TWI833876B - 蒸鍍罩及其製造方法、蒸鍍罩裝置及其製造方法、中間體、蒸鍍方法、以及有機el顯示裝置之製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明之蒸鍍罩具備遮罩本體、及接合於遮罩本體之支持體。遮罩本體具有第1對準標記，支持體具有第2對準標記。第1對準標記與第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。

Description

蒸鍍罩及其製造方法、蒸鍍罩裝置及其製造方法、中間體、蒸鍍方法、以及有機EL顯示裝置之製造方法

本實施形態係關於一種蒸鍍罩及其製造方法、蒸鍍罩裝置及其製造方法、中間體、蒸鍍方法、以及有機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示裝置之製造方法。

近年來，對於智慧型手機或平板PC(Personal Computer，個人電腦)等可攜帶設備中所使用之顯示裝置，要求為高清、例如像素密度為400 ppi以上。又，關於可攜帶設備，對應對特高清晰度(UHD)之需求亦變高，於該情形時，要求顯示裝置之像素密度為例如800 ppi以上。

顯示裝置之中，有機EL顯示裝置因回應性良好、消耗電力較低及對比度較高而備受關注。作為形成有機EL顯示裝置之像素之方法，已知有如下方法：使用包含以所期望之圖案排列之貫通孔之蒸鍍罩，以所期望之圖案形成像素(參照日本專利特開2015-178662號公報)。具體而言，首先，將有機EL顯示裝置用基板(有機EL基板)送入蒸鍍裝置中，其次，於蒸鍍裝置內使蒸鍍罩密接於有機EL基板，進行使有機材料蒸鍍於有機EL基板之蒸鍍步驟。

然，於製造此種蒸鍍罩時，提出有為了提高強度，將蒸鍍罩之中間體積層於支持體以進行補強。於該情形時，要求將中間體精度良好地接合於支持體之開口部。

本發明之蒸鍍罩具備遮罩本體、及接合於上述遮罩本體之支持體，上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記，上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。

根據本發明，能夠將蒸鍍罩之中間體精度良好地接合於支持體。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則「基板」、「基材」、「板」、「片材」或「膜」等意指成為某構成之基礎之物質之用語並非僅基於叫法不同而相互區分。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則關於特定出形狀或幾何學條件以及其等之程度之、例如「平行」或「正交」等用語或者長度或角度之值等，並不限於嚴格之含義，而是包含能夠期待相同功能之程度之範圍地進行解釋。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則於將某構件或某區域等某構成設為在另一構件或另一區域等另一構成之「上」或「下」、「上側」或「下側」、或者「上方」或「下方」之情形時，包含某構成與另一構成直接相接之情形。進而，亦包含某構成與另一構成之間包含其他構成之情形、亦即間接地相接之情形。又，只要未作特別說明，則「上」或「上側」或「上方」、或者「下」或「下側」或「下方」之詞亦可將上下方向反過來。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則對相同部分或具有相同功能之部分標註相同符號或相似之符號，有時省略其重複之說明。又，有時為了方便說明而使圖式之尺寸比率與實際之比率不同，有時使圖式省略構成之一部分。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則能夠於不產生矛盾之範圍內與其他實施形態或變化例組合。又，其他實施形態彼此、或其他實施形態與變化例亦能夠於不產生矛盾之範圍內組合。又，變化例彼此亦能夠於不產生矛盾之範圍內組合。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則於關於製造方法等方法揭示複數個步驟之情形時，亦可於所揭示之步驟之間實施未揭示之其他步驟。又，所揭示之步驟之順序於不產生矛盾之範圍內為任意。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則由「～」之記號表達之數值範圍包含置於「～」之符號之前後之數值。例如，由「34～38質量%」之表達劃定之數值範圍係與由「34質量%以上且38質量%以下」之表達所劃定之數值範圍相同。

於本說明書及本圖式中，只要未作特別說明，則於本說明書之一實施形態中，列舉關於製造有機EL顯示裝置時為了將有機材料以所期望之圖案圖案化至基板上所使用之蒸鍍罩及其製造方法之例來進行說明。但，並不限定於此種應用，能夠將本實施形態應用於各種用途所使用之蒸鍍罩。

以下，一面參照圖式，一面對本發明之一實施形態詳細地進行說明。再者，以下所示之實施形態係本發明之實施形態之一例，本發明並非僅限定於該等實施形態而進行解釋。

本發明之第1態樣係一種蒸鍍罩，其具備： 遮罩本體；及 支持體，其接合於上述遮罩本體；且 上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記， 上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。

本發明之第2態樣係根據上述第1態樣之蒸鍍罩，其中上述遮罩本體可具有形成有複數個貫通孔之鍍覆層。

本發明之第3態樣係根據上述第1態樣之蒸鍍罩，其中上述遮罩本體可具有相互積層之金屬層與樹脂遮罩。

本發明之第4態樣係根據上述第1態樣至上述第3態樣之各者之蒸鍍罩，其中上述第1對準標記可為形成於上述遮罩本體之貫通孔。

本發明之第5態樣係根據上述第1態樣至上述第4態樣之各者之蒸鍍罩，其中上述第2對準標記可為形成於上述支持體之貫通孔。

本發明之第6態樣係根據上述第1態樣至上述第4態樣之各者之蒸鍍罩，其中上述第2對準標記可為凹陷至上述支持體之厚度方向中途之非貫通孔。

本發明之第7態樣係根據上述第1態樣至上述第6態樣之各者之蒸鍍罩，其中可為上述支持體包含：第1支持基板，其位於上述遮罩本體側；及第2支持基板，其位於上述第1支持基板上；上述第2對準標記包含上述第1支持基板之第1部分及上述第2支持基板之第2部分，上述第1部分於俯視時小於上述第2部分。

本發明之第8態樣係一種蒸鍍罩裝置，其具備： 如上述第1態樣至上述第7態樣中之任一者之蒸鍍罩；及 框架，其接合於上述蒸鍍罩之上述支持體。

本發明之第9態樣係一種中間體，其具備： 基材； 遮罩本體，其接合於上述基材；及 支持體，其接合於上述遮罩本體；且 上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記， 上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。

本發明之第10態樣係根據上述第9態樣之中間體，其中上述遮罩本體可具有形成有複數個貫通孔之鍍覆層。

本發明之第11態樣係根據上述第9態樣之中間體，其中上述遮罩本體可具有相互積層之金屬層與樹脂遮罩。

本發明之第12態樣係根據上述第9態樣至上述第11態樣之各者之中間體，其中上述第1對準標記可為形成於上述遮罩本體之貫通孔。

本發明之第13態樣係根據上述第9態樣至上述第11態樣之各者之中間體，其中上述第1對準標記可為形成於上述基材上之島狀突起。

本發明之第14態樣係根據上述第9態樣至上述第13態樣之各者之中間體，其中上述第2對準標記可為形成於上述支持體之貫通孔。

本發明之第15態樣係根據上述第9態樣至上述第13態樣之各者之中間體，其中上述第2對準標記可為凹陷至上述支持體之厚度方向中途之非貫通孔。

本發明之第16態樣係根據上述第9態樣至上述第15態樣之各者之中間體，其中可為上述支持體包含：第1支持基板，其位於上述遮罩本體側；及第2支持基板，其位於上述第1支持基板上；上述第2對準標記包含上述第1支持基板之第1部分及上述第2支持基板之第2部分，且上述第1部分於俯視時小於上述第2部分。

本發明之第17態樣係一種蒸鍍罩之製造方法，其具備如下步驟： 準備具有基材及接合於上述基材之遮罩本體的中間體；以及 將上述遮罩本體與支持體相互接合；且 上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記， 上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者， 於將上述遮罩本體與上述支持體相互接合之步驟中，藉由使上述第1對準標記與上述第2對準標記之位置相互對準，而進行上述遮罩本體與上述支持體之定位。

本發明之第18態樣係一種蒸鍍罩裝置之製造方法，其具備如下步驟： 準備上述第1態樣至上述第7態樣中之任一者之蒸鍍罩；及 將框架安裝至上述蒸鍍罩之上述支持體。

本發明之第19態樣係一種蒸鍍方法，其係使蒸鍍材料蒸鍍至基板之蒸鍍材料之蒸鍍方法，且具備如下步驟： 準備上述第8態樣之蒸鍍罩裝置； 準備上述基板； 將上述基板設置於上述蒸鍍罩裝置之上述遮罩本體上；及 使上述蒸鍍材料蒸鍍至設置於上述遮罩本體上之上述基板。

本發明之第20態樣係一種有機EL顯示裝置之製造方法，其具備如下步驟： 使用上述第8態樣之蒸鍍罩裝置於蒸鍍對象物上形成蒸鍍圖案。

本發明之第21態樣係一種蒸鍍方法，其係使蒸鍍材料蒸鍍至基板之蒸鍍材料之蒸鍍方法，且具備如下步驟： 準備上述第1態樣至上述第7態樣中之任一者之蒸鍍罩； 準備上述基板； 將上述基板設置於上述蒸鍍罩之上述遮罩本體上；及 使上述蒸鍍材料蒸鍍至設置於上述遮罩本體上之上述基板。

本發明之第22態樣係一種有機EL顯示裝置之製造方法，其具備如下步驟： 使用上述第1態樣至上述第7態樣中之任一者之蒸鍍罩於蒸鍍對象物上形成蒸鍍圖案。

以下，一面參照圖式，一面對各實施形態進行說明。以下所示之各圖係模式性地表示者。因此，各部之大小、形狀為了容易理解，而適當誇張。又，能夠於不脫離技術思想之範圍內適當變更地實施。再者，於以下所示之各圖中，對相同部分標註相同符號，有時省略一部分詳細之說明。又，本說明書中所記載之各構件之尺寸等數值及材料名係作為實施形態之一例，並非限定於此，能夠適當選擇來使用。

首先，參照圖1至圖21對第1實施形態進行說明。

首先，參照圖1，對實施使蒸鍍材料蒸鍍至蒸鍍對象物之蒸鍍處理之蒸鍍裝置90進行說明。如圖1所示，蒸鍍裝置90可於其內部具備蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96及蒸鍍罩裝置10。又，蒸鍍裝置90可進而具備用以將蒸鍍裝置90之內部設為真空氣氛之排氣機構(未圖示)。坩堝94收容有機發光材料等蒸鍍材料98。加熱器96可將坩堝94加熱，於真空氣氛下使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍罩裝置10可以與坩堝94對向之方式配置。

如圖1所示，蒸鍍罩裝置10可具備蒸鍍罩20及接合於蒸鍍罩20之下述支持體40的框架15。框架15可將蒸鍍罩20於沿其面方向拉拽之狀態下支持，以使蒸鍍罩20不會撓曲。如圖1所示，蒸鍍罩裝置10可以蒸鍍罩20面向作為供蒸鍍材料98附著之蒸鍍對象物之被蒸鍍基板(例如有機EL基板)92之方式，配置於蒸鍍裝置90內。

如圖1所示，蒸鍍罩裝置10可具備配置於被蒸鍍基板92之與蒸鍍罩20相反之側之面的磁鐵93。藉由設置磁鐵93，能夠利用磁力將蒸鍍罩20朝磁鐵93側牽引，而使蒸鍍罩20密接於被蒸鍍基板92。

其次，對蒸鍍罩裝置10之蒸鍍罩20進行說明。如圖1所示，蒸鍍罩20可具備：遮罩本體30，其具有形成有複數個第1貫通孔35之鍍覆層31；及支持體40，其接合於遮罩本體30，且形成有俯視時與複數個第1貫通孔35重疊之第2貫通孔45。

如圖1所示，遮罩本體30可具有第1面30a、及形成與第1面30a相反之側之面之第2面30b。於圖示之例中，遮罩本體30可配置於被蒸鍍基板92與坩堝94之間。遮罩本體30可以其第1面30a面向被蒸鍍基板92之下表面之方式、換言之以其第2面30b面向坩堝94之方式，支持於蒸鍍裝置90內，用於蒸鍍材料98向被蒸鍍基板92之蒸鍍。於圖1所示之蒸鍍裝置90中，從坩堝94蒸發而從遮罩本體30之第2面30b側到達蒸鍍罩20之蒸鍍材料98係通過支持體40之第2貫通孔45及遮罩本體30之第1貫通孔35後附著於被蒸鍍基板92。藉此，利用與遮罩本體30之第1貫通孔35之位置對應之所期望之圖案，能夠將蒸鍍材料98成膜於被蒸鍍基板92之表面。

圖2係表示使用圖1之蒸鍍裝置90製造之有機EL顯示裝置100之剖視圖。有機EL顯示裝置100可具備被蒸鍍基板(有機EL基板)92、及包含被設為圖案狀之蒸鍍材料98之像素。

於欲進行複數種顏色之彩色顯示之情形時，分別準備搭載有與各顏色對應之蒸鍍罩裝置10之蒸鍍裝置90，將被蒸鍍基板92依序送入至各蒸鍍裝置90。藉此，例如，能夠使紅色用有機發光材料、綠色用有機發光材料及藍色用有機發光材料依序蒸鍍至被蒸鍍基板92。

蒸鍍處理有時於成為高溫氣氛之蒸鍍裝置90之內部實施。於該情形時，在蒸鍍處理之期間內，保持於蒸鍍裝置90之內部之蒸鍍罩20、框架15及被蒸鍍基板92亦被加熱。此時，蒸鍍罩20之遮罩本體30及支持體40、框架15以及被蒸鍍基板92表現出基於各自之熱膨脹係數之尺寸變化之行為。於該情形時，若遮罩本體30、支持體40及框架15、與被蒸鍍基板92之熱膨脹係數差異較大，則會產生由其等之尺寸變化之差異引起之位置偏移，其結果，附著於被蒸鍍基板92上之蒸鍍材料之尺寸精度或位置精度下降。

為了解決此種問題，較佳為遮罩本體30、支持體40及框架15之熱膨脹係數與被蒸鍍基板92之熱膨脹係數為同等之值。例如，於使用玻璃基板作為被蒸鍍基板92之情形時，作為遮罩本體30、支持體40及框架15之主要材料，可使用含有鎳之鐵合金。例如，作為構成遮罩本體30、支持體40及框架15之構件之材料，可使用含有30質量%以上54質量%以下之鎳之鐵合金。作為含有鎳之鐵合金之具體例，可列舉含有34質量%以上38質量%以下之鎳之因瓦材、除了30質量%以上34質量%以下之鎳以外還含有鈷之超因瓦材、含有38質量%以上54質量%以下之鎳之低熱膨脹Fe-Ni系鍍覆合金等。

再者，於在蒸鍍處理時，遮罩本體30、支持體40、框架15及被蒸鍍基板92之溫度不會達到高溫之情形時，亦可不使遮罩本體30、支持體40及框架15之熱膨脹係數為與被蒸鍍基板92之熱膨脹係數同等之值。於該情形時，作為構成遮罩本體30及支持體40之材料，亦可使用除上述鐵合金以外之材料。例如，亦可使用含有鉻之鐵合金等除了上述含有鎳之鐵合金以外之鐵合金。作為含有鉻之鐵合金，例如可使用被稱為所謂不鏽鋼之鐵合金。又，亦可使用鎳或鎳-鈷合金等除鐵合金以外之合金。

其次，根據圖1及圖3至圖7，對蒸鍍罩20之遮罩本體30及支持體40、以及框架15更詳細地進行說明。

首先，對遮罩本體30詳細地進行說明。該遮罩本體30係藉由鍍覆處理而製作者。如圖3所示，遮罩本體30可於俯視時具有大致矩形狀之形狀。該遮罩本體30可具備構成遮罩本體30之外緣30e之框狀之邊料17、及由邊料17包圍之中間部18。其中，邊料17係於利用蒸鍍罩20之蒸鍍步驟時安裝於支持體40之部分。再者，該邊料17並非供意圖蒸鍍至有機EL基板92之蒸鍍材料通過之區域。

又，如圖3至圖5所示，蒸鍍罩20之中間部18可包含：有效區域22，其以規律之排列形成有第1貫通孔35(參照圖4及圖5)；及周圍區域23，其包圍有效區域22。周圍區域23係用以支持有效區域22之區域，並非供意圖蒸鍍至有機EL基板92之蒸鍍材料98通過之區域。另一方面，遮罩本體30之有效區域22係於有機發光材料之蒸鍍所使用之蒸鍍罩20中，面向供蒸鍍有機發光材料而形成像素之有機EL基板92之成為顯示區域之區域的蒸鍍罩20內之區域。但，出於各種目的，亦可於周圍區域23形成貫通孔或凹部。於圖3所示之例中，各有效區域22可於俯視時具有大致四邊形形狀，更準確而言於俯視時具有大致矩形狀之輪廓。再者，雖未圖示，但各有效區域22能夠根據有機EL基板92之顯示區域之形狀而具有各種形狀之輪廓。例如各有效區域22亦可具有圓形狀之輪廓。

如圖3所示，蒸鍍罩20之複數個有效區域22可沿著相互正交之兩個方向隔開規定之間隔排列。於圖示之例中，一個有效區域22對應於一個有機EL顯示裝置。即，根據圖3及圖4所示之蒸鍍罩裝置10(遮罩本體30)，能夠進行多面蒸鍍。又，如圖5所示，形成於各有效區域22之複數個第1貫通孔35可於該有效區域22中，沿著相互正交之兩個方向分別以規定之間距排列。

如圖5及圖6所示，蒸鍍罩20之遮罩本體30可具有第1對準標記34，支持體40可具有第2對準標記44。該第1對準標記34及第2對準標記44係如下所述，為了將第2中間體57b之遮罩本體30與支持體40準確地定位而設置者。而且，當遮罩本體30與支持體40被準確地定位時，第1對準標記34與第2對準標記44之中心彼此一致。因此，第1對準標記34與第2對準標記44可設置於俯視時相互重疊之位置。又，第1對準標記34與第2對準標記44之大小可互不相同，具體而言，第2對準標記44可大於第1對準標記34。

於該情形時，第1對準標記34係於厚度方向上貫通遮罩本體30之貫通孔，第2對準標記44係於厚度方向上貫通支持體40之貫通孔。因此，於從支持體40方向(圖6之箭頭D1方向)觀察之情形時，作為貫通孔之第1對準標記34可包含於作為貫通孔之第2對準標記44之內側。因此，當遮罩本體30與支持體40被準確地定位時，第1對準標記34之外緣可整體位於第2對準標記44之內側。

第1對準標記34及第2對準標記44之形狀可分別於俯視時為圓形。於將第1對準標記34及第2對準標記44設為俯視圓形狀之情形時，能夠容易地形成作為貫通孔之第1對準標記34及第2對準標記44。又，能夠以較高之精度形成第1對準標記34及第2對準標記44。第2對準標記44之直徑(寬度)W2可為0.15 mm以上2.5 mm以下，第1對準標記34之直徑(寬度)W1可設為第2對準標記44之直徑(寬度)W2之2%以上98%以下。於該情形時，可使W2與W1之差之一半之值((W2－W1)/2)和第1對準標記34與第2對準標記44之能夠容許之最大偏差一致。藉此，能夠容易地將第1對準標記34與第2對準標記44進行位置對準。於該情形時，能夠容許之最大偏差(W2與W1之差之一半之值)較佳設為50 μm以下。第1對準標記34及第2對準標記44之平面形狀分別不限於圓形狀，亦可設為橢圓形狀、多邊形形狀、十字形狀等。於該情形時，第1對準標記34及第2對準標記44之平面形狀成為彼此相似之形狀，但並不限定於此，亦可為非相似形狀(例如圓形狀與多邊形形狀)。

如圖3所示，第1對準標記34及第2對準標記44可分別形成於蒸鍍罩20之中間部18中之除有效區域22以外之區域。具體而言，第1對準標記34及第2對準標記44可分別配置於中間部18之四角，合計為4個。然而，關於第1對準標記34及第2對準標記44之配置位置或個數，只要於遮罩本體30與支持體40重疊之位置設置有1個或複數個即可，並非限定於此。再者，為了將遮罩本體30與支持體40精度良好地貼合，較佳為將第1對準標記34及第2對準標記44配置於靠近有效區域22之位置。具體而言，較佳為將第1對準標記34及第2對準標記44設置於與有效區域22相距5 mm以內之位置。

其次，參照圖7，對遮罩本體30之鍍覆層31進行說明。如圖7所示，遮罩本體30之鍍覆層31可包含：第1金屬層32，其以規定之圖案設置有第1開口部30c；及第2金屬層37，其設置有與第1開口部30c連通之第2開口部30d。於圖7所示之例中，第1金屬層32可構成遮罩本體30之第1面30a，第2金屬層37可構成遮罩本體30之第2面30b。

於本實施形態中，可藉由第1開口部30c與第2開口部30d相互連通，而構成貫通遮罩本體30之第1貫通孔35。於該情形時，遮罩本體30之第1面30a側之第1貫通孔35之開口尺寸或開口形狀可由第1金屬層32之第1開口部30c劃定。另一方面，遮罩本體30之第2面30b側之第1貫通孔35之開口尺寸或開口形狀可由第2金屬層37之第2開口部30d劃定。換言之，可對第1貫通孔35賦予由第1金屬層32之第1開口部30c劃定之形狀、及由第2金屬層37之第2開口部30d劃定之形狀兩種形狀。

如圖5所示，第1貫通孔35可於俯視時為大致多邊形形狀。此處，顯示第1貫通孔35為大致四邊形形狀、更具體而言為大致正方形形狀之例。又，雖未圖示，但第1貫通孔35亦可為大致六邊形形狀或大致八邊形形狀等其他大致多邊形形狀。再者，「大致多邊形形狀」係包含多邊形之角部帶弧度之形狀之概念。又，雖未圖示，但第1貫通孔35亦可為圓形狀。上述第1貫通孔35之開口尺寸S1可考慮有機EL顯示裝置之像素密度等而恰當地設定。例如，於製作400 ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置之情形時，第1貫通孔35之開口尺寸S0可設定為15 μm以上60 μm以下之範圍內。

於圖7中，符號41表示將第1金屬層32與第2金屬層37連接之連接部。又，符號S0表示第1金屬層32與第2金屬層37之連接部41中之第1貫通孔35之尺寸。再者，於圖7中，表示了第1金屬層32與第2金屬層37相接之例，但並不限定於此，亦可於第1金屬層32與第2金屬層37之間介置其他層。例如，亦可於第1金屬層32與第2金屬層37之間設置有用以促進第1金屬層32上之第2金屬層37之析出之觸媒層。

如圖7所示，可使第2面30b中之第1貫通孔35(第2開口部30d)之開口尺寸S2大於第1面30a中之第1貫通孔35(第1開口部30c)之開口尺寸S1。上述開口尺寸S0、S1、S2可考慮有機EL顯示裝置之像素密度等而恰當地設定。例如，於製作400 ppi以上之像素密度之有機EL顯示裝置之情形時，連接部41中之第1貫通孔35之開口尺寸S0可設定為15 μm以上60 μm以下之範圍內。又，第1面30a中之第1開口部30c之開口尺寸S1可設定為10 μm以上50 μm以下之範圍內，第2面30b中之第2開口部30d之開口尺寸S2可設定為15 μm以上80 μm以下之範圍內。

又，上述遮罩本體30之厚度T0例如可為2 μm以上，亦可為5 μm以上，亦可為10 μm以上，亦可為15 μm以上。又，遮罩本體30之厚度T0例如可為20 μm以下，亦可為30 μm以下，亦可為40 μm以下，亦可為50 μm以下。遮罩本體30之厚度T0之範圍可藉由包含2 μm、5 μm、10 μm及15 μm之第1組、及/或包含20 μm、30 μm、40 μm及50 μm之第2組來決定。遮罩本體30之厚度T0之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、與上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。遮罩本體30之厚度T0之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。遮罩本體30之厚度T0之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如，可為2 μm以上50 μm以下，亦可為2 μm以上40 μm以下，亦可為2 μm以上30 μm以下，亦可為2 μm以上20 μm以下，亦可為2 μm以上15 μm以下，亦可為2 μm以上10 μm以下，亦可為2 μm以上5 μm以下，亦可為5 μm以上50 μm以下，亦可為5 μm以上40 μm以下，亦可為5 μm以上30 μm以下，亦可為5 μm以上20 μm以下，亦可為5 μm以上15 μm以下，亦可為5 μm以上10 μm以下，亦可為10 μm以上50 μm以下，亦可為10 μm以上40 μm以下，亦可為10 μm以上30 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為10 μm以上15 μm以下，亦可為15 μm以上50 μm以下，亦可為15 μm以上40 μm以下，亦可為15 μm以上30 μm以下，亦可為15 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上50 μm以下，亦可為20 μm以上40 μm以下，亦可為20 μm以上30 μm以下，亦可為30 μm以上50 μm以下，亦可為30 μm以上40 μm以下，亦可為40 μm以上50 μm以下。

其次，對支持體40詳細地進行說明。如圖3所示，支持體40可於俯視時具有大致矩形狀之形狀。該支持體40可於面方向上具有大於遮罩本體30之尺寸，於俯視時，劃定支持體40之輪廓可包圍劃定遮罩本體30之輪廓。該支持體40可以支持體40之各邊對應於遮罩本體30之各邊之方式，安裝於遮罩本體30。

又，如上所述，於支持體40可形成有複數個第2貫通孔45，第2貫通孔45可於俯視時大於遮罩本體30之有效區域22。又，支持體40之一個第2貫通孔45可對應於遮罩本體30之一個有效區域22。

如圖3所示，第2貫通孔45之輪廓例如可為俯視時大致四邊形、更準確而言俯視時大致矩形。再者，雖未圖示，但各第2貫通孔45可根據被蒸鍍基板(有機EL基板)92之顯示區域之形狀，具有各種形狀之輪廓。例如，各第2貫通孔45亦可具有圓形狀之輪廓。於圖3中，表示了各第2貫通孔45具有彼此相同之俯視形狀，但並不限於此，各第2貫通孔45亦可具有互不相同之開口部形狀。換言之，支持體40亦可具有複數個第2貫通孔45，該等複數個第2貫通孔45具有互不相同之俯視形狀。

可為於該第2貫通孔45之周圍設置有支持區域46，該支持區域46以支持遮罩本體30之周圍區域23之方式構成。藉此，支持體40能夠以包圍遮罩本體30之有效區域22之方式支持遮罩本體30，故而能夠有效地抑制遮罩本體30產生皺褶或變形。再者，支持區域46並非供意圖蒸鍍至有機EL基板92之蒸鍍材料98通過之區域。

於本發明中，支持體40之厚度T1例如可為0.2 mm以上，亦可為0.4 mm以上，亦可為0.6 mm以上，亦可為0.8 mm以上。又，支持體40之厚度T1例如可為1.0 mm以下，亦可為1.2 mm以下，亦可為1.5 mm以下，亦可為2.0 mm以下。支持體40之厚度T1之範圍可藉由包含0.2 mm、0.4 mm、0.6 mm及0.8 mm之第1組、及/或包含1.0 mm、1.2 mm、1.5 mm及2.0 mm之第2組來決定。支持體40之厚度T1之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、及上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。支持體40之厚度T1之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。支持體40之厚度T1之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如可為0.2 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.2 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.2 mm以上1.2 mm以下，亦可為0.2 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.2 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.2 mm以上0.6 mm以下，亦可為0.2 mm以上0.4 mm以下，亦可為0.4 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.4 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.4 mm以上1.2 mm以下，亦可為0.4 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.4 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.4 mm以上0.6 mm以下，亦可為0.6 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.6 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.6 mm以上1.2 mm以下，亦可為0.6 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.6 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.8 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.8 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.8 mm以上1.2 mm以下，亦可為0.8 mm以上1.0 mm以下，亦可為1.0 mm以上2.0 mm以下，亦可為1.0 mm以上1.5 mm以下，亦可為1.0 mm以上1.2 mm以下，亦可為1.2 mm以上2.0 mm以下，亦可為1.2 mm以上1.5 mm以下，亦可為1.5 mm以上2.0 mm以下。藉由支持體40之厚度T1為0.2 mm以上，能夠提高蒸鍍罩20之剛性。藉此，能夠抑制遮罩本體30產生皺褶或變形。又，藉由支持體40之厚度T1為2.0 mm以下，而於如下所述般將基材51從接合於支持體40之遮罩本體30剝離時，能夠抑制基材51變得無法剝離之不良情況。

作為構成上述支持體40之主要材料，可使用含有鎳之鐵合金。例如，可使用含有34質量%以上38質量%以下之鎳之因瓦材、或除鎳以外還含有鈷之超因瓦材等鐵合金。又，並不限於此，作為構成支持體40之主要材料，例如亦可使用含有鉻之鐵合金等除上述含有鎳之鐵合金以外之鐵合金。作為含有鉻之鐵合金，例如可使用被稱為所謂不鏽鋼之鐵合金。又，亦可使用鎳或鎳-鈷合金等除鐵合金以外之合金。

其次，對框架15詳細地進行說明。如圖3所示，框架15可形成為俯視時大致矩形之框狀，於框架15可設置有俯視時與支持體40之第2貫通孔45重疊之開口部15a。於本發明中，俯視時劃定開口部15a之輪廓可包圍劃定第2貫通孔45之整個輪廓。於蒸鍍時，從坩堝94蒸發之蒸鍍材料98通過框架15之開口部15a後到達蒸鍍罩20。

又，框架15可於面方向上具有大於支持體40之尺寸，於俯視時，劃定框架15之輪廓包圍劃定支持體40之輪廓。該框架15可以框架15之各邊對應於支持體40之各邊之方式安裝於支持體40。

此處，如圖3及圖4所示，上述遮罩本體30及支持體40可藉由複數個第1接合部19a相互接合。又，上述支持體40及框架15可藉由複數個第2接合部19b相互接合。可為第1接合部19a沿著遮罩本體30之外緣30e排列，第2接合部19b沿著支持體40之外緣40e排列。如上所述，遮罩本體30及支持體40可於俯視時具有大致矩形狀之輪廓。因此，接合部19a、19b亦可分別沿著外緣30e、40e以大致矩形狀之圖案排列。於圖3所示之例中，接合部19a、19b分別與外緣30e、40e相距固定之距離且排列成一條直線狀。即，接合部19a、19b分別沿著與外緣30e、40e延伸之方向平行之方向排列。

又，於圖示之例中，接合部19a、19b分別沿著外緣30e、40e延伸之方向彼此具有等間隔地排列。於本實施形態中，遮罩本體30及支持體40、以及支持體40及框架15係藉由點焊而相互接合。再者，並不限於此，遮罩本體30及支持體40、以及遮罩本體30及框架15亦可藉由例如接著劑等其他固定方法而相互接合。

其次，對製造蒸鍍罩裝置10之方法進行說明。首先，對製造蒸鍍罩裝置10之蒸鍍罩20之方法進行說明。

可首先準備遮罩本體30，該遮罩本體30具有接合於基材51且形成有複數個第1貫通孔35之鍍覆層31。此時，亦可首先準備基材51。只要具有絕緣性及恰當之強度，則構成基材51之材料或基材51之厚度並無特別限定。如下所述，於遮罩本體30與支持體40、或支持體40與框架15藉由隔著基材51照射雷射光而熔接固定之情形時，可較佳地使用具有較高之透光性之玻璃材料作為構成基材51之材料。又，於遮罩本體30與支持體40、或支持體40與框架15使用接著劑而相互固定之情形時，可使用玻璃、合成樹脂、金屬等作為構成基材51之材料。於該情形時，基材51亦可不具有透光性。此處，對使用具有透光性之玻璃材料作為基材51之例進行說明。

其次，如圖8(a)所示，可於基材51上形成包含導電性材料之導電層52a。導電層52a係藉由圖案化而成為導電性圖案52之層。作為構成導電層52a之材料，可適當使用金屬材料或氧化物導電性材料等具有導電性之材料。作為金屬材料之例，例如可列舉鉻或銅等。較佳為使用對於下述第1抗蝕圖案53具有較高之密接性之材料作為構成導電層52a之材料。例如，於第1抗蝕圖案53藉由將包含丙烯酸系光硬化性樹脂之抗蝕膜等被稱為所謂乾膜者進行圖案化而製作之情形時，作為構成導電層52a之材料，較佳為使用銅。

導電層52a可藉由例如濺鍍或無電解鍍覆等形成。若欲較厚地形成導電層52a，則導電層52a之形成需要較長時間。另一方面，若導電層52a之厚度過薄，則電阻值變大，難以藉由電鍍處理形成第1金屬層32。因此，例如導電層52a之厚度較佳為50 nm以上500 nm以下之範圍內。

其次，如圖8(b)所示，可於導電層52a上形成具有規定之圖案之第1抗蝕圖案53。作為形成第1抗蝕圖案53之方法，與下述第2抗蝕圖案55之情形同樣地，可採用光微影法等。作為對第1抗蝕圖案53用材料以規定之圖案照射光之方法，可採用使用以規定之圖案使曝光之光透過之曝光遮罩之方法、或以規定之圖案使曝光之光相對性地掃描第1抗蝕圖案53用材料之方法等。其後，如圖8(c)所示，將導電層52a中之未被第1抗蝕圖案53覆蓋之部分藉由蝕刻而去除。其次，如圖8(d)所示，將第1抗蝕圖案53去除。藉此，能夠獲得形成有具有與第1金屬層32對應之圖案之導電性圖案52之圖案基板50。

其次，可利用預先形成有規定之導電性圖案52之基材51(圖案基板50)，使鍍覆層31析出在導電性圖案52上。

首先，對利用圖案基板50製作上述第1金屬層32之第1成膜步驟進行說明。此處，於具有絕緣性之基材51上形成以規定之圖案設置有第1開口部30c之第1金屬層32。具體而言，實施如下第1鍍覆處理步驟：對形成有導電性圖案52之基材51上供給第1鍍覆液，使第1金屬層32析出在導電性圖案52上。例如，將形成有導電性圖案52之基材51浸漬於填充有第1鍍覆液之鍍覆槽中。藉此，如圖9(a)所示，可獲得於基材51上以規定之圖案設置有第1開口部30c之第1金屬層32。再者，第1金屬層32之厚度例如為5 μm以下。又，於基材51上形成第1金屬層32並不限於在基材51上直接形成第1金屬層32，亦包含於基材51上介隔導電性圖案52等其他層形成第1金屬層32。

再者，就鍍覆處理之特性而言，如圖9(a)所示，第1金屬層32可不僅形成於沿基材51之法線方向觀察之情形時與導電性圖案52重疊之部分，而且亦形成於不與導電性圖案52重疊之部分。其原因在於，於析出在與導電性圖案52之端部54重疊之部分之第1金屬層32之表面，進一步析出第1金屬層32。其結果，如圖9(a)所示，第1開口部30c之端部33可能位於沿基材51之法線方向觀察之情形時不與導電性圖案52重疊之部分。

只要能使第1金屬層32析出在導電性圖案52上，則第1鍍覆處理步驟之具體方法並無特別限制。例如，第1鍍覆處理步驟可作為如下之所謂電鍍處理步驟來實施，即，藉由使電流於導電性圖案52中流動，而使第1金屬層32析出在導電性圖案52上。或者，第1鍍覆處理步驟亦可為無電解鍍覆處理步驟。再者，於第1鍍覆處理步驟為無電解鍍覆處理步驟之情形時，可於導電性圖案52上設置有恰當之觸媒層。或者，亦可構成為導電性圖案52作為觸媒層發揮功能。於實施電鍍處理步驟之情形時，亦可於導電性圖案52上設置觸媒層。

所使用之第1鍍覆液之成分可根據第1金屬層32所要求之特性而適當決定。例如，作為第1鍍覆液，可使用含有鎳化合物之溶液與含有鐵化合物之溶液之混合溶液。例如，可使用含有胺基磺酸鎳或溴化鎳之溶液、與含有胺基磺酸亞鐵之溶液之混合溶液。鍍覆液中亦可包含各種添加劑。作為添加劑，可使用硼酸等pH緩衝劑、糖精鈉等一次增亮劑、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、福馬林、硫脲等二次增亮劑、或抗氧化劑等。

其次，可實施如下第2成膜步驟：將設置有與第1開口部30c連通之第2開口部30d之第2金屬層37形成於第1金屬層32上。此時，首先，於基材51上及第1金屬層32上，隔開規定之間隙56形成第2抗蝕圖案55。圖9(b)係表示形成於基材51上之第2抗蝕圖案55之剖視圖。如圖9(b)所示，抗蝕劑形成步驟係以如下方式實施，即，利用第2抗蝕圖案55覆蓋第1金屬層32之第1開口部30c，並且第2抗蝕圖案55之間隙56位於第1金屬層32上。

以下，對抗蝕劑形成步驟之一例進行說明。首先，藉由在基材51上及第1金屬層32上貼附乾膜，而形成負型抗蝕膜。作為乾膜之例，可列舉例如日立化成製造之RY3310等包含丙烯酸系光硬化性樹脂者。又，亦可藉由將第2抗蝕圖案55用材料塗佈於基材51上，其後視需要實施燒成，而形成抗蝕膜。其次，準備不使光透過抗蝕膜中應成為間隙56之區域的曝光遮罩，將曝光遮罩配置於抗蝕膜上。其後，藉由真空密接，使曝光遮罩充分地密接於抗蝕膜。再者，作為抗蝕膜，亦可使用正型抗蝕膜。於該情形時，作為曝光遮罩，可使用使光透過抗蝕膜中之欲去除之區域的曝光遮罩。

其後，可隔著曝光遮罩對抗蝕膜進行曝光。進而，為了於曝光後之抗蝕膜形成影像，可對抗蝕膜進行顯影。再者，為了將第2抗蝕圖案55更牢固地密接於基材51及第1金屬層32，可於顯影步驟之後實施對第2抗蝕圖案55進行加熱之熱處理步驟。

其次，亦可將第2金屬層37形成於第1金屬層32上。此時，可將設置有與第1開口部30c連通之第2開口部30d之第2金屬層37形成於第1金屬層32上。具體而言，可對第2抗蝕圖案55之間隙56供給第2鍍覆液，使第2金屬層37析出在第1金屬層32上。例如，可將形成有第1金屬層32之基材51浸漬於填充有第2鍍覆液之鍍覆槽中。藉此，如圖9(c)所示，可於第1金屬層32上獲得第2金屬層37。再者，關於第2金屬層37之厚度，可以有效區域22中之蒸鍍罩20之鍍覆層31之厚度T0(參照圖7)成為2 μm以上50 μm以下之方式設定。

只要能夠使第2金屬層37析出在第1金屬層32上，則第2鍍覆處理步驟之具體之方法並無特別限制。例如，第2鍍覆處理步驟可作為如下之所謂電鍍處理步驟來實施，即，藉由使電流於第1金屬層32中流動，而使第2金屬層37析出在第1金屬層32上。或者，第2鍍覆處理步驟亦可為無電解鍍覆處理步驟。再者，於第2鍍覆處理步驟為無電解鍍覆處理步驟之情形時，可於第1金屬層32上設置有恰當之觸媒層。於實施電鍍處理步驟之情形時，亦可於第1金屬層32上設置有觸媒層。

作為第2鍍覆液，可使用與上述第1鍍覆液相同之鍍覆液。或者，亦可使用與第1鍍覆液不同之鍍覆液作為第2鍍覆液。於第1鍍覆液之組成與第2鍍覆液之組成相同之情形時，構成第1金屬層32之金屬之組成、與構成第2金屬層37之金屬之組成亦相同。

再者，於圖9(c)中，表示了持續進行第2鍍覆處理步驟直至變為第2抗蝕圖案55之上表面與第2金屬層37之上表面一致為止之例，但並不限定於此。亦可於第2金屬層37之上表面位於較第2抗蝕圖案55之上表面更靠下方之狀態，停止第2鍍覆處理步驟。

其後，可實施將第2抗蝕圖案55去除之去除步驟。去除步驟可藉由將圖案基板50、第1金屬層32、第2金屬層37及第2抗蝕圖案55之積層體浸漬於例如鹼系剝離液而進行。藉此，如圖9(d)所示，可使第2抗蝕圖案55從圖案基板50、第1金屬層32及第2金屬層37剝離。以此方式，可獲得具備基材51及接合於基材51之遮罩本體30的第1中間體57a。又，此時，可於第1金屬層32上獲得以規定之圖案設置有第2開口部30d之第2金屬層37。進而，藉由將第1開口部30c與第2開口部30d相互連通，而形成貫通遮罩本體30之第1貫通孔35。如此，藉由使鍍覆層31析出在導電性圖案52上，而形成複數個第1貫通孔35。再者，雖然圖9(d)中未表示，但與第1貫通孔35同樣地，於遮罩本體30形成作為於厚度方向上貫通遮罩本體30之貫通孔之第1對準標記34(參照圖5及圖6)。

又，可與準備具備基材51及遮罩本體30之第1中間體57a並行地，如圖10(a)所示般準備形成有第2貫通孔45之支持體40。此時，首先，可準備金屬板，利用包含曝光步驟及顯影步驟之光微影法將金屬板圖案化。藉此，能夠獲得形成有第2貫通孔45之支持體40。再者，雖然圖10(a)中未表示，但可與第2貫通孔45同樣地，於支持體40形成作為於厚度方向上貫通支持體40之貫通孔之第2對準標記44(參照圖5及圖6)。

再者，於藉由對較厚之金屬板(例如300 μm以上)進行蝕刻而製作支持體40之情形時，蝕刻時所使用之乾膜抗蝕劑之厚度例如可為5 μm以上，亦可為6 μm以上，亦可為8 μm以上，亦可為10 μm以上。又，乾膜抗蝕劑之厚度例如可為12 μm以下，亦可為15 μm以下，亦可為18 μm以下，亦可為20 μm以下。乾膜抗蝕劑之厚度之範圍可藉由包含5 μm、6 μm、8 μm及10 μm之第1組、及/或包含12 μm、15 μm、18 μm及20 μm之第2組來決定。乾膜抗蝕劑之厚度之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、與上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。乾膜抗蝕劑之厚度之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。乾膜抗蝕劑之厚度之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如，可為5 μm以上20 μm以下，亦可為5 μm以上18 μm以下，亦可為5 μm以上15 μm以下，亦可為5 μm以上12 μm以下，亦可為5 μm以上10 μm以下，亦可為5 μm以上8 μm以下，亦可為5 μm以上6 μm以下，亦可為6 μm以上20 μm以下，亦可為6 μm以上18 μm以下，亦可為6 μm以上15 μm以下，亦可為6 μm以上12 μm以下，亦可為6 μm以上10 μm以下，亦可為6 μm以上8 μm以下，亦可為8 μm以上20 μm以下，亦可為8 μm以上18 μm以下，亦可為8 μm以上15 μm以下，亦可為8 μm以上12 μm以下，亦可為8 μm以上10 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為10 μm以上18 μm以下，亦可為10 μm以上15 μm以下，亦可為10 μm以上12 μm以下，亦可為12 μm以上20 μm以下，亦可為12 μm以上18 μm以下，亦可為12 μm以上15 μm以下，亦可為15 μm以上20 μm以下，亦可為15 μm以上18 μm以下，亦可為18 μm以上20 μm以下。藉由將乾膜抗蝕劑之厚度設為5 μm以上，能夠抑制於蝕刻過程中產生抗蝕膜之缺損。又，藉由將乾膜抗蝕劑之厚度設為20 μm以下，能夠提高蝕刻之精度。

作為構成支持體40之材料，例如可使用含有34質量%以上38質量%以下之鎳之因瓦材、或除鎳以外還含有鈷之超因瓦材等鐵合金。

其次，可實施如下接合步驟：將第1中間體57a之遮罩本體30與支持體40接合。於該接合步驟中，可以俯視時支持體40之第2貫通孔45與遮罩本體30之第1貫通孔35重疊之方式，將支持體40與遮罩本體30接合。此時，首先，如圖10(b)所示，可一面將遮罩本體30與支持體40準確地定位，一面將遮罩本體30配置於支持體40上。此時，可藉由使遮罩本體30之第1對準標記34與支持體40之第2對準標記44之位置相互對準，並使第1對準標記34與第2對準標記44之中心彼此一致，而調整遮罩本體30與支持體40之位置。

具體而言，可以從相對於支持體40與遮罩本體30相反之側(圖11之箭頭D1方向)觀察時，第1對準標記34包含於第2對準標記44之內側之方式，調整遮罩本體30與支持體40之相互之位置。例如，於將第1對準標記34之直徑設為W1，將第2對準標記44之直徑設為W2時，(W2－W1)/2為容許對準誤差。此時，於如圖12(a)所示，遮罩本體30之第1對準標記34整體位於第2對準標記44之內側之情形時，判斷為該第1對準標記34與第2對準標記44處於準確之位置關係(容許對準誤差之範圍內)。相對於此，於如圖12(b)所示，遮罩本體30之第1對準標記34與第2對準標記44重疊之情形時，判斷為第1對準標記34與第2對準標記44相互錯開(容許對準誤差之範圍外)。可藉由對全部第1對準標記34及第2對準標記44進行此種位置對準，而將遮罩本體30與支持體40之位置配置於準確之位置關係。

其次，可對第1中間體57a之遮罩本體30，從基材51側隔著基材51照射雷射光La，利用藉由照射雷射光La所產生之熱使第2金屬層37之一部分及支持體40之一部分熔解，而使遮罩本體30與支持體40藉由熔接相互而接合。作為雷射光La，例如可使用由YAG雷射裝置產生之YAG雷射光。作為YAG雷射裝置，例如可使用具備於YAG(釔-鋁-石榴石)中添加有Nd(釹)而成之結晶作為振盪用介質。

藉此，如圖10(c)所示，形成將遮罩本體30與支持體40接合之第1接合部19a，而獲得具有基材51、接合於基材51之遮罩本體30、及接合於遮罩本體30之支持體40的第2中間體57b。於本實施形態中，亦提供此種第2中間體(中間體)57b。如上所述，於第1對準標記34與第2對準標記44相互位置對準之狀態下將遮罩本體30與支持體40接合，故而俯視時能夠使支持體40之第2貫通孔45與遮罩本體30之第1貫通孔35恰好重合。再者，並不限於此，遮罩本體30與支持體40亦可藉由例如接著劑等其他固定方法而相互接合，或者遮罩本體30與支持體40亦可藉由鍍覆處理而相互接合。

其次，亦可實施如下剝離步驟：將基材51從第2中間體57b之遮罩本體30剝離。於剝離步驟中，首先，可將第2中間體57b浸漬於能夠選擇性地蝕刻導電性圖案52(參照圖9(d))之蝕刻液。其次，可將基材51從第2中間體57b剝離而分離。其後，可將遮罩本體30及支持體40之組合體再次浸漬於蝕刻液中，將附著於遮罩本體30而殘存之導電性圖案52完全地蝕刻去除。藉此，如圖10(d)所示，可獲得具備遮罩本體30及支持體40之蒸鍍罩20，該遮罩本體30具有形成有複數個第1貫通孔35之鍍覆層31，該支持體40接合於遮罩本體30且形成有俯視時與複數個第1貫通孔35重疊之第2貫通孔45。

其次，對製造蒸鍍罩裝置10之方法進行說明。

首先，利用例如圖8至圖10所示之方法，製作蒸鍍罩20。

其次，可將蒸鍍罩20接合於框架15。於該情形時，可以俯視時框架15之開口部15a與支持體40之第2貫通孔45重疊之方式，將框架15與支持體40接合。此時，如圖13(a)所示，可以支持體40與框架15接觸之方式，將蒸鍍罩20配置於框架15上。其次，如圖13(b)所示，可對支持體40照射雷射光La，利用藉由照射雷射光La所產生之熱使支持體40之一部分及框架15之一部分熔解，而使支持體40與框架15藉由熔接而相互接合。

藉此，如圖13(c)所示，形成將支持體40與框架15接合之第2接合部19b，獲得具備蒸鍍罩20、及與蒸鍍罩20之支持體40接合且設置有俯視時與第2貫通孔45重疊之開口部15a之框架15的蒸鍍罩裝置10。再者，並不限於此，支持體40與框架15亦可藉由例如接著劑等其他固定方法而相互接合。

其次，主要參照圖14及圖15來說明使用藉由上述步驟所獲得之蒸鍍罩裝置10將蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92之蒸鍍材料之蒸鍍方法。

首先，如圖14(a)所示，可準備藉由上述步驟所獲得之蒸鍍罩裝置10。此時，可準備收容有蒸鍍材料98之坩堝94及加熱器96，而準備蒸鍍裝置90。

又，可準備有機EL基板92。

其次，如圖14(b)所示，可將有機EL基板92設置於蒸鍍罩裝置10之遮罩本體30上。此時，例如，可直接觀察有機EL基板92之未圖示之對準標記、及蒸鍍罩20之未圖示之對準標記，一面以該對準標記彼此重疊之方式進行有機EL基板92之定位，一面將有機EL基板92設置於蒸鍍罩裝置10。

繼而，使蒸鍍材料98蒸鍍至設置於蒸鍍罩裝置10之遮罩本體30上之有機EL基板92。此時，例如，如圖15所示，可於有機EL基板92之與蒸鍍罩裝置10相反之側之面配置磁鐵93。藉由以此方式設置磁鐵93，能夠利用磁力將蒸鍍罩裝置10朝磁鐵93側牽引，而使遮罩本體30密接於有機EL基板92。其次，可將蒸鍍裝置90內排氣而設為真空狀態。其後，加熱器96可將坩堝94加熱而使蒸鍍材料98蒸發。然後，從坩堝94蒸發而到達蒸鍍罩裝置10之蒸鍍材料98通過支持體40之第2貫通孔45及遮罩本體30之第1貫通孔35後附著於有機EL基板92(參照圖1)。

以此方式，利用與遮罩本體30之第1貫通孔35之位置對應之所期望之圖案，將蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92。

根據本實施形態，遮罩本體30具有第1對準標記34，支持體40具有第2對準標記44。又，第1對準標記34與第2對準標記44設置於相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。藉此，可藉由使第1對準標記34與第2對準標記44之中心彼此一致，而使遮罩本體30與支持體40之位置準確地對準。如此，能夠將遮罩本體30與支持體40精度良好地貼合，故而遮罩本體30之第1貫通孔35被準確地配置於支持體40之第2貫通孔45。其結果，能夠製作蒸鍍後之蒸鍍材料98之位置精度提高、且不存在亮度不均或不點亮等之有機EL基板92。

又，根據本實施形態，遮罩本體30之第1對準標記34係於形成第1貫通孔35之步驟中一起形成，支持體40之第2對準標記44係於形成第2貫通孔45之步驟中一起形成，故而無需另外設置形成對準標記之步驟。

再者，能夠對本實施形態施加各種變更。以下，一面視需要參照圖式，一面對變化例進行說明。於以下之說明及以下之說明中使用之圖式中，對於可與本實施形態同樣地構成之部分，使用與本實施形態中之相對應之部分所使用之符號相同的符號，並省略重複之說明。又，於明確本實施形態中可獲得之作用效果在變化例中亦可獲得之情形時，亦存在省略其說明之情況。

圖16至圖19係表示第1對準標記及第2對準標記之變化例之圖。圖16至圖19係表示將遮罩本體30與支持體40定位之狀態之圖，且為對應於上述圖11之圖。

於上述實施形態中，取俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖16所示，亦可俯視時第1對準標記34大於第2對準標記44。於該情形時，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖16之箭頭D2方向)進行。

於上述實施形態中，取第2對準標記44為貫通孔之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖17所示，第1對準標記34亦可為形成於基材51上之島狀突起。於該情形時，第1對準標記34係由鍍覆層31形成，於俯視時具有與第2對準標記44相似之形狀。例如，於第2對準標記44之平面形狀為圓形狀之情形時，第1對準標記34亦可具有圓柱形狀。又，於圖17中，俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34。即，於俯視時，第1對準標記34包含於第2對準標記44。於基材51由透光性材料(例如玻璃材料)製作之情形時，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從支持體40側(圖17之箭頭D1方向)及基材51側(圖17之箭頭D2方向)中之任一方向進行。另一方面，於基材51由不透光性材料(例如金屬材料)製作之情形時(例如參照下述圖21(a)-(e))，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從支持體40側(圖17之箭頭D1方向)針對該兩者進行。

於上述實施形態中，取第2對準標記44為貫通孔之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖18所示，第2對準標記44亦可為凹陷至支持體40之厚度方向中途並且朝遮罩本體30側開口之非貫通孔。該第2對準標記44可藉由例如半蝕刻(蝕刻至支持體40之厚度方向中途為止之方法)而形成於支持體40。另一方面，第1對準標記34係形成於基材51上之島狀突起。第2對準標記44於俯視時具有與第1對準標記34相似之形狀。例如，於第2對準標記44之平面形狀為圓形狀之情形時，第1對準標記34亦可具有圓柱形狀。於圖18中，俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34。於該情形時，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖18之箭頭D2方向)進行。如此，藉由使第2對準標記44為非貫通孔，而於使蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92時，蒸鍍材料98不會通過第2對準標記44，故而蒸鍍材料98不會附著於有機EL基板92上之不需要之位置。

又，如圖19所示，亦可為第2對準標記44為凹陷至支持體40之厚度方向中途並且朝遮罩本體30側開口之非貫通孔，第1對準標記34為貫通孔。其中，第2對準標記44可藉由例如半蝕刻(蝕刻至支持體40之厚度方向中途為止之方法)而形成於支持體40。又，第2對準標記44於俯視時具有與第1對準標記34相似之形狀。於圖19中，俯視時第1對準標記34大於第2對準標記44。於該情形時，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖19之箭頭D2方向)進行。如此，藉由使第2對準標記44為非貫通孔，而於將蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92時，蒸鍍材料98不會通過第2對準標記44，故而蒸鍍材料98不會附著於有機EL基板92上之不需要之位置。

又，如圖20所示，亦可為第1對準標記34為凹陷至遮罩本體30之厚度方向中途並且朝支持體40側開口之非貫通孔，第2對準標記44為貫通孔。第1對準標記34可於俯視時具有與第2對準標記44相似之形狀。於圖20中，俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34。於該情形時，第1對準標記34與第2對準標記44之位置對準可從支持體40側進行。再者，第2對準標記44亦可具有島狀之突起(參照圖17)。

又，於上述實施形態中，關於鍍覆層31，對使鍍覆層31析出在導電性圖案52上之例進行了說明。然而，並不限於此，亦可於基材51上直接使鍍覆層31析出。於該情形時，首先，準備具有導電性之材料、例如包含不鏽鋼或黃銅鋼之基材51(圖21(a))。繼而，於具有導電性之基材51上塗佈抗蝕劑53a，將其進行乾燥(圖21(b))。其次，藉由對該基材51隔著光罩進行曝光，並進行顯影，而於基材51上形成具有規定圖案之抗蝕圖案53(圖21(c))。繼而，如圖21(d)所示，對形成有抗蝕圖案53之基材51上供給鍍覆液，使鍍覆層31析出在基材51上。其後，如圖21(e)所示，藉由將抗蝕圖案53去除，能夠使鍍覆層31析出在基材51上。再者，雖未圖示，但鍍覆層31可具備設置於第1金屬層32上之第2金屬層37，而以兩層構造形成。

其次，利用圖22至圖32對第2實施形態進行說明。圖22至圖32係表示第2實施形態之圖。於圖22至圖32，對與圖1至圖21所示之第1實施形態相同之部分標註相同之符號，並省略詳細之說明。再者，以下，主要以與第1實施形態之不同點為中心進行說明。

首先，使用圖22至圖25對本實施形態之蒸鍍罩之構成進行說明。

如圖22及圖23所示，本實施形態之蒸鍍罩20A可具備：金屬層(金屬遮罩)60，其設置有狹縫61；及樹脂遮罩70，其積層於金屬層60，設置有與要蒸鍍製作之圖案對應之複數個開口部71。又，於金屬層60可接合有支持體40。再者，可由相互積層之金屬層60與樹脂遮罩70構成遮罩本體30A。

該蒸鍍罩20A係用以同時形成複數個畫面量之蒸鍍圖案者，可利用1個蒸鍍罩20A同時形成與複數個製品對應之蒸鍍圖案。此處，「開口部」意指欲使用蒸鍍罩20A製作之圖案，例如，於將該蒸鍍罩用於有機EL顯示器中之有機層之形成之情形時，開口部71之形狀成為該有機層之形狀。又，「1個畫面」包含與1個製品對應之開口部71之集合體，於該1個製品為有機EL顯示器之情形時，形成1個有機EL顯示器所需要之有機層之集合體、亦即成為有機層之開口部71之集合體為「1個畫面」。而且，蒸鍍罩20A為了同時形成複數個畫面量之蒸鍍圖案，而於樹脂遮罩70中，將上述「1個畫面」隔開規定間隔地配置有複數格畫面量。即，於樹脂遮罩70中，設置有構成複數個畫面所需要之開口部71。

遮罩本體30A之金屬層60可設置於樹脂遮罩70之一面(支持體40側之面)。金屬層60於俯視時具有長方形之形狀。又，可於金屬層60形成有複數個狹縫61。狹縫61之形狀可於俯視時為大致多邊形。此處，表示了狹縫61之形狀為大致四邊形、更具體而言大致正方形之例。又，雖未圖示，但狹縫61之形狀亦可為大致六邊形或大致八邊形等其他大致多邊形。再者，「大致多邊形」係包含多邊形之角部帶弧度之形狀之概念。又，雖未圖示，但狹縫61之形狀亦可為圓形。再者，狹縫61與開口含義相同。

又，狹縫61可設置於與開口部71重疊之位置。於該情形時，可於俯視時於1個狹縫61之內側配置有1個開口部71。關於狹縫61之配置例並無特別限定，狹縫61可於縱向及橫向上配置有複數行，於縱向上延伸之狹縫61可於橫向上配置有複數行，於橫向上延伸之狹縫61可於縱向上配置有複數行。又，亦可於縱向或橫向上僅配置有1行。

關於金屬層60之材料，並無特別限定，可適當選擇而使用蒸鍍罩領域中之先前公知者，例如，可列舉不鏽鋼、鐵鎳合金、鋁合金等金屬材料。其中，作為鐵鎳合金之因瓦材不易因熱而變形，故而可較佳地使用。

關於金屬層60之厚度Ta，亦無特別限定，但為了更有效地防止產生陰影，較佳為100 μm以下，更佳為50 μm以下，尤佳為35 μm以下。再者，藉由使金屬層60之厚度Ta厚於5 μm，能夠降低金屬層60斷裂或變形之風險，同時確保處理性。再者，陰影係指因由蒸鍍源釋出之蒸鍍材之一部分碰撞至金屬層60之狹縫61之內壁面而不會到達蒸鍍對象物，從而產生膜厚較目標蒸鍍膜厚薄之未蒸鍍部分之現象。尤其是，伴隨逐漸將開口部71之形狀微細化，陰影所產生之影響變大。

遮罩本體30A之樹脂遮罩70亦可設置於金屬層60之另一面(支持體40之相反側之面)。樹脂遮罩70於俯視時具有長方形之形狀。於該情形時，樹脂遮罩70具有與金屬層60相同之外形形狀，但並不限定於此，樹脂遮罩70與金屬層60亦可具有不同之外形形狀。

於樹脂遮罩70中，可設置有構成複數個畫面所需要之開口部71。複數個開口部71可設置於將金屬層60與樹脂遮罩70積層時與金屬層60之狹縫61重疊之位置。各開口部71可於俯視時為大致多邊形形狀。此處，表示了開口部71為大致四邊形形狀、更具體而言大致正方形形狀之例。又，雖未圖示，但開口部71亦可為大致六邊形形狀或大致八邊形形狀等其他大致多邊形形狀。又，雖未圖示，但開口部71亦可為圓形狀。

樹脂遮罩70可適當選擇而使用先前公知之樹脂材料，關於該材料，並無特別限定，但較佳為使用可藉由雷射加工等而形成高精細之開口部71，並且熱或經時所引起之尺寸變化率或吸濕率較小且輕量之材料。作為此種材料，可列舉：聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯腈樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、賽璐凡、離子聚合物樹脂等。上述所例示之材料之中，熱膨脹係數為16 ppm/℃以下之樹脂材料較佳，吸濕率為1.0%以下之樹脂材料較佳，具備此兩個條件之樹脂材料尤佳。藉由設為使用該樹脂材料之樹脂遮罩，能夠提高開口部71之尺寸精度，且能夠減小熱或經時所引起之尺寸變化率或吸濕率。

關於樹脂遮罩70之厚度Tb，亦無特別限定，但樹脂遮罩70之厚度Tb例如可為3 μm以上，亦可為4 μm以上，亦可為6 μm以上，亦可為8 μm以上。又，樹脂遮罩70之厚度Tb例如可為10 μm以下，亦可為15 μm以下，亦可為20 μm以下，亦可為25 μm以下。樹脂遮罩70之厚度Tb之範圍可藉由包含3 μm、4 μm、6 μm及8 μm之第1組、及/或包含10 μm、15 μm、20 μm及25 μm之第2組來決定。樹脂遮罩70之厚度Tb之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、及上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。樹脂遮罩70之厚度Tb之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。樹脂遮罩70之厚度Tb之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如，可為3 μm以上25 μm以下，亦可為3 μm以上20 μm以下，亦可為3 μm以上15 μm以下，亦可為3 μm以上10 μm以下，亦可為3 μm以上8 μm以下，亦可為3 μm以上6 μm以下，亦可為3 μm以上4 μm以下，亦可為4 μm以上25 μm以下，亦可為4 μm以上20 μm以下，亦可為4 μm以上15 μm以下，亦可為4 μm以上10 μm以下，亦可為4 μm以上8 μm以下，亦可為4 μm以上6 μm以下，亦可為6 μm以上25 μm以下，亦可為6 μm以上20 μm以下，亦可為6 μm以上15 μm以下，亦可為6 μm以上10 μm以下，亦可為6 μm以上8 μm以下，亦可為8 μm以上25 μm以下，亦可為8 μm以上20 μm以下，亦可為8 μm以上15 μm以下，亦可為8 μm以上10 μm以下，亦可為10 μm以上25 μm以下，亦可為10 μm以上20 μm以下，亦可為10 μm以上15 μm以下，亦可為15 μm以上25 μm以下，亦可為15 μm以上20 μm以下，亦可為20 μm以上25 μm以下。藉由將樹脂遮罩70之厚度Tb設為該範圍內，能夠減少針孔等缺陷或變形等之風險，且能夠有效地防止產生陰影。尤其是，藉由將樹脂遮罩70之厚度Tb設為3 μm以上10 μm以下、更佳為4 μm以上8 μm以下，能夠更有效地防止形成超過400 ppi之高清圖案時之陰影之影響。

支持體40可設置於金屬層60之一面(樹脂遮罩70之相反側之面)。可為於支持體40中形成有複數個第2貫通孔45，各第2貫通孔45分別形成為對應於1個畫面之大小。又，於第2貫通孔45中，可以俯視時複數個狹縫61與複數個開口部71重疊之方式配置。

再者，支持體40之構成與第1實施形態之情形大致相同，故而此處省略詳細之說明。又，雖未圖示，但亦可於支持體40之一面(金屬層60之相反側之面)進一步設置與第1實施形態之情形相同之框架15，而構成具備遮罩本體30A、支持體40及框架15之蒸鍍罩裝置。

如圖24及圖25所示，蒸鍍罩20之遮罩本體30A可具有第1對準標記34A，支持體40可具有第2對準標記44。該第1對準標記34A及第2對準標記44係如下所述，用以將第2中間體75b之金屬層60及樹脂遮罩70與支持體40準確地定位而設置者。而且，於第2中間體75b之金屬層60及樹脂遮罩70與支持體40被準確地定位時，第1對準標記34A與第2對準標記44之中心彼此可一致。因此，第1對準標記34A與第2對準標記44可設置於俯視時相互重疊之位置。又，可使第1對準標記34A與第2對準標記44之大小互不相同，具體而言，第2對準標記44大於第1對準標記34A。

於該情形時，第1對準標記34A可為於厚度方向上貫通構成遮罩本體30A之金屬層60及樹脂遮罩70之貫通孔。又，第2對準標記44可為於厚度方向上貫通支持體40之貫通孔。因此，於從支持體40方向(圖25之箭頭D1方向)觀察之情形時，作為貫通孔之第1對準標記34A可包含於作為貫通孔之第2對準標記44之內側。因此，於金屬層60及樹脂遮罩70與支持體40被準確地定位時，第1對準標記34A之外緣可整體位於第2對準標記44之內側。

第1對準標記34A及第2對準標記44之形狀可分別於俯視時為圓形。

第2對準標記44之直徑(寬度)W4例如可為0.15 mm以上，亦可為0.3 mm以上，亦可為0.5 mm以上，亦可為0.8 mm以上。又，第2對準標記44之直徑(寬度)W4例如可為1.0 mm以下，亦可為1.5 mm以下，亦可為2.0 mm以下，亦可為2.5 mm以下。第2對準標記44之直徑(寬度)W4之範圍可藉由包含0.15 mm、0.3 mm、0.5 mm及0.8 mm之第1組、及/或包含1.0 mm、1.5 mm、2.0 mm及2.5 mm之第2組來決定。第2對準標記44之直徑(寬度)W4之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、與上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。第2對準標記44之直徑(寬度)W4之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。第2對準標記44之直徑(寬度)W4之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如，可為0.15 mm以上2.5 mm以下，亦可為0.15 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.15 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.15 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.15 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.15 mm以上0.5 mm以下，亦可為0.15 mm以上0.3 mm以下，亦可為0.3 mm以上2.5 mm以下，亦可為0.3 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.3 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.3 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.3 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.3 mm以上0.5 mm以下，亦可為0.5 mm以上2.5 mm以下，亦可為0.5 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.5 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.5 mm以上1.0 mm以下，亦可為0.5 mm以上0.8 mm以下，亦可為0.8 mm以上2.5 mm以下，亦可為0.8 mm以上2.0 mm以下，亦可為0.8 mm以上1.5 mm以下，亦可為0.8 mm以上1.0 mm以下，亦可為1.0 mm以上2.5 mm以下，亦可為1.0 mm以上2.0 mm以下，亦可為1.0 mm以上1.5 mm以下，亦可為1.5 mm以上2.5 mm以下，亦可為1.5 mm以上2.0 mm以下，亦可為2.0 mm以上2.5 mm以下。

第1對準標記34A之直徑(寬度)W3例如可為第2對準標記44之直徑(寬度)W4之2%以上，亦可為5%以上，亦可為10%以上，亦可為20%以上。又，W3相對於W4之比率例如可為40%以下，亦可為60%以下，亦可為80%以下，亦可為98%以下。W3相對於W4之比率之範圍可藉由包含2%、5%、10%及20%之第1組、及/或包含40%、60%、80%及98%之第2組來決定。W3相對於W4之比率之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意1個、及上述第2組所包含之值中之任意1個之組合來決定。W3相對於W4之比率之範圍亦可藉由上述第1組所包含之值中之任意2個之組合來決定。W3相對於W4之比率之範圍亦可藉由上述第2組所包含之值中之任意2個之組合來決定。例如，可為2%以上98%以下，亦可為2%以上80%以下，亦可為2%以上60%以下，亦可為2%以上40%以下，亦可為2%以上20%以下，亦可為2%以上10%以下，亦可為2%以上5%以下，亦可為5%以上98%以下，亦可為5%以上80%以下，亦可為5%以上60%以下，亦可為5%以上40%以下，亦可為5%以上20%以下，亦可為5%以上10%以下，亦可為10%以上98%以下，亦可為10%以上80%以下，亦可為10%以上60%以下，亦可為10%以上40%以下，亦可為10%以上20%以下，亦可為20%以上98%以下，亦可為20%以上80%以下，亦可為20%以上60%以下，亦可為20%以上40%以下，亦可為40%以上98%以下，亦可為40%以上80%以下，亦可為40%以上60%以下，亦可為60%以上98%以下，亦可為60%以上80%以下，亦可為80%以上98%以下。

第1對準標記34A及第2對準標記44之俯視時之形狀分別並不限於圓形，亦可設為橢圓形、多邊形、十字形等。於該情形時，第1對準標記34A及第2對準標記44之俯視時之形狀成為彼此相似之形狀，但並不限於此，亦可為非相似形狀(例如圓形與多邊形)。

如圖22所示，第1對準標記34A及第2對準標記44可分別形成於蒸鍍罩20中之除構成1個畫面之區域外。具體而言，第1對準標記34A及第2對準標記44可分別配置於遮罩本體30A之四角，合計為4個。然而，關於第1對準標記34A及第2對準標記44之配置位置或個數，只要於遮罩本體30A與支持體40重疊之位置設置有1個或複數個即可，並非限定於此。

其次，使用圖26(a)-(h)，對本實施形態之蒸鍍罩之製造方法進行說明。圖26(a)-(h)係用以說明本實施形態之蒸鍍罩之製造方法之步驟圖。

首先，如圖26(a)所示，可準備基材51。作為該基材51，可與第1實施形態之情形同樣地，使用玻璃、合成樹脂、金屬等。此處，對使用具有透光性之玻璃材料作為基材51之例進行說明。

其次，如圖26(b)所示，可於基材51上形成樹脂層70A。該樹脂層70A係用以製作上述蒸鍍罩20A之樹脂遮罩70者。具體而言，藉由在基材51之表面之大致全域塗佈例如聚醯亞胺清漆等樹脂溶液，對其進行加熱而使其乾燥，從而獲得樹脂層70A。塗佈樹脂溶液之厚度例如可設為2 μm以上30 μm以下。

繼而，如圖26(c)所示，可於樹脂層70A上塗佈感光性抗蝕劑並使其乾燥。繼而，可藉由對該感光性抗蝕劑隔著光罩進行曝光，並進行顯影，而形成具有與狹縫61對應之圖案之抗蝕劑層66。再者，雖於圖26(c)中未表示，但亦可於與第1對準標記34A對應之位置亦形成抗蝕劑層66。

其次，如圖26(d)所示，可於樹脂層70A上形成例如包含鎳、鈀等金屬之未圖示之晶種層，繼而，對基材51及樹脂層70A實施電鍍。藉此，可於形成於樹脂層70A之晶種層上之不存在抗蝕劑層66之部分，使鎳、鎳合金等金屬析出，而形成金屬層60。

繼而，如圖26(e)所示，可藉由依序去除抗蝕劑層66及晶種層，而於樹脂層70A上形成設置有狹縫61之金屬層60。以此方式，獲得第1中間體75a，該第1中間體75a具有：金屬層60，其設置有狹縫61；樹脂層70A，其積層於金屬層60；及基材51，其積層於樹脂層70A。此時，可於金屬層60中形成於厚度方向上貫通金屬層60之貫通孔64(參照圖27(a))。該貫通孔64可構成第1對準標記34A之一部分。

繼而，如圖26(f)所示，可對第1中間體75a之樹脂層70A，從金屬層60側照射雷射(參照圖26(f)之箭頭)，而形成與要蒸鍍製作之圖案對應之開口部71。藉此，獲得設置有開口部71之樹脂遮罩70。作為該雷射，例如可使用波長248 nm之KrF之準分子雷射或波長355 nm之YAG雷射。於該情形時，可使用與要蒸鍍製作之圖案對應之未圖示之雷射用遮罩，於該雷射用遮罩與第1中間體75a之間設置聚光透鏡，利用使用所謂之縮小投影光學系統之雷射加工法形成開口部71。以此方式，獲得第2中間體75b，該第2中間體75b具有：金屬層60，其設置有狹縫61；樹脂遮罩70，其設置有開口部71；基材51，其積層於樹脂遮罩70。

此時，可於樹脂遮罩70中形成於厚度方向上貫通樹脂遮罩70之貫通孔74(參照圖27(b))。可利用該樹脂遮罩70之貫通孔74及金屬層60之貫通孔64，形成第1對準標記34A。再者，於圖27(b)中，樹脂遮罩70之貫通孔74與金屬層60之貫通孔64具有彼此相同之直徑，但並不限於此，亦可使樹脂遮罩70之貫通孔74之直徑小於金屬層60之貫通孔64之直徑。

其次，如圖26(g)所示，可準備支持體40，並且將支持體40接合於第2中間體75b之金屬層60。此時，可以俯視時支持體40之第2貫通孔45與金屬層60之狹縫61及樹脂遮罩70之開口部71重疊之方式，將支持體40與金屬層60接合。此時，首先，一面將第2中間體75b與支持體40準確地定位，一面將第2中間體75b配置於支持體40上。在此期間，如圖27(c)所示，可藉由使第2中間體75b之第1對準標記34A與支持體40之第2對準標記44之位置相互對準，且使第1對準標記34A與第2對準標記44之中心彼此一致，而調整第2中間體75b與支持體40之位置。此外，準備支持體40之步驟及將支持體40接合之步驟可與第1實施形態之情形同樣地進行。以此方式，獲得第3中間體75c，該第3中間體75c具有：基材51；遮罩本體30A，其接合於基材51；及支持體40，其接合於遮罩本體30A。於本實施形態中，可亦提供此種第3中間體(中間體)75c。

其後，如圖26(h)所示，將基材51從樹脂層70A去除。具體而言，可從第3中間體75c之基材51側照射雷射，藉此將基材51從樹脂層70A剝離。藉此，獲得具備遮罩本體30A及接合於遮罩本體30A之支持體40的蒸鍍罩20A。

再者，利用使用本實施形態之蒸鍍罩20A之蒸鍍法製造有機EL顯示裝置之方法係與第1實施形態之情形相同。

根據本實施形態，遮罩本體30A具有第1對準標記34A，支持體40具有第2對準標記44。又，第1對準標記34A與第2對準標記44設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。藉此，可藉由使第1對準標記34A與第2對準標記44之中心彼此一致，而使金屬層60及樹脂遮罩70與支持體40之位置準確地對準。如此，能夠將金屬層60及樹脂遮罩70與支持體40精度良好地貼合，故而金屬層60之狹縫61及樹脂遮罩70之開口部71被準確地配置於支持體40之第2貫通孔45。其結果，能夠製作蒸鍍後之蒸鍍材料98之位置精度提高、且不存在亮度不均或不點亮等之有機EL基板92。

再者，能夠對本實施形態施加各種變更。以下，一面視需要參照圖式，一面對變化例進行說明。於以下之說明及以下之說明中使用之圖式中，對於可與本實施形態同樣地構成之部分，使用與本實施形態中之相對應之部分所使用之符號相同之符號，並省略重複之說明。又，於明確本實施形態中可獲得之作用效果在變化例中亦可獲得之情形時，亦存在省略其說明之情況。

圖28至圖31係表示第1對準標記及第2對準標記之變化例之圖。圖28至圖31表示將第2中間體75b與支持體40定位之狀態之圖，且為對應於上述圖27(c)之圖。

於上述實施形態中，取俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34A之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖28所示，亦可俯視時第1對準標記34A大於第2對準標記44。於該情形時，第1對準標記34A與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖28之箭頭D2方向)進行。

於上述實施形態中，取第2對準標記44為貫通孔之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖29所示，第1對準標記34A亦可為形成於基材51上之島狀突起。於該情形時，第1對準標記34A係由金屬層60及樹脂遮罩70(遮罩本體30A)之一部分形成，於俯視時具有與第2對準標記44相似之形狀。例如，於第2對準標記44之平面形狀為圓形狀之情形時，第1對準標記34A亦可具有圓柱形狀。即，於俯視時，第1對準標記34A包含於第2對準標記44。又，於圖29中，俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34A。於基材51由透光性之材料(例如玻璃材料)製作之情形時，第1對準標記34A與第2對準標記44之位置對準可從支持體40側(圖29之箭頭D1方向)及基材51側(圖29之箭頭D2方向)中之任一方向進行。另一方面，於基材51由不透光性之材料(例如金屬材料)製作之情形時，第1對準標記34A與第2對準標記44之位置對準可從支持體40側(圖29之箭頭D1方向)針對該兩者進行。

於上述實施形態中，取第2對準標記44為貫通孔之情形為例進行了說明。然而，並不限於此，如圖30所示，第2對準標記44亦可為凹陷至支持體40之厚度方向中途並且朝遮罩本體30A側開口之非貫通孔。該第2對準標記44可藉由例如半蝕刻(蝕刻至支持體40之厚度方向中途為止之方法)而形成於支持體40。另一方面，第1對準標記34A亦可為形成於基材51上之島狀突起。第2對準標記44亦可於俯視時具有與第1對準標記34A相似之形狀。例如，於第2對準標記44之俯視時之形狀為圓形之情形時，第1對準標記34A亦可具有圓柱形狀。於圖30中，俯視時第2對準標記44大於第1對準標記34A。於該情形時，第1對準標記34A與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖30之箭頭D2方向)進行。如此，藉由使第2對準標記44為非貫通孔，而於將蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92時，蒸鍍材料98不會通過第2對準標記44，故而蒸鍍材料98不會附著於有機EL基板92上之不需要之位置。

又，如圖31所示，亦可為第2對準標記44為凹陷至支持體40之厚度方向中途並且朝遮罩本體30A側開口之非貫通孔，第1對準標記34A為貫通孔。其中，第2對準標記44可藉由例如半蝕刻(蝕刻至支持體40之厚度方向中途為止之方法)而形成於支持體40。又，第2對準標記44之形狀係於俯視時具有與第1對準標記34A相似之形狀。於圖31中，俯視時第1對準標記34A大於第2對準標記44。於該情形時，第1對準標記34A與第2對準標記44之位置對準可從具有透光性之基材51側(圖31之箭頭D2方向)進行。如此，藉由使第2對準標記44為非貫通孔，而於將蒸鍍材料98蒸鍍至有機EL基板92時，蒸鍍材料98不會通過第2對準標記44，故而蒸鍍材料98不會附著於有機EL基板92上之不需要之位置。

又，於上述實施形態中，取對樹脂層70A照射雷射而形成開口部71之後，將支持體40接合於金屬層60之情形為例進行了說明(圖26(f)(g))。然而，並不限於此，如圖32(a)-(h)所示，亦可於將支持體40接合於金屬層60之後，對樹脂層70A照射雷射而形成開口部71。於該情形時，第1對準標記34A亦可由在厚度方向上貫通金屬層60之貫通孔形成。藉由將該金屬層60之第1對準標記34A與支持體40之第2對準標記44進行位置對準，能夠準確地進行第1中間體57a與支持體40之定位。

其次，參照圖33至圖40，對上述第1實施形態及第2實施形態中之支持體40之各種變化例進行說明。

如圖33所示，於支持體40之第2對準標記44係從兩面藉由蝕刻而製作之情形時，第2對準標記44可具有開口之面積於厚度方向上變化之形狀。於該情形時，支持體40可具有位於遮罩本體30側之第1面40a、及位於遮罩本體30之相反側之第2面40b。第2對準標記44可於剖面中具有第1面40a側之第1壁部44a、第2面40b側之第2壁部44b、及位於第1壁部44a與第2壁部44b之間之頂部47。第1壁部44a及第2壁部44b分別為彎曲面。又，第2對準標記44係於頂部47處面積最小，第2對準標記44之直徑(寬度)W2係由該頂部47規定。頂部47可處於支持體40之厚度方向之大致中央，處於與第1面40a及第2面40b相距大致等距離之位置。如此，藉由將頂部47形成於支持體40之厚度方向之大致中央，能夠減少支持體40之翹曲。能夠以此方式減少支持體40之翹曲之原因在於：於支持體40為藉由蝕刻壓延材而形成者之情形時，壓延材具有壓延步驟所產生之殘留應力，但藉由從壓延材之正面及背面均等地進行蝕刻，能夠均等地去除具有殘留應力之部分。於從正面及背面不均等地進行蝕刻之情形時，例如若為下述圖34之支持體40，則第1面40a側之蝕刻量較少而第1面40a側之殘留應力變大，因此根據條件，支持體40有時會產生翹曲。

又，如圖34所示，於剖面中，頂部47亦可處於從支持體40之厚度方向之大致中央偏移後之位置。具體而言，頂部47亦可位於較支持體40之厚度方向之大致中央更靠第1面40a側。於該情形時，構成第2對準標記44之貫通孔係第2面40b側較第1面40a側更寬。又，第2對準標記44係於頂部47處面積最小，第2對準標記44之直徑(寬度)W2係由該頂部47規定。於該情形時，能夠以較高之精度形成第2對準標記44之直徑(寬度)W2，能夠提高遮罩本體30與支持體40之對準精度。其理由係如下所述。即，原因在於，於對支持體40從正面及背面兩面進行蝕刻而形成貫通孔(第2對準標記44)之情形時，從第1面40a側形成凹部(第1蝕刻，較小之孔)，並利用樹脂填埋該凹部，從第2面40b側利用第2蝕刻(較大之孔)形成貫通孔。此時，第2對準標記44之直徑(寬度)W2係由第1蝕刻決定，故而容易提高精度。

如圖35所示，支持體40可包含位於遮罩本體30側之第1支持基板81、及位於第1支持基板81上之第2支持基板82。第1支持基板81與第2支持基板82可相互積層。藉此，能夠使支持體40之厚度厚至例如300 μm以上。於例如遮罩本體30包含鍍覆層或樹脂層等情形時，當遮罩本體30之應力較大時，藉由使支持體40之厚度變厚，能夠抑制蒸鍍罩20之變形。又，藉由將分開準備之第1支持基板81及第2支持基板82相互貼合，能夠提高支持體40之生產性。於支持體40包含2個以上之層之情形時，能夠使構成支持體40之各層(例如第1支持基板81及第2支持基板82)之厚度變小。於該情形時，能夠於構成支持體40之各層中，於短時間內進行用以形成貫通孔(例如第1部分81a及第2部分82a)之蝕刻步驟。因此，能夠提高製作支持體40時之生產性。

於圖35中，第2對準標記44包含第1支持基板81之第1部分81a、及第2支持基板82之第2部分82a。第1部分81a於俯視時小於第2部分82a。第2對準標記44之第1部分81a及第2部分82a可分別具有與圖33所示之第2對準標記44之剖面形狀大致相同之剖面形狀。第2對準標記44之直徑(寬度)W2係由第2部分82a之頂部47規定。如此，藉由使第2對準標記44之第1部分81a小於第2部分82a，而於將第1支持基板81與第2支持基板82積層從而製作支持體40時，能夠使第1部分81a與第2部分82a之對準變得容易。又，藉由將第1部分81a之頂部47及第2部分82a之頂部47分別形成於厚度方向之大致中央，能夠減少第1支持基板81及第2支持基板82之翹曲。

再者，第1支持基板81與第2支持基板82可為彼此相同之厚度，亦可其中任一者較厚。例如，可使第1支持基板81之厚度較第2支持基板82之厚度薄。藉此，可容易地製作俯視時小於第2部分82a之第1部分81a。再者，亦可使第1支持基板81之厚度較第2支持基板82之厚度厚。

第1支持基板81與第2支持基板82可藉由熔接而相互接合。或者，第1支持基板81與第2支持基板82亦可藉由接著劑而相互接合。於該情形時，如圖36所示，亦可設為利用鍍覆層84覆蓋第1部分81a之內壁面及第2部分82a之內壁面。藉此，於使用蒸鍍罩20之蒸鍍步驟中之減壓時，能夠抑制接著劑中殘留之單體從第1支持基板81與第2支持基板82之間釋出。

如圖37所示，支持體40可包含：第1支持基板81，其位於遮罩本體30側；及第2支持基板82，其位於第1支持基板81上。可為第2對準標記44包含第1支持基板81之第1部分81a、及第2支持基板82之第2部分82a，且第1部分81a於俯視時小於第2部分82a。可為第1部分81a具有與圖34所示之第2對準標記44之剖面形狀大致相同之剖面形狀，第2部分82a具有與圖33所示之第2對準標記44之剖面形狀大致相同之剖面形狀。第1部分81a之頂部47可位於較第1支持基板81之厚度方向之大致中央更靠遮罩本體30側。於該情形時，能夠以較高之精度形成第2對準標記44之直徑(寬度)W2，能夠提高遮罩本體30與支持體40之對準精度。

又，於圖37中，第2對準標記44之直徑(寬度)W2大於第1對準標記34之直徑(寬度)W1(W2＞W1)，但並不限於此，亦可如圖38所示，第2對準標記44之直徑(寬度)W2小於第1對準標記34之直徑(寬度)W1(W2＜W1)。

如圖39所示，支持體40亦可包含3層支持基板。於該情形時，支持體40可包含：第1支持基板81，其位於遮罩本體30側；第2支持基板82，其位於第1支持基板81上；及第3支持基板83，其位於第2支持基板82上。該等第1支持基板81、第2支持基板82及第3支持基板83可相互積層。藉此，能夠使支持體40之厚度進一步變厚。又，能夠抑制蒸鍍罩20之變形。又，藉由將分開準備之第1支持基板81、第2支持基板82及第3支持基板83相互貼合，能夠提高支持體40之生產性。

於圖39中，第2對準標記44包含第1支持基板81之第1部分81a、第2支持基板82之第2部分82a及第3支持基板83之第3部分83a。第1部分81a可於俯視時小於第2部分82a。又，第3部分83a可於俯視時大於第1部分81a。再者，第3部分83a可於俯視時大於第2部分82a(參照圖39)，亦可於俯視時小於第2部分82a(參照圖40)。再者，雖未圖示，但支持體40亦可包含4層以上之支持基板。

亦可將上述各實施形態及變化例中所揭示之複數個構成要素視需要而適當組合。或者，亦可從上述各實施形態及變化例所示之全部構成要素中刪除若干個構成要素。 [相關申請案之參照]

本專利申請案享有作為2019年1月29日提出之日本申請案之日本專利特願2019-013549號之利益。該等先前之申請案中之全部揭示內容係藉由引用而作為本說明書之一部分。

10:蒸鍍罩裝置 15:框架 15a:開口部 17:邊料 18:中間部 19a:第1接合部 19b:第2接合部 20:蒸鍍罩 20A:蒸鍍罩 22:有效區域 23:周圍區域 30:遮罩本體 30A:遮罩本體 30a:第1面 30b:第2面 30c:第1開口部 30d:第2開口部 30e:外緣 31:鍍覆層 32:第1金屬層 33:端部 34:第1對準標記 34A:第1對準標記 35:第1貫通孔 37:第2金屬層 40:支持體 40a:第1面 40b:第2面 40e:外緣 41:連接部 44:第2對準標記 44a:第1壁部 44b:第2壁部 45:第2貫通孔 46:支持區域 47:頂部 50:圖案基板 51:基材 52:導電性圖案 52a:導電層 53:第1抗蝕圖案 53a:抗蝕劑 54:端部 55:第2抗蝕圖案 56:第2抗蝕圖案 57a:第1中間體 57b:第2中間體 60:金屬層 61:狹縫 64:貫通孔 66:抗蝕劑層 70:樹脂遮罩 70A:樹脂層 71:開口部 74:貫通孔 75a:第1中間體 75b:第2中間體 75c:第3中間體 81:第1支持基板 81a:第1部分 82:第2支持基板 82a:第2部分 83:第3支持基板 83a:第3部分 84:鍍覆層 90:蒸鍍裝置 92:被蒸鍍基板 93:磁鐵 94:坩堝 96:加熱器 98:蒸鍍材料 100:有機EL顯示裝置 La:雷射光

圖1係用以說明具有蒸鍍罩裝置之蒸鍍裝置及使用該蒸鍍裝置之蒸鍍方法之圖。 圖2係表示藉由圖1所示之蒸鍍裝置所製造之有機EL顯示裝置之一例的剖視圖。 圖3係概略性地表示具有第1實施形態之蒸鍍罩之蒸鍍罩裝置之一例的俯視圖。 圖4係表示第1實施形態之蒸鍍罩裝置之剖視圖(圖3之IV-IV線剖視圖)。 圖5係表示第1實施形態之蒸鍍罩裝置之遮罩本體之局部放大圖(圖3之V部放大圖)。 圖6係表示第1實施形態之蒸鍍罩裝置之局部剖視圖(圖5之VI-VI線剖視圖)。 圖7係表示第1實施形態之遮罩本體之剖視圖(圖5之VII-VII線剖視圖)。 圖8(a)-(d)係表示製造為了藉由鍍覆處理製造遮罩本體所使用之圖案基板之方法的圖。 圖9(a)-(d)係表示藉由鍍覆處理製造遮罩本體之方法之圖。 圖10(a)-(d)係表示蒸鍍罩之製造方法之圖。 圖11係表示將蒸鍍罩之遮罩本體與支持體定位時之第1對準標記及第2對準標記之剖視圖。 圖12(a)(b)係表示將蒸鍍罩之遮罩本體與支持體定位時之第1對準標記及第2對準標記之俯視圖。 圖13(a)-(c)係表示蒸鍍罩裝置之製造方法之一例之圖。 圖14(a)(b)係表示使蒸鍍材料蒸鍍至有機EL基板之步驟之圖。 圖15係表示使蒸鍍材料蒸鍍至有機EL基板之步驟之圖。 圖16係表示第1實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第1變化例之圖。 圖17係表示第1實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第2變化例之圖。 圖18係表示第1實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第3變化例之圖。 圖19係表示第1實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第4變化例之圖。 圖20係表示第1實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第5變化例之圖。 圖21(a)-(e)係表示第1實施形態中之遮罩本體之製造方法之變化例的剖視圖。 圖22係表示第2實施形態之蒸鍍罩之俯視圖。 圖23係表示第2實施形態之蒸鍍罩之剖視圖(圖22之XXIII-XXIII線剖視圖)。 圖24係表示第2實施形態之蒸鍍罩之局部放大圖(圖22之XXIV部放大圖)。 圖25係表示第2實施形態之蒸鍍罩之局部剖視圖(圖24之XXV-XXV線剖視圖)。 圖26(a)-(h)係表示第2實施形態之蒸鍍罩之製造方法之剖視圖。 圖27(a)-(c)係表示蒸鍍罩之製造過程中之第1對準標記及第2對準標記之剖視圖。 圖28係表示第2實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第1變化例之圖。 圖29係表示第2實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第2變化例之圖。 圖30係表示第2實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第3變化例之圖。 圖31係表示第2實施形態之第1對準標記及第2對準標記之第4變化例之圖。 圖32(a)-(h)係表示第2實施形態之蒸鍍罩之製造方法之變化例的剖視圖。 圖33係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖34係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖35係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖36係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖37係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖38係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖39係表示支持體之一變化例之剖視圖。 圖40係表示支持體之一變化例之剖視圖。

10:蒸鍍罩裝置

15:框架

15a:開口部

17:邊料

18:中間部

19a:第1接合部

19b:第2接合部

20:蒸鍍罩

22:有效區域

23:周圍區域

30:遮罩本體

30e:外緣

34:第1對準標記

40:支持體

40e:外緣

44:第2對準標記

45:第2貫通孔

46:支持區域

Claims (11)

1. 一種蒸鍍罩裝置，其具備：遮罩本體；支持體，其接合於上述遮罩本體；及框架，其接合於上述支持體；且上述遮罩本體包含形成有第1貫通孔之有效區域，上述支持體包含與上述第1貫通孔重疊之第2貫通孔，上述第2貫通孔大於上述有效區域，上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記，上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者。
2. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述遮罩本體具有形成有複數個上述第1貫通孔之鍍覆層。
3. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述遮罩本體具有相互積層之金屬層與樹脂遮罩。
4. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述第1對準標記係形成於上述遮罩本體之貫通孔。
5. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述第2對準標記係形成於上述支持 體之貫通孔。
6. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述第2對準標記係凹陷至上述支持體之厚度方向中途之非貫通孔。
7. 如請求項1之蒸鍍罩裝置，其中上述支持體包含：第1支持基板，其位於上述遮罩本體側；及第2支持基板，其位於上述第1支持基板上；上述第2對準標記包含上述第1支持基板之第1部分及上述第2支持基板之第2部分，且上述第1部分於俯視時小於上述第2部分。
8. 一種蒸鍍罩裝置之製造方法，其具備如下步驟：準備具有基材及接合於上述基材之遮罩本體的中間體；將上述遮罩本體與支持體相互接合；以及將框架安裝至上述支持體；且上述遮罩本體包含形成有第1貫通孔之有效區域，上述支持體包含與上述第1貫通孔重疊之第2貫通孔，上述第2貫通孔大於上述有效區域，上述遮罩本體具有第1對準標記，上述支持體具有第2對準標記，上述第1對準標記與上述第2對準標記設置於俯視時相互重疊之位置，並且其中任一者大於另一者，於將上述遮罩本體與上述支持體相互接合之步驟中，藉由使上述第1對準標記與上述第2對準標記之位置相互對準，而進行上述遮罩本體與上述支持體之定位。
9. 一種蒸鍍方法，其係使蒸鍍材料蒸鍍至基板之蒸鍍材料之蒸鍍方法，且具備如下步驟：準備如請求項1之蒸鍍罩裝置；準備上述基板；將上述基板設置於上述蒸鍍罩裝置之上述遮罩本體上；及使上述蒸鍍材料蒸鍍至設置於上述遮罩本體上之上述基板。
10. 一種有機EL顯示裝置之製造方法，其具備如下步驟：使用如請求項1之蒸鍍罩裝置於蒸鍍對象物上形成蒸鍍圖案。
11. 一種蒸鍍方法，其係使蒸鍍材料蒸鍍至基板之蒸鍍材料之蒸鍍方法，且具備如下步驟：準備如請求項1之蒸鍍罩裝置；準備上述基板；將上述基板設置於上述蒸鍍罩裝置之上述遮罩本體上；及使上述蒸鍍材料蒸鍍至設置於上述遮罩本體上之上述基板。