，所述带状图形具有相同的形状和尺寸，所述第一遮光区的位置与所示第二透光区的位置重合，所述第二遮光区的位置与所示第一透光区的位置重合。
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