CN115398026B - 掩膜版及其制备方法、掩膜版组件 - Google Patents
掩膜版及其制备方法、掩膜版组件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115398026B CN115398026B CN202180000080.9A CN202180000080A CN115398026B CN 115398026 B CN115398026 B CN 115398026B CN 202180000080 A CN202180000080 A CN 202180000080A CN 115398026 B CN115398026 B CN 115398026B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- area
- welding
- display area
- crease
- resistant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims abstract description 157
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 18
- 230000008719 thickening Effects 0.000 claims description 8
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 description 21
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 11
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Abstract
一种掩膜版及其制备方法、掩膜版组件。掩膜版包括显示区以及位于所述显示区第一方向相对两侧的焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面。
Description
技术领域
本公开涉及但不限于显示技术领域，尤指一种掩膜版及其制备方法、掩膜版组件。
背景技术
在显示面板的制备过程中，精密金属掩膜板起着重要的作用，尤其在OLED显示面板的制备过程中，直接决定有机发光材料是否能够准确无误地蒸镀到相应的OLED基板上。
在形成像素过程中，通过使用精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)，将红、绿、蓝发光材料蒸镀到基板相应位置上。传统的金属掩膜板制造工艺采用湿法刻蚀，在金属薄板上制作像素开孔。然而，湿法蚀刻的各向同性特点使得像素开孔宽度难以精确控制，同时由于金属薄板厚度的限制，这种方法很难实现高分辨率金属掩膜板的制作。
QHD(Quarter High Definition)图像质量为每英寸500600像素(PPI)，像素大小约为30/>50μm；对于UHD(Ultra High Definition)级别或更高的超高分辨率则像素尺寸更小。精细金属掩膜板越厚越难实现高分辨率。
电铸精细金属掩膜板(Electroforming Mask,EFM)是通过使用电镀工艺，在金属电极上沉积金属薄膜，并在在该镀膜上形成像素图案而制成。相比目前的蚀刻方式，电铸方式制备精细金属掩膜板可以制作得更薄，并可实现UHD(Ultra High Definition)(3840×2160)的分辨率。
由于电铸形成精细金属掩膜板过薄，仅为几微米至几十微米厚，激光焊接到金属框架的过程中，很容易出现将精细金属掩膜板的金属框架焊穿的情况，降低良率。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
一种掩膜版，包括显示区以及位于所述显示区第一方向相对两侧的焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面。
在示例性实施方式中，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区所述表面的部分包括与所述显示区所述表面平行的第一焊接面以及与所述第一焊接面靠近所述显示区一侧连接的第二焊接面，所述第二焊接面包括间隔设置的多个凸出部和凹进部。
在示例性实施方式中，所述凸出部和/或所述凹进部为尖角形、半圆弧形或U形。
在示例性实施方式中，所述第二焊接面与所述显示区所述表面之间形成的内角大于90度小于180度。
在示例性实施方式中，所述设定焊接区的面积为所述焊接区焊接所需焊点面积的10～50倍。
在示例性实施方式中，所述设定焊接区沿着所述加厚部的第二方向排布形成设定焊接区列，相邻所述设定焊接区列中的设定焊接区交错设置，所述第一方向与所述第二方向不同。
在示例性实施方式中，所述设定焊接区列中相邻设定焊接区之间设置有第一防皱开孔。
在示例性实施方式中，所述第一防皱开孔靠近所述设定焊接区一侧的边沿与所述设定焊接区靠近所述第一防皱开孔一侧的边沿的曲率相同。
在示例性实施方式中，所述显示区包括像素开孔区以及过渡区，所述过渡区位于所述像素开孔区靠近所述焊接区一侧，所述过渡区上设置有第二防皱开孔。
在示例性实施方式中，所述像素开孔区上设置有像素开孔，所述第二防皱开孔与所述像素开孔相同。
在示例性实施方式中，所述加厚部上设置有第三防皱开孔，所述第三防皱开孔位于所述加厚部靠近所述显示区一侧。
在示例性实施方式中，所述加厚部上设置有多个所述第三防皱开孔，所述第三防皱开孔沿着所述显示区的第一方向排布形成第三防皱开孔行。
