CN108118290A - 掩模及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

掩模及其制造方法。实施方式公开了沉积掩模及其制造方法。所公开的沉积掩模可包括：沉积部分，所述沉积部分包括多个沉积图案；以及边界部分，所述边界部分包围所述沉积部分并且包括第一区域和从所述第一区域延伸的第二区域。所述边界部分可具有比所述沉积部分厚的厚度。据此，可以防止当掩模和掩模框架彼此焊接时可能出现掩模的热变形。

Description

掩模及其制造方法
技术领域
这里所公开的实施方式涉及沉积掩模及其制造方法。
背景技术
随着信息化社会的发展，需要开发改善传统阴极射线管(CRT)的诸如重量重和体积大的缺陷的新图像显示装置。因此，诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管显示(OLED)装置、等离子体显示面板(PDP)装置和表面传导电子发射显示(SED)装置的各种平板显示装置正备受关注。
这种显示装置包括至少一个基板，并且在基板上设置多个细小图案。为了形成这种细小图案，需要使用掩模进行沉积处理。
通常，沉积处理中使用的掩模是作为包括掩模和掩模框架的掩模组件使用的，掩模框架被焊接至掩模的一侧。由于这种掩模的厚度薄(10μm)，导致在焊接掩模和掩模框架的处理期间，掩模可能会发生断裂，以致难以将掩模接合至掩模框架。此外，由于掩模的厚度薄，导致在使用激光来焊接掩模和掩模框架的处理期间，在被激光照射的区域中，掩模可能会出现热变形。由于掩模的热变形，导致掩模的沉积部分和沉积图案部分会发生变形，以致沉积精度可能会劣化。另外，由于掩模的热变形，导致掩模和用于沉积的基板之间可能会出现间隙，由此造成阴影效应。
因此，需要能够解决以上提到的问题的掩模。
发明内容
这里所公开的实施方式将提供掩模及其制造方法，其能够解决在焊接掩模和掩模框架的过程中出现的诸如掩模失效和热变形的问题。
根据实施方式，一种沉积掩模包括沉积部分，所述沉积部分包括多个沉积图案。另外，根据实施方式，所述沉积掩模包括边界部分，所述边界部分包围所述沉积部分的外部并且包括第一区域和从所述第一区域延伸的第二区域。另外，根据实施方式，在所述沉积掩模中，所述边界部分的厚度可比所述沉积部分的厚度厚。
另外，根据另一个实施方式，一种制造沉积掩模的方法包括在基板上形成多个构图电极。另外，根据另一个实施方式，所述制造沉积掩模的方法包括在没有布置多个构图电极的基板上形成倒锥形光致抗蚀剂图案。另外，根据另一个实施方式，所述制造沉积掩模的方法包括只将掩模材料初次电镀在布置在所述基板的外周中的构图电极上。另外，根据另一个实施方式，所述制造沉积掩模的方法包括将所述掩模材料二次电镀在布置在所述基板的外周的所述构图电极和剩余构图电极上。另外，根据另一个实施方式，所述制造沉积掩模的方法包括将掩模框架焊接至形成在所述基板的外周上的所述掩模材料的一个表面。另外，根据另一个实施方式，所述制造沉积掩模的方法包括去除所述基板和所述构图电极。
另外，根据另一个实施方式，一种使用沉积掩模在基板上沉积材料的方法，所述沉积掩模包括：沉积部分，所述沉积部分包括多个沉积图案；以及边界部分，所述边界部分包围所述沉积部分并且包括第一区域和从所述第一区域延伸的第二区域，其中，所述边界部分具有比所述沉积部分厚的厚度，所述方法包括以下步骤：将所述沉积掩模设置在所述基板的一侧上；以及执行使得材料通过所述沉积掩模沉积在所述衬底上的沉积处理。
根据本发明实施方式的掩模及其制造方法，通过使掩模的边界部分的厚度比掩模的沉积部分的厚度厚，能够防止焊接掩模和掩模框架时出现的掩模热变形。
附图说明
根据以下结合附图进行的详细描述，本发明的以上和其它目的、特征和优点将更清楚，在附图中：
图1是示意性例示根据本发明的实施方式的掩模和掩模框架的平面图；
图2是沿着图1中的A-B线截取的截面图；
图3是沿着图1的C-D线截取的截面图；
图4是例示根据第一实施方式的焊接线的视图；
图5是例示根据第二实施方式的焊接线的视图；
图6是例示根据第三实施方式的焊接线的视图；
图7是例示根据第四实施方式的焊接线的视图；
图8是例示根据第五实施方式的焊接线的视图；
图9是例示根据第六实施方式的焊接线的视图；
图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是示意性例示根据本发明的实施方式的掩模形成处理和将掩模框架接合至掩模的处理的视图；以及
图17是示出设置有掩模和掩模框架的沉积设备的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式。通过举例的方式提供以下实施方式，使得本发明的思想可以充分传达给本领域的技术人员。因此，本发明不限于以下所述的实施方式，也可以以其它形式来具体实施。此外，在附图中，为了便于描述，可以夸大地表示装置的尺寸，厚度等。在整个说明书中，相同的附图标记指定相同的元件。
通过参考下面结合附图详细描述的本发明的实施方式，本发明的优点和特征及其实现方法将是显而易见的。然而，本发明不限于下面阐述的实施方式，而是可以以各种不同的形式来实施。提供以下实施方式仅用于完全公开本发明，并且向本领域技术人员通知本发明的范围，并且本发明仅由所附权利要求的范围来限定。在整个说明书中，相同或相似的附图标记指定相同或相似的元件。在附图中，为了便于描述，可以夸大各层和各个区域的维度和相对尺寸。
当一个元件或一层设置在另一个元件或另一层“上”时，另一层或另一个元件可直接插入在其它元件上或插入在二者之间。相反，当一个元件被称为“紧邻在”或“直接在”另一元件或层“上方”或“上”，可不存在中间元件或层。
为了使得用描述如图中所示的一个元件或多个组件与其它元件或组件的关系的描述更加容易，可以在本文中使用诸如“下方”、“下面”、“之下”、“上面”、“上方”的空间相对术语。除了附图中所示的方向之外，空间相对术语应该被理解为包括被使用或进行操作的元件的不同方向。例如，如果图中的元件被翻转，则被描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将被随后定向为在其它元件“上方”。因此，示例性术语“下方”可包含上方和下方两个方向。
图1是示意性例示根据本发明的实施方式的掩模和掩模框架的平面图。参照图1，根据本发明的实施方式的掩模100包括边界部分110和沉积部分120。此时，边界部分110被布置成包围沉积部分120的外周。另外，沉积部分120包括多个沉积图案部分121。多个沉积图案部分121可被布置成在沉积部分120中彼此分隔开。
在掩模100的外部设置掩模框架200。掩模框架200可与掩模100组合，并且可用于支撑掩模100。掩模框架200可由金属、合成树脂等制成。掩模框架200可具有矩形形状，并且可设置有一个或更多个开口。
然而，尽管图1例示了掩模框架200的形状具有矩形形状的构造，但是根据实施方式的掩模框架200的形状不限于此，并且可形成为诸如圆形形状和六边形形状的各种形状。
此外，掩模100的沉积部分120可布置在与掩模框架200的开口对应的区域中。已穿过掩模框架200的开口的沉积材料可通过掩模100的沉积图案部分121沉积在基板上。
图1例示了其中沉积图案部分121包括具有多个狭缝的掩模图案的构造。然而，本领域的普通技术人员应该理解，根据本发明实施方式的沉积图案部分121不限于此，并且可进行各种修改。也就是说，每个沉积图案部分121可设置有保持完全开口状态的掩模图案或点状的掩模图案。图1中的沉积图案部分121的数量、布置位置和形状只是作为示例例示的，本发明实施方式不限于此。
通常，通过电铸方法来制造金属掩模100。现在，简要描述使用电铸方法来制造掩模的方法。在玻璃基板上形成构图电极。然后，在没有形成电极的区域中形成光致抗蚀剂。
此后，将设置有金属电极(阳极)和构图电极(阴极)的玻璃基板浸没在电解液中，然后向电解液施加电流。据此，在玻璃基板上的构图电极上电镀上金属，使得可制造出金属掩模。使用激光将制造出的金属掩模焊接至掩模框架。此后，去除玻璃基板，使得可形成焊接至掩模框架的掩模。
