CN112267092B - 掩膜板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种掩膜板及其制备方法。所述掩膜板包括图案化区，具有包括多个开口的图案化层；接合区，位于图案化区的外围，具有与外框接合的接合部；以及过渡区，位于图案化区和接合区之间，具有过渡部，所述过渡部附接至图案化层和接合部；其中，图案化层的厚度小于接合部的厚度以及所述过渡部的与所述图案化层附接的部分的厚度小于所述过渡部的与所述接合部附接的部分的厚度。本发明的掩膜板可以缓解图案化层较薄容易变形的问题并且提高了图案化层的平坦度。

Description

掩膜板及其制备方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制备方法。
背景技术
小尺寸OLED显示面板器件中的有机发光材料，通常采用真空蒸镀工艺制备。使用精密金属掩膜版的蒸镀工艺制备显示面板内高分辨率的RGB像素图形，金属掩膜板上的精密开孔图形确保了有机发光材料精准并可控地蒸镀到基板上。目前显示行业量产普遍采用的是通过湿法刻蚀工艺生产的Invar材质的金属掩膜板，该金属掩膜板厚度通常在25-40μm。受传统湿法刻蚀工艺的限制，所实现的显示极限为 600-700PPI，并且厚度在20μm以下的金属掩膜板制备极其困难，无法量产。电铸工艺是利用电化学沉积原理制备薄膜，在尺寸和厚度上可以进行精确的控制，利用电铸工艺特点可以突破蚀刻工艺的瓶颈，使开孔尺寸更小，厚度更薄从而减少蒸镀阴影，实现800PPI以上的高分辨率产品。然而电铸工艺制备的金属掩膜板的缺点是所形成的金属掩膜板的厚度极薄易发生褶皱变形，并且厚度低于20μm的金属掩膜板在与框架焊接时，焊接工艺困难，易发生击穿，虚焊，脱焊，平坦度较差以至于无法焊接的情况。
发明内容
为了解决现有技术中存在的上述问题，本申请提供了一种掩膜板及其制备方法。
所述掩膜板包括：图案化区，包括具有多个开口的图案化层；接合区，处于图案化区的外围，包括用于与外框接合的接合部；以及过渡区，处于图案化区和接合区之间，包括过渡部，所述过渡部的内侧端和外侧端分别附接至图案化层和接合部；其中，图案化层的厚度小于接合部的厚度；以及所述过渡部的与所述图案化层附接的部分的厚度小于所述过渡部的与所述接合部附接的部分的厚度。
在一个实施例中，所述接合部包括第一接合子层和第二接合子层；所述过渡部包括第一过渡子层和第二过渡子层；所述第一接合子层、所述第一过渡子层和所述图案化层在所述掩膜板的正面一侧齐平，并且所述第一过渡子层处于所述第一接合子层和所述图案化层之间且附接至所述第一接合子层和所述图案化层；所述第二接合子层和所述第二过渡子层分别处于所述第一接合子层和所述第一过渡子层的与所述正面相对的一面；以及所述第二过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第一过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘远离所述图案化层。
在一个实施例中，所述接合部还包括处于所述第二接合子层的与所述正面相对的一面的第三接合子层；所述过渡部还包括处于所述第二过渡子层的与所述正面相对的一面的第三过渡子层；以及所述第三过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第二过渡子层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影远离所述图案化层。
在一个实施例中，所述接合部还包括处于所述第三接合子层的与所述正面相对的一面的第四接合子层；所述过渡部还包括处于所述第三过渡子层的与所述正面相对的一面的第四过渡子层；以及所述第四过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第三过渡子层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影远离所述图案化层。