在示例性实施方式中，所述第三防皱开孔行中的第三防皱开孔的尺寸沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小；和/或，所述第三防皱开孔行中的相邻第三防皱开孔之间的间距沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小。
在示例性实施方式中，所述加厚部上设置有多个所述第三防皱开孔，所述第三防皱开孔的尺寸沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小；和/或，相邻第三防皱开孔之间的间距沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小。
在示例性实施方式中，在所述加厚部的厚度方向，所述加厚部包括叠加设置的第一电铸层和第二电铸层，所述第二电铸层至少部分凸出所述显示区。
在示例性实施方式中，所述第一电铸层的厚度为5至30um，所述第二电铸层的厚度为2至30um。
一种掩膜版组件，包括框架以及上述掩膜版，所述掩膜版的焊接区与所述框架焊接相连。
一种掩膜版的制备方法，包括：
形成显示区以及在所述显示区第一方向相对两侧形成焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中各部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。
图1为本公开示例性实施例一种掩膜版的结构示意图；
图2为图1中A-A’方向的剖视图；
图3为图1中a处的放大图；
图4为本公开示例性实施例一种掩膜版的结构示意图；
图5为图4中B-B’方向的剖视图；
图6为图4中b处的放大图；
图7为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图一；
图8为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图二；
图9为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图三；
图10为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图四；
图11为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图一；
图12为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图二；
图13为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图三；
图14为本公开示例性实施例中形成第一光刻胶后的示意图；
图15为本公开示例性实施例中形成第一光刻胶部和第二光刻胶部后的示意图；
图16为本公开示例性实施例中形成第一电铸薄膜后的示意图；
图17为本公开示例性实施例中形成第二光刻胶后的示意图；
图18为本公开示例性实施例中形成第二电铸薄膜后的示意图；
图19为本公开示例性实施例掩膜版张网褶皱模拟示意图。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本文中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。
在本文中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述实施方式和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系可根据描述的构成要素的方向进行适当地改变。因此，不局限于在文中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本文中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
在本文中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，也包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，也包括85°以上且95°以下的角度的状态。
本文中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
图1为本公开示例性实施例一种掩膜版的结构示意图；图2为图1中A-A’方向的剖视图；图3为图1中a处的放大图。如图1、图2和图3所示，本公开实施例掩膜版包括显示区1以及位于显示区1第一方向相对两侧的焊接区2，焊接区2至少包括加厚部21，加厚部21上设置有设定焊接区5设定焊接区5的厚度大于显示区1的厚度，在显示区1的水平方向上，加厚部21凸出显示区1至少一侧的表面，也就是说，在显示区1的厚度方向上，加厚部21至少一侧的表面高于显示区1至少一侧的表面，且加厚部21至少一侧的表面与显示区1至少一侧的表面位于同侧。其中，第一方向可以为显示区的长度方向。设定焊接区5为焊接区2与框架进行焊接的区域，设定焊接区5为焊点附近预留的区域，设定焊接区5不进行开孔。在焊接时，设定焊接区5的部分熔融与框架粘连。根据焊接设备的焊接精度和焊点尺寸参数，预设设定焊接区5的面积。
本公开中，设定焊接区熔融的部分近似为圆形，设定焊接区的边界近似为圆形，但不限于圆形，也可以采用其他形状，比如，矩形、菱形等规则或不规则形状。
本公开中掩膜版是有机发光材料蒸镀工艺中使用的掩膜板，显示区1上开设有多个像素开孔，在制备OLED显示面板过程中，显示区1用于蒸镀有机发光材料，以形成OLED显示面板的红R、绿G、蓝B像素。在有机发光材料蒸镀过程中，为了让掩膜板与OLED基板完全贴合，使得有机发光材料准确地蒸镀在OLED基板上的相应位置，需要对掩膜板进行张网工艺，以将掩膜板拉伸后焊接到框架(英文Frame)以组装成掩膜板组件。
经过发明人的研究发现，电铸精细金属掩膜板(Electroforming Mask,EFM)厚度过薄，仅为几微米至几十微米，在将掩膜板拉伸后焊接到框架的过程中，很容易出现将框架焊穿的情况，降低良率。
鉴于此，本公开通过将焊接区2加厚，形成加厚部21，使设定焊接区5设置在加厚部21上，进而使设定焊接区的厚度大于显示区的厚度，从而在保证显示区1厚度不变的情况下，避免焊接区2过薄，导致框架焊穿的情况发生，提高良率，并增强焊接区2的焊接牢固程度。
在示例性实施方式中，焊接区可以全部为加厚部，也可以部分为加厚部。在焊接区部分为加厚部时，加厚部可以位于焊接区靠近显示区一侧。
如图1、图2和图3所示，在加厚部21的厚度方向，加厚部21包括叠加设置的第一电铸层201和第二电铸层202。在显示区1的水平方向上，第二电铸层202至少部分凸出显示区1一侧的表面。第二电铸层202上设置有设定焊接区5。本公开实施例通过第二电铸层202对焊接区进行加厚，以避免焊接区2过薄，导致框架焊穿的情况发生，并增强焊接区2的焊接牢固程度。其中，第一电铸层201和第二电铸层202组合形成加厚部21。
在示例性实施方式中，第一电铸层201的厚度可以为5至30um，第二电铸层202的厚度可以为2至30um。
在一些实施例中，加厚部可以包括两层以上叠加设置的电铸层，比如，加厚部可以包括三层、四层或五层电铸层，本公开在此不再赘述。
在示例性实施方式中，第一电铸层201与显示区1通过同一电铸工艺采用相同材料制备而成。先通过第一次电铸工艺形成第一电铸薄膜，然后，再通过第二次电铸工艺，在焊接区的第一电铸层201上形成第二电铸薄膜，最后，使第一电铸薄膜分别形成显示区1和第一电铸层201；使第二电铸薄膜形成第二电铸层202。
如图3所示，本公开掩膜版在张网和焊接过程中，由于焊接区2和显示区1厚度的差异和非拉伸方向收缩率的差异，焊接区2易产生褶皱20，并且褶皱20会传递到显示区1中的像素开孔，如图19所示。张网褶皱会导致蒸镀像素位置精度降低和蒸镀阴影增大，甚至有混色风险。
图4为本公开示例性实施例一种掩膜版的结构示意图；图5为图4中B-B’方向的剖视图；图6为图4中b处的放大图。如图4、图5和图6所示，本公开示例性实施例掩膜版中，在显示区1的水平方向上，加厚部21凸出显示区1表面的部分包括与显示区1表面平行的第一焊接面3以及位于第一焊接面3靠近显示区1一侧的第二焊接面4。第二焊接面4包括间隔设置的多个凸出部401和凹进部402，凸出部401和凹进部402使第二焊接面4形成波浪状，可有效平均张网过程中，掩膜板的应力分布，降低焊接区2褶皱风险，进而降低焊接区2虚焊的风险以及避免张网精度降低的风险。
在示例性实施方式中，加厚部21与显示区1连接。第二焊接面4将第一焊接面3与显示区1连接，即第二焊接面4的一端与第二焊接面4连接，第二焊接面4的另一端与显示区1连接。第二焊接面4形成加厚部21与显示区1的厚度分界线。其中，第二焊接面4与显示区1的表面之间形成的内角大于90度小于180度，即第二焊接面4与显示区1倾斜设置，并形成钝角，从而避免焊接区2焊接过程中产生的褶皱影响显示区1中的像素开孔。
在一些实施方式中，焊接区可以包括加厚部以及将加厚部与显示区连接的过渡部，第二焊接面将第一焊接面与焊接区的过渡部连接。
图7为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图一；图8为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图二；图9为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图三；图10为本公开示例性实施例中第二焊接面的结构示意图四。在示例性实施方式中，凸出部401和/或凹进部402可以为多种形状。比如，凸出部401和凹进部402均为尖角形，且凸出部401和凹进部402的弯曲方向相反，如图6所示。或者，凸出部401和凹进部402均为半圆弧形，且凸出部401和凹进部402的弯曲方向相反，如图7所示。或者，凸出部401和凹进部402均为U形，且凸出部401和凹进部402的弯曲方向相反，如图8所示。或者，凸出部401包括相对设置的第一弯折边和第二弯折边，以及将第一弯折边和第二弯折边连接的直边。凹进部402包括相对设置的第一直边和第二直边，以及将第一直边和第二直边连接的V形边，如图9所示。或者，凸出部401包括相对设置的第一弯曲边和第二弯曲边，以及将第一弯曲边和第二弯弯曲边连接的直边。凹进部402包括相对设置的第一直边和第二直边，以及将第一直边和第二直边连接的圆弧边，如图10所示。
如图6所示，第一焊接面3上设置有设定焊接区5。设定焊接区5为加厚部21与框架焊接的区域。焊接区2焊接所需的焊点位于设定焊接区5中。设定焊接区5可以为多种形状，比如，设定焊接区5为圆形、矩形、菱形等规则形状或不规则形状。
在示例性实施方式中，设定焊接区5为圆形，焊接区2焊接所需的焊点为圆形，设定焊接区5的面积为焊接区焊接所需焊点面积的10～50倍，以使焊接区2为焊点预留足够的空间，避免焊点熔融焊接区2的区域扩散，影响设定焊接区5以外的区域。
如图6所示，设定焊接区5沿着加厚部21的第二方向排布形成设定焊接区列，相邻设定焊接区列中的设定焊接区5交错设置，避免相邻设定焊接区列中的设定焊接区5焊接时互相影响。其中，第一方向与第二方向不同。第二方向可以为显示区的宽度方向。
如图6所示，设定焊接区列中相邻设定焊接区5之间设置有第一防皱开孔6，第一防皱开孔6用于降低设定焊接区5焊接时，焊点金属熔融形成过程中产生的翘曲或收缩变形。
在示例性实施方式中，第一防皱开孔可以为多种形状，比如，第一防皱开孔可以为圆形、矩形、菱形、椭圆形等规则形状或不规则形状。
如图6所示，设定焊接区为圆形，第一防皱开孔靠近设定焊接区一侧的边沿与设定焊接区靠近第一防皱开孔一侧的边沿的曲率相同，以降低设定焊接区焊接时，焊点金属熔融形成过程中产生的翘曲或收缩变形。
如图6所示，显示区1包括像素开孔区101以及过渡区102，过渡区102位于像素开孔区101靠近焊接区2一侧，过渡区102上设置有第二防皱开孔7，第二防皱开孔7用于避免焊接区2焊接时产生的褶皱传递到像素开孔区101，影响像素开孔区的开孔精度。
如图6所示，过渡区102上设置有多个第二防皱开孔7，第二防皱开孔7的尺寸、形状和/或密度与像素开孔区101中像素开孔的尺寸、形状和/或密度相同。
在一些实施方式中，第二防皱开孔的尺寸、形状和/或密度与像素开孔区中像素开孔的尺寸、形状和/或密度也可以不相同。
如图6所示，显示区1与加厚部21连接，过渡区102将像素开孔区101与第二焊接面4连接，即过渡区102的一端与像素开孔区101连接，过渡区102的另一端与第二焊接面4连接。
如图6所示，第一焊接面3上设置有第三防皱开孔8，第三防皱开孔8位于第一焊接面3靠近第二焊接面4一侧。第三防皱开孔8用于避免焊接区2焊接时产生的褶皱传递到像素开孔区101，影响像素开孔区的开孔精度。
在示例性实施方式中，第三防皱开孔行中的第三防皱开孔8的尺寸沿着靠近显示区1的方向逐渐变小；和/或，第三防皱开孔行中的相邻第三防皱开孔8之间的间距沿着靠近显示区1的方向逐渐变小，从而避免焊接区2焊接时产生的褶皱影响像素开孔区的开孔精度。
在一些实施方式中，第三防皱开孔的尺寸、形状和/或密度与像素开孔区中像素开孔的尺寸、形状和/或密度相同。
图11为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图一；图12为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图二；图13为本公开示例性实施例中第二防皱开孔和第三防皱开孔的结构示意图三。在示例性实施方式中，第二防皱开孔7和第三防皱开孔8可以采用多种形状。比如，第二防皱开孔7和第三防皱开孔8为菱形，如图11所示。或者，第二防皱开孔7和第三防皱开孔8为椭圆形，如图12所示。或者，第二防皱开孔7和第三防皱开孔8为矩形，如图13所示。
图14至图18为本公开示例性实施例掩膜版的制备过程示意图。本公开示例性实施例掩膜版的制备方法，包括：
(1)选用SUS基板或者高掺杂单晶硅为导电基板10，在导电基板10的一侧表面涂覆第一光刻胶11，如图14所示。
(2)经过曝光显影，在导电基板10中需要开孔的位置留下光刻胶部。其中，显示区1中留下第一光刻胶部12，焊接区2中留下第二光刻胶部13。并且，通过调节曝光量和曝光强度，调节光刻胶部的高度，使第二光刻胶部13的高度大于第一光刻胶部12的高度，如图15所示。
(3)将具有上述结构的导电基板10置于电铸液中，以导电基板10作为电铸阴极，将电铸材料作为电铸阳极，在一定温度、电流密度条件下，对导电基板10进行通电电铸，使电铸材料在导电基板10上形成第一电铸薄膜14，如图16所示。其中，电铸材料可以采用铁、镍、钴等金属。
(4)在第一电铸薄膜14的表面涂覆第二光刻胶薄膜，对第二光刻胶薄膜进行曝光显影，通过调节曝光量和曝光强度，使第二光刻胶薄膜形成第二光刻胶15。其中，第二光刻胶15的横截面为倒梯形，第二光刻胶15在导电基板10表面水平方向的相对两侧边与第一电铸薄膜14远离导电基板10一侧的表面之间形成的外角可以为110～135°，如图17所示。
(5)将具有上述结构的导电基板10置于电铸液中，以导电基板10作为电铸阴极，将电铸材料作为电铸阳极，在一定温度、电流密度条件下，对导电基板10进行通电电铸，在第一电铸薄膜14上形成第二电铸薄膜16。其中，第二电铸薄膜16的横截面为正梯形，与第二光刻胶15的倒梯形截面互补，第二电铸薄膜16在导电基板10表面水平方向的相对两侧边与第一电铸薄膜14远离导电基板10一侧的表面之间形成的外角可以为45～70°。第二电铸薄膜16远离导电基板10一侧的表面与第二光刻胶15远离导电基板10一侧的表面平齐，如图18所示。
(6)将具有上述结构的导电基板10从电铸液中取出，清洗后，去除第一光刻胶部12，以在显示区1形成像素开孔；去除第二光刻胶部13，以在焊接区2形成第一防皱开孔、第二防皱开孔和第三防皱开孔，使第一电铸薄膜形成第一电铸层，第二电铸薄膜形成第二电铸层。最后将第一电铸层和第二电铸层与导电基板分离，形成掩膜版，如图5所示。
本公开提供了一种掩膜版组件，包括框架以及前述的掩膜版，掩膜版的焊接区与框架焊接相连。
本公开提供了一种掩膜版的制备方法，包括：
形成显示区以及在所述显示区第一方向相对两侧形成焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。
Claims (13)
1.一种掩膜版，包括显示区以及位于所述显示区第一方向相对两侧的焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面；所述设定焊接区沿着所述加厚部的第二方向排布形成设定焊接区列，相邻所述设定焊接区列中的设定焊接区交错设置，所述第一方向与所述第二方向不同；所述设定焊接区列中相邻设定焊接区之间设置有第一防皱开孔；所述显示区包括像素开孔区以及过渡区，所述过渡区位于所述像素开孔区靠近所述焊接区一侧，所述过渡区上设置有第二防皱开孔；所述加厚部上设置有第三防皱开孔，所述第三防皱开孔位于所述加厚部靠近所述显示区一侧。
2.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区所述表面的部分包括与所述显示区所述表面平行的第一焊接面以及与所述第一焊接面靠近所述显示区一侧连接的第二焊接面，所述第二焊接面包括间隔设置的多个凸出部和凹进部。
3.根据权利要求2所述的掩膜版，其中，所述凸出部和/或所述凹进部为尖角形、半圆弧形或U形。
4.根据权利要求2所述的掩膜版，其中，所述第二焊接面与所述显示区所述表面之间形成的内角大于90度小于180度。
5.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述设定焊接区的面积为所述焊接区焊接所需焊点面积的10～50倍。
6.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述第一防皱开孔靠近所述设定焊接区一侧的边沿与所述设定焊接区靠近所述第一防皱开孔一侧的边沿的曲率相同。
7.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述像素开孔区上设置有像素开孔，所述第二防皱开孔与所述像素开孔相同。
8.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，所述加厚部上设置有多个所述第三防皱开孔，所述第三防皱开孔沿着所述显示区的第一方向排布形成第三防皱开孔行。
9.根据权利要求8所述的掩膜版，其中，所述第三防皱开孔行中的第三防皱开孔的尺寸沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小；和/或，所述第三防皱开孔行中的相邻第三防皱开孔之间的间距沿着靠近所述显示区的方向逐渐变小。
10.根据权利要求1所述的掩膜版，其中，在所述加厚部的厚度方向，所述加厚部包括叠加设置的第一电铸层和第二电铸层，所述第二电铸层至少部分凸出所述显示区。
11.根据权利要求10所述的掩膜版，其中，所述第一电铸层的厚度为5至30um，所述第二电铸层的厚度为2至30um。
12.一种掩膜版组件，包括框架以及权利要求1至11任一项所述的掩膜版，所述掩膜版的焊接区与所述框架焊接相连。
13.一种掩膜版的制备方法，包括：
形成显示区以及在所述显示区第一方向相对两侧形成焊接区，所述焊接区至少包括加厚部，所述加厚部上设置有设定焊接区，所述设定焊接区的厚度大于所述显示区的厚度，在所述显示区的水平方向上，所述加厚部凸出所述显示区至少一侧的表面；所述设定焊接区沿着所述加厚部的第二方向排布形成设定焊接区列，相邻所述设定焊接区列中的设定焊接区交错设置，所述第一方向与所述第二方向不同；所述设定焊接区列中相邻设定焊接区之间设置有第一防皱开孔；所述显示区包括像素开孔区以及过渡区，所述过渡区位于所述像素开孔区靠近所述焊接区一侧，所述过渡区上设置有第二防皱开孔；所述加厚部上设置有第三防皱开孔，所述第三防皱开孔位于所述加厚部靠近所述显示区一侧。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/CN2021/074045 WO2022160146A1 (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 掩膜版及其制备方法、掩膜版组件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN115398026A CN115398026A (zh) | 2022-11-25 |
| CN115398026B true CN115398026B (zh) | 2023-12-26 |
Family
ID=82653997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180000080.9A Active CN115398026B (zh) | 2021-01-28 | 2021-01-28 | 掩膜版及其制备方法、掩膜版组件 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20230255055A1 (zh) |
| CN (1) | CN115398026B (zh) |
| WO (1) | WO2022160146A1 (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109913805A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
| CN112267092A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102160695B1 (ko) * | 2013-05-10 | 2020-09-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 |
| KR102441557B1 (ko) * | 2015-04-28 | 2022-09-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 |
| CN108611592B (zh) * | 2018-04-19 | 2021-06-01 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 一种掩膜版及其制造方法 |
| CN108642441B (zh) * | 2018-05-14 | 2020-06-23 | 昆山国显光电有限公司 | 掩膜板、掩膜组件及掩膜板制作方法 |
| CN210534534U (zh) * | 2019-06-28 | 2020-05-15 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 掩膜板框架及掩膜板 |
-
2021
- 2021-01-28 US US17/608,159 patent/US20230255055A1/en active Pending
- 2021-01-28 WO PCT/CN2021/074045 patent/WO2022160146A1/zh unknown
- 2021-01-28 CN CN202180000080.9A patent/CN115398026B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109913805A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-06-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版 |
| CN112267092A (zh) * | 2020-10-27 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩膜板及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN115398026A (zh) | 2022-11-25 |
| US20230255055A1 (en) | 2023-08-10 |
| WO2022160146A1 (zh) | 2022-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4072422B2 (ja) | 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機ｅｌ素子の製造方法 | |
| KR20180057495A (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 | |
| CN108118290A (zh) | 掩模及其制造方法 | |
| KR101126128B1 (ko) | 지그 일체형 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR102217810B1 (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| KR20200006349A (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| CN115398026B (zh) | 掩膜版及其制备方法、掩膜版组件 | |
| CN111656552A (zh) | 框架一体型掩模及框架一体型掩模的制造方法 | |
| KR20200020652A (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 그 제조방법 | |
| CN112267092B (zh) | 掩膜板及其制备方法 | |
| CN111357129A (zh) | 框架一体型掩模 | |
| KR102071487B1 (ko) | 마스크의 제조 방법 및 마스크 | |
| KR102138800B1 (ko) | 마스크 및 프레임 일체형 마스크 | |
| JP4046268B2 (ja) | 有機ｅｌ素子用蒸着マスクとその製造方法 | |
| KR20200044747A (ko) | 마스크의 제조 방법 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| KR102142435B1 (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| CN112740438A (zh) | 框架一体型掩模及框架一体型掩模的制造方法 | |
| KR102357802B1 (ko) | 프레임 일체형 마스크 및 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 | |
| KR102138799B1 (ko) | 마스크 및 프레임 일체형 마스크 | |
| CN113604777B (zh) | 一种支撑板、掩膜板及其制备方法 | |
| KR20200006346A (ko) | 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 oled 화소 형성용 마스크 | |
| KR20190096578A (ko) | 프레임에 접착된 마스크의 분리 방법 | |
| KR20200006351A (ko) | 마스크의 제조 방법 | |
| CN111095592A (zh) | 框架一体型掩模的制造方法 | |
| KR20190092840A (ko) | 프레임의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |