CN111378995A - 掩模及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种掩模及其制造方法。制造掩模的方法包括：在基板的图案区域和围绕图案区域的辅助区域上形成导电层；将包括导电层的基板放置在镀槽中；在导电层上形成镀层；以及将基板和导电层与镀层分开。

Description

掩模及其制造方法
技术领域
本公开涉及一种掩模及其制造方法。
背景技术
在显示设备中，电致发光显示设备是自发光显示设备，并且具有优异的视角和对比度。由于电致发光显示设备不需要单独的背光，因此它们能够制造得更轻薄并具有优异的功耗。例如，电致发光显示设备中的有机发光显示设备以低直流(DC)电压驱动，响应时间快并且制造成本低。
电致发光显示设备可以包括多个电致发光二极管。电致发光二极管可以包括阳极、形成在阳极上的发光层和形成在发光层上的阴极。当高电位电压和低电位电压分别施加到阳极和阴极时，来自阳极的空穴和来自阴极的电子中的每一个被传送到发光层中。当空穴和电子在发光层中复合时，在激发期间产生激子并且利用来自激子的能量产生光。电致发光显示设备能够通过电控制从多个电致发光二极管的发光层产生的光的量来显示图像。
电致发光显示设备可以包括发光元件，该发光元件包括红发光层、绿发光层和蓝发光层以显示全色图像。电致发光显示设备的有机层可以具有图案化的发光层结构。在具有图案化的发光层结构的电致发光显示设备中，发出不同颜色光的发光层针对各个像素而分开。
例如，用于发出红光的红色有机发光层、用于发出绿光的绿色有机发光层和用于发出蓝光的蓝色有机发光层可以分别分开在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中。可以使用具有针对各子像素的开口的掩模(例如，精细金属掩模(FMM))在各个子像素的发光区域上沉积并图案化有机发光层。
发明内容
通常通过曝光和显影工序形成图案，然后通过湿法蚀刻将图案传送到金属板上来制造这种掩模。然而，当使用湿法蚀刻工序制造掩模时，由于蚀刻的各向同性使得在蚀刻工序期间难以精确控制图案宽度。因此，难以获得高分辨率图案。
因此，本公开的发明人开发了一种通过电镀制造在电致发光显示设备的制造工序中使用的掩模(例如FMM)的方法。在电镀工序中，通过向种子图案施加电流来在设置于基板上的种子图案上形成镀层。
本公开的发明人认识到，由于电流密度的差异等使得通过电镀制造的掩模的镀层厚度依据种子图案的位置而不同。
因此，本公开的发明人通过各种实验发明了一种可以根据作为种子图案的导电层的位置而保持镀层厚度均匀的掩模。
本公开的目的是提供一种可以通过保持作为种子图案的导电层的厚度均匀而保持镀层厚度均匀的掩模。
附加的特征和方面将在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本文提供的创造性构思而获悉。该创造性构思的其他特征和方面可以通过书面描述、或其衍生物、和其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现如具体实施和广义描述的该创造性构思的这些和其他方面，提供了一种制造掩模的方法，该方法包括：在基板的图案区域和围绕图案区域的辅助区域上形成导电层。该方法还包括：将包括导电层的基板放置在镀槽中。该方法还包括：在导电层上形成镀层以及将基板和导电层与镀层分开。
在另一方面，提供了一种掩模，该掩模包括在多个单元区域中的图案区域，该图案区域具有第一镀层。掩模还包括被配置为围绕图案区域的辅助区域，该辅助区域具有第二镀层。
在另一方面，提供了一种掩模，该掩模包括包含多个单元区域的基板。掩模还包括在多个单元区域中的第一镀层和在多个单元区域的外周边中的第二镀层。掩模还包括在多个单元区域之间的第三镀层。第二镀层和第三镀层中的一个可以具有与第一镀层相同的厚度。
根据本公开的实施方式，可以通过均匀地形成导电层的厚度来提高导电层上的镀层的厚度均匀性。
根据本公开的实施方式，可以通过形成辅助区域来提高根据图案区域的位置的镀层厚度的均匀性。
根据本公开的实施方式，可以通过形成包括具有不同宽度的导电层的辅助区域来提高根据阴极位置的镀层厚度的均匀性。
通过研究下面的附图和详细描述，其他系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或将变得显而易见。旨在将所有这些另外系统、方法、特征和优点包括在本说明书内，在本公开的范围内，并且通过以下权利要求进行保护。本节中的任何内容均不应视为对那些权利要求的限制。下面结合本公开的实施方式来讨论其它方面和优点。应当理解，本公开的前述概括性描述和以下详细描述都是示例和解释性的，并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附记1.一种制造掩模的方法，该方法包括以下步骤：
在基板的图案区域和围绕所述图案区域的辅助区域上形成导电层；
将包括所述导电层的所述基板放置在镀槽中；
在所述导电层上形成镀层；以及
将所述基板和所述导电层与所述镀层分开。
附记2.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，在所述基板的所述图案区域和所述辅助区域上的所述导电层由金属材料形成。
附记3.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，在所述基板的所述图案区域和所述辅助区域上形成所述导电层的步骤包括以下步骤：
在所述辅助区域上形成具有不同宽度的所述导电层。
附记4.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，将所述基板和所述导电层与所述镀层分开的步骤包括以下步骤：
通过将开口掩模片装载到框架上来制备开口掩模；
将所述开口掩模焊接到所述基板；以及
去除所述基板。
附记5.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，将所述基板和所述导电层与所述镀层分开的步骤包括以下步骤：
将框架焊接到所述基板；以及
去除所述基板。
附记6.根据附记1所述的制造掩模的方法，该方法还包括以下步骤：
在将所述基板和所述导电层与所述镀层分开之后，将所述镀层焊接到框架。
附记7.根据附记1所述的制造掩模的方法，该方法还包括以下步骤：
在将所述基板和所述导电层与所述镀层分开之前，将所述镀层焊接到框架。
附记8.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，在所述导电层上形成所述镀层的步骤包括以下步骤：
将电流施加到阳极和阴极的电镀或者对所述基板的表面进行镀覆的化学镀。
附记9.根据附记8所述的制造掩模的方法，其中，在所述导电层上形成所述镀层的步骤包括以下步骤：
沿着从所述镀层向所述阴极延伸的方向在所述辅助区域中形成具有不同宽度的所述镀层。
附记10.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，所述图案区域包括多个单元区域，并且所述多个单元区域中的所述导电层限定多个开口。
附记11.根据附记10所述的制造掩模的方法，其中，所述辅助区域中的所述导电层限定多个开口，并且与所述基板上的阴极相邻的所述辅助区域中的开口之间的宽度大于远离所述基板上的阴极的所述辅助区域中的开口之间的宽度。
附记12.根据附记11所述的制造掩模的方法，其中，所述图案区域中的开口之间的宽度大于远离所述基板上的阴极的所述辅助区域中的开口之间的宽度并且小于与所述基板上的阴极相邻的所述辅助区域中的开口之间的宽度。
附记13.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，所述导电层通过溅射或轧制形成。
附记14.根据附记1所述的制造掩模的方法，其中，所述导电层由钼上ITO(ITO/Mo)、钼-钛合金(MoTi)上铜(Cu)或铜上ITO(ITO/Cu)中的一种形成。
附记15.一种掩模，该掩模包括：
图案区域，该图案区域位于多个单元区域中，该图案区域具有第一镀层；以及
辅助区域，该辅助区域被构造成围绕所述图案区域，该辅助区域具有第二镀层。
附记16.根据附记15所述的掩模，其中，
所述第一镀层位于所述图案区域的中央部分和周边部分中，并且
所述辅助区域被构造成使得所述第一镀层在所述图案区域的所述中央部分中的厚度等于在所述图案区域的所述周边部分中的厚度。
附记17.根据附记15所述的掩模，其中，所述第一镀层的宽度不同于所述第二镀层的宽度。
附记18.根据附记15所述的掩模，其中，所述第一镀层和所述第二镀层由相同的材料形成。
附记19.一种掩模，该掩模包括：
基板，该基板包括多个单元区域；
第一镀层，该第一镀层位于所述多个单元区域中；
第二镀层，该第二镀层位于所述多个单元区域的外周边中；以及
第三镀层，该第三镀层位于所述多个单元区域之间，所述第二镀层和所述第三镀层中的一个具有与所述第一镀层的厚度相同的厚度。
附记20.根据附记19所述的掩模，其中，所述第二镀层和所述第三镀层被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层相同的厚度。
附记21.根据附记19所述的掩模，其中，所述第二镀层和所述第三镀层中的一个被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层不同的宽度，并且被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层相同的厚度。
附记22.根据附记19所述的掩模，其中，所述第一镀层、所述第二镀层和所述第三镀层由相同的材料形成。
附图说明
附图可以包括进来以提供对本公开的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开的实施方式，并且与说明书一起用于解释本公开的各种原理。
图1A至图1D是根据本公开实施方式的制造掩模的方法的平面图和截面图。
图2示出了根据本公开实施方式的电镀设备。
图3A至图3C被提供以解释根据本公开实施方式的镀层的厚度差异。
图4是示出测量的根据本公开实施方式的镀层的厚度的曲线图。
图5A至图5C示出了根据本公开另一实施方式的掩模。
图6A至图6F示出了根据本公开另一实施方式的用于形成辅助区域的工序。
图7A至图7D是根据本公开另一实施方式的制造掩模的方法的平面图和截面图。
图8A和图8B示出了测量的根据本公开另一实施方式的镀层的厚度。
图9A和图9B示出了测量的根据本公开另一实施方式的镀层的厚度。
图10是根据本公开另一实施方式的制造掩模的流程图。
图11A至图11D示出了根据本公开另一实施方式的制造掩模的方法。
图12示出了使用图7C所示的掩模在显示面板上溅射有机材料的腔室。
在整个附图和详细描述中，除非另外描述，否则相同的附图标号应被理解为指代相同的元件、特征和结构。为了清楚、说明和方便，可以放大这些元件的相对尺寸和描绘。
具体实施方式
现在将详细参照本公开的实施方式进行说明，其示例可以在附图中示出。在以下描述中，当确定与本文相关的公知功能或配置的详细描述不必要地混淆本发明构思的主旨时，将省略其详细描述。所描述的处理步骤和/或操作的进展是示例；然而，步骤和/或操作的顺序不限于本文中所阐述的顺序，并且可以如本领域中已知的那样改变，必须以特定顺序发生的步骤和/或操作除外。相似的附图标记始终指代相似的元件。选择在以下说明中使用的各个元件的名称仅仅是为了便于撰写说明书，因此可以与实际产品中使用的不同。
用于描述本公开实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例。因此，本公开不限于所示出的细节。除非另外描述，否则相似的附图标记始终指代相似元件。在以下描述中，当确定相关已知功能或配置的详细描述不必要地模糊本公开的重点时，可以省略对这种已知功能或配置的详细描述。在使用本说明书中描述的术语“包括”、“具有”和“包含”的情况下，可以添加另一部件，除非使用更具限制性术语，例如“仅”。除非另有相反引述，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在构造元件时，该元件被解释为包括误差或公差范围，即使没有对这种误差或公差范围的明确描述。
在描述位置关系时，当两个部件之间的位置关系被描述为例如“上”、“上方”、“下”或“邻近”时，在这两个部件之间可以设置有一个或多个其它部件，除非使用更具限制性的术语，例如“仅”或“直接(地)”。
在描述时间关系时，当时间顺序被描述为例如“之后”、“随后”、“接着”或“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用更具限制性的术语，例如“紧接着”、“立即(地)”或“直接(地)”。
在描述本公开的元件时，可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”的术语。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开，并且相应元件的本质、顺序、次序或数量不应受该术语的限制。此外，当元件或层被描述为“连接”、“联接”或“粘接”到另一元件或层时，除非另有说明，否则该元件或层不仅能够直接连接或粘接到该另一元件或层，而且也能够间接连接或粘接到另一元件或层，并且在该元件或层之间“设置有”一个或多个中间元件或层。
术语“至少一个”应该被理解为包括一个或多个相关所列项目的任意和所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义包括从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个中提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。
应当理解，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件能够被称为第二元件，类似地，第二元件能够被称为第一元件。
术语“至少一个”应该被理解为包括一个或多个相关所列项目的任意所有组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义指示从第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个中提出的所有项目的组合以及第一项目、第二项目或第三项目。
在实施方式的描述中，当结构被描述为位于另一结构“上或上方”或者“下或下方”时，该描述应被解释为包括这些结构彼此接触的情况以及第三结构设置在它们之间的情况。附图中所示的每个元件的尺寸和厚度仅仅是为了便于描述，并且本公开的实施方式不限于此。
如本领域技术人员可以充分理解地，本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此结合或组合，并且可以彼此以各种方式相互操作并且技术上被驱动。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开实施方式的掩模和制造掩模的方法。在将附图标记添加到每个附图的元件时，尽管在其它附图中示出了相同的元件，但是相似的附图标记可以指示相似的元件。
图1A至图1D是根据本公开实施方式的制造掩模的方法的平面图和截面图。
可以通过电镀和化学镀形成镀层。在电镀法中，将基板浸入存储有镀液的镀槽中并允许电流流过以对基板的部分区域或整个区域进行镀敷。在化学镀中，将基板浸入镀槽中以对基板的表面进行镀敷。
此外，电镀法包括垂直电镀法和水平电镀法。在垂直电镀法中，在基板被垂直设置于镀槽中的状态下执行镀敷。在水平电镀法中，在基板被水平设置在镀槽中的状态下执行镀敷。在本文中，作为示例将描述电镀法，但是本公开不限于此。
参照图1A和图1B，在基板110上的多个单元区域CELL中形成具有网格形状的第一导电层122。此外，形成第二导电层124以围绕多个单元区域CELL的外周边。
基板110可以是支撑在基板110上形成的部件的基板。基板110可以由绝缘材料形成，以抑制向基板110施加电流。与多个电致发光显示设备对应的多个单元区域CELL可以设置在基板110上。多个单元区域CELL中的每一个包括与电致发光显示设备的多个像素对应的多个开口150。
第一导电层122和第二导电层124可以设置在基板110上。第一导电层122和第二导电层124可以是稍后要执行的镀敷工序中的种子层。
第一导电层122可以在多个单元区域CELL中限定多个开口150。第二导电层124可以设置为围绕多个单元区域CELL的外周边。例如，第二导电层124可以是在基板110的整个区域中形成金属的区域，并且可以被称为整个金属区域。例如，第一导电层122可以是在图案区域中形成金属的区域，并且可以称为图案区域或图案化金属区域。
参照图1C和图1D，可以通过使用第一导电层122和第二导电层124作为种子层执行镀敷工序来形成第一镀层142和第二镀层144。
执行用于在第一导电层122和第二导电层124上形成第一镀层142和第二镀层144的镀敷工序。并且能够根据设计自由地采用任何镀敷法，只要其能够形成由金属材料形成的第一镀层142和第二镀层144。在根据本公开实施方式的制造掩模的方法中，可以采用作为湿法镀法的电镀法。在使用电镀法的镀敷工序中，电流被施加到可以作为种子层的第一导电层122和第二导电层124。当电流在第一导电层122和第二导电层124中流动时，第一镀层142和第二镀层144可以分别形成在第一导电层122和第二导电层124的表面上。因此，第一镀层142可以设置在第一导电层122上，并且第二镀层144可以设置在第二导电层124上。
然后，将基板110、第一导电层122和第二导电层124与第一镀层142和第二镀层144分开。例如，可以将第一镀层142和第二镀层144可以与基板110、第一导电层122和第二导电层124分开。
如以上参照图1A至图1D所描述地，能够通过镀敷工序制造包括镀层的掩模。然而，本公开的发明人认识到，由于在图案区域的中央部分与图案区域的周边部分之间每单位面积的导电层面积的不同，因此镀层的厚度会改变。例如，本公开的发明人认识到导电层的面积在整个金属区域和图案化的金属区域之间是不同的。其细节将参照图2至图4进行描述。
图2示出了根据本公开实施方式的电镀设备。
图2示出了作为示例的水平电镀设备。
参照图2，根据本公开实施方式的电镀设备500包括基板110、工作台120、阴极140、阳极190、镀槽130和喷嘴160。电镀设备500还包括被配置为在X轴方向上移动阳极190的驱动器170、镀液180、电源单元和控制器。
镀槽130提供填充有镀液180的内部空间。镀槽130可以具有六面体形状，其具有朝向槽的上部的开口，但不限于此。
工作台120可以是被配置为支撑基板110的基板，基板110是镀敷目标对象。工作台120可以设置在镀槽130中以保持一致的水平状态。例如，工作台120可以设置在水平方向(X轴/Y轴方向)上。此外，工作台120可以设置为使得工作台120上的基板110的表面平行于镀液180的表面。图2示出了镀液180的表面是水平的以指示镀液180是液体，但是镀液180的表面可以基本上平行于镀槽130的底表面。
工作台120可以具有在特定方向上彼此隔开的多个杆状工作台120。例如，工作台120包括在Y轴方向上延伸的多个杆状工作台，并且多个杆状工作台可以设置成在X轴方向上平行并隔开。然而，本公开不限于此。例如，工作台120可以形成为网状或板状。
基板110是镀敷目标对象，并且通过根据本公开实施方式的电镀设备500在基板110的表面上形成镀层。例如，在镀敷工序期间作为种子的种子图案在基板110上由导电材料形成。其上包括种子图案的基板110设置在工作台120上。基板110沿水平方向设置在镀槽130中。因此，当镀槽130填充有镀液180时，基板110的表面可以设置为基本上平行于镀液180的表面。基板110可以是导体或非导体，但不限于此。本文中，已经描述了基板110和种子图案是单独的部件，但是基板110可以包括种子图案。
如果通过水平电镀法执行镀敷工序，则可以使系统的体积(例如占有体积)最小化。如果在制造工序中使用一列式工序(in-line process)，则在制造工序中沿水平方向移动制造对象(例如，基板)。因此，如果电镀设备通过水平电镀法执行镀敷工序，则沿水平方向设置的基板可以装载在镀槽中。在从镀槽卸下经镀敷的基板之后，基板可以原样移动到清洁装置或设备。因此，在电镀设备中，不需要用于将基板从水平方向旋转到垂直方向或反之亦然的任何装置。因此，可以减小系统体积。根据垂直电镀法，镀槽的尺寸需要大于基板长度尺寸的两倍。然而，根据水平电镀法，镀槽130可以具有比基板110的尺寸的两倍小得多的尺寸。因此，在电镀设备中，可以减小镀槽130的尺寸以使系统的体积最小化。
阴极140设置在基板110的两侧以向基板110施加电流。例如，阴极140可以向设置在基板110上的种子图案施加电流。因此，可以通过阴极140和阳极190之间电流的流动来在基板110的表面上形成镀层。阴极140可以设置在镀槽130中并且可以与基板110的两侧接触。此外，基板110的两侧上的阴极140也可以固定基板110以便不移动。例如，阴极140还可以被配置为用于抓住基板110两侧的夹具，但不限于此。如果基板110能够通过阴极140完全固定，则可以不提供工作台120。
阳极190位于基板110上方，阳极190与基板110隔开，并且向基板110施加电流。阳极190可以被配置为通过驱动器沿X轴方向移动。
喷嘴160向下朝向基板110喷射镀液180。喷嘴160可以与阳极190相邻地设置。喷嘴160可以与阳极190组合并且与阳极190一起沿X轴方向移动。喷嘴160从基板110的上部供应镀液180。因此，喷嘴160能够支持镀液180在镀槽130中循环并保持镀液180的浓度恒定。喷嘴160可以包括沿着基板110的表面在Y轴方向上的多个喷嘴。因为使用多个喷嘴160，所以当执行电镀时可以快速供应镀液180。此外，喷嘴160可以基于作为阳极190的移动方向的X轴方向而设置在基板110的仅一个表面上或两个表面上。此外，喷嘴160可以是可旋转的，具有可调节的喷射方向和角度。
镀液180可以填充在镀槽130中。电源单元电连接到阴极140和阳极190并施加电流。例如，电源单元可以向阴极140和阳极190施加电压以允许恒定电流在阴极140和阳极190之间流动。根据本公开实施方式的作为通过使用电镀设备和电镀法制造的产品的掩模可以用于在加热环境中而不是在室温下沉积有机层。掩模可以由例如因瓦(Invar)等形成，但不限于此。如果电镀设备使用因瓦进行镀敷，则镀液180可以是混合溶液。混合溶液可以由无水硫酸镍(NiSO4)、使用氯化镍(NiCl2)等的镍离子、使用无水硫酸铁(FeSO4)等的铁离子源、诸如硼酸的pH调节剂、抛光剂、应力释放剂和稳定剂等组成。然而，本公开不限于此。本文中，假设镀层由因瓦形成，但镀层的材料不限于此。
电源单元可以将诸如直流(DC)电压的恒定电压施加到阳极190并且将交流(AC)电压施加到阴极140。本文中，AC电压可以具有诸如正弦波、脉冲波或三角波的各种波形，但不限于此。
控制器连接到电源单元，并控制从电源单元施加到阴极140和阳极190的电流。
因此，阴极140可以将电流施加到基板110上的种子图案。因此，通过阴极140和阳极190之间的电流的流动，可以在基板110的表面上形成镀层。与阴极140相邻的镀层的厚度会因为电流密度的增加而增加。此外，在远离阴极的单元区域的中央部分中的镀层的厚度会因为电流密度的降低而减小。作为示例已经描述了水平电镀法。即使在垂直电镀法中，也可能存在由电流密度的差异而导致的镀敷面积的差异。其细节将参照图3A至图3C和图4进行描述。
图3A至图3C被提供以解释根据本公开实施方式的镀层的厚度的差异。
如图3A所示，阴极140可以设置在基板110的上部和下部，并且可以执行镀敷工序。图3B示出了由图3A中的箭头a-a'指示的镀层的厚度。图3C示出了由图3A中的箭头b-b'指示的镀层的厚度。在图3B和图3C中，镀层的参考厚度例如为10μm。然而，本公开不限于此。在图3B和图3C中，10μm的参考厚度表示为t10，而值越小表示基于t10的厚度越小。
参照图3B，在图案区域中的第一导电层122上形成第一镀层142。第一镀层142在图案区域的中央部分中的厚度是t10，即，作为镀层的参考厚度的10μm。第一镀层142在图案区域的周边部分中的厚度为t8。本文中，t8小于作为参考厚度的10μm。因此，能够看出，在图案区域的周边部分中的镀层的厚度小于在图案区域的中央部分中的镀层的厚度。这是因为在镀敷工序期间，每单位面积的镀层的面积在图案区域的周边部分中比在中央部分中更大，因此，在周边部分中的镀层的厚度减小。
参照图3C，第一镀层142形成在图案区域中的第一导电层122上。第一镀层142在图案区域的中央部分中的厚度为t7。第一镀层142在图案区域的周边部分中的厚度为t5。可以示出，图案区域的周边部分中的镀层的厚度小于图案区域的中央部分中的镀层的厚度。这是因为在镀敷工序期间，每单位面积的镀层的面积在图案区域的周边部分中比在中央部分中更大，因此镀层在周边部分中的厚度减小。通过比较图3B中的图案区域的中央部分和图3C中的图案区域的中央部分，可以示出镀层的厚度从如图3B所示的t10减小至图3C所示的t7。在执行镀敷工序期间，图3B所示的区域与阴极相邻，因此具有低电阻和高电流密度。因此，镀层的厚度可以增加。此外，图3C所示的区域远离阴极并具有高电阻和低电流密度。因此，镀层的厚度减小。通过比较图3B中的图案区域的周边部分和图3C中的图案区域的中央部分，可以示出镀层的厚度从如图3B所示的t8减小至如图3C所示的t5。在执行镀敷工序期间，图3B所示的区域与阴极相邻，因此具有低电阻和高电流密度。因此，镀层的厚度增加。此外，图3C所示的区域远离阴极并具有高电阻和低电流密度。因此，镀层的厚度减小。
图4是示出测量的根据本公开实施方式的镀层的厚度的曲线图。
图4中的垂直轴表示镀层的厚度(μm)，并且水平轴表示图1C中的箭头C-C'指示的区域。参照图4，能够看出镀层的厚度从9.9μm变为8.4μm。例如，镀层在图案化金属区域或图案区域的中央部分中的厚度可以是9.9μm，并且镀层在图案化金属区域或图案区域的周边部分中的厚度可以是8.4μm。例如，在图案区域的中央部分中的第一镀层142可以具有9.9μm的厚度，并且图案区域的周边部分中的第一镀层142可以具有8.4μm的厚度。可以示出图案区域中的镀层具有约15％的厚度差。此外，可以示出单元区域或单个面板中的镀层具有约15％的厚度差。
镀层的厚度受安培每平方分米(ASD)的影响，并且依据镀层的面积和镀层的位置可以由电阻的差异产生电流密度。如以上参照图3A至图3C所描述地，在镀敷工序期间，在与阴极相邻的部分中的镀层的厚度增加，并且在远离阴极的部分中的镀层的厚度减小。此外，镀层在图案区域的周边部分中的厚度小于在图案区域的中央部分中的厚度。这是因为在镀敷工序期间，每单位面积的镀层的面积在图案区域的周边部分中比在中央部分中更大，并且因此，周边部分中的镀层的厚度减小。例如，如果在垂直连接阴极的情况下执行镀敷工序，则与阴极相邻的区域可以具有低电阻和高电流密度。因此，镀层的厚度可以增加。此外，远离阴极的区域可以具有高电阻和低电流密度。因此，镀层的厚度可以减小。因此，在单元区域的具有高电流密度的外周边部分(例如，第二镀层)和具有低电流密度的中央部分(例如，第一镀层)之间可能存在厚度差。因此，本公开的发明人发明了一种具有可以根据镀敷位置均匀地保持镀层的面积的新结构的掩模。其细节将参照图5A至图8B进行描述。
图5A至图5C示出了根据本公开另一实施方式的掩模。
如以上参照图1至图4所描述地，为了解决每个镀敷位置的镀层的厚度差异的问题，可以将最终制造的掩模焊接到例如框架上，并且可以在镀层周围设置虚设图案。如果通过激光处理等形成虚设图案，则镀层可能变形。如果镀层变形，则掩模的位置精度改变，这可能在掩模中导致缺陷。例如，掩模的变形和掩模的位置精度的变化可能导致掩模的孔的位置和在沉积发光层时沉积的基板的图案变化。因此，无法沉积发光层或可能部分地沉积发光层，或者可能会沉积不需要的发光层。为了克服该问题，本公开的发明人进行了各种实验以使镀层的厚度均匀。如果在形成镀层之后镀层的厚度均匀地形成，则掩模由于镀层的变形而可能具有缺陷。为了解决该问题，本公开的发明人进行了各种实验以使导电层的厚度均匀。本文中，导电层是用于镀层的种子层。例如，导电层通过镀敷工序形成为镀层。因此，如果作为镀层的种子层的导电层的厚度均匀地形成，则形成在导电层上的镀层可以具有均匀的厚度。因此，本公开的发明人通过各种实验发明了一种具有新结构的掩模，其中，通过保持导电层的厚度均匀能够保持在导电层上形成的镀层的厚度均匀。
参照图5A至图5C，对应于多个电致发光显示设备的多个单元区域CELL可以设置在基板210上。每个单元区域CELL可以包括对应于电致发光显示设备的多个像素的多个开口250。
基板210可以是支撑在基板210上形成的部件的基板。基板210可以由绝缘材料形成，以抑制向基板210施加电流。
图案区域b和辅助区域c可以设置在基板210上。辅助区域c可以设置为使镀层的厚度均匀。镀层设置在图案区域b中的导电层上。例如，辅助区域c可以围绕图案区域b。辅助区域c可以是指除图案区域b之外的其它区域。例如，辅助区域c可以是虚设区域，但不限于该术语。图案区域b可以是开口，但不限于该术语。
第一方向可以是水平方向(X轴方向)，并且第二方向可以是垂直方向(Y轴方向)。辅助区域c可以沿第一方向的侧边和第二方向的侧边来设置。例如，辅助区域c可以设置为沿第一方向和第二方向延伸以围绕多个单元区域CELL。
第二导电层224和第三导电层226可以设置在辅助区域c中。例如，形成有第二导电层224和第三导电层226的区域可以是辅助区域c。辅助区域c中的第二导电层224可以是被设置以围绕多个单元区域CELL的导电层。例如，第二导电层224可以设置成沿着第一方向与多个单元区域CELL相邻。例如，第二导电层224可以设置成沿着多个单元区域CELL的第一方向侧边。例如，第二导电层224可以设置成沿着多个单元区域CELL的第一方向延伸。
辅助区域c的第三导电层226可以是多个单元区域CELL之间的导电层。例如，第三导电层226可以设置成沿着第二方向与多个单元区域CELL相邻。例如，第三导电层226可以设置成沿多个单元区域CELL的第二方向侧边，并且可以将多个单元区域CELL分开。例如，第三导电层226可以位于多个单元区域CELL当中的在第一方向上彼此相邻设置的多个单元区域CELL之间。例如，第三导电层226可以沿着多个单元区域CELL当中的在第一方向彼此相邻设置的多个单元区域CELL之间的第二方向侧边进行设置。
第一导电层222可以设置在图案区域b中。图案区域b可以包括多个单元区域CELL中的开口250。
图案区域b的第一导电层222可以在多个单元区域CELL中具有网格形状。第一导电层222可以在多个单元区域CELL中限定对应于电致发光显示设备的多个像素的多个开口250。第一导电层222可以在多个单元区域CELL中具有网格形状。
第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以是稍后要执行的镀敷工序中的种子层。第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以由相同的材料形成。第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以形成为导电并允许电流流过的金属材料的种子层。例如，第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以由钼上ITO(ITO/Mo)、钼-钛合金(MoTi)上铜(Cu)和铜上ITO(ITO/Cu)形成。然而，本公开不限于此。
第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以通过溅射形成，但不限于此。例如，第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以通过使用诸如轧制等的各种制造工序来形成。
图5B示出了图5A中的区域(1)。图5C示出了图5A中的区域(2)。在图5B和图5C中，图案区域b由虚线指示，并且辅助区域c是除图案区域b之外的其它区域。图案区域b中的孔33h和辅助区域c中的孔35h被示出以区分没有形成导电层222、224和226的区域。可以通过镀敷工序在图案区域b和辅助区域c中的导电层的上表面上形成镀层。
参照图5B，图案区域b和辅助区域c与区域(1)中的阴极具有基本上相同的距离。因此，镀层的厚度在图案区域b和辅助区域c之间不存在差异。然而，如以上参照图3A至图3C和图4所述地，在X轴方向或第一方向上镀层的厚度在图案区域b的中央部分和周边部分之间可能存在差异。因此，添加辅助区域c以使得导电层在图案区域b的中央部分和周边部分中的面积和电流密度彼此相似。因此，能够减小镀层的厚度差异。因为添加了辅助区域c，所以电流密度可以增加，并且因此，镀层的厚度可以增加。辅助区域c中的导电层在区域(1)中比在区域(2)中具有更大的宽度w2，并且因此，电流密度可以增加更少并且镀层的厚度可以增加更少。因此，区域(1)中的镀层的厚度可以变得类似于区域(2)中的镀层的厚度。
参照图5C，辅助区域c中的导电层可以在区域(2)中比在区域(1)中具有更小的宽度w3。因为区域(2)远离阴极，所以镀层的厚度可以减小。因此，为了增加电流密度，可以通过缩小导电层的宽度来减小导电层的面积。在图案区域b的布线中，沉积有机材料的孔33h需要在X轴方向和/或Y轴方向上具有相同尺寸。因此，需要保持图案区域b中的导电层的宽度和镀层的厚度均匀。在图案区域b中的导电层的宽度改变的情况下，即使在镀敷之后镀层的厚度均匀，孔33h的尺寸也会改变。因此，不能沉积所期望的有机层。因此，可能降低制造电致发光显示设备的成品率。因此，为了提高镀层在X轴方向上的厚度的均匀性，形成了辅助区域c。此外，为了提高镀层在Y轴方向上的厚度的均匀性，调整了导电层在辅助区域c中的宽度。例如，依据图案区域b中的导电层的厚度差异，可以在图案区域周围形成辅助区域。导电层在图案区域的中央部分和周边部分中的比率可以由于辅助区域而彼此相似或相同。作为另一示例，可以根据与阴极的距离来调整辅助区域的宽度。例如，远离阴极的辅助区域中的导电层可以具有更小的宽度，并且在阴极附近或与阴极相邻的辅助区域中的导电层可以具有更大的宽度。因此，可以调整电流密度。辅助区域的位置不限于图5A至图5C中的例示。
根据作为镀层的种子层的导电层或导电层上的镀层的位置来形成辅助区域。此外，调节导电层在辅助区域中的宽度以保持镀层的厚度均匀。因此，由于镀层的厚度均匀，可以提高掩模的位置精度。
图6A至图6F示出了根据本公开另一实施方式的用于形成包括导电层224或226的辅助区域的工序。
参照图6A和图6B，可以在基板210上形成要在辅助区域中形成的材料21。可以在要在辅助区域中形成的材料21上形成光致抗蚀剂25，并且可以通过光刻在辅助区域中形成导电层。光致抗蚀剂25可以是在对显影剂的溶解度上根据光而改变的光敏树脂。可以通过对光致抗蚀剂进行曝光和显影来获得图案。光致抗蚀剂能够分为正性光致抗蚀剂和负性光致抗蚀剂。利用正性光致抗蚀剂，曝光部分通过曝光而在对显影剂的溶解度上增加，然后通过显影去除曝光部分，从而可以获得图案。利用负性光致抗蚀剂，曝光部分通过曝光而在对显影剂的溶解度上大大降低，然后通过显影去除未曝光部分，从而可以获得图案。如图6C和图6D所示，通过掩模M照射光L，然后执行显影。如图6E和图6F所示，蚀刻在辅助区域上形成的材料21，并剥离光致抗蚀剂25，以在辅助区域中形成导电层224或226。可以通过控制掩模M的位置来调整辅助区域中的导电层224或226的宽度。
图7A至图7D是根据本公开另一实施方式的制造掩模的方法的平面图和截面图。
参照图7A和图7B，图案区域b和辅助区域c可以设置在基板210上。
第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以形成在基板210上。例如，第一导电层222可以形成在图案区域b中。例如，第二导电层224和第三导电层226可以形成在辅助区域c中。第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以是稍后要执行的镀敷工序中的种子层。例如，第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以在稍后要执行的镀敷工序中形成为镀层。第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以由相同的材料形成。第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以形成为导电以允许电流流过的金属材料的种子层。例如，第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以由钼上ITO(ITO/Mo)、钼-钛合金(MoTi)上铜(Cu)和铜上ITO(ITO/Cu)形成。然而，本公开不限于此。
参照图7C和图7D，使用第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226作为种子层执行镀敷工序。因此，形成第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246。
执行用于在第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226上形成第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246的镀敷工序。第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以由相同的材料形成。能够根据设计自由采用任何镀敷方法，只要其能够形成金属材料的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246。在根据本公开实施方式的制造掩模的方法中，可以采用作为湿法镀法的电镀法。例如，电镀法可以包括在包括第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226的基板210垂直设置在镀槽中的状态下执行镀敷的垂直电镀法。电镀法还可以包括在包括第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226的基板210水平设置在镀槽中的状态下执行镀敷的水平电镀法。
在使用电镀法的镀敷工序中，将电流施加到作为种子层的第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226。当电流在第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226中流动时，第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以形成在第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226的表面上。
例如，第一镀层242可以形成在第一导电层222上，并且第二镀层244可以形成在第二导电层224上。此外，第三镀层246可以形成在第三导电层226上。第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246被镀敷以围绕第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226的侧表面。因此，在第一镀层242之间的开口的尺寸可以小于第一导电层222之间的开口250的尺寸。
基板210、第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226与第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246分开。例如，第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以与基板210、第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226分开。
然后，将与基板210、第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226分开的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246焊接到框架。例如，分开的镀层可以在延伸(例如，四侧延伸)之后焊接到框架。焊接到框架的镀层242、244和246可以用作根据本公开实施方式的掩模200。
作为另一示例，可以将基板、第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246焊接到框架，然后可以去除基板。最终产品可以用作根据本公开的另一实施方式的掩模200。
作为另一示例，在被焊接到框架之前已经将第一导电层222、第二导电层224和第三导电层246分开的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以用作根据本公开的又一实施方式的掩模200。
图8A和图8B示出了测量的根据本公开另一实施方式的镀层的厚度。
图8A示出了测量的当如图5A至图5C所示施加时沿图8B中的线H-H'截取的镀层的厚度。
参照图8A和图8B，在五个单元区域的每一个中从三个点测量镀层的厚度。例如，从图8B中的三个点(即，P1、P2和P3)测量镀层的厚度。参照图8A，能够看出，单元区域中的镀层具有小于5％的厚度差。例如，能够看出，镀层在图案区域的中央部分和周边部分之间具有小于5％的厚度差。例如，镀层的厚度差与图4相比减小了10％或更大。因此，可以示出通过辅助区域可以保持镀层的厚度均匀。因此，可以保持整个基板上的镀层厚度均匀。
图9A示出了测量的当如图5A至图5C所示施加时沿图9B中的线I1-I1'、I2-I2'、I3-I3'、I4-I4'和I5-I5'截取的镀层的厚度。
参照图9A和图9B，在五个单元区域的每一个中从三个点测量镀层的厚度。例如，从图9B中的三个点(即，P1、P2和P3)测量镀层的厚度。参照图9A，能够看出，单元区域中的镀层具有小于7％的厚度差。例如，能够看出，镀层在图案区域的中央部分与上部分和下部分之间具有小于7％的厚度差。例如，镀层的厚度差与图4相比减小了8％或更大。因此，可以示出通过辅助区域可以保持镀层的厚度均匀。因此，可以保持整个基板上的镀层厚度均匀。
可以使用显微镜、X射线荧光(XRF)分析仪、聚焦离子束(FIB)-扫描电子显微镜(SEM)等测量镀层的厚度。然而，本公开不限于此。当使用显微镜测量镀层的厚度时，能够测量设置在基板上的镀层的长度或厚度。如果基板由玻璃形成，则容易区分导电层和镀层。因此，可以使用显微镜测量镀层的厚度。能够使用显微镜测量镀层的厚度，如图3B和图3C所示。图3B和图3C示出了例如在导电层上形成的镀层的垂直厚度。然而，本公开不限于此。例如，还能够测量在导电层上形成的镀层的水平厚度。使用XRF分析仪测量镀层在非图案区域中的厚度。能够通过输入和反射X射线波长并检测材料改变的点处的波长变化来测量镀层的厚度。FIB-SEM通过切割镀层的截面来测量镀层的厚度。本文中，使用显微镜测量镀层的厚度，并使用FIB-SEM确认镀层的厚度。
图10是根据本公开另一实施方式的用于制造掩模的流程图。
参照图10，在基板上形成图案区域和辅助区域(S110)。可以在图案区域和辅助区域中形成导电层。辅助区域可以通过以上参照图6描述的方法来形成。然后，将基板设置在镀槽中(S120)。例如，包括导电层和辅助区域的基板设置在镀槽中。执行镀敷以在导电层和辅助区域上形成镀层(S130)。然后，将镀层焊接到框架(S140)。然后，将镀层与基板分开以制造最终掩模(S150)。
图11A至图11D示出了根据本公开另一实施方式的用于制造掩模的工序。
图11A至图11D示出了用于以上参照图10描述的将镀层与基板分开的工序。
参照图11A所示，框架50被焊接到开口金属掩模片60。框架50可以使用激光W等焊接到开口金属掩模片60。然而，本公开不限于此。例如，可以使用包括钕-钇铝石榴石(Nd-Yag)激光器的各种光纤激光器来执行焊接工序，但不限于此。可以用开口金属掩模片60覆盖基板210的第二镀层244和第三镀层246。开口金属掩模片60可以是开口掩模片，但不限于该术语。
如图11B所示，通过将框架50焊接到开口金属掩模片606而制备的开口金属掩模70、第一镀层242、第二镀层244和第三镀层24可以对准。可以不执行对准工序。开口金属掩模70可以是开口掩模或框架，但不限于开口掩模或框架。第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以在与开口金属掩模70对准之前切割成期望的形状。第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以通过切割工序形成在期望的区域中。在切割工序之后，第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以与开口金属掩模70对准。
如图11C所示，使用激光W等将第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246焊接到开口金属掩模70。例如，可以使用包括钕-钇铝石榴石(Nd-Yag)激光器的各种光纤激光器来执行焊接工序，但是不限于此。作为另一示例，如以上参照图11B所述，在切割工序之后，可以使用激光等将第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246焊接到开口金属掩模70。
如图11D所示，基板210可以沿箭头所指方向反转，然后被去除以制造包括第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246的掩模。作为另一示例，基板可以在没有被反转的情况下被去除，以制造掩模。
FMM掩模可以制造成多个分开的杆的形式。这些杆可以延伸到小的厚度并焊接到框架。例如，可以通过将镀层与基板分开然后延伸并焊接镀层来制造FMM掩模。在这种情况下，如果掩模薄，则当掩模被延伸时在相邻杆之间发生滑动现象。如果发生滑动现象，则不能制造高精度的掩模。此外，由于需要延伸并焊接掩模，因此制造用于散射的掩模需要24小时或更长。因此，通过执行首先焊接基板和框架然后将基板分开的无延伸工序，可以抑制由延伸导致的掩模的变形并减少FMM掩模的制造时间。然而，本公开不限于此。能够以其他方式制造掩模。
作为另一示例，基板210、第一导电层222、第二导电层224和第三导电层226可以与第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246分开。然后，第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以焊接到框架50。焊接到框架50的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以用作根据本公开实施方式的掩模。
作为另一示例，包括镀层的基板210可以焊接到通过将框架焊接到开口金属掩模片而制备的开口金属掩模。然后，基板210和导电层可以与镀层分开。镀层可以用作根据本公开实施方式的掩模。
作为另一示例，在焊接到框架之前已经与第一导电层222、第二导电层224和第三导电层246分开的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以用作根据本公开实施方式的掩模。
作为另一示例，可以将基板、第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246焊接到框架，然后去除基板。焊接到框架的第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246可以用作根据本公开另一实施方式的掩模200。
根据本公开实施方式的掩模200可以包括镀层和框架50。在基板210和导电层与镀层分开之后，可以将分开的镀层焊接到框架50。作为另一示例，由于难以将分开的镀层焊接到框架，所以可以将开口掩模焊接到框架，并且经焊接的开口掩模可以焊接到镀层。
框架50可以形成为适于在上面设置第二镀层244和/或第三镀层246的尺寸。在这种情况下，框架50可以与第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246组合，以支撑第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246。作为另一示例，框架50可以形成为比适于在上面设置第二镀层244和/或第三镀层246的尺寸大的尺寸。例如，框架50可以具有沿着第二镀层244和/或第三镀层246延伸的形状，并且可以设置为与第二镀层244和/或第三镀层246的一部分接触。
框架50可以在用于第二镀层244的区域中焊接到第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246。作为另一示例，框架50可以分别在用于第二镀层244和第三镀层246的区域中焊接到第一镀层242、第二镀层244和第三镀层246。焊接工序可以使用包括钕-钇铝石榴石(Nd-Yag)激光器的各种光纤激光器来执行，但不限于此。
图12示出了使用图7C所示的掩模在显示面板上溅射有机材料的腔室。
如图12所示，溅射单元80和溅射源30设置在真空腔室90中。溅射源30位于溅射单元80下方。由支撑轴81支撑的溅射单元80包括支撑件85、设置在支撑件85上的掩模200和设置在掩模200上方并且要在其上溅射有机材料的基板210。溅射单元80还包括设置在基板210上方以冷却溅射工序中产生的热的冷却板83，以及设置在冷却板83上方以抑制掩模200下垂的磁性板82。
容纳在设置于真空腔室90的底部上的溅射源30中的源31可以被加热以蒸发或升华。从溅射源30蒸发或升华的源31可以通过形成在设置于基板210下方的掩模200中的多个开口270选择性地溅射在基板210上。
下面将描述本公开的实施方式。
根据本公开的实施方式，一种制造掩模的方法包括：在基板的图案区域和围绕图案区域的辅助区域上形成导电层，将包括导电层的基板放置在镀槽中，在导电层上形成镀层，并将基板和导电层与镀层分开。
根据本公开的示例实施方式，基板的图案区域和辅助区域上的导电层可以由金属材料形成。
根据本公开的一些实施方式，在基板的图案区域和辅助区域上形成导电层可以包括：在辅助区域上形成具有不同宽度的导电层。
根据本公开的一些实施方式，将基板和导电层与镀层分开可以包括：通过将开口掩模片装载到框架来制备开口掩模，将开口掩模焊接到基板，以及去除基板。
根据本公开的一些实施方式，将基板和导电层与镀层分开可以包括：将框架焊接到基板，以及去除基板。
根据本公开的一些实施方式，该方法还可以包括：在将基板和导电层与镀层分开之后，将镀层焊接到框架。
根据本公开的一些实施方式，该方法还可以包括：在将基板和导电层与镀层分开之前，将镀层焊接到框架。
根据本公开的一些实施方式，在导电层上形成镀层可以包括：将电流施加到阳极和阴极的电镀或对基板的表面进行镀覆的化学镀。
根据本公开的一些实施方式，在导电层上形成镀层可以包括：沿从镀层向阴极延伸的方向在辅助区域中形成具有不同宽度的镀层。
根据本公开的一些实施方式，图案区域可以包括多个单元区域，并且多个单元区域中的导电层可以限定多个开口。
根据本公开的一些实施方式，辅助区域中的导电层可以限定多个开口，并且与基板上的阴极相邻的辅助区域中的开口之间的宽度可以大于远离基板上的阴极的辅助区域中的开口之间的宽度。
根据本公开的一些实施方式，图案区域中的开口之间的宽度可以大于远离基板上的阴极的辅助区域中的开口之间的宽度并小于与基板上的阴极相邻的辅助区域中的开口之间的宽度。
根据本公开的一些实施方式，可以通过溅射或轧制形成导电层。
根据本公开的一些实施方式，导电层可以由钼上ITO(ITO/Mo)、钼-钛合金(MoTi)上铜(Cu)或铜上ITO(ITO/Cu)中的一个形成。
根据本公开的实施方式，一种掩模包括位于多个单元区域中的图案区域以及被配置为围绕图案区域的辅助区域，该图案区域具有第一镀层，该辅助区域层具有第二镀层。
根据本公开的一些实施方式，第一镀层可以位于图案区域的中央部分和周边部分中，并且辅助区域被构造成使得第一镀层在所述图案区域的所述中央部分中的厚度等于在图案区域的周边部分中的厚度。
根据本公开的一些实施方式，第一镀层的宽度可以不同于第二镀层的宽度。
根据本公开的一些实施方式，第一镀层和第二镀层可以由相同的材料形成。
根据本公开的实施方式，一种掩模包括：包含多个单元区域的基板，位于多个单元区域中的第一镀层，位于多个单元区域的外周边中的第二镀层，以及位于多个单元区域之间的第三镀层，第二镀层和第三镀层中的一个与第一镀层具有相同厚度。
根据本公开的一些实施方式，第二镀层和第三镀层中的一个可以被配置为在多个单元区域中与第一镀层具有相同厚度。
根据本公开的一些实施方式，第二镀层和第三镀层中的一个可以被配置为具有不同宽度，以与多个单元区域的第一镀层具有相同厚度。
根据本公开的一些实施方式，第一镀层、第二镀层和第三镀层可以由相同的材料形成。
对于本领域技术人员将会显而易见的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中可以进行各种修改和变型。因此，本公开的实施方式旨在覆盖本公开的修改和变型，只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。
以上描述的各种实施方式能够进行组合以提供其它实施方式。能够根据以上详细描述的说明对实施方式做出这些和其它改变。总的说来，在以下权利要求中，所使用的术语不应解读为将权利要求限于在说明书和权利要求书中公开的特定实施方式，而应解读为包括与这样的权利要求可享有的等同物的全部范围相符的所有可行的实施方式。因此，权利要求不限于本公开。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2018-0173975的权益和优先权，其全部内容通过引用合并于此。

Claims (10)

1.一种制造掩模的方法，该方法包括以下步骤：
在基板的图案区域和围绕所述图案区域的辅助区域上形成导电层；
将包括所述导电层的所述基板放置在镀槽中；
在所述导电层上形成镀层；以及
将所述基板和所述导电层与所述镀层分开。
2.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，在所述基板的所述图案区域和所述辅助区域上的所述导电层由金属材料形成。
3.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，在所述基板的所述图案区域和所述辅助区域上形成所述导电层的步骤包括以下步骤：
在所述辅助区域上形成具有不同宽度的所述导电层。
4.根据权利要求1所述的制造掩模的方法，其中，将所述基板和所述导电层与所述镀层分开的步骤包括以下步骤：
通过将开口掩模片装载到框架上来制备开口掩模；
将所述开口掩模焊接到所述基板；以及
去除所述基板。
5.一种掩模，该掩模包括：
图案区域，该图案区域位于多个单元区域中，该图案区域具有第一镀层；以及
辅助区域，该辅助区域被构造成围绕所述图案区域，该辅助区域具有第二镀层。
6.根据权利要求5所述的掩模，其中，
所述第一镀层位于所述图案区域的中央部分和周边部分中，并且
所述辅助区域被构造成使得所述第一镀层在所述图案区域的所述中央部分中的厚度等于在所述图案区域的所述周边部分中的厚度。
7.根据权利要求5所述的掩模，其中，所述第一镀层的宽度不同于所述第二镀层的宽度。
8.一种掩模，该掩模包括：
基板，该基板包括多个单元区域；
第一镀层，该第一镀层位于所述多个单元区域中；
第二镀层，该第二镀层位于所述多个单元区域的外周边中；以及
第三镀层，该第三镀层位于所述多个单元区域之间，所述第二镀层和所述第三镀层中的一个具有与所述第一镀层的厚度相同的厚度。
9.根据权利要求8所述的掩模，其中，所述第二镀层和所述第三镀层被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层相同的厚度。
10.根据权利要求8所述的掩模，其中，所述第二镀层和所述第三镀层中的一个被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层不同的宽度，并且被构造成具有与所述多个单元区域中的所述第一镀层相同的厚度。
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