JP2014088594A - 蒸着マスク - Google Patents
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Abstract
【課題】蒸着材料が通過する開口の縁部による蒸着の影の影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を可能にする。
【解決手段】基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔4を設けた薄板状の磁性金属部材1と、前記磁性金属部材1の一面に密接して設けられ、前記貫通孔4内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターン5を形成した可視光を透過する樹脂製のフィルム2と、を備え、前記開口パターン5は、前記貫通孔4内にて前記磁性金属部材1の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域6によって囲まれた開口パターン形成領域7内に設けられているものである。
【選択図】図2
【解決手段】基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔4を設けた薄板状の磁性金属部材1と、前記磁性金属部材1の一面に密接して設けられ、前記貫通孔4内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターン5を形成した可視光を透過する樹脂製のフィルム2と、を備え、前記開口パターン5は、前記貫通孔4内にて前記磁性金属部材1の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域6によって囲まれた開口パターン形成領域7内に設けられているものである。
【選択図】図2
Description
本発明は、蒸着マスクに関し、特に蒸着材料が通過する開口の縁部による蒸着の影の影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を可能にする蒸着マスクに係るものである。
従来の蒸着マスクは、薄い開口パターン形成層と、比較的厚い支持層と、該開口パターン形成層と支持層を接合する接合層とからなる3層の金属層で形成され、開口パターン形成層と支持層と接合層とをエッチングしてこれら各層を貫く貫通開口を形成したものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
この場合、開口パターン形成層と支持層とは、別々のレジストパターンを使用してエッチングされ、開口パターン形成層に最小の幅の開口パターンを設け、支持層には開口パターンよりも幅の大きい貫通孔が設けられていた。
しかし、このような従来の蒸着マスクにおいては、開口パターンが支持層の厚みと蒸着材料のマスク面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の影響を考慮して貫通孔内に形成されるものではないため、開口パターン及び貫通孔を形成する各レジストパターンのアライメントがずれた場合に、開口パターンが上記蒸着の影の部分にかかって、基板上に膜厚の均一な薄膜パターンを形成することができないおそれがあった。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、蒸着材料が通過する開口の縁部による蒸着の影の影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を可能にする蒸着マスクを提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、第1の発明による蒸着マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、を備え、前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられているものである。
また、第2の発明による蒸着マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、前記薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、を備え、前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられているものである。
この場合、好ましくは、前記開口パターン形成領域の前記貫通孔の並び方向と同方向の幅は、少なくとも前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターンの幅に、同方向の前記開口パターンの位置ずれ許容値の2倍値を加算した値に等しいのが望ましい。
より好ましくは、前記貫通孔の並び方向の幅は、前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターン形成領域の幅に前記貫通孔の並び方向と同方向の前記蒸着の影の領域の幅の2倍値を加算した値に等しいのが望ましい。
前記磁性金属部材は、ニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金であるのがよい。
また、前記フィルムは、ポリイミドであるとよい。
また、前記フィルムは、ポリイミドであるとよい。
さらに、好ましくは、前記貫通孔を内包する大きさの開口を設けた枠状のフレームの一端面を前記磁性金属部材の一面の周縁領域に接合して備えるのが望ましい。
本発明によれば、磁性金属部材の貫通孔の縁部による蒸着の影の影響を排除して厚みの均一な薄膜パターンの蒸着を行うことができる。したがって、例えば有機EL表示パネルの有機EL層を蒸着により形成するとき、膜厚の均一な有機EL層を形成することができ、表示パネル全面に亘って均一な発光特性を得ることができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明による蒸着マスクの実施形態を示す斜視図であり、図2は図1の一部断面を拡大して示すA矢視図である。この蒸着マスクは、基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するためのもので、磁性金属部材1と、フィルム2と、フレーム3とを備えて構成されている。
上記磁性金属部材1は、厚みが30μm〜50μm程度のニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金等の磁性金属材料からなる薄板(シート)状のものであり、薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔4が設けられている。
上記磁性金属部材1の一面に密接してフィルム2が設けられている。このフィルム2は、厚みが10μm〜30μm程度のポリイミドやポリエチレンテレフタレート(PET)等の可視光を透過する樹脂製のフィルムであり、上記磁性金属部材1の貫通孔4内にて薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ貫通する開口パターン5が形成されている。
この場合、開口パターン5は、図2に示すように、上記貫通孔4内にて磁性金属部材1の厚みtと蒸着材料のフィルム2面への最大入射角度θとにより決まる蒸着の影の領域6(t・tanθ)によって囲まれた開口パターン形成領域7内に形成される。
ここで、好ましくは、上記開口パターン形成領域7の上記貫通孔4の並び方向(図2に示すX方向)と同方向の幅W1は、少なくとも上記貫通孔4の並び方向(X方向)と同方向の開口パターン5の幅W2に、同方向の開口パターン5の位置ずれ許容値αの2倍値を加算した値(W2+2α)に等しいことが望ましい。即ち、W1≧(W2+2α)であるのが望ましい。
開口パターン形成領域7のX方向の幅W1が、前述したように少なくともX方向の開口パターン5の幅W2に、同方向の開口パターン5の位置ずれ許容値αの2倍値を加算した値(W2+2α)に等しい幅となるようにするためには、磁性金属部材1の厚みt及び該磁性金属部材1の隣接する貫通孔4間の部分の隣接方向の幅W3の少なくともいずれか一方を調整するとよい。
より詳細には、互いに隣接する開口パターン5間の間隔に十分な余裕があるときには、磁性金属部材1の厚みtを十分な剛性が確保できる厚みに設定した後、蒸着の影の領域6によって囲まれた開口パターン形成領域7のX方向の幅W1が(W2+2α)に等しくなるように、磁性金属部材1の隣接する貫通孔4間の部分の隣接方向の幅W3を決定するのがよい。
逆に、互いに隣接する開口パターン5間の間隔に十分な余裕がないときには、先ず、磁性金属部材1の隣接する貫通孔4間の部分の隣接方向の幅W3を設定した後、開口パターン形成領域7のX方向の幅W1が少なくとも(W2+2α)に等しくなるように、磁性金属部材1の厚みtを決定して蒸着の影の領域6の幅を調整するとよい。
このように、形成しようとする開口パターン5の配列ピッチP(薄膜パターンの配列ピッチに等しい)に応じて、磁性金属部材1の厚みt及び隣接する貫通孔4間の部分の隣接方向の幅W3は、適宜設定される。
上記磁性金属部材1の一面の周縁領域には、貫通孔4を内包する大きさの開口8(図3(d)参照)を設けた枠状のフレーム3が一端面3aを接合して設けられている。このフレーム3は、張架された磁性金属部材1及びフィルム2を支持するものであり、厚みが数mm〜数10mmの熱膨張係数の小さいインバー又はインバー合金で形成されている。
次に、このように構成された蒸着マスクの製造について説明する。ここでは、製造しようとする蒸着マスクの仕様が以下の場合について説明する。
(蒸着マスクの仕様)
・開口パターン5(ストライプパターン)の開口幅:W2
・開口パターン5の配列ピッチ:P
・開口パターン5の位置ずれの許容値:α
(蒸着マスクの仕様)
・開口パターン5(ストライプパターン)の開口幅:W2
・開口パターン5の配列ピッチ:P
・開口パターン5の位置ずれの許容値:α
また、以下の説明においては、蒸着材料のマスク面に対する最大入射角度がθであり、厚みtが予め規定された磁性金属部材1を使用する場合について述べる。
先ず、厚みがtのシート状のインバーからなる磁性金属部材1の一面に例えば液状のポリイミドをスプレー塗布した後、乾燥させて、均一な厚みのポリイミドのフィルム2を形成する(図3(a)参照)。
先ず、厚みがtのシート状のインバーからなる磁性金属部材1の一面に例えば液状のポリイミドをスプレー塗布した後、乾燥させて、均一な厚みのポリイミドのフィルム2を形成する(図3(a)参照)。
次いで、磁性金属部材1の他面に例えばポジ型のフォトレジストを塗布して乾燥した後、例えば貫通孔4を形成しようとする部分に開口を有するフォトマスクを使用して上記フォトレジストを露光する。その後、現像して、貫通孔4を形成しようとする部分に開口9を有するレジストマスク10を形成する(図3(b)参照)。
この場合、上記蒸着マスクの仕様に基づいて算出すると、開口パターン形成領域7の幅W1は(W2+2α)となる。また、磁性金属部材1の厚みがtであり、蒸着材料のマスク面に対する最大入射角がθであるので、蒸着の影の領域6の幅はt・tanθとなる。したがって、磁性金属部材1に形成しようとする貫通孔4の幅W4は、
W4=W1+2t・tanθ
=W2+2α+2t・tanθ
となる。したがって、レジストマスク10の開口9は、幅がW4のストライプパターンである。
W4=W1+2t・tanθ
=W2+2α+2t・tanθ
となる。したがって、レジストマスク10の開口9は、幅がW4のストライプパターンである。
続いて、上記レジストマスク10を使用して磁性金属部材1をエッチングする。これにより、磁性金属部材1に上記フィルム2面に達する幅がW4のストライプ状の貫通孔4が配列ピッチPで形成される(図3(c)参照)。ここで、使用するエッチング液は磁性金属部材1の材料に応じて適宜選択される。
この場合、隣接する貫通孔4間の部分の幅W3は、
W3=P−W4
=P−W2−2(α+t・tanθ)
となる。
W3=P−W4
=P−W2−2(α+t・tanθ)
となる。
その後、上記磁性金属部材1の周縁領域に対応したフィルム2の部分をレーザ加工により除去して、磁性金属部材1の周縁領域の部分を露出させた後、フィルム2付きの上記磁性金属部材1を枠状のフレーム3の一端面3aに張架し、磁性金属部材1の周縁部とフレーム3の一端面3aとをスポット溶接してフレーム3を磁性金属部材1に接合する(図3(d)参照)。
次に、上記貫通孔4を設けたフィルム2付きの磁性金属部材1は、開口パターン5の形成目標となる基準パターン11が予め形成された基準基板12上に位置決めして載置される。このとき、フィルム2が基準基板12側となるようにして基準基板12上に載置される(図3(e)参照)。また、基準基板12は基準パターン11を形成した面12aを下側にして、該面12aとは反対側の面12bにフィルム2を密着させるようにするとよい。これにより、フィルム2をレーザ加工して開口パターン5を形成する際に、基準パターン11がダメージを受けるのを避けることができる。
次いで、上記基準パターン11に対応するフィルム2の部分に、例えば波長が400nm以下の、例えばKrF248nmのエキシマレーザを使用してレーザ光Lを照射し、フィルム2をレーザ加工する。これにより、フィルム2には幅がW2のストライプ状の開口パターン5が形成される(図4(a),(b)参照)。この場合、事前に撮像カメラにより上記基準パターン11を撮像して該基準パターン11の位置を検出し、該検出結果に基づいて基準基板12側及び図示省略のレーザ加工装置を相対移動してレーザ光Lを基準パターン11上に位置付けた後、フィルム2のレーザ加工が実施される。なお、図4(a),(b)は基準基板12と磁性金属部材1とのアライメントにおいて、位置ずれがない場合を示している。この場合、開口パターン5は、磁性金属部材1の貫通孔4のセンターに形成されることになり、当然ながら、蒸着時に蒸着の影の影響を排除することができる。
図5(a)に示すように、基準基板12と磁性金属部材1とのアライメントが位置ずれの許容値α内でずれている場合、レーザ加工して形成される開口パターン5の位置は、同図(b)に示すように、磁性金属部材1の貫通孔4のセンターから最大αだけX方向にずれて形成されることになる。しかし、磁性金属部材1の貫通孔4の幅W4が(W2+2α+2t・tanθ)となるように形成されているため、開口パターン5の位置ずれ量が許容限界αであっても、開口パターン5は、蒸着の影の領域6によって囲まれた領域内に形成されることになり、蒸着時に蒸着の影の影響を排除することができる。
なお、以上の説明においては、薄膜パターンを一定の配列ピッチで並べて形成するための蒸着マスクについて述べたが、本発明はこれに限られず、薄膜パターンの配列は不規則であってもよい。この場合も、蒸着マスクの開口パターン5が貫通孔4内にて磁性金属部材1の厚みと蒸着材料のフィルム2面への最大入射角度θとにより決まる蒸着の影の領域6によって囲まれた開口パターン形成領域7内に設けられているなら、蒸着時に上記蒸着の影の影響を排除することができ、均一な厚みの薄膜パターンを形成することができる。
1…磁性金属部材
2…フィルム
3…フレーム
4…貫通孔
5…開口パターン
6…蒸着の影の領域
7…開口パターン形成領域
8…フレームの開口
2…フィルム
3…フレーム
4…貫通孔
5…開口パターン
6…蒸着の影の領域
7…開口パターン形成領域
8…フレームの開口
Claims (7)
- 基板上に蒸着材料を被着させて薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、
前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、
前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
を備え、
前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられていることを特徴とする蒸着マスク。 - 基板上に蒸着材料を被着させて一定の配列ピッチで並べて複数の薄膜パターンを形成するための蒸着マスクであって、
前記薄膜パターンと同じ配列ピッチで並べて該薄膜パターンよりも形状寸法の大きい貫通孔を設けた薄板状の磁性金属部材と、
前記磁性金属部材の一面に密接して設けられ、前記貫通孔内にて前記薄膜パターンに対応した位置に該薄膜パターンと形状寸法の同じ開口パターンを形成した可視光を透過する樹脂製のフィルムと、
を備え、
前記開口パターンは、前記貫通孔内にて前記磁性金属部材の厚みと前記蒸着材料の前記フィルム面への最大入射角度とにより決まる蒸着の影の領域によって囲まれた開口パターン形成領域内に設けられていることを特徴とする蒸着マスク。 - 前記開口パターン形成領域の前記貫通孔の並び方向と同方向の幅は、少なくとも前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターンの幅に、同方向の前記開口パターンの位置ずれ許容値の2倍値を加算した値に等しいことを特徴とする請求項2記載の蒸着マスク。
- 前記貫通孔の並び方向の幅は、前記貫通孔の並び方向と同方向の前記開口パターン形成領域の幅に前記貫通孔の並び方向と同方向の前記蒸着の影の領域の幅の2倍値を加算した値に等しいことを特徴とする請求項3記載の蒸着マスク。
- 前記磁性金属部材は、ニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記フィルムは、ポリイミドであることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の蒸着マスク。
- 前記貫通孔を内包する大きさの開口を設けた枠状のフレームの一端面を前記磁性金属部材の一面の周縁領域に接合して備えたことを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の蒸着マスク。
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KR101931902B1 (ko) * | 2016-04-14 | 2018-12-21 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크용 기재, 증착 마스크용 기재의 제조 방법, 및, 증착 마스크의 제조 방법 |
TWI678824B (zh) * | 2016-07-29 | 2019-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 掩膜及其製備方法 |
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US10886452B2 (en) * | 2018-01-25 | 2021-01-05 | United States Of America As Represented By The Administrator Of Nasa | Selective and direct deposition technique for streamlined CMOS processing |
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KR20210091382A (ko) * | 2020-01-13 | 2021-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크, 이의 제조 방법, 및 표시 패널 제조 방법 |
CN113042246B (zh) * | 2021-03-10 | 2021-12-21 | 安徽禾炬电子材料有限公司 | 一种无尘车间用助焊剂涂布设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004183023A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2004232026A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスクの製造方法 |
JP2007035336A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Hitachi Metals Ltd | 蒸着マスク用金属製フレームの製造方法 |
JP2009249706A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2350026B2 (de) * | 1973-10-05 | 1979-07-26 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur Herstellung einer mit einem isolierenden Träger verbundenen Vielfach-Elektrodenanordnung |
JP4006173B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-11-14 | 三星エスディアイ株式会社 | メタルマスク構造体及びその製造方法 |
KR100490534B1 (ko) * | 2001-12-05 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
JP4072422B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2008-04-09 | 三星エスディアイ株式会社 | 蒸着用マスク構造体とその製造方法、及びこれを用いた有機el素子の製造方法 |
JP2004183024A (ja) | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Nippon Steel Corp | 安価型スラッジレス電極 |
US20050130422A1 (en) * | 2003-12-12 | 2005-06-16 | 3M Innovative Properties Company | Method for patterning films |
KR100696472B1 (ko) * | 2004-07-15 | 2007-03-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 증착 마스크, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조방법 |
JP5064810B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2012-10-31 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置および蒸着方法 |
US7918705B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device and method of fabricating the same |
JP2008121060A (ja) * | 2006-11-10 | 2008-05-29 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 樹脂付き真空成膜用マスクの作製方法及び樹脂付き真空成膜用マスク |
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JP2009068082A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Sony Corp | 蒸着マスクの作製方法および蒸着マスク |
KR100947442B1 (ko) * | 2007-11-20 | 2010-03-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 수직 증착형 마스크 제조장치 및 이를 이용한 수직 증착형마스크의 제조방법 |
JP2011034681A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 金属加工方法、金属マスク製造方法及び有機el表示装置製造方法 |
KR101182440B1 (ko) * | 2010-01-11 | 2012-09-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 |
JP5259886B2 (ja) * | 2010-12-20 | 2013-08-07 | シャープ株式会社 | 蒸着方法及び蒸着装置 |
US9076989B2 (en) * | 2010-12-27 | 2015-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film, and method for producing display device |
US8907445B2 (en) * | 2011-01-19 | 2014-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate to which film is formed, organic EL display device, and vapor deposition method |
GB2488568B (en) * | 2011-03-02 | 2014-01-01 | Rolls Royce Plc | A method and apparatus for masking a portion of a component |
KR102097706B1 (ko) * | 2013-06-19 | 2020-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착용 마스크 조립체 |
KR102106333B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2020-05-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
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Patent Citations (5)
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---|---|---|---|---|
JP2004183023A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Hitachi Metals Ltd | メタルマスク |
JP2004190057A (ja) * | 2002-12-09 | 2004-07-08 | Nippon Filcon Co Ltd | パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法 |
JP2004232026A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Ulvac Japan Ltd | 蒸着用マスクの製造方法 |
JP2007035336A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Hitachi Metals Ltd | 蒸着マスク用金属製フレームの製造方法 |
JP2009249706A (ja) * | 2008-04-09 | 2009-10-29 | Sumco Corp | 蒸着用マスク、ならびにそれを用いる蒸着パターン作製方法、半導体ウェーハ評価用試料の作製方法、半導体ウェーハの評価方法および半導体ウェーハの製造方法 |
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