此外，由于用上述方法形成的掩模的厚度薄(10μm)，导致在使用激光来焊接掩模和掩模框架的处理期间，掩模发生破裂，这使得难以将掩模接合至掩模框架。另外，由于掩模的厚度薄，导致在使用激光来焊接掩模和掩模框架的处理期间，在被激光照射的区域中，可能会出现掩模的热变形。由于掩模的热变形，导致掩模的沉积部分和沉积图案部分可能会发生变形，以致沉积精度可能会劣化。
另外，由于掩模的热变形，导致掩模和用于沉积的基板之间可能会出现间隙，由此造成阴影效应。阴影效应是指以下现象：掩模100与通过掩模100在其上沉积材料的基板之间的距离增大，以致材料被沉积到期望区域以外(other than)的区域。
根据实施方式的掩模100解决了这个问题，并且掩模100中的将被激光照射的边界部分110和沉积部分120可被形成为具有不同厚度。下面将参照图2来描述该构造。
图2是沿着图1中的A-B线截取的截面图。参照图2，根据实施方式的掩模100包括边界部分110和沉积部分120。
掩模100的边界部分110的厚度H1可不同于沉积部分120的厚度H2。具体地，掩模100的边界部分110的厚度H1可比沉积部分120的厚度H2厚。此外，边界部分110是指被布置成包围沉积部分120的区域，并且可以是当掩模框架(未示出)被焊接至该边界部分110时包括被激光照射的区域的区域。
如图2中所示，包括被激光照射的区域的边界部分110的厚度H1比沉积部分120的厚度H2厚，使得即使边界部分110被激光照射，也可以防止掩模发生破裂或热变形。
如上所述，掩模100的边界部分110的厚度H1可比如上所述的沉积部分120的厚度H2厚。以下将对该构造进行详细描述。
掩模100的边界部分110可包括第一区域111和延伸到第一区域111的第二区域112。在这种情况下，边界部分110的第一区域111的厚度H3可等于沉积部分120的厚度H2。也就是说，由于边界部分110包括其厚度等于沉积部分120的厚度的第一区域111和从第一区域111延伸的第二区域112，因此边界部分110的厚度H1可比沉积部分120的厚度厚了边界部分110的第二区域112的厚度H4。
由于包括被激光照射的区域的边界部分110的厚度比沉积部分120的厚度厚，因此即使当掩模100和掩模框架彼此焊接时，也可防止掩模100的边界部分110热变形。
虽然图2例示了边界部分110的第一区域111的厚度H3和沉积部分120的厚度相同的构造，但实施方式不限于此，并且可以包括其中边界部分110的第一区域111的厚度H3可比沉积部分120的厚度厚的构造。
也就是说，边界部分110的第一区域111的厚度H3可等于或大于沉积部分120的厚度H2。因此，边界部分110的总厚度H1可比沉积部分120的厚度厚。
可使用激光将如上所述的掩模100焊接至掩模框架。将参照图3对此进行描述。图3是沿着图1的C-D线截取的截面图。
参照图3，可通过激光焊接将根据实施方式的掩模100和掩模框架200彼此接合。具体地，可将掩模框架200的一侧接合至掩模100的边界部分110的第二区域112的一部分。当以这种方式将掩模框架200接合至掩模100的边界部分110时，掩模框架200能够支撑掩模100。
虽然图3例示了其中掩模框架200的横截面是直角三角形的构造，但实施方式不限于此，掩模框架200可具有各种形状。
为了如上所述地焊接掩模100和掩模框架200，需要焊接线。在将掩模100和掩模框架200彼此接合的处理中，可沿着焊接线300照射激光。虽然以其中沿着焊接线300照射激光的构造为示例进行了描述，但实施方式不限于此，可沿着焊接线使用诸如加压、等离子体处理、加热型焊接处理的各种方法。下文中，为了方便描述，将主要描述在将掩模100和掩模框架200彼此接合的处理中沿着焊接线照射激光的方法。
下面将参照图4至图9对此进行描述。
图4是例示根据第一实施方式的焊接线的视图。参照图4，根据第一实施方式的焊接线300可设置在掩模100的边界部分110中。具体地，焊接线300可设置在边界部分110的第一区域中。
