CN107779816B - 沉积掩模组件 - Google Patents
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- CN107779816B CN107779816B CN201710734487.XA CN201710734487A CN107779816B CN 107779816 B CN107779816 B CN 107779816B CN 201710734487 A CN201710734487 A CN 201710734487A CN 107779816 B CN107779816 B CN 107779816B
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 117
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 104
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 94
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 41
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 22
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 17
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 13
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 10
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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Abstract
本申请提供了一种沉积掩模组件，包括：框架、成对的辅助掩模以及分体式掩模。框架包括供沉积材料穿过的开口区域以及共同限定开口区域的第一侧部、第二侧部、第三侧部和第四侧部。成对的辅助掩模位于框架上，固定至相对于框架的开口区域在第一方向上面向彼此的第一侧部和第三侧部，并且分别设置为邻近在与第一方向交叉的第二方向上面向彼此的第二侧部和第四侧部。分体式掩模与成对的辅助掩模中的每一个间隔开并固定至第一侧部和第三侧部。在第二方向上，成对的辅助掩模的宽度小于分体式掩模的宽度。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求提交于2016年8月24日的韩国专利申请号10-2016-0107666的优先权以及由此产生的全部权益，该韩国专利申请的全部内容以引用方式并入本文。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及沉积掩模组件。
背景技术
显示设备基于其发光方案而分为液晶显示(“LCD”)设备、有机发光二极管(“OLED”)显示设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备、电泳显示(“EPD”)设备等。
在这些类型的显示设备中，在对比度和响应时间方面具有优异显示性质的OLED显示设备对于形成柔性显示设备是有利的，以及因此其已经引起关注而作为下一代显示设备。
OLED显示设备通常在衬底上具有多层有机薄膜结构，该多层有机薄膜结构包含有机材料并被阳极和阴极覆盖。当向阳极和阴极施加电压时，电流可以流动为使得OLED显示设备可以从有机薄膜结构发射光。也就是说，在有机分子通过电流流入而转变为具有激发态然后落入初始基态的情况下，过量的能量以光的形式发射。为了形成这种包括多层有机薄膜的OLED显示设备，需要将有机薄膜中的每个沉积为在衬底上具有均匀的厚度。
发明内容
本发明的示例性实施方式涉及沉积掩模组件，其可以通过有效地减少沉积掩模的弯曲或松垂来改善目标衬底上的沉积的精度和均匀度。
根据本发明的示例性实施方式，沉积掩模组件包括：框架、成对的辅助掩模以及分体式掩模。框架包括供沉积材料穿过的开口区域以及共同限定开口区域的第一侧部、第二侧部、第三侧部和第四侧部。成对的辅助掩模位于框架上，固定至相对于框架的开口区域在第一方向上面向彼此的第一侧部和第三侧部，并且分别设置为邻近在与第一方向交叉的第二方向上面向彼此的第二侧部和第四侧部。分体式掩模与成对的辅助掩模中的每一个间隔开并固定至第一侧部和第三侧部。在第二方向上，成对的辅助掩模的宽度小于分体式掩模的宽度。
成对的辅助掩模可以不与框架的第二侧部和第四侧部重叠。
成对的辅助掩模的宽度可以在约3毫米(mm)至约20mm的范围内。
成对的辅助掩模的厚度可以小于分体式掩模的厚度。
成对的辅助掩模中的每一个的厚度可以在约5微米(μm)至约20μm的范围内。
成对的辅助掩模可以包括与包含在分体式掩模中的材料大致相同的材料。
成对的辅助掩模可以包含殷钢合金。
成对的辅助掩模可以焊接固定至第一侧部和第三侧部。
框架还可以包括跨开口区域设置的支承构件。
支承构件和框架可以是一体的。
前述内容仅是说明性的，而非旨在以任何方式限制。除了上述说明性实施方式和特征之外，其他实施方式和特征将通过参照附图和以下详细描述而变得显而易见。
附图说明
本发明的公开内容的上述和其他特征将从以下结合附图进行的详细描述而被更清楚地理解，其中：
图1是示出沉积掩模组件的示例性实施方式的分解立体图；
图2是示出沉积掩模组件的示例性实施方式的上视平面图；
图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图；
图4是示出沉积掩模组件的替代的示例性实施方式的上视平面图；
图5是沿图4的线II-II'截取的剖视图；
图6是示出使用沉积掩模组件的示例性实施方式的显示设备的沉积过程的剖视图；以及
图7是示出使用沉积掩模组件的示例性实施方式制造的有机发光二极管(“OLED”)显示设备的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例性实施方式。虽然本发明可以以各种方式修改并且具有多个实施方式，但是示例性实施方式在附图中示出并且将在说明书中主要描述。然而，本发明的范围不限于示例性实施方式，并且应被解释为包括本发明的精神和范围中所包括的所有改变、等同和替换。
在附图中，为了清楚和易于对其描述，以放大的方式示出了多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称为与另一元件相关，诸如“在另一层、区域或板上”时，其可以直接在该另一层、区域或板上，或者其间可存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为与另一元件相关，诸如“直接在另一层、区域或板上”时，其间可不存在中间层、区域或板。此外，当层、区域或板被称为与另一元件相关，诸如“在另一层、区域或板下方”时，其可以直接在另一层、区域或板下方，或者其间可存在中间层、区域或板。相反，当层、区域或板被称为与另一元件相关，诸如“直接在另一层、区域或板下方”时，其间可不存在中间层、区域或板。
为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上部”等来描述如图所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。应当理解，除了附图所绘示的取向之外，空间相对术语旨在还涵盖设备在使用或操作中的不同取向。例如，在图中所示的设备翻转的情况下，位于另一设备“下方”或“下面”的设备可以被放置在另一设备的上方。因此，说明性术语“下方”可以包括下部位置和上部位置两者。设备还可以在另一方向上定向，以及因此空间相对术语可以根据取向来不同地解释。
在整个说明书中，当元件被称为“连接”到另一元件时，该元件“物理连接”至另一元件，或者通过介于其间的一个或多个中间元件“电连接”至另一元件。
本文使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而并非旨在进行限制。除非内容另有明确指示，否则如本文所用，单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“至少一个”不应被解释为限制“一(a)”或“一(an)”。“或”是指“和/或”。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任意一者和所有组合。应当理解，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprises/comprising)”和/或“包含(includes/including)”说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件和另一个元件。因此，在不脱离本文教导的情况下，下面论述的“第一元件”可以被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以被类似地称呼。
本文所用的“约”或“大约”包括在本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差范围内的所述值和平均值，其考虑到了所涉及的测量以及与具体数量的测量相关的误差(即测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％或±5％内。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有如由与本发明所属领域中的技术人员通常理解的相同的含义。还应当理解，除非在本说明书中明确定义，否则诸如常用字典中定义的那些术语，应被解释为具有与其在相关领域的背景下的含义一致的含义，并且不会以理想化或过于形式化的意义来解释。
为了具体描述本发明的实施方式，可能未提供与描述不相关的一些部分，并且在整个说明书中相同的附图标记表示相同的元件。
在用于在衬底上制造包括多层有机薄膜结构的有机发光二极管(“OLED”)显示设备的方法中，可以通过使用沉积掩模的沉积过程来形成有机薄膜。通常，在形成沉积掩模组件的过程中，将沉积掩模固定到具有开口区域的框架，以保持沉积掩模和沉积掩模组件的强度。在这种示例中，随着要经历沉积的衬底的尺寸增加，具有相应增加尺寸的沉积掩模可能经历松垂，这是不理想的。
此外，为了使沉积掩模组件和目标衬底彼此紧密接触，利用在磁性单元和沉积掩模组件之间的磁力。在这种示例中，磁力可能影响与沉积掩模组件的框架相邻的掩模图案的侧部，使得可能发生磁边缘现象，由此通过使用沉积掩模在衬底上形成的沉积图案被扭曲。因此，沉积精度可能降低，这是不理想的。
