KR100983716B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents
액정표시장치 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100983716B1 KR100983716B1 KR1020060134203A KR20060134203A KR100983716B1 KR 100983716 B1 KR100983716 B1 KR 100983716B1 KR 1020060134203 A KR1020060134203 A KR 1020060134203A KR 20060134203 A KR20060134203 A KR 20060134203A KR 100983716 B1 KR100983716 B1 KR 100983716B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- gate
- line
- pattern
- liquid crystal
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
Description
Claims (38)
- 화소부와 제 1 패드부 및 제 2 패드부로 구분되는 제 1 기판을 제공하는 단계;제 1 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판의 화소부에 제 1 도전막으로 이루어진 게이트전극과 게이트라인을 형성하며, 상기 제 1 패드부에 상기 제 1 도전막으로 이루어진 게이트패드라인을 형성하는 단계;상기 게이트전극과 게이트라인 및 게이트패드라인이 형성된 제 1 기판 위에 제 1 절연막, 비정질 실리콘 박막, n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 형성하는 단계;제 2 마스크공정을 통해 상기 제 1 절연막, 비정질 실리콘 박막, n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 게이트전극 상부에만 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 아일랜드 형태의 액티브패턴을 형성하며, 상기 게이트패드라인을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제 2 마스크공정을 통해 상기 액티브패턴 위에 각각 상기 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막으로 이루어진 n+ 비정질 실리콘 박막패턴 및 제 2 도전막패턴을 형성하는 단계;상기 액티브패턴이 형성된 제 1 기판 위에 제 3 도전막과 제 4 도전막을 형성하는 단계;제 3 마스크공정을 통해 상기 제 3 도전막과 제 4 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 기판의 화소부에 상기 제 4 도전막으로 이루어진 소오스전극과 드레인전극을 형성하며, 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인을 형성하는 단계;상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 화소영역에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 화소전극을 형성하며, 상기 화소전극 위에 상기 제 4 도전막으로 이루어지되 상기 화소전극과 동일한 형태로 화소전극패턴을 형성하는 단계;상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴과 제 2 도전막패턴을 선택적으로 제거하여 각각 상기 + 비정질 실리콘 박막과 제 2 도전막으로 이루어진 오믹-콘택층과 베리어메탈층을 형성하는 단계;제 4 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판 위에 제 2 절연막을 형성하는 단계;상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 화소전극패턴 상부의 상기 제 2 절연막을 선택적으로 제거하는 한편, 상기 화소전극패턴을 제거하여 상기 화소전극을 노출시키는 단계; 및상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 도전막은 투명한 도전물질로 형성하며, 상기 제 4 도전막은 저저항 불투명 도전물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 n+ 비정질 실리콘 박막패턴과 제 2 도전막패턴은 상기 액티브패턴과 동일한 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 도전막패턴은 몰리브덴과 같은 저저항 도전물질을 이용하여 50Å~100Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 제 2 항에 있어서, 상기 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인 하부에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며, 각각 상기 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인과 동일한 형태로 패터닝된 소오스전극패턴과 드레인전극패턴 및 데이터라인패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인과 평행한 방향으로 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인 위에 다수개 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 6 항에 있어서, 상기 베리어메탈층은 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 오믹-콘택층과 투명한 도전물질로 이루어진 상기 소오스·드레인전극패턴 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 삭제
- 제 6 항에 있어서, 상기 드레인전극패턴은 화소영역으로 연장되어 상기 화소전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판의 제 2 패드부에 데이터패드라인을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 3 마스크공정을 이용하여 형성하되, 상기 콘택홀을 통해 상기 게이트패드라인과 전기적으로 접속하는 게이트패드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 15 항에 있어서, 상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판의 제 2 패드부에 상기 데이터패드라인과 전기적으로 접속하는 데이터패드전극을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 16 항에 있어서, 상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 제 2 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 게이트패드전극을 노출시키는 오픈홀을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 오픈홀과 콘택홀은 서로 다른 위치에 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 오픈홀은 상기 콘택홀을 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 제 18 항에 있어서, 상기 콘택홀이 위치한 게이트패드전극과 게이트패드라인 사이에는 상기 제 1 절연막이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
- 화소부와 제 1 패드부 및 제 2 패드부로 구분되는 제 1 기판;상기 제 1 기판의 화소부에 형성되는 게이트전극과 게이트라인;상기 게이트전극과 게이트라인이 형성된 제 1 기판 위에 형성된 제 1 절연막;비정질 실리콘 박막으로 이루어지며, 상기 게이트전극 상부에만 상기 게이트전극보다 폭이 줄어든 아일랜드 형태로 형성된 액티브패턴;상기 액티브패턴의 소오스·드레인영역 위에 형성되며, 각각 n+ 비정질 실리콘 박막 및 저저항 도전물질로 이루어진 오믹-콘택층 및 베리어메탈층;상기 제 1 기판의 화소부에 형성되며, 상기 오믹-콘택층과 베리어메탈층을 통해 상기 액티브패턴의 소오스·드레인영역과 전기적으로 접속하는 소오스·드레인전극;상기 제 1 기판의 화소부에 형성되며, 상기 게이트라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터라인;상기 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인 하부에 형성되되, 투명한 도전물질로 이루어지며 각각 상기 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인과 동일한 형태로 패터닝된 소오스전극패턴과 드레인전극패턴 및 데이터라인패턴;상기 제 1 절연막 위에 형성되며, 상기 드레인전극과 전기적으로 접속하는 화소전극;상기 제 1 기판 위에 형성되며, 상기 화소영역의 화소전극을 노출시키는 제 2 절연막; 및상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 제 2 기판을 포함하며, 상기 베리어메탈층은 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 오믹-콘택층과 상기 투명한 도전물질로 이루어진 소오스·드레인전극패턴 사이의 접촉저항을 감소시키는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 게이트전극을 구성하는 제 1 도전막으로 형성되며, 상기 제 1 기판의 제 1 패드부에 형성된 게이트패드라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 베리어메탈층은 몰리브덴과 같은 저저항 도전물질로 이루어지며 50Å~100Å 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 삭제
- 제 23 항에 있어서, 상기 제 1 절연막이 선택적으로 제거되어 상기 게이트패드라인을 노출시키는 콘택홀을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인과 평행한 방향으로 길게 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인의 양측에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 26 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 게이트패드라인 위에 다수개 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 삭제
- 제 22 항에 있어서, 상기 드레인전극패턴은 화소영역으로 연장되어 상기 화소전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 22 항에 있어서, 상기 소오스전극과 드레인전극을 구성하는 제 2 도전막으로 형성되며, 상기 제 1 기판의 제 2 패드부에 형성된 데이터패드라인을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 27 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 소오스전극과 드레인전극을 구성하는 제 2 도전막으로 형성되며, 상기 콘택홀을 통해 상기 게이트패드라인과 전기적으로 접속하는 게이트패드전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 32 항에 있어서, 상기 소오스전극과 드레인전극을 구성하는 제 2 도전막으로 형성되되, 상기 제 1 기판의 제 2 패드부에 형성되어 상기 데이터패드라인과 전기적으로 접속하는 데이터패드전극을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 33 항에 있어서, 상기 제 2 절연막이 선택적으로 제거되어 상기 게이트패드전극을 노출시키는 오픈홀을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 오픈홀과 콘택홀은 서로 다른 위치에 형성되는 것 을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 오픈홀은 상기 콘택홀을 포함하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
- 제 35 항에 있어서, 상기 콘택홀이 위치한 게이트패드전극과 게이트패드라인 사이에는 상기 제 1 절연막이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020060134203A KR100983716B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-12-26 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
US11/819,122 US7911551B2 (en) | 2006-12-26 | 2007-06-25 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
EP07012586.9A EP1939674B1 (en) | 2006-12-26 | 2007-06-27 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
CN2007101268949A CN101211109B (zh) | 2006-12-26 | 2007-06-29 | 液晶显示器件及其制造方法 |
US13/053,047 US8283220B2 (en) | 2006-12-26 | 2011-03-21 | Liquid crystal display device and fabrication method thereof |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20060060902 | 2006-06-30 | ||
KR1020060060902 | 2006-06-30 | ||
KR1020060134203A KR100983716B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-12-26 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20080003187A KR20080003187A (ko) | 2008-01-07 |
KR100983716B1 true KR100983716B1 (ko) | 2010-09-24 |
Family
ID=39259687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060134203A KR100983716B1 (ko) | 2006-06-30 | 2006-12-26 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7911551B2 (ko) |
EP (1) | EP1939674B1 (ko) |
KR (1) | KR100983716B1 (ko) |
CN (1) | CN101211109B (ko) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100978266B1 (ko) | 2006-12-29 | 2010-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
CN101526707B (zh) | 2008-03-07 | 2011-10-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板制造方法 |
KR101701229B1 (ko) * | 2010-04-19 | 2017-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20130007053A (ko) * | 2011-06-28 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
TWI465817B (zh) * | 2011-11-23 | 2014-12-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
CN102738007B (zh) * | 2012-07-02 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法 |
CN103257495B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-11-25 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
KR102422035B1 (ko) * | 2015-12-01 | 2022-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5835177A (en) | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
KR100482167B1 (ko) | 1998-07-30 | 2005-07-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치및그제조방법 |
KR100799463B1 (ko) | 2001-03-21 | 2008-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
JP4943589B2 (ja) | 2001-04-26 | 2012-05-30 | ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー | 液晶表示装置の製造方法 |
KR100897487B1 (ko) | 2001-06-05 | 2009-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100858297B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2008-09-11 | 삼성전자주식회사 | 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법 |
KR100450701B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-10-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100878201B1 (ko) | 2002-03-21 | 2009-01-13 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 |
US7569153B2 (en) * | 2002-05-23 | 2009-08-04 | Lg Display Co., Ltd. | Fabrication method of liquid crystal display device |
KR100870700B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2008-11-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
KR100538328B1 (ko) | 2003-06-20 | 2005-12-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100938885B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2010-01-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치용 어레이기판과 제조방법 |
KR101003577B1 (ko) | 2003-12-29 | 2010-12-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마스크 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법 |
KR101031674B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2011-04-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시소자의 제조방법 및 이에 사용되는 회절마스크 |
KR100999271B1 (ko) | 2003-12-30 | 2010-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR20050105422A (ko) * | 2004-05-01 | 2005-11-04 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조 방법 |
KR101086477B1 (ko) * | 2004-05-27 | 2011-11-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 소자용 박막 트랜지스터 기판 제조 방법 |
KR101037085B1 (ko) * | 2004-06-05 | 2011-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반투과형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101085136B1 (ko) * | 2004-12-04 | 2011-11-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR101085142B1 (ko) * | 2004-12-24 | 2011-11-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 수평 전계 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
KR100654569B1 (ko) | 2004-12-30 | 2006-12-05 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 |
-
2006
- 2006-12-26 KR KR1020060134203A patent/KR100983716B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-06-25 US US11/819,122 patent/US7911551B2/en active Active
- 2007-06-27 EP EP07012586.9A patent/EP1939674B1/en active Active
- 2007-06-29 CN CN2007101268949A patent/CN101211109B/zh active Active
-
2011
- 2011-03-21 US US13/053,047 patent/US8283220B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7911551B2 (en) | 2011-03-22 |
KR20080003187A (ko) | 2008-01-07 |
EP1939674A3 (en) | 2009-12-30 |
US20110171793A1 (en) | 2011-07-14 |
EP1939674A2 (en) | 2008-07-02 |
CN101211109A (zh) | 2008-07-02 |
EP1939674B1 (en) | 2015-04-08 |
CN101211109B (zh) | 2011-11-23 |
US20080151136A1 (en) | 2008-06-26 |
US8283220B2 (en) | 2012-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100978266B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101345171B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100983716B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20070068918A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR100978264B1 (ko) | 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101483024B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20100069432A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20070060827A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101331812B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101333594B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101408257B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101622180B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20080057035A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101849572B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR20080057034A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101604271B1 (ko) | 횡전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101856209B1 (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
KR101278107B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20100010286A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101206286B1 (ko) | 액정표시장치의 제조방법 | |
KR20080056569A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR101266274B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20080060944A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20080062930A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20090020992A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130619 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150818 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160816 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170816 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 9 |