WO2014069049A1 - 成膜マスク - Google Patents

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水村　通伸
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株式会社ブイ・テクノロジー
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    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks

Definitions

  • the present invention relates to a film formation mask, and more particularly, to a film formation mask that enables the deposition of a thin film pattern having a uniform thickness by eliminating the influence of the deposition shadow caused by the edge of the opening through which the deposition material passes on the film formation. It is concerned.
  • a conventional film formation mask is formed of three metal layers including a thin opening pattern forming layer, a relatively thick support layer, and a bonding layer for bonding the opening pattern forming layer and the support layer.
  • the support layer and the bonding layer were etched to form through openings that penetrate each of these layers (see, for example, Patent Document 1).
  • the opening pattern forming layer and the support layer are etched using separate resist patterns, the opening pattern forming layer is provided with an opening pattern having a minimum width, and the supporting layer has a larger width than the opening pattern. A hole was provided.
  • the opening pattern is a through-hole without considering the influence on the film formation of the shadow of vapor deposition determined by the thickness of the support layer and the maximum incident angle of the vapor deposition material on the mask surface. Therefore, when the alignment of each resist pattern that forms the opening pattern and the through hole is shifted, a part of the opening pattern is covered with the shadow portion of the deposition, and the film thickness is uniform on the substrate. There was a possibility that a thin film pattern could not be formed.
  • An object of the present invention is to provide a film formation mask.
  • a film formation mask is a film formation mask for forming a thin film pattern by depositing a vapor deposition material on a substrate, and is formed at a position corresponding to the thin film pattern.
  • a thin plate-like magnetic metal member provided with a through-hole having a larger dimension than the thin-film pattern, and a close contact with one surface of the magnetic metal member, the position corresponding to the thin-film pattern in the through-hole
  • the film-forming mask according to the second invention is a film-forming mask for forming a plurality of thin-film patterns by depositing a deposition material on a substrate and arranging them at a constant arrangement pitch, and the same arrangement as the thin-film pattern.
  • a thin plate-like magnetic metal member provided with a through hole having a larger dimension than the thin film pattern arranged in a pitch, and provided in close contact with one surface of the magnetic metal member, corresponding to the thin film pattern in the through hole
  • the width of the opening pattern formation region in the same direction as the arrangement direction of the through holes is at least the width of the opening pattern in the same direction as the arrangement direction of the through holes. It is desirable to be equal to a value obtained by adding a double value of the positional deviation allowable value.
  • the width in the alignment direction of the through holes is the width of the area of the shadow of vapor deposition in the same direction as the alignment direction of the through holes to the width of the opening pattern formation region in the same direction as the alignment direction of the through holes. It is desirable to be equal to a value obtained by adding a double value of.
  • the magnetic metal member may be nickel, nickel alloy, invar, or invar alloy.
  • the film may be polyimide.
  • one end face of a frame-like frame provided with an opening having a size including the through hole is joined to a peripheral area of one face of the magnetic metal member.
  • the present invention it is possible to deposit a thin film pattern having a uniform thickness by eliminating the influence of the deposition shadow caused by the edge of the through hole of the magnetic metal member on the film formation. Therefore, for example, when the organic EL layer of the organic EL display panel is formed by vapor deposition, the organic EL layer having a uniform film thickness can be formed, and uniform light emission characteristics can be obtained over the entire display panel.
  • FIG. 2 is a view as seen from an arrow A in which a partial cross section of FIG. It is process drawing explaining manufacture of the film-forming mask by this invention, and is sectional drawing which shows the process before opening pattern formation. It is sectional drawing explaining the formation process of the said opening pattern, and shows the case where there is no misalignment with the reference
  • FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a film-forming mask according to the present invention
  • FIG. 2 is an enlarged view of a part of FIG.
  • This film formation mask is for depositing a vapor deposition material on a substrate and arranging it at a constant arrangement pitch to form a plurality of thin film patterns, and includes a magnetic metal member 1, a film 2, and a frame 3. It is configured.
  • the magnetic metal member 1 is in the form of a thin plate (sheet) made of a magnetic metal material such as nickel, nickel alloy, invar or invar alloy having a thickness of about 30 ⁇ m to 50 ⁇ m, and is arranged at the same arrangement pitch as the thin film pattern.
  • a through hole 4 having a larger shape than the pattern is provided.
  • a film 2 is provided in close contact with one surface of the magnetic metal member 1.
  • This film 2 is a resin film that transmits visible light such as polyimide or polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of about 10 ⁇ m to 30 ⁇ m, and corresponds to a thin film pattern in the through hole 4 of the magnetic metal member 1.
  • An opening pattern 5 having the same shape and dimension as the thin film pattern is formed at the position.
  • the opening pattern 5 is a shadow region of vapor deposition determined by the thickness t of the magnetic metal member 1 and the maximum incident angle ⁇ of the vapor deposition material on the surface of the film 2 in the through hole 4.
  • 6 is formed in the opening pattern forming region 7 surrounded by (t ⁇ tan ⁇ ).
  • the width W1 of the opening pattern forming region 7 in the same direction as the arrangement direction of the through holes 4 is at least the same as the arrangement direction of the through holes 4 (X direction). It is desirable to be equal to the value (W2 + 2 ⁇ ) obtained by adding the double value of the positional deviation allowable value ⁇ of the opening pattern 5 in the same direction to the width W2 of the opening pattern 5 in the direction. That is, it is desirable that W1 ⁇ (W2 + 2 ⁇ ).
  • the width W1 in the X direction of the opening pattern formation region 7 is a value obtained by adding a double value of the positional deviation allowable value ⁇ of the opening pattern 5 in the same direction to at least the width W2 of the opening pattern 5 in the X direction ( In order to make the width equal to W2 + 2 ⁇ ), at least one of the thickness t of the magnetic metal member 1 and the width W3 in the adjacent direction (X direction) of the portion between the adjacent through holes 4 of the magnetic metal member 1 Adjust one.
  • the thickness t of the magnetic metal member 1 is set to a thickness that can secure sufficient rigidity, and is then surrounded by the shadowing shadow region 6.
  • the width W3 in the X direction of the portion between the adjacent through holes 4 of the magnetic metal member 1 is preferably determined so that the width W1 in the X direction of the opening pattern forming region 7 is equal to (W2 + 2 ⁇ ).
  • the opening pattern forming region It is preferable to determine the thickness t of the magnetic metal member 1 and adjust the width of the shadow region 6 of the vapor deposition so that the width W1 in the X direction 7 is equal to at least (W2 + 2 ⁇ ).
  • a frame-like frame 3 provided with an opening 8 (see FIG. 3D) having a size including a plurality of through holes 4 is joined to the peripheral region of one surface of the magnetic metal member 1 by joining one end surface 3a. Is provided.
  • the frame 3 supports the stretched magnetic metal member 1 and the film 2 and is made of invar or invar alloy having a thickness of several mm to several tens of mm and a small thermal expansion coefficient.
  • Opening width of opening pattern 5 stripe pattern: W2 ⁇ Pitch of opening pattern 5: P -Tolerable value of positional deviation of the opening pattern 5: ⁇
  • liquid polyimide is spray-coated on one surface of a magnetic metal member 1 made of a sheet-like invar having a thickness t, and then dried to form a polyimide film 2 having a uniform thickness (FIG. 3A). reference).
  • the photoresist is exposed using, for example, a photomask having an opening in a portion where the through hole 4 is to be formed.
  • development is performed to form a resist mask 10 having an opening 9 in a portion where the through hole 4 is to be formed (see FIG. 3B).
  • the magnetic metal member 1 is etched using the resist mask 10.
  • stripe-shaped through holes 4 having a width W4 reaching the surface of the film 2 are formed at the arrangement pitch P in the magnetic metal member 1 (see FIG. 3C).
  • the etching solution to be used is appropriately selected according to the material of the magnetic metal member 1.
  • the portion of the film 2 corresponding to the peripheral region of the magnetic metal member 1 is removed by laser processing to expose the peripheral region of the magnetic metal member 1, and then the magnetic metal member 1 with the film 2 is removed.
  • the frame 3 is stretched over one end surface 3a of the frame-shaped frame 3, and the peripheral edge of the magnetic metal member 1 and one end surface 3a of the frame 3 are spot welded to join the frame 3 to the magnetic metal member 1 (FIG. 3D). reference).
  • the magnetic metal member 1 with the film 2 provided with the through holes 4 is positioned and placed on a reference substrate 12 on which a reference pattern 11 to be a target for forming the opening pattern 5 is formed in advance.
  • the film 2 is placed on the reference substrate 12 so as to be on the reference substrate 12 side (see FIG. 3E).
  • the reference substrate 12 may be configured such that the surface 12a on which the reference pattern 11 is formed is on the lower side, and the film 2 is brought into close contact with the surface 12b opposite to the surface 12a.
  • the film 2 corresponding to the reference pattern 11 is irradiated with the laser beam L using, for example, an excimer laser having a wavelength of 400 nm or less, for example, KrF248 nm, and the film 2 is laser processed.
  • a stripe-shaped opening pattern 5 having a width W2 is formed on the film 2 (see FIGS. 4A and 4B).
  • the reference pattern 11 is imaged in advance by an imaging camera, the position of the reference pattern 11 is detected, and the reference substrate 12 side and a laser processing apparatus (not shown) are relatively moved based on the detection result to move the laser beam. After positioning L on the reference pattern 11, laser processing of the film 2 is performed.
  • FIGS. 4A and 4B show a case where there is no positional deviation in the alignment between the reference substrate 12 and the magnetic metal member 1.
  • the opening pattern 5 is formed at the center of the through hole 4 of the magnetic metal member 1, and naturally, the influence of the shadow of the vapor deposition can be eliminated during the vapor deposition.
  • the position of the opening pattern 5 formed by laser processing is the same.
  • the magnetic metal member 1 is formed to be shifted from the center of the through hole 4 in the X direction by a maximum ⁇ .
  • the width W4 of the through hole 4 of the magnetic metal member 1 is formed to be (W2 + 2 ⁇ + 2t ⁇ tan ⁇ )
  • the opening pattern 5 is It is formed in the region surrounded by the shadow region 6 of the vapor deposition, and the influence of the vapor deposition shadow on the film formation during the vapor deposition can be eliminated.
  • the film forming mask for forming the thin film patterns by arranging them at a constant arrangement pitch has been described.
  • the present invention is not limited to this, and the arrangement of the thin film patterns may be irregular.
  • the opening pattern 5 of the film formation mask is surrounded by the deposition shadow region 6 determined by the thickness of the magnetic metal member 1 and the maximum incident angle ⁇ of the deposition material on the surface of the film 2 in the through hole 4. If it is provided in the opening pattern formation region 7, it is possible to eliminate the influence of the shadow of the vapor deposition on the film formation during vapor deposition, and a thin film pattern having a uniform thickness can be formed.

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Abstract

　本発明は、基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための成膜マスクであって、前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔４を設けた薄板状の磁性金属部材１と、前記磁性金属部材１の一面に密接して設けられ、前記貫通孔４内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターン５を形成した可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、を備え、前記開口パターン５は、前記貫通孔４内にて前記磁性金属部材１の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域６によって囲まれた開口パターン形成領域７内に設けられているものである。

Description

成膜マスク
　本発明は、成膜マスクに関し、特に蒸着材料が通過する開口の縁部によって生ずる蒸着の影が成膜に与える影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を可能にする成膜マスクに係るものである。
　従来の成膜マスクは、薄い開口パターン形成層と、比較的厚い支持層と、該開口パターン形成層と支持層を接合する接合層とからなる３層の金属層で形成され、開口パターン形成層と支持層と接合層とをエッチングしてこれら各層を貫く貫通開口を形成したものとなっていた（例えば、特許文献１参照）。
　この場合、開口パターン形成層と支持層とは、別々のレジストパターンを使用してエッチングされ、開口パターン形成層に最小の幅の開口パターンを設け、支持層には開口パターンよりも幅の大きい貫通孔が設けられていた。
特開２００４－１８３０２４号公報
　しかし、このような従来の成膜マスクにおいて、開口パターンは、支持層の厚みと蒸着材料のマスク面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の成膜への影響を考慮することなく貫通孔内に形成されるため、開口パターン及び貫通孔を形成する各レジストパターンのアライメントがずれた場合には、開口パターンの一部が上記蒸着の影の部分にかかって、基板上に膜厚の均一な薄膜パターンを形成することができないおそれがあった。
　そこで、本発明は、このような問題点に対処し、蒸着材料が通過する開口の縁部によって生ずる蒸着の影が成膜に与える影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を可能にする成膜マスクを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、第１の発明による成膜マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための成膜マスクであって、前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、を備え、前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられているものである。
　また、第２の発明による成膜マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するための成膜マスクであって、前記薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、を備え、前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられているものである。
　この場合、好ましくは、前記開口パターン形成領域の前記貫通孔の並び方向と同方向の幅は、少なくとも前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターンの幅に、同方向の前記開口パターンの位置ずれ許容値の２倍値を加算した値に等しいのが望ましい。
　より好ましくは、前記貫通孔の並び方向の幅は、前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターン形成領域の幅に前記貫通孔の並び方向と同方向の前記蒸着の影の領域の幅の２倍値を加算した値に等しいのが望ましい。
　前記磁性金属部材は、ニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金であるのがよい。
　また、前記フィルムは、ポリイミドであるとよい。
　さらに、好ましくは、前記貫通孔を内包する大きさの開口を設けた枠状のフレームの一端面を前記磁性金属部材の一面の周縁領域に接合して備えるのが望ましい。
　本発明によれば、磁性金属部材の貫通孔の縁部によって生じる蒸着の影が成膜に与える影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を行うことができる。したがって、例えば有機ＥＬ表示パネルの有機ＥＬ層を蒸着により形成するとき、膜厚の均一な有機ＥＬ層を形成することができ、表示パネル全面に亘って均一な発光特性を得ることができる。
本発明による成膜マスクの実施形態を示す斜視図である。 図１の一部断面を拡大すると共に上下を反転して示すＡ矢視図である。 本発明による成膜マスクの製造について説明する工程図であり、開口パターン形成前までの工程を示す断面図である。 上記開口パターンの形成工程を説明する断面図であり、本発明の成膜マスクの磁性金属部材と開口パターンの形成目標を設けた基準基板とのアライメントずれが無い場合を示す。 上記開口パターンの形成工程を説明する断面図であり、本発明の成膜マスクの磁性金属部材と開口パターンの形成目標を設けた基準基板とのアライメントずれが許容範囲内で生じている場合を示す。
　以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による成膜マスクの実施形態を示す斜視図であり、図２は図１の一部断面を拡大すると共に上下を反転して示すＡ矢視図である。この成膜マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するためのもので、磁性金属部材１と、フィルム２と、フレーム３とを備えて構成されている。
　上記磁性金属部材１は、厚みが３０μｍ～５０μｍ程度のニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金等の磁性金属材料からなる薄板（シート）状のものであり、薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔４が設けられている。
　上記磁性金属部材１の一面に密接してフィルム２が設けられている。このフィルム２は、厚みが１０μｍ～３０μｍ程度のポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の可視光を透過する樹脂製のフィルムであり、上記磁性金属部材１の貫通孔４内にて薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ貫通する開口パターン５が形成されている。
　この場合、開口パターン５は、図２に示すように、上記貫通孔４内にて磁性金属部材１の厚みｔと蒸着材料のフィルム２面への最大入射角度θとにより決まる蒸着の影の領域６（ｔ×ｔａｎθ）によって囲まれた開口パターン形成領域７内に形成される。
　ここで、好ましくは、上記開口パターン形成領域７の上記貫通孔４の並び方向（図２に示すＸ方向）と同方向の幅Ｗ１は、少なくとも上記貫通孔４の並び方向（Ｘ方向）と同方向の開口パターン５の幅Ｗ２に、同方向の開口パターン５の位置ずれ許容値αの２倍値を加算した値（Ｗ２＋２α）に等しいことが望ましい。即ち、Ｗ１≧（Ｗ２＋２α）であるのが望ましい。
　開口パターン形成領域７のＸ方向の幅Ｗ１が、前述したように少なくともＸ方向の開口パターン５の幅Ｗ２に、同方向の開口パターン５の位置ずれ許容値αの２倍値を加算した値（Ｗ２＋２α）に等しい幅となるようにするためには、磁性金属部材１の厚みｔ及び該磁性金属部材１の隣接する貫通孔４間の部分の隣接方向（Ｘ方向）の幅Ｗ３の少なくともいずれか一方を調整するとよい。
　より詳細には、互いに隣接する開口パターン５間の間隔に十分な余裕があるときには、磁性金属部材１の厚みｔを十分な剛性が確保できる厚みに設定した後、蒸着の影の領域６によって囲まれた開口パターン形成領域７のＸ方向の幅Ｗ１が（Ｗ２＋２α）に等しくなるように、磁性金属部材１の隣接する貫通孔４間の部分のＸ方向の幅Ｗ３を決定するのがよい。
　逆に、互いに隣接する開口パターン５間の間隔に十分な余裕がないときには、先ず、磁性金属部材１の隣接する貫通孔４間の部分のＸ方向の幅Ｗ３を設定した後、開口パターン形成領域７のＸ方向の幅Ｗ１が少なくとも（Ｗ２＋２α）に等しくなるように、磁性金属部材１の厚みｔを決定して蒸着の影の領域６の幅を調整するとよい。
　このように、形成しようとする開口パターン５の配列ピッチＰ（薄膜パターンの配列ピッチに等しい）に応じて、磁性金属部材１の厚みｔ及び隣接する貫通孔４間の部分のＸ方向の幅Ｗ３は、適宜設定される。
　上記磁性金属部材１の一面の周縁領域には、複数の貫通孔４を内包する大きさの開口８（図３（ｄ）参照）を設けた枠状のフレーム３が一端面３ａを接合して設けられている。このフレーム３は、張架された磁性金属部材１及びフィルム２を支持するものであり、厚みが数ｍｍ～数１０ｍｍの熱膨張係数の小さいインバー又はインバー合金で形成されている。
　次に、このように構成された成膜マスクの製造について説明する。ここでは、製造しようとする成膜マスクの仕様が以下の場合について説明する。
（成膜マスクの仕様）
　・開口パターン５（ストライプパターン）の開口幅：Ｗ２
　・開口パターン５の配列ピッチ：Ｐ
　・開口パターン５の位置ずれの許容値：α
　また、以下の説明においては、蒸着材料のマスク面に対する最大入射角度がθであり、厚みｔが予め規定された磁性金属部材１を使用する場合について述べる。
　先ず、厚みがｔのシート状のインバーからなる磁性金属部材１の一面に例えば液状のポリイミドをスプレー塗布した後、乾燥させて、均一な厚みのポリイミドのフィルム２を形成する（図３（ａ）参照）。
　次いで、磁性金属部材１の他面に例えばポジ型のフォトレジストを塗布して乾燥した後、例えば貫通孔４を形成しようとする部分に開口を有するフォトマスクを使用して上記フォトレジストを露光する。その後、現像して、貫通孔４を形成しようとする部分に開口９を有するレジストマスク１０を形成する（図３（ｂ）参照）。
　この場合、上記成膜マスクの仕様に基づいて算出すると、開口パターン形成領域７の幅Ｗ１は（Ｗ２＋２α）となる。また、磁性金属部材１の厚みがｔであり、蒸着材料のマスク面に対する最大入射角がθであるので、蒸着の影の領域６の幅はｔ×ｔａｎθとなる。したがって、磁性金属部材１に形成しようとする貫通孔４の幅Ｗ４は、
　　Ｗ４＝Ｗ１＋２ｔ×ｔａｎθ
　　　　＝Ｗ２＋２α＋２ｔ×ｔａｎθ
となる。したがって、レジストマスク１０の開口９は、幅がＷ４のストライプパターンである。
　続いて、上記レジストマスク１０を使用して磁性金属部材１をエッチングする。これにより、磁性金属部材１に上記フィルム２面に達する幅がＷ４のストライプ状の貫通孔４が配列ピッチＰで形成される（図３（ｃ）参照）。ここで、使用するエッチング液は磁性金属部材１の材料に応じて適宜選択される。
　この場合、隣接する貫通孔４間の部分の幅Ｗ３は、
　　Ｗ３＝Ｐ－Ｗ４
　　　　＝Ｐ－Ｗ２－２（α＋ｔ×ｔａｎθ）
となる。
　その後、上記磁性金属部材１の周縁領域に対応したフィルム２の部分をレーザ加工により除去して、磁性金属部材１の周縁領域の部分を露出させた後、フィルム２付きの上記磁性金属部材１を枠状のフレーム３の一端面３ａに張架し、磁性金属部材１の周縁部とフレーム３の一端面３ａとをスポット溶接してフレーム３を磁性金属部材１に接合する（図３（ｄ）参照）。
　次に、上記貫通孔４を設けたフィルム２付きの磁性金属部材１は、開口パターン５の形成目標となる基準パターン１１が予め形成された基準基板１２上に位置決めして載置される。このとき、フィルム２が基準基板１２側となるようにして基準基板１２上に載置される（図３（ｅ）参照）。また、基準基板１２は基準パターン１１を形成した面１２ａを下側にして、該面１２ａとは反対側の面１２ｂにフィルム２を密着させるようにするとよい。これにより、フィルム２をレーザ加工して開口パターン５を形成する際に、基準パターン１１がダメージを受けるのを避けることができる。
　次いで、上記基準パターン１１に対応するフィルム２の部分に、例えば波長が４００ｎｍ以下の、例えばＫｒＦ２４８ｎｍのエキシマレーザを使用してレーザ光Ｌを照射し、フィルム２をレーザ加工する。これにより、フィルム２には幅がＷ２のストライプ状の開口パターン５が形成される（図４（ａ），（ｂ）参照）。この場合、事前に撮像カメラにより上記基準パターン１１を撮像して該基準パターン１１の位置を検出し、該検出結果に基づいて基準基板１２側及び図示省略のレーザ加工装置を相対移動してレーザ光Ｌを基準パターン１１上に位置付けた後、フィルム２のレーザ加工が実施される。なお、図４（ａ），（ｂ）は基準基板１２と磁性金属部材１とのアライメントにおいて、位置ずれがない場合を示している。この場合、開口パターン５は、磁性金属部材１の貫通孔４のセンターに形成されることになり、当然ながら、蒸着時に蒸着の影の影響を排除することができる。
　図５（ａ）に示すように、基準基板１２と磁性金属部材１とのアライメントが位置ずれの許容値α内でずれている場合、レーザ加工して形成される開口パターン５の位置は、同図（ｂ）に示すように、磁性金属部材１の貫通孔４のセンターから最大αだけＸ方向にずれて形成されることになる。しかし、磁性金属部材１の貫通孔４の幅Ｗ４が（Ｗ２＋２α＋２ｔ×ｔａｎθ）となるように形成されているため、開口パターン５の位置ずれ量が許容限界αであっても、開口パターン５は、蒸着の影の領域６によって囲まれた領域内に形成されることになり、蒸着時に蒸着の影の成膜への影響を排除することができる。
　なお、以上の説明においては、薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて形成するための成膜マスクについて述べたが、本発明はこれに限られず、薄膜パターンの配列は不規則であってもよい。この場合も、成膜マスクの開口パターン５が貫通孔４内にて磁性金属部材１の厚みと蒸着材料のフィルム２面への最大入射角度θとにより決まる蒸着の影の領域６によって囲まれた開口パターン形成領域７内に設けられているなら、蒸着時に上記蒸着の影の成膜への影響を排除することができ、均一な厚みの薄膜パターンを形成することができる。
　１…磁性金属部材
　２…フィルム
　３…フレーム
　４…貫通孔
　５…開口パターン
　６…蒸着の影の領域
　７…開口パターン形成領域
　８…フレームの開口
 

Claims (7)

  1. 　基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための成膜マスクであって、
    　前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、
    　前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
    を備え、
    　前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられていることを特徴とする成膜マスク。
  2. 　基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するための成膜マスクであって、
    　前記薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、
    　前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
    を備え、
    　前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられていることを特徴とする成膜マスク。
  3. 　前記開口パターン形成領域の前記貫通孔の並び方向と同方向の幅は、少なくとも前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターンの幅に、同方向の前記開口パターンの位置ずれ許容値の２倍値を加算した値に等しいことを特徴とする請求項２記載の成膜マスク。
  4. 　前記貫通孔の並び方向の幅は、前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターン形成領域の幅に前記貫通孔の並び方向と同方向の前記蒸着の影の領域の幅の２倍値を加算した値に等しいことを特徴とする請求項３記載の成膜マスク。
  5. 　前記磁性金属部材は、ニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金であることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の成膜マスク。
  6. 　前記フィルムは、ポリイミドであることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の成膜マスク。
  7. 　前記貫通孔を内包する大きさの開口を設けた枠状のフレームの一端面を前記磁性金属部材の一面の周縁領域に接合して備えたことを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の成膜マスク。
     
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