KR102478473B1 - 증착용 마스크 제조 방법 - Google Patents

증착용 마스크 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102478473B1
KR102478473B1 KR1020160060363A KR20160060363A KR102478473B1 KR 102478473 B1 KR102478473 B1 KR 102478473B1 KR 1020160060363 A KR1020160060363 A KR 1020160060363A KR 20160060363 A KR20160060363 A KR 20160060363A KR 102478473 B1 KR102478473 B1 KR 102478473B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
plating
metal layer
photoresist layer
electrode plate
deposition mask
Prior art date
Application number
KR1020160060363A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170130014A (ko
Inventor
문영민
임성순
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020160060363A priority Critical patent/KR102478473B1/ko
Priority to CN201710064161.0A priority patent/CN107424909B/zh
Publication of KR20170130014A publication Critical patent/KR20170130014A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102478473B1 publication Critical patent/KR102478473B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L51/0011—
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

본 발명의 일 실시예는 전극판 상에 금속을 도금함으로써 용접부와 리브부 및 패턴부를 포함하는 증착용 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 전극판 상에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 제1 포토레지스트층에 광을 조사하되, 광을 방사하는 광원과 제1 포토레지스트층의 사이에 광의 투과를 차단하는 차단 영역과, 광을 투과시키는 투과 영역과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask)를 배치하여 제1 포토레지스트층에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역을 형성하는 단계와, 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하여 용접부 및 리브부 중 하나 이상이 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계와, 제1 도금 영역 상에 제1 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하여 용접부와 리브부 및 패턴부 중 하나 이상이 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계와, 제1 금속층 및 전극판 상의 제2 도금 영역에 제2 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계와, 전극판을 제거하는 단계를 포함하는 증착용 마스크 제조 방법을 개시한다.

Description

증착용 마스크 제조 방법{Method of manufacturing mask for depositing}
본 발명의 실시예들은 증착용 마스크 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 평판 디스플레이 중의 하나인 유기 발광 표시 장치는 능동 발광형 표시 소자로서 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 저전압으로 구동이 가능하며, 경량의 박형이면서 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어서 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다.
이러한 발광 소자는 발광층을 형성하는 물질에 따라 무기 발광 소자와 유기 발광 소자로 구분되는데, 유기 발광 소자는 무기 발광 소자에 비해 휘도, 응답속도 등의 특성이 우수하고, 컬러 디스플레이가 가능하다는 장점을 가지고 있어 최근 그 개발이 활발하게 진행되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기막 및/또는 전극을 진공 증착법에 의해 형성한다. 그러나 유기 발광 표시 장치가 점차 고해상화 됨에 따라 증착 공정 시 사용되는 마스크의 오픈 슬릿(open slit)의 폭이 점점 좁아지고 있으며, 그 산포(distribution) 또한 점점 더 감소될 것이 요구되고 있다.
또한, 고해상도 유기 발광 표시 장치를 제작하기 위해서는 쉐도우 현상(shadow effect)을 저감하거나 제거할 것이 요구된다. 그에 따라, 기판과 마스크를 밀착시킨 상태에서 증착 공정을 진행하고 있으며, 기판과 마스크의 밀착도를 향상시키기 위한 기술의 개발이 대두되고 있다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 실시예들의 도출을 위해 보유하고 있었거나, 도출 과정에서 습득한 기술 정보로서, 반드시 본 발명의 실시예들의 출원 전에 일반 공중에게 공개된 공지기술이라 할 수는 없다.
본 발명의 실시예들은 증착용 마스크의 제조 공정을 단순화할 수 있는 증착용 마스크 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법은, 전극판 상에 금속을 도금함으로써 용접부와 리브부 및 패턴부를 포함하는 증착용 마스크를 제조하는 방법에 있어서, 전극판 상에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계와, 제1 포토레지스트층에 광을 조사하되, 광을 방사하는 광원과 제1 포토레지스트층의 사이에 광의 투과를 차단하는 차단 영역과, 광을 투과시키는 투과 영역과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask)를 배치하여 제1 포토레지스트층에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역을 형성하는 단계와, 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하여 용접부 및 리브부 중 하나 이상이 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계와, 제1 도금 영역 상에 제1 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하여 용접부와 리브부 및 패턴부 중 하나 이상이 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계와, 제1 금속층 및 전극판 상의 제2 도금 영역에 제2 금속층을 도금하는 단계와, 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계와, 전극판을 제거하는 단계를 포함한다.
본 실시예에 있어서, 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하는 단계는, 용접부 및 리브부가 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역을 외부에 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 금속층을 도금하는 단계는, 제1 금속층을 용접부 및 리브부가 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역에 도금할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는, 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 금속층을 도금하는 단계는, 제2 금속층을 용접부와 리브부가 형성될 제1 금속층과, 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역에 도금할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하는 단계는, 리브부가 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역을 외부에 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 금속층을 도금하는 단계는, 제1 금속층을 리브부가 형성될 전극판 상의 제1 도금 영역에 도금할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는, 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 금속층을 도금하는 단계는, 제2 금속층을 리브부가 형성될 제1 금속층과, 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역에 도금할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계 이후에, 리브부 및 패턴부가 형성될 전극판과 제2 금속층 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에, 용접부가 형성될 전극판 상의 제3 도금 영역에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제3 금속층을 도금하는 단계 이후에, 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는, 용접부와 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 금속층을 도금하는 단계는, 제2 금속층을 리브부가 형성될 제1 금속층과, 용접부와 패턴부가 형성될 전극판 상의 제2 도금 영역에 도금할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 금속층을 도금하는 단계 이후에, 리브부 및 패턴부가 형성될 제2 금속층 및 제1 포토레지스트 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에, 용접부가 형성될 제2 금속층 상에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제3 금속층을 도금하는 단계 이후에, 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 금속층을 도금하는 단계 이후에, 리브부와 패턴부가 형성될 제1 포토레지스트층과 제2 금속층 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에, 용접부가 형성될 제2 금속층 상에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 실시예에 있어서,제3 금속층을 도금하는 단계 이후에, 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함할 수 있다.
전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.
본 발명의 실시예들에 관한 증착용 마스크 제조 방법에 따르면, 증착용 마스크의 제조 공정을 단순화하여 제조 소요 시간 및 비용을 절감할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 이용하여 제조되는 증착용 마스크를 개략적으로 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1의 증착용 마스크의 평면도이다.
도 3a 내지 도 3h은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
또한, 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 또한, 어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
먼저, 본 발명의 실시예들에 따른 증착용 마스크 제조 방법에 대해 설명하기 이전에, 도 1 및 도 2를 참조하여 증착용 마스크의 개략적인 구조에 대해 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 이용하여 제조되는 증착용 마스크를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1의 증착용 마스크의 평면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 증착용 마스크(DM)는 용접부(WA)와, 리브부(RA) 및 패턴부(PA)로 구성될 수 있다.
증착용 마스크(DM)는 자성을 띤 박판(Thin film)으로, 니켈(Ni) 또는 니켈 합금(Nickel alloy)으로 형성될 수 있다. 바람직하게는 미세 패턴의 형성이 용이하고, 표면 거칠기가 우수한 니켈-코발트 합금(Ni-Co alloy)로 형성될 수 있다.
상세히, 도 1에 나타난 증착용 마스크(DM)는 스틱(stick) 형태로, 도면에 도시되지는 않았으나 액자 형태의 프레임(미도시) 상에 증착용 마스크(DM)의 폭 방향으로 복수개가 나란히 배치되고, 길이 방향으로 인장된 상태로 양 단부가 프레임에 용접될 수 있다.
용접부(WA)는 증착용 마스크(DM)를 프레임에 결합하는 공정에서 클램프(미도시)가 증착용 마스크(DM)를 인장하기 위하여 증착용 마스크(DM)의 양 단부를 클램핑하는 영역이며, 또한 증착용 마스크(DM)가 프레임에 용접된 이후에는 증착용 마스크(DM)의 본체로부터 제거되는 영역이다.
리브부(RA)는 증착용 마스크(DM)를 프레임에 용접하여 용접부(WA)를 제거한 이후, 증착용 마스크(DM)의 본체가 되는 영역이다. 즉, 리브부(RA)는 후술할 패턴부(PA)를 감싸는 동시에 증착용 마스크(DM)의 길이 방향으로 복수개가 연속적으로 배치되는 각 패턴부(PA)를 서로 연결하며, 또한 디스플레이 기판 상에 증착 물질을 증착하는 공정에서 기판과 밀착되도록 충분한 강성과 자성을 지니도록 형성될 수 있다.
패턴부(PA)는 증착 물질을 일정한 패턴으로 통과시키는 패턴홀(PH)을 포함하는 영역으로, 증착용 마스크(DM)의 길이 방향을 따라 복수개가 형성될 수 있다. 이때, 각 패턴부(PA)들은 서로 리브부(RA)에 의해 연결될 수 있다.
일반적으로, 고해상도 디스플레이를 구현하기 위해서는 패턴홀(PH)의 밀도가 높아져야 하는데, 이를 위해서는 얇은 두께를 갖는 증착용 마스크(DM)가 필요하다. 예컨데, 770ppi(pixel per inch)의 해상도를 갖는 5.7인치 UHD(Ultra High-Definition)를 구현하기 위해서는, 약 7 내지 8.5㎛의 두께를 갖는 증착용 마스크(DM)가 필요하다.
한편, 증착용 마스크(DM)의 두께가 얇아질수록, 증착용 마스크(DM)와 프레임의 용접 시 용접 강도가 약해져 쉽게 파손될 위험성이 있다. 따라서, 고해상도 디스플레이를 구현하기 위해서는 패턴홀(PH)이 형성되는 패턴부(PA)의 두께는 최대한 얇게 형성하되, 프레임과 용접되는 용접부(WA)의 두께는 패턴부(PA)에 비해서는 두껍게 형성함으로써 증착용 마스크(DM)와 프레임의 용접 강도를 높여, 증착용 마스크(DM)가 프레임으로부터 쉽게 분리되거나 파손되지 않도록 할 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따라 용접부(WA)의 두께가 패턴부(PA) 및 리브부(RA)보다 두껍게 형성되는 증착용 마스크(DM)를 제조하는 방법에 대해 상세히 설명하기로 한다.
도 3a 내지 도 3h은 본 발명의 일 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 전극판(EP) 상에 제1 포토레지스트층(PR)을 도포한다. 일반적으로 이러한 제1 포토레지스트층(PR)은 포지티브(positive) 및 네거티브(negative)형 중 하나로 선택되어 전극판(EP) 상에 도포될 수 있다. 포지티브형의 제1 포토레지스트층(PR)은 노광(light exposure)된 영역이 이후 현상(developing) 과정에서 식각되어 제거되며, 반대로 네거티브형의 제1 포토레지스트층(PR)은 노광된 영역을 제외한 나머지 영역이 식각되는 특성이 있다. 이하에서는, 제1 포토레지스트층(PR)이 포지티브형으로 구성되어 노광된 영역이 식각되는 경우를 중심으로 설명하기로 한다.
다음으로, 도 3b를 참조하면, 전극판(EP) 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR)에 광(light)을 조사하되, 광을 방사하는 광원(미도시)과 제1 포토레지스트층(PR)의 사이에 광을 투과를 차단하는 차단 영역(B)과, 광을 투과시키는 투과 영역(P)과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역(HP)을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask, HTM1)을 배치하여 제1 포토레지스트층(PR)에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한다.
여기서, 광원에서 방사되는 광의 광량을 참조부호 L1이라고 하고, 하프톤 마스크(HTM)의 반투과 영역(HP)을 통과한 이후의 광의 광량을 L2이라고 하면, L2는 L1보다 작게 형성되는데(L2<L1), 이는 반투과 영역(HP)은 유입되는 광을 회절시켜 부분적으로 투과시키기 때문이다.
따라서, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM)의 투과 영역(P)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR)의 일부, 즉 용접부(WA) 및 리브부(RA)가 형성될 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR)은 L2보다 큰 세기를 갖는 L1의 광에 의해 노광될수 있다.
반면, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM1)의 반투과 영역(HP)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR)의 다른 일부, 즉 패턴부(PA)가 형성될 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR)은 L2의 세기를 갖는 광에 의해 노광될 수 있다. 상술한 바와 같이, L2의 광량은 L1의 세기 보다 작으므로, L1에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t1)는 L2에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t2)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 3b에 나타난 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR)에 광을 조사하여 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한 이후에는, 복수개의 노광 영역(LEA)을 현상(developing)하는 단계를 거친다.
도 3c는 복수개의 노광 영역(LEA)이 현상된 모습을 나타낸다. 즉, 용접부(WA)와 리브부(RA)가 형성될 영역에서, 투과 영역(P)을 통과한 상대적으로 많은 광량(L1)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 모두 제거됨으로써, 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역이 외부로 노출된다.
반면, 패턴부(PA)가 형성될 영역에서, 반투과 영역(HP)을 통과한 상대적으로 적은 광량(L2)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 부분적으로 제거되어, 전극판(EP)을 외부로 노출시키지 않는 대신, 제1 포토레지스트층(PR)의 전체 두께(t1)에서 일부 두께(t2)만큼 인입되도록 제거된다.
도 3c에 나타난 바와 같이 전극판(EP) 상에 형성된 제1 포토레지스트층(PR)의 노광 영역(LEA)을 현상한 이후에는, 제1 금속층(M1)을 도금하는 과정을 거친다.
도 3d는 용접부(WA) 및 리브부(RA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역에 제1 금속층(M1)을 도금한 모습을 나타낸다. 제1 금속층(M1)은 전주 도금(electroforming)으로 도금될 수 있다. 도 3d는 제1 금속층(M1)의 두께가 제1 포토레지스트층(PR)의 두께보다 얇게 형성된 모습을 나타내나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 제1 금속층(M1)의 두께가 제1 포토레지스트층(PR)의 두께보다 얇게 묘사한 것은 설명의 편의를 위한 것이며, 제1 금속층(M1)의 두께는 제1 포토레지스트층(PR)의 두께보다 두껍거나 대응되도록 형성될 수도 있다.
다음으로, 외부로 노출된 전극판(EP) 상에 제1 금속층(M1)을 도금한 이후에는, 제1 포토레지스트층(PR)을 애싱(ashing)하는 공정을 거친다. 애싱 공정이란, 상술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR)을 노광 및 현상하여 제거하는 대신, 제1 포토레지스트층(PR)을 전체적으로 동일한 두께만큼 식각하는 공정이다. 도 3e는 제1 포토레지스트층(PR)을 애싱한 모습을 나타낸다.
도 3e를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR)을 애싱함으로써 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상에는 제2 도금 영역, 즉 복수개의 홀(H)이 형성된다. 이러한 제2 도금 영역의 홀(H)에 의해 전극판(EP)은 외부로 노출되며, 외부로 노출된 전극판(EP)의 홀(H)들에는 이후 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다.
도 3f를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR)을 애싱한 이후, 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP)의 제2 도금 영역에 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 또한, 용접부(WA)와 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1) 상에도 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 이는, 제1 포토레지스트층(PR)은 비전도성 물질로 이루어지기 때문으로, 제2 금속층(M2)은 제1 포토레지스트층(PR) 상에는 도금되지 않으며, 대신 전도성 물질로 이루어진 전극판(EP)이나 제1 금속층(M1) 상에 도금될 수 있다.
다음으로, 제2 금속층(M2)을 용접부(WA)와 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1)과, 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제2 도금 영역에 도금한 이후, 다시 한번 제1 포토레지스트층(PR)을 현상하는 단계를 거친다.
도 3g는 제2 금속층(M2)을 도금한 이후, 전극판(EP) 상에서 제1 포토레지스트층(PR)을 현상하여 제거한 모습을 나타낸다. 도면에는 현상 공정 이전에 수행되어야할 노광 공정이 생략되어 있는데, 이는 상술한 도 3c에 대한 설명에서 그 방법과 결과물이 충분히 설명되었으므로 여기에서는 자세한 설명은 생략하기로 한다.
