WO2015053250A1 - 成膜マスク及びその製造方法 - Google Patents

成膜マスク及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2015053250A1
WO2015053250A1 PCT/JP2014/076762 JP2014076762W WO2015053250A1 WO 2015053250 A1 WO2015053250 A1 WO 2015053250A1 JP 2014076762 W JP2014076762 W JP 2014076762W WO 2015053250 A1 WO2015053250 A1 WO 2015053250A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mask
film
metal thin
opening
thin film
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/076762
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
修二 工藤
齋藤　雄二
水村　通伸
Original Assignee
株式会社ブイ・テクノロジー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ブイ・テクノロジー filed Critical 株式会社ブイ・テクノロジー
Priority to KR1020167006834A priority Critical patent/KR20160071369A/ko
Priority to CN201480055662.7A priority patent/CN105612271A/zh
Publication of WO2015053250A1 publication Critical patent/WO2015053250A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • the present invention relates to a film formation mask for forming a thin film pattern on a substrate through an opening pattern, and in particular, suppresses internal stress caused by a difference in linear expansion coefficient between different materials, and the thin film pattern
  • the present invention relates to a film formation mask that can improve the accuracy of the formation position of the film and a manufacturing method thereof.
  • This type of conventional film formation mask is a mask for forming a thin film pattern having a fixed shape on a substrate, and is a resin film having a predetermined opening pattern and a metal plate holding member in which a through hole is formed. (See, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • the internal stress is partially released, and as a result, the position of the opening pattern may be cumulatively shifted. It was.
  • the internal stress (shrinkage stress) generated in the film of the portion is large, which is greater than the center of the mask.
  • the positions of the outer opening pattern and the through holes are greatly shifted. Therefore, there is a possibility that the thin film pattern cannot be formed with high positional accuracy.
  • the present invention addresses such problems, suppresses internal stress caused by the difference in linear expansion coefficient between different materials, and improves the formation position accuracy of the thin film pattern and its An object is to provide a manufacturing method.
  • a film formation mask includes a resin film having a plurality of opening patterns corresponding to a thin film pattern formed on a substrate, and the plurality of openings on one surface of the film.
  • a mask sheet provided with a magnetic metal thin film provided in an effective region in which an opening pattern is formed and provided with a through-hole having a size including at least one of the plurality of opening patterns; and the mask And a metal mask of a magnetic metal member provided on the magnetic metal thin film side of the sheet separately from the mask sheet and having an opening having a size including the magnetic metal thin film.
  • a method for manufacturing a film formation mask according to the present invention is a method for manufacturing a film formation mask for forming a plurality of thin film patterns by forming a film on a substrate through a plurality of opening patterns.
  • a magnetic metal thin film having a through-hole having a size capable of including at least one of the plurality of opening patterns is formed on one surface corresponding to an effective region where the plurality of opening patterns are formed.
  • the magnetic metal thin film since the magnetic metal thin film does not exist in the so-called blank portion outside the effective area in which the plurality of opening patterns of the mask sheet are formed, the adhesion area between the magnetic metal thin film and the film compared to the conventional case.
  • the internal stress generated in the film due to the difference in linear expansion coefficient between the two materials can be reduced. Therefore, even when a plurality of aperture patterns are laser processed, the positional deviation of the aperture patterns can be suppressed and the aperture patterns can be formed with high positional accuracy.
  • the material selection range of the magnetic metal thin film is expanded, and when the magnetic metal thin film is an alloy, the required accuracy for the composition distribution of the constituent elements can be relaxed, and the productivity of the mask sheet is improved. Can do.
  • FIG. 1A and 1B are views showing an embodiment of a film formation mask according to the present invention, where FIG. 1A is a plan view and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line OO in FIG.
  • FIG. 1A is a plan view
  • FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line OO in FIG.
  • FIG. 1A and 1B are diagrams showing an embodiment of a film forming mask according to the present invention, in which FIG. 1A is a plan view and FIG.
  • This film formation mask is for forming a film on a substrate through an opening pattern to form a thin film pattern, and includes a mask sheet 1, a metal mask 2, and a metal frame 3.
  • the substrate is an organic EL substrate having a surface area capable of forming a plurality of display portions of a plurality of organic EL display panels will be described.
  • the mask sheet 1 serves as a main mask in which the opening pattern 4 is formed.
  • a plurality of thin film patterns (organic EL films) are formed on the organic EL substrate.
  • the plurality of opening patterns 4 are formed by a resin film 5 formed by penetrating through a plurality of opening patterns 4 having the same shape and dimensions as the thin film pattern and one surface 5a of the film 5 corresponding to the layer).
  • a magnetic metal thin film 7 provided with a through hole 6 having a size including at least one of the plurality of opening patterns 4 among the plurality of opening patterns 4.
  • stripe-shaped through-holes 6 having a size including a plurality of opening patterns 4 for one line are formed.
  • the mask sheet 1 is provided with an opening pattern group including a plurality of the opening patterns 4 individually corresponding to the plurality of display portions, and the plurality of the opening patterns.
  • a plurality of the magnetic metal thin films 7 are provided individually corresponding to the display portions.
  • interval of the display part between adjacent panels is smaller than 10 mm, for example, it is good to provide the said magnetic metal thin film 7 corresponding to the whole area
  • the film 5 is a resin having a thickness of about 20 ⁇ m to 100 ⁇ m and transmitting visible light such as polyimide or polyethylene terephthalate (PET).
  • polyimide having high heat resistance and a relatively small linear expansion coefficient is desirable.
  • the magnetic metal thin film 7 is a thin film of magnetic metal material such as nickel, nickel alloy, invar or invar alloy having a thickness of about 10 ⁇ m to 50 ⁇ m. 6 is formed by selectively removing an unnecessary thin film in a portion corresponding to 6. Further, as shown in FIGS. 2 (a) and 3, the frame-like metal thin film pattern 8 made of a metal material is formed along the peripheral edge of the film 5 in the same process as the formation of the magnetic metal thin film 7 or in another process. Is formed. A plurality of isolated metal thin film patterns 8 may be arranged along the edge of the film 5 instead of the frame-shaped metal thin film pattern 8.
  • the magnetic metal thin film 7 and the metal thin film pattern 8 are preferably nickel or a nickel alloy having a linear expansion coefficient approximate to that of the polyimide that is the material of the film 5.
  • a metal mask 2 is provided on the magnetic metal thin film 7 side of the mask sheet 1 so as to be physically separated and independent from the mask sheet 1.
  • This metal mask 2 is attracted from the back side of the organic EL substrate by the magnetic force of a magnet built in the substrate holder in the chamber of the film forming apparatus, and presses the mask sheet 1 so that the mask sheet 1 is attached to the organic EL substrate.
  • a magnetic metal member made of invar or an invar alloy is used for closely contacting the film formation surface.
  • size which includes the said magnetic metal thin film 7 is formed.
  • the mask sheet 1 is provided with an opening pattern group including a plurality of the opening patterns 4 individually corresponding to the plurality of display portions.
  • the metal mask 2 has a size including each of the plurality of magnetic metal thin films 7 as shown in FIG. A plurality of openings 9 are formed.
  • the metal mask 2 has the structure shown in FIG. As shown, one opening 9 having a size enclosing the one magnetic metal thin film 7 is formed.
  • the metal mask 2 may be formed with one opening 9 having a size that encloses the plurality of magnetic metal thin films 7.
  • a metal frame 3 is provided on the opposite side of the metal mask 2 from the mask sheet 1.
  • the metal frame 3 supports the peripheral edges of the mask sheet 1 and the metal mask 2 by individually fixing them to one end face 3a (see FIGS. 5 and 6).
  • a magnetic metal member made of invar or invar alloy is used.
  • the manufacturing method of the film-forming mask comprised in this way is demonstrated.
  • the metal frame 3 is held in a state in which a peripheral portion of the metal mask 2 is gripped by the tension grip 11 and pulled to the side parallel to the surface of the metal mask 2 to apply a certain tension.
  • the metal mask 2 is stretched on the one end surface 3a of the.
  • the peripheral area of the metal mask 2 is irradiated with laser light L using, for example, a YAG laser, and the metal mask 2 is spotted on one end surface 3a of the metal frame 3. Weld. This spot welding may be performed at a plurality of locations.
  • the peripheral edge portion of the metal mask 2 is cut out with a cutter so that the metal mask 2 fits within the frame of the metal thin film pattern 8 formed on the film 5.
  • the film 5 is formed by gripping the peripheral portion with a plurality of tension grips 11 with the surface 5a side on which the magnetic metal thin film 7 and the metal thin film pattern 8 are provided as the metal mask 2 side.
  • the film 5 is pulled to the side parallel to the surface of 5 and a certain tension is applied to the film 5 so that the film 5 does not stretch.
  • the film 5 covers the metal mask 2 and is positioned above the metal frame 3.
  • the magnetic metal thin film 7 provided on the film 5 is positioned in the opening 9 of the metal mask 2 supported by the metal frame 3, and the metal mask 2 is After adjusting the position on the metal mask 2 side or the film 5 side so as to be positioned within the frame of the metal thin film pattern 8 formed on the film 5, the metal thin film pattern 8 is brought into close contact with the one end surface 3 a of the metal frame 3. . Subsequently, as shown in FIG. 3C, the portion of the metal thin film pattern 8 is irradiated with laser light L, and the metal thin film pattern 8 is spot welded to the one end surface 3 a of the metal frame 3. This spot welding is preferably performed at a plurality of locations, similarly to the spot welding of the metal mask 2.
  • the film 5 remains under a certain tension. Thereafter, the film 5 is cut along the outer peripheral edge of the metal frame 3 as shown in FIG. Thereby, the film 5 is fixed and supported on the metal frame 3. In this case, the film 5 (later mask sheet 1) and the metal mask 2 are separated and independent from each other.
  • the metal frame 3 is placed on the XY stage of the laser processing apparatus with the metal frame 3 side facing up.
  • a laser beam L of 400 nm or less is shaped on the portion of the film 5 corresponding to the through hole 6 of the magnetic metal thin film 7 so that the irradiation area becomes equal to the area of the opening pattern 4.
  • the film 5 is ablated and removed.
  • the opening pattern 4 is formed through the film 5.
  • the portion of the film 5 corresponding to the through hole 6 of the magnetic metal thin film 7 is irradiated with the laser beam L while the XY stage is stepped in the XY direction at a predetermined pitch, as shown in FIG.
  • a plurality of opening patterns 4 are formed on the mask sheet 1.
  • the film formation mask shown in FIG. 1 is completed.
  • the magnetic metal thin film 7 since the magnetic metal thin film 7 does not exist in the so-called blank portion outside the effective region where the plurality of opening patterns 4 of the mask sheet 1 are formed, the magnetic metal thin film 7 is not present.
  • the contact area between the thin film 7 and the film 5 is reduced, and the internal stress generated in the film 5 due to the difference in linear expansion coefficient between the two materials is reduced. Therefore, even when the plurality of opening patterns 4 are laser processed, the positional deviation of the opening patterns 4 can be suppressed and the opening patterns 4 can be formed with high positional accuracy.
  • the range of material selection of the magnetic metal thin film 7 is expanded, and when the magnetic metal thin film 7 is an alloy, the required accuracy for the composition distribution of the constituent elements can be relaxed, and the productivity of the mask sheet 1 is improved. Improved.
  • the positional deviation amount of the opening pattern 4 at the time of laser processing is small, the positional deviation of the opening pattern can be predicted and confirmed in advance by experiments or the like. Therefore, if the aperture pattern 4 is laser processed while adjusting the irradiation position of the laser beam in anticipation of the positional deviation, all the aperture patterns 4 after formation can be positioned at the correct positions. Therefore, it is possible to easily manufacture a high-definition film forming mask in which the opening patterns 4 are arranged at a high density. In this case, when the laser beam is irradiated in anticipation of the positional deviation, a part of the laser beam may protrude from the through-hole 6 and hit the magnetic metal thin film 7. In such a case, it is advisable to adjust the formation position of the through-hole 6 in advance in view of the above-mentioned positional deviation.
  • the opening 9 of the metal mask 2 has a size that encloses the display area of the organic EL substrate.
  • the accuracy may be on the order of millimeters, and high accuracy is not required. Therefore, the manufacturing cost of the metal mask 2 can be reduced.
  • the edge of the opening 9 of the metal mask 2 is located sufficiently away from the position where the opening pattern 4 of the mask sheet 1 is formed, the edge of the opening 9 is not likely to be a shadow of film formation. . Therefore, a rolled material having a thickness of 100 ⁇ m or more can be used for the metal mask 2. Also by this, the manufacturing cost of the metal mask 2 can be reduced.
  • the present invention is not limited to this, and an adhesive, solder, or the like is used. May be joined. Alternatively, the metal frame 3 may not be provided.
  • the film formation mask according to the present invention can be applied to both a vapor deposition mask for forming a thin film pattern by vapor deposition and a sputtering mask for forming a sputtering film.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　本発明は、基板に成膜される薄膜パターンに対応して複数の開口パターン４を形成した樹脂製のフィルム５、及び前記フィルム５の一面５ａにて、前記複数の開口パターン４が形成された有効領域内に設けられ、前記複数の開口パターン４のうち、少なくとも一つの開口パターン４を内包する大きさの貫通孔６を設けた磁性金属薄膜７を備えたマスクシート１と、前記マスクシート１の前記磁性金属薄膜７側に前記マスクシート１と分離独立して設けられ、前記磁性金属薄膜７を内包する大きさの開口部９を形成した磁性金属部材のメタルマスク２と、を備えて構成された。

Description

成膜マスク及びその製造方法
　本発明は、基板に開口パターンを介して成膜し、薄膜パターンを形成するための成膜マスクに関し、特に異種材料間の線膨張係数の差に起因して生じる内部応力を抑制し、薄膜パターンの形成位置精度を向上し得る成膜マスク及びその製造方法に係るものである。
　従来のこの種の成膜マスクは、基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスクであって、所定の開口パターンを有する樹脂製のフィルムと、貫通孔を形成した金属板の保持部材と、を積層したものとなっていた（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２００４－１９００５７号公報 特開２００８－２７４３７３号公報
　しかし、このような従来の成膜マスクにおいては、外形形状の略同じフィルムと保持部材とを密着させたものであるため密着面積が広く、両材料間の線膨張係数が整合していないときには、その差に起因して生じる内部応力によりマスクが変形し、開口パターンの位置がずれて薄膜パターンを位置精度よく形成することができないことがあった。
　また、上記内部応力が存在するマスクのフィルムに、上記複数の開口パターンを形成して行くと、部分的に上記内部応力が解放され、その結果、開口パターンの位置が累積的にずれることがあった。
　特に、複数の開口パターンが形成された有効領域の外側の、いわゆる余白部分に位置する保持部材の面積が大きいときには、当該部分のフィルムに発生する内部応力（収縮応力）が大きく、マスクの中央よりも外寄りの開口パターン及び貫通孔の位置が大きくずれることがあった。そのため、薄膜パターンを位置精度よく形成することができないおそれがあった。
　そこで、本発明は、このような問題点に対処し、異種材料間の線膨張係数の差に起因して生じる内部応力を抑制し、薄膜パターンの形成位置精度を向上し得る成膜マスク及びその製造方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明による成膜マスクは、基板に成膜される薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを形成した樹脂製のフィルム、及び前記フィルムの一面にて、前記複数の開口パターンが形成された有効領域内に設けられ、前記複数の開口パターンのうち、少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの貫通孔を設けた磁性金属薄膜を備えたマスクシートと、前記マスクシートの前記磁性金属薄膜側に前記マスクシートと分離独立して設けられ、前記磁性金属薄膜を内包する大きさの開口部を形成した磁性金属部材のメタルマスクと、を備えて構成された。
　また、本発明による成膜マスクの製造方法は、基板に複数の開口パターンを介して成膜し、複数の薄膜パターンを形成するための成膜マスクの製造方法であって、樹脂製のフィルムの一面に、前記複数の開口パターンが形成される有効領域に対応して、前記複数の開口パターンのうち、少なくとも一つの開口パターンを内包し得る大きさの貫通孔を設けた磁性金属薄膜を形成する第１段階と、磁性金属部材のメタルシートに前記磁性金属薄膜を内包する大きさの開口部を形成したメタルマスクを形成する第２段階と、前記メタルマスクの周縁部を枠状のフレームの一端面に固定した後、前記フィルムの周縁部にて、前記一面側を前記フレームの前記一端面に固定する第３段階と、前記フィルムの前記有効領域内にレーザ光を照射し、前記複数の開口パターンを形成してマスクシートとする第４段階と、を行うものである。
　本発明によれば、マスクシートの複数の開口パターンが形成された有効領域の外側の、いわゆる余白部分には、磁性金属薄膜が存在しないため、従来に比べて磁性金属薄膜とフィルムとの密着面積を小さくすることができ、両材料間の線膨張係数の差に起因してフィルムに発生する内部応力を小さくすることができる。したがって、複数の開口パターンをレーザ加工した場合にも、開口パターンの位置ずれが抑えられて開口パターンを位置精度よく形成することができる。これにより、磁性金属薄膜の材料選択の幅が拡がり、また、磁性金属薄膜が合金の場合には、構成元素の組成分布に対する要求精度を緩和することができ、マスクシートの生産性を改善することができる。
本発明による成膜マスクの実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ－Ｏ線断面矢視図である。 本発明による成膜マスクのマスクシートの一構成例を示す図であり、（ａ）は底面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大底面図である。 上記マスクシートの他の構成例を示す底面図である。 本発明による成膜マスクのメタルマスクの一構成例を示す図であり、（ａ）は図２のマスクシートに対応するメタルマスクの平面図であり、（ｂ）は図３のマスクシートに対応するメタルマスクの平面図である。 本発明による成膜マスクの製造方法を説明する工程図であり、金属フレームへのメタルマスク接合工程を示す断面図である。 本発明による成膜マスクの製造方法を説明する工程図であり、金属フレームへのマスクシートとなるフィルム接合工程を示す断面図である。 本発明による成膜マスクの製造方法を説明する工程図であり、開口パターン形成工程を示す断面図で、（ａ）は全体図であり、（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。
　以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明による成膜マスクの実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＯ－Ｏ線断面矢視図である。この成膜マスクは、基板に開口パターンを介して成膜し、薄膜パターンを形成するためのもので、マスクシート１と、メタルマスク２と、金属フレーム３と、を備えて構成されている。なお、以下の説明においては、基板が複数の有機ＥＬ表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有する有機ＥＬ用基板である場合について述べる。
　上記マスクシート１は、開口パターン４を形成したメインマスクとなるもので、図２（ｂ）に一部拡して示すように、有機ＥＬ用基板に成膜される複数の薄膜パターン（有機ＥＬ層）に対応して、該薄膜パターンと形状寸法の同じ複数の開口パターン４を貫通させて形成した樹脂製のフィルム５、及び該フィルム５の一面５ａにて、上記複数の開口パターン４が形成された有効領域内に設けられ、複数の開口パターン４のうち、少なくとも一つの開口パターン４を内包する大きさの貫通孔６を設けた磁性金属薄膜７を備えて構成されている。なお、本実施形態においては、１ライン分の複数の開口パターン４を内包する大きさのストライプ状の貫通孔６が形成されている場合について説明する。
　詳細には、上記マスクシート１には、図２（ａ）に示すように、上記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターン４から成る開口パターン群が設けられると共に、上記複数の表示部に個別に対応させて複数の上記磁性金属薄膜７が設けられている。なお、隣接するパネル間の表示部の間隔が、例えば１０ｍｍよりも小さいときには、上記磁性金属薄膜７は、図３に示すように複数の表示部の全領域に対応させて一つ設けるとよい。
　より詳細には、上記フィルム５は、厚みが２０μｍ～１００μｍ程度の、例えばポリイミドやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の可視光を透過する樹脂である。好ましくは、高耐熱性を有し、線膨張係数が比較的小さいポリイミドが望ましい。
　また、上記磁性金属薄膜７は、厚みが１０μｍ～５０μｍ程度の、例えばニッケル、ニッケル合金、インバー又はインバー合金等の磁性金属材料の薄膜であり、公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等により貫通孔６に対応した部分の不要な薄膜を選択的に除いて形成される。さらに、上記磁性金属薄膜７の形成と同じ工程、又は別工程でフィルム５の周縁部に沿って、図２（ａ）及び図３に示すように、金属材料から成る枠状の金属薄膜パターン８が形成される。なお、枠状の金属薄膜パターン８に替えて孤立した複数の金属薄膜パターン８をフィルム５の縁部に沿って並べて形成してもよい。好ましくは、上記磁性金属薄膜７及び金属薄膜パターン８は、フィルム５の材料であるポリイミドに線膨張係数が近似したニッケル又はニッケル合金が望ましい。
　上記マスクシート１の磁性金属薄膜７側には、マスクシート１と物理的に分離独立してメタルマスク２が設けられている。このメタルマスク２は、成膜装置のチャンバー内の基板ホルダーに内蔵され磁石の磁力により、有機ＥＬ用基板の裏面側から吸引されてマスクシート１を押圧し、マスクシート１を有機ＥＬ用基板の成膜面に密着させるためのものであり、例えばインバー又はインバー合金等から成る磁性金属部材である。そして、上記磁性金属薄膜７を内包する大きさの開口部９が形成されている。
　ここで、マスクシート１に、図２（ａ）に示すように、上記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターン４から成る開口パターン群が設けられ、上記複数の表示部に個別に対応させて複数の上記磁性金属薄膜７が設けられている場合には、メタルマスク２には、図４（ａ）に示すように、上記複数の磁性金属薄膜７を夫々内包する大きさの複数の開口部９が形成される。また、マスクシート１に、図３に示すように、複数の表示部の全領域に対応させて一つの磁性金属薄膜７が設けられているときには、メタルマスク２には、図４（ｂ）に示すように上記一つの磁性金属薄膜７を内包する大きさの一つの開口部９が形成される。又は、メタルマスク２には、複数の磁性金属薄膜７を内包する大きさの一つの開口部９が形成されてもよい。
　上記メタルマスク２の上記マスクシート１と反対側には、金属フレーム３が設けられている。この金属フレーム３は、マスクシート１及びメタルマスク２の各周縁部を一端面３ａ（図５，６参照）に個別に固定して支持するもので、例えばインバー又はインバー合金等から成る磁性金属部材で形成されており、上記メタルマスク２の図４（ａ）に示すような複数の開口部９、又は同図（ｂ）に示すような一つの開口部９を内包する大きさの開口１０を備えた枠状を成している。
　次に、このように構成された成膜マスクの製造方法について説明する。
　先ず、図５（ａ）に示すように、メタルマスク２の周縁部をテンショングリップ１１で掴んでメタルマスク２の面に平行な側方に引っ張って一定のテンションを架けた状態で、金属フレーム３の一端面３ａにメタルマスク２を架張する。そして、この状態で、同図（ｂ）に示すようにメタルマスク２の周縁領域に、例えばＹＡＧレーザを使用してレーザ光Ｌを照射し、メタルマスク２を金属フレーム３の一端面３ａにスポット溶接する。このスポット溶接は、複数個所で行うとよい。その後、同図（ｃ）に示すように、メタルマスク２がフィルム５に形成される金属薄膜パターン８の枠内に収まるように、メタルマスク２の周縁部をカッターにより切除する。
　次に、図６（ａ）に示すように、フィルム５が磁性金属薄膜７及び金属薄膜パターン８を設けた一面５ａ側をメタルマスク２側として、周縁部を複数のテンショングリップ１１により掴んでフィルム５の面に平行な側方に引っ張られ、フィルム５に該フィルム５が伸びない程度の一定のテンションがかけられる。そして、その状態で、フィルム５は、メタルマスク２を覆って金属フレーム３の上方に位置づけられる。次に、同図（ｂ）に示すように、金属フレーム３に支持されたメタルマスク２の開口部９内に、フィルム５に設けられた磁性金属薄膜７が位置すると共に、上記メタルマスク２がフィルム５に形成された金属薄膜パターン８の枠内に位置するようにメタルマスク２側又はフィルム５側の位置を調整した後、上記金属薄膜パターン８が金属フレーム３の一端面３ａに密着される。続いて、同図（ｃ）に示すように、上記金属薄膜パターン８の部分にレーザ光Ｌが照射され、金属薄膜パターン８が金属フレーム３の一端面３ａにスポット溶接される。このスポット溶接は、メタルマスク２のスポット溶接と同様に、複数個所で行うのがよい。なお、上記スポット溶接が終わるまでは、フィルム５には一定のテンションがかけられたままである。その後、同図（ｄ）に示すように、フィルム５は、金属フレーム３の外周縁に沿ってカットされる。これにより、フィルム５が金属フレーム３に固定して支持される。この場合、フィルム５（後のマスクシート１）とメタルマスク２とは互いに分離独立している。
　次いで、上記金属フレーム３がレーザ加工装置のＸＹステージ上に金属フレーム３側が上になるようにして載置される。そして、図７に示すように、磁性金属薄膜７の貫通孔６に対応したフィルム５の部分に、例えば４００ｎｍ以下のレーザ光Ｌが照射面積を開口パターン４の面積に等しくなるように整形されて照射され、フィルム５がアブレーションして除去される。これにより、開口パターン４がフィルム５を貫通して形成される。以後、ＸＹステージを予め定められた所定ピッチでＸＹ方向にステップ移動しながら磁性金属薄膜７の貫通孔６に対応したフィルム５の部分にレーザ光Ｌが照射され、図２（ｂ）に示すように複数の開口パターン４が形成されてマスクシート１となる。こうして、図１に示す成膜マスクが完成する。
　本発明の成膜マスクによれば、マスクシート１の複数の開口パターン４が形成された有効領域の外側の、いわゆる余白部分には、磁性金属薄膜７が存在しないため、従来に比べて磁性金属薄膜７とフィルム５との密着面積が小さくなり、両材料間の線膨張係数の差に起因してフィルム５に発生する内部応力が小さくなる。したがって、複数の開口パターン４をレーザ加工した場合にも、開口パターン４の位置ずれが抑えられて開口パターン４を位置精度よく形成することができる。これにより、磁性金属薄膜７の材料選択の幅が拡がり、また、磁性金属薄膜７が合金の場合には、構成元素の組成分布に対する要求精度を緩和することができ、マスクシート１の生産性が改善される。
　なお、レーザ加工時の開口パターン４の位置ずれ量が小さいため、開口パターの位置ずれを予め実験等により確認して予測することができる。したがって、上記位置ずれを見込んでレーザ光の照射位置を調整しながら開口パターン４をレーザ加工すれば、形成後の全ての開口パターン４を正しい位置に位置付けることができる。それ故、開口パターン４を高密度に配置した高精細な成膜マスクも容易に製造することができる。この場合、上記位置ずれを見込んでレーザ光を照射するとき、レーザ光の一部が貫通孔６をはみ出して磁性金属薄膜７にかかることがあるかもしれない。そのようなときは、上記位置ずれを見込んで予め貫通孔６の形成位置を調整しておくとよい。
　また、本発明の成膜マスクによれば、メタルマスク２の開口部９は、有機ＥＬ用基板の表示領域を内包する大きさを有するものであるため、その形成精度及びマスクシート１に対する位置合わせ精度は、ミリオーダーでよく、高精度は要求されない。したがって、メタルマスク２の製造コストを低減することができる。
　さらに、メタルマスク２の開口部９の縁部は、マスクシート１の開口パターン４の形成位置から十分に離れて位置するため、上記開口部９の縁部が成膜の影となるおそれがない。したがって、メタルマスク２には、入手性の良い、厚みが１００μｍ以上の圧延材を使用することができる。これによっても、メタルマスク２の製造コストを低減することができる。
　上記実施形態においては、複数の表示パネルを多面付けして形成するための成膜マスクの場合について説明したが、本発明はこれに限られず、一つの表示パネルを形成するための成膜マスクであってもよい。
　また、上記実施形態においては、マスクシート１とメタルシート２とを金属フレーム３の一端面３ａにスポット溶接した場合について説明したが、本発明はこれに限られず、接着剤、半田等を使用して接合してもよい。又は、金属フレーム３はなくてもよい。
　そして、本発明による成膜マスクは、薄膜パターンを蒸着形成するための蒸着用マスク、及びスパッタリング成膜するためのスパッタリング用マスクのいずれにも適用することができる。
　１…マスクシート
　２…メタルマスク
　３…金属フレーム
　３ａ…金属フレームの一端面
　４…開口パターン
　５…フィルム
　５ａ…フィルムの一面
　６…貫通孔
　７…磁性金属薄膜
　８…金属薄膜パターン
　９…開口部

Claims (12)

  1. 　基板に成膜される薄膜パターンに対応して複数の開口パターンを形成した樹脂製のフィルム、及び前記フィルムの一面にて、前記複数の開口パターンが形成された有効領域内に設けられ、前記複数の開口パターンのうち、少なくとも一つの開口パターンを内包する大きさの貫通孔を設けた磁性金属薄膜を備えたマスクシートと、
    　前記マスクシートの前記磁性金属薄膜側に前記マスクシートと分離独立して設けられ、前記磁性金属薄膜を内包する大きさの開口部を形成した磁性金属部材のメタルマスクと、
    を備えて構成された成膜マスク。
  2. 　前記マスクシート及び前記メタルマスクの各周縁部を一端面に個別に固定して支持する枠状のフレームをさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の成膜マスク。
  3. 　前記マスクシートの周縁領域には、その周縁部に沿って、金属薄膜のパターンが形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の成膜マスク。
  4. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記複数の磁性金属薄膜を夫々内包する大きさの複数の前記開口部、又は前記複数の磁性金属薄膜を内包する大きさの一つの前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項１又は２記載の成膜マスク。
  5. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記複数の磁性金属薄膜を夫々内包する大きさの複数の前記開口部、又は前記複数の磁性金属薄膜を内包する大きさの一つの前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項３記載の成膜マスク。
  6. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部の全領域に対応させて一つの前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記一つの磁性金属薄膜を内包する大きさの一つの前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項１又は２記載の成膜マスク。
  7. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部の全領域に対応させて一つの前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記一つの磁性金属薄膜を内包する大きさの一つの前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項３記載の成膜マスク。
  8. 　基板に複数の開口パターンを介して成膜し、複数の薄膜パターンを形成するための成膜マスクの製造方法であって、
    　樹脂製のフィルムの一面に、前記複数の開口パターンが形成される有効領域に対応して、前記複数の開口パターンのうち、少なくとも一つの開口パターンを内包し得る大きさの貫通孔を設けた磁性金属薄膜を形成する第１段階と、
    　磁性金属部材のメタルシートに前記磁性金属薄膜を内包する大きさの開口部を形成したメタルマスクを形成する第２段階と、
    　前記メタルマスクの周縁部を枠状のフレームの一端面に固定した後、前記フィルムの周縁部にて、前記一面側を前記フレームの前記一端面に固定する第３段階と、
    　前記フィルムの前記有効領域内にレーザ光を照射し、前記複数の開口パターンを形成してマスクシートとする第４段階と、
    を行うことを特徴とする成膜マスクの製造方法。
  9. 　前記フィルムの周縁領域に、その周縁部に沿って、金属薄膜パターンを形成したことを特徴とする請求項８記載の成膜マスクの製造方法。
  10. 　前記第３段階においては、前記フィルムの前記金属薄膜パターン、及び前記メタルマスクの周縁部を前記フレームにスポット溶接することを特徴とする請求項９記載の成膜マスクの製造方法。
  11. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記複数の磁性金属薄膜を夫々内包する大きさの複数の前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項８～１０のいずれか１項に記載の成膜マスクの製造方法。
  12. 　前記基板は複数の表示パネルの複数の表示部を形成し得る表面積を有し、
    　前記マスクシートは、前記複数の表示部に個別に対応させて複数の前記開口パターンから成る開口パターン群を設けると共に、前記複数の表示部の全領域に対応させて一つの前記磁性金属薄膜を設け、
    　前記メタルマスクは、前記一つの磁性金属薄膜を内包する大きさの一つの前記開口部を形成している、
    ことを特徴とする請求項８～１０のいずれか１項に記載の成膜マスクの製造方法。
     
PCT/JP2014/076762 2013-10-11 2014-10-07 成膜マスク及びその製造方法 WO2015053250A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020167006834A KR20160071369A (ko) 2013-10-11 2014-10-07 성막 마스크 및 그의 제조 방법
CN201480055662.7A CN105612271A (zh) 2013-10-11 2014-10-07 成膜掩膜及其制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-214099 2013-10-11
JP2013214099A JP2015074826A (ja) 2013-10-11 2013-10-11 成膜マスク及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2015053250A1 true WO2015053250A1 (ja) 2015-04-16

Family

ID=52813066

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2014/076762 WO2015053250A1 (ja) 2013-10-11 2014-10-07 成膜マスク及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2015074826A (ja)
KR (1) KR20160071369A (ja)
CN (1) CN105612271A (ja)
TW (1) TW201520349A (ja)
WO (1) WO2015053250A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017138166A1 (ja) * 2016-02-10 2017-08-17 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
WO2017204194A1 (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
US10557191B2 (en) 2017-01-31 2020-02-11 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask, deposition mask, and method for producing organic semiconductor device

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102091560B1 (ko) * 2015-06-12 2020-03-20 가부시키가이샤 아루박 기판 보지 장치, 성막 장치 및 기판 보지 방법
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
CN106206990B (zh) * 2016-08-29 2018-05-08 昆山国显光电有限公司 Oled器件及制作方法、蒸镀基板制作方法
US10982316B2 (en) * 2016-09-30 2021-04-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, frame-equipped vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, vapor deposition pattern forming method, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic EL display
CN108666420B (zh) * 2017-03-27 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法
CN107195794B (zh) * 2017-06-06 2019-07-30 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN107385391A (zh) 2017-07-14 2017-11-24 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、oled显示基板及其制作方法、显示装置
CN107858645B (zh) * 2017-12-15 2019-10-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 金属掩膜板
CN108277454B (zh) * 2018-04-23 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 精细掩模板及其制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216289A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Seiko Epson Corp マスク及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2007095411A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ用メタルマスク及び有機ｅｌ素子の製造方法
WO2013105642A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
WO2013105645A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 多面付け蒸着マスクの製造方法及びこれにより得られる多面付け蒸着マスク並びに有機半導体素子の製造方法
JP2013173968A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4104964B2 (ja) 2002-12-09 2008-06-18 日本フイルコン株式会社 パターニングされたマスク被膜と支持体からなる積層構造の薄膜パターン形成用マスク及びその製造方法
JP2008274373A (ja) 2007-05-02 2008-11-13 Optnics Precision Co Ltd 蒸着用マスク

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006216289A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Seiko Epson Corp マスク及び有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2007095411A (ja) * 2005-09-28 2007-04-12 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌ用メタルマスク及び有機ｅｌ素子の製造方法
WO2013105642A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスク装置の製造方法、及び有機半導体素子の製造方法
WO2013105645A1 (ja) * 2012-01-12 2013-07-18 大日本印刷株式会社 多面付け蒸着マスクの製造方法及びこれにより得られる多面付け蒸着マスク並びに有機半導体素子の製造方法
JP2013173968A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 V Technology Co Ltd 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017138166A1 (ja) * 2016-02-10 2017-08-17 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP2018165409A (ja) * 2016-02-10 2018-10-25 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP2018168475A (ja) * 2016-02-10 2018-11-01 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JPWO2017138166A1 (ja) * 2016-02-10 2018-11-22 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
CN109072411A (zh) * 2016-02-10 2018-12-21 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
CN109072411B (zh) * 2016-02-10 2021-04-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法、蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法
US11233199B2 (en) 2016-02-10 2022-01-25 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Vapor deposition mask manufacturing method, vapor deposition mask, and organic semiconductor element manufacturing method
WO2017204194A1 (ja) * 2016-05-26 2017-11-30 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、及び有機ｅｌディスプレイの製造方法
KR20190013852A (ko) * 2016-05-26 2019-02-11 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 프레임 구비 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법 및 유기 el 디스플레이의 제조 방법
KR102365037B1 (ko) 2016-05-26 2022-02-18 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 프레임 구비 증착 마스크, 유기 반도체 소자의 제조 방법 및 유기 el 디스플레이의 제조 방법
US10557191B2 (en) 2017-01-31 2020-02-11 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask, deposition mask, and method for producing organic semiconductor device
US11230759B2 (en) 2017-01-31 2022-01-25 Sakai Display Products Corporation Method for producing deposition mask, deposition mask, and method for producing organic semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN105612271A (zh) 2016-05-25
KR20160071369A (ko) 2016-06-21
JP2015074826A (ja) 2015-04-20
TW201520349A (zh) 2015-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2015053250A1 (ja) 成膜マスク及びその製造方法
JP6078818B2 (ja) 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法
JP6341434B2 (ja) 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
WO2017138166A1 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
WO2014168039A1 (ja) 成膜マスク
JP5976527B2 (ja) 蒸着マスク及びその製造方法
JP2017179591A5 (ja)
WO2014141816A1 (ja) 成膜マスクの製造方法
KR101869889B1 (ko) 펨토초 레이저를 이용한 오픈 마스크 조립체 제조 방법, 이에 따라 제조된 오픈 마스크 조립체, 및 오픈 마스크 조립체 제조 장치
JP2013245392A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2013089138A1 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2014069049A1 (ja) 成膜マスク
JP2006322015A (ja) メタルマスク用フレーム及びその製造方法
JP6163376B2 (ja) 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
WO2018051443A1 (ja) マスクシート、蒸着マスク、表示パネルの製造方法
JP2004323888A (ja) 蒸着マスク及び蒸着方法
JP2004055231A (ja) 有機ｅｌ素子製造に用いる真空蒸着用多面付けメタルマスク
JP2010090415A (ja) 蒸着マスク
JP6709534B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
US20230193449A1 (en) Mask assembly, method of repairing the same, and method of manufacturing the same
WO2017170172A1 (ja) 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
US20230146922A1 (en) Mask assembly and method of repairing the same
US20240110272A1 (en) Mask assembly and method of manufacturing the same
JP2013077541A5 (ja) 薄膜パターン形成方法、それに使用するマスク、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6620831B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、及び有機半導体素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 14851735

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20167006834

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 14851735

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1