CN116770226A - 蒸镀掩膜板 - Google Patents
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- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 78
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 22
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 4
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 55
- 230000008569 process Effects 0.000 description 43
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 7
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明提供一种蒸镀掩膜板，包括掩膜层和固定框架，掩膜层包括多个蒸镀开孔区、四周边缘区和呈网状分布的间隔区，多个蒸镀开孔区排布呈阵列，四周边缘区围设于蒸镀开孔区阵列的外围，间隔区位于任意相邻两个蒸镀开孔区之间，蒸镀开孔区与待镀基板的显示区相对应，还包括中间结构层，固定框架、中间结构层和掩膜层依次叠置，中间结构层和固定框架在掩膜层上的正投影与蒸镀开孔区不交叠；中间结构层能对掩膜层进行支撑和固定。该蒸镀掩膜板能解决目前电铸掩膜板容易出现变形和褶皱不良的问题。
Description
技术领域
本公开实施例属于显示技术领域，具体涉及一种蒸镀掩膜板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示产品因具有自发光，色彩丰富、可弯曲、可折叠等特性，被越来越多的应用于显示产品中。
AMOLED(Active-matrix Organic Light-Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示面板中发光器件的有机发光材料，通常采用真空蒸镀工艺制备而成。蒸镀工艺制备显示面板内高分辨率的红、绿、蓝子像素图形，使用精密金属掩膜板来实现，掩膜板上的精密开孔图形限定了有机发光材料精准并可控地蒸镀到基板上。
发明内容
针对目前存在的电铸掩膜板容易出现变形和褶皱不良的问题，本发明提供一种蒸镀掩膜板，该蒸镀掩膜板，一方面，在进行掩膜层与电铸基板之间的剥离工艺时，掩膜层不会发生变形和破损；另一方面，中间结构层和掩膜层作为整体结构与固定框架组装，可实现手持转移而掩膜层不发生柔性变形的效果，中间结构层作为连接层与固定框架组装，避免常规张网工艺对掩膜层直接施加拉力，从而避免掩膜层在张网工艺中产生褶皱变形的问题。
本公开实施例提供一种蒸镀掩膜板，包括掩膜层和固定框架，
所述掩膜层包括多个蒸镀开孔区、四周边缘区和呈网状分布的间隔区，
所述多个蒸镀开孔区排布呈阵列，所述四周边缘区围设于所述蒸镀开孔区阵列的外围，所述间隔区位于任意相邻两个所述蒸镀开孔区之间，
所述蒸镀开孔区与待镀基板的显示区相对应，
还包括中间结构层，
所述固定框架、所述中间结构层和所述掩膜层依次叠置，
所述中间结构层和所述固定框架在所述掩膜层上的正投影与所述蒸镀开孔区不交叠；
所述中间结构层能对所述掩膜层进行支撑和固定。
可选地，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与所述四周边缘区和所述间隔区交叠。
可选地，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与距离其最近的所述蒸镀开孔区边缘之间的最短距离范围为2～3mm。
可选地，所述中间结构层在对应所述掩膜层的所述四周边缘区的区域开设有镂空图案，
所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影围设于所述蒸镀开孔区阵列的外围，且所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影均匀分布于所述蒸镀开孔区阵列的四周。
可选地，所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影形状包括条形、圆形、矩形、三角形、椭圆形、正多边形中的任意一种或者多种。
可选地，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与所述四周边缘区交叠。
可选地，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与距离其最近的所述蒸镀开孔区内距离其最近的开孔边缘之间的最短距离范围为15～40mm。
可选地，所述掩膜层的四周边缘在所述中间结构层上的正投影位于所述中间结构层上，
且所述掩膜层的任意一侧边缘在所述中间结构层上的正投影与所述中间结构层的相应侧边缘之间的距离大于0；
所述中间结构层的四周边缘区域在所述固定框架上的正投影与所述掩膜层在所述固定框架上的正投影不交叠，
所述固定框架与所述中间结构层的和所述掩膜层正投影不交叠的四周边缘区域在所述固定框架上的正投影交叠且连接。
可选地，所述中间结构层的厚度范围为0.5～1mm。
可选地，所述掩膜层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层叠置，
所述第一子层包括所述多个蒸镀开孔区、所述四周边缘区和所述呈网状分布的间隔区，
所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述蒸镀开孔区不交叠。
可选地，所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述四周边缘区和所述间隔区交叠，
或者，所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述四周边缘区交叠，且所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述间隔区不交叠。
可选地，所述第一子层的厚度范围为5～10μm，
所述第二子层的厚度范围为5～30μm。
可选地，所述掩膜层包括主体掩膜、第一对位掩膜和第二对位掩膜，
所述主体掩膜包括所述多个蒸镀开孔区、所述四周边缘区和所述呈网状分布的间隔区，
所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜在所述中间结构层上的正投影与所述中间结构层交叠，
所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜在所述中间结构层上的正投影分别位于所述主体掩膜在所述中间结构层上正投影的相对两边，且所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜与所述主体掩膜在所述中间结构层上的正投影相互间隔；
所述第一对位掩膜中开设有第一对位孔，所述第二对位掩膜中开设有第二对位孔，所述第一对位孔和所述第二对位孔用于所述蒸镀掩膜板与待镀基板之间的对位。
可选地，所述中间结构层和所述掩膜层之间设置有连接结构，
所述连接结构位于所述中间结构层和所述掩膜层的正投影交叠区域；
所述连接结构包括粘结胶、磁铁、焊接结构和电镀结构中的任意一者。
可选地，所述掩膜层采用镍、铁合金或镍、钴合金中的任意一种，
所述中间结构层采用因瓦合金、镍、铁、钴等金属或金属合金中的任意一种。
本发明实施例的有益效果：本发明所提供的蒸镀掩膜板，通过在掩膜层与固定框架之间设置中间结构层，一方面，在进行掩膜层与电铸基板之间的剥离工艺时，掩膜层不会发生变形和破损；另一方面，中间结构层和掩膜层作为整体结构与固定框架组装，可实现手持转移而掩膜层不发生柔性变形的效果，中间结构层作为连接层与固定框架组装，避免常规张网工艺对掩膜层直接施加拉力，从而避免掩膜层在张网工艺中产生褶皱变形的问题；再一方面，通过中间结构层与掩膜层的匹配设计，能够改善中间结构层与掩膜层形成的整体结构在蒸镀工艺中的下垂和磁力吸附稳定性，最终改善蒸镀子像素图形的品质，实现形状完整且无阴影效果的高质量子像素图形，提升显示屏的显示效果。
附图说明
附图用来提供对本公开实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其它特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：
图1a为目前刻蚀法制备的金属掩膜板上阵列开孔图形的俯视示意图；
图1b为目前金属掩膜板上设计的阵列开孔图形的俯视示意图；
图1c为目前刻蚀法制备的金属掩膜板上阵列开孔图形的垂直于金属掩膜板的截面示意图；
图1d为目前刻蚀法制备的金属掩膜板上阵列开孔图形的垂直于金属掩膜板的截面实际照片；
图1e为常规刻蚀法制备的金属掩膜板的结构俯视示意图；
图2a为目前电铸法制备的金属掩膜板上阵列开孔图形的俯视示意图；
图2b为目前电铸法制备的金属掩膜板上阵列开孔图形的垂直于金属掩膜板的截面实际照片；
图3a为本公开实施例中一种蒸镀掩膜板的结构俯视示意图；
图3b为沿图3a中AA剖切线的结构剖视示意图；
图3c为本公开实施例中另一种蒸镀掩膜板的结构俯视示意图；
图3d为沿图3c中BB剖切线的结构剖视示意图；
图3e为本公开实施例中固定框架的结构俯视示意图；
图4a为本公开实施例中一种中间结构层的结构俯视示意图；
图4b为图4a中的中间结构层与掩膜层组装后的结构俯视示意图；
图4c为沿图4b中CC剖切线的结构剖视示意图；
图4d为图4b中中间结构层与掩膜层的组装结构与电铸基板的剥离示意图；
图5a为本公开实施例中另一种中间结构层的结构俯视示意图；
图5b为图5a中的中间结构层与掩膜层组装后的结构俯视示意图；
图5c为沿图5b中DD剖切线的结构剖视示意图；
图5d为图5b中中间结构层与掩膜层的组装结构与电铸基板的剥离示意图；
图6a为本公开实施例中一种掩膜层的结构俯视示意图；
图6b为沿图6a中EE剖切线的一种结构剖视示意图；
图6c为图6b中的掩膜层形成在电铸基板上的示意图；
图7a为沿图6a中EE剖切线的另一种结构剖视示意图；
图7b为图7a中的掩膜层形成在电铸基板上的示意图；
图8为本公开实施例中又一种蒸镀掩膜板的结构俯视示意图；
图9为常规湿刻工艺制备的蒸镀掩膜板与本实施例中蒸镀掩膜板实际制作的蒸镀像素图形的对比图。
其中的附图标记为：
1、掩膜层；101、蒸镀开孔区；102、四周边缘区；103、间隔区；11、第一子层；12、第二子层；10、主体掩膜；13、第一对位掩膜；14、第二对位掩膜；2、固定框架；3、中间结构层；30、镂空图案；4、开孔图形；5、设计图形；6、金属掩膜板；7、金属框架；8、蒸镀像素图形。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本公开实施例的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本公开实施例提供的一种蒸镀掩膜板作进一步详细描述。
在下文中将参考附图更充分地描述本公开实施例，但是所示的实施例可以以不同形式来体现，且不应当被解释为限于本公开阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。
本公开实施例不限于附图中所示的实施例，而是包括基于制造工艺而形成的配置的修改。因此，附图中例示的区具有示意性属性，并且图中所示区的形状例示了区的具体形状，但并不是旨在限制性的。
目前显示行业量产蒸镀掩膜板普遍采用的是通过湿法刻蚀工艺生产的Invar材质(因瓦材质)的金属掩膜板，金属掩膜板的板厚通常在25～40μm。如图1a、图1b、图1c和图1d所示，刻蚀法制备的金属掩膜板上开孔受液体分布和流动特性的作用，掩膜板上的阵列开孔图形4的质量很难保证与设计图形5一致，尤其是图形尖角部分会被刻蚀液刻蚀为圆角，直线部分易变为弧线形，金属掩膜板中开孔截面会存在台阶step，台阶step高度h通常在4～8μm，该台阶step导致蒸镀过程中的蒸镀材料被遮挡，形成阴影效应(shadow effect)。阴影效应会使得蒸镀图形的尺寸增大，并且使蒸镀图形有效厚度区域的面积变小，引起屏幕颜色异常等混色不良；阴影效应还会导致蒸镀膜厚不均匀，色坐标发生变化，影响显示画质；同时，相邻子像素阴影部分会发生相互交叠，加重显示屏幕串扰不良。
另外，如图1e所示，常规刻蚀法制备的金属掩膜板6的宽度很难做宽，通常是长条形的金属掩膜板6，每一条金属掩膜板6单独在长度方向上两侧拉伸，焊接在金属框架7上。由于长条形金属掩膜板6长度较长，其下垂量较大，仅两边张网难以保证开孔图形4的变形和位置精度。因此，OLED器件内发光层材料的蒸镀图形质量和阴影效果急需改善。
相关技术中，采用电化学沉积工艺方法(即电铸法)制备金属掩膜板，可以实现精确控制金属掩膜板中开孔图形4的尺寸和形状，形成完美的尖角，并且其开孔图形4截面不存在台阶，如图2a和图2b所示，可以有效减小阴影效应。电铸金属掩膜板精度高，板厚薄通常在5～10μm，厚度薄在降低蒸镀阴影的同时会对工艺带来较大挑战。金属掩膜板在制作拿取过程中极易损坏，在进行后续复杂的张网工艺的过程中，金属掩膜板极易出现变形和褶皱不良。
此外，电铸金属掩膜板在母板上沉积生长，最终需要进行剥离工艺将母板与电铸金属掩膜板分离，由于电铸金属掩膜板厚度薄，该剥离工艺同样易使金属掩膜板发生变形不良，综上问题一直制约着电铸掩膜板的量产应用。
为了解决相关技术中存在的上述问题，本发明实施例提供一种蒸镀掩膜板，如图3a、图3b、图3c、图3d和图3e所示，包括掩膜层1和固定框架2，掩膜层1包括多个蒸镀开孔区101、四周边缘区102和呈网状分布的间隔区103，多个蒸镀开孔区101排布呈阵列，四周边缘区102围设于蒸镀开孔区101阵列的外围，间隔区103位于任意相邻两个蒸镀开孔区101之间，蒸镀开孔区101与待镀基板的显示区相对应，还包括中间结构层3，固定框架2、中间结构层3和掩膜层1依次叠置，中间结构层3和固定框架2在掩膜层1上的正投影与蒸镀开孔区101不交叠；中间结构层3能对掩膜层1进行支撑和固定。
其中，掩膜层1通过电化学沉积工艺方法(即电铸法)制备。目前，电化学沉积工艺方法制备掩膜层1的基本过程为：在电铸基板上沉积生长掩膜层1，然后使掩膜层1与电铸基板剥离，最后拿取掩膜层1并将其张网至固定框架2上。目前电化学沉积工艺方法制备的掩膜层1虽然精度高，蒸镀开孔区101图形质量好，但有两个工艺痛点，第一个是掩膜层1与电铸基板剥离工艺，掩膜层1易发生变形及破损。第二个是将掩膜层1张网到固定框架2上需要进行常规张网拉伸工艺，由于电铸法制备的掩膜层1厚度薄，使掩膜层1在张网工艺中极易发生褶皱。若掩膜层1上局部存在变形及褶皱，蒸镀时便会出现蒸镀图形质量问题和阴影不良。
本实施例中，电化学沉积工艺方法制备掩膜层1的基本过程为：在电铸基板上沉积生长掩膜层1，然后将中间结构层3与掩膜层1贴合并连接，接着对中间结构层3施加外力，使掩膜层1与电铸基板剥离；最后将中间结构层3和掩膜层1的整体结构与固定框架2进行组装连接，在组装连接过程中，仅对中间结构层3的未与掩膜层1贴合的四周边缘施加较小的拉力，以便与固定框架2进行调整对位，对位完成后将中间结构层3的四周边缘与固定框架2固定连接，从而实现蒸镀掩膜板的制备。
本实施例中，通过在掩膜层1与固定框架2之间设置中间结构层3，一方面，在进行掩膜层1与电铸基板之间的剥离工艺时，掩膜层1不会发生变形和破损；另一方面，中间结构层3和掩膜层1作为整体结构与固定框架2组装，可实现手持转移而掩膜层1不发生柔性变形的效果，中间结构层3作为连接层与固定框架2组装，避免常规张网工艺对掩膜层1直接施加拉力，从而避免掩膜层1在张网工艺中产生褶皱变形的问题；再一方面，通过中间结构层3与掩膜层1的匹配设计，能够改善中间结构层3与掩膜层1形成的整体结构在蒸镀工艺中的下垂和磁力吸附稳定性，最终改善蒸镀子像素图形的品质，实现形状完整且无阴影效果的高质量子像素图形，提升显示屏的显示效果。
在一些实施例中，如图4a、图4b、图4c和图4d所示，中间结构层3在掩膜层1上的正投影与四周边缘区102和间隔区103交叠。如此设置，中间结构层3能对掩膜层1的四周边缘区102和间隔区103分别形成支撑和固定。
在一些实施例中，如图4b和图4c所示，中间结构层3在掩膜层1上的正投影与距离其最近的蒸镀开孔区101边缘之间的最短距离m范围为2～3mm。如此设置，能避免蒸镀过程中中间结构层3遮挡掩膜层1的蒸镀开孔区101，从而避免中间结构层3影响待镀基板的显示区的蒸镀。
在一些实施例中，如图4a、图4b、图4c和图4d所示，中间结构层3在对应掩膜层1的四周边缘区102的区域开设有镂空图案30，镂空图案30在掩膜层1上的正投影围设于蒸镀开孔区101阵列的外围，且镂空图案30在掩膜层1上的正投影均匀分布于蒸镀开孔区101阵列的四周。
在一些实施例中，中间结构层3的厚度范围为0.5～1mm。在一些实施例中，中间结构层3采用因瓦合金、镍、铁、钴等金属或金属合金中的任意一种。中间结构层3的材料不局限于上述材料，中间结构层3的材质具备良好的力学性能和较低的热膨胀系数。
本实施例中，由于中间结构层3的厚度较厚，金属原材本身存在残余应力易发生边缘翘曲，影响中间结构层3平坦度，在进行蒸镀工艺时容易导致蒸镀掩膜板与待镀基板贴合不均出现间隙，使待镀基板在蒸镀完成后出现阴影或混色不良，通过在中间结构层3中开设镂空图案30，能够使围设于掩膜层1蒸镀开孔区101阵列周围的中间结构层3释放自身应力，从而有效改善围设于掩膜层1蒸镀开孔区101阵列周围的中间结构层3在应力作用下发生边缘翘曲的问题，进而使蒸镀掩膜板与待镀基板贴合均匀紧密，避免待镀基板在蒸镀完成后出现阴影或混色不良。
在一些实施例中，镂空图案30在掩膜层1上的正投影形状包括条形、圆形、矩形、三角形、椭圆形、正多边形中的任意一种或者多种。本实施例中对镂空图案30的形状不做限制，只要镂空图案30在掩膜层1上的正投影均匀分布于掩膜层1蒸镀开孔区101阵列的四周，即可起到释放中间结构层3自身应力的作用，从而避免中间结构层3发生边缘翘曲影响蒸镀质量。
在一些实施例中，如图5a、图5b、图5c和图5d所示，中间结构层3在掩膜层1上的正投影与四周边缘区102交叠。如此设置，掩膜层1的四周边缘区102被中间结构层3固定，可保障蒸镀掩膜板的稳定性。
图5a中的中间结构层3设计相比于图4a中的中间结构层3设计，掩膜层1的间隔区103无中间结构层3固定，如此可以避免中间结构层3对应间隔区103的条状金属固定结构由于长距离延伸而导致的下垂和中间结构层3整体的应力变形问题。
在一些实施例中，中间结构层3在掩膜层1上的正投影与距离其最近的蒸镀开孔区101内距离其最近的开孔边缘之间的最短距离n范围为15～40mm。如此设置，可确保蒸镀工艺过程掩膜层1与待镀基板紧密贴合过程中，掩膜层1表面的微扩展运动不受其下面的中间结构层3的限制，从而为掩膜层1留有足够的展平空间。
在一些实施例中，中间结构层3和掩膜层1之间设置有连接结构(图中未示出)，连接结构位于中间结构层3和掩膜层1的正投影交叠区域；连接结构包括粘结胶、磁铁、焊接结构和电镀结构中的任意一者。
本实施例中，掩膜层1在电铸基板上沉积生长完成后，将中间结构层3与掩膜层1进行贴合。贴合工艺可以采用涂覆粘结胶的方式，将中间结构层3与掩膜层1结合为一体。粘结胶可以使用光刻胶(Photoresist简称PR胶)，也可以使用其它具有粘合性能的粘结胶。中间结构层3与掩膜层1贴合完成后，对该整体结构施加外力，使之与电铸基板剥离，由于中间结构层3刚性较大，在进行掩膜层1与电铸基板之间的剥离工艺时，掩膜层1不会发生变形和破损。
在一些实施例中，如图4b和图5b所示，掩膜层1的四周边缘在中间结构层3上的正投影位于中间结构层3上，且掩膜层1的任意一侧边缘在中间结构层3上的正投影与中间结构层3的相应侧边缘之间的距离s大于0；中间结构层3的四周边缘区域在固定框架2上的正投影与掩膜层1在固定框架2上的正投影不交叠，固定框架2与中间结构层3的和掩膜层1正投影不交叠的四周边缘区域在固定框架2上的正投影交叠且连接。
其中，中间结构层3的尺寸比掩膜层1的整体尺寸大，两者贴合完成后，作为一个整体与固定框架2进行组装，仅对中间结构层3的与掩膜层1正投影不交叠的四周边缘区域施加较小的拉力与固定框架2调整对位，对位完成后将中间结构层3的四周边缘区域与固定框架2进行焊接固定，避免常规张网工艺对掩膜层1直接施加拉力，从而避免掩膜层1在张网工艺中产生褶皱变形的问题。
在一些实施例中，如图6a、图6b和图6c所示，掩膜层1包括第一子层11和第二子层12，第一子层11和第二子层12叠置，第一子层11包括所述多个蒸镀开孔区101、四周边缘区102和呈网状分布的间隔区103，第二子层12在第一子层11上的正投影与蒸镀开孔区101不交叠。
其中，第一子层11的蒸镀开孔区101分布有与待镀基板显示区内像素阵列图形排布相对应的蒸镀开孔图形，用于蒸镀OLED器件中的有机发光材料。
在一些实施例中，如图6a、图6b和图6c所示，第二子层12在第一子层11上的正投影与第一子层11的四周边缘区102和间隔区103交叠。
在一些实施例中，如图7a和图7b所示，第二子层12在第一子层11上的正投影与第一子层11的四周边缘区102交叠，且第二子层12在第一子层11上的正投影与第一子层11的间隔区103不交叠。
其中，图7a中的掩膜层1与图6b中的掩膜层1相比，差异在于图7a中的第二子层12不再覆盖第一子层11的间隔区103，而是仅对第一子层11的四周边缘区102进行支撑。
在一些实施例中，如图6c和7b所示，第一子层11和第二子层12依次通过电化学沉积(即电铸)的制备工艺形成于电铸基板上。电化学沉积方法制备的掩膜层1厚度薄，蒸镀开孔图形尺寸及形状精准，蒸镀开孔图形的截面无台阶，可改善蒸镀图形的质量和阴影效应。
当然，第一子层11和第二子层12也可以通过激光加工或其它可制备高精度且层厚薄的制备工艺制备。
在一些实施例中，如图6a所示，掩膜层1上设置有定位孔P，该定位孔P在蒸镀掩膜板与待镀基板对位时使用，用于监控第一子层11上蒸镀开孔图形的位置精度。
在一些实施例中，掩膜层1采用镍、铁合金或镍、钴合金中的任意一种。其中，掩膜层1优选热膨胀系数较小的金属材料。
在一些实施例中，第一子层11的厚度范围为5～10μm，第二子层12的厚度范围为5～30μm。第二子层12的设置不会影响第一子层11蒸镀开孔区101的蒸镀精度和蒸镀效果，且第二子层12还能对第一子层11起到加固稳定的作用。
在一些实施例中，掩膜层1也可以仅设置第一子层11，不设置第二子层。
在一些实施例中，如图8所示，掩膜层1包括主体掩膜10、第一对位掩膜13和第二对位掩膜14，主体掩膜10包括多个蒸镀开孔区101、四周边缘区102和呈网状分布的间隔区103，第一对位掩膜13和第二对位掩膜14在中间结构层3上的正投影与中间结构层3交叠，第一对位掩膜13和第二对位掩膜14在中间结构层3上的正投影分别位于主体掩膜10在中间结构层3上正投影的相对两边，且第一对位掩膜13和第二对位掩膜14与主体掩膜10在中间结构层3上的正投影相互间隔；第一对位掩膜13中开设有第一对位孔P1，第二对位掩膜14中开设有第二对位孔P2，第一对位孔P1和第二对位孔P2用于蒸镀掩膜板与待镀基板之间的对位。
图8中掩膜层1的设计方案与图6a中的设计方案的差异在于，第一对位孔P1和第二对位孔P2设置于两条独立设置的第一对位掩膜13和第二对位掩膜14上，第一对位掩膜13和第二对位掩膜14分别与中间结构层3通过粘结胶粘结连接或者焊接连接，主体掩膜10相对于图6a中的掩膜层1尺寸减小，将第一对位掩膜13和第二对位掩膜14的设置区域空出来。独立设置第一对位掩膜13和第二对位掩膜14的好处是当采用电铸工艺制备的掩膜层1的表面光泽度影响蒸镀机对位时，可对第一对位掩膜13和第二对位掩膜14进行材料调整和变化，以使第一对位掩膜13和第二对位掩膜14的表面光泽度调整和变化，从而适应不同蒸镀设备对掩膜层1光泽度的要求。
本实施例中，如图9所示，为常规湿刻工艺制备的蒸镀掩膜板与本实施例中蒸镀掩膜板实际制作的蒸镀像素图形8的对比图。从对比图中明显可见，本实施例中的蒸镀像素图形8质量较好，蒸镀像素图形8清晰完整且无阴影不良。
本实施例中所提供的蒸镀掩膜板，通过在掩膜层与固定框架之间设置中间结构层，一方面，在进行掩膜层与电铸基板之间的剥离工艺时，掩膜层不会发生变形和破损；另一方面，中间结构层和掩膜层作为整体结构与固定框架组装，可实现手持转移而掩膜层不发生柔性变形的效果，中间结构层作为连接层与固定框架组装，避免常规张网工艺对掩膜层直接施加拉力，从而避免掩膜层在张网工艺中产生褶皱变形的问题；再一方面，通过中间结构层与掩膜层的匹配设计，能够改善中间结构层与掩膜层形成的整体结构在蒸镀工艺中的下垂和磁力吸附稳定性，最终改善蒸镀子像素图形的品质，实现形状完整且无阴影效果的高质量子像素图形，提升显示屏的显示效果。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本公开的原理而采用的示例性实施方式，然而本公开并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本公开的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本公开的保护范围。
Claims (15)
1.一种蒸镀掩膜板，包括掩膜层和固定框架，
所述掩膜层包括多个蒸镀开孔区、四周边缘区和呈网状分布的间隔区，
所述多个蒸镀开孔区排布呈阵列，所述四周边缘区围设于所述蒸镀开孔区阵列的外围，所述间隔区位于任意相邻两个所述蒸镀开孔区之间，
所述蒸镀开孔区与待镀基板的显示区相对应，
其特征在于，还包括中间结构层，
所述固定框架、所述中间结构层和所述掩膜层依次叠置，
所述中间结构层和所述固定框架在所述掩膜层上的正投影与所述蒸镀开孔区不交叠；
所述中间结构层能对所述掩膜层进行支撑和固定。
2.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与所述四周边缘区和所述间隔区交叠。
3.根据权利要求2所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与距离其最近的所述蒸镀开孔区边缘之间的最短距离范围为2～3mm。
4.根据权利要求2或3所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层在对应所述掩膜层的所述四周边缘区的区域开设有镂空图案，
所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影围设于所述蒸镀开孔区阵列的外围，且所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影均匀分布于所述蒸镀开孔区阵列的四周。
5.根据权利要求4所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述镂空图案在所述掩膜层上的正投影形状包括条形、圆形、矩形、三角形、椭圆形、正多边形中的任意一种或者多种。
6.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与所述四周边缘区交叠。
7.根据权利要求6所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层在所述掩膜层上的正投影与距离其最近的所述蒸镀开孔区内距离其最近的开孔边缘之间的最短距离范围为15～40mm。
8.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述掩膜层的四周边缘在所述中间结构层上的正投影位于所述中间结构层上，
且所述掩膜层的任意一侧边缘在所述中间结构层上的正投影与所述中间结构层的相应侧边缘之间的距离大于0；
所述中间结构层的四周边缘区域在所述固定框架上的正投影与所述掩膜层在所述固定框架上的正投影不交叠，
所述固定框架与所述中间结构层的和所述掩膜层正投影不交叠的四周边缘区域在所述固定框架上的正投影交叠且连接。
9.根据权利要求1-3，5-8中任意一项所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层的厚度范围为0.5～1mm。
10.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述掩膜层包括第一子层和第二子层，所述第一子层和所述第二子层叠置，
所述第一子层包括所述多个蒸镀开孔区、所述四周边缘区和所述呈网状分布的间隔区，
所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述蒸镀开孔区不交叠。
11.根据权利要求10的所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述四周边缘区和所述间隔区交叠，
或者，所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述四周边缘区交叠，且所述第二子层在所述第一子层上的正投影与所述第一子层的所述间隔区不交叠。
12.根据权利要求10或11所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述第一子层的厚度范围为5～10μm，
所述第二子层的厚度范围为5～30μm。
13.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述掩膜层包括主体掩膜、第一对位掩膜和第二对位掩膜，
所述主体掩膜包括所述多个蒸镀开孔区、所述四周边缘区和所述呈网状分布的间隔区，
所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜在所述中间结构层上的正投影与所述中间结构层交叠，
所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜在所述中间结构层上的正投影分别位于所述主体掩膜在所述中间结构层上正投影的相对两边，且所述第一对位掩膜和所述第二对位掩膜与所述主体掩膜在所述中间结构层上的正投影相互间隔；
所述第一对位掩膜中开设有第一对位孔，所述第二对位掩膜中开设有第二对位孔，所述第一对位孔和所述第二对位孔用于所述蒸镀掩膜板与待镀基板之间的对位。
14.根据权利要求1、2或6所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述中间结构层和所述掩膜层之间设置有连接结构，
所述连接结构位于所述中间结构层和所述掩膜层的正投影交叠区域；
所述连接结构包括粘结胶、磁铁、焊接结构和电镀结构中的任意一者。
15.根据权利要求1所述的蒸镀掩膜板，其特征在于，所述掩膜层采用镍、铁合金或镍、钴合金中的任意一种，
所述中间结构层采用因瓦合金、镍、铁、钴等金属或金属合金中的任意一种。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN202310761040.7A CN116770226A (zh) | 2023-06-26 | 2023-06-26 | 蒸镀掩膜板 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN116770226A true CN116770226A (zh) | 2023-09-19 |
Family
ID=87985591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202310761040.7A Pending CN116770226A (zh) | 2023-06-26 | 2023-06-26 | 蒸镀掩膜板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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