그리고, 마지막으로 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)으로부터 전극판(EP)을 제거하여 증착용 마스크(100)를 제조할 수 있다. 도 3h는 전극판(EP)을 제거한 모습을 나타낸다. 이는, 도 2의 A-A' 선을 절단한 절단면의 모습을 나타낸다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법을 따라 제조된 증착용 마스크(100)에 의하면, 용접부(WA)와 리브부(RA)에는 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)이 형성되어 있으며, 패턴부(PA)에는 제2 금속층(M2)이 형성되어 있어 용접부(WA)와 리브부(RA)의 두께가 패턴부(PA)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 증착용 마스크(100)를 프레임에 인장하여 용접하더라도 용접부(WA)가 패턴부(PA)보다 두껍게 형성되므로 증착용 마스크(100)의 파손을 방지할 수 있으며, 증착용 마스크(100)와 프레임의 용접 강도를 강화시킬 수 있다.
또한, 포토레지스트층의 도포와 노광 및 현상을 위해 복수개의 포토마스크가 필요한 포토리소그래피(photolithography) 공정 대신, 애싱 공정을 이용하여 제1 포토레지스트층(PR)을 식각함으로써 포토리소그래피 공정에 필요한 포토마스크의 사용 횟수를 줄일 수 있어, 공정 택트(tact) 감소를 통해 제조 비용을 절약할 수 있으며, 또한 제조 소요 시간을 단축시킬 수 있다.
도 4a 내지 도 4k는 본 발명의 다른 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4a를 참조하면, 전극판(EP) 상에 제1 포토레지스트층(PR1)을 도포한다. 제1 포토레지스트층(PR1)에 대해서는 도 3a에서 상세하게 설명한 바가 있으므로, 여기서는 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 4b를 참조하면, 전극판(EP) 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)에 광을 조사하되, 광을 방사하는 광원(미도시)과 제1 포토레지스트층(PR1)의 사이에 광을 투과를 차단하는 차단 영역(B)과, 광을 투과시키는 투과 영역(P)과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역(HP)을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask, HTM2)을 배치하여 제1 포토레지스트층(PR1)에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한다.
여기서, 광원에서 방사되는 광의 광량을 참조부호 L1이라고 하고, 하프톤 마스크(HTM2)의 반투과 영역(HP)을 통과한 이후의 광의 광량을 L2이라고 하면, L2는 L1보다 작게 형성되는데(L2<L1), 이는 반투과 영역(HP)은 유입되는 광을 회절시켜 부분적으로 투과시키기 때문이다.
따라서, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM2)의 투과 영역(P)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR1)의 일부, 즉 리브부(RA)가 형성될 전극판(EP) 상의 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)은 L1의 세기를 갖는 광에 의해 노광될수 있다.
반면, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM2)의 반투과 영역(HP)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR1)의 다른 일부, 즉 패턴부(PA)가 형성될 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)은 L2의 세기를 갖는 광에 의해 노광될 수 있다. 상술한 바와 같이, L2의 광량은 L1의 세기 보다 작으므로, L1에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t1)는 L2에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t2)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 4b에 나타난 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR1)에 광을 조사하여 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한 이후에는, 복수개의 노광 영역(LEA)을 현상(developing)하는 단계를 거친다.
도 4c는 복수개의 노광 영역(LEA)이 현상된 모습을 나타낸다. 즉, 리브부(RA)가 형성될 영역에서, 투과 영역(P)을 통과한 상대적으로 많은 광량(L1)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 모두 제거됨으로써, 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역이 외부로 노출된다.
반면, 패턴부(PA)가 형성될 영역에서, 반투과 영역(HP)을 통과한 상대적으로 적은 광량(L2)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 부분적으로 제거되어, 전극판(EP)을 외부로 노출시키지 않는 대신, 제1 포토레지스트층(PR1)의 전체 두께(t1)에서 일부 두께(t2)만큼 인입되도록 제거된다.
도 4c에 나타난 바와 같이 전극판(EP) 상에 형성된 제1 포토레지스트층(PR1)의 노광 영역(LEA)을 현상한 이후에는, 제1 금속층(M1)을 도금하는 과정을 거친다.
도 4d는 리브부(RA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역에 제1 금속층(M1)을 도금한 모습을 나타낸다. 제1 금속층(M1)은 전주 도금(electroforming)으로 도금될 수 있다. 도 4d는 제1 금속층(M1)의 두께가 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께보다 얇게 형성된 모습을 나타내나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 제1 금속층(M1)의 두께가 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께보다 얇게 묘사한 것은 설명의 편의를 위한 것이며, 제1 금속층(M1)의 두께는 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께보다 두껍거나 대응되도록 형성될 수도 있다.
다음으로, 외부로 노출된 전극판(EP) 상에 제1 금속층(M1)을 도금한 이후에는, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱(ashing)하는 공정을 거친다. 애싱 공정이란, 상술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 제거하는 대신, 제1 포토레지스트층(PR1)을 전체적으로 동일한 두께만큼 식각하는 공정이다. 도 4e는 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱한 모습을 나타낸다.
도 4e를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱함으로써 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상에는 제2 도금 영역, 즉 복수개의 홀(H)이 형성된다. 이러한 제2 도금 영역의 홀(H)에 의해 전극판(EP)은 외부로 노출되며, 외부로 노출된 전극판(EP)의 홀(H)들에는 이후 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다.
도 4f를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱한 이후, 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP)의 제2 도금 영역에 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 또한, 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1) 상에도 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 이는, 제1 포토레지스트층(PR1)은 비전도성 물질로 이루어지기 때문으로, 제2 금속층(M2)은 제1 포토레지스트층(PR1) 상에는 도금되지 않으며, 대신 전도성 물질로 이루어진 전극판(EP)이나 제1 금속층(M1) 상에 도금될 수 있다.
다음으로, 제2 금속층(M2)을 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1)과, 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제2 도금 영역에 도금한 이후, 다시 한번 제1 포토레지스트층(PR1)을 현상하는 단계를 거친다.
도 4g는 제2 금속층(M2)을 도금한 이후, 전극판(EP) 상에서 제1 포토레지스트층(PR1)을 현상하여 제거한 모습을 나타낸다. 도면에는 현상 공정 이전에 수행되어야할 노광 공정이 생략되어 있는데, 이는 상술한 도 3c 및 4c에 대한 설명에서 그 방법과 결과물이 충분히 설명되었으므로 여기에서는 자세한 설명은 생략하기로 한다.
전극판(EP) 상에서 제1 포토레지스트층(PR1)을 현상하여 제거한 다음으로, 리브부(RA) 및 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP)과 제2 금속층(M2) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 도포한다. 도 4h는 리브부(RA) 및 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP)과 제2 금속층(M2) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 도포한 모습을 나타낸다.
제2 포토레지스트층(PR2)을 도포한 이후에는, 용접부(WA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제3 도금 영역에 제3 금속층(M3)을 도금한다. 도 4i는 용접부(WA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제3 도금 영역에 제3 금속층(M3)을 도금한 모습을 나타낸다.
용접부(WA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제3 도금 영역에 제3 금속층(M3)을 도금한 이후에는, 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거한다. 도 4j는 리브부(RA)와 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 및 제2 금속층(M2)에 형성된 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거한 모습을 나타낸다. 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거하기 위해서는 상술한 바와 같이 노광 및 현상 공정을 거치는데, 이는 자세하게 상술한바 있으므로 여기서는 더 자세한 설명은 생략하기로 한다.
그리고, 마지막으로 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2) 및 제3 금속층(M3)으로부터 전극판(EP)을 제거함으로써, 증착용 마스크(200)를 제조할 수 있다. 도 4k는 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2) 및 제3 금속층(M3)으로부터 전극판(EP)을 제거한 모습을 나타낸다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법을 따라 제조된 증착용 마스크(200)에 의하면, 패턴부(PA)에는 제2 금속층(M2)이 형성되어 있으며, 리브부(RA)에는 제1 금속층(M1) 및 제2 금속층(M2)이 형성되어 있고, 용접부(WA)에는 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)을 합친 두께보다 두꺼운 제3 금속층(M3)이 형성되어 있다. 따라서, 용접부(WA)의 두께가 리브부(RA) 보다 두껍고, 또한 리브부(RA)의 두께가 패턴부(PA)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
이러한 구조에 따르면, 증착용 마스크(200)를 프레임에 인장하여 용접하더라도 용접부(WA)가 패턴부(PA)보다 두껍게 형성되므로 증착용 마스크(200)의 파손을 방지할 수 있으며, 증착용 마스크(100)와 프레임의 용접 강도를 강화시킬 수 있다. 또한, 패턴부(PA)보다 두꺼운 리브부(RA)가 패턴부(PA)들 사이를 연결해줌으로써 패턴부(PA)의 변형이나 파손을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 포토레지스트층의 도포와 노광 및 현상을 위해 복수개의 포토마스크가 필요한 포토리소그래피(photolithography) 공정 대신, 애싱 공정을 이용하여 제1 포토레지스트층(PR)을 식각함으로써 포토리소그래피 공정에 필요한 포토마스크의 사용 횟수를 줄일 수 있어, 공정 택트(tact) 감소를 통해 제조 비용을 절약할 수 있으며, 또한 제조 소요 시간을 단축시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5j는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 전극판(EP) 상에 제1 포토레지스트층(PR1)을 도포한다. 제1 포토레지스트층(PR1)에 대해서는 도 3a에서 상세하게 설명한 바가 있으므로, 여기서는 자세한 설명은 생략하기로 한다.
다음으로, 도 5b를 참조하면, 전극판(EP) 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)에 광(light)을 조사하되, 광을 방사하는 광원(미도시)과 제1 포토레지스트층(PR1)의 사이에 광을 투과를 차단하는 차단 영역(B)과, 광을 투과시키는 투과 영역(P)과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역(HP)을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask, HTM3)을 배치하여 제1 포토레지스트층(PR1)에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한다.
여기서, 광원에서 방사되는 광의 광량을 참조부호 L1이라고 하고, 하프톤 마스크(HTM)의 반투과 영역(HP)을 통과한 이후의 광의 광량을 L2이라고 하면, L2는 L1보다 작게 형성되는데(L2<L1), 이는 반투과 영역(HP)은 유입되는 광을 회절시켜 부분적으로 투과시키기 때문이다.
따라서, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM3)의 투과 영역(P)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR1)의 일부, 즉 리브부(RA)가 형성될 전극판(EP) 상의 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)은 L1의 세기를 갖는 광에 의해 노광될수 있다.
반면, 광 경로를 기준으로 하프톤 마스크(HTM3)의 반투과 영역(HP)에 대응하는 제1 포토레지스트층(PR1)의 다른 일부, 즉 용접부(WA)와 패턴부(PA)가 형성될 영역 상에 도포된 제1 포토레지스트층(PR1)은 L2의 세기를 갖는 광에 의해 노광될 수 있다. 상술한 바와 같이, L2의 광량은 L1의 세기 보다 작으므로, L1에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t1)는 L2에 의해 노광된 노광 영역(LEA)의 두께(t2)보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 5b에 나타난 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR1)에 광을 조사하여 복수개의 노광 영역(LEA)을 형성한 이후에는, 복수개의 노광 영역(LEA)을 현상(developing)하는 단계를 거친다.
도 5c는 복수개의 노광 영역(LEA)이 현상된 모습을 나타낸다. 즉, 리브부(RA)가 형성될 영역에서, 투과 영역(P)을 통과한 상대적으로 많은 광량(L1)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 모두 제거됨으로써, 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역이 외부로 노출된다.
반면, 용접부(WA)와 패턴부(PA)가 형성될 영역에서, 반투과 영역(HP)을 통과한 상대적으로 적은 광량(L2)으로 노광된 노광 영역(LEA)은 부분적으로 제거되어, 전극판(EP)을 외부로 노출시키지 않는 대신, 제1 포토레지스트층(PR1)의 전체 두께(t1)에서 일부 두께(t2)만큼 인입되도록 제거된다.
도 5c에 나타난 바와 같이 전극판(EP) 상에 형성된 제1 포토레지스트층(PR1)의 노광 영역(LEA)을 현상한 이후에는, 제1 금속층(M1)을 도금하는 과정을 거친다.
도 5d는 리브부(RA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제1 도금 영역에 제1 금속층(M1)을 도금한 모습을 나타낸다. 제1 금속층(M1)은 전주 도금(electroforming)으로 도금될 수 있다. 도 5d는 제1 금속층(M1)의 두께가 용접부(WA)가 형성될 영역의 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께와 동일하게 형성된 모습을 나타내나, 본 발명의 실시예들은 이에 한정되지 않는다. 제1 금속층(M1)의 두께가 용접부(WA)가 형성될 영역의 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께와 동일하도록 묘사한 것은 설명의 편의를 위한 것이며, 제1 금속층(M1)의 두께는 제1 포토레지스트층(PR1)의 두께보다 두껍거나 얇게 형성될 수도 있다.
다음으로, 외부로 노출된 전극판(EP) 상에 제1 금속층(M1)을 도금한 이후에는, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱(ashing)하는 공정을 거친다. 애싱 공정이란, 상술한 바와 같이 제1 포토레지스트층(PR1)을 노광 및 현상하여 제거하는 대신, 제1 포토레지스트층(PR1)을 전체적으로 동일한 두께만큼 식각하는 공정이다. 도 5e는 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱한 모습을 나타낸다.
도 5e를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱함으로써 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상에는 제2 도금 영역, 즉 복수개의 홀(H)이 형성된다. 이러한 제2 도금 영역의 홀(H)에 의해 전극판(EP)은 외부로 노출되며, 외부로 노출된 전극판(EP)의 홀(H)들에는 이후 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다.
도 5f를 참조하면, 제1 포토레지스트층(PR1)을 애싱한 이후, 용접부(WA)와 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP)의 제2 도금 영역에 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 또한, 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1) 상에도 제2 금속층(M2)이 도금될 수 있다. 이는, 제1 포토레지스트층(PR1)은 비전도성 물질로 이루어지기 때문으로, 제2 금속층(M2)은 제1 포토레지스트층(PR1) 상에는 도금되지 않으며, 대신 전도성 물질로 이루어진 전극판(EP)이나 제1 금속층(M1) 상에 도금될 수 있다.
다음으로, 제2 금속층(M2)을 리브부(RA)가 형성될 제1 금속층(M1)과, 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 상의 제2 도금 영역에 도금한 이후, 리브부(RA)와 패턴부(PA)가 형성될 영역에 제2 포토레지스트층(PR2)을 도포할 수 있다.
도 5g는 제2 금속층(M2)을 도금한 이후, 리브부(RA)와 패턴부(PA)가 형성될 영역의 제1 포토레지스트층(PR1)과 제2 금속층(M2) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 도포한 모습을 나타낸다.
리브부(RA)와 패턴부(PA)가 형성될 영역의 제1 포토레지스트층(PR1)과 제2 금속층(M2) 상에 제2 포토레지스트층(PR2)을 도포한 이후에는, 용접부(WA)가 형성될 제2 금속층(M2) 상에 제3 금속층(M3)을 도금한다. 도 5h는 용접부(WA)가 형성될 영역의 제2 금속층(M2) 상에 제3 금속층(M3)을 도금한 모습을 나타낸다.
용접부(WA)가 형성될 영역의 제2 금속층(M2) 상에 제3 금속층(M3)을 도금한 이후에는, 제2 포토레지스트층(PR2)과 제1 포토레지스트층(PR1)을 차례대로 제거한다. 도 5i는 리브부(RA)와 패턴부(PA)가 형성될 전극판(EP) 및 제2 금속층(M2) 상에 형성된 제1 포토레지스트층(PR1) 및 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거한 모습을 나타낸다. 제1 포토레지스트층(PR1)과 제2 포토레지스트층(PR2)을 제거하기 위해서는 상술한 바와 같이 노광 및 현상 공정을 거치는데, 이는 자세하게 상술한바 있으므로 여기서는 더 자세한 설명은 생략하기로 한다.
그리고, 마지막으로 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)으로부터 전극판(EP)을 제거함으로써, 증착용 마스크(200)를 제조할 수 있다. 도 5j는 제1 금속층(M1)과 제2 금속층(M2)으로부터 전극판(EP)을 제거한 모습을 나타낸다.
여기서, 본 발명의 일 실시예에 관한 증착용 마스크 제조 방법을 따라 제조된 증착용 마스크(300)에 의하면, 패턴부(PA)에는 제2 금속층(M2)이 형성될 수 있으며, 리브부(RA)에는 제1 금속층(M1) 및 제2 금속층(M2)이 형성될 수 있고, 용접부(WA)에는 제2 금속층(M2)과 제3 금속층(M3)이 형성될 수 있다. 즉, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 증착용 마스크 제조 방법에 따르면, 용접부(WA)의 두께가 리브부(RA) 보다, 또한 리브부(RA)의 두께가 패턴부(PA)의 두께보다 두껍게 형성되는 증착용 마스크(300)를 제조할 수 있다.
이러한 구조를 갖는 증착용 마스크(300)를 이용하여 프레임과의 인장 용접 공정을 거칠 경우, 증착용 마스크(300)를 프레임에 인장하여 용접하더라도 용접부(WA)가 패턴부(PA)보다 두껍게 형성되므로 증착용 마스크(100)의 파손을 방지할 수 있으며, 증착용 마스크(100)와 프레임의 용접 강도를 강화시킬 수 있다. 또한, 패턴부(PA)보다 두꺼운 리브부(RA)가 패턴부(PA)들 사이를 연결해줌으로써 패턴부(PA)의 변형이나 파손을 효과적으로 방지할 수 있다.
또한, 포토레지스트층의 도포와 노광 및 현상을 위해 복수개의 포토마스크가 필요한 포토리소그래피(photolithography) 공정 대신, 애싱 공정을 이용하여 제1 포토레지스트층(PR)을 식각함으로써 포토리소그래피 공정에 필요한 포토마스크의 사용 횟수를 줄일 수 있어, 공정 택트(tact) 감소를 통해 제조 비용을 절약할 수 있으며, 또한 제조 소요 시간을 단축시킬 수 있다.
이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
DM: 증착용 마스크
WA: 용접부
RA: 리브부
PA: 패턴부

Claims (20)

  1. 전극판 상에 금속을 도금함으로써 용접부와 리브부 및 패턴부를 포함하는 증착용 마스크를 제조하는 방법에 있어서,
    상기 전극판 상에 제1 포토레지스트층을 도포하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트층에 광을 조사하되, 상기 광을 방사하는 광원과 상기 제1 포토레지스트층의 사이에 광의 투과를 차단하는 차단 영역과, 광을 투과시키는 투과 영역과, 광의 일부를 투과시키는 하나 이상의 반투과 영역을 갖는 하프톤 마스크(half-tone mask)를 배치하여 상기 제1 포토레지스트층에 광에 노출되는 복수개의 노광 영역을 형성하는 단계;
    상기 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하여 상기 용접부 및 상기 리브부 중 하나 이상이 형성될 상기 전극판 상의 제1 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계;
    상기 제1 도금 영역 상에 제1 금속층을 도금하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하여 상기 용접부와 상기 리브부 및 상기 패턴부 중 하나 이상이 형성될 상기 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는 단계;
    상기 제1 금속층 및 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역에 제2 금속층을 도금하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계; 및
    상기 전극판을 제거하는 단계;를 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하는 단계는,
    상기 용접부 및 상기 리브부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제1 도금 영역을 외부에 노출시키는, 증착용 마스크 제조 방법.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 금속층을 도금하는 단계는,
    상기 제1 금속층을 상기 용접부 및 상기 리브부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제1 도금 영역에 도금하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는,
    상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는, 증착용 마스크 제조 방법.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 도금하는 단계는,
    상기 제2 금속층을 상기 용접부와 상기 리브부가 형성될 상기 제1 금속층과,
    상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역에 도금하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 복수개의 노광 영역을 현상(developing)하는 단계는,
    상기 리브부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제1 도금 영역을 외부에 노출시키는, 증착용 마스크 제조 방법.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 금속층을 도금하는 단계는,
    상기 제1 금속층을 상기 리브부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제1 도금 영역에 도금하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는,
    상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는, 증착용 마스크 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 도금하는 단계는,
    상기 제2 금속층을 상기 리브부가 형성될 상기 제1 금속층과,
    상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역에 도금하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트층을 제거하는 단계 이후에,
    상기 리브부 및 상기 패턴부가 형성될 상기 전극판과 상기 제2 금속층 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에,
    상기 용접부가 형성될 상기 전극판 상의 제3 도금 영역에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제3 금속층을 도금하는 단계 이후에,
    상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  13. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 포토레지스트층을 애싱(ashing)하는 단계는,
    상기 용접부와 상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역을 외부에 노출시키는, 증착용 마스크 제조 방법.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 도금하는 단계는,
    상기 제2 금속층을 상기 리브부가 형성될 상기 제1 금속층과,
    상기 용접부와 상기 패턴부가 형성될 상기 전극판 상의 상기 제2 도금 영역에 도금하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 도금하는 단계 이후에,
    상기 리브부 및 상기 패턴부가 형성될 상기 제2 금속층 및 상기 제1 포토레지스트 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에,
    상기 용접부가 형성될 상기 제2 금속층 상에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제3 금속층을 도금하는 단계 이후에,
    상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  18. 제5 항에 있어서,
    상기 제2 금속층을 도금하는 단계 이후에,
    상기 리브부와 상기 패턴부가 형성될 상기 제1 포토레지스트층과 상기 제2 금속층 상에 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 제2 포토레지스트층을 도포하는 단계 이후에,
    상기 용접부가 형성될 상기 제2 금속층 상에 제3 금속층을 도금하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제3 금속층을 도금하는 단계 이후에,
    상기 제2 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는, 증착용 마스크 제조 방법.
KR1020160060363A 2016-05-17 2016-05-17 증착용 마스크 제조 방법 KR102478473B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160060363A KR102478473B1 (ko) 2016-05-17 2016-05-17 증착용 마스크 제조 방법
CN201710064161.0A CN107424909B (zh) 2016-05-17 2017-02-04 沉积用掩模的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160060363A KR102478473B1 (ko) 2016-05-17 2016-05-17 증착용 마스크 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170130014A KR20170130014A (ko) 2017-11-28
KR102478473B1 true KR102478473B1 (ko) 2022-12-19

Family

ID=60423886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160060363A KR102478473B1 (ko) 2016-05-17 2016-05-17 증착용 마스크 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR102478473B1 (ko)
CN (1) CN107424909B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110857462A (zh) * 2018-08-22 2020-03-03 鋆洤科技股份有限公司 精细金属掩模及其制法
KR20200082919A (ko) * 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 마스크 및 이의 제조 방법
WO2022092846A1 (ko) * 2020-10-30 2022-05-05 에이피에스홀딩스 주식회사 증착 마스크 스틱 중간체
WO2022092845A1 (ko) * 2020-10-30 2022-05-05 에이피에스홀딩스 주식회사 증착 마스크 스틱
WO2022092849A1 (ko) * 2020-10-30 2022-05-05 에이피에스홀딩스 주식회사 증착 마스크 스틱
CN113789497B (zh) * 2021-09-10 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002371382A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Murata Mfg Co Ltd 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2005037883A (ja) 2003-06-30 2005-02-10 Kenseidou Kagaku Kogyo Kk メッシュ層を有するメタルマスク

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001237071A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP2004218034A (ja) * 2003-01-17 2004-08-05 Toppan Printing Co Ltd メタルマスクの製造方法およびメタルマスク
JP2006260922A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Sonac Kk 電子放出素子及びその製造方法
KR101190045B1 (ko) * 2005-12-21 2012-10-12 엘지디스플레이 주식회사 포토 마스크 및 이를 이용한 액정표시장치용 어레이 기판의제조 방법
KR100796609B1 (ko) * 2006-08-17 2008-01-22 삼성에스디아이 주식회사 Ｃｍｏｓ 박막 트랜지스터의 제조방법
CN101650526B (zh) * 2008-08-13 2012-05-30 北京京东方光电科技有限公司 掩模板及其制造方法
CN102315167B (zh) * 2011-09-07 2013-09-25 信利半导体有限公司 广视角液晶显示器阵列基板制作方法
KR102106336B1 (ko) * 2013-07-08 2020-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크
CN103560088B (zh) * 2013-11-05 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法
KR101603282B1 (ko) * 2014-04-17 2016-03-16 주식회사 웨이브일렉트로닉스 반투과 패턴을 포함하는 포토마스크를 이용한 유기발광디스플레이용 새도우 마스크의 제조 방법，그 새도우 마스크 및 이를 이용한 유기발광디스플레이의 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002371382A (ja) 2001-06-15 2002-12-26 Murata Mfg Co Ltd 金属膜およびその製造方法ならびに積層セラミック電子部品およびその製造方法
JP2005037883A (ja) 2003-06-30 2005-02-10 Kenseidou Kagaku Kogyo Kk メッシュ層を有するメタルマスク

Also Published As

Publication number Publication date
CN107424909A (zh) 2017-12-01
CN107424909B (zh) 2023-12-19
KR20170130014A (ko) 2017-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102478473B1 (ko) 증착용 마스크 제조 방법
US10301715B2 (en) Mask for deposition and manufacturing method thereof
KR102237428B1 (ko) 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법
KR101345171B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
US8426229B2 (en) Method of fabricating liquid crystal display device
KR101926580B1 (ko) 대면적 표시장치용 메탈마스크의 제조방법
US20110089042A1 (en) method of manufacturing a gas electron multiplier
JP6288399B1 (ja) 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
JP2013245392A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
US20180071764A1 (en) Mask and method of manufacturing mask assembly including the same
US10533246B2 (en) Deposition mask, method for manufacturing the same, and touch panel
JP6728733B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR100983716B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2019030801A1 (ja) 蒸着用マスク及び蒸着用マスクの製造方法
JP2004055231A (ja) 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けメタルマスク
US10665785B2 (en) Mask for deposition and method of manufacturing the same
TWM583556U (zh) 精細金屬遮罩
JP2007105972A (ja) 印刷用マスク
JP7125534B1 (ja) 印刷用メタルマスク
WO2016093139A1 (ja) メタルマスク、タッチパネル及びタッチパネルの製造方法
KR20120087675A (ko) 액정표시장치용 고정밀 인쇄판 및 그의 제조 방법
KR20100027444A (ko) 마스크와 그를 이용한 반도체 소자 제조 방법
KR20230077651A (ko) 증착 마스크와 그 제조 방법
CN116479375A (zh) 蒸镀掩模及其制造方法
TWI483298B (zh) 畫素結構的製造方法以及導體結構的製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant