WO2018025835A1 - 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 - Google Patents

蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法 Download PDF

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WO2018025835A1
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mask
region
hole
vapor deposition
step high
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剛広 西
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凸版印刷株式会社
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Definitions

  • the present invention relates to a metal mask for vapor deposition, a method for producing a metal mask for vapor deposition, and a method for producing a display device.
  • the metal mask for vapor deposition has a front surface and a back surface, the back surface is a surface in contact with a deposition target such as a substrate, and the front surface is a surface opposite to the back surface.
  • the mask hole penetrating from the front surface to the back surface includes a large hole including a large opening that is an opening on the front surface and a small hole including a small opening that is an opening on the back surface.
  • the inner peripheral surface that defines the mask hole has a shape protruding inside the mask hole at the connection portion between the large hole and the small hole.
  • the vapor deposition material passes through the mask hole from the large opening toward the small opening and is deposited on the vapor deposition target. Thereby, the vapor deposition pattern according to the position and shape of a small opening is formed in vapor deposition object (for example, refer patent document 1).
  • one vapor deposition source is used for a plurality of mask holes.
  • the vapor deposition apparatus includes one vapor deposition source, and the metal mask for vapor deposition is arranged so that the mask hole located in the center of the plurality of mask holes and one vapor deposition source face each other.
  • the vapor deposition apparatus includes a plurality of vapor deposition sources, and is used for vapor deposition so that a mask hole located in the center among different mask hole groups included in one mask region and one vapor deposition source face each other. A metal mask is placed.
  • the vapor deposition apparatus includes a plurality of vapor deposition sources, and the mask hole located in the center of the plurality of mask holes included in one mask region and the one vapor deposition source are opposed to each other, and the other
  • the metal mask for vapor deposition is arranged so that the mask hole located in the center of the plurality of mask holes included in one mask region and the other one vapor deposition source face each other.
  • the direction from one vapor deposition source toward the mask hole located in the center and the direction from one vapor deposition source toward the other mask hole are different from each other.
  • the amount of the vapor deposition material released from the vapor deposition source is usually the largest at the position facing the vapor deposition source, and varies within the range of the above-described direction. For this reason, the amount of the vapor deposition material passing through the mask hole varies in the metal mask for vapor deposition, and accordingly, the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole varies in the metal mask for vapor deposition.
  • the present invention relates to a metal mask for vapor deposition, a method for manufacturing a metal mask for vapor deposition, and a display device capable of improving uniformity of film thickness in a vapor deposition pattern formed for each mask hole in the metal mask for vapor deposition It aims at providing the manufacturing method of.
  • the metal mask for vapor deposition for solving the above-described problems includes a mask region including a plurality of mask holes.
  • the mask region includes a central region and an end region, the central region includes a center of the mask region, and includes a plurality of the mask holes for facing a deposition source, and the end region is It includes a plurality of mask holes that are located closer to the end of the mask region than the central region and are different from the mask holes included in the central region.
  • the mask region includes a surface including a large opening of each mask hole and a back surface including a small opening of each mask hole.
  • Each mask hole includes the large opening and includes a large hole having a shape tapered toward the small opening; and the small hole including the small opening and having a shape tapered toward the large opening; A connecting portion connecting the large hole and the small hole;
  • Each of the connection portions located outside the center of the mask region has a shape protruding toward the inside of the mask hole over the entire circumference of the mask hole, and is a portion closer to the center of the mask region.
  • a second portion which is a portion near the end of the mask region.
  • a distance between the first portion and the back surface is a first step high, and the first step high in the end region is smaller than the first step high in the central region.
  • a method for manufacturing a metal mask for vapor deposition for solving the above-described problem is a method for manufacturing a metal mask for vapor deposition including a mask region including a plurality of mask holes.
  • the mask region includes a central region and an end region, the central region includes a center of the mask region, and includes a plurality of the mask holes for facing a deposition source, and the end region is It includes a plurality of mask holes that are located closer to the end of the mask region than the central region and are different from the mask holes included in the central region.
  • the manufacturing method is a small hole unique to each mask hole from the back surface to the front surface of the metal mask base material, and includes a small opening that opens to the back surface and a shape that tapers toward the front surface.
  • Forming the large hole having a shape tapered toward the back surface, thereby forming a connection portion connecting the small hole and the large hole.
  • Forming the connecting portion has a shape protruding toward the inside of the mask hole over the entire circumference of the mask hole, and a first portion that is a portion closer to the center of the mask region, and the mask region Forming each of the connection portions composed of the second portion, which is a portion near the end of the mask region, other than the center of the mask region.
  • the distance between the first portion and the back surface is a first step high, and the first step high of the connection portion formed in the end region is the connection portion formed in the central region. Is smaller than the first step high.
  • a manufacturing method of a display device for solving the above-mentioned problem is a metal mask for vapor deposition including a mask region including a plurality of mask holes, and the mask region includes a central region and an end region, and the central region Includes a center of the mask region and includes a plurality of the mask holes for facing the vapor deposition source, the end region being located closer to the end of the mask region than the center region, and Forming the metal mask for vapor deposition that includes a plurality of the mask holes different from the mask holes included in the central region, and using the metal mask for vapor deposition to deposit a vapor deposition pattern for each mask hole Forming a display device.
  • Forming the metal mask for vapor deposition is a small hole unique to each mask hole from the back surface to the front surface of the metal mask base material, and includes a small opening that opens on the back surface and on the front surface.
  • Forming the connecting portion has a shape protruding toward the inside of the mask hole over the entire circumference of the mask hole, and a first portion that is a portion closer to the center of the mask region, and the mask region Forming each of the connection portions constituted by the second portion which is a portion closer to the end portion of the mask region other than the center of the mask region.
  • the distance between the first portion and the back surface is a first step high, and the first step high of the connection portion formed in the end region is the connection portion formed in the central region. Is smaller than the first step high.
  • the center in the metal mask for vapor deposition, whether one mask region and one vapor deposition source are opposed to each other, or if another vapor deposition source is opposed to a plurality of mask regions, the center
  • the first portion of the mask hole included in the region suppresses the vapor deposition material from passing through the first portion of the mask hole included in the end region. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole can be improved in the vapor deposition metal mask.
  • one mask region is constituted by all of the plurality of mask holes provided in the metal mask for vapor deposition, and the mask region includes a central region and an end region,
  • the partial region includes an end of the mask region and a plurality of the mask holes, and the central region is located closer to the center of the mask region than the end region, and is included in the end region.
  • the mask hole is different from the mask hole and includes a plurality of the mask holes for facing the vapor deposition source.
  • the mask region includes a surface including a large opening of each mask hole and a back surface including a small opening of each mask hole.
  • Each mask hole includes the large opening and includes a large hole having a shape tapered toward the small opening; and the small hole including the small opening and having a shape tapered toward the large opening; A connecting portion connecting the large hole and the small hole;
  • Each of the connection portions located outside the center of the mask region has a shape protruding toward the inside of the mask hole over the entire circumference of the mask hole, and is a portion closer to the center of the mask region.
  • a second portion which is a portion near the end of the mask region.
  • a distance between the first portion and the back surface is a first step high, and the first step high in the end region is smaller than the first step high in the central region.
  • the first step high in the end region including the end of the mask region is smaller than the step high in the central region regardless of one or a plurality of vapor deposition sources facing the mask region.
  • the first portion of the mask hole included in the central region suppresses the vapor deposition material from passing through the first portion of the mask hole included in the end region. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole can be improved in the metal mask for vapor deposition.
  • a distance between the second portion and the back surface is a second step high, and in each mask hole, the second step high is not less than the first step high. Also good.
  • the strength of the metal mask for vapor deposition is suppressed from being lowered because the second step high is equal to or higher than the first step high.
  • an inner peripheral surface of the large hole in a cross section orthogonal to the surface may have an arc shape
  • an inner peripheral surface of the small hole in the cross section may have an arc shape.
  • the normal passing through the center of the large opening is a large hole normal
  • the normal passing through the center of the small opening is a small hole normal
  • the large hole normal belonging to the mask hole is at the same position as the small hole normal belonging to the same mask hole, or closer to the center of the mask region than the small hole normal belonging to the same mask hole.
  • the distance between the large hole normal line and the small hole normal line that are located and belong to the same mask hole is the inter-normal distance.
  • the distance between the normals in the end region may be larger than the distance between the normals in the central region.
  • the first step high in the end region can be made smaller than the first step high in the central region only by changing the position of the large hole with respect to the small hole. Easy to design.
  • the metal mask for vapor deposition includes a plurality of the end regions, and the end regions are arranged along a direction in which the mask holes are arranged, and in the plurality of end regions, The greater the distance from the central region, the greater the distance between the normals in the end region.
  • the metal mask for vapor deposition includes a plurality of the end regions, and the end regions are arranged along a direction in which the mask holes are arranged, and in the plurality of end regions,
  • the first step height in the end region may be smaller as the end region has a greater distance from the central region.
  • region contains is smaller than the mask hole which the edge part area
  • the distance between the second portion and the back surface is a second step high, and in the plurality of end regions, the end region having a larger distance from the central region, The second step height in the end region may be large.
  • the second step height increases as the end region has a greater distance from the central region, the decrease in strength in each end region due to the decrease in the first step high is caused by the second step high. Can be supplemented.
  • the end region may be a region including the end portion of the mask region.
  • the end region includes the end where the vapor deposition material released from the evaporation source is most difficult to reach in one mask region
  • the first step high in the end region is performed in the central region. It is easy to obtain the effect obtained by making it smaller than the first step high.
  • the uniformity of the film thickness in the vapor deposition pattern formed for each mask hole can be improved.
  • the top view which shows the planar structure of the metal mask for vapor deposition in one Embodiment of the metal mask for vapor deposition.
  • the top view which shows the planar structure of the mask member in one Embodiment.
  • the partial enlarged plan view which expands and shows a part of planar structure of the mask member in one Embodiment.
  • the partial expanded sectional view which expands and shows a part in sectional structure of the center area
  • the partial expanded sectional view which expands and shows a part in sectional structure of the 1st right side area in one Embodiment.
  • the partial expanded sectional view which expands and shows a part in sectional structure of the 5th right side area in one embodiment.
  • action of the metal mask for vapor deposition The action figure for demonstrating the effect
  • Process drawing which shows the process of arrange
  • Process drawing which shows the process of forming the resist pattern in one Embodiment.
  • Process drawing which shows the process of forming the small hole in one Embodiment.
  • the partial expanded sectional view which expands and shows a part in sectional structure of the 5th right side area
  • the mask device 10 includes a main frame 20 and a plurality of metal masks 30 for vapor deposition.
  • the main frame 20 has a frame plate shape that supports a plurality of vapor deposition metal masks 30 and is attached to a vapor deposition apparatus for performing vapor deposition.
  • the main frame 20 has a main frame hole 20 ⁇ / b> H that penetrates the main frame 20 over almost the entire portion to which the respective deposition metal masks 30 are attached.
  • the metal mask 30 for vapor deposition includes a subframe 31 and a mask member 32 made of, for example, metal.
  • the sub frame 31 has a frame plate shape that supports one mask member 32 and is attached to the main frame 20.
  • Each sub-frame 31 has a sub-frame hole 30 ⁇ / b> H that penetrates the sub-frame 31 over almost the entire part to which the mask member 32 is attached.
  • Each mask member 32 is fixed around the subframe hole 30H by welding or adhesion.
  • An example of the planar structure of the mask member 32 will be described with reference to FIG.
  • the metal mask for vapor deposition 30 is not limited to the configuration in which the mask member 32 is fixed to the subframe 31, and includes a mask portion corresponding to the mask member 32 and a peripheral portion located around the mask portion. And the peripheral portion may be integrally formed of one metal plate.
  • the mask member 32 includes a mask region 32M, and the mask region 32M includes a plurality of mask holes.
  • the mask region 32M includes a central region 32C and a plurality of end regions 32E arranged along the direction in which the mask holes are arranged.
  • the central region 32C includes the center of the mask region 32M and includes a plurality of mask holes for facing the vapor deposition source.
  • Each end region 32E includes a plurality of mask holes that are located closer to the end 32ME side of the mask region 32M than the central region 32C and are different from the mask holes included in the central region 32C. Note that the edge that is the outer peripheral portion of the mask region 32M has a rectangular shape, and the center of the pair of sides facing each other in the mask region 32M is the center of the mask region 32M.
  • the central region 32C and the plurality of end regions 32E are partitioned along the partition direction.
  • the end region 32E having a larger distance from the central region 32C along the partition direction is further away from the vapor deposition source.
  • the end region 32E having a larger distance from the central region 32C along the partition direction has a greater distance between the end region 32E and the vapor deposition source, that is, a distance along the partition direction.
  • the mask region 32M is divided into ten end regions 32E.
  • the center region is located between the fifth end region 32E and the sixth end region 32E, counting from one end 32ME.
  • Region 32C is located.
  • each end region 32E which is a right end region, is arranged in order from the region with the smallest distance from the central region 32C, the first right region ER1, the second right region ER2, the third right region ER3, the fourth right region ER4, 5 is the right region ER5.
  • each end region 32E which is the left end region, has a first left side region EL1, a second left side region EL2, a third left side region EL3, a fourth left side region EL4, and a fifth left side in order of increasing distance from the central region 32C.
  • the width along the partition direction in the mask region 32M is the first width W1
  • the width along the partition direction in each of the central region 32C and the plurality of end regions 32E is the second width W2.
  • the second width W2 is equal to each other.
  • the central region 32C and the end region 32E may include regions having different second widths W2.
  • All mask holes included in the central region 32C in other words, the entire central region 32C is opposed to the vapor deposition source provided in the vapor deposition apparatus. Note that only some of the mask holes included in the central region 32C may face the vapor deposition source.
  • each end region 32E includes at least one of a portion facing the vapor deposition source and a portion not facing the vapor deposition source. That is, one end region 32E may include only a mask hole facing the vapor deposition source, may include only a mask hole not facing the vapor deposition source, a mask hole facing the vapor deposition source, and the vapor deposition source. You may include both the mask hole which does not oppose.
  • the structure which expanded a part in an example of the planar structure which the mask member 32 has is demonstrated with reference to FIG.
  • the mask region 32M includes a plurality of mask holes 32H, and a plurality of mask regions 32M on the surface opposite to the surface facing the evaporation source and facing the evaporation target.
  • the mask holes 32 ⁇ / b> H are arranged at equal intervals along one direction, and are arranged at equal intervals along a direction orthogonal to one direction. That is, in the mask region 32M, a plurality of mask holes are arranged in a lattice shape, and the mask member 32 has a lattice shape.
  • Each of the central region 32C and the end region 32E includes a plurality of mask holes 32H arranged in a lattice pattern.
  • the plurality of mask holes 32H may be arranged in a staggered pattern in the mask region 32M.
  • the mask member 32 is formed from a metal mask base material which is a metal sheet mainly composed of an alloy of iron and nickel.
  • the material for forming the metal mask base material is preferably an iron-nickel alloy containing 30% by mass or more and 45% by mass or less of nickel.
  • the alloy mainly includes 36% by mass of nickel and 64% by mass of iron. More preferably, it is an ingredient, that is, invar.
  • the thermal expansion coefficient of the mask member 32 is, for example, about 1.2 ⁇ 10 ⁇ 6 / ° C.
  • the degree of thermal expansion in the mask member 32 and the degree of thermal expansion in the glass substrate match, so the mask member 32 formed from invar is an evaporation target. It is preferable when using a glass substrate as an example.
  • FIG. 4 An example of a cross-sectional structure of the central region 32C in the mask region 32M will be described with reference to FIG. 4, and an example of a cross-sectional structure of the end region 32E will be described with reference to FIGS.
  • FIGS An example of a cross-sectional structure of the end region 32E
  • an example of the cross-sectional structure of the end region 32E an example of the cross-sectional structure of the first right region ER1 and the example of the cross-sectional structure of the fifth right region ER5 will be described.
  • a description of the cross-sectional structure of the region 32E is omitted.
  • the mask region 32M includes a front surface 32F and a back surface 32R that is a surface opposite to the front surface 32F.
  • the front surface 32F includes a large opening 32H1 of each mask hole 32H
  • the back surface 32R includes a small opening 32H2 of each mask hole 32H.
  • the region defined by the large opening 32H1 is larger than the region defined by the small opening 32H2.
  • Each mask hole 32H includes a large hole 32HB, a small hole 32HS, and a connection portion 32HC that connects the large hole 32HB and the small hole 32HS.
  • the large hole 32HB includes a large opening 32H1 and has a shape tapered toward the small opening 32H2
  • the small hole 32HS includes a small opening 32H2 and has a shape tapered toward the large opening 32H1.
  • the large hole 32HB has a shape in which the cross-sectional area along the direction parallel to the front surface 32F monotonously decreases from the front surface 32F toward the rear surface 32R, and in the cross section orthogonal to the front surface 32F, the large hole 32HB
  • the inner peripheral surface HB1 has an arc shape.
  • the small hole 32HS has a shape in which a cross-sectional area along a direction parallel to the front surface 32F monotonously decreases from the back surface 32R toward the front surface 32F, and in the cross section orthogonal to the front surface 32F,
  • the peripheral surface HS1 has an arc shape.
  • the size of the region defined by the large hole 32HB monotonously decreases from the front surface 32F toward the back surface 32R
  • the size of the region defined by the small hole 32HS decreases monotonously from the back surface 32R toward the front surface 32F.
  • the size of the area defined by the mask hole 32H is the smallest at the connection portion 32HC.
  • each connection portion 32HC has a shape protruding toward the inside of the mask hole 32H over the entire circumference of the mask hole 32H.
  • the connection part 32HC of the mask hole 32H located outside the center of the mask region 32M has a first portion HC1 that is a portion closer to the center of the mask region 32M and the mask region.
  • the second portion HC2 is a portion near the end of 32M.
  • the vapor deposition metal mask 30 may have a mask hole 32H including a connection portion 32HC located at the center of the mask region 32M. Similarly to the other connection portions 32HC, the connection portion 32HC located at the center of the mask region 32M has a shape that protrudes toward the inside of the mask hole 32H over the entire circumference of the mask hole 32H.
  • the distance between the first portion HC1 and the back surface 32R is the first step high SH1
  • the distance between the second portion HC2 and the back surface 32R is the second step high SH2.
  • the first step high SH1 and the second step high SH2 are substantially equal in size.
  • Each of the first step high SH1 and the second step high SH2 in the central region 32C is preferably 3 ⁇ m or less, for example.
  • the amount of protrusion of the first portion HC1, that is, the amount of protrusion of the first portion HC1 inside the small opening 32H2 is the first step width SW1.
  • the protruding amount of the second portion HC2, that is, the amount by which the second portion HC2 protrudes inward from the small opening 32H2 is the second step width SW2.
  • the first step width SW1 and the second step width SW2 are substantially equal to each other.
  • Each of the first step width SW1 and the second step width SW2 in the central region 32C is preferably not less than 1.5 ⁇ m and not more than 2.0 ⁇ m, for example.
  • the normal passing through the center of the large opening 32H1 among the normals on the surface 32F is the large hole normal NB
  • the normal passing through the center of the small opening 32H2 is the small hole normal NS.
  • the position of the large hole normal NB and the position of the small hole normal NS belonging to the same mask hole 32H are substantially equal to each other. That is, in one mask hole 32H, the distance between the large hole normal line NB and the small hole normal line NS along the direction in which the mask holes 32H are arranged is the normal distance ND, and the distance between the normal lines in the central region 32C.
  • the distance ND is zero.
  • each mask hole 32H included in the first right region ER1 includes a large hole 32HB, a small hole 32HS, and a connection portion 32HC, similar to each mask hole 32H included in the center region 32C.
  • the large hole 32HB has a shape that tapers toward the small opening 32H2
  • the small hole 32HS has a shape that tapers toward the large opening 32H1.
  • connection portion 32HC has a shape protruding toward the inside of the mask hole 32H over the entire circumference of the mask hole 32H, and is formed from the first portion HC1 and the second portion HC2. It is configured.
  • the second step high SH2 is larger than the first step high SH1.
  • first step high SH1 in the first right region ER1 is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C.
  • the second step high SH2 in the first right region ER1 is larger than the second step high SH2 in the central region 32C.
  • the first step width SW1 in the first right region ER1 is smaller than the first step width SW1 in the central region 32C. Further, the second step width SW2 in the first right region ER1 is larger than the second step width SW2 in the central region 32C.
  • the large hole normal NB belonging to each mask hole 32H is located closer to the center than the small hole normal NS belonging to the same mask hole 32H.
  • the inter-normal distance ND in the first right region ER1 is larger than the inter-normal distance ND in the central region 32C.
  • each mask hole 32H included in the fifth right region ER5 includes the large hole 32HB, the small hole 32HS, and the connection portion 32HC, similarly to each mask hole 32H included in the center region 32C. Yes.
  • the large hole 32HB has a shape that tapers toward the small opening 32H2
  • the small hole 32HS has a shape that tapers toward the large opening 32H1.
  • connection portion 32HC has a shape protruding toward the inside of the mask hole 32H over the entire circumference of the mask hole 32H, and is formed from the first portion HC1 and the second portion HC2. It is configured.
  • the first step high SH1 is zero
  • the second step high SH2 is larger than the first step high SH1.
  • the first step high SH1 in the fifth right region ER5 is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C and smaller than the first step high SH1 in the first right region ER1.
  • the second step high SH2 in the fifth right region ER5 is larger than the second step high SH2 in the central region 32C and larger than the second step high SH2 in the first right region ER1. .
  • the first step width SW1 in the fifth right region ER5 is zero, smaller than the first step width SW1 in the central region 32C, and smaller than the first step width SW1 in the first right region ER1.
  • the second step width SW2 in the fifth right region ER5 is larger than the second step width SW2 in the central region 32C and larger than the second step width SW2 in the first right region ER1. .
  • the large hole normal NB belonging to each mask hole 32H is located closer to the center than the small hole normal NS belonging to the same mask hole 32H, and the inter-normal distance ND is: It is larger than both of the normal distance ND in the central region 32C and the normal distance ND in the first right region ER1.
  • the large hole 32HB has a shape tapered toward the small opening 32H2
  • the small hole 32HS has a shape tapered toward the large opening 32H1, and the inner circumferential surface HB1 of the large hole 32HB.
  • Both of the small holes 32HS and the inner peripheral surface HS1 have an arc shape. Therefore, each mask is changed by changing the distance between the small hole normal NS in the small hole 32HS unique to one mask hole 32H and the large hole normal NB in the large hole 32HB unique to the same mask hole 32H.
  • the size of the first step high SH1 and the size of the second step high SH2 in the hole 32H can be changed.
  • the large hole normal line NB and the small hole normal line NS can be made smaller than the size of the mask hole 32H.
  • the distance from the large hole normal line NB of the first step high SH1 and the second step high SH2 is large.
  • the step height can be made larger than the size at the mask hole 32H where the large hole normal line NB and the small hole normal line NS coincide.
  • the inter-normal distance ND is in a range not exceeding 1/2 of the width of the small opening 32H2
  • the distance between the normals of the large hole normal NB and the small hole normal NS As the distance ND is larger, the step height with a small distance from the large hole normal line NB can be reduced, and the step height with a larger distance from the large hole normal line NB can be increased.
  • the first step high SH1 at the mask hole 32H described above with reference to FIG. 6 is smaller than the first step high SH1 at the mask hole 32H described above with reference to FIG.
  • the second step high SH2 in the mask hole 32H described above with reference to FIG. 6 is larger than the second step high SH2 in the mask hole 32H described with reference to FIG.
  • the first step high SH1 in the end region 32E can be made smaller than the first step high SH1 in the central region 32C only by changing the position of the large hole 32HB with respect to the small hole 32HS.
  • the design of the metal mask 30 for vapor deposition is easy.
  • the width of the step can be reduced, and the step width having a large distance from the large hole normal NB can be increased.
  • the shape of the mask hole 32H in the second right region ER2 is substantially equal to the shape of the mask hole 32H in the central region 32C in that it has large holes, small holes, and connecting portions.
  • the shape of the mask hole 32H in each right end region is different from the shape of the mask hole 32H in the central region 32C in the following points. That is, the normal distance ND in the second right region ER2, the normal distance ND in the third right region ER3, and the normal distance ND in the fourth right region ER4 are the same as those in the central region 32C. It is larger than the line distance ND and smaller than the normal line distance ND in the fifth right region ER5.
  • the inter-normal distance ND in the second right region ER2, the inter-normal distance ND in the third right region ER3, and the normal distance ND in the fourth right region ER4 increase in this order.
  • the vapor deposition metal mask 30 includes a plurality of end regions 32E arranged along the direction in which the mask holes 32H are arranged. And in the some edge part area
  • the first step high SH1 in the second right region ER2, the first step high SH1 in the third right region ER3, and the first step high SH1 in the fourth right region ER4 are the same in the central region 32C. It becomes smaller than the first step high SH1 and larger than the first step high SH1 in the fifth right region ER5.
  • the first step high SH1 in the second right region ER2, the first step high SH1 in the third right region ER3, and the first step high SH1 in the fourth right region ER4 become smaller in the order described. .
  • the vapor deposition metal mask 30 includes a plurality of end regions 32E arranged along the direction in which the mask holes 32H are arranged.
  • the first step high SH1 in the end region 32E is smaller as the end region 32E has a greater distance from the central region 32C.
  • the end region 32E located closer to the end 32ME of the mask region 32M than the end region 32E is closer to the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the end region 32E having a smaller distance from the central region 32C.
  • the deposition material DM is prevented from passing through the mask hole 32H rather than the mask hole 32H including the mask hole 32H. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H can be improved in the vapor deposition metal mask 30.
  • the second step high SH2 in the second right region ER2, the second step high SH2 in the third right region ER3, and the second step high SH2 in the fourth right region ER4 are the second step high SH2 in the central region 32C. It becomes larger than the two-step high SH2 and smaller than the second step high SH2 in the fifth right region ER5.
  • the second step high SH2 in the second right region ER2, the second step high SH2 in the third right region ER3, and the second step high SH2 in the fourth right region ER4 increase in the order of description. .
  • the second step high SH2 in the end region 32E is larger as the end region 32E has a greater distance from the central region 32C.
  • the first portion HC1 of the connection portion 32HC has a distance from the central region 32C.
  • the strength of the first portion HC1 decreases as the end region 32E increases in distance.
  • the second step height SH2 in the end region 32E increases as the end region 32E has a greater distance from the central region 32C
  • the second portion HC2 of the connection portion 32HC has a distance from the central region 32C.
  • the strength of the second portion HC2 increases as the end region 32E increases in distance. Therefore, in each end region 32E, the strength decrease in the first portion HC1 can be compensated by the strength of the second portion HC2.
  • the second step high SH2 in each right end region is larger than the first step high SH1 in the same right end region.
  • the second step high SH2 is equal to or higher than the first step high SH1, thereby suppressing the strength of the metal mask 30 for vapor deposition from being reduced. It is done.
  • the first step width SW1 in the second right region ER2, the first step width SW1 in the third right region ER3, and the first step width SW1 in the fourth right region ER4 are the first step width SW1 in the central region 32C.
  • the width is smaller than one step width SW1 and larger than the first step width SW1 in the fifth right region ER5.
  • the first step width SW1 in the second right region ER2, the first step width SW1 in the third right region ER3, and the first step width SW1 in the fourth right region ER4 become smaller in the order of description. .
  • the second step width SW2 in the second right region ER2, the second step width SW2 in the third right region ER3, and the second step width SW2 in the fourth right region ER4 are the second step width SW2 in the central region 32C. It becomes larger than the two-step width SW2 and smaller than the second step width SW2 in the fifth right region ER5.
  • the second step width SW2 in the second right region ER2, the second step width SW2 in the third right region ER3, and the second step width SW2 in the fourth right region ER4 increase in the order described.
  • the five left side end regions described above are the five right side end end regions. It has a line symmetry relationship. Therefore, detailed description of the left end region is omitted.
  • FIGS. 7 and 8 the operation of the metal mask 30 for vapor deposition will be described.
  • the mask member 32 included in the vapor deposition metal mask 30 is shown for convenience of illustration, and the size of the mask hole 32H included in the mask member 32 is exaggerated.
  • the metal mask 30 for vapor deposition is used, for example, for forming an organic layer that constitutes a light emitting element included in the organic EL display device.
  • the mask apparatus 10 when film formation using the mask apparatus 10 is performed, first, the mask apparatus 10 is fixed to a stage included in the vapor deposition apparatus in a state where the back surface 32R of the mask member 32 is in contact with the vapor deposition target S.
  • the vapor deposition apparatus includes one vapor deposition source ES, and the mask apparatus 10 is fixed to the stage so that the mask hole included in the central region 32C of the mask region 32M faces the vapor deposition source ES.
  • the position of the vapor deposition source ES in the vapor deposition apparatus is fixed, while the position of the stage with respect to the vapor deposition source ES changes.
  • the stage can move, for example, along a straight line that passes through the center of the vapor deposition source ES and extends in a one-dimensional direction, whereby the mask included in the central region 32 ⁇ / b> C of each mask member 32.
  • the hole 32H can face the vapor deposition source ES.
  • the vapor deposition source ES starts to release the vapor deposition material, and then, the mask member 32 is included in the vapor deposition target S moving along the one-dimensional direction by moving the stage along the one-dimensional direction.
  • the vapor deposition material reaches through the mask hole 32H. Thereby, a plurality of vapor deposition patterns are formed on the vapor deposition object S.
  • the vapor deposition apparatus may have a configuration in which the position of the vapor deposition source ES with respect to the stage is changed while the position of the stage in the vapor deposition apparatus is fixed. In such a configuration, it is only necessary that the vapor deposition source ES can move along a straight line that passes through the central region 32C of each mask member 32 and extends along the one-dimensional direction.
  • the vapor deposition material DM released from the vapor deposition source ES is formed in the mask hole 32H included in the central region 32C.
  • the flight direction of the vapor deposition material DM flying toward is a direction substantially along the normal direction on the surface 32F of the mask member 32.
  • the distance between the center of the mask region 32M and the position where the vapor deposition material DM flies is.
  • the larger the value the larger the deviation from the normal direction. More specifically, the greater the distance between the center of the mask region 32M and the position where the deposition material DM flies, the greater the angle formed by the flight direction and the normal direction of the deposition material DM.
  • the amount of the vapor deposition material DM released from the vapor deposition source ES is usually the largest at the position facing the vapor deposition source ES, and varies within the range in which the vapor deposition material DM is released. Moreover, the larger the angle formed between the normal direction and the flight direction, the greater the difference in the amount of the vapor deposition material DM between the mask hole facing the vapor deposition source ES and the other mask holes. Therefore, in order to suppress the variation between the mask holes 32H in the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H, the amount of the vapor deposition material DM that reaches the portion facing the vapor deposition source ES in the vapor deposition target S. Is preferably reduced.
  • the small hole 32HS has a shape that tapers toward the large opening 32H1, so that the larger the first step high SH1 and the second step high SH2, the more the connecting portion 32HC is located inside the mask hole 32H.
  • the amount of protrusion will increase.
  • an unnecessary shadow portion is enlarged by the mask member 32.
  • the shadow effect by the mask member 32 is increased.
  • the connection portion 32HC suppresses the vapor deposition material DM from passing through the mask hole 32H.
  • the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the central region 32C is more than the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the end region 32E. Suppresses the passage of the vapor deposition material DM. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H can be improved in the vapor deposition metal mask 30.
  • the vapor deposition material that flies toward the mask hole 32H in the flight direction with a smaller deviation from the normal direction It is preferable to pass the mask hole 32H through DM.
  • the vapor deposition material DM flying in the flight direction with a smaller deviation from the normal direction reaches the mask hole 32H included in the end region 32E. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H can be improved in the vapor deposition metal mask 30.
  • the uniformity in the film thickness of the organic layer is improved in the metal mask 30 for vapor deposition.
  • uniformity in the amount of light emitted from the light emitting element can be improved.
  • the display quality of the display device can be improved.
  • the display device has a variation in the amount of light emitted from the plurality of light emitting elements. .
  • the manufacturing method of the display apparatus provided with the vapor deposition pattern formed using the metal mask 30 for vapor deposition forms the metal mask 30 for vapor deposition, and vapor-deposits on the vapor deposition object S using the metal mask 30 for vapor deposition. Forming a pattern.
  • the mask member 32 including the central region 32C and the end region 32E is formed.
  • the center region 32C includes the center of the mask region 32M including the plurality of mask holes 32H, and includes a plurality of mask holes 32H for facing the vapor deposition source.
  • the end region 32E is located closer to the end 32ME of the mask region 32M than the central region 32C, and includes a plurality of mask holes 32H different from the mask holes 32H included in the central region 32C. It is out.
  • a metal mask base material 41 including a front surface 41F and a back surface 41R is prepared.
  • the thickness of the metal mask base material 41 is preferably, for example, 10 ⁇ m or more and 50 ⁇ m or less.
  • the first resist layer 42 is disposed on the front surface 41F of the metal mask base material 41, and the second resist layer 43 is disposed on the back surface 41R of the metal mask base material 41.
  • the material for forming the first resist layer 42 and the second resist layer 43 is a negative resist, but may be a positive resist.
  • positioning of the resist layer with respect to each surface may be performed by affixing a dry film resist on each surface, or by apply
  • each resist layer other than a portion where a through hole is formed is exposed, and each exposed resist layer is developed.
  • the first through hole 42H is formed in the first resist layer 42
  • the second through hole 43H is formed in the second resist layer 43.
  • the first resist layer 42 is patterned to form the first resist pattern 42P
  • the second resist layer 43 is patterned to form the second resist pattern 43P.
  • each resist layer is patterned as follows in a portion for forming the mask hole 32H included in the central region 32C. That is, in the cross section orthogonal to the surface 41F, the normal line of the surface 41F, the first normal line N1 passing through the center of the opening in the first through hole 42H, and the normal line of the surface 41F, the second through hole Each resist layer is patterned so that the second normal N2 passing through the center of the opening at 43H coincides.
  • each resist layer in the portion for forming the mask hole 32H included in the first right region ER1, the first normal line N1 in the region corresponding to the mask member 32 in the metal mask base material 41.
  • Each resist layer is patterned so that is positioned closer to the center than the second normal line N2.
  • each resist layer When exposing each resist layer, an original plate configured to allow light to reach a portion other than the portion where the through hole is formed on the surface opposite to the surface in contact with the metal mask substrate 41 in each resist layer. Put it on. Further, when developing each resist layer after exposure, for example, a sodium carbonate aqueous solution can be used as a developer. In addition, when the formation material of each resist layer is a positive resist, the part which forms a through-hole among each resist layer should just be exposed.
  • the metal mask base material 41 includes a small opening 41H2 that opens from the back surface 41R toward the front surface 41F and tapers toward the front surface 41F, and each mask hole 32H.
  • a small hole 41HS unique to the above is formed.
  • the metal mask base 41 is etched from the back surface 41R toward the front surface 41F using the second resist pattern 43P as a mask, for example, using ferric chloride solution.
  • the surface protective layer 44 is formed on the first resist pattern 42P so that the front surface 41F of the metal mask base material 41 is not etched simultaneously with the back surface 41R.
  • the material for forming the surface protective layer 44 may be any material that is difficult to be etched by ferric chloride solution.
  • the second resist pattern 43P located on the back surface 41R of the metal mask base material 41 and the surface protective layer 44 in contact with the first resist pattern 42P are removed.
  • a back surface protective layer 45 for preventing etching of the back surface 41R is formed on the back surface 41R of the metal mask base material 41.
  • the material for forming the back surface protective layer 45 may be any material that is difficult to be etched by ferric chloride solution.
  • the metal mask base material 41 includes a large opening 41H1 that opens from the front surface 41F toward the back surface 41R, tapers toward the back surface 41R, and each mask hole 32H.
  • a large hole 41HB unique to the above is formed.
  • the connection part 41HC in which the small hole 41HS and the large hole 41HB are connected is formed.
  • the small holes 41HS of the metal mask base material 41 correspond to the small holes 32HS of the mask member 32
  • the large holes 41HB of the metal mask base material 41 correspond to the large holes 32HB of the mask member 32
  • the metal mask base material corresponds to the connecting portion 32HC of the mask member 32.
  • connection portion 41HC By forming the connection portion 41HC, the connection portion 41HC having the following shape is formed as each connection portion 41HC located outside the center of the mask region 32M. That is, the connecting portion 41HC has a shape protruding toward the inside of the mask hole 32H over the entire circumference of the mask hole 32H, and the first portion HC1 that is a portion closer to the center of the mask region 32M and the mask region 32M.
  • the second portion HC2 is a portion near the end portion 32ME.
  • the distance between the first portion HC1 and the back surface 41R is the first step high SH1, and by forming the connection portion 41HC, the connection portion in the first right region ER1, which is an example of the end region 32E.
  • 1st step high SH1 forms the connection part 41HC smaller than 1st step high SH1 in the center area
  • connection portion 41HC the surface 41F of the metal mask substrate 41 is etched using, for example, ferric chloride solution using the first resist pattern 42P as a mask.
  • a large hole 41HB that is recessed toward the back surface 41R is formed in the front surface 41F of the metal mask base material 41 via the first through hole 42H of the first resist pattern 42P.
  • the first normal line N1 and the second normal line N2 coincide with each other in the portion for forming the mask hole 32H included in the central region 32C.
  • the first normal line N1 is the second normal line in the region corresponding to the mask member 32 in the metal mask base material 41. It is located closer to the center than N2.
  • the large hole 41HB is formed so that the large hole normal line NB and the small hole normal line NS coincide.
  • the large hole normal line NB in the large hole 41HB of the metal mask base material 41 corresponds to the large hole normal line NB in the large hole 32HB of the mask member 32, and the small hole in the small hole 41HS of the metal mask base material 41.
  • the normal NS corresponds to the small hole normal NS in the small hole 32HS of the mask member 32.
  • the large hole 41HB and the small hole 41HS unique to one mask hole 32H included in the first right region ER1 the large hole is formed in the region corresponding to the mask member 32 in the metal mask base 41.
  • the large hole 41HB is formed so that the normal line NB is located closer to the center than the small hole normal line NS.
  • the mask hole 32H in which the first step high SH1 is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C can be formed as the mask hole 32H included in the first right region ER1. Further, as a mask hole 32H included in the first right region ER1, a mask hole 32H having a normal distance ND substantially equal to the distance between the first normal line N1 and the second normal line N2 in the first resist pattern 42P. Can be formed.
  • the mask member 32 included in the vapor deposition metal mask 30 can be obtained.
  • the first resist pattern 42P corresponds to the normal distance ND in each left end region. What is necessary is just to set the distance between the 1st normal line N1 and the 2nd normal line N2 in the 2nd resist pattern 43P.
  • Example 1 A metal mask base material having a thickness of 30 ⁇ m was prepared, and a mask member having the first width W1 of 440 mm and the second width W2 of 40 mm was formed. .
  • a plurality of mask holes were formed in the mask member. In the connection portion of each mask hole, the width in the partition direction in which the plurality of end regions are partitioned is set to 40 ⁇ m, and the width in the direction orthogonal to the partition direction is set to 50 ⁇ m.
  • a plurality of mask holes are arranged in a square lattice pattern, and the pitch at which the mask holes are located, that is, the pitch at which the small holes are located, is set to 80 ⁇ m.
  • the following resist patterns were formed as the first resist pattern and the second resist pattern for forming a plurality of mask holes in the metal mask base material. That is, as the second resist pattern, a resist pattern was formed in which second through holes for forming small holes were arranged at regular intervals.
  • the first resist pattern in the portion for forming the mask hole included in the central region and the portion for forming the mask hole included in each end region, the first resist pattern is the first resist pattern.
  • the first through holes were formed so that the positions of the 1 through holes were different from each other. More specifically, in the section for forming the mask hole included in the central region, the first normal line and the second normal line described above coincide with each other in a cross section orthogonal to the surface of the metal mask base material. The 1st through-hole was formed.
  • the first normal line and the second normal line have a distance of 1 ⁇ m.
  • a through hole was formed.
  • the portion for forming the mask hole included in each of the second right region and the second left region includes a first through hole so that a distance between the first normal line and the second normal line is 2 ⁇ m. Formed.
  • the portion for forming the mask hole included in each of the third right region and the third left region has a first through hole so that the distance between the first normal line and the second normal line is 3 ⁇ m. Formed.
  • the first through hole is set so that the distance between the first normal line and the second normal line is 4 ⁇ m.
  • the portion for forming the mask hole included in each of the fifth right region and the fifth left region includes a first through hole so that a distance between the first normal line and the second normal line is 5 ⁇ m. Formed.
  • the normal distance is 0 ⁇ m
  • the first step high is 2.7 ⁇ m
  • the second step high is 2.7 ⁇ m. It was observed that a mask hole was formed. It was observed that a mask hole having a normal distance of 1 ⁇ m, a first step height of 2.2 ⁇ m, and a second step height of 3.0 ⁇ m was formed in the first right region.
  • a mask hole having a normal distance of 1 ⁇ m, a first step height of 2.3 ⁇ m, and a second step height of 2.9 ⁇ m is formed in the first left region. It was recognized that It was recognized that a mask hole having a normal distance of 2 ⁇ m, a first step height of 1.8 ⁇ m, and a second step height of 3.3 ⁇ m was formed in the second left region.
  • a mask hole having a normal distance of 3 ⁇ m, a first step height of 1.3 ⁇ m, and a second step height of 3.6 ⁇ m was formed in the third left region. It was recognized that a mask hole having a normal distance of 4 ⁇ m, a first step height of 0.7 ⁇ m, and a second step height of 3.8 ⁇ m was formed in the fourth left region. It was recognized that a mask hole having a normal distance of 5 ⁇ m, a first step height of 0.1 ⁇ m, and a second step height of 4.0 ⁇ m was formed in the fifth left region.
  • the end region having a larger distance from the center of the mask member is increased by increasing the inter-normal distance as the end region having a larger distance from the center of the mask member. It has been observed that the step height can be reduced.
  • the mask device of Example 1 was obtained by attaching the metal mask for vapor deposition to the main frame.
  • Comparative Example 1 As the first resist pattern, a first resist pattern in which the first through holes for forming the large holes are arranged at regular intervals, and the position of the large holes with respect to one small hole connected to each large hole is constant. A mask device of Comparative Example 1 was formed by the same method as Example 1 except that it was formed. As a result, a mask member including a plurality of mask holes in which the distance between normal lines in each mask hole is zero was obtained as a mask member.
  • Example 1 is attached to the vapor deposition apparatus, a plurality of vapor deposition patterns are formed under predetermined conditions, and the mask apparatus of Comparative Example 1 is attached to the vapor deposition apparatus, and a plurality of conditions are the same as when Example 1 is used.
  • the vapor deposition pattern was formed.
  • the effects listed below can be obtained.
  • the first step high SH1 in the end region 32E can be made smaller than the first step high SH1 in the central region 32C.
  • the design of the metal mask 30 is easy.
  • the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the end region 32E having a smaller distance from the central region 32C includes the end region 32E located closer to the end of the mask region 32M than the end region 32E.
  • the vapor deposition material DM is prevented from passing through the mask hole 32H. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H can be improved in the vapor deposition metal mask 30.
  • the embodiment described above can be implemented with appropriate modifications as follows.
  • the first step high SH1 in the region including the end portion 32ME of the mask region 32M may not be zero. Even in such a configuration, if the first step high SH1 in the end region 32E is smaller in the end region 32E having a larger distance from the central region 32C, the same effect as in the above (4) can be obtained. it can.
  • the first step high SH1 and the second step high SH2 in the central region 32C may have different sizes. Even in such a configuration, if the first step high SH1 in the end region 32E is smaller in the end region 32E having a larger distance from the central region 32C, the same effect as in the above (4) can be obtained. it can. Further, if the first step high SH1 in the end region 32E is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C, the same effect as (1) described above can be obtained.
  • Each of the first step width SW1 and the second step width SW2 in each region is not limited to the size exemplified in the above-described embodiment, and the first step high SH1 and the second step high SH2 in each region What is necessary is just the magnitude
  • the mask region 32M only the region including the end 32ME of the mask region 32M may be the end region 32E, and the mask region 32M is a region sandwiched between the central region 32C and the end region 32E. A region that is neither the central region 32C nor the end region 32E may be included.
  • the first step high SH1 in the end region 32E is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C, while the first step high SH1 in the region between the central region 32C and the end region 32E.
  • the one step high SH1 may not be smaller than the first step high SH1 in the central region 32C.
  • the following effects can be obtained. (6) Since the end region 32E includes the end 32ME in which the vapor deposition material DM released from the evaporation source ES is most difficult to reach among the one mask region 32M, the first step high SH1 in the end region 32E. It is easy to obtain an effect by making the value smaller than the first step high SH1 in the central region 32C.
  • the configuration in which the mask region 32M includes the plurality of end regions 32E may not be configured such that the first step high SH1 is smaller as the end region 32E has a greater distance from the center of the mask region 32M.
  • the end region 32E having a larger distance from the center of the mask region 32M may have a configuration in which the first step high SH1 is larger.
  • the first step high SH1 in the end region 32E near the center of the mask region 32M may be larger than the first step high SH1 in the end region 32E near the end 32ME.
  • the mask region 32M is not limited to the configuration including the ten end regions 32E, and may be a configuration including at least one end region 32E.
  • the number of end regions 32E located on the right side of the central region 32C may be different from the number of end regions 32E located on the left side of the central region 32C.
  • the normal distances ND between the end regions 32E may be equal to each other, and the larger the distance from the center of the mask member 32 in the plurality of end regions 32E, the more The line distance ND may be small. Even in such a configuration, if the first step high SH1 in the end region 32E is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C, the same effect as (1) described above can be obtained.
  • the inner peripheral surface HB1 of the large hole 32HB may not be arcuate.
  • the inner peripheral surface HS1 of the small hole 32HS may not be arcuate. In this case, both the inner peripheral surface HB1 of the large hole 32HB and the inner peripheral surface HS1 of the small hole 32HS may not be arcuate, or one of them may not be arcuate.
  • the second step high SH2 and the first step high SH1 may be equal to each other. Further, in the central region 32C and each end region 32E, the second step high SH2 may be smaller than the first step high SH1. Even in such a configuration, if the first step high SH1 in the end region 32E is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C, the same effect as (1) described above can be obtained.
  • the forming material of the metal mask base material 41, and hence the forming material of the mask member 32 is an alloy of iron and nickel, and may contain chromium as an additive.
  • the forming material of the metal mask base material 41 and the forming material of the mask member 32 may be an alloy other than an alloy of iron and nickel, or a metal.
  • the metal mask base material 41 may be a metal sheet obtained by rolling a base material, or may be a metal sheet formed by electrolysis.
  • the metal mask base material 41 for forming the mask member 32 includes a resin layer in addition to a single metal layer, and the metal layer and the resin layer are laminated. But you can. Alternatively, the metal mask base material 41 may include two metal layers and a resin layer, and the resin layer may be sandwiched between the two metal layers.
  • each mask hole includes a large hole that tapers toward the small opening, a small opening that tapers toward the large opening, and a connection portion that connects the large hole and the small hole.
  • the first step high in the partial area only needs to be smaller than the first step high in the central area. With such a configuration, it is possible to obtain the same effect as (1) described above.
  • the resin-made layer among the base materials for metal masks can be etched by irradiating a laser beam, for example.
  • the mask member 32 may include a non-mask region that is a region where no mask hole is formed, in addition to the mask region 32M.
  • the mask member 32 may have one non-mask region at each of the two end portions in the direction in which the plurality of mask holes 32H are arranged.
  • one mask member 32 may include a plurality of mask regions 32M.
  • each mask region 32M only needs to have a central region 32C and an end region 32E.
  • the same effect as (1) described above is obtained for each mask region 32M. Can get.
  • each mask region 32M may include a plurality of end regions 32E or include an end portion 32ME of each mask region 32M.
  • An end region 32E may be provided as a region.
  • region 32M may be comprised by all the several mask holes with which the metal mask for vapor deposition is provided, and the edge part area
  • region 32C may each be the following structures. That is, the end region 32E includes the end portion 32ME of the mask region 32M and includes a plurality of mask holes 32H. On the other hand, the central region 32C is located closer to the center of the mask region 32M than the end region 32E, and is different from the mask hole 32H included in the end region 32E, and a plurality of regions for facing the vapor deposition source ES. Mask hole 32H.
  • the vapor deposition metal mask 30 faces only one vapor deposition source ES.
  • the metal mask 30 for vapor deposition may be arrange
  • the mask region 32M includes one central region 32C, while when the deposition metal mask 30 faces a plurality of deposition sources ES, the mask region 32M. Comprises a plurality of central regions 32C.
  • the first step high SH1 in the end region 32E is smaller than the first step high SH1 in the central region 32C, the following effects can be obtained.
  • the first step high SH1 in the end region 32E including the end 32ME of the mask region 32M is the first step high SH1 in the central region 32C regardless of one or a plurality of vapor deposition sources ES facing the mask region 32M.
  • Step height SH1 is smaller. Therefore, the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the central region 32C suppresses the vapor deposition material DM from passing through the first portion HC1 of the mask hole 32H included in the end region 32E. Therefore, the uniformity of the film thickness of the vapor deposition pattern formed for each mask hole 32H can be improved in the vapor deposition metal mask 30.
  • a single metal mask 30 for vapor deposition may include a plurality of mask members 32.
  • the subframe 31 only needs to have the same number of subframe holes 30H as the mask member 32.
  • the vapor deposition apparatus is configured to have one vapor deposition source, the plurality of mask members 32 constitute one mask region 32M.
  • the vapor deposition apparatus includes a plurality of vapor deposition sources, and the vapor deposition metal mask has one mask region 32M for the plurality of vapor deposition sources, the plurality of mask members 32 includes one mask region 32M. Is configured.
  • each mask member 32 has one mask region.
  • Each mask member 32 may constitute a plurality of mask regions.
  • one mask region 32M may straddle a plurality of mask members 32.
  • each mask hole 32H and the large hole 32HB of the mask hole 32H adjacent to each other in the direction in which the mask holes 32H are arranged may be connected to each other in the large opening 32H1.
  • each mask hole 32H has a large hole 32HB that tapers toward the small opening 32H2, a small hole 32HS that tapers toward the large opening 32H1, and a connection portion where the large hole 32HB and the small hole 32HS connect.
  • 32HC is included, and 1st step high SH1 in the edge part area
  • FIG. 14 shows the cross-sectional structure of the fifth right region ER5 in the mask region 32M.
  • the large holes 32HB adjacent to each other may be connected to each other in the large opening 32H1.
  • DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Mask apparatus, 20 ... Main frame, 20H ... Main frame hole, 30 ... Metal mask for vapor deposition, 30H ... Sub-frame hole, 31 ... Sub frame, 32 ... Mask member, 32C ... Central area
  • first through hole, 42P ... first resist pattern, 43 ... second resist layer, 43H ... 2nd through-hole, 43P ... 2nd resist pattern, 44 ... Surface protective layer, 45 ... Back surface protective layer, DM ... Evaporation substance, EL1 ... 1st left side area EL2 ... second left region, EL3 ... third left region, EL4 ... fourth left region, EL5 ... fifth left region, ER1 ... first right region, ER2 ... second right region, ER3 ... third right region, ER4 ... 4th right side region, ER5 ... 5th right side region, ES ... deposition source, HB1, HS1 ... inner peripheral surface, HC1 ... first part, HC2 ...
  • N1 ... first normal, N2 ... second Normal, NB ... Large hole normal, ND ... Normal distance, NS ... Small hole normal, S ... Deposition target, SH1 ... First step high, SH2 ... Second step high, SW1 ... First step width, SW2 is the second step width.

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Abstract

蒸着用メタルマスクは複数のマスク孔を含むマスク領域を備え、マスク領域の中央以外に位置する各マスク孔の接続部は、マスク孔の全周にわたりマスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される。第１部分とマスク領域の裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、端部領域での第１ステップハイが中央領域での第１ステップハイよりも小さい。

Description

蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
　本発明は、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法に関する。
　蒸着用メタルマスクは、表面と裏面とを備え、裏面は基板などの蒸着対象と接する面であり、表面は裏面とは反対側の面である。表面から裏面までを貫通するマスク孔は、表面における開口である大開口を含む大孔と、裏面における開口である小開口を含む小孔とを備えている。マスク孔を区画する内周面は、大孔と小孔との接続部において、マスク孔の内側に突き出た形状を有している。蒸着用メタルマスクを用いた成膜では、蒸着物質が、大開口から小開口に向けてマスク孔を通り、蒸着対象に堆積する。これにより、小開口の位置や形状に従う蒸着パターンが蒸着対象に形成される（例えば、特許文献１参照）。
特開２０１４－１４８７４４号公報
　ところで、蒸着装置では、複数のマスク孔に対して１つの蒸着源が用いられる。例えば、蒸着装置は、１つの蒸着源を備え、複数のマスク孔のなかの中央に位置するマスク孔と、１つの蒸着源とが互いに対向するように、蒸着用メタルマスクは配置される。あるいは、蒸着装置は、複数の蒸着源を備え、１つのマスク領域に含まれる互いに異なるマスク孔群のうちで中央に位置するマスク孔と、１つの蒸着源とが互いに対向するように、蒸着用メタルマスクは配置される。あるいは、蒸着装置は、複数の蒸着源を備え、１つのマスク領域に含まれる複数のマスク孔のなかの中央に位置するマスク孔と、１つの蒸着源とが互いに対向するように、かつ、他の１つのマスク領域に含まれる複数のマスク孔のなかの中央に位置するマスク孔と、他の１つの蒸着源とが互いに対向するように、蒸着用メタルマスクは配置される。
　上述した構成においては、１つの蒸着源から中央に位置するマスク孔に向けた方向と、１つの蒸着源から他のマスク孔に向けた方向とが、互いに異なる。しかも、蒸着源から放出される蒸着物質の量は、通常、蒸着源と対向する位置において最も大きく、かつ、上述した方向の範囲内においてばらつきを有する。そのため、マスク孔を通る蒸着物質の量が、蒸着用メタルマスク内においてばらつきを有し、これにより、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンの膜厚が、蒸着用メタルマスク内においてばらつきを有する。
　本発明は、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンにおける膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク内において向上させることを可能とした蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するための蒸着用メタルマスクは、複数のマスク孔を含むマスク領域を備える。前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含む。前記マスク領域は、前記各マスク孔の大開口を含む表面と、前記各マスク孔の小開口を含む裏面と、を備える。前記各マスク孔は、前記大開口を含み、前記小開口に向けて先細る形状を有した大孔と、前記小開口を含み、前記大開口に向けて先細る形状を有した小孔と、前記大孔と前記小孔とを接続する接続部とを含む。前記マスク領域の中央以外に位置する前記各接続部は、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される。前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域での前記第１ステップハイが、前記中央領域での前記第１ステップハイよりも小さい。
　上記課題を解決するための蒸着用メタルマスクの製造方法は、複数のマスク孔を含むマスク領域を備える蒸着用メタルマスクの製造方法である。前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含む。前記製造方法は、メタルマスク用基材の裏面から表面に向けて、前記各マスク孔に固有の小孔であって、前記裏面に開口する小開口を含むとともに前記表面に向けて先細る形状を有する前記小孔を形成することと、前記メタルマスク用基材の前記表面から前記裏面に向けて、前記各マスク孔に固有の大孔であって、前記表面に開口する大開口を含むとともに前記裏面に向けて先細る形状を有する前記大孔を形成し、それによって、前記小孔と前記大孔とが接続する接続部を形成することと、を含む。前記接続部を形成することは、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される前記各接続部を、前記マスク領域の前記中央以外に形成することを含む。前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイが、前記中央領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイよりも小さい。
　上記課題を解決するための表示装置の製造方法は、複数のマスク孔を含むマスク領域を備える蒸着用メタルマスクであって、前記マスク領域が、中央領域と端部領域とを備え、前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含む、前記蒸着用メタルマスクを形成することと、前記蒸着用メタルマスクを用いて蒸着対象に前記マスク孔ごとの蒸着パターンを形成することと、を含む表示装置の製造方法である。前記蒸着用メタルマスクを形成することは、メタルマスク用基材の裏面から表面に向けて、前記各マスク孔に固有の小孔であって、前記裏面に開口する小開口を含むとともに前記表面に向けて先細る形状を有する前記小孔を形成することと、前記メタルマスク用基材の前記表面から前記裏面に向けて、前記各マスク孔に固有の大孔であって、前記表面に開口する大開口を含むとともに前記裏面に向けて先細る形状を有する前記大孔を形成し、それによって、前記小孔と前記大孔とが接続する接続部を形成することと、を含む。前記接続部を形成することは、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される前記各接続部を前記マスク領域の前記中央以外に形成することを含む。前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイが、前記中央領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイよりも小さい。
　上記各構成によれば、蒸着用メタルマスクにおいて、１つのマスク領域と１つの蒸着源とが対向する場合であれ、複数のマスク領域に対して各別の蒸着源が対向する場合であれ、中央領域に含まれるマスク孔の第１部分は、端部領域に含まれるマスク孔の第１部分よりも、蒸着物質が通ることを抑える。そのため、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク内において向上させることができる。
　上記課題を解決するための蒸着用メタルマスクは、蒸着用メタルマスクが備える複数のマスク孔の全てによって１つのマスク領域が構成され、前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、前記端部領域は、前記マスク領域の端部と、複数の前記マスク孔とを含み、前記中央領域は、前記端部領域よりも前記マスク領域の中央側に位置し、かつ、前記端部領域に含まれる前記マスク孔とは異なるとともに、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含む。前記マスク領域は、前記各マスク孔の大開口を含む表面と、前記各マスク孔の小開口を含む裏面と、を備える。前記各マスク孔は、前記大開口を含み、前記小開口に向けて先細る形状を有した大孔と、前記小開口を含み、前記大開口に向けて先細る形状を有した小孔と、前記大孔と前記小孔とを接続する接続部とを含む。前記マスク領域の中央以外に位置する前記各接続部は、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される。前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域での前記第１ステップハイが、前記中央領域での前記第１ステップハイよりも小さい。
　上記構成によれば、マスク領域と対向する蒸着源が１つであれ複数であれ、マスク領域の端部を含む端部領域での第１ステップハイが、中央領域でのステップハイよりも小さいため、中央領域に含まれるマスク孔の第１部分は、端部領域に含まれるマスク孔の第１部分よりも、蒸着物質が通ることを抑える。それゆえに、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク内において向上させることができる。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記第２部分と前記裏面との間の距離が、第２ステップハイであり、前記各マスク孔において、前記第２ステップハイは、前記第１ステップハイ以上であってもよい。
　上記構成によれば、第１ステップハイが小さくなっても、第２ステップハイが第１ステップハイ以上であることで、蒸着用メタルマスクの強度が低くなることが抑えられる。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記表面と直交する断面における前記大孔の内周面が弧状を有し、前記断面における前記小孔の内周面が弧状を有してもよい。前記断面において、前記表面における法線のうち、前記大開口の中央を通る前記法線が大孔法線であり、前記小開口の中央を通る前記法線が小孔法線であり、前記各マスク孔に属する前記大孔法線は、同一の前記マスク孔に属する前記小孔法線と同じ位置、または、同一の前記マスク孔に属する前記小孔法線よりも前記マスク領域の中央寄りに位置し、同一の前記マスク孔に属する前記大孔法線と前記小孔法線との間の距離が、法線間距離である。前記端部領域での前記法線間距離が、前記中央領域での前記法線間距離よりも大きくてもよい。
　上記構成によれば、小孔に対する大孔の位置を変えるのみで、中央領域での第１ステップハイよりも端部領域での第１ステップハイを小さくすることができるため、蒸着用メタルマスクの設計が容易である。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記蒸着用メタルマスクは、複数の前記端部領域を備え、前記各端部領域は、前記マスク孔が並ぶ方向に沿って並び、複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きいほど、前記端部領域での前記法線間距離が大きくてもよい。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記蒸着用メタルマスクは、複数の前記端部領域を備え、前記各端部領域は、前記マスク孔が並ぶ方向に沿って並び、複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きい前記端部領域ほど、前記端部領域での前記第１ステップハイが小さくてもよい。
　上記各構成によれば、中央領域からの距離が小さい端部領域が含むマスク孔の第１部分ほど、その端部領域よりもマスク領域の端部側に位置する端部領域が含むマスク孔よりも、蒸着材料が通ることを抑える。そのため、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク内において向上させることができる。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記第２部分と前記裏面との間の距離が、第２ステップハイであり、複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きい前記端部領域ほど、前記端部領域での前記第２ステップハイが大きくてもよい。
　上記構成によれば、第２ステップハイが、中央領域からの距離が大きい端部領域ほど大きくなるため、第１ステップハイが小さくなることによる各端部領域における強度の低下を第２ステップハイによって補うことができる。
　上記蒸着用メタルマスクにおいて、前記端部領域は、前記マスク領域の前記端部を含む領域であってもよい。
　上記構成によれば、端部領域が、蒸着源から放出された蒸着物質が１つのマスク領域のなかで最も到達しにくい端部を含むため、端部領域での第１ステップハイを中央領域での第１ステップハイよりも小さくすることによる効果が得られやすい。
　本発明によれば、マスク孔ごとに形成される蒸着パターンにおける膜厚の均一性を高めることができる。
蒸着用メタルマスクの一実施形態における蒸着用メタルマスクの平面構造を示す平面図。 一実施形態におけるマスク部材の平面構造を示す平面図。 一実施形態におけるマスク部材の平面構造の一部を拡大して示す部分拡大平面図。 一実施形態における中央領域の断面構造における一部を拡大して示す部分拡大断面図。 一実施形態における第１右側領域の断面構造における一部を拡大して示す部分拡大断面図。 一実施形態における第５右側領域の断面構造における一部を拡大して示す部分拡大断面図。 蒸着用メタルマスクの作用を説明するための作用図。 蒸着用メタルマスクの作用を説明するための作用図。 蒸着用メタルマスクの製造方法の一実施形態におけるメタルマスク用基材にレジスト層を配置する工程を示す工程図。 一実施形態におけるレジストパターンを形成する工程を示す工程図。 一実施形態における小孔を形成する工程を示す工程図。 一実施形態における裏面保護層を形成する工程を示す工程図。 一実施形態における大孔を形成する工程を示す工程図。 変形例における第５右側領域の断面構造における一部を拡大して示す部分拡大断面図。
　図１から図１３を参照して、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法の一実施形態を説明する。以下では、蒸着用メタルマスクの構成、蒸着用メタルマスクの作用、蒸着用メタルマスクの製造方法、表示装置の製造方法、および、実施例を順に説明する。
　［蒸着用メタルマスクの構成］
　図１が示すように、マスク装置１０は、メインフレーム２０と、複数の蒸着用メタルマスク３０とを備えている。メインフレーム２０は、複数の蒸着用メタルマスク３０を支持する枠板状を有し、蒸着を行うための蒸着装置に取り付けられる。メインフレーム２０は、各蒸着用メタルマスク３０が取り付けられる部位のほぼ全体にわたり、メインフレーム２０を貫通するメインフレーム孔２０Ｈを有している。
　蒸着用メタルマスク３０は、サブフレーム３１と、例えば金属製のマスク部材３２とを備えている。サブフレーム３１は、１つのマスク部材３２を支持する枠板状を有し、メインフレーム２０に取り付けられている。各サブフレーム３１は、マスク部材３２が取り付けられる部位のほぼ全体にわたり、サブフレーム３１を貫通するサブフレーム孔３０Ｈを有している。各マスク部材３２は、サブフレーム孔３０Ｈの周囲に溶着や接着によって固定されている。マスク部材３２が有する平面構造の一例を、図２を参照して説明する。なお、蒸着用メタルマスク３０は、マスク部材３２がサブフレーム３１に固定された構成に限らず、マスク部材３２に相当するマスク部と、マスク部の周辺に位置する周辺部とを備え、マスク部と周辺部とが１つの金属板によって一体に形成される構成でもよい。
　図２が示すように、マスク部材３２はマスク領域３２Ｍを含み、マスク領域３２Ｍは複数のマスク孔を含んでいる。マスク領域３２Ｍは、中央領域３２Ｃと、マスク孔が並ぶ方向に沿って並ぶ複数の端部領域３２Ｅとから構成されている。中央領域３２Ｃは、マスク領域３２Ｍの中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数のマスク孔を含んでいる。各端部領域３２Ｅは、中央領域３２Ｃよりもマスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥ側に位置し、かつ、中央領域３２Ｃが含むマスク孔とは異なる複数のマスク孔を含んでいる。なお、マスク領域３２Ｍの外周部である縁部が矩形状を有し、マスク領域３２Ｍにおいて互いに対向する一対の辺の中央となる位置が、マスク領域３２Ｍの中央である。
　マスク領域３２Ｍにおいて、中央領域３２Ｃと複数の端部領域３２Ｅとが、区画方向に沿って区画されている。マスク領域３２Ｍでは、区画方向に沿う中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど蒸着源から離れている。言い換えれば、区画方向に沿う中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、その端部領域３２Ｅと蒸着源との距離、すなわち区画方向に沿う距離が大きい。
　マスク領域３２Ｍには、１０の端部領域３２Ｅが区画され、マスク領域３２Ｍにおいて、一方の端部３２ＭＥから数えて５番目の端部領域３２Ｅと６番目の端部領域３２Ｅとの間に、中央領域３２Ｃが位置している。
　１０の端部領域３２Ｅのうち、区画方向において中央領域３２Ｃよりも紙面の右側に位置する５つの端部領域３２Ｅが右側端部領域である。右側端部領域である各端部領域３２Ｅは、中央領域３２Ｃからの距離が小さい領域から順に、第１右側領域ＥＲ１、第２右側領域ＥＲ２、第３右側領域ＥＲ３、第４右側領域ＥＲ４、第５右側領域ＥＲ５である。
　１０の端部領域３２Ｅのうち、区画方向において中央領域３２Ｃよりも紙面の左側に位置する５つの端部領域３２Ｅが左側端部領域である。左側端部領域である各端部領域３２Ｅは、中央領域３２Ｃからの距離が小さい順に、第１左側領域ＥＬ１、第２左側領域ＥＬ２、第３左側領域ＥＬ３、第４左側領域ＥＬ４、第５左側領域ＥＬ５である。
　マスク領域３２Ｍにおける区画方向に沿う幅が第１幅Ｗ１であり、中央領域３２Ｃおよび複数の端部領域３２Ｅの各々における区画方向に沿う幅が第２幅Ｗ２である。中央領域３２Ｃおよび端部領域３２Ｅにおいて、第２幅Ｗ２は互いに等しい。なお、中央領域３２Ｃおよび端部領域３２Ｅには、第２幅Ｗ２が異なる領域が含まれてもよい。
　中央領域３２Ｃに含まれる全てのマスク孔、言い換えれば中央領域３２Ｃの全体は、蒸着装置が備える蒸着源と対向する。なお、中央領域３２Ｃに含まれる一部のマスク孔のみが、蒸着源と対向してもよい。
　一方で、各端部領域３２Ｅに含まれる複数のマスク孔、言い換えれば各端部領域３２Ｅは、蒸着源と対向する部分と、蒸着源と対向しない部分との少なくとも一方を含んでいる。すなわち、１つの端部領域３２Ｅが、蒸着源と対向するマスク孔のみを含んでもよいし、蒸着源と対向しないマスク孔のみを含んでもよいし、蒸着源と対向するマスク孔と、蒸着源と対向しないマスク孔との両方を含んでもよい。マスク部材３２が有する平面構造の一例における一部を拡大した構造を、図３を参照して説明する。
　図３が示すように、マスク領域３２Ｍは複数のマスク孔３２Ｈを含み、マスク領域３２Ｍのうち、蒸着源と対向する面とは反対側の面であって、蒸着対象と対向する面において、複数のマスク孔３２Ｈは、１つの方向に沿って等しい間隔を空けて並び、かつ、１つの方向と直交する方向に沿って等しい間隔を空けて並んでいる。すなわち、マスク領域３２Ｍにおいて、複数のマスク孔が格子状に並び、マスク部材３２は格子状を有している。中央領域３２Ｃおよび端部領域３２Ｅの各々は、格子状に並ぶ複数のマスク孔３２Ｈを含んでいる。なお、複数のマスク孔３２Ｈは、マスク領域３２Ｍにおいて千鳥状に並んでいてもよい。
　マスク部材３２は、鉄とニッケルとの合金を主成分とする金属シートであるメタルマスク用基材から形成される。メタルマスク用基材の形成材料は、３０質量％以上４５質量％以下のニッケルを含む鉄ニッケル合金であることが好ましく、なかでも、３６質量％のニッケルと６４質量％の鉄とを合金を主成分とすること、すなわちインバーであることがより好ましい。マスク部材３２の形成材料がインバーである場合には、マスク部材３２の熱膨張係数は、例えば１．２×１０－６／℃程度である。
　このような熱膨張係数を有するマスク部材３２であれば、マスク部材３２における熱膨張の度合いと、ガラス基板における熱膨張の度合いとが整合するため、インバーから形成されたマスク部材３２は、蒸着対象の一例としてガラス基板を用いる上で好ましい。
　マスク領域３２Ｍにおける中央領域３２Ｃが有する断面構造の一例を、図４を参照して説明し、端部領域３２Ｅが有する断面構造の一例を、図５および図６を参照して説明する。なお、以下では、端部領域３２Ｅが有する断面構造の一例として、第１右側領域ＥＲ１が有する断面構造の一例と、第５右側領域ＥＲ５が有する断面構造の一例とを説明し、その他の端部領域３２Ｅが有する断面構造の説明を省略する。
　また、図４から図６が示す断面構造はいずれも、図３におけるＩ－Ｉ線に沿う断面構造、言い換えれば区画方向に延びる線に沿う断面構造であるが、区画方向における位置が互いに異なっている。
　図４が示すように、マスク領域３２Ｍは、表面３２Ｆと、表面３２Ｆとは反対側の面である裏面３２Ｒとを備えている。表面３２Ｆは、各マスク孔３２Ｈの大開口３２Ｈ１を含み、裏面３２Ｒは、各マスク孔３２Ｈの小開口３２Ｈ２を含んでいる。表面３２Ｆと対向する平面視において、大開口３２Ｈ１が区画する領域は、小開口３２Ｈ２が区画する領域よりも大きい。
　各マスク孔３２Ｈは、大孔３２ＨＢ、小孔３２ＨＳ、および、大孔３２ＨＢと小孔３２ＨＳとを接続する接続部３２ＨＣを含んでいる。このうち、大孔３２ＨＢは大開口３２Ｈ１を含み、小開口３２Ｈ２に向けて先細る形状を有し、小孔３２ＨＳは小開口３２Ｈ２を含み、大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有している。
　より詳しくは、大孔３２ＨＢは、表面３２Ｆと平行な方向に沿う断面積が、表面３２Ｆから裏面３２Ｒに向けて単調減少する形状を有し、かつ、表面３２Ｆと直交する断面において、大孔３２ＨＢの内周面ＨＢ１が弧状を有している。また、小孔３２ＨＳは、表面３２Ｆと平行な方向に沿う断面積が、裏面３２Ｒから表面３２Ｆに向けて単調減少する形状を有し、かつ、表面３２Ｆと直交する断面において、小孔３２ＨＳの内周面ＨＳ１が弧状を有している。
　すなわち、大孔３２ＨＢの区画する領域の大きさは、表面３２Ｆから裏面３２Ｒに向けて単調減少し、かつ、小孔３２ＨＳの区画する領域の大きさは、裏面３２Ｒから表面３２Ｆに向けて単調減少する。そのため、マスク孔３２Ｈの区画する領域の大きさは、接続部３２ＨＣにおいて最も小さくなる。
　中央領域３２Ｃにおいて、各接続部３２ＨＣは、マスク孔３２Ｈの全周にわたりマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る形状を有している。中央領域３２Ｃに含まれる複数のマスク孔３２Ｈのうち、マスク領域３２Ｍの中央以外に位置するマスク孔３２Ｈの接続部３２ＨＣは、マスク領域３２Ｍの中央寄りの部分である第１部分ＨＣ１と、マスク領域３２Ｍの端部寄りの部分である第２部分ＨＣ２とから構成されている。
　なお、蒸着用メタルマスク３０は、マスク領域３２Ｍの中央に位置する接続部３２ＨＣを含むマスク孔３２Ｈを有してもよい。マスク領域３２Ｍの中央に位置する接続部３２ＨＣも、他の接続部３２ＨＣと同様、マスク孔３２Ｈの全周にわたりマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る形状を有している。
　マスク孔３２Ｈにおいて、第１部分ＨＣ１と裏面３２Ｒとの間の距離が、第１ステップハイＳＨ１であり、第２部分ＨＣ２と裏面３２Ｒとの間の距離が、第２ステップハイＳＨ２である。中央領域３２Ｃに位置する各マスク孔３２Ｈにおいて、第１ステップハイＳＨ１と第２ステップハイＳＨ２とは、互いにほぼ等しい大きさである。中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１および第２ステップハイＳＨ２の各々は、例えば３μｍ以下であることが好ましい。
　表面３２Ｆと直交する断面において、第１部分ＨＣ１の突出量、すなわち、第１部分ＨＣ１が小開口３２Ｈ２よりも内側に突き出た量が第１ステップ幅ＳＷ１である。表面３２Ｆと直交する断面において、第２部分ＨＣ２の突出量、すなわち、第２部分ＨＣ２が小開口３２Ｈ２よりも内側に突き出た量が第２ステップ幅ＳＷ２である。中央領域３２Ｃに位置する各マスク孔３２Ｈにおいて、第１ステップ幅ＳＷ１と第２ステップ幅ＳＷ２とは、互いにほぼ等しい大きさである。中央領域３２Ｃでの第１ステップ幅ＳＷ１および第２ステップ幅ＳＷ２の各々は、例えば、１．５μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。
　表面３２Ｆと直交する断面において、表面３２Ｆにおける法線のうち、大開口３２Ｈ１の中央を通る法線が大孔法線ＮＢであり、小開口３２Ｈ２の中央を通る法線が小孔法線ＮＳである。中央領域３２Ｃに含まれる各マスク孔３２Ｈにおいて、同一のマスク孔３２Ｈに属する大孔法線ＮＢの位置と小孔法線ＮＳの位置とが互いにほぼ等しい。すなわち、１つのマスク孔３２Ｈにおいて、マスク孔３２Ｈが並ぶ方向に沿う大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとの間の距離が法線間距離ＮＤであり、中央領域３２Ｃでの法線間距離ＮＤがゼロである。
　図５が示すように、第１右側領域ＥＲ１に含まれる各マスク孔３２Ｈは、中央領域３２Ｃに含まれる各マスク孔３２Ｈと同様、大孔３２ＨＢ、小孔３２ＨＳ、および、接続部３２ＨＣを含んでいる。大孔３２ＨＢは、小開口３２Ｈ２に向けて先細る形状を有し、小孔３２ＨＳは、大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有している。
　接続部３２ＨＣは、中央領域３２Ｃに含まれる各マスク孔３２Ｈと同様、マスク孔３２Ｈの全周にわたりマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る形状を有し、第１部分ＨＣ１と第２部分ＨＣ２とから構成されている。第１右側領域ＥＲ１において、第２ステップハイＳＨ２は、第１ステップハイＳＨ１よりも大きい。
　また、第１右側領域ＥＲ１での第１ステップハイＳＨ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さい。第１右側領域ＥＲ１での第２ステップハイＳＨ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップハイＳＨ２よりも大きい。
　第１右側領域ＥＲ１での第１ステップ幅ＳＷ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップ幅ＳＷ１よりも小さい。また、第１右側領域ＥＲ１での第２ステップ幅ＳＷ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップ幅ＳＷ２よりも大きい。
　表面３２Ｆと直交する断面において、各マスク孔３２Ｈに属する大孔法線ＮＢは、同一のマスク孔３２Ｈに属する小孔法線ＮＳよりも中央寄りに位置している。第１右側領域ＥＲ１での法線間距離ＮＤは、中央領域３２Ｃでの法線間距離ＮＤよりも大きい。
　図６が示すように、第５右側領域ＥＲ５に含まれる各マスク孔３２Ｈは、中央領域３２Ｃに含まれる各マスク孔３２Ｈと同様、大孔３２ＨＢ、小孔３２ＨＳ、および、接続部３２ＨＣを含んでいる。大孔３２ＨＢは、小開口３２Ｈ２に向けて先細る形状を有し、小孔３２ＨＳは、大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有している。
　接続部３２ＨＣは、中央領域３２Ｃに含まれる各マスク孔３２Ｈと同様、マスク孔３２Ｈの全周にわたりマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る形状を有し、第１部分ＨＣ１と第２部分ＨＣ２とから構成されている。第５右側領域ＥＲ５において、第１ステップハイＳＨ１はゼロであり、第２ステップハイＳＨ２は第１ステップハイＳＨ１よりも大きい。
　第５右側領域ＥＲ５での第１ステップハイＳＨ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さく、かつ、第１右側領域ＥＲ１での第１ステップハイＳＨ１よりも小さい。これに対して、第５右側領域ＥＲ５での第２ステップハイＳＨ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップハイＳＨ２よりも大きく、かつ、第１右側領域ＥＲ１での第２ステップハイＳＨ２よりも大きい。
　第５右側領域ＥＲ５での第１ステップ幅ＳＷ１はゼロであり、中央領域３２Ｃでの第１ステップ幅ＳＷ１よりも小さく、かつ、第１右側領域ＥＲ１での第１ステップ幅ＳＷ１よりも小さい。これに対して、第５右側領域ＥＲ５での第２ステップ幅ＳＷ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップ幅ＳＷ２よりも大きく、かつ、第１右側領域ＥＲ１での第２ステップ幅ＳＷ２よりも大きい。
　表面３２Ｆと直交する断面において、各マスク孔３２Ｈに属する大孔法線ＮＢは、同一のマスク孔３２Ｈに属する小孔法線ＮＳよりも中央寄りに位置し、かつ、法線間距離ＮＤは、中央領域３２Ｃでの法線間距離ＮＤ、および、第１右側領域ＥＲ１での法線間距離ＮＤの双方よりも大きい。
　上述したように、大孔３２ＨＢが小開口３２Ｈ２に向けて先細る形状を有し、小孔３２ＨＳが大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有し、かつ、大孔３２ＨＢの内周面ＨＢ１と小孔３２ＨＳの内周面ＨＳ１との双方が弧状を有している。そのため、１つのマスク孔３２Ｈに固有の小孔３２ＨＳにおける小孔法線ＮＳと、同一のマスク孔３２Ｈに固有の大孔３２ＨＢにおける大孔法線ＮＢとの間の距離を変えることで、各マスク孔３２Ｈでの第１ステップハイＳＨ１の大きさ、および、第２ステップハイＳＨ２の大きさを変えることができる。
　しかも、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとが重ならないマスク孔３２Ｈでは、第１ステップハイＳＨ１と第２ステップハイＳＨ２とのうち、大孔法線ＮＢからの距離が小さいステップハイを、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとが一致するマスク孔３２Ｈでの大きさよりも小さくすることができる。これに対して、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとが重ならないマスク孔３２Ｈでは、第１ステップハイＳＨ１と第２ステップハイＳＨ２とのうち、大孔法線ＮＢからの距離が大きいステップハイを、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとが一致するマスク孔３２Ｈでの大きさよりも大きくすることができる。
　そして、表面３２Ｆと直交する断面において、法線間距離ＮＤが、小開口３２Ｈ２の幅における１／２を超えない範囲であれば、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとの法線間距離ＮＤが大きいほど、大孔法線ＮＢからの距離が小さいステップハイを小さくし、かつ、大孔法線ＮＢからの距離が大きいステップハイを大きくすることができる。
　こうした理由から、図６を用いて先に説明したマスク孔３２Ｈでの第１ステップハイＳＨ１は、図５を用いて先に説明したマスク孔３２Ｈでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さくなる。また、図６を用いて先に説明したマスク孔３２Ｈでの第２ステップハイＳＨ２は、図５を用いて先に説明したマスク孔３２Ｈでの第２ステップハイＳＨ２よりも大きくなる。
　こうしたマスク部材３２では、小孔３２ＨＳに対する大孔３２ＨＢの位置を変えるのみで、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１を小さくすることができるため、蒸着用メタルマスク３０の設計が容易である。
　また、第１ステップ幅ＳＷ１および第２ステップ幅ＳＷ２についても、第１ステップハイＳＨ１および第２ステップハイＳＨ２と同様、法線間距離ＮＤが大きいほど、大孔法線ＮＢからの距離が小さいステップ幅を小さくし、かつ、大孔法線ＮＢからの距離が大きいステップ幅を大きくすることができる。
　なお、図示されていないが、第２右側領域ＥＲ２でのマスク孔３２Ｈの形状、第３右側領域ＥＲ３でのマスク孔３２Ｈの形状、および、第４右側領域ＥＲ４でのマスク孔３２Ｈの形状は、大孔、小孔、および、接続部を有する点で、中央領域３２Ｃでのマスク孔３２Ｈの形状にほぼ等しい。
　ただし、各右側端部領域でのマスク孔３２Ｈの形状は、以下の点で、中央領域３２Ｃでのマスク孔３２Ｈの形状とは異なっている。すなわち、第２右側領域ＥＲ２での法線間距離ＮＤ、第３右側領域ＥＲ３での法線間距離ＮＤ、および、第４右側領域ＥＲ４での法線間距離ＮＤは、中央領域３２Ｃでの法線間距離ＮＤよりも大きく、かつ、第５右側領域ＥＲ５での法線間距離ＮＤよりも小さい。加えて、第２右側領域ＥＲ２での法線間距離ＮＤ、第３右側領域ＥＲ３での法線間距離ＮＤ、および、第４右側領域ＥＲ４での法線間距離ＮＤは、この順に大きくなる。
　言い換えれば、蒸着用メタルマスク３０は、マスク孔３２Ｈが並ぶ方向に沿って並ぶ複数の端部領域３２Ｅを備えている。そして、複数の端部領域３２Ｅにおいて、中央領域３２Ｃからの距離が大きいほど、各端部領域３２Ｅでの法線間距離ＮＤが大きい。
　これにより、第２右側領域ＥＲ２での第１ステップハイＳＨ１、第３右側領域ＥＲ３での第１ステップハイＳＨ１、および、第４右側領域ＥＲ４での第１ステップハイＳＨ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さくなり、かつ、第５右側領域ＥＲ５での第１ステップハイＳＨ１よりも大きくなる。加えて、第２右側領域ＥＲ２での第１ステップハイＳＨ１、第３右側領域ＥＲ３での第１ステップハイＳＨ１、および、第４右側領域ＥＲ４での第１ステップハイＳＨ１は、記載の順に小さくなる。
　言い換えれば、蒸着用メタルマスク３０は、マスク孔３２Ｈが並ぶ方向に沿って並ぶ複数の端部領域３２Ｅを備えている。そして、複数の端部領域３２Ｅにおいて、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が小さい。
　これにより、中央領域３２Ｃからの距離が小さい端部領域３２Ｅが含むマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１ほど、その端部領域３２Ｅよりもマスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥ側に位置する端部領域３２Ｅが含むマスク孔３２Ｈよりも、蒸着物質ＤＭがマスク孔３２Ｈを通ることを抑える。そのため、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　また、第２右側領域ＥＲ２での第２ステップハイＳＨ２、第３右側領域ＥＲ３での第２ステップハイＳＨ２、および、第４右側領域ＥＲ４での第２ステップハイＳＨ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップハイＳＨ２よりも大きくなり、かつ、第５右側領域ＥＲ５での第２ステップハイＳＨ２よりも小さくなる。加えて、第２右側領域ＥＲ２での第２ステップハイＳＨ２、第３右側領域ＥＲ３での第２ステップハイＳＨ２、および、第４右側領域ＥＲ４での第２ステップハイＳＨ２は、記載の順に大きくなる。
　言い換えれば、蒸着用メタルマスク３０における複数の端部領域３２Ｅにおいて、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、端部領域３２Ｅでの第２ステップハイＳＨ２が大きい。
　上述したように、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が小さくなるため、接続部３２ＨＣの第１部分ＨＣ１では、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、第１部分ＨＣ１の強度が低くなる。これに対して、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、端部領域３２Ｅでの第２ステップハイＳＨ２が大きくなるため、接続部３２ＨＣの第２部分ＨＣ２では、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、第２部分ＨＣ２の強度が高くなる。そのため、各端部領域３２Ｅにおいて、第１部分ＨＣ１での強度の低下を第２部分ＨＣ２の強度によって補うことができる。
　しかも、各右側端部領域での第２ステップハイＳＨ２は、同一の右側端部領域での第１ステップハイＳＨ１よりも大きい。このように、マスク部材３２では、第１ステップハイＳＨ１が小さくなっても、第２ステップハイＳＨ２が第１ステップハイＳＨ１以上であることで、蒸着用メタルマスク３０の強度が低くなることが抑えられる。
　また、第２右側領域ＥＲ２での第１ステップ幅ＳＷ１、第３右側領域ＥＲ３での第１ステップ幅ＳＷ１、および、第４右側領域ＥＲ４での第１ステップ幅ＳＷ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップ幅ＳＷ１よりも小さくなり、かつ、第５右側領域ＥＲ５での第１ステップ幅ＳＷ１よりも大きくなる。加えて、第２右側領域ＥＲ２での第１ステップ幅ＳＷ１、第３右側領域ＥＲ３での第１ステップ幅ＳＷ１、および、第４右側領域ＥＲ４での第１ステップ幅ＳＷ１は、記載の順に小さくなる。
　また、第２右側領域ＥＲ２での第２ステップ幅ＳＷ２、第３右側領域ＥＲ３での第２ステップ幅ＳＷ２、および、第４右側領域ＥＲ４での第２ステップ幅ＳＷ２は、中央領域３２Ｃでの第２ステップ幅ＳＷ２よりも大きくなり、かつ、第５右側領域ＥＲ５での第２ステップ幅ＳＷ２よりも小さくなる。加えて、第２右側領域ＥＲ２での第２ステップ幅ＳＷ２、第３右側領域ＥＲ３での第２ステップ幅ＳＷ２、および、第４右側領域ＥＲ４での第２ステップ幅ＳＷ２は記載の順に大きくなる。
　なお、マスク部材３２の表面３２Ｆにおける法線であって、マスク部材３２の中央を通る法線を対称軸とする場合に、上述した５つの左側端部領域は、５つの右側領端部域と線対称の関係を有している。そのため、左側端部領域についての詳細な説明を省略する。
　［蒸着用メタルマスクの作用］
　図７および図８を参照して、蒸着用メタルマスク３０の作用を説明する。なお、図８では、図示の便宜上、蒸着用メタルマスク３０の備えるマスク部材３２のみが示され、また、マスク部材３２に含まれるマスク孔３２Ｈの大きさが誇張されている。蒸着用メタルマスク３０は、例えば、有機ＥＬ表示装置が備える発光素子を構成する有機層を形成するために用いられる。
　図７が示すように、マスク装置１０を用いた成膜が行われるときには、まず、マスク部材３２の裏面３２Ｒが蒸着対象Ｓと接する状態で、マスク装置１０が、蒸着装置の備えるステージに固定される。蒸着装置は１つの蒸着源ＥＳを備え、マスク装置１０は、マスク領域３２Ｍの中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔が蒸着源ＥＳと対向するように、ステージに固定される。
　蒸着装置では、蒸着装置における蒸着源ＥＳの位置が固定されている一方で、蒸着源ＥＳに対するステージの位置が変わる。ステージは、例えば、蒸着源ＥＳの中心を通り、かつ、１次元方向に沿って延びる直線上に沿って移動することが可能であり、これにより、各マスク部材３２の中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈが、蒸着源ＥＳと対向することができる。
　そして、蒸着源ＥＳが蒸着物質の放出を開始し、次いで、ステージが１次元方向に沿って移動することによって、１次元方向に沿って移動している蒸着対象Ｓには、マスク部材３２が含むマスク孔３２Ｈを通った蒸着物質が到達する。これにより、蒸着対象Ｓには、複数の蒸着パターンが形成される。
　なお、蒸着装置は、蒸着装置におけるステージの位置が固定される一方で、ステージに対する蒸着源ＥＳの位置が変わる構成であってもよい。こうした構成では、蒸着源ＥＳが、各マスク部材３２における中央領域３２Ｃを通り、かつ、１次元方向に沿って延びる直線上に沿って移動することが可能であればよい。
　図８が示すように、各マスク部材３２の中央領域３２Ｃと蒸着源ＥＳとが対向する状態では、蒸着源ＥＳから放出された蒸着物質ＤＭであって、中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈに向けて飛行する蒸着物質ＤＭの飛行方向は、マスク部材３２の表面３２Ｆにおける法線方向にほぼ沿う方向である。
　これに対して、中央領域３２Ｃよりもマスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥ側に向けて飛行する蒸着物質ＤＭの飛行方向では、マスク領域３２Ｍの中央と蒸着物質ＤＭの飛行する位置との間の距離が大きいほど、法線方向からのずれが大きくなる。より詳しくは、マスク領域３２Ｍの中央と蒸着物質ＤＭの飛行する位置との間の距離が大きいほど、蒸着物質ＤＭの飛行方向と法線方向とが形成する角度が大きくなる。
　ここで、蒸着源ＥＳから放出される蒸着物質ＤＭの量は、通常、蒸着源ＥＳと対向する位置において最も大きく、かつ、蒸着物質ＤＭが放出される範囲においてばらつきを有している。しかも、法線方向と飛行方向との形成する角度が大きくなるほど、蒸着源ＥＳと対向するマスク孔と、それ以外のマスク孔との間において、蒸着物質ＤＭの量の差が大きくなる。そのため、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚におけるマスク孔３２Ｈ間でのばらつきを抑える上では、蒸着対象Ｓのなかで、蒸着源ＥＳと対向する部位に到達する蒸着物質ＤＭの量を減らすことが好ましい。
　マスク孔３２Ｈでは、小孔３２ＨＳが大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有しているため、第１ステップハイＳＨ１および第２ステップハイＳＨ２が大きいほど、接続部３２ＨＣがマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る量が大きくなる。これにより、マスク部材３２の表面３２Ｆに向けて飛行する蒸着物質ＤＭから蒸着対象を見たときに、マスク部材３２によって不要な陰となる部分が大きくなる。言い換えれば、マスク部材３２によるシャドウ効果が大きくなる。そして、シャドウ効果が大きくなるほど、蒸着物質ＤＭがマスク孔３２Ｈを通過することが、接続部３２ＨＣによって抑えられる。
　そのため、蒸着用メタルマスク３０の備えるマスク部材３２によれば、中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１は、端部領域３２Ｅに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１よりも、蒸着物質ＤＭが通ることを抑える。それゆえに、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　言い換えれば、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚におけるマスク孔３２Ｈ間でのばらつきを抑える上では、法線方向に対するずれがより小さい飛行方向でマスク孔３２Ｈに向けて飛行する蒸着物質ＤＭにマスク孔３２Ｈを通過させることが好ましい。
　上述したマスク部材３２によれば、端部領域３２Ｅに含まれるマスク孔３２Ｈには、法線方向に対するずれがより小さい飛行方向で飛行する蒸着物質ＤＭが到達する。そのため、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　蒸着用メタルマスク３０が、蒸着パターンの一例として発光素子を構成する有機層を形成するために用いられるときには、有機層の膜厚における均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることで、複数の発光素子において、発光素子が発する光の光量における均一性を向上することができる。結果として、表示装置の表示品質を向上させることができる。
　これに対して、マスク孔ごとに形成される有機層の膜厚が、蒸着用メタルマスク内においてばらつきを有していると、表示装置では、複数の発光素子が発する光の光量においてばらつきが生じる。
　このように、蒸着用メタルマスク３０を用いて形成される蒸着パターンを備える表示装置の製造方法は、蒸着用メタルマスク３０を形成することと、蒸着用メタルマスク３０を用いて蒸着対象Ｓに蒸着パターンを形成することと、を含んでいる。
　［蒸着用メタルマスクの製造方法］
　図９から図１３を参照して、蒸着用メタルマスク３０の製造方法を説明する。なお、以下では、蒸着用メタルマスク３０の製造方法のうち、マスク部材３２を形成する工程を説明する。また、図９から図１３では、図示の便宜上、中央領域３２Ｃに対応する部分に１つのマスク孔３２Ｈを形成する工程と、第１右側領域ＥＲ１に対応する部分に１つのマスク孔３２Ｈを形成する工程とが示されている。
　蒸着用メタルマスク３０の製造方法では、中央領域３２Ｃと端部領域３２Ｅとを含むマスク部材３２を形成する。中央領域３２Ｃは、上述したように、複数のマスク孔３２Ｈを含むマスク領域３２Ｍの中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数のマスク孔３２Ｈを含んでいる。端部領域３２Ｅは、これも上述したように、中央領域３２Ｃよりもマスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥ側に位置し、かつ、中央領域３２Ｃが含むマスク孔３２Ｈとは異なる複数のマスク孔３２Ｈを含んでいる。
　図９が示すように、マスク部材３２を形成するときには、まず、表面４１Ｆと裏面４１Ｒとを含むメタルマスク用基材４１を準備する。メタルマスク用基材４１の厚さは、例えば１０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。
　そして、メタルマスク用基材４１の表面４１Ｆに第１レジスト層４２を配置し、かつ、メタルマスク用基材４１の裏面４１Ｒに第２レジスト層４３を配置する。第１レジスト層４２および第２レジスト層４３の形成材料は、ネガ型レジストであるが、ポジ型レジストであってもよい。
　なお、各面に対するレジスト層の配置は、ドライフィルムレジストを各面に貼り付けることによって行ってもよいし、レジスト材料を含む塗液を各面に塗布し、かつ、塗液を乾燥させることによって各面にレジスト層を形成することによって行ってもよい。
　図１０が示すように、各レジスト層のうち、貫通孔を形成する部位以外の部分を露光し、露光後の各レジスト層を現像する。これによって、第１レジスト層４２に第１貫通孔４２Ｈを形成し、かつ、第２レジスト層４３に第２貫通孔４３Ｈを形成する。言い換えれば、第１レジスト層４２をパターニングして、第１レジストパターン４２Ｐを形成し、第２レジスト層４３をパターニングして、第２レジストパターン４３Ｐを形成する。
　このとき、各レジスト層において、中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈを形成するための部分では、以下のように各レジスト層がパターニングされる。すなわち、表面４１Ｆと直交する断面において、表面４１Ｆの法線であって、第１貫通孔４２Ｈにおける開口の中心を通る第１法線Ｎ１と、表面４１Ｆの法線であって、第２貫通孔４３Ｈにおける開口の中心を通る第２法線Ｎ２とが一致するように、各レジスト層がパターニングされる。
　一方で、各レジスト層において、第１右側領域ＥＲ１に含まれるマスク孔３２Ｈを形成するための部分では、メタルマスク用基材４１におけるマスク部材３２に対応する領域のなかで、第１法線Ｎ１が第２法線Ｎ２よりも中央寄りに位置するように、各レジスト層がパターニングされる。
　各レジスト層を露光するときには、各レジスト層においてメタルマスク用基材４１に接する面とは反対側の面に、貫通孔を形成する部分以外の部分に光を到達させるように構成された原版を載せる。また、露光後の各レジスト層を現像するときには、現像液として、例えば炭酸ナトリウム水溶液を用いることができる。なお、各レジスト層の形成材料がポジ型レジストであるときには、各レジスト層のうち、貫通孔を形成する部分を露光すればよい。
　図１１が示すように、メタルマスク用基材４１の裏面４１Ｒから表面４１Ｆに向けて、裏面４１Ｒに開口する小開口４１Ｈ２を含み、表面４１Ｆに向けて先細る形状を有するとともに、各マスク孔３２Ｈに固有の小孔４１ＨＳを形成する。
　小孔４１ＨＳを形成する工程では、第２レジストパターン４３Ｐをマスクとして、例えば塩化第二鉄液を用いて、メタルマスク用基材４１を裏面４１Ｒから表面４１Ｆに向けてエッチングする。このとき、第１レジストパターン４２Ｐには、メタルマスク用基材４１の表面４１Ｆが裏面４１Ｒと同時にエッチングされないように、表面保護層４４を形成する。表面保護層４４の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。
　図１２が示すように、メタルマスク用基材４１の裏面４１Ｒに位置する第２レジストパターン４３Ｐと、第１レジストパターン４２Ｐに接する表面保護層４４とを取り除く。また、メタルマスク用基材４１の裏面４１Ｒに、裏面４１Ｒのエッチングを防ぐための裏面保護層４５を形成する。裏面保護層４５の形成材料は、塩化第二鉄液によってエッチングされにくい材料であればよい。
　図１３が示すように、メタルマスク用基材４１の表面４１Ｆから裏面４１Ｒに向けて、表面４１Ｆに開口する大開口４１Ｈ１を含み、裏面４１Ｒに向けて先細る形状を有するとともに、各マスク孔３２Ｈに固有の大孔４１ＨＢを形成する。これによって、小孔４１ＨＳと大孔４１ＨＢとが接続する接続部４１ＨＣを形成する。なお、メタルマスク用基材４１の小孔４１ＨＳがマスク部材３２の小孔３２ＨＳに対応し、メタルマスク用基材４１の大孔４１ＨＢがマスク部材３２の大孔３２ＨＢに対応し、メタルマスク用基材４１の接続部４１ＨＣがマスク部材３２の接続部３２ＨＣに対応する。
　接続部４１ＨＣを形成することでは、マスク領域３２Ｍの中央以外に位置する各接続部４１ＨＣとして、以下の形状を有した接続部４１ＨＣを形成する。すなわち、接続部４１ＨＣは、マスク孔３２Ｈの全周にわたりマスク孔３２Ｈの内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、マスク領域３２Ｍの中央寄りの部分である第１部分ＨＣ１と、マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥ寄りの部分である第２部分ＨＣ２とから構成される。
　また、第１部分ＨＣ１と裏面４１Ｒとの間の距離が、第１ステップハイＳＨ１であり、接続部４１ＨＣを形成することでは、端部領域３２Ｅの一例である第１右側領域ＥＲ１での接続部４１ＨＣとして、第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さい接続部４１ＨＣを形成する。
　接続部４１ＨＣを形成する工程では、第１レジストパターン４２Ｐをマスクとして、例えば塩化第二鉄液を用いてメタルマスク用基材４１の表面４１Ｆをエッチングする。これによって、メタルマスク用基材４１の表面４１Ｆに、第１レジストパターン４２Ｐの第１貫通孔４２Ｈを介して、裏面４１Ｒに向けて窪む大孔４１ＨＢを形成する。
　上述したように、各レジスト層において、中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈを形成するための部分では、第１法線Ｎ１と第２法線Ｎ２とが一致する。一方で、第１右側領域ＥＲ１に含まれるマスク孔３２Ｈを形成するための部分では、メタルマスク用基材４１におけるマスク部材３２に対応する領域のなかで、第１法線Ｎ１が第２法線Ｎ２よりも中央寄りに位置している。
　そのため、中央領域３２Ｃに含まれる１つのマスク孔３２Ｈに固有の大孔４１ＨＢおよび小孔４１ＨＳでは、大孔法線ＮＢと小孔法線ＮＳとが一致するように、大孔４１ＨＢが形成される。なお、メタルマスク用基材４１の大孔４１ＨＢにおける大孔法線ＮＢは、マスク部材３２の大孔３２ＨＢにおける大孔法線ＮＢに対応し、メタルマスク用基材４１の小孔４１ＨＳにおける小孔法線ＮＳは、マスク部材３２の小孔３２ＨＳにおける小孔法線ＮＳに対応する。
　一方で、第１右側領域ＥＲ１に含まれる１つのマスク孔３２Ｈに固有の大孔４１ＨＢおよび小孔４１ＨＳでは、メタルマスク用基材４１のうち、マスク部材３２に対応する領域のなかで、大孔法線ＮＢが小孔法線ＮＳよりも中央寄りに位置するように、大孔４１ＨＢが形成される。
　これにより、第１右側領域ＥＲ１に含まれるマスク孔３２Ｈとして、第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さいマスク孔３２Ｈを形成することができる。また、第１右側領域ＥＲ１に含まれるマスク孔３２Ｈとして、法線間距離ＮＤが、第１レジストパターン４２Ｐにおける第１法線Ｎ１と第２法線Ｎ２との間の距離とほぼ等しいマスク孔３２Ｈを形成することができる。
　そして、裏面保護層４５と第１レジストパターン４２Ｐとをメタルマスク用基材４１から取り除くことによって、上述した蒸着用メタルマスク３０が備えるマスク部材３２を得ることができる。
　なお、第１レジストパターン４２Ｐのうち、第１右側領域ＥＲ１以外の右側端部領域に含まれるマスク孔を形成するための部分では、各右側端部領域での法線間距離ＮＤに応じて、第１レジストパターン４２Ｐにおける第１法線Ｎ１と、第２レジストパターン４３Ｐにおける第２法線Ｎ２との間の距離を設定すればよい。また、第１レジストパターン４２Ｐのうち、各左側端部領域に含まれるマスク孔を形成するための部分では、各左側端部領域での法線間距離ＮＤに応じて、第１レジストパターン４２Ｐにおける第１法線Ｎ１と、第２レジストパターン４３Ｐにおける第２法線Ｎ２との間の距離を設定すればよい。
　［実施例］
　［実施例１］
　形成材料がインバーであり、かつ、３０μｍの厚さを有するメタルマスク用基材を準備し、上述した第１幅Ｗ１が４４０ｍｍであり、かつ、第２幅Ｗ２が４０ｍｍであるマスク部材を形成した。マスク部材には、複数のマスク孔を形成した。各マスク孔の接続部において、複数の端部領域が区画される区画方向における幅を４０μｍに設定し、区画方向と直交する方向における幅を５０μｍに設定した。また、マスク部材において複数のマスク孔を正方格子状に配置し、マスク孔の位置するピッチ、すなわち小孔の位置するピッチを８０μｍに設定した。
　メタルマスク用基材に複数のマスク孔を形成するための第１レジストパターンおよび第２レジストパターンとして、以下のようなレジストパターンを形成した。すなわち、第２レジストパターンとして、小孔を形成するための第２貫通孔が一定の間隔で並ぶレジストパターンを形成した。
　これに対して、第１レジストパターンとして、中央領域に含まれるマスク孔を形成するための部分、および、各端部領域に含まれるマスク孔を形成するための部分において、第２貫通孔に対する第１貫通孔の位置が互いに異なるように、第１貫通孔を形成した。より詳しくは、中央領域に含まれるマスク孔を形成するための部分には、メタルマスク用基材の表面と直交する断面において、上述した第１法線と第２法線とが一致するように、第１貫通孔を形成した。
　また、第１右側領域および第１左側領域の各々に含まれるマスク孔を形成するための部分には、第１法線と第２法線との間の距離が１μｍになるように、第１貫通孔を形成した。第２右側領域および第２左側領域の各々に含まれるマスク孔を形成するための部分には、第１法線と第２法線との間の距離が２μｍになるように、第１貫通孔を形成した。
　第３右側領域および第３左側領域の各々に含まれるマスク孔を形成するための部分には、第１法線と第２法線との間の距離が３μｍになるように、第１貫通孔を形成した。第４右側領域および第４左側領域の各々に含まれるマスク孔を形成するための部分には、第１法線と第２法線との間の距離が４μｍになるように、第１貫通孔を形成した。第５右側領域および第５左側領域の各々に含まれるマスク孔を形成するための部分には、第１法線と第２法線との間の距離が５μｍになるように、第１貫通孔を形成した。これにより、各領域には、以下の表１および表２に示す寸法を有したマスク孔が形成された。
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Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表１が示すように、中央領域のうち、マスク領域の中央以外の部位には、法線間距離が０μｍであり、第１ステップハイが２．７μｍであり、第２ステップハイが２．７μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第１右側領域には、法線間距離が１μｍであり、第１ステップハイが２．２μｍであり、第２ステップハイが３．０μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。
　第２右側領域には、法線間距離が２μｍであり、第１ステップハイが１．７μｍであり、第２ステップハイが３．３μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第３右側領域には、法線間距離が３μｍであり、第１ステップハイが１．２μｍであり、第２ステップハイが３．５μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。
　第４右側領域には、法線間距離が４μｍであり、第１ステップハイが０．７μｍであり、第２ステップハイが３．８μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第５右側領域には、法線間距離が５μｍであり、第１ステップハイが０．１μｍであり、第２ステップハイが４．０μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。
　表２が示すように、第１左側領域には、法線間距離が１μｍであり、第１ステップハイが２．３μｍであり、第２ステップハイが２．９μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第２左側領域には、法線間距離が２μｍであり、第１ステップハイが１．８μｍであり、第２ステップハイが３．３μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。
　第３左側領域には、法線間距離が３μｍであり、第１ステップハイが１．３μｍであり、第２ステップハイが３．６μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第４左側領域には、法線間距離が４μｍであり、第１ステップハイが０．７μｍであり、第２ステップハイが３．８μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。第５左側領域には、法線間距離が５μｍであり、第１ステップハイが０．１μｍであり、第２ステップハイが４．０μｍであるマスク孔が形成されることが認められた。
　すなわち、マスク部材の表面と直交する断面において、マスク部材の中央からの距離が大きい端部領域ほど法線間距離を大きくすることで、マスク部材の中央からの距離が大きい端部領域ほど第１ステップハイを小さくすることができることが認められた。
　そして、こうしたマスク部材をサブフレームに取り付けることによって蒸着用メタルマスクを形成した後、蒸着用メタルマスクをメインフレームに取り付けることによって、実施例１のマスク装置を得た。
　［比較例１］
　第１レジストパターンとして、大孔を形成するための第１貫通孔が一定の間隔で並び、かつ、各大孔と接続する１つの小孔に対する大孔の位置が一定である第１レジストパターンを形成した以外は、実施例１と同じ方法によって比較例１のマスク装置を形成した。これにより、マスク部材として、各マスク孔における法線間距離がゼロである複数のマスク孔を含むマスク部材を得た。
　［評価結果］
　実施例１のマスク装置を蒸着装置に取り付け、所定の条件で複数の蒸着パターンを形成し、また、比較例１のマスク装置を蒸着装置に取り付け、実施例１を用いたときと同じ条件で複数の蒸着パターンを形成した。
　実施例１のマスク装置を用いて形成した複数の蒸着パターンと、比較例１のマスク装置を用いて形成した複数の蒸着パターンとにおいて、複数の蒸着パターン間での膜厚のばらつきを算出した。これにより、実施例１のマスク装置を用いて形成した複数の蒸着パターンでの膜厚のばらつきは、比較例１のマスク装置を用いて形成した複数の蒸着パターンでの膜厚のばらつきよりも小さい傾向を有することが認められた。
　以上説明したように、蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法の一実施形態によれば、以下に列挙する効果を得ることができる。
　（１）中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１は、端部領域３２Ｅに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１よりも、蒸着物質ＤＭが通ることを抑える。そのため、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　（２）第１ステップハイＳＨ１が小さくなっても、第２ステップハイＳＨ２が第１ステップハイＳＨ１以上であることで、蒸着用メタルマスク３０の強度が低くなることが抑えられる。
　（３）小孔３２ＨＳに対する大孔３２ＨＢの位置を変えるのみで、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１を小さくすることができるため、蒸着用メタルマスク３０の設計が容易である。
　（４）中央領域３２Ｃからの距離が小さい端部領域３２Ｅが含むマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１ほど、その端部領域３２Ｅよりもマスク領域３２Ｍの端部側に位置する端部領域３２Ｅが含むマスク孔３２Ｈよりも、蒸着物質ＤＭが通ることを抑える。そのため、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　（５）中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、端部領域３２Ｅでの第２ステップハイＳＨ２が大きくなるため、各端部領域３２Ｅにおいて、第１部分ＨＣ１での強度の低下を第２部分ＨＣ２の強度によって補うことができる。
　なお、上述した実施形態は、以下のように適宜変更して実施することもできる。
　・複数の端部領域３２Ｅにおける第５右側領域ＥＲ５では、マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥを含む領域での第１ステップハイＳＨ１は、ゼロでなくてもよい。こうした構成であっても、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、その端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が小さければ、上述した（４）と同等の効果を得ることはできる。
　・中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１と第２ステップハイＳＨ２とは互いに異なる大きさであってもよい。こうした構成であっても、中央領域３２Ｃからの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、その端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が小さければ、上述した（４）と同等の効果を得ることはできる。また、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければ、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・各領域での第１ステップ幅ＳＷ１および第２ステップ幅ＳＷ２の各々は、上述した実施形態にて例示した大きさに限らず、各領域での第１ステップハイＳＨ１および第２ステップハイＳＨ２の大きさに応じて定まる大きさであればよい。
　・マスク領域３２Ｍにおいて、マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥを含む領域のみが端部領域３２Ｅであってもよく、マスク領域３２Ｍには、中央領域３２Ｃと端部領域３２Ｅとに挟まれる領域であって、中央領域３２Ｃと端部領域３２Ｅとのいずれでもない領域が含まれてもよい。この場合には、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さい一方で、中央領域３２Ｃと端部領域３２Ｅとの間の領域での第１ステップハイＳＨ１は、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さくなくてもよい。
　こうした構成によれば、以下に記載の効果を得ることはできる。
　（６）端部領域３２Ｅが、蒸着源ＥＳから放出された蒸着物質ＤＭが１つのマスク領域３２Ｍのなかで最も到達しにくい端部３２ＭＥを含むため、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１を中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さくすることによる効果が得られやすい。
　・マスク領域３２Ｍが複数の端部領域３２Ｅを備える構成は、マスク領域３２Ｍの中央からの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、第１ステップハイＳＨ１が小さい構成でなくてもよい。例えば、マスク領域３２Ｍの中央からの距離が大きい端部領域３２Ｅほど、第１ステップハイＳＨ１が大きい構成であってもよい。また例えば、マスク領域３２Ｍの中央寄りにおける端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が、端部３２ＭＥ寄りにおける端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１よりも大きくてもよい。
　これらの構成であっても、各端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイよりも小さければ、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・マスク領域３２Ｍは、１０の端部領域３２Ｅを備える構成に限らず、少なくとも１つの端部領域３２Ｅを備える構成であればよい。また、マスク領域３２Ｍにおいて、中央領域３２Ｃの右側に位置する端部領域３２Ｅの数と、中央領域３２Ｃの左側に位置する端部領域３２Ｅの数とが互いに異なってもよい。
　・複数の端部領域３２Ｅにおいて、各端部領域３２Ｅでの法線間距離ＮＤが互いに等しくてもよいし、複数の端部領域３２Ｅにおいて、マスク部材３２の中央からの距離が大きいほど、法線間距離ＮＤが小さくてもよい。こうした構成であっても、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければ、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・大孔３２ＨＢが小開口３２Ｈ２に向けて先細る形状を有してれば、大孔３２ＨＢの内周面ＨＢ１は弧状でなくてもよい。また、小孔３２ＨＳが大開口３２Ｈ１に向けて先細る形状を有していれば、小孔３２ＨＳの内周面ＨＳ１は弧状でなくてもよい。この場合には、大孔３２ＨＢの内周面ＨＢ１と小孔３２ＨＳの内周面ＨＳ１との両方が弧状でなくてもよいし、いずれか一方が弧状でなくてもよい。
　・各端部領域３２Ｅにおいて、第２ステップハイＳＨ２と第１ステップハイＳＨ１とが互いに等しくてもよい。また、中央領域３２Ｃおよび各端部領域３２Ｅにおいて、第２ステップハイＳＨ２は第１ステップハイＳＨ１よりも小さくてもよい。こうした構成であっても、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければ、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　・メタルマスク用基材４１の形成材料、ひいては、マスク部材３２の形成材料は、鉄とニッケルとの合金であって、かつ、添加物としてクロムを含んでもよい。あるいは、メタルマスク用基材４１の形成材料、および、マスク部材３２の形成材料は、鉄とニッケルとの合金以外の合金、あるいは、金属であってもよい。
　・メタルマスク用基材４１は、母材の圧延によって得られた金属シートであってもよいし、電解によって形成された金属シートであってもよい。
　・マスク部材３２を形成するためのメタルマスク用基材４１は、単一の金属製の層に加えて、樹脂製の層を備え、金属製の層と樹脂製の層とが積層された構成でもよい。あるいは、メタルマスク用基材４１は、２つの金属製の層と樹脂製の層とを備え、樹脂製の層が２つの金属製の層によって挟まれた構成を有してもよい。
　こうした構成であっても、各マスク孔が、小開口に向けて先細る大孔、大開口に向けて先細る小開口、大孔と小孔とが接続する接続部とを含み、かつ、端部領域での第１ステップハイが、中央領域での第１ステップハイよりも小さければよい。こうした構成であれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。なお、メタルマスク用基材のうち、樹脂製の層は、例えばレーザー光線を照射することによってエッチングすることができる。
　・マスク部材３２は、マスク領域３２Ｍに加えて、マスク孔の形成されていない領域である非マスク領域を含んでもよい。例えば、マスク部材３２は、複数のマスク孔３２Ｈが並ぶ方向において、２つの端部における双方に非マスク領域を１つずつ有してもよい。
　・蒸着装置が複数の蒸着源ＥＳを備え、１つの蒸着用メタルマスク３０が複数の蒸着源ＥＳと対向する構成では、１つのマスク部材３２が複数のマスク領域３２Ｍを含んでもよい。こうした構成では、各マスク領域３２Ｍが中央領域３２Ｃと端部領域３２Ｅとを有していればよい。そして、各マスク領域３２Ｍにおいて、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければ、上述した（１）と同等の効果をマスク領域３２Ｍごとに得ることはできる。
　なお、１つの蒸着用メタルマスク３０が複数のマスク領域３２Ｍを含む構成においても、各マスク領域３２Ｍが複数の端部領域３２Ｅを有してもよいし、各マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥを含む領域として端部領域３２Ｅを備えてもよい。
　・蒸着用メタルマスクが備える複数のマスク孔の全てによって１つのマスク領域３２Ｍが構成され、かつ、端部領域３２Ｅおよび中央領域３２Ｃがそれぞれ以下の構成であってもよい。すなわち、端部領域３２Ｅは、マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥを含み、かつ、複数のマスク孔３２Ｈを含む。一方で、中央領域３２Ｃは、端部領域３２Ｅよりもマスク領域３２Ｍの中央側に位置し、かつ、端部領域３２Ｅに含まれるマスク孔３２Ｈとは異なるとともに、蒸着源ＥＳと対向するための複数のマスク孔３２Ｈを含む。
　こうした構成では、蒸着装置が１つの蒸着源ＥＳのみを備える構成であれば、蒸着用メタルマスク３０が１つの蒸着源ＥＳのみと対向する。これに対して、蒸着装置が複数の蒸着源ＥＳを備える構成であれば、蒸着用メタルマスク３０が、複数の蒸着源ＥＳと対向するように、蒸着装置に配置されてもよい。蒸着用メタルマスク３０が１つの蒸着源ＥＳのみと対向するとき、マスク領域３２Ｍは１つの中央領域３２Ｃを備える一方で、蒸着用メタルマスク３０が複数の蒸着源ＥＳと対向するとき、マスク領域３２Ｍは複数の中央領域３２Ｃを備えている。
　いずれの場合であっても、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければ、以下に記載の効果を得ることはできる。
　（７）マスク領域３２Ｍと対向する蒸着源ＥＳが１つであれ複数であれ、マスク領域３２Ｍの端部３２ＭＥを含む端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さい。そのため、中央領域３２Ｃに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１は、端部領域３２Ｅに含まれるマスク孔３２Ｈの第１部分ＨＣ１よりも、蒸着物質ＤＭが通ることを抑える。それゆえに、マスク孔３２Ｈごとに形成される蒸着パターンの膜厚の均一性を蒸着用メタルマスク３０内において向上させることができる。
　・１つの蒸着用メタルマスク３０は、複数のマスク部材３２を備えてもよい。こうした構成では、サブフレーム３１は、マスク部材３２と同数のサブフレーム孔３０Ｈを有していればよい。このとき、蒸着装置が１つの蒸着源を備える構成であれば、複数のマスク部材３２が１つのマスク領域３２Ｍを構成している。また、蒸着装置が複数の蒸着源を備え、かつ、蒸着用メタルマスクが、複数の蒸着源に対して１つのマスク領域３２Ｍを有する構成であれば、複数のマスク部材３２が１つのマスク領域３２Ｍを構成している。
　これに対して、蒸着装置が複数の蒸着源を備え、かつ、蒸着用メタルマスクが、１つの蒸着源ごとに１つのマスク領域を有する構成であれば、各マスク部材３２が１つのマスク領域を構成してもよいし、各マスク部材３２が複数のマスク領域を構成してもよい。あるいは、１つのマスク領域３２Ｍが複数のマスク部材３２に跨ってもよい。
　・図１４が示すように、各マスク孔３２Ｈにおける大孔３２ＨＢと、マスク孔３２Ｈが並ぶ方向において互いに隣り合うマスク孔３２Ｈの大孔３２ＨＢとは、大開口３２Ｈ１において互いに繋がっていてもよい。こうした構成であっても、各マスク孔３２Ｈが、小開口３２Ｈ２に向けて先細る大孔３２ＨＢ、大開口３２Ｈ１に向けて先細る小孔３２ＨＳ、大孔３２ＨＢと小孔３２ＨＳとが接続する接続部３２ＨＣを含み、かつ、端部領域３２Ｅでの第１ステップハイＳＨ１が、中央領域３２Ｃでの第１ステップハイＳＨ１よりも小さければよい。こうした構成であれば、上述した（１）と同等の効果を得ることはできる。
　なお、図１４には、マスク領域３２Ｍのうち、第５右側領域ＥＲ５の断面構造を示しているが、マスク領域３２Ｍにおける他の領域、すなわち、中央領域３２Ｃおよび他の端部領域３２Ｅにおいても、第５右側領域ＥＲ５と同様、互いに隣り合う大孔３２ＨＢが、大開口３２Ｈ１において互いに繋がっていてもよい。
　１０…マスク装置、２０…メインフレーム、２０Ｈ…メインフレーム孔、３０…蒸着用メタルマスク、３０Ｈ…サブフレーム孔、３１…サブフレーム、３２…マスク部材、３２Ｃ…中央領域、３２Ｅ…端部領域、３２Ｆ，４１Ｆ…表面、３２Ｈ…マスク孔、３２Ｈ１，４１Ｈ１…大開口、３２Ｈ２，４１Ｈ２…小開口、３２ＨＢ，４１ＨＢ…大孔、３２ＨＣ，４１ＨＣ…接続部、３２ＨＳ，４１ＨＳ…小孔、３２Ｍ…マスク領域、３２ＭＥ…端部、３２Ｒ，４１Ｒ…裏面、４１…メタルマスク用基材、４２…第１レジスト層、４２Ｈ…第１貫通孔、４２Ｐ…第１レジストパターン、４３…第２レジスト層、４３Ｈ…第２貫通孔、４３Ｐ…第２レジストパターン、４４…表面保護層、４５…裏面保護層、ＤＭ…蒸着物質、ＥＬ１…第１左側領域、ＥＬ２…第２左側領域、ＥＬ３…第３左側領域、ＥＬ４…第４左側領域、ＥＬ５…第５左側領域、ＥＲ１…第１右側領域、ＥＲ２…第２右側領域、ＥＲ３…第３右側領域、ＥＲ４…第４右側領域、ＥＲ５…第５右側領域、ＥＳ…蒸着源、ＨＢ１，ＨＳ１…内周面、ＨＣ１…第１部分、ＨＣ２…第２部分、Ｎ１…第１法線、Ｎ２…第２法線、ＮＢ…大孔法線、ＮＤ…法線間距離、ＮＳ…小孔法線、Ｓ…蒸着対象、ＳＨ１…第１ステップハイ、ＳＨ２…第２ステップハイ、ＳＷ１…第１ステップ幅、ＳＷ２…第２ステップ幅。

Claims (10)

  1. 　複数のマスク孔を含むマスク領域を備え、
    　前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、
    　前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、
    　前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含み、
    　前記マスク領域は、
    　前記各マスク孔の大開口を含む表面と、
    　前記各マスク孔の小開口を含む裏面と、を備え、
    　前記各マスク孔は、
    　前記大開口を含み、前記小開口に向けて先細る形状を有した大孔と、
    　前記小開口を含み、前記大開口に向けて先細る形状を有した小孔と、
    　前記大孔と前記小孔とを接続する接続部とを含み、
    　前記マスク領域の中央以外に位置する前記各接続部は、
    　前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成され、
    　前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域での前記第１ステップハイが、前記中央領域での前記第１ステップハイよりも小さい
    　蒸着用メタルマスク。
  2. 　蒸着用メタルマスクが備える複数のマスク孔の全てによって１つのマスク領域が構成され、
    　前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、
    　前記端部領域は、前記マスク領域の端部と、複数の前記マスク孔とを含み、
    　前記中央領域は、前記端部領域よりも前記マスク領域の中央側に位置し、かつ、前記端部領域に含まれる前記マスク孔とは異なるとともに、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、
    　前記マスク領域は、
    　前記各マスク孔の大開口を含む表面と、
    　前記各マスク孔の小開口を含む裏面と、を備え、
    　前記各マスク孔は、
    　前記大開口を含み、前記小開口に向けて先細る形状を有した大孔と、
    　前記小開口を含み、前記大開口に向けて先細る形状を有した小孔と、
    　前記大孔と前記小孔とを接続する接続部とを含み、
    　前記マスク領域の中央以外に位置する前記各接続部は、
    　前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成され、
    　前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域での前記第１ステップハイが、前記中央領域での前記第１ステップハイよりも小さい
    　蒸着用メタルマスク。
  3. 　前記第２部分と前記裏面との間の距離が、第２ステップハイであり、
    　前記各マスク孔において、前記第２ステップハイは、前記第１ステップハイ以上である
    　請求項１または２に記載の蒸着用メタルマスク。
  4. 　前記表面と直交する断面における前記大孔の内周面が弧状を有し、
    　前記断面における前記小孔の内周面が弧状を有し、
    　前記断面において、前記表面における法線のうち、前記大開口の中央を通る前記法線が大孔法線であり、前記小開口の中央を通る前記法線が小孔法線であり、
    　前記各マスク孔に属する前記大孔法線は、同一の前記マスク孔に属する前記小孔法線と同じ位置、または、同一の前記マスク孔に属する前記小孔法線よりも前記マスク領域の中央寄りに位置し、同一の前記マスク孔に属する前記大孔法線と前記小孔法線との間の距離が、法線間距離であり、
    　前記端部領域での前記法線間距離が、前記中央領域での前記法線間距離よりも大きい
    　請求項１から３のいずれか一項に記載の蒸着用メタルマスク。
  5. 　前記蒸着用メタルマスクは、複数の前記端部領域を備え、
    　前記各端部領域は、前記マスク孔が並ぶ方向に沿って並び、
    　複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きいほど、前記端部領域での前記法線間距離が大きい
    　請求項４に記載の蒸着用メタルマスク。
  6. 　前記蒸着用メタルマスクは、複数の前記端部領域を備え、
    　前記各端部領域は、前記マスク孔が並ぶ方向に沿って並び、
    　複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きい前記端部領域ほど、前記端部領域での前記第１ステップハイが小さい
    　請求項１または２に記載の蒸着用メタルマスク。
  7. 　前記第２部分と前記裏面との間の距離が、第２ステップハイであり、
    　複数の前記端部領域において、前記中央領域からの距離が大きい前記端部領域ほど、前記端部領域での前記第２ステップハイが大きい
    　請求項６に記載の蒸着用メタルマスク。
  8. 　前記端部領域は、前記マスク領域の前記端部を含む領域である
    　請求項１に記載の蒸着用メタルマスク。
  9. 　複数のマスク孔を含むマスク領域を備える蒸着用メタルマスクの製造方法であって、前記マスク領域は中央領域と端部領域とを備え、前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含み、前記製造方法は、
    　メタルマスク用基材の裏面から表面に向けて、前記各マスク孔に固有の小孔であって、前記裏面に開口する小開口を含むとともに前記表面に向けて先細る形状を有する前記小孔を形成することと、
    　前記メタルマスク用基材の前記表面から前記裏面に向けて、前記各マスク孔に固有の大孔であって、前記表面に開口する大開口を含むとともに前記裏面に向けて先細る形状を有する前記大孔を形成し、それによって、前記小孔と前記大孔とが接続する接続部を形成することと、を含み、
    　前記接続部を形成することは、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される各接続部を、前記マスク領域の前記中央以外に形成することを含み、
    　前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイが、前記中央領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイよりも小さい
    　蒸着用メタルマスクの製造方法。
  10. 　複数のマスク孔を含むマスク領域を備える蒸着用メタルマスクであって、前記マスク領域が、中央領域と端部領域とを備え、前記中央領域は、前記マスク領域の中央を含み、かつ、蒸着源と対向するための複数の前記マスク孔を含み、前記端部領域は、前記中央領域よりも前記マスク領域の端部側に位置し、かつ、前記中央領域に含まれる前記マスク孔とは異なる複数の前記マスク孔を含む、前記マスク領域を備える前記蒸着用メタルマスクを形成することと、
    　前記蒸着用メタルマスクを用いて蒸着対象に前記マスク孔ごとの蒸着パターンを形成することと、を含む表示装置の製造方法であって、
    　前記蒸着用メタルマスクを形成することは、
    　メタルマスク用基材の裏面から表面に向けて、前記各マスク孔に固有の小孔であって、前記裏面に開口する小開口を含むとともに前記表面に向けて先細る形状を有する前記小孔を形成することと、
    　前記メタルマスク用基材の前記表面から前記裏面に向けて、前記各マスク孔に固有の大孔であって、前記表面に開口する大開口を含むとともに前記裏面に向けて先細る形状を有する前記大孔を形成し、それによって、前記小孔と前記大孔とが接続する接続部を形成することと、を含み、
    　前記接続部を形成することは、前記マスク孔の全周にわたり前記マスク孔の内側に向けて突き出る形状を有し、かつ、前記マスク領域の中央寄りの部分である第１部分と、前記マスク領域の端部寄りの部分である第２部分とから構成される各接続部を、前記マスク領域の前記中央以外に形成することを含み、
    　前記第１部分と前記裏面との間の距離が、第１ステップハイであり、前記端部領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイが、前記中央領域に形成される前記接続部の前記第１ステップハイよりも小さい
    　表示装置の製造方法。
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