CN103132015A - 用于沉积的掩模及其制造方法 - Google Patents

用于沉积的掩模及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103132015A
CN103132015A CN201210387327XA CN201210387327A CN103132015A CN 103132015 A CN103132015 A CN 103132015A CN 201210387327X A CN201210387327X A CN 201210387327XA CN 201210387327 A CN201210387327 A CN 201210387327A CN 103132015 A CN103132015 A CN 103132015A
Authority
CN
China
Prior art keywords
main body
mask main
coating
deposition mas
deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210387327XA
Other languages
English (en)
Inventor
朱星中
许明洙
郑石源
张喆旼
李成用
赵喆来
韩仁爱
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN103132015A publication Critical patent/CN103132015A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4404—Coatings or surface treatment on the inside of the reaction chamber or on parts thereof
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C21/00—Accessories or implements for use in connection with applying liquids or other fluent materials to surfaces, not provided for in groups B05C1/00 - B05C19/00
    • B05C21/005—Masking devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C23F1/04—Chemical milling
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/22—Heat treatment; Thermal decomposition; Chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

沉积掩模包括沉积掩模主体和涂层。掩模主体包括穿透掩模主体的多个狭缝。涂层涂覆于所述掩模主体的整个表面上。涂层由与掩模主体的材料不同的材料制成，并且其磁力强于掩模主体的磁力。狭缝中的每一个均具有开口区，并且涂层的厚度控制开口区的宽度。光刻处理被用来形成多个狭缝。

Description

用于沉积的掩模及其制造方法
技术领域
本发明涉及沉积掩模以及制造沉积掩模的方法。更具体地，本发明涉及用于对有机发光二极管（OLED）显示器的有机层进行沉积的沉积掩模以及制造该沉积掩模的方法。
背景技术
通常，有机材料沉积装置可通过在真空状态下向有机材料施加电流而在衬底上以层的形式沉积有机材料。有机材料沉积装置可包括沉积掩模，以在衬底上形成有机层的期望图案。当在大尺寸衬底上沉积有机材料时，可使用精细金属掩模（FMM）作为沉积掩模。由于FMM是具有高耐久度和强度的高精确度金属掩模，故可在大尺寸衬底上以期望的图案沉积有机材料。
FMM可以是用于在大尺寸衬底上以高精确度图案沉积有机材料的沉积掩模。
使用FMM，能够同时在衬底上形成有机材料的多个期望的高精确度图案。这种FMM可包括多个方形狭缝或多个条形狭缝，这些狭缝允许有机材料穿过FMM，从而以期望的图案沉积有机材料。
背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明的背景技术的理解，因此其可以包括不构成在本国已经为本领域技术人员所知的现有技术的信息。
发明内容
本发明已经被开发并试图提供沉积掩模及其制造方法，所述沉积掩模及其制造方法优点在于制造具有狭缝的沉积掩模，其中每个狭缝具有精细地控制的尺寸。
本发明的示例性实施方式提供了一种沉积掩模，该沉积掩模可包括掩模主体和涂层。掩模主体可包括穿透该掩模主体的多个狭缝。涂层可通过原子层沉积（ALD）涂覆于掩模主体的整个表面上。
涂层可由与掩模主体的材料不同的材料制成。
掩模主体可以是磁性物质。
涂层的磁力可强于所述掩模主体的磁力。
涂层可由氧化物制成。
狭缝可具有开口区，并且涂层的厚度可控制开口区的宽度。
本发明的另一个示例性实施方式提供了一种制造沉积掩模的方法。该方法可包括：在掩模主体处形成多个狭缝，以穿透所述掩模主体；以及通过原子层沉积（ALD），在掩模主体的整个表面上形成涂层。
形成多个狭缝的步骤可使用光刻处理执行。
在形成涂层的步骤中，可控制涂层的厚度，以控制每个狭缝的开口区的宽度。
本发明的实施方式提供了包括狭缝的沉积掩模以及用于制造该掩模的方法，其中，所述狭缝具有精细控制的尺寸。
附图说明
在结合附图进行考虑时，通过参照下面的详细描述，本发明的更加完整的领会及其许多附加优点得到更好的理解并且将变得更加显而易见，其中相同的参考标号指示相同或相似的组件，其中：
图1示出包括根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模的有机材料沉积装置；
图2是示出图1的沉积掩模和框架的立体图；
图3是沉积掩模沿图2的线III-III截取的截面图；
图4是示出根据本发明的第二示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的流程图；
图5是用于描述根据本发明的第二示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的截面图；
图6是用于描述根据本发明的第三示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的截面图；
图7是用于描述根据本发明的第四示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的截面图；以及
图8是示出根据本发明的第五示例性实施方式的沉积掩模的截面图。
具体实施方式
在下面的详细描述中，仅通过图示简单地示出和描述了本发明的某些示例性实施方式。本领域技术人员将了解，在不背离本发明的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式对所述实施方式进行修改。
因此，附图和描述本质上被认为是示意性而非限制性的。在说明书中，相同的参考标号指代相同元件。
在附图中，各元件的尺寸和厚度被近似地示出以使描述得到更好的理解。因此，本发明不限于附图。
在附图中，层、膜、面板、区域等的厚度为了清楚而被放大。在附图中，各元件的尺寸和厚度被放大以使描述得到更好的理解。应理解，当元件诸如层、膜、区域或衬底被称为位于另一个元件“上”时，其能够直接位于另一个元件上，或者也可存在中间元件。
此外，除非另有说明，词语“包括”及其变体，诸如“包含”或“包含有”，将被理解为包括所述元件，但是不排除其它元件。应当理解，当一个元件诸如层、膜、区域或衬底称作位于另一元件“之上”时，该一个元件可以位于该另一元件之上或之下。元件可能不在重力方向上位于另一个元件上。
在下文中，将参照图1至图3对根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模进行描述。
图1示出包括根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模的有机材料沉积装置。
如图1所示，有机材料沉积装置可用于形成有机发光二极管（OLED）显示器的有机层。有机材料沉积装置可包括真空腔30、安装在真空腔30中的有机材料沉积坩埚20、置于有机材料沉积坩埚20之上的框架10、由框架10支撑的沉积掩模100、以及置于沉积掩模100之上的磁性阵列40。框架10可包括开口11。可使用如下有机材料沉积装置在衬底S上沉积有机层。衬底S置于沉积掩模100上。可在衬底S上设置磁性阵列40，以使沉积掩模100紧贴至衬底S。随后，激活有机材料沉积坩埚20。因此，可使有机材料沉积坩埚20中所包含的有机材料蒸发。被蒸发的有机材料可穿过框架10的开口11和沉积掩模100的狭缝。随后，被蒸发的有机材料可在衬底S上沉积为具有预定图案的有机层。
图2是示出图1的沉积掩模和框架的立体图。
如图2所示，沉积掩模100可包括多个狭缝111。多个沉积掩模100中的每一个均可由具有开口11的框架10支撑。沉积掩模100可延伸至框架10并可焊接至框架10。
图3是沉积掩模沿图2的线III-III截取的截面图。
如图3所示，沉积掩模100可包括掩模主体110和涂层120。
掩模主体110可包括多个狭缝111。多个狭缝111可穿透掩模主体110。有机材料可穿过狭缝111并且可在图1的衬底S上沉积为有机层。掩模主体110可由具有高耐久度和强度的金属制成。掩模主体110可以是磁性物质，但本发明不限于此。掩模主体110可包括各种类型的金属，包括镍（Ni）、殷钢、以及铝（Al）。狭缝111可具有开口区（OA）。
涂层120可涂覆在掩模主体110的整个表面上。涂层120可通过原子层沉积（ALD）形成。由于原子层沉积（ALD）的特性，涂层120可包括各种类型的材料。涂层120可稳定地涂覆在掩模主体110上而不用在意掩模主体110的材料。涂层120可由与掩模主体110的材料不同的材料制成。例如，涂层120可由铁（Fe）或铁氧体制成。涂层120的磁力可强于掩模主体110的磁力。由于涂覆于掩模主体110的整个表面上的涂层120的磁力强于掩模主体110，故可通过磁性阵列40使沉积掩模100紧贴至衬底S而不用在意掩模主体110的材料。磁性阵列40可置于衬底S上，以使沉积掩模100紧贴在衬底S上。
可通过多次执行原子层沉积（ALD）来形成涂层120。可通过执行原子层沉积的次数来控制涂层120的厚度D。通过控制涂层120的厚度D，可控制狭缝111的开口区（OA）的宽度。因此，可精细地控制沉积掩模100的狭缝111的尺寸。
如上所述，可通过控制涂层120的厚度D来控制沉积掩模100的狭缝111的开口区OA的宽度W。由于涂层120的厚度D可由原子层的厚度单位控制，故狭缝111的开口区OA的宽度W可按纳米单位控制。因此，根据本发明的一个实施方式，可在衬底S上沉积具有纳米单位图案的有机层。因此，可形成高分辨率有机发光二极管（OLED）显示器。
如上所述，根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模100可包括掩模主体110和涂覆在掩模主体110的整个表面上的涂层120。因此，可通过图1的磁性阵列40使根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模100紧贴至图1的衬底S而不用在意掩模主体110的材料，这是因为涂层120的磁力可强于掩模主体110的磁力。
此外，可通过多次执行原子层沉积来涂覆根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模100的涂层120，并且可由执行原子层沉积的次数来控制涂层120的厚度D。由于可根据涂层120的厚度D来控制狭缝111的开口区（OA）的宽度W，故可由纳米单位控制狭缝111的开口区OA的宽度W。因此，通过在衬底S上沉积具有纳米单位图案的有机层，可形成高分辨率有机发光二极管（OLED）显示器。
根据本发明的第一实施方式，在掩模主体110延伸至图2的框架10并焊接至框架10之后，可形成涂层120。由于延伸和焊接，狭缝111可能会变形。即使狭缝111变形，也能够通过控制涂层120的厚度D来控制狭缝111的开口区OA的宽度W。
此外，根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模100可包括由与掩模主体110的材料不同的材料制成的涂层120。例如，可使用能够由预定蚀刻溶液蚀刻的材料形成涂层120，并且可使用不能由该预定蚀刻溶液蚀刻的材料形成掩模主体110。在这种情况下，在有机材料沉积处理之后，可使用预定蚀刻溶液通过干法蚀刻从掩模主体110上移除涂层120。因此，可对沉积掩模100进行清洁。在清洁之后，可重新使用掩模主体110。因此，可降低总的制造成本和时间。
此外，根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模100可包括由与掩模主体110的材料不同的材料制成的涂层120。可使用对穿过狭缝111的有机材料具有较少化学吸引的材料形成涂层120。在这种情况下，涂层120可使被沉积掩模100吸收的有机材料最小化。
在下文中，将参照图4和图5描述根据本发明的第二示例性实施方式的制造沉积掩模的方法。根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模可使用根据本发明的第二示例性实施方式的制造方法来制造。
图4是示出根据本发明的第二示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的流程图，图5是用于描述根据本发明的第二示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的截面图。
参照图4和图5，在步骤S100中，可在掩模主体110处形成多个狭缝111（图3）。狭缝111可被形成为穿透掩模主体110。
具体地，可执行光刻处理，以在掩模主体110处形成多个狭缝111。
在下文中，将描述使用光刻处理在掩模主体110处形成多个狭缝111的过程。
如图5的（a）所示，可在掩模主体110的顶面上形成第一光刻胶层PR1，并且可在掩模主体110的底面上形成第二光刻胶层PR2。可使用光掩模使第一光刻胶层PR1和第二光刻胶层PR2顺序地曝光和显影。因此，可在掩模主体110的顶面上形成第一光刻胶图案PR1，并且可在掩模主体110的底面上形成第二光刻胶图案PR2。
如图5的（b）所示，通过使用第一光刻胶图案PR1和第二光刻胶图案PR2作为掩模通过干法蚀刻对掩模主体110进行蚀刻，可形成具有开口区OA的狭缝111，开口区OA具有第一宽度W1。
如图5的（c）所示，可使用剥离处理或灰化处理，从掩模主体110上移除第一光刻胶图案PR1和第二光刻胶图案PR2。
随后，在图4的步骤S200中，可使用原子层沉积方法将涂层120涂覆在掩模主体110的整个表面上。
具体地，如图5的（d）所示，可使用原子层沉积以控制涂层120的厚度D，从而将涂层120涂覆在掩模主体110的整个表面上。通过控制涂层120的厚度D，可以控制掩模主体110的狭缝111的开口区OA的第一宽度W1，以形成第二宽度W2。因此，通过以纳米单位控制开口区OA的第一宽度W1，沉积掩模100的狭缝111的开口区OA可具有第二宽度W2。
在下文中，将参照图6描述根据本发明的第三示例性实施方式的制造沉积掩模的方法。可使用根据本发明的第三示例性实施方式的制造方法制造根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模。
图6是描述根据本发明的第三示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的剖视图。
如图6的（a）所示，可在掩模主体110的顶面上形成第三光刻胶层PR3，并且可在掩模主体110的底面上形成第四光刻胶层PR4。可使用光掩模分别使第三光刻胶层PR3和第四光刻胶层PR4顺序地曝光和显影。因此，可在掩模主体110的顶面上形成第三光刻胶图案PR3，并且可在掩模主体110的底面上形成第四光刻胶图案PR4。
如图6的（b）所示，可使用第三光刻胶图案PR3和第四光刻胶图案PR4作为掩模通过干法蚀刻对掩模主体110的一部分进行蚀刻。
如图6的（c）所示，可形成蚀刻停止层ES，以填充掩模主体的上部，在掩模主体的该上部，通过干法蚀刻对掩模主体110的一部分进行蚀刻。
如图6的（d）所示，可使用第四光刻胶图案PR4作为掩模通过干法蚀刻对掩模主体110的底侧进行蚀刻。如图6的（e）所示，可从掩模主体110上移除蚀刻停止层ES。可通过执行剥离处理或灰化处理，从掩模主体110上分别移除第三和第四光刻胶图案PR3和PR4。因此，可形成具有开口区OA的狭缝111，开口区OA具有第三宽度W3。
如图6的（f）所示，可使用原子层沉积以控制涂层120的厚度D，从而将涂层120涂覆在掩模主体110的整个表面上。通过控制涂层120的厚度D，可以控制狭缝111的开口区OA的第三宽度W3，以形成第四宽度W4。因此，通过以纳米单位控制开口区OA的第三宽度W3，沉积掩模103的狭缝111的开口区OA可具有第四宽度W4。
在下文中，将参照图7描述根据本发明的第四示例性实施方式的制造沉积掩模的方法。可使用根据本发明的第四示例性实施方式的制造方法制造根据本发明的第一示例性实施方式的沉积掩模。
图7是描述根据本发明的第四示例性实施方式的制造沉积掩模的方法的剖视图。
如图7的（a）所示，可在金属板SS的顶面上形成第五光刻胶层PL5。
如图7的（b）所示，可使用光掩模使第五光刻胶层PL5曝光和显影。因此，可在金属板SS的顶面上形成第五光刻胶图案PR5。第五光刻胶图案PR5可为锥形。
如图7的（c）所示，可使用电镀处理在金属板SS的顶面处形成掩模主体110。
如图7的（d）所示，可使用剥离处理或灰化处理从金属板SS上移除第五光刻胶图案PR5。如图7的（e）所示，可使用干法蚀刻从掩模主体110上移除金属板SS。因此，可形成具有开口区OA的狭缝111，开口区OA具有第五宽度W5。
如图7的（f）所示，可通过原子层沉积以控制涂层120的厚度D，从而将涂层120涂覆在掩模主体110的整个表面上。通过控制涂层120的厚度D，可以控制掩模主体110的狭缝111的开口区OA的第五宽度W5，以形成第六宽度W6。因此，通过以纳米单位控制第五宽度W5，沉积掩模104的狭缝111的开口区OA可具有第六宽度W6。
在下文中，将参照图8描述根据本发明的第五示例性实施方式的沉积掩模。
与根据第一实施方式的沉积掩模相比，将仅对根据第五实施方式的沉积掩模的有区别的元件进行描述。由于根据第五实施方式的沉积掩模的其余元件具有类似结构，故文中将省略对它们的详细描述。为了使描述得到更好的理解，第一实施方式与第五实施方式之间相同的组成元件将使用相同的参考标号进行描述。
图8是示出根据本发明的第五示例性实施方式的沉积掩模的截面图。
如图8所示，根据本发明的第五示例性实施方式的沉积掩模105可包括掩模主体110和涂层125。
涂层125可由氧化物制成，例如，氧化铝（Al2O3）、氮的氧化物（NOX）、以及硅的氧化物（SiOX）。
如上所述，根据本发明的第五示例性实施方式的沉积掩模105可包括由氧化物制成的涂层125。因此，即使沉积掩模105被用于溅射处理或化学气相沉积处理，涂层125也可防止掩模主体110受到溅射处理或化学气相沉积处理中所使用的等离子体或反应气体的破坏。因此，涂层125可使在沉积处理期间产生于掩模主体110处的破坏最小化。
虽然本发明已经结合目前被认为是实用的示例性实施方式进行描述，但应理解，本发明不限于所公开的实施方式，相反，本发明旨在覆盖包含在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种沉积掩模，包括：
掩模主体，包括穿透所述掩模主体的多个狭缝；以及
涂层，通过原子层沉积涂覆于所述掩模主体的整个表面上。
2.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层由与所述掩模主体的材料不同的材料制成。
3.如权利要求2所述的沉积掩模，其中所述掩模主体是磁性物质。
4.如权利要求3所述的沉积掩模，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
5.如权利要求3所述的沉积掩模，其中所述涂层由氧化物制成。
6.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述掩模主体是磁性物质。
7.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
8.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述涂层由氧化物制成。
9.如权利要求1所述的沉积掩模，其中所述多个狭缝中的每一个均具有开口区，并且所述涂层的厚度控制所述开口区的宽度。
10.一种制造沉积掩模的方法，包括以下步骤：
在掩模主体处形成多个狭缝，以穿透所述掩模主体；以及
通过原子层沉积，在所述掩模主体的整个表面上形成涂层。
11.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中使用光刻处理执行形成多个狭缝的步骤。
12.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中形成涂层的步骤包括控制所述涂层的厚度，以控制所述多个狭缝中的每个的开口区的宽度。
13.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由与所述掩模主体的材料不同的材料制成。
14.如权利要求13所述的制造沉积掩模的方法，其中所述掩模主体是磁性物质。
15.如权利要求14所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
16.如权利要求14所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由氧化物制成。
17.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述掩模主体是磁性物质。
18.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层的磁力强于所述掩模主体的磁力。
19.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述涂层由氧化物制成。
20.如权利要求10所述的制造沉积掩模的方法，其中所述多个狭缝中的每一个均具有开口区，并且所述涂层的厚度控制所述开口区的宽度。
CN201210387327XA 2011-11-24 2012-10-12 用于沉积的掩模及其制造方法 Pending CN103132015A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110123720A KR20130057794A (ko) 2011-11-24 2011-11-24 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법
KR10-2011-0123720 2011-11-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103132015A true CN103132015A (zh) 2013-06-05

Family

ID=48465634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210387327XA Pending CN103132015A (zh) 2011-11-24 2012-10-12 用于沉积的掩模及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20130133573A1 (zh)
JP (2) JP2013112895A (zh)
KR (1) KR20130057794A (zh)
CN (1) CN103132015A (zh)
TW (1) TWI623631B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105695935A (zh) * 2014-12-11 2016-06-22 三星显示有限公司 有机层沉积组件、沉积装置及有机发光显示装置制造方法
CN107208251A (zh) * 2015-02-10 2017-09-26 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模
CN108690951A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 乐金显示有限公司 沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备
CN111139450A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101813549B1 (ko) * 2011-05-06 2018-01-02 삼성디스플레이 주식회사 분할 마스크와 그 분할 마스크를 포함한 마스크 프레임 조립체의 조립장치
JP5614665B2 (ja) * 2013-01-08 2014-10-29 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
KR102090198B1 (ko) 2013-03-29 2020-03-18 삼성디스플레이 주식회사 파인 메탈 마스크 및 그 제조 방법
CN103938154B (zh) 2013-06-21 2017-04-19 厦门天马微电子有限公司 一种掩膜板及其制造方法
CN104062842B (zh) * 2014-06-30 2019-02-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种掩模板及其制造方法、工艺装置
KR102269136B1 (ko) 2014-11-24 2021-06-25 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크와, 이를 제조하는 방법
KR101578871B1 (ko) * 2015-04-10 2015-12-21 전기택 코팅 장치
WO2016186386A1 (ko) * 2015-05-15 2016-11-24 주식회사 다원시스 유기막 증착 장치와, 방법 및 유기막 장치
KR102399569B1 (ko) 2015-10-28 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 마스크 어셈블리, 표시 장치의 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR102549358B1 (ko) * 2015-11-02 2023-06-29 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 조립체 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법
KR102367939B1 (ko) * 2016-05-24 2022-02-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 내플라즈마성 코팅을 갖는 섀도우 마스크
WO2018025835A1 (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
EP4231330A1 (en) 2016-09-13 2023-08-23 Lg Innotek Co., Ltd. A deposition mask for manufacturing an organic light emitting diode (oled) panel
KR20180034771A (ko) * 2016-09-27 2018-04-05 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 포함하는 증착 장치, 및 마스크 조립체의 제조방법
KR101889165B1 (ko) * 2016-11-14 2018-09-21 주식회사 포스코 증착용 마스크 제조방법, 이에 의해 제조된 증착용 마스크 및 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법
KR102238745B1 (ko) * 2017-04-28 2021-04-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Oled 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치
TWI612162B (zh) * 2017-08-25 2018-01-21 友達光電股份有限公司 鍍膜設備
KR102180070B1 (ko) 2017-10-31 2020-11-17 엘지디스플레이 주식회사 초미세 패턴 증착장치, 이를 이용한 초미세 패턴 증착방법 그리고 초미세 패턴 증착방법에 의해 제작된 전계발광표시장치
CN107680497B (zh) * 2017-11-03 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 显示基板的制造方法、显示基板、显示面板和显示装置
TWI708414B (zh) * 2018-06-01 2020-10-21 京畿大學校産學協力團 用於製造有機發光二極體面板的精細金屬遮罩
US11773477B2 (en) * 2018-12-25 2023-10-03 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask
JP2021080567A (ja) * 2021-01-28 2021-05-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 耐プラズマコーティングを有するシャドウマスク

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268068A (en) * 1992-12-08 1993-12-07 International Business Machines Corporation High aspect ratio molybdenum composite mask method
JPH09272976A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Nec Corp 真空蒸着装置
US20020058400A1 (en) * 2000-10-31 2002-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing the same
JP2003309052A (ja) * 2002-02-14 2003-10-31 Pd Service:Kk ステンシルマスク
CN1522098A (zh) * 2002-12-03 2004-08-18 精工爱普生株式会社 掩模蒸镀方法及装置、掩模及其制造方法、显示板制造装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07209856A (ja) * 1994-01-25 1995-08-11 Sanyo Electric Co Ltd ステンシルマスク及びその製造方法
US5744214A (en) * 1997-01-30 1998-04-28 International Business Machines Corporation Corrosion resistant molybdenum mask
US6821561B2 (en) * 2002-03-26 2004-11-23 Analog Devices, Inc. Method for thin film deposition matching rate of expansion of shadow mask to rate of expansion of substrate
KR100813832B1 (ko) * 2002-05-31 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 증착용 마스크 프레임 조립체와 이의 제조방법
JP4173722B2 (ja) * 2002-11-29 2008-10-29 三星エスディアイ株式会社 蒸着マスク、これを利用した有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP4708735B2 (ja) * 2004-05-31 2011-06-22 キヤノン株式会社 マスク構造体の製造方法
JP2006233286A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成装置、パターン形成方法
US7436114B2 (en) * 2005-06-03 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device including a first workpiece, a second workpiece, and a conductive member substantially directly bonded to the first and second workpieces
US7402883B2 (en) * 2006-04-25 2008-07-22 International Business Machines Corporation, Inc. Back end of the line structures with liner and noble metal layer
US20080016684A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-24 General Electric Company Corrosion resistant wafer processing apparatus and method for making thereof
KR101330488B1 (ko) * 2006-12-08 2013-11-15 엘지디스플레이 주식회사 쉐도우 마스크 및 그의 제조 방법
JP2008157686A (ja) * 2006-12-21 2008-07-10 Tdk Corp 導電性探針及び磁性探針の製造方法
JP2010209441A (ja) * 2009-03-12 2010-09-24 Seiko Epson Corp 成膜用マスク、有機ｅｌ装置の製造装置
KR101174875B1 (ko) * 2010-01-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5268068A (en) * 1992-12-08 1993-12-07 International Business Machines Corporation High aspect ratio molybdenum composite mask method
JPH09272976A (ja) * 1996-04-05 1997-10-21 Nec Corp 真空蒸着装置
US20020058400A1 (en) * 2000-10-31 2002-05-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing a semiconductor device, stencil mask and method for manufacturing the same
JP2003309052A (ja) * 2002-02-14 2003-10-31 Pd Service:Kk ステンシルマスク
CN1522098A (zh) * 2002-12-03 2004-08-18 精工爱普生株式会社 掩模蒸镀方法及装置、掩模及其制造方法、显示板制造装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105695935A (zh) * 2014-12-11 2016-06-22 三星显示有限公司 有机层沉积组件、沉积装置及有机发光显示装置制造方法
CN105695935B (zh) * 2014-12-11 2019-08-30 三星显示有限公司 有机层沉积组件、沉积装置及有机发光显示装置制造方法
CN107208251A (zh) * 2015-02-10 2017-09-26 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模
CN108690951A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 乐金显示有限公司 沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备
CN108690951B (zh) * 2017-03-31 2020-07-24 乐金显示有限公司 沉积掩模和使用该沉积掩模的沉积设备
CN111139450A (zh) * 2020-01-02 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法
CN111139450B (zh) * 2020-01-02 2021-11-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版组件及掩膜版组件的制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130133573A1 (en) 2013-05-30
TWI623631B (zh) 2018-05-11
KR20130057794A (ko) 2013-06-03
JP2013112895A (ja) 2013-06-10
TW201329258A (zh) 2013-07-16
JP2016204756A (ja) 2016-12-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103132015A (zh) 用于沉积的掩模及其制造方法
US20210207258A1 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
US20180171470A1 (en) Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
JP6725890B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、パターンの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
JP6688478B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
US7976633B2 (en) Device and method of forming film
JP2010189756A (ja) 蒸着装置用マスク密着手段及びそれを用いた蒸着装置
TW202035281A (zh) 形成cnt-bnnt奈米複合薄層之方法
CN107858642B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN101210307B (zh) 掩模装置、其制造方法以及制造有机发光显示装置的方法
TW201942388A (zh) 有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
JP2013245392A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN111378995B (zh) 掩模及其制造方法
JP2014130715A (ja) 位相板の製造方法および位相板
Junige et al. Area-selective atomic layer deposition of Ru on electron-beam-written Pt (C) patterns versus SiO2 substratum
KR20080000432A (ko) 섀도우 마스크 및 그를 포함하는 증착 장치와 그 증착장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법
KR20120009326A (ko) 3차원 그래핀 패턴 형성방법
JP2013173968A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN111812941B (zh) 一种高精度硅物理掩膜版及其制作方法
KR102075064B1 (ko) 돌출전극부가 배열된 다중배열전극 및 이를 제조하는 방법
JP2012017511A (ja) 成膜基板ホルダ及び成膜装置
US20220195578A1 (en) Mask assembly and method of manufacturing the same
US20170205706A1 (en) A Suspended Structure Made of Inorganic Materials and a Method for Manufacturing Same
Reig et al. Microfabrication techniques
JP6315140B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20130605