CN107868934B

CN107868934B - 制造分体式掩模的方法

Info

Publication number: CN107868934B
Application number: CN201710863820.7A
Authority: CN
Inventors: 金宗范; 李尚玟; 白大源; 宋珉澈; 李相信; 李丞赈; 全志姸
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2016-09-22
Filing date: 2017-09-22
Publication date: 2022-03-18
Anticipated expiration: 2037-09-22
Also published as: KR102640221B1; KR20180032718A; US20180083193A1; US10476003B2; CN107868934A

Abstract

本申请提供了一种制造分体式掩模的方法，所述方法包括：在第一方向上拉伸掩模构件的相对端部以将掩模构件固定至固定部分；在所固定的掩模构件上形成具有多个第一开口的第一图案部分，使得第一图案部分朝向第一图案部分的中部在第一方向上具有较长的长度；以及切割掩模构件的相对端部以使掩模构件从固定部分分离。

Description

制造分体式掩模的方法

相关申请的交叉引用

2016年9月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的并且题为“制造分体式掩模的方法”的第10-2016-0121527号韩国专利申请通过引用以其整体并入本文。

技术领域

示例性实施方式涉及制造分体式掩模的方法。

背景技术

显示设备可基于其发光方案而分为液晶显示(“LCD”)设备、有机发光二极管(“OLED”)显示设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备、电泳显示设备等。在它们之中，OLED显示设备在显示特性(例如，对比度和响应时间)方面优异，并且由于易于实现柔性显示器而作为下一代显示设备备受关注。

通常，OLED显示设备具有包括有机材料的多个薄膜由基板上的阴极和阳极围绕的结构。当电压施加至阴极和阳极时，引起电流流动，因此在有机薄膜中引起发光现象。即，有机分子被电流施加而刺激，以及随后恢复到原始基态以将额外能量发射成光。因此，为了形成包括多个有机薄膜层的OLED显示设备，在整个基板上沉积具有均匀厚度的有机薄膜是重要的。

有机薄膜可通过使用沉积掩模的沉积工艺形成。通常，沉积掩模固定至具有开口的框架以维持刚性，从而构成沉积掩模组件。然而，随着其上执行沉积的基板变大，沉积掩模可能经受偏斜。

发明内容

根据示例性实施方式，制造分体式掩模的方法包括：在第一方向上拉伸掩模构件的相对端部以将掩模构件固定至固定部分；在掩模构件上形成具有多个第一开口的第一图案部分；以及切割掩模构件的相对端部以使掩模构件从固定部分分离。第一图案部分朝向第一图案部分的中部在第一方向上具有较长的长度。

第一图案部分的端部可具有弯曲形状。

第一图案部分的端部可具有阶梯形状。

从固定部分分离的掩模构件可包括具有多个第二开口的第二图案部分。

第一图案部分在第一图案部分的中部的长度可大于第二图案部分在第二图案部分的中部的长度。

第二图案部分在第二图案部分的中部的长度与第二图案部分的边缘部的长度可大致相同。

第二图案部分的端部可具有直线形状。

掩模构件可包括不锈钢(SUS)、殷钢合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍-钴合金中的一种。

第一图案部分可形成为随着更远离掩模构件的相对端部而具有更窄的宽度。

掩模构件的相对端部可以以弯曲形状切割。

附图说明

通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1示出根据示例性实施方式的沉积掩模组件的分解立体图；

图2A、图2B和图2C示出根据示例性实施方式的制造分体式掩模的方法中的阶段的平面图；

图3示出根据替代示例性实施方式的制造分体式掩模的方法中的阶段的平面图；

图4A和图4B示出根据另一替代示例性实施方式的制造分体式掩模的方法中的阶段的平面图；

图5示出根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件的显示设备的沉积工艺的剖视图；以及

图6示出根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件制造的有机发光二极管(“OLED”)显示设备的剖视图。

具体实施方式

现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施方式；然而，示例性实施方式可实施为不同的形式，并且不应解释为局限于本文中所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且这些实施方式将向本领域技术人员充分传达示例性实现方式。

在附图中，为了清楚说明可能夸大了层和区的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称为“在”另一层或基板“上”时，层或元件可直接地在该另一层或基板上，或者还可存在中间层。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时、该层可以是两个层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个中间层。

为了便于描述，本文中可使用空间相对术语“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……之上”、“上”等，以描述如图中所示出的一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。将理解的是，除了图中描述的定向之外，空间相对术语还意图包括设备在使用或操作中的不同定向。例如，在图中所示出的设备被翻转的情况下，位于另一设备“之下”或“下方”的设备可放置在另一设备“之上”。因此，说明性术语“在……之下”可包括“下”和“上”两个位置。设备还可定向在其它方向上，并且因此，可根据定向不同地解释空间相对术语。

在本说明书全文中，当元件被称为“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至另一元件；或者该元件可“电连接”至另一元件，使得一个或多个中间元件介于其间。还将理解的是，术语“包括(comprise)”、“包括有(comprising)”、“包括(include)”和/或“包括有(including)”当在本说明书中被使用时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的群组。

将理解的是，尽管本文中可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开来。因此，在不背离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”可称作为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可被类似地称呼。

除非另外限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有如本领域技术人员所通常理解的相同意思。还将理解的是，除非在本说明书中清楚地限定，否则诸如在常用字典中限定的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的意思相一致的意思，而不应以理想化或过于形式化的意思来解释。

为了具体描述示例性实施方式，可能未提供与描述不相关的部分中的一些，并且在说明书全文中相同的附图标记表示相同的元件。

图1是示出根据示例性实施方式的沉积掩模组件101的分解立体图。

参照图1，根据示例性实施方式的沉积掩模组件101可包括框架110和多个分体式掩模120。下文中，为了便于描述，将框架110的短边方向称作为第一方向D1，将框架110的长边方向称作为第二方向D2，以及将框架110的厚度方向称作为第三方向D3。

框架110在其中部具有开口区域105。例如，如图1中所示，框架110可具有与作为沉积对象的基板相对应的四边形形状，并且在其中部可具有四边形形状的开口区域105以在基板上执行沉积工艺。

多个分体式掩模120可跨过开口区域105设置在框架110上。在这样的示例性实施方式中，多个分体式掩模120可在接收第一方向D1上的拉力的同时固定在框架110上，例如，多个分体式掩模120可在固定在框架110上的同时沿第一方向D1拉伸，从而处于沿第一方向D1的拉伸状态。因此，框架110可接收第一方向D1上的压缩力，该压缩力是对拉力的反应。另外，当多个分体式掩模120被焊接固定时，框架110可因热量而变形。因此，框架110包括具有高刚性的金属，从而使由于作用在框架110上的压缩力或热量而导致的变形大致最小化。

多个分体式掩模120沿第二方向D2连续地布置，并且可设置成彼此间隔开而不彼此重叠。多个分体式掩模120的相对端部分别与框架110的沿第一方向D1彼此面对的侧部重叠，并且相对端部可焊接至框架110的侧部从而进行固定。

例如，如图1中所示，多个分体式掩模120布置成在第一方向D1上跨过开口区域105，并且每个分体式掩模120的相对端部焊接至框架110的侧部。在这样的示例性实施方式中，焊接可以是点焊。在点焊中，可通过设置多个焊接点并且分别焊接这些焊接点而显著地减小焊接期间分体式掩模120的变形。焊接点可以是例如至少一个柱或Z形的形式。

多个分体式掩模120可包括例如不锈钢(SUS)、殷钢合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍-钴合金中的至少一种。

多个分体式掩模120包括图案部分PA。即，多个分体式掩模120中的每个包括与开口区域105重叠的部分处的图案部分PA。图案部分PA可包括以下将描述的多个开口。多个开口可限定成例如在作为分体式掩模120中的每个的厚度方向的第三方向D3上完全贯穿分体式掩模120延伸；或者可替代地，分体式掩模120的仅一部分可被蚀刻而不是完全地穿透。多个开口可根据待沉积在显示设备上的有机薄膜的图案而形成为各种形状，例如条纹形状和点状形状。

由于根据示例性实施方式的沉积掩模组件101包括多个分体式掩模120，而不是包括具有与开口区域105相对应的尺寸的单个掩模，所以可大致防止多个分体式掩模120由于沉积工艺中生成的热量而导致的变形，并且可减小多个分体式掩模120的偏斜现象。

下文中，将参照图2A、图2B、图2C、图3、图4A和图4B详细描述根据示例性实施方式的制造分体式掩模120的方法。另外，图2A、图2B、图2C、图3、图4A和图4B中的掩模构件121未被切割，而是因为显示不全而局部地省略。

图2A、图2B和图2C是示出根据示例性实施方式的制造分体式掩模120的方法中的阶段的平面图。

图2A是示出掩模构件121在第一方向D1上拉伸并固定的图。参照图2A，用于制造分体式掩模120的掩模构件121沿第一方向D1拉伸并且固定至固定部分160，第一方向D1是分体式掩模120的纵长方向。即，拉力以箭头150的方向作用在掩模构件121上，并且拉伸的掩模构件121的相对端部可固定至固定部分160。在这样的示例性实施方式中，比作用在掩模构件121的边缘部上的拉力更大的拉力可作用在掩模构件121的中部上。

掩模构件121可包括例如不锈钢(SUS)、殷钢合金、镍(Ni)、钴(Co)、镍合金和镍-钴合金中的至少一种。

固定部分160可具有支承掩模构件121的相对端部的平板形状。例如，固定部分160可以是任何适合的支承件，例如与框架110类似的框架，从而在透过掩模构件121形成第一图案部分PA1的期间至少支承掩模构件121的相对边缘。另外，固定部分160可具有卷轴形状，掩模构件121的相对端部的一部分围绕该卷轴形状卷曲。卷轴形状的固定部分可旋转以调整掩模构件121的位置。

图2B是示出具有多个第一开口131的第一图案部分PA1形成在掩模构件121中的图。参照图2B，掩模构件121包括第一图案部分PA1，第一图案部分PA1具有多个第一开口131和第一周围区域SA1，第一周围区域SA1例如围绕第一图案部分PA1的整个周边。例如，如图2B中所示，第一图案部分PA1和其中的多个第一开口131可具有沿第一方向D1延伸的其纵长方向。在图中，根据示例性实施方式的多个第一开口131被描述成具有条纹形状，但示例性实施方式不限于此。

多个第一开口131可通过光刻蚀法限定(例如形成)。例如，光刻胶可涂覆至掩模构件121的整个表面，并且例如紫外光的光可穿过掩模选择性地照射以对光刻胶曝光。当曝光的光刻胶显影时，形成具有不同厚度的光刻胶图案。随后，使用光刻胶图案作为掩模去除掩模构件121的一部分。在这样的示例性实施方式中，掩模构件121的部分可通过使用蚀刻溶液的湿蚀刻法去除。掩模构件121的一部分被蚀刻以形成具有多个第一开口131的第一图案部分PA1。然而，示例性实施方式不限于此，并且具有多个第一开口131的第一图案部分PA1可通过各种方法形成。

根据示例性实施方式的第一图案部分PA1形成为朝向其中部在第一方向D1上具有较长的长度。例如，如图2B中所示，当位于例如沿第二方向D2的中部处的第一图案部分PA1的长度限定为第一长度L1，以及边缘部处的第一图案部分PA1的长度限定为第二长度L2时，第一长度L1大于第二长度L2。换言之，多个第一开口131中的位于第一图案部分PA1的中心(其中心沿第二方向D2确定)处的第一开口131的沿第一方向D1的长度可大于多个第一开口131中的位于第一图案部分PA1的边缘处的第一开口131的长度，例如，第一长度L1可逐渐地减小以达到第二长度L2。

另外，第一图案部分PA1的端部可具有弯曲形状，例如，第一图案部分PA1中的第一开口131中的每个的沿第一方向D1彼此间隔开的相对端部可以弯曲成在沿第一方向D1的相反的方向上突出。例如，当第一图案部分PA1的沿第一方向D1彼此面对的相对端部分别限定为第一端部S1和第二端部S2时，第一端部S1和第二端部S2可具有彼此对称的弯曲形状，例如，关于沿第一方向D1的对称轴对称和/或关于沿第二方向D2的对称轴对称。然而，具有多个第一开口131的第一图案部分PA1的形状不限于此，并且可根据掩模构件121的位置、依据拉力的大小而不同地修改。

随后，沿位于第一周围区域SA1处的切割线171切割掩模构件121。尽管根据示例性实施方式的切割线171被描述成具有线性形状，但示例性实施方式不限于此。切割线171可形成为各种形状，例如，弯曲形状、Y形形状等。

图2C是示出从固定部分160分离的掩模构件121的图。参照图2B和图2C，掩模构件121沿位于第一周围区域SA1处的切割线171切割以从固定部分160分离。因此，随着掩模构件121从固定部分160分离，作用在掩模构件121上的拉力被去除，例如，在没有拉力的情况下，掩模构件121可恢复到其未拉伸的形状。

已去除拉力的掩模构件121包括具有多个第二开口141的第二图案部分PA2和围绕第二图案部分PA2的第二周围区域SA2。即，随着作用在掩模构件121上的拉力被去除，掩模构件121的形状可变化(例如，与拉伸的掩模构件121相比)。换言之，由于拉力被去除，多个第一开口131(其与掩模构件121一起拉伸)的形状可变形，使得图案部分的总长度可减小以限定具有多个第二开口141的第二图案部分PA2。例如，当位于中部处的第二图案部分PA2的长度限定为第三长度L3时，第三长度L3小于拉力被去除之前的第一图案部分PA1的第一长度L1和第二长度L2中的每个。

另外，如上所述，作用在掩模构件121上的拉力在中部比在边缘部处更大，并且当拉力被去除时，图案部分的长度在中部可比边缘部处减小更多。在这样的示例性实施方式中，因为第一图案部分PA1的第一长度L1大于其第二长度L2，所以已去除拉力的掩模构件121的第二图案部分PA2可在中部和边缘部处具有大致相同的长度。例如，如图2C中所示，第二图案部分PA2可具有与距中部的距离无关的第三长度L3。即，第二图案部分PA2的端部可具有直线形状(例如，与弯曲的第一端部S1和弯曲的第二端部S2相比)。

然后，还可根据需要执行附加工艺，并且可通过如上所述的制造方法制造多个分体式掩模120。

根据示例性实施方式制造分体式掩模120的方法在掩模构件121上形成第一图案部分PA1，该第一图案部分PA1根据多个开口的制造工艺期间的变形朝向中部具有较长的长度，其中，变形根据位置而不同。因此，设计的分体式掩模的开口形状与制造的分体式掩模的开口形状之间的差异可大致最小化。

图3是示出根据替代示例性实施方式的制造分体式掩模的方法的平面图。为了便于说明，将省略与先前描述的示例性实施方式的配置相同的配置的描述。

例如，图3是示出拉力以箭头150的方向作用在掩模构件121上以及具有多个第一开口132的第一图案部分PA1形成在拉伸的掩模构件121上的图。参照图3，掩模构件121包括具有多个第一开口132的第一图案部分PA1和围绕第一图案部分PA1的第一周围区域SA1。

第一图案部分PA1形成为朝向中部在第一方向D1上具有较长的长度。在这样的示例性实施方式中，根据替代示例性实施方式的第一图案部分PA1的端部可具有阶梯形状。例如，当第一图案部分PA1的沿第一方向D1彼此面对的相对端部分别限定为第三端部S3和第四端部S4时，第三端部S3和第四端部S4可具有彼此对称的阶梯形状。

随后，沿位于第一周围区域SA1处的切割线172切割掩模构件121。根据替代示例性实施方式的切割线172具有弯曲形状。因此，已去除拉力的掩模构件121的相对端部之间的长度在第一方向D1上可具有大致相同的长度。

图4A和图4B是示出根据另一替代示例性实施方式的制造分体式掩模的方法的平面图。为了便于说明，将省略与先前描述的示例性实施方式的配置相同的配置的描述。

图4A是示出拉力以箭头150的方向作用在掩模构件121上以及具有多个第一开口133的第一图案部分PA1形成在拉伸的掩模构件121上的图。在这样的示例性实施方式中，比作用在掩模构件121的边缘部上的拉力更大的拉力可作用在掩模构件121的中部上。另外，随着更远离相对端部，更大的拉力可作用在掩模构件121上。参照图4A，掩模构件121包括具有多个第一开口133的第一图案部分PA1和围绕第一图案部分PA1的第一周围区域SA1。根据另一替代示例性实施方式的多个第一开口133可具有点状形状，并且多个第一开口133可以以Z形形状布置。

第一图案部分PA1形成为朝向其中部在第一方向D1上具有较长的长度。另外，随着更远离第一图案部分PA1的相对端部，根据另一替代示例性实施方式的第一图案部分PA1形成为具有更窄的宽度。例如，如图4A中所示，当位于相对端部处的第一图案部分PA1的宽度限定为第一宽度W1，以及距相对端部一定距离位置处的第一图案部分PA1的宽度限定为第二宽度W2时，第一宽度W1大于第二宽度W2。

另外，第一图案部分PA1的所有端部可具有弯曲形状。例如，当第一图案部分PA1的沿第一方向D1彼此面对的相对端部分别限定为第五端部S5和第六端部S6，以及第一图案部分PA1的沿第二方向D2彼此面对的相对端部分别限定为第七端部S7和第八端部S8时，第五端部S5、第六端部S6、第七端部S7和第八端部S8可具有弯曲形状。

图4B是示出从固定部分160分离的掩模构件121的图。参照图4A和图4B，掩模构件121沿位于第一周围区域SA1处的切割线171切割以从固定部分160分离，并且因此，去除了作用在掩模构件121上的拉力。

已去除拉力的掩模构件121包括具有多个第二开口143的第二图案部分PA2和围绕第二图案部分PA2的第二周围区域SA2。

随着作用在掩模构件121上的拉力被去除，多个开口的形状可变形，并且因此，图案部分的总长度可减小。另外，随着作用在根据替代示例性实施方式的掩模构件121上的拉力被去除，图案部分的总宽度可增大。例如，当相对端部处的第二图案部分PA2的宽度限定为第三宽度W3时，第三宽度W3大于拉力被去除之前的第一图案部分PA1的第一宽度W1和第二宽度W2。

另外，如上所述，随着更远离相对端部，作用在掩模构件121上的拉力更大；并且当拉力被去除时，随着更远离相对端部，图案部分的宽度可增大更多。在这样的示例性实施方式中，由于第一图案部分PA1的第一宽度W1大于其第二宽度W2，因此已去除拉力的掩模构件121的第二图案部分PA2可具有与距相对端部的距离无关的大致相同的宽度。例如，如图4B中所示，第二图案部分PA2可具有与距相对端部的距离无关的第三宽度W3。

根据另一替代示例性实施方式的制造分体式掩模120的方法在掩模构件121上形成第一图案部分PA1，随着更远离掩模构件121的相对端部，第一图案部分PA1朝向中部具有更长的长度和更小的宽度，使得设计的分体式掩模的开口形状与制造的分体式掩模的开口形状之间的差异可大致最小化。

下文中，参照图5，将详细描述根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件的显示设备的沉积工艺。

图5是示出根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件的显示设备的沉积工艺的剖视图。

参照图5，根据示例性实施方式的沉积工艺装置包括沉积掩模组件101、磁性单元200、固定构件300、蒸发源400和腔室500。

沉积掩模组件101可包括框架110和分体式掩模120，并且沉积掩模组件101位于腔室500中且位于腔室500的上部以面对蒸发源400。

磁性单元200(例如磁性支承件)定位成与基板S一起面对沉积掩模组件101，其中，基板S是介于磁性单元200与沉积掩模组件101之间的沉积对象。沉积掩模组件101的分体式掩模120可通过来自磁性单元200的磁力与基板S紧密接触。

固定构件300支承沉积掩模组件101的边缘部。固定构件300设置在从蒸发源400提供的有机材料到基板S的运动路径的外部。

蒸发源400定位在沉积掩模组件101之下，并且透过分体式掩模120的图案部分PA向基板S提供有机材料。即，有机材料朝向位于腔室500中且位于腔室500的上部的基板S的沉积表面提供。

蒸发源400可以是在其中包含有机材料的坩埚的形式，并且可使用热量使有机材料蒸发以沉积在基板S上。沉积工艺装置还可包括用于加热有机材料的加热器。加热器设置在蒸发源400的相对侧上以加热蒸发源400，使得蒸发源400中包含的有机材料可被加热并且升华。

腔室500提供可在其中进行沉积工艺的空间。腔室500可连接至真空泵(例如涡轮分子泵(TMP))以在沉积工艺期间将腔室500的内部维持在真空状态。腔室500还可包括设置成围绕内壁表面的防粘板。防粘板大致防止从蒸发源400排出的有机材料之中的未沉积在基板S上的有机材料吸附在腔室500的内壁表面上。

基板S可定位在沉积掩模组件101之上。基板S可设置成与沉积掩模组件101的开口区域105重叠。另外，基板S可与沉积掩模组件101的上部间隔开预定距离。

尽管未示出，但沉积工艺装置还可包括用于测量蒸发有机材料的速度的厚度监控传感器、用于根据测量的厚度控制蒸发源400的厚度控制器、用于阻挡从蒸发源400蒸发的有机材料的遮挡板等。另外，沉积工艺装置还可包括设置在腔室500外部以使基板S和沉积掩模组件101对准的对准器和CCD相机。

以下将简要描述将沉积材料沉积在基板S的沉积表面上的工艺。

首先，将沉积掩模组件101固定至固定构件300，并且基板S设置在分体式掩模120之上。然后，位于腔室500中且位于腔室500的下部的蒸发源400朝向沉积掩模组件101喷射有机材料。例如，当向连接至蒸发源400的加热器施加电力时，包含有机材料的蒸发源400被加热，并且因此，有机材料被加热并且升华以朝向沉积掩模组件101喷射。在这种情况下，腔室500的内部维持在高度真空和高温下。

当有机材料喷射时，有机材料透过在分体式掩模120中形成的图案部分PA沉积在基板S的沉积表面上。通过重复该工艺，基板S上可形成多层有机薄膜。

随着显示设备的尺寸变得更大，真空沉积装置自身的尺寸变得更大，以及沉积掩模组件101的尺寸也变得更大。因此，可潜在地发生掩模的翘曲和偏斜现象。然而，根据示例性实施方式的沉积掩模组件101包括多个分体式掩模120以使翘曲和偏斜现象大致最小化，从而大致防止基板S上的有机薄膜的沉积精度和均匀性的劣化。因此，显示设备的使用寿命和可靠性可提高。

下文中，将参照图6详细描述根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件制造的有机发光二极管(“OLED”)显示设备。

图6是示出根据示例性实施方式的使用沉积掩模组件101制造的OLED显示设备600的剖视图。

参照图6，OLED显示设备600包括基底基板611、阻挡层612、半导体有源层613、栅极绝缘层617、层间绝缘层619、源电极620、漏电极621、钝化层622、平坦化层623、像素限定层624、OLED和封装部分640。

基底基板611可包括具有柔性的绝缘材料。例如，基底基板611可包括聚合物材料，例如，聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚砜(PES)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚芳酯(PAR)、玻璃纤维增强塑料(FRP)等。可替代地，基底基板611可以是玻璃基板。基底基板611可以是透明的、半透明的或不透明的。

阻挡层612设置在基底基板611上。阻挡层612可设置成覆盖基底基板611的整个上表面。阻挡层612可包括无机层或有机层。阻挡层612可包括单膜或多层膜。例如，阻挡层612可包括例如氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al₂O₃)和氮化铝(AlN)的无机材料和例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺和聚酯的有机材料中的至少一种。

阻挡层612用于阻挡氧气和水分，防止水分或杂质扩散透过基底基板611，并且在基底基板611的顶部提供平坦的表面。薄膜晶体管(“TFT”)形成在阻挡层612上。尽管顶栅型TFT被示作为根据示例性实施方式的TFT，但示例性实施方式不限于此，并且另一结构的TFT(例如底栅型TFT)可用作为根据示例性实施方式的TFT。

半导体有源层613设置在阻挡层612上。半导体有源层613包括源区614、漏区615和沟道区616。半导体有源层613用N型杂质离子或P型杂质离子掺杂以形成源区614和漏区615。源区614与漏区615之间的区域是未掺杂杂质的沟道区616。

半导体有源层613可包括多晶硅或非晶硅。另外，半导体有源层613可包括氧化物半导体。例如，氧化物半导体可包括从4族、12族、13族或14族金属元素(例如，锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、镉(Cd)、锗(Ge)和铪(Hf))中选取的材料的氧化物以及它们的组合。

栅极绝缘层617设置在半导体有源层613上。栅极绝缘层617可包括诸如氧化硅、氮化硅或金属氧化物的无机层。栅极绝缘层617可具有单层结构或多层结构。

栅电极618设置在栅极绝缘层617上。栅电极618可具有单层结构或多层结构，包括例如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo或Cr，或者诸如Al:Nd和Mo:W的合金。

层间绝缘层619设置在栅电极618上。层间绝缘层619可包括例如氧化硅和氮化硅的绝缘材料。另外，层间绝缘层619可包括绝缘有机层。

源电极620和漏电极621设置在层间绝缘层619上。例如，通过去除栅极绝缘层617和层间绝缘层619的一部分，在栅极绝缘层617和层间绝缘层619中限定接触孔，源区614和源电极620可通过接触孔彼此电连接，并且漏区615和漏电极621可通过接触孔彼此电连接。

钝化层622设置在源电极620和漏电极621上。钝化层622可包括有机层或例如氧化硅和氮化硅的无机层。

平坦化层623设置在钝化层622上。平坦化层623可包括例如丙烯酸树脂、聚酰亚胺和苯并环丁烯(BCB)的有机层。

OLED可形成在TFT上。OLED包括第一电极625、第二电极627以及在第一电极625与第二电极627之间的中间层626。

第一电极625通过接触孔电连接至源电极620和漏电极621中的一个。第一电极625与像素电极相对应。

第一电极625用作为阳极，并且可包括各种导电材料。第一电极625可以是透明电极，或者可以是反射电极。例如，在第一电极625是透明电极的情况下，第一电极625可包括例如ITO、IZO、ZnO和In₂O₃。在第一电极625是反射电极的情况下，第一电极625可包括反射层，该反射层包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr，并且在反射层上可形成ITO、IZO、ZnO、In₂O₃等。

像素限定层(“PDL”)624设置在平坦化层623上以覆盖第一电极625的边缘。像素限定层624通过围绕第一电极625的边缘限定每个子像素的发光区域。

像素限定层624包括有机材料或无机材料。例如，像素限定层624可包括例如聚酰亚胺、聚酰胺、苯并环丁烯、丙烯酸树脂和酚树脂的有机材料或诸如SiN_x的无机材料。像素限定层624可具有单层结构或多层结构。

中间层626设置在第一电极625上。中间层626可设置在通过蚀刻像素限定层624的一部分而暴露的区域处。中间层626可通过沉积工艺产生。

中间层626可包括低分子有机材料或高分子有机材料。中间层626可包括有机发射层(EML)。另外，中间层626可包括有机发射层，并且还可包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一项。然而，示例性实施方式不限于此，并且中间层626可包括有机发射层，并且还可包括各种其它功能层。

第二电极627设置在中间层626上。第二电极627与公共电极相对应。第二电极627可以是透明电极。

第一电极625可设置成具有与每个像素限定层624的开口相对应的形状。另一方面，第二电极627可沉积在基底基板611的整个表面上方。可替代地，第二电极627可具有特定的图案，而非沉积在整个表面上方。第一电极625和第二电极627可以以相反的位置堆叠。

在示例性实施方式中，第一电极625和第二电极627通过中间层626彼此绝缘。当向第一电极625和第二电极627施加电压时，可见光从中间层626发射以实现用户可识别的图像。

封装部分640设置在OLED上。封装部分640保护中间层626和其它薄膜免受外部水分、氧气的影响。

封装部分640可具有至少一个有机层和至少一个无机层堆叠的结构。例如，封装部分640可具有这样的堆叠结构，其包括至少一个有机层641和642以及至少一个无机层643、644和645，其中：至少一个有机层641和642包括例如环氧树脂、聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚乙烯和聚丙烯酸酯；至少一个无机层643、644和645包括例如氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN_x)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO_x)和氧化锌(ZnO)。

封装部分640可具有包括至少一个有机层641和642以及至少两个无机层643、644和645的结构。暴露于外部的封装部分640的最上层645可包括无机层以大致防止水分渗透至OLED。

通过总结和回顾，沉积掩模组件可包括附接至框架的多个条形分体式掩模，并且每个分体式掩模可包括用于通过其进行沉积的多个开口。当在分体式掩模中形成多个开口时，拉力作用在分体式掩模的相对端部上。因此，当在限定了开口之后将作用在分体式掩模上的拉力被去除时，分体式掩模的开口形状可变形。

与之相较地，示例性实施方式提出一种制造分体式掩模的方法，该方法可使设计的分体式掩模的开口形状与制造的分体式掩模的开口形状之间的差异大致最小化。例如，根据制造分体式掩模的示例性方法，在拉伸的掩模中形成的开口的形状故意地形成为在掩模的中部长于其边缘处(由于中部的拉力大于其边缘处)，所以收缩的掩模内的开口(在去除拉力之后)在收缩的掩模内收缩，以具有与距中部的距离无关的大致相同的长度。

本文中已经公开了示例实施方式，以及尽管使用了特定的术语，但是应仅以通常性的和描述性的意义来使用并解释这些特定术语，且这些特定术语并不出于限制的目的。在一些情况下，如将随着本申请的递交而对本领域普通技术人员显而易见的是，除非另外特别地指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者以与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合的方式使用。因此，本领域技术人员将理解的是，在不背离如所附权利要求所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可对形式和细节进行各种改变。

Claims

1.制造分体式掩模的方法，所述方法包括：

在第一方向上拉伸掩模构件的相对端部以将所述掩模构件固定至固定部分；

在所固定的掩模构件上形成具有多个第一开口的第一图案部分，使得所述第一图案部分朝向所述第一图案部分的中部在所述第一方向上具有较长的长度，且所述第一图案部分在所述第一方向上的长度从所述第一图案部分的所述中部到所述第一图案部分的边缘部逐渐地减小；以及

切割所述掩模构件的所述相对端部以使所述掩模构件从所述固定部分分离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一图案部分包括：将所述第一图案部分的端部形成为具有弯曲形状。

3.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一图案部分包括：将所述第一图案部分的端部形成为具有阶梯形状。

4.如权利要求1所述的方法，其中，当所述掩模构件从所述固定部分分离时，所述第一图案部分转变成具有多个第二开口的第二图案部分。

5.如权利要求4所述的方法，其中，所述第一图案部分在所述第一图案部分的所述中部的长度大于所述第二图案部分在所述第二图案部分的中部的长度。

6.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二图案部分在所述第二图案部分的中部的长度与所述第二图案部分的边缘部的长度相同。

7.如权利要求4所述的方法，其中，所述第二图案部分的端部具有直线形状。

8.如权利要求1所述的方法，其中，所述掩模构件由不锈钢、殷钢合金、镍、钴、镍合金和镍-钴合金中的至少一种形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一图案部分包括：将所述第一图案部分形成为随着更远离所述掩模构件的所述相对端部而具有更窄的宽度。

10.如权利要求1所述的方法，其中，切割所述掩模构件的所述相对端部包括以弯曲形状进行所述切割。