在下文中，将参照图1、图2和图3描述沉积掩模组件的示例性实施方式。
图1是示出沉积掩模组件101的示例性实施方式的分解立体图，图2是示出沉积掩模组件101的示例性实施方式的上视平面图，以及图3是沿图2的线I-I'截取的剖视图。
参照图1和图2，沉积掩模组件101的示例性实施方式包括框架110、设置成多个以限定成对的辅助掩模120的辅助掩模120、以及设置成多个以限定多个分体式掩模130的分体式掩模130。可以仅设置一对辅助掩模120，但是本发明不限于此。在下文中，为了便于说明，框架110的相对短侧方向被定义为在第一方向D1上纵向延伸，框架110的相对长侧方向被限定为在第二方向D2上纵向延伸，第二方向D2与第一方向D1交叉，并且框架110的厚度(例如，剖面)方向被定义为与第一方向D1和第二方向D2两者均交叉的第三方向D3。框架110与掩模120和掩模130的集合可以各自设置在与由第一方向D1和第二方向D2限定的平面平行的平面中。
框架110在其中部包括或限定开口区域105，并且包括共同限定开口区域105的第一侧部110a、第二侧部110b、第三侧部110c和第四侧部110d。框架110可以包括由第一侧部110a、第二侧部110b、第三侧部110c和第四侧部110d限定的单一开口，但是本发明不限于此。如图1和图2所示，例如，框架110可以在上视平面图中具有整体四边形形状，并且可以对应于要经历沉积的衬底。框架110可以在其中部中包括或限定具有四边形形状的开口区域105，使得可以在开口区域105处或通过开口区域105对目标衬底执行沉积过程。
第一侧部110a、第二侧部110b、第三侧部110c和第四侧部110d彼此连接以形成具有四边形形状的框架110。在围绕开口区域105的各侧部中，第一侧部110a与成对的辅助掩模120中的每一个的第一端部和多个分体式掩模130中的每一个的第一端部重叠。第二侧部110b连接到围绕开口区域105的各侧部中的第一侧部110a，不与成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130重叠。第三侧部110c面向围绕开口区域105的各侧部中的第一侧部110a，并且与成对的辅助掩模120中的每一个的与其第一端部相对的第二端部和多个分体式掩模130中的每一个的与其第一端部相对的第二端部重叠。第四侧部110d面向围绕开口区域105的各侧部中的第二侧部110b，不与成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130重叠。
成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130设置在框架110上，在第二方向D2中彼此间隔开。在此类示例性实施方式中，成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130在受到第一方向D1中的张力的情况下固定至框架110。因此，框架110可以受到第一方向D1中的压缩力，压缩力是对固定至框架110的成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130的张力的反应。此外，当成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130附接(例如，焊接)至框架110以固定至框架110时，框架110可能经历由于热而导致的变形。因此，框架110可以包含具有相对高刚性的金属，从而显著减少由于施加至框架110的压缩力或热而导致的框架变形。
成对的辅助掩模120设置在开口区域105的相对侧处，以在第三方向D3中设置在开口区域105的上方。在示例性实施方式中，例如，成对的辅助掩模120设置在框架110的第二侧部110b与第四侧部110d之间，但是不与第二侧部110b和第四侧部110d重叠，而是与其间隔开。辅助掩模120中的每个的相对(第一和第二)端部分别与面向彼此的第一侧部110a和第三侧部110c重叠，并且分别焊接至第一侧部110a和第三侧部110c。
成对的辅助掩模120可以包含选自以下项的至少一种：不锈钢(“SUS”)、殷钢合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金。
多个分体式掩模130设置在成对的辅助掩模120之间。也就是说，多个分体式掩模130共同设置在成对的辅助掩模120之间，并且沿着第二方向D2连续地布置，不与成对的辅助掩模120重叠，而是与其间隔开。分体式掩模130中的每个的相对(第一和第二)端部分别与面向彼此的第一侧部110a和第三侧部110c重叠，并且分别焊接至第一侧部110a和第三侧部110c。
多个分体式掩模130可以包含选自以下项的至少一种：不锈钢(“SUS”)、殷钢合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍钴合金。
多个分体式掩模130中的每一个在其与开口区域105重叠的部分处包括沉积图案131。沉积材料可以在沉积图案131处穿过分体式掩模130。沉积图案131可以具有多个狭缝。狭缝可以沿着第三方向D3完全穿过分体式掩模130，第三方向D3是分体式掩模130的厚度方向。在替代的示例性实施方式中，可以仅蚀刻分体式掩模130的一部分以使得狭缝可以不完全穿过分体式掩模130。基于要沉积在显示设备中的有机薄膜的图案，狭缝可以被修改为各种形状，例如条形形状或点形形状。
可以沿着单个分体式掩模130的长度方向(例如，第一方向D1)设置多个沉积图案131。多个沉积图案131可以通过分体式掩模130的非沉积部分彼此间隔开。非沉积部分可以是分体式掩模130的实心部分(例如非狭缝或非开口)。辅助掩模120可以仅包括实心部分，但是本发明不限于此。当包括沉积图案131时，分体式掩模130可以另外被称为沉积掩模组件101的沉积掩模。辅助掩模120可以另外称为沉积掩模组件101的非沉积掩模，因为沉积材料可能无法穿过辅助掩模120。
通过包括对应于开口区域105的多个分体式掩模130而不是具有与开口区域105的总体尺寸对应的总体尺寸的单个掩模，沉积掩模组件101的示例性实施方式可以减少或有效地防止由于在沉积过程中产生的热而可能发生的掩模变形，并且可以减少掩模的松垂。
如上所述，在示例性实施方式中，成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130被焊接至框架110以固定到框架110。
如图1和图2所示，例如，成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130各自纵向设置成沿着第一方向D1与开口区域105交叉，并且成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130中的每一者的相对端部分别焊接至框架110的第一侧部110a和第三侧部110c。成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130的附接可以设置在其与框架区域重叠的非沉积部分(例如其实心部分)处。在此类示例性实施方式中，焊接可以采用点焊。点焊是这样一种方法，其中，多个分立的焊接点被确定并且多个焊接点中的每一个被焊接成使得焊接过程中分体式掩模130的变形可以被显著减少。焊接点可以例如形成至少一列或之字形形状。
如此，通过包括与在第二方向D2中的最外侧分体式掩模130相邻并且不与第二侧部110b和第四侧部110d重叠的成对的辅助掩模120，沉积掩模组件101的示例性实施方式可以防止或显著减少由于通过框架110传递的磁力而可能发生的最外侧分体式掩模130的变形或沉积图案131的扭曲。因此，可以防止有机薄膜的沉积精度和沉积均匀度的劣化，并且可以改善显示设备的寿命和可靠性。
参照图3，在示例性实施方式中，相较于多个分体式掩模130在第二方向D2中的宽度和在第三方向D3中的厚度，成对的辅助掩模120可以在第二方向D2中具有更小的宽度并且可以在第三方向D3中具有更小的厚度。
在单个辅助掩模120的宽度被定义为第一宽度W1并且单个分体式掩模130的宽度被定义为第二宽度W2的情况下，第一宽度W1小于第二宽度W2。在示例性实施方式中，例如，第二宽度W2可以是第一宽度W1的约两倍至约三十倍，并且在此类示例性实施方式中，第一宽度W1可以在约3毫米(mm)至约20mm的范围内。因此，成对的辅助掩模120可以在上视平面图中占据相对较小的空间，并且可以减少或有效地防止由于磁力而可能发生的最外侧分体式掩模130的变形以及其沉积图案131的扭曲。
此外，在单个辅助掩模120的厚度被定义为第一厚度t1并且单个分体式掩模130的厚度被定义为第二厚度t2的情况下，第一厚度t1小于第二厚度t2。在示例性实施方式中，例如，第二厚度t2可以是第一厚度t1的约1.5倍至约2.5倍，并且在此类示例性实施方式中，第一厚度t1可以在约5微米(μm)至约20μm的范围内。
在示例性实施方式中，单个辅助掩模120被描述为具有比单个分体式掩模130的厚度更小的厚度，但是示例性实施方式不限于此。在替代的示例性实施方式中，单个辅助掩模120可以具有与单个分体式掩模130大致相同的厚度。因此，由于具有与单个分体式掩模130的厚度相同的厚度，所以提供具有较小宽度的辅助掩模120可以更容易。
成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130可以各自包含大致相同的材料。在示例性实施方式中，例如，成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130可以包含殷钢合金。通过包括包含大致相同的殷钢合金的成对的辅助掩模120和多个分体式掩模130，沉积掩模组件101的示例性实施方式可以减少或有效地防止由于磁力而可能发生的最外侧分体式掩模130的变形和沉积图案131的扭曲。
在下文中，将参照图4和图5描述沉积掩模组件102的替代的示例性实施方式。
图4是示出沉积掩模组件的替代的示例性实施方式的上视平面图；以及图5是沿图4的线II-II'截取的剖视图。
参照图4和图5，沉积掩模组件102的替代的示例性实施方式还包括支承构件115，支承构件115跨过由根据示例性实施方式的框架110的第一侧部110a、第二侧部110b、第三侧部110c和第四侧部110d限定的开口区域105。
可以设置跨框架110的开口区域105的多个支承构件115，以限定共同支承构件。共同支承构件可以将开口区域105分成多个开口子区域，通过开口子区域可以对目标衬底执行沉积过程。
支承构件115跨开口区域105(参见图4)设置以固定到框架110的第二侧部110b和第四侧部110d。也就是说，支承构件115沿着平行于框架110的第一侧部110a和第三侧部110c的第二方向D2纵向设置。在剖视方向上，支承构件115的总厚度或总高度可以小于或等于框架110的其余部分的总厚度或总高度，其余部分诸如包括第一侧部110a、第二侧部110b、第三侧部110c和第四侧部110d。另外，尽管未示出，但是包括支承构件115的共同支承构件还可以包括基于框架110的尺寸沿着第一方向D1纵向设置的支承构件，第一方向D1是分体式掩模130的长度方向。
共同支承构件和框架110可以是一体的，包含大致相同的材料。因此，与框架110类似，共同支承构件可以包含具有高刚性的金属，因此不容易因为压缩力或热而变形。
支承构件115在第一方向D1中的宽度被限定为与其在第二方向D2中的长度相交。支承构件115在第一方向D1中的宽度可以大于或等于在第二方向D2中的相邻分体式掩模130之间的间隙。然而，在示例性实施方式中，支承构件115的宽度可以在不与分体式掩模130的沉积图案131重叠的范围内。
通过进一步包括跨开口区域105设置的支承构件115，沉积掩模组件102的替代的示例性实施方式可以减少或有效地防止分体式掩模130的松垂。因此，可以减少或有效地防止有机薄膜的沉积精度和沉积均匀度的劣化，并且可以改善显示设备的寿命和可靠性。
在下文中，将参照图6描述使用沉积掩模组件的示例性实施方式的显示设备的沉积过程。
图6是示出使用沉积掩模组件101的示例性实施方式的显示设备的沉积过程的剖视图。
参照图6，沉积处理装置的示例性实施方式包括沉积掩模组件101、磁性单元200、固定构件300、蒸发源400和腔室500。沉积掩模组件101、磁性单元200、固定构件300和蒸发源400可以设置在腔室500中。
沉积掩模组件101包括框架110、辅助掩模120和分体式掩模130，并且设置在腔室500的内部和上部处以面对蒸发源400。
磁性单元200与沉积掩模组件101相对，其间具有将经历沉积的衬底S。由于由磁性单元200施加的磁力，沉积掩模组件101的分体式掩模130可以紧密地接触衬底S。
固定构件300支承沉积掩模组件101的边缘部分。固定构件300可以限定这样的通道，从蒸发源400供应的有机材料穿过该通道以移动到衬底S。固定构件300的端部从该通道向外设置，从蒸发源400供应的有机材料穿过该通道以移动到衬底S。
蒸发源400设置在沉积掩模组件101的下方，并且穿过分体式掩模130的沉积图案131将有机材料供应至衬底S。也就是说，有机材料被供应至腔室500的内部和上部处的衬底S的沉积表面。
蒸发源400可以是其内部容纳有机材料的加热坩埚的形式，并且可以使用热量来蒸发要沉积在衬底S上的有机材料。沉积处理装置还可以包括加热器(未示出)以加热有机材料。加热器设置在蒸发源400的相对侧上并且用于加热蒸发源400，使得容纳在蒸发源400中的有机材料升华。
腔室500提供了将在其中执行沉积过程并在其中设置沉积装置的构件的空间。腔室500连接到如涡轮分子泵(“TMP”)的真空泵(未示出)，以将腔室500的内部保持在真空状态中。腔室500还可以包括覆盖腔室500的内壁表面的防沉积板(未示出)。防沉积板防止从蒸发源400排放的有机材料中没有沉积在衬底S上的有机材料粘附到腔室500的内壁表面。
衬底S设置在沉积掩模组件101的上方。衬底S可以设置成与沉积掩模组件101的开口区域105重叠。此外，衬底S可以与沉积掩模组件101的上部间隔开预定距离。
虽然未示出，但是沉积处理装置还可以包括例如用于测量有机材料的蒸发速度的厚度监测传感器、用于基于测量的厚度控制蒸发源400的厚度控制器和/或用于阻挡从蒸发源400蒸发的有机材料的挡板。此外，为了对准衬底S和沉积掩模组件101，沉积处理装置还可以包括对准器以及在腔室500的外部上的电荷耦合设备(“CCD”)照相机。
将在下文简要描述将沉积材料沉积在衬底S的沉积表面上的过程。
沉积掩模组件101固定至固定构件300，并且衬底S设置在固定的沉积掩模组件101的分体式掩模130的上方。
随后，腔室500的内部和下部处的蒸发源400将有机材料朝向沉积掩模组件101排放。在示例性实施方式中，例如，当将电力施加到连接至蒸发源400的加热器时，容纳有机材料的蒸发源400被加热。因此，有机材料被加热并升华而朝向沉积掩模组件101排放。在此类示例性实施方式中，腔室500的内部可以保持在相对高程度的真空状态和相对高的温度下。
当被排放时，有机材料穿过分体式掩模130的沉积图案131沉积在衬底S的沉积表面上。这种沉积可以形成一个或多个薄膜。通过重复上述过程，可以在衬底S上形成多层有机薄膜。
随着显示设备的整体平面尺寸增加，真空沉积装置的尺寸增加，并且包括沉积掩模的沉积掩模组件101的尺寸也增加。因此，沉积掩模可能经历很大程度的弯曲和松垂。本发明的沉积掩模组件的一个或多个示例性实施方式可以有效地减少弯曲和松垂现象，因此能够减少或有效地防止衬底S上的有机膜的沉积精度和沉积均匀度劣化的问题。因此，可以改善通过使用本发明的沉积掩模组件的一个或多个示例性实施方式的沉积过程所形成的显示设备的寿命和可靠性。
在下文中将参照图7详细描述使用本发明的沉积掩模组件的一个或多个示例性实施方式制造的有机发光二极管(“OLED”)显示设备。
图7是示出使用根据本发明的沉积掩模组件的一个或多个示例性实施方式制造的OLED显示设备700的剖视图。
参照图7，OLED显示设备700包括基衬底711、阻挡层712、半导体有源层713、栅绝缘层717、层间绝缘层719、源电极720、漏电极721、钝化层722、平坦化层723、像素限定层(“PDL”)724、OLED和封装(层)部分740。
基衬底711可以包括具有柔性的绝缘材料。在示例性实施方式中，例如，基衬底711可以包含相对高分子量的材料，诸如聚酰亚胺(“PI”)、聚碳酸酯(“PC”)、聚醚砜(“PES”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚芳酯(“PAR”)和玻璃纤维强化塑料(“FRP”)。或者，基衬底711可以是玻璃衬底。基衬底711可以是透明的、半透明的或不透明的。
阻挡层712设置在基衬底711上。阻挡层712可以设置成覆盖基衬底711的上表面的整个部分。阻挡层712可以包括无机层或有机层。阻挡层712可以具有单层结构或多层结构。在示例性实施方式中，例如，阻挡层712可以包含选自以下项的至少一种：无机材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(AlO)和氮氧化铝(AlON)；或有机材料，诸如丙烯酸树脂、聚酰亚胺和聚酯。
阻挡层712用于阻挡氧气和水分，减少或有效防止水分或不期望的材料通过基衬底711扩散，并在基衬底711上提供平坦表面。在阻挡层712上设置或形成薄膜晶体管(“TFT”)。TFT的示例性实施方式包括顶栅结构的TFT，但是示例性实施方式不限于此。TFT的替代的示例性实施方式可以包括底栅结构或另一结构的TFT。
TFT的半导体有源层713设置在阻挡层712上。半导体有源层713包括源区714、漏区715和沟道区716。N型杂质离子或p型杂质离子被掺杂到半导体有源层713中，从而形成源区714和漏区715。源区714和漏区715之间的区域对应于未掺杂杂质的沟道区716。
半导体有源层713可以包含多晶硅或非晶硅。此外，半导体有源层713可以包括氧化物半导体。在示例性实施方式中，例如，氧化物半导体可以包含基于选自以下项的元素的氧化物：第4、12、13和14族的金属元素，诸如锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和铪(Hf)，以及它们的组合。
作为TFT的一部分的栅绝缘层717设置在半导体有源层713上。栅绝缘层717可以包括无机层，诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物。栅绝缘层717可以具有单层结构或多层结构。栅绝缘层717可以从TFT进一步延伸以设置在基衬底711上，诸如在其整体上。
TFT的栅电极718设置在栅绝缘层717上。栅电极718可以具有包含例如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo和Cr或诸如Al:Nd和Mo:W的合金的单层结构或多层结构。
作为TFT的一部分的层间绝缘层719设置在栅电极718上。层间绝缘层719可以包含绝缘材料，诸如氧化硅或氮化硅。此外，层间绝缘层719可以包括绝缘有机层。层间绝缘层719可以从TFT进一步延伸以设置在基衬底711上，诸如在其整体上。
TFT的源电极720和漏电极721设置在层间绝缘层719上。在制造OLED显示设备的示例性实施方式中，例如，可以去除栅绝缘层717和层间绝缘层719的一部分以限定TFT内的接触孔，源电极720可以通过接触孔而电连接至源区714，并且漏电极721可以通过接触孔而电连接至漏区715。
钝化层722设置在源电极720和漏电极721上。钝化层722可以包括有机层或无机层，诸如氧化硅或氮化硅。
平坦化层723设置在钝化层722上。平坦化层723可以包含有机层，例如包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺和/或苯并环丁烯(“BCB”)。
OLED可以设置或形成在TFT上方。OLED可以包括在第一电极725、第二电极727，以及在第一电极725与第二电极727之间的中间层726。
第一电极725通过接触孔电连接至TFT的源电极720和漏电极721中的一个。这种接触孔可以限定在钝化层722和/或平坦化层723中。第一电极725对应于像素电极。
第一电极725用作OLED的阳极，并且可以包含各种导电材料。第一电极725可以是透明电极或反射电极。在示例性实施方式中，例如，在第一电极725是透明电极的情况下，第一电极725可以包含例如ITO、IZO、ZnO和In2O3。在第一电极725为反射电极的情况下，第一电极725可以形成包含例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr和/或它们的化合物的反射层，并且可以在该反射层上形成包含例如铟锡氧化物(“ITO”)、铟锌氧化物(“IZO”)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)的层。
PDL 724设置在平坦化层723上以覆盖第一电极725的边缘部分。OLED显示设备包括像素或子像素，在像素或子像素处显示图像并发射光以显示图像。像素或子像素可以包括产生和/或发射光的发光区域和不产生和/或发射光的不发光区域。在上视平面图中，PDL724围绕第一电极725的边缘部分以限定每个子像素的发光区域。
PDL 724可以包含有机材料或无机材料。在示例性实施方式中，例如，PDL 724可以包含：有机材料，诸如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、丙烯酸类树脂和酚醛树脂；或无机材料，诸如SiNx。PDL 724可以具有单层结构或多层结构。
中间层726设置在第一电极725上。中间层726可以设置在通过PDL724的在其内部限定了孔的蚀刻部分暴露的区域中。中间层726可以通过沉积过程形成。
中间层726可以包含相对低分子量的有机材料或相对高分子量的有机材料。中间层726可以包括用于产生和/或发射光的有机发射层(“EML”)。此外，除了有机EML以外，中间层726还可以包括空穴注入层(“HIL”)、空穴传输层(“HTL”)、电子传输层(“ETL”)和电子注入层(“EIL”)中的至少一种。然而，示例性实施方式不限于此，并且除了有机EML以外，中间层726还可以包括各种功能层。
第二电极727设置在中间层726上。第二电极727对应于公共电极。公共电极通常可以对应于多于一个的OLED，但是本发明不限于此。与第一电极725类似的第二电极727可以是透明电极或反射电极。
第一电极725可以被设置为具有对应于每个子像素的孔的离散形状，如由PDL 724限定的那样。相反，第二电极727可以设置在衬底711的整个表面上方。在替代的示例性实施方式中，第二电极727可以具有预定(离散)图案，而不是沉积在衬底711的整个表面上。第一电极725的位置和第二电极727的位置可以在OLED设备的厚度方向上互换。
在示例性实施方式中，用中间层726使第一电极725和第二电极727彼此绝缘。当电压施加至第一电极725和第二电极727时，可见光从中间层726发出，使得可以显示图像以供用户识别。
封装部分740设置在OLED的上方。封装部分740保护OLED设备的中间层726和其它薄膜免受外部水分或氧气。
封装部分740可以具有至少一个有机层与至少一个无机层堆叠的结构。在示例性实施方式中，例如，封装部分740可以具有包含例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和/或聚丙烯酸酯的有机层741和有机层742与包含例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrOx)和/或氧化锌(ZnO)的无机层743、无机层744和无机层745堆叠的结构。
在示例性实施方式中，封装部分740可以具有包括有机层741和有机层742中的至少一个以及无机层743、无机层744和无机层745中的至少两个的结构。封装部分740的暴露至外部的最上层745可以包括无机层以防止水分渗入OLED。
如上所述，在一个或多个示例性实施方式中，沉积掩模组件可以通过有效减少掩模的弯曲或松垂来改善沉积的精度和均匀度。
根据前述，应当理解，为了说明的目的，本文已经描述了根据本公开的各种实施方式，并且在不脱离本教导的范围和精神的情况下可以进行各种修改。因此，本文公开的各种实施方式并非旨在限制本教导内容的真实范围和精神。上述和其它实施方式的各种特征可以以任何方式组合和匹配，以产生与本发明一致的其它实施方式。
Claims (10)
1.沉积掩模组件，包括：
框架，包括：
开口区域，沉积材料穿过所述开口区域，以及
第一侧部、第二侧部、第三侧部和第四侧部，共同限定所述开口区域；
成对的辅助掩模，位于所述框架上，所述成对的辅助掩模：
固定至所述框架的所述第一侧部和所述第三侧部，所述第一侧部和所述第三侧部相对于所述框架的所述开口区域在第一方向上面向彼此，以及
设置为分别邻近所述框架的所述第二侧部和所述第四侧部，所述第二侧部和所述第四侧部在与所述第一方向交叉的第二方向上面向彼此；以及
分体式掩模，与所述成对的辅助掩模中的每一个间隔开，所述分体式掩模固定至所述框架的所述第一侧部和所述第三侧部，
其中，在所述第二方向上，所述成对的辅助掩模中的每一个的宽度小于所述分体式掩模的宽度。
2.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模不与所述框架的在所述第二方向上面向彼此的所述第二侧部和所述第四侧部重叠。
3.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模中的每一个的所述宽度在3毫米至20毫米的范围内。
4.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模中的每一个的厚度小于所述分体式掩模的厚度。
5.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，在与所述第一方向和所述第二方向中的每一个都交叉的第三方向上，所述成对的辅助掩模中的每一个的厚度在5微米至20微米的范围内。
6.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模包括与所述分体式掩模中所包含的材料相同的材料。
7.根据权利要求6所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模包含殷钢合金。
8.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述成对的辅助掩模被焊接固定至所述第一侧部和所述第三侧部。
9.根据权利要求1所述的沉积掩模组件，其中，所述框架还包括跨所述开口区域设置的支承构件，所述支承构件与所述分体式掩模重叠。
10.根据权利要求9所述的沉积掩模组件，其中，所述支承构件和所述框架是一体的。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160107666A KR20180023139A (ko) | 2016-08-24 | 2016-08-24 | 증착용 마스크 어셈블리 |
| KR10-2016-0107666 | 2016-08-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107779816A CN107779816A (zh) | 2018-03-09 |
| CN107779816B true CN107779816B (zh) | 2021-05-07 |
Family
ID=61243544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710734487.XA Active CN107779816B (zh) | 2016-08-24 | 2017-08-24 | 沉积掩模组件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180062079A1 (zh) |
| KR (1) | KR20180023139A (zh) |
| CN (1) | CN107779816B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20200038343A (ko) * | 2018-10-02 | 2020-04-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
| KR20200106589A (ko) | 2019-03-04 | 2020-09-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| US20220372615A1 (en) * | 2019-11-12 | 2022-11-24 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask |
| US11557635B2 (en) * | 2019-12-10 | 2023-01-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device, mask assembly, and apparatus for manufacturing the display device |
| KR20240013966A (ko) * | 2022-07-22 | 2024-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착 장치 |
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| US8286579B2 (en) * | 2007-11-23 | 2012-10-16 | Samsung Display Co., Ltd | Mask assembly for thin film vapor deposition of flat panel display |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN103668051A (zh) * | 2012-09-07 | 2014-03-26 | 昆山允升吉光电科技有限公司 | 一种掩模框架及其对应的蒸镀用掩模组件 |
| JP6078818B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 |
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-
2016
- 2016-08-24 KR KR1020160107666A patent/KR20180023139A/ko not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-06-15 US US15/623,520 patent/US20180062079A1/en not_active Abandoned
- 2017-08-24 CN CN201710734487.XA patent/CN107779816B/zh active Active
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20180062079A1 (en) | 2018-03-01 |
| KR20180023139A (ko) | 2018-03-07 |
| CN107779816A (zh) | 2018-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |