CN110724906B - 掩膜板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种掩膜板及其制作方法。掩膜板包括掩膜区，包括多个开口；夹持区，位于所述掩膜区两侧；过渡区，位于所述夹持区与所述掩膜区之间；其中，所述夹持区的厚度大于所述掩膜区的厚度，所述过渡区的厚度自所述夹持区向所述掩膜区趋于减小。本发明提供的掩膜板及掩膜板制作方法，在掩膜板的掩膜区减薄的同时，增加了夹持区的固定能力，且避免了在掩膜板拉平焊接时产生褶皱，整体提高了掩膜板的蒸镀精度。

Description

掩膜板及其制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

有机电致发光(OLED)显示器具有功耗低、轻便、亮度高、视野宽和反应快等特点使其能够广泛应用于便携式电子设备、穿戴电子设备、车载电子设备等诸多领域中。同时，随着智能手机等便携式电子设备对显示器提出了越来越高的分辨率要求，屏幕解析度的发展将达到超高清标准(Ultra High Definition)，分辨率的提高对成膜设备精度提出了更高的要求，这对现有OLED显示面板的制作技术形成了巨大的挑战。

OLED显示面板中的发光层等功能层一般通过使用掩膜板的蒸镀方法形成，蒸镀方法能够避免发光层中的有机材料与水汽、氧气接触而失效。随着OLED显示面板的分辨率越来越高，用于蒸镀的掩膜板的厚度越来越薄，像素开口也越来越小。

但掩膜板的厚度越薄，掩膜板的刚度将减弱，在张网时，容易出现褶皱现象，进而导致在后续蒸镀过程中，因掩膜板的开口位置偏位而产生混色现象。

发明内容

基于此，本发明提供一种改善上述问题的掩膜板及其制作方法，解决针对现有掩膜板在张网时出现褶皱现象，而导致后续蒸镀过程中掩膜板的开口位置偏移而产生混色现象的问题。

根据本申请的一个方面，提供一种掩膜板，包括：

掩膜区，包括多个开口；

夹持区，位于所述掩膜区两侧；及

过渡区，位于所述夹持区与所述掩膜区之间；

其中，所述夹持区的厚度大于所述掩膜区的厚度，所述过渡区的厚度自所述夹持区向所述掩膜区趋于减小。

在一实施例中，所述过渡区包括依次连接的多个过渡段，自所述夹持区向所述掩膜区中位于上游的所述过渡段的厚度大于位于相邻的下游的所述过渡段的厚度。

在一实施例中，每一所述过渡段的表面具有第一台阶面和与所述第一台阶面连接的第二台阶面；

所述第一台阶面与所述第二台阶面之间呈角度设置。

在一实施例中，所述第一台阶面与所述第二台阶面的连接处平滑过渡。

一种掩膜板的制作方法，所述掩膜板包括掩膜区、夹持区及过渡区，所述掩膜区包括多个开口，所述夹持区位于所述掩膜区两侧，所述过渡区位于所述掩膜区与所述夹持区之间，所述掩膜板的制作方法包括步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧表面上形成导电层；其中，所述导电层包括与所述掩膜区、所述夹持区及所述过渡区分别对应的第一区域、第二区域和第三区域；

在所述导电层的所述第一区域上形成与所述多个开口相对应的第一光刻胶图案层；

在所述导电层上形成电铸图案层；其中，所述电铸图案层对应所述第二区域的电铸材料厚度大于所述电铸图案层对应所述第一区域的电铸材料厚度，且所述电铸图案层对应所述第三区域的电铸厚度，自所述第二区域向所述第一区域的方向上趋于减小；

去除所述衬底基板、所述导电层及所述第一光刻胶图案层。

在一实施例中，所述在所述导电层上形成电铸图案层，具体包括步骤：

沿所述第二区域至所述第一区域的方向上在所述导电层上划分出N个沉积虚拟边界；其中，N大于2；

在所述导电层上形成层叠设置的多层子电铸图案层，以形成所述电铸图案层；其中，所述多层子电铸图案层依次以从所述第二区域向所述第一区域的方向上顺序排布的所述沉积虚拟边界作为膜层边界沉积。

在一实施例中，所述导电层的所述第三区域上包括沿所述第一区域至所述第二区域的方向上间隔设置的多个阻隔部，所述阻隔部用于阻挡电铸材料沉积在所述导电层的对应位置处；

其中，所述沉积虚拟边界与所述阻隔部沿所述第二区域至所述第一区域的方向上的下游侧的边缘线重合。

在一实施例中，所述多个阻隔部包括位于所述导电层上的第二光刻胶图案层，所述第二光刻胶图案层包括多个第一光刻胶部。

在一实施例中，所述在所述导电层的所述第一区域上形成与所述多个开口相对应的第一光刻胶图案层及在所述导电层上形成电铸图案层，具体包括步骤：

在所述导电层上涂覆一层光刻胶层；

对所述光刻胶层曝光显影形成多个子光刻胶图案层；其中，所述多个子光刻胶图案层依次以从所述第二区域向所述第一区域的方向上顺序排布的所述沉积虚拟边界作为边界曝光显影，且第N个所述子光刻胶图案层包括所述第一光刻胶图案层和所述第二光刻胶图案层；

依次从所述第二区域向所述第一区域的方向上在具有所述子光刻胶图案层的所述导电层上沉积电铸材料以形成所述电铸图案层。

在一实施例中，所述多个阻隔部包括位于所述导电层中的多个非导电区域。

上述掩膜板及其制作方法，因掩膜板的过渡区的厚度自夹持区向掩膜区趋于减小，可在掩膜板张网时，实现拉力从夹持区向掩膜区的缓慢过渡，避免掩膜板的损坏。另外，也加长了夹持区至掩膜区过渡的长度，使拉力缓冲效果更好。

附图说明

图1为本发明一实施例中的掩膜板的截面示意图；

图2为本发明一实施例中的掩膜板的过渡区局部截面示意图；

图3为本发明一实施例中的掩膜板制作方法的流程示意图；

图4～图9为图3所示的掩膜板制作方法中对应步骤中的掩膜板的结构示意图。

具体实施方式

为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳的实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。

本发明的一个或多个实施例将参照附图详细说明，附图中的元件的形状、尺寸、比例、角度和数量等要素仅仅是示例，在不同的实施例中，相同或对应的元件可以相同的附图标记示出，且省略重复的说明。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

在使用本文中描述的“包括”、“具有”、和“包含”的情况下，除非使用了明确的限定用语，例如“仅”、“由……组成”等，否则还可以添加另一部件。除非相反地提及，否则单数形式的术语可以包括复数形式，并不能理解为其数量为一个。

应当理解，尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件和另一个元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

图1示出了本发明一实施例中的掩膜板的截面示意图。为便于描述，附图仅示出了与本发明实施例相关的结构。

参阅附图，本申请一实施例中的掩膜板100，包括掩膜区10、夹持区20及过渡区30。掩膜区10包括多个开口(图未示)。具体地，开口用于对应OLED显示面板的发光区，即通过开口，可以在OLED显示面板的发光区蒸镀形成相应的发光结构。

夹持区20位于掩膜区10的两侧，夹持区20的厚度大于掩膜区10的厚度。应当理解，掩膜区10的厚度越薄，越能提高OLED显示面板的分辨率，而增加夹持区20的厚度，可提高掩膜板100的刚度，并且在张网时，可降低张网难度，使张网更加牢靠。

过渡区30位于夹持区20与掩膜区10之间，过渡区30的厚度自夹持区20向掩膜区10趋于减小。具体地，过渡区30与夹持区20和掩膜区10相邻设置。

应当理解，过渡区30的厚度自夹持区20向掩膜区10趋于减小是指，过渡区30的厚度自夹持区20向掩膜区10整体上具有一个减小的趋势，但并不一定是线性减小或逐渐减小的方式。例如，一些实施例中，掩膜板的过渡区30的上表面的截面轮廓线可以为抛物线，在另一些实施例中，也可以呈齿状等，在此不作限制。

如此，因过渡区30的厚度自夹持区20向掩膜区10趋于减小，可在掩膜板100张网时，实现拉力从夹持区20向掩膜区10的缓慢过渡，避免掩膜板100的损坏。另外，也加长了夹持区20至掩膜区10过渡的长度，使拉力缓冲效果更好。故本发明的掩膜板100，在掩膜板100的掩膜区10减薄的同时，增加了夹持区20的固定能力，并使用过渡区30缓冲拉力，从而避免了在掩膜板100张网时产生褶皱，整体提高了掩膜板100的蒸镀精度。

如图2所示，在一些实施例中，过渡区30包括依次连接的多个过渡段31，自夹持区20向掩膜区10的方向上位于上游的过渡段31的厚度大于位于下游的过渡段31的厚度。如此，可在掩膜板100张网时，实现拉力从夹持区20向掩膜区10的逐级缓慢过渡，使过渡区30的厚度下降具有一定的平稳性，拉力缓冲效果更好。

进一步地，每一过渡段31的表面具有第一台阶面311和与第一台阶面311连接的第二台阶面312，第一台阶面311与第二台阶面312之间呈角度设置。第一台阶面311和第二台阶面312的设置使得过渡区30的对拉力的缓冲过渡变得简单平稳。

更进一步地，第一台阶面311与第二台阶面312的连接处平滑过渡。故可避免连接处的应力集中，提高过渡区30的缓冲能力。

具体到一实施例中，相邻两个过渡段31之间通过其中一过渡段31的第一台面311远离第二台面312的一侧与其中另一过渡段31的第二台面312远离第一台面311的一侧连接。更具体地，相邻两个过渡段31之间的连接处平滑过渡。

如图3所示，基于同样的发明构思，本发明还提供一种掩膜板100的制作方法，该方法包括步骤：

如图4所示，S100：提供一衬底基板210；

具体地，衬底基板210可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的基板，例如衬底基板210为玻璃基板。

如图5所示，S110：在衬底基板210的一侧表面上形成导电层220；其中，导电层220包括与掩膜板100的掩膜区10、夹持区20及过渡区30对应的第一区域221、第二区域222及第三区域223；

应当理解，在描述位置关系时，除非另有规定，否则当一元件例如层、膜或基板被指为在另一元件“上”时，其能直接在其他元件上或亦可存在中间元件。其中，当层被指为在另一层“上方/上层”时，是以膜层的交叠时的上下为基准；也就是说，在制作工艺中，膜层是一层一层逐一交叠形成，则在后形成的膜层被认为是位于在先形成的膜层的“上方/上层”。

应当理解，导电层220用于后续的电铸加工。

为达到以上对衬底基板210与导电层220、以及导电层220与后续电镀材料之间附着力的要求，具体到一实施例中，导电层220的材料优选为软金属、石墨烯、导电聚合物或透明金属氧化物。

其中，软金属为布氏硬度在20HV-58HV以内的金属，优选为为金、银、锡、铅、镁、或铟。

导电聚合物为含有共轭π键的高分子聚合物，优选为聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑、聚苯撑乙烯、或聚双炔。

透明金属氧化物优选为氧化铟锡ITO、氧化铟锌IZO、氧化锑锡ATO、或氧化铝锌AZO。

当导电层220的材料为软金属、导电聚合物、或透明金属氧化物时，在衬底基板210上可采用溅射工艺或电沉积工艺形成导电层220。

当导电层220的材料为石墨烯时，在衬底基板210可上采用旋涂工艺或化学气相沉积工艺形成导电层220。

如图6和图7所示，S130：在导电层220的第一区域上形成与开口对应的第一光刻胶图案层240；

S130具体包括步骤：

S131：在导电层220上形成一光刻胶层230；

具体地，光刻胶层230可使用涂布的方式形成，光刻胶材料可以为正性光刻胶材料或负性光刻胶材料。

S132：对光刻胶层230进行曝光显影得到第一光刻胶图案层240；

可以理解，第一光刻胶图案层240包括多个光刻胶保留区和多个光刻胶去除区。

如图8所示，S140：在导电层220上形成电铸图案层250；其中，电铸图案层250对应第二区域222的电铸材料厚度大于电铸图案层250对应第一区域221的电铸材料厚度，且电铸图案层250对应第三区域223的电铸材料厚度自第二区域222向第一区域221趋于减小；

到具体实施方式中，将形成有导电层220和第一光刻胶图案层240的衬底基板210置于具有电铸溶液的电铸槽中，向电铸槽通电，在电解液的作用下，电铸溶液中的电铸材料在第一光刻胶图案层240中光刻胶去除区对应的导电层220上均匀沉积形成电铸图案层250，停止通电后，可得到位于导电层220上的电铸图案层250。

在一些实施例中，电铸材料可以为磁性镍或镍基合金材料，例如因瓦合金(Invar)。

S150：去除衬底基板210、导电层220及第一光刻胶图案层240。

具体地，可以通过剥离方法去除衬底基板210、导电层220及第一光刻胶图案层240，在其他实施例中，也可以通过研磨方法去除导电层220，用过溶解方法去除第一光刻胶图案层240，在此不作限制。

如此，电镀的方式使掩膜板100的制作变得简单，且可有效地减薄掩膜区10的厚度。另外，使用电镀的方式可逐步形成掩膜板100厚度趋于减小的过渡区30，使过渡区30光滑，从而减小了过渡区30的应力集中。

具体到一实施例中，步骤S140具体包括步骤：

S141：对导电层220第二区域222至第一区域221的方向上划分呈N个沉积区域，其中，N大于2；

S142：通过电铸工艺控制每一沉积区域的通电电流值，以控制沉积在导电层220上相应的沉积区域的电铸材料厚度不同，以形成电铸图案层250。

具体地，N个沉积区域包括第二区域222和第一区域221，第三区域223可划分呈多个，以对应使电铸图案层250在该区域的电铸材料厚度自第二区域222向第一区域221趋于减小。

应当理解，通过控制电铸溶液浓度、电流密度和电铸时间控制形成电铸图案层250的厚度。

需要指出的是，在本发明的另一实施例中，步骤S140具体包括步骤：

S143：沿第二区域222至第一区域221的方向在导电层220划分出N个沉积虚拟边界A，其中，N大于2；

S144：在导电层220上形成层叠设置的多层子电铸图案层251，以形成电铸图案层250；其中，多层子电铸图案层251依次从第二区域222向第一区域221的方向上顺序排布的沉积虚拟边界A作为膜层边界沉积。

具体地，从第二区域222向第一区域221的方向上顺序排布的第一个沉积虚拟边界A作为膜层边界沉积的电铸材料厚度为所有子电铸图案层251层叠后的厚度，从第二区域222向第一区域221的方向上顺序排布的第N个沉积虚拟边界A作为膜层边界沉积的电铸材料厚度为最后一层子电铸图案层251的厚度，故从第二区域222向第一区域221的方向上电铸材料厚度趋于减小。

故对应的掩膜板100的夹持区20的厚度厚，掩膜区10的厚度薄，故降低掩膜板100的张网难度，使张网更加牢靠。

在一些实施例中，从第二区域222向第一区域221的方向上顺序排布的第N个沉积虚拟边界A作为膜层边界沉积的子电铸图案层251的厚度与对应第一区域221的电铸图案层250的电铸材料厚度相同。如此，可有效控制掩膜板100的掩膜区10的厚度。

进一步地，步骤S144具体包括步骤：

S1441：多层子电铸图案241依次以从第二区域222向第一区域221的方向上顺序排布的沉积虚拟边界A作为膜层边界对导电层220进行通电控制。

如此，通过控制区域的通电情况，则可控制电铸材料沉积区域，此方式简单可靠。

在一些实施例中，导电层220的第三区域223上包括沿第一区域221至第二区域222的方向上间隔设置的多个阻隔部，阻隔部用于阻挡电铸材料沉积在导电层220上对应位置处，其中沉积虚拟边界A与阻隔部沿第二区域222至第一区域221的方向上的下游侧的边缘线重合。结合步骤S143和S144，当每一次沉积电铸材料形成一层子电铸图案层251时，一旦遇到阻隔部，因无法沉积电铸材料，故会出现电铸材料厚度减小的趋势。应当理解的是，因子电铸图案层251层叠设置，故电铸材料会在阻隔部上形成电铸材料厚度减小的过渡，而不会出现在阻隔部上无电铸材料的情况。

因此，通过设置阻隔部，可在对应的掩膜板100的过渡区30形成多个过渡段31，更进一步地，可形成第一台阶面311和第二台阶面312。具体地，每一阻隔部对应的电铸图案层250处具有与第一台阶面311或第二台阶面312其中之一对应的形状，而相邻两个阻隔部之间对应的电铸图案层250处具有与第一台阶面311或第二台阶面312其中之另一对应的形状。

具体到一实施例中，多个阻隔部包括位于导电层220上的第二光刻胶图案层260，第二光刻胶图案层260包括多个第一光刻胶部261。应当理解，多个阻隔部与多个第一光刻胶部261对应。

第二光刻胶图案层260的制作可与第一光刻胶图案层240一同形成，也就是说，第二光刻胶图案层260与第一光刻胶图案层240同层设置。具体包括步骤：在导电层220的第三区域223上形成第二光刻胶图案层260。如图9所示，在另一些实施例中，为了避免在去除第二光刻胶图案层260后，在电铸材料层250的底部形成与第二光刻胶图案层260对应的凹坑，可设置导电层220上开设有与第一光刻胶图案层260相配合的凹槽，且第一光刻胶图案层260的上表面与导电层220的上表面平齐。而此时，由于第二光刻胶图案层260与第一光刻胶图案层240处于不同层，故可分别制作形成。

其中，光刻保留区包括多个第一光刻胶部261，光刻去除区包括沿第一区域221第二区域222方向上相邻两个第一光刻胶部261之间的间隙。

因此，由于间隔设置的多个第一光刻胶部261的存在，光刻胶属于绝缘材料，故当电铸材料每沉积在对应的一第一光刻胶部261上时，电铸材料无法直接与导电层220接触，故沉积厚度会出现减小趋势。

基于步骤S143和S144，在其他实施例中，步骤S130和步骤S140具体包括步骤：

S145：在导电层220上涂覆一层光刻胶层230；

S146：对光刻胶层230曝光显影形成多个子光刻胶图案层；其中多个子光刻胶图案层依次以从第二区域222至第一区域221的方向上顺序排布的沉积虚拟边界A作为膜层边界曝光显影，且第N个子光刻胶图案层包括第一光刻胶图案层240和第二光刻胶图案层260；

S147：依次从第二区域222至第一区域221的方向上在具有子光刻胶图案层的导电层220上沉积电铸材料以形成电铸图案层250。

应当理解，第N个子光刻胶图案层包含第N-1个子光刻胶图案层。

应当理解，每一次得到的子光刻胶图案层都会存在光刻胶保留区和光刻胶去除区，故每一次沉积电铸材料时，都会在光刻胶去除区形成电铸材料，而光刻胶保留区的电铸材料会从与其邻近的光刻胶去除区向其逐渐减少，直至无法在光刻胶保留区上形成电铸材料。

那么，随着子光刻胶图案层从第二区域222向第一区域221的过渡，将逐渐形成需要的电铸图案层250。

到具体实施方式中，第N次曝光显影的光刻胶层230区域为对应第一区域221的光刻胶层230。

具体到另一些实施例中，多个阻隔部包括位于导电层220中的多个非导电区域。如此，当电铸材料每沉积在一非导电区域上时，因非导电区域的存在，而无法沉积电铸材料，故沉积厚度会出现减小趋势。

一些实施例中，阻隔部沿纵长方向上的两端延伸至第三区域223的两侧边缘。

如此，可使得掩膜板100的过渡区30的厚度在整体上均自夹持区10向掩膜区10趋于减小，进而保证了在张网时，拉力通过过渡区30均匀地实现缓慢过渡，避免掩膜板100的损坏。

一些实施例中，阻隔部的纵长方向与从第一区域221至第二区域222的方向垂直设置。

为了保证掩膜板100在张网过程中受力均匀，故张网方向应当与从掩膜区10夹至持区20的方向一致，即与从第一区域221至第二区域222的方向一致。因此，在设置阻隔部的纵长方向与拉平方向垂直后，可进一步保证拉力由夹持区20缓慢过渡至掩膜区10，避免褶皱产生，提高掩膜板20的蒸镀精度。

为了增加夹持区20的厚度，设置导电层220的第二区域222无光刻胶。如此，在使用电铸工艺在第二区域222上沉积电铸材料时，由于无光刻胶，即电铸材料直接沉积在对应的导电层220的位置处，故第二区域222沉积的电铸材料厚度均匀。

进一步地，第三区域223上邻接第二区域222的边缘区无阻隔部。由于电铸过程中，一旦出现阻隔部，电铸材料会在此处有厚度下降的趋势。为了保证掩膜板100的夹持区20的长度，以确保焊接可靠，第三区域223上邻接第二区域222的边缘区无阻隔部，可避免阻隔部在电铸过程中对应第二区域222沉积电铸材料的影响，从而保证夹持区20的长度。

另外，在具体试验中，第三区域223邻近第二区域222处存在与第二区域电铸材料厚度相同的区域。如此，可避免掩膜板100张网后，拉力直接由过渡区30的厚度减小而缓冲，而是经过一段平稳的厚度加厚区后，即第三区域223邻近第二区域222处存在与第二区域电铸材料厚度相同的区域，再逐级缓冲，故可避免对过渡区30的直接冲击，使得缓冲效果更好。

一些实施例中，相邻两个阻隔部之间的距离大于开口的尺寸。由于第开口的尺寸小，故在使用电铸工艺在第一区域221上沉积电铸材料时，不会出现类似第三区域223中的厚度趋于减小的情况，从而保证了第一区域221内沉积电铸材料的厚度均匀性，进而提升蒸镀精度。

具体地，第一光刻胶图案层240包括与每一开口对应的第二光刻胶部241,相邻两个阻隔部之间的距离大于第二光刻胶部241的尺寸。

进一步地，第三区域223上在邻接第一区域221的边缘设有阻隔部，第一区域221上在邻接第三区域223的边缘设有第二光刻胶部241。此设置使得在电铸图案层250在第一区域221与第三区域223的交接处无缝隙，而此时，过渡材料厚度经第三区域223上的阻隔部下降后，再进入第一区域221上第二光刻胶部241，可保证过渡材料厚度下降至与第二光刻胶部241平齐，故在进一步对第一区域221上进行电铸材料沉积时，可减小沉积过渡材料的厚度，即减薄了掩膜区10的厚度，提高了OLED显示面板的分辨率。

上述掩膜板100及其制作方法，因掩膜板100的过渡区30的厚度自夹持区20向掩膜区10趋于减小，可在张网时，实现拉力从夹持区20向掩膜区10的缓慢过渡，避免掩膜板100的损坏。另外，过渡区的厚度自夹持区20向掩膜区10趋于减小，也加长了夹持区20至掩膜区10过渡的长度，使拉力缓冲效果更好。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种掩膜板，其特征在于，包括：

掩膜区，包括多个开口；

夹持区，位于所述掩膜区两侧；及

过渡区，位于所述夹持区与所述掩膜区之间；

其中，所述夹持区的厚度大于所述掩膜区的厚度，所述过渡区包括依次连接的多个过渡段，自所述夹持区向所述掩膜区位于上游的所述过渡段的厚度大于位于相邻的下游的所述过渡段的厚度。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，每一所述过渡段的表面具有第一台阶面和与所述第一台阶面连接的第二台阶面；

所述第一台阶面与所述第二台阶面之间呈角度设置。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述第一台阶面与所述第二台阶面的连接处平滑过渡。

4.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，所述掩膜板包括掩膜区、夹持区及过渡区，所述掩膜区包括多个开口，所述夹持区位于所述掩膜区两侧，所述过渡区位于所述掩膜区与所述夹持区之间，所述掩膜板的制作方法包括步骤：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧表面上形成导电层；其中，所述导电层背离所述衬底基本的一侧表面为平面，所述导电层包括与所述掩膜区、所述夹持区及所述过渡区分别对应的第一区域、第二区域和第三区域；

在所述导电层的所述第一区域上形成与所述多个开口相对应的第一光刻胶图案层；

在所述导电层上形成电铸图案层；其中，所述电铸图案层对应所述第二区域的电铸材料厚度大于所述电铸图案层对应所述第一区域的电铸材料厚度，且所述电铸图案层对应所述第三区域包括依次连接的多个过渡段，自所述第二区域向所述第一区域位于上游的所述过渡段的电铸厚度大于位于相邻的下游的所述过渡段的电铸厚度；

去除所述衬底基板、所述导电层及所述第一光刻胶图案层。

5.根据权利要求4 所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述导电层为软金属、石墨烯、导电聚合物或透明金属氧化物中的一种。

6.根据权利要求4所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层上形成电铸图案层，具体包括步骤：

沿所述第二区域至所述第一区域的方向上在所述导电层上划分出N个沉积虚拟边界；其中，N大于2；

在所述导电层上形成层叠设置的多层子电铸图案层，以形成所述电铸图案层；其中，所述多层子电铸图案层依次以从所述第二区域向所述第一区域的方向上顺序排布的所述沉积虚拟边界作为膜层边界沉积。

7.根据权利要求6所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述导电层的所述第三区域上包括沿所述第一区域至所述第二区域的方向上间隔设置的多个阻隔部，所述阻隔部用于阻挡电铸材料沉积在所述导电层的对应位置处；

其中，所述沉积虚拟边界与所述阻隔部沿所述第二区域至所述第一区域的方向上的下游侧的边缘线重合。

8.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述多个阻隔部包括位于所述导电层上的第二光刻胶图案层，所述第二光刻胶图案层包括多个第一光刻胶部。

9.根据权利要求8所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述在所述导电层的所述第一区域上形成与所述多个开口相对应的第一光刻胶图案层及在所述导电层上形成电铸图案层，具体包括步骤：

在所述导电层上涂覆一层光刻胶层；

对所述光刻胶层曝光显影形成多个子光刻胶图案层；其中，所述多个子光刻胶图案层依次以从所述第二区域向所述第一区域的方向上顺序排布的所述沉积虚拟边界作为边界曝光显影，且第N个所述子光刻胶图案层包括所述第一光刻胶图案层和所述第二光刻胶图案层；

依次从所述第二区域向所述第一区域的方向上在具有所述子光刻胶图案层的所述导电层上沉积电铸材料以形成所述电铸图案层。

10.根据权利要求7所述的掩膜板的制作方法，其特征在于，所述多个阻隔部包括位于所述导电层中的多个非导电区域。

Images