在一个实施例中，所述第二接合子层和所述第二过渡子层为一体结构；所述第三接合子层和所述第三过渡子层为一体结构；以及所述第四接合子层和所述第四过渡子层为一体结构。
在一个实施例中，所述图案化层的厚度在5至12μm范围内；和 /或所述接合部的厚度在15至25μm范围内，以及所述过渡部在与所述接合部附接的部分的厚度在15至25μm范围内。
在一个实施例中，所述图案化层、第一接合子层、所述第二接合子层、所述第三接合子层、所述第四接合子层、所述第一过渡子层、所述第二过渡子层、所述第三过渡子层和所述第四过渡子层中的任意一个的材料为镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述第二过渡子层的内侧边缘具有朝向所述图案化区的多个凸起和朝向所述接合区的多个凹陷。
在一个实施例中，所述多个凸起包括多个第一半圆形，所述多个第一半圆形的各直径的连线处于第一直线上；所述多个凹陷包括多个第二半圆形，所述多个第二半圆形的各直径的连线处于第二直线上；以及所述第一半圆形和所述第二半圆形依次交替连接。
在一个实施例中，所述第一直线和所述第二直线为同一条直线；以及所述第一半圆形的直径为第二半圆形的直径的1.7至2倍。
在一个实施例中，所述第一半圆形的直径处于200至400μm的范围内。
在一个实施例中，所述多个凸起包括多个第一三角形/梯形，所述多个第一三角形/梯形的各底边的连线处于第一直线上；所述多个凹陷包括多个第二三角形/梯形，所述多个第二三角形/梯形的底边的连线处于第二直线上；以及所述第一三角形/梯形和所述第二三角形/ 梯形依次交替连接
在一个实施例中，所述第三过渡子层的内侧边缘和/或所述第四过渡子层的内侧边缘具有朝向所述图案化区的多个凸起和朝向所述接合区的多个凹陷。
本发明还提供了一种制备上述掩膜板的方法，包括：利用同一电化学沉积工艺形成所述图案化层、所述第一接合子层、所述第一过渡子层；以及利用同一电化学沉积工艺形成所述第二接合子层和所述第二过渡子层。
本发明提供的掩膜板包括图案化区、接合区和过渡区，图案化区通常包括厚度较薄的一体化膜层，而用于与框架接合的接合区通常采用多个膜层构造，厚度较厚，从而减轻图案化区的薄膜变形从而改善掩膜层的平坦度，提高掩膜板稳定性，保证焊接工艺良好。另外，在图案化区与加厚的接合区之间设计过渡区，过渡区厚度方向上，第一过渡子层与图案化区的图案层在掩膜板的正面侧同层，在过渡区增设第二过渡子层、第三过渡子层和第四过渡子层作为第一补偿层、第二补偿层和第三补偿层，作为第一补偿层的第二过渡部的朝向图案化区的边界设有多个凸起和多个凹陷，即大小不同间隔排布的波浪图形，这可以有效抵抗掩膜板张网拉伸与横向收缩产生的褶皱变形。进一步地，过渡区与接合区进行多层沉积，过渡区中包括的多个子层的边界在第一过渡子层上的正投影逐渐远离所述图案化区，即，所述多个子层的边界在垂直于第一过渡子层的方向上呈阶梯形排布。通过将掩膜板分区域厚度补偿及各个补偿子层的图形设计，可以有效解决电铸掩膜板褶皱和焊接不良问题。
附图说明
为了更清楚地说明本公开的技术方案，下面将参照附图对本公开的实施例进行详细介绍。
图1A和图1B分别示出了根据本公开实施例的掩膜板的部分结构的俯视图和截面图；
图2A和图2B分别示出了根据本公开实施例的掩膜板的结构的俯视图和截面图；
图3出了根据本公开实施例的掩膜板的结构的截面示意图；
图4A和图4B分别示出了根据本公开实施例的掩膜板的过渡区中的膜层的结构示意图和扫描电子显微镜图；
图4C至图4E分别示出了根据本公开实施例的掩膜板的过渡区中的膜层的结构示意图；
图4F和图4G分别示出了根据本公开实施例的掩膜板的结构的俯视图；以及
图5示出了根据本公开的实施例的掩膜板的制备方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开进行详细描述。
为了避免电铸工艺制备的掩膜板厚度太薄容易形成褶皱变形的问题，本公开提供了一种掩膜板及其制备方法。
本公开中，将电铸工艺制备的掩膜板进行了分区：处于掩膜板中心区域的图案化区域，其具有用于形成所需图形的多个开口；图案化区域外围周边的过渡区；过渡区外围周边的接合区，也可称为焊接区，其预留作为蒸镀时外框架对掩膜板进行固定的区域。在本公开中，采用电铸工艺来制备掩膜板，形成的掩膜板的核心区域(即，包括多个开口的图案化区域)较薄，例如5-12μm，这可以显著地降低利用常规较厚金属掩膜板进行蒸镀工艺时的阴影效应，从而可以降低例如显示面板中RGB像素图形之间的混色风险，减小相邻像素之间的间距，从而提高分辨率。本申请的电铸掩膜板的图案化区可以采用一体化膜层。例如，电铸掩膜板的图案化区中包括一体化膜层的均匀阵列排布多个像素孔。这样设计的电铸掩膜板可以配合辅助掩膜板来实现显示面板中各种图案的形成，从而有利于实现高分辨率图案，而且一体化设计的均匀阵列排布多个像素孔的图案化区的膜层将有利于图案化层张网时受力均匀。
在蒸镀工艺时膜层较薄的图案化区域容易被破坏、褶皱和变形，在将掩膜板平坦地固定到外框架上(张网拉伸)比较难以操作，易发生击穿，虚焊，脱焊，平坦度较差以至于无法焊接的情况。为了增加掩膜版的强度与稳定性，改善焊接不良，本发明掩膜板对焊接区的膜层进行加厚，例如厚度15-25μm，加厚处理可通过进行电化学沉积多个膜层来实现。本发明的掩膜板还包括介于图案化区和接合区之间的过渡区，过渡区也可以包括多个膜层，这些膜层可以与焊接区中的多个膜层一样通过薄膜沉积工艺依次制备，而且焊接区和过渡区的每层可以由薄膜沉积工艺一体形成。
掩膜板的图案化区域的膜层较薄的开孔区的力学拉伸特性与膜层较厚的焊接区实材区的差异较大，因此，在对掩膜板进行张网拉伸时，会在图案化区与接合区相接的部分发生明显的褶皱变形，导致张网后图案化区的像素孔位置精度发生偏移，进行蒸镀工艺时产生RGB 像素图形偏移混色，掩膜板褶皱处由于无法与基板玻璃紧密贴合，会产生较大的蒸镀阴影效应甚至在基板上无法蒸镀有机材料的情况。为了减小褶皱变形，本公开的掩膜板在图形化区域和接合区域之间增设过渡区，过渡区是连接图案化区和接合区的部分，过渡区的膜层厚度可以与接合区的膜层厚度相同，如上所述在进行电铸沉积工艺时共同制备。为了避免图案化区域和接合区的力学拉伸特性的突变，本发明的掩膜板过渡区的多个膜层配置为从图案化区朝向接合区呈现阶梯递减排布，从而平衡掩膜板上受到的应力，来有效缓解掩膜板张网褶皱变形。
具体地，如图2A和2B所示，本申请的一种掩膜板包括：图案化区AR，具有包括多个开口的图案化层1；接合区BR，处于图案化区AR的周边，具有与外框接合的接合部3；以及过渡区TR，处于图案化区AR和接合区BR中间，具有过渡部2，所述过渡部2分别与图案化层1和接合部3接合；图案化层1的厚度小于接合部3的厚度。
本公开的掩膜板可以采用电铸工艺制备，其材料例如可以为镍铁合金，镍钴合金，铁钴合金中的至少一种。图2A示出了该掩膜版的正面(靠近要形成图形的基板的一侧)的结构示意图，图2B示出了沿图2A中的线BB’的该掩膜版厚度方向上的截面图。如图2A所示，该掩膜板的图案化区AR的图案化层1、过渡区TR的过渡部2和接合区BR的接合部3在正面上是平齐的，如图2A所示。然而，如图2B 所示，该掩膜板的图案化区AR的图案化层1、过渡区TR的过渡部2 和接合区BR的接合部3在背面上不是平齐的，其中过渡区TR的过渡部2和接合区BR的接合部3的厚度大于图案化区AR的图案化层1 的厚度。
如图2A和图2B所示，掩膜板的图案化区AR的图案化层1的厚度较薄，可以避免蒸镀工艺时的阴影效应，其厚度可以在5-12μm范围内。掩膜板的接合区BR的接合部3另外还包括增加接合部3的厚度的膜层30，膜层30的材料也可以为镍铁合金，镍钴合金，铁钴合金中的至少一种。通过在接合部3中增加膜层30，可以保证掩膜板张网可靠性和平坦度，确保焊接可靠性。掩膜板的过渡区TR的过渡部2 另外还包括增加接合部2的厚度的膜层20，膜层20的材料也可以为镍铁，镍钴，铁钴合金。通过在过渡部2中增加膜层20，可以避免图案化区域和接合区的力学拉伸特性的突变，可以进一步保证掩膜板张网可靠性和平坦度，确保焊接可靠性。
图1A和图1B示意性地示出了掩膜板的部分结构(第一层结构) 的示意图和截面图。图1A仅仅示出了掩膜板的第一层结构的示意图。图1B为沿图1A的线AA’的截面图。如图1A和1B所示，掩膜板的图案化区AR膜层可以与过渡区TR的第一层和接合区BR中的第一层同层设置，即，可以采用同一电铸工艺形成三个区的第一层，第一层的材料例如为镍铁合金，镍钴合金，铁钴合金中的至少一种，厚度均可以在5-12μm范围内。
图3示出了本发明实施例的掩膜板的截面图。在该实施例中，过渡区TR的过渡部2可以包括第一过渡子层21、第二过渡子层22、第三过渡子层23和第四过渡子层24；接合区BR的接合部3包括第一接合子层31、第二接合子层32、第三结合子层33和第四接合子层 34。如图3所示，过渡部2与图案化层1接合的部分(即，第一过渡子层21)的厚度小于过渡部2与接合部3接合的部分(即，第一过渡子层21、第二过渡子层22、第三过渡子层23和第四过渡子层24 的组合)的厚度。第一过渡子层21、第一接合子层31和图案化层1 在掩膜板的正面侧齐平，可以采用镍钴合金、镍铁合金，铁钴合金中的至少一种由同一电铸工艺制备而成，其中第一过渡子层21处于第一接合子层31和图案化层1之间并且与所述第一接合子层21和所述图案化层1贴合接触；第二接合子层32和第二过渡子层22分别处于第一接合子层31和第一过渡子层21的与正面相对的一面(即，远离正面的一侧)，第二过渡子层22的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的正投影相对于第一过渡子层21远离图案化层 1；接合部3还包括处于第二接合子层32的与正面相对的一面的第三接合子层33；过渡部2还包括处于第二过渡子层22的与正面相对的一面的第三过渡子层23，第三过渡子层23的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的正投影相对于第二过渡子层22的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的正投影远离图案化层1；接合部3还包括处于第三接合子层33的与正面相对的一面的第四接合子层34；过渡部2还包括处于第三过渡子层23的与正面相对的一面的第四过渡子层24，第四过渡子层24的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的正投影相对于第三过渡子层23的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的正投影远离图案化层1。由此第一过渡子层21、第二过渡子层22、第三过渡子层23和第四过渡子层24在掩膜板的与正面相对的背面侧沿着远离图案化区AR的方向上形成了多级台阶结构，从而可以减小图案化区AR和接合区BR的膜层之间的特性上的突变。
在该实施例中，第二接合子层32和第二过渡子层22为一体结构；第三接合子层33和第三过渡子层23为一体结构；以及第四接合子层34和第四过渡子层24为一体结构。即，通过同一电铸工艺采用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种来形成第二接合子层32和第二过渡子层22；通过同一电铸工艺采用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种来形成第三接合子层33和第三过渡子层23；通过同一电铸工艺采用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种来形成第四接合子层34和第四过渡子层24。
在一个实施例中，图案化层1的厚度在5至12μm范围内；而接合部3的厚度在15至25μm范围内，而过渡部2由于其各个膜层与接合部3各个膜层采用同一电化学沉积工艺制备，因此过渡部2在与接合部3接触的部分的厚度与接合部3厚度相同，处于15至25μm 范围内。
如图4A和图4B所示，为了有效抵抗张网拉伸与横向收缩产生的褶皱变形，在一个实施例中，过渡区TR的过渡部2的第二过渡子层 22相对于第一过渡子层21更加远离图案化层1，在第二过渡子层22 的靠近图案化层1的边缘配置有大小不同间隔排布的波浪图形。例如，在该实施例中，第二过渡子层22靠近图案化层1的部分具有朝向所述图案化区AR的多个凸起和朝向所述接合区BR的多个凹陷。如图4A 和图4B所示，多个凸起可以包括多个第一半圆形210，多个第一半圆形210的各直径D1的连线处于第一直线上；多个凹陷可以包括多个第二半圆形220，多个第二半圆形220的各直径D2的连线处于第二直线上；多个第一半圆形210和多个第二半圆形220依次交替连接，从而形成波浪图形。第一直线和第二直线可以为同一条直线。在一个示例中，第一半圆形210的直径D1约为第二半圆形220的直径D2 的1.7至2倍。在一个实施例中，第一半圆形210的直径D1约为200 至400μm。通过如此设置，在将掩膜板焊接到框架上进行蒸镀工艺时，可以平衡张网时产生的应力，使得掩膜板的图案化区的膜层在张网时受力均匀，避免掩膜板褶皱，改善焊接质量和焊接可靠性。
以上仅仅给出了本发明的一个示例，但是本发明不限于此，例如可以将掩膜板的过渡区的第二过渡子层的边缘设计为其他形状，只要该形状能够使得掩膜板的膜层在张网时受力均匀即可，例如多个凸起和多个凹陷可以由四种不同直径的半圆形交替布置构成，其中两种不同直径的半圆形朝向图案化区突出，而另外两种不同直径的半圆形朝向接合区突出，而且这四种不同直径的半圆形的直径在同一方向上延伸。
本申请的过渡子层的波浪形边缘的形状不限于圆形,例如还可以为折线、矩形、三角形、梯形等，只要过渡子层的边缘形状能够使得掩膜板的膜层在张网时平衡应力，使得整个图案化层的受力均匀，确保焊接质量和可靠性即可。
在另一个实施例中，如图4C所示，多个凸起可以包括多个第一三角形230，多个第一三角形210的底边d1的连线处于第三直线上；多个凹陷可以包括多个第二三角形240，多个第二三角形240的各底边d2的连线处于第四直线上；多个第一三角形230和多个第二三角形240依次交替连接，从而形成波浪图形。第三直线和第四直线可以为同一条直线。
在另一个实施例中，如图4D所示，多个凸起可以包括多个第一矩形250，多个第一矩形250的底边e1的连线处于第五直线上；多个凹陷可以包括多个第二矩形260，多个第二矩形260的各底边e2 的连线处于第六直线上；多个第一矩形250和多个第二矩形260依次交替连接，从而形成波浪图形。第五直线和第六直线可以为同一条直线。例如，图4F示出了这种构造的掩膜板的结构的俯视图，该掩膜板的过渡区TR的过渡部2的第二过渡子层的靠近图案化区AR的波浪形边缘由朝向图案化区AR的多个矩形凸起和朝向接合区BR的多个矩形凹陷构成。
在另一个实施例中，如图4E所示，多个凸起可以包括交替设置的多个第一梯形270和多个第三梯形290，多个第一梯形270的底边 c1的连线处于第七直线上，多个第三梯形290的底边c3的连线处于第三直线；多个凹陷可以包括多个第二梯形280，多个第二梯形280的各底边c2的连线处于第八直线上；多个第一梯形270、多个第二梯形280和多个第三梯形290依次交替连接，从而形成波浪图形。第七直线和第八直线可以为同一条直线。例如，图4G示出了这种构造的掩膜板的结构的俯视图，该掩膜板的过渡区TR的过渡部2的第二过渡子层的靠近图案化区AR的波浪形边缘由朝向图案化区AR的多个梯形凸起和朝向接合区BR的多个梯形凹陷构成。
进一步地，过渡区中的第三过渡子层23的靠近图案化区1的边缘也可以如第二过渡子层22一样构造为波浪形，即，第三过渡子层 23的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的投影相对于第二过渡子层22的靠近所述图案化层1的内侧边缘在第一过渡子层21上的投影远离所述图案化层1并且在其上的投影也如第二过渡子层22的投影一样，边缘构造为如上所述的波浪图形，以进一步确保掩膜板膜层张网时受力均匀。类似地，第四过渡子层24也可以如此布置。
图5示出了根据本公开的实施例的掩膜板的制备方法的流程图。如图所示，本公开实施例的掩膜板的制备方法包括步骤S11至S14：
在步骤S11中，利用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种形成图案化层、第一接合子层、第一过渡子层使得图案化层、第一接合子层和第一过渡子层同层设置并且第一过渡子层处于图案化层的周边，第一接合子层处于第一过渡子层的周边，并且第一过渡子层介于图案化层和第一接合子层之间。例如可以利用同一电化学沉积工艺来在同一工艺步骤中制备图案化层、第一接合子层、第一过渡子层，当然也可以利用三次电化学沉积工艺分别形成图案化层、第一接合子层、第一过渡子层；
在步骤S12中，利用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种在掩膜板的背面上的第一接合子层和第一过渡子层上分别形成第二接合子层和第二过渡子层使得第二过渡子层在第一过渡子层上的正投影相对于第一过渡子层远离图案化层。类似地，可以利用同一电化学沉积工艺来制备第二接合子层和第二过渡子层，当然也可以利用两次电化学沉积工艺分别来形成第二接合子层和第二过渡子层；
在步骤S13中，利用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种在掩膜板的背面上的第二接合子层和第二过渡子层上分别形成第三接合子层和第三过渡子层使得第三过渡子层靠近所述图案化层的边缘在第一过渡子层上的正投影相对于第二过渡子层靠近所述图案化层的边缘在第一过渡子层上的正投影远离图案化层。类似地，可以利用同一电化学沉积工艺来制备第三接合子层和第三过渡子层，当然也可以利用两次电化学沉积工艺分别来形成第三接合子层和第三过渡子层；以及
在步骤S14中，利用镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种在掩膜板的背面上的第三接合子层和第三过渡子层上分别形成第四接合子层和第四过渡子层使得第四过渡子层靠近图案化层的边缘在第一过渡子层上的正投影相对于第三过渡子层靠近图案化层的边缘在第一过渡子层上的正投影远离图案化层。类似地，可以利用同一电化学沉积工艺来制备第四接合子层和第四过渡子层，当然也可以利用两次电化学沉积工艺分别来形成第四接合子层和第四过渡子层。
如上所述的电化学沉积工艺可以包括在阴极基板上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成具有光刻胶图形的母板，该光刻胶图形对应于将要形成的图形；接下来进行电铸生长，将母板置于电铸槽中，阳极为金属Fe、Ni、Co等金属，施加电流，使得阳极变成金属离子熔接到电解液中，电解液中的金属离子在阴极还原成金属，沉积于母板表面。当电铸层达到要求的厚度时，完成一次电化学沉积工艺，将电铸层与母板进行剥离工艺，即得到所需制作的电铸金属掩膜版。
在本发明的一个实施例中，过渡部和接合部均包括四层子层，因此，该实施例的电铸金属掩膜板的制备至少需要四次电化学沉积工艺，例如，在步骤S11至步骤S14中分别利用一次电化学沉积工艺来制备电铸金属掩膜板。
通过以上方法制备的掩膜板，可以使得过渡部的各个过渡子层在与掩膜板的正面相对的背面上从图案化层的边缘朝向接合部方向依次呈阶梯形排布，从而可以缓解图案化层和接合部的膜层特性的突变。另外，在制备过渡部时，可以如图4A至图4G所示形成具有波浪形的边缘的一个或多个过渡子层，以平衡对图案化层产生的应力，有效缓解张网褶皱变形。
在本发明中，掩膜板的过渡区和焊接区的膜层通过多层沉积来实现，上述实施例中过渡区和焊接区均包括四个膜层，每层膜层的厚度范围可以在5至12μm范围内，这样的话，所形成的掩膜板的图案化层的厚度在5至12μm范围内，而掩膜板的接合部的厚度在15至25μm范围内。这样获得的掩膜板的图案化层厚度较薄，可以避免蒸镀阴影，而边缘的接合部的厚度较厚，可以确保焊接可靠性和稳定性。但是本发明不限于此，根据工艺需要，过渡区和焊接区也可以包括五层膜层甚至更多。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。

Claims (12)

1.一种掩膜板，包括：
图案化区，包括具有多个开口的图案化层；
接合区，处于图案化区的外围，包括用于与外框接合的接合部；以及
过渡区，处于图案化区和接合区之间，包括过渡部，所述过渡部附接至图案化层和接合部；
其中，图案化层的厚度小于接合部的厚度；以及
所述过渡部的与所述图案化层附接的部分的厚度小于所述过渡部的与所述接合部附接的部分的厚度；
其中，所述接合部包括第一接合子层和第二接合子层；
所述过渡部包括第一过渡子层和第二过渡子层；
所述第一接合子层、所述第一过渡子层和所述图案化层在所述掩膜板的正面一侧齐平，并且所述第一过渡子层处于所述第一接合子层和所述图案化层之间且附接至所述第一接合子层和所述图案化层；
所述第二接合子层和所述第二过渡子层分别处于所述第一接合子层和所述第一过渡子层的与所述正面相对的一面；以及
所述第二过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第一过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘远离所述图案化层；以及
其中，所述第二过渡子层的内侧边缘具有朝向所述图案化区的多个凸起和朝向所述接合区的多个凹陷。
2.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，
所述接合部还包括处于所述第二接合子层的与所述正面相对的一面的第三接合子层；
所述过渡部还包括处于所述第二过渡子层的与所述正面相对的一面的第三过渡子层；以及
所述第三过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第二过渡子层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影远离所述图案化层。
3.根据权利要求2所述的掩膜板，其中，
所述接合部还包括处于所述第三接合子层的与所述正面相对的一面的第四接合子层；
所述过渡部还包括处于所述第三过渡子层的与所述正面相对的一面的第四过渡子层；以及
所述第四过渡子层的靠近所述图案化层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影相对于所述第三过渡子层的内侧边缘在所述第一过渡子层上的正投影远离所述图案化层。
4.根据权利要求3所述的掩膜板，其中，
所述第二接合子层和所述第二过渡子层为一体结构；
所述第三接合子层和所述第三过渡子层为一体结构；以及
所述第四接合子层和所述第四过渡子层为一体结构。
5.根据权利要求4所述的掩膜板，其中，
所述图案化层的厚度在5至12μm范围内；和/或
所述接合部的厚度在15至25μm范围内，以及所述过渡部在与所述接合部附接的部分的厚度在15至25μm范围内。
6.根据权利要求5所述的掩膜板，其中，
所述图案化层、第一接合子层、所述第二接合子层、所述第三接合子层、所述第四接合子层、所述第一过渡子层、所述第二过渡子层、所述第三过渡子层和所述第四过渡子层中的任意一个的材料为镍铁合金、铁钴合金或镍钴合金中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，
所述多个凸起包括多个第一半圆形，所述多个第一半圆形的各直径的连线处于第一直线上；
所述多个凹陷包括多个第二半圆形，所述多个第二半圆形的各直径的连线处于第二直线上；以及
所述第一半圆形和所述第二半圆形依次交替连接。
8.根据权利要求7所述的掩膜板，其中，
所述第一直线和所述第二直线为同一条直线；以及
所述第一半圆形的直径为第二半圆形的直径的1.7至2倍。
9.根据权利要求8所述的掩膜板，其中，
所述第一半圆形的直径处于200至400μm的范围内。
10.根据权利要求1所述的掩膜板，其中，
所述多个凸起包括多个第一三角形/梯形，所述多个第一三角形/梯形的各底边的连线处于第一直线上；
所述多个凹陷包括多个第二三角形/梯形，所述多个第二三角形/梯形的底边的连线处于第二直线上；以及
所述第一三角形/梯形和所述第二三角形/梯形依次交替连接。
11.根据权利要求3所述的掩膜板，其中，
所述第三过渡子层的内侧边缘和/或所述第四过渡子层的内侧边缘具有朝向所述图案化区的多个凸起和朝向所述接合区的多个凹陷。
12.一种制备权利要求1至11中任一项所述的掩膜板的方法，包括：
利用同一电化学沉积工艺形成所述图案化层、所述第一接合子层、所述第一过渡子层；以及
利用同一电化学沉积工艺形成所述第二接合子层和所述第二过渡子层。
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