此外，根据第一实施方式的焊接线300可具有包围边界部分110中的沉积部分120的呈矩形框架形状的线形。此时，根据第一实施方式的焊接线300可不设置在与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域中。换句话讲，焊接线300在掩模100的边界部分110中可设置成矩形框架形状，并且可在与边界部分110的拐角对应的区域处开口。
如上所述，由于根据第一实施方式的焊接线300在与边界部分110开口的拐角对应的区域中形成为矩形框架形状，因此可使用脉冲激光器来容易地焊接掩模100和掩模框架200。
此外，当制造掩模100时，使用电铸方法在玻璃基板上形成掩模100，并且在将玻璃基板和掩模100彼此分开之前，将掩模100和掩模框架200彼此焊接。电铸方法是使得能够容易地控制掩模开口的深度和精度的方法。在这种情况下，当玻璃基板设置在与掩模的边界部分110的拐角对应的区域中时，与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域不应当被激光照射，以防止玻璃基板融化。也就是说，应当使用根据第一实施方式的焊接线300将掩模100和掩模框架200彼此接合。
换句话讲，当玻璃基板被设置成覆盖与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域时，可使用根据第一实施方式的焊接线300。
图5是例示根据第二实施方式的焊接线的视图。参照图5，与图4相比，根据第二实施方式的焊接线310可延伸到与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域。也就是说，根据第二实施方式的焊接线310在掩模100的边界部分110的一部分中可以形成为矩形框架形状。
由于根据第二实施方式的焊接线310以这种方式在掩模100的边界部分110的一部分中形成为矩形框架形状，因此，甚至在拐角区域处，也可以将掩模100的边界部分110牢固地固定到掩模框架200。
另外，由于根据第二实施方式的焊接线310具有甚至延伸到与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域的形状，因此当设置在掩模100的一个表面上的玻璃基板被设置成没有覆盖与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域时，可使用焊接线310。
图6是例示根据第三实施方式的焊接线的视图。参照图6，焊接线320与图5中的焊接线的不同之处在于，焊接线320被形成为使该焊接线320在与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域中为倒圆的形状。
由于根据第三实施方式的焊接线320以这种方式在与掩模100的边界部分110的拐角对应的部分中形成为倒圆形状，因此，在与掩模100的边界部分110对应的区域中，焊接线320的长度可以增大。因此，当沿着根据第三实施方式的焊接线320执行焊接时，掩模100和掩模框架200被更牢固地固定在与掩模100的边界部分110对应的区域中。
另外，由于根据第三实施方式的焊接线320具有甚至延伸到与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域的形状，因此当设置在掩模100的一个表面上的玻璃基板被设置成没有覆盖与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域时，可使用焊接线320。
图7是例示根据第四实施方式的焊接线的视图。参照图7，与图6相比，根据第四实施方式的焊接线330具有甚至对角延伸到与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域的形状。当设置在掩模100的一侧上的玻璃基板没有设置在与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域中时也可使用该情况。
图8是例示根据第五实施方式的焊接线的视图。参照图8，根据第五实施方式的焊接线340与图6中的焊接线的不同之处在于，焊接线340形成为虚线形状，而非实线形状。
另外，图9是例示根据第六实施方式的焊接线的视图。参照图9，根据第六实施方式的焊接线350与图7中的焊接线的不同之处在于，焊接线350形成为虚线形状，而非实线形状。
如图8和图9中所示，由于焊接线340和350形成为虚线形状，因此可以使用点型激光器将掩模100和掩模框架200彼此连接。
如图5、图6、图7、图8和图9中所示，焊接线300、310、320、330、340和350可被构造成各种形状。可根据设置在掩模100一侧的玻璃基板的位置来确定焊接线300、310、320、330、340或350的最佳形状。换句话讲，当玻璃基板被设置成覆盖掩模100的边界部分110的拐角时，可在与掩模100的边界部分110的拐角对应的区域中切断焊接线。
换句话讲，在焊接掩模100和掩模框架200期间，该结构中支撑玻璃基板的位置可根据设置在掩模100的一侧的玻璃基板的尺寸而变化，因此掩模框架200的结构也会变化。也就是说，该结构中支撑玻璃基板的位置根据玻璃基板的尺寸而改变，这还会影响掩模框架200的结构。
因此，可根据掩模框架200的结构来确定焊接线300、310、320、330、340或350的最佳形状。这表示，当掩模框架200的结构改变时，焊接线300、310、320、330、340或350的形状也可改变。
接下来，将描述根据本发明实施方式的形成掩模100和掩模框架200的方法。图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是例示根据本发明的实施方式的掩模形成处理和将掩模框架接合至掩模的处理的视图。
首先，参照图10，在玻璃基板500上形成电极材料层，然后对电极材料层进行构图。在构图电极600和650中，设置在玻璃基板500的外周上的构图电极600可以是与掩模的边界部分对应的区域，并且除了设置在玻璃基板500的外周上的构图电极600以外的剩余构图电极650未来可变成与掩模的沉积部分对应的区域。
此后，在玻璃基板500上涂覆光致抗蚀剂。然后，光致抗蚀剂图案700保留在其中没有设置构图电极600和650的区域中。此时，设置在玻璃基板500上的光致抗蚀剂图案700可具有倒锥形形状。
参照图11，通过使用电铸方法(下文中，被称为“初次电铸”)在玻璃基板500的外周中设置的构图电极600中形成掩模的一部分。此时，所形成的掩模的一部分可以是与随后将形成的掩模的边界部分的第一区域的一部分111a对应的区域。也就是说，在初次电铸工艺中，只形成随后将形成的掩模的边界部分的一部分，而不形成与掩模的沉积部分对应的区域。
随后，参照图12，形成随后将使用电铸方法(下文中，被称为“二次电铸”)形成的掩模的边界部分110的剩余部分，具体地，形成掩模的边界部分的第一区域111和掩模的边界部分的第二区域112的剩余部分，然后形成掩模的沉积部分120。
如上所述，通过初次电铸工艺和二次电铸工艺来形成掩模的边界部分，并且可只通过二次电铸工艺来形成掩模的沉积部分120。也就是说，由于在初次电铸工艺中不应当将金属电镀到构图电极650上的与掩模的沉积部分120对应的区域中，因此必须形成用于向形成掩模的沉积部分120和边界部分110的各个区域施加电流的装置。
将参照图13来描述此构造。参照图13，设置在与掩模的边界部分对应的区域中的构图金属(阴极)600被电镀有第一金属(阳极)520。设置在与掩模的沉积部分对应的区域中的构图金属(阴极)650被电镀有第二金属(阳极)510。
此时，第一金属520和第二金属510可包含铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、因瓦合金(Invar alloy)、铬镍铁合金(Inconel alloy)、柯伐合金(Covar alloy)、铁合金、镍合金、镍-磷(Ni-P)合金和镍-磷-聚四氟乙烯(Ni-P-PTFE)合金中的至少一种，但实施方式不限于此。
因此，掩模还可包含铁、镍、铜、锡、金、不锈钢(SUS)、因瓦合金、铬镍铁合金、柯伐合金、铁合金、镍合金、镍-磷(Ni-P)合金和镍-磷-聚四氟乙烯(Ni-P-PTFE)合金中的至少一种，但实施方式不限于此。
此外，如图12中所示，通过初次电铸工艺和二次电铸工艺来形成掩模的边界部分，并且只通过二次电铸工艺来形成掩模的沉积部分120，使得掩模的边界部分110可比掩模的沉积部分120的厚度厚达初次电铸工艺中形成的区域的厚度。
另外，掩模的边界部分110的第一区域111和掩模的沉积部分120可以在至少一侧上是倾斜的。由于掩模的边界部分110的第一区域111和沉积部分120的至少一侧被设置成与倒锥形光致抗蚀剂图案700接触，因此被设置成与光致抗蚀剂图案700接触的掩模的边界部分110的第一区域111和沉积部分120的侧部可被形成为具有斜面。以这种方式，可调节沉积材料经过的掩模的入口的尺寸。
随后，参照图14，去除形成在玻璃基板500上的光致抗蚀剂图案。通过去除光致抗蚀剂图案，可暴露玻璃基板500的上表面的一部分。此时，暴露玻璃基板500的上表面的区域可以是与随后将形成的掩模的入口对应的区域。
接下来，参照图15，使用激光800将掩模100和掩模框架200彼此焊接。此时，可沿着形成在掩模100的第二区域112(参见图14)的上表面上的焊接线来照射激光800。
随后，参照图16，在将掩模100和掩模框架200彼此焊接之后，去除玻璃基板和设置在玻璃基板上的构图电极，以最终形成掩模100和掩模框架200。
最终形成的掩模100的边界部分110的第一区域111的最大宽度L1可大于第二区域112的最大宽度L2。另外，在彼此相邻设置的不同沉积图案之间的沉积部分120或沉积图案部分与边界部分110之间的沉积部分120的具有最大宽度L3的区域可设置在与边界部分110的第一区域111具有最大宽度L1的位置相同的位置。
具有边界部分110的第一区域111的最大宽度L1的区域与具有沉积部分120的最大宽度L3的区域之间的间隙被形成为沉积材料入口150，沉积材料可通过该沉积材料入口150沉积在基板(例如，TFT基板或滤色器基板)上。
如图10、图11和图12中所示，可以通过调节掩模100的第一区域111的最大宽度来调节掩模100的入口150的尺寸，并且可使用倒锥形的光致抗蚀剂图案700来调节掩模100的沉积部分120的最大宽度。换句话讲，可调节倒锥形光致抗蚀剂图案700的倒锥形角度，使得掩模100的入口150的尺寸可增大或减小。当入口150形成为尺寸很小时，可以有利于形成细小图案。
下面将描述使用如上所述的掩模100和掩模框架200在基板(例如，TFT基板或滤色器基板)上沉积材料的处理。图17是示出设置有掩模和掩模框架的沉积设备的截面图。
参照图17，沉积设备包括：为基板910提供沉积工作空间的腔室950、安装在腔室950中的沉积材料900、设置在基板910一侧的掩模100和焊接至掩模100一侧的掩模框架200。
此外，为了制造高分辨率显示装置，重要的是减少或消除在沉积处理期间出现的阴影效应。这样使彼此接触的基板910与掩模100之间的间隔最小，以便掩模100不从基板910浮动。也就是说，基板910和掩模100之间的粘附度应当提高。
按将被焊接至掩模框架200的边界部分的厚度比沉积部分的厚度厚的方式来形成根据实施方式的掩模100，使得在焊接期间可防止掩模的热变形，由此防止掩模100从基板910浮动。
另外，通过使根据实施方式的掩模100的热变形最小，可以防止掩模上的沉积图案部分的位置改变。也就是说，通过防止沉积图案部分在掩模上的位置在使用掩模100的沉积处理中改变，可以将所沉积的材料准确地沉积在基板910上。
在上述示例性实施方式中描述的特征、结构和效果被包括在本发明的至少一个示例性实施方式中，但不只限于一个示例性实施方式。另外，每个示例性实施方式中例示的特征、结构和效果可通过与另一个示例性实施方式组合来实施或者由本领域的技术人员进行修改。应该理解，组合和修改的内容被包括在本发明的范围中。
在以上描述中，已经基于示例性实施方式描述了本发明，但示例性实施方式是出于例示目的，而没有限制本发明，并且本领域的技术人员将理解，可在不脱离本发明示例性实施方式的基本特征的范围的情况下，进行在以上描述中没有示例的各种修改和应用。例如，可修改在实施方式中详细描述的各组件。与这些变形和应用有关的差异应该被理解为被包括在随附权利要求书中限定的本发明的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请No.10-2016-0161160的优先权，该申请出于所有目的以引用方式被并入本文，如同在本文中完全阐明一样。

Claims (18)

1.一种掩模，所述掩模包括：
沉积部分，所述沉积部分包括多个沉积图案；以及
边界部分，所述边界部分包围所述沉积部分并且包括第一区域和从所述第一区域延伸的第二区域，
其中，所述边界部分具有比所述沉积部分厚的厚度。
2.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述沉积图案具有锥形形状，并且所述边界部分的所述第一区域具有锥形形状。
3.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述边界部分的所述第一区域具有与所述沉积部分相等的厚度，或者所述边界部分的所述第一区域具有比所述沉积部分厚的厚度。
4.根据权利要求1所述的掩模，其中，所述边界部分的所述第一区域具有比所述第二区域宽的最大宽度。
5.根据权利要求1所述的掩模，所述掩模还包括：
掩模框架，所述掩模框架接合到所述边界部分的所述第二区域的一个表面。
6.根据权利要求1所述的掩模，所述掩模还包括：
焊接线，所述焊接线设置在所述边界部分的所述第一区域的一个表面上。
7.根据权利要求6所述的掩模，其中，所述焊接线设置成实线形状或虚线形状。
8.根据权利要求6所述的掩模，其中，所述焊接线具有与所述边界部分的拐角对应的开口部分。
9.根据权利要求6所述的掩模，其中，所述焊接线在与所述边界部分的拐角对应的区域中具有倒圆形状或对角线形状。
10.一种制造掩模的方法，所述方法包括以下步骤：
在基板上形成多个构图电极；
在所述基板上的没有布置所述多个构图电极的部分中形成光致抗蚀剂图案；
将掩模材料初次电镀在布置在所述基板的外周中的构图电极上；
将所述掩模材料二次电镀在布置在所述基板的所述外周中的所述构图电极和剩余构图电极上；
将掩模框架焊接至形成在所述基板的所述外周上的所述掩模材料的一个表面；以及
去除所述基板和所述多个构图电极。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过电铸方法将所述掩模材料电镀在所述构图电极上。
12.根据权利要求10所述的方法，其中，布置在所述基板的所述外周中的所述构图电极和除了布置在所述基板的所述外周中的所述构图电极之外的剩余构图电极分别连接到不同的电流装置。
13.根据权利要求10所述的方法，其中，形成在布置在所述基板的所述外周中的所述构图电极上的所述掩模材料具有比形成在所述剩余构图电极上的所述掩模材料厚的厚度。
14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述剩余构图电极上电镀的所述掩模材料具有锥形形状，并且所述构图电极上的所述掩模材料的第一区域具有锥形形状。
15.根据权利要求10所述的方法，其中，在形成在所述基板的所述外周中的所述掩模材料的一个表面上设置焊接线。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述焊接线设置成实线形状或虚线形状。
17.根据权利要求15所述的方法，其中，所述焊接线具有与形成在所述基板的所述外周中的所述掩模材料的拐角对应的开口部分。
18.根据权利要求15所述的方法，其中，所述焊接线在与形成在所述基板的所述外周中的所述掩模材料的拐角对应的区域中具有倒圆形状或对角线形状。
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