TWI480398B - 陰影罩幕及其補償設計方法 - Google Patents
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Description
本發明有關於罩幕的補償設計方法，且特別是有關於陰影罩幕的補償設計方法。
現今液晶顯示器的製程多以微影蝕刻的方式於玻璃基板上成膜，以於玻璃基板上製作主動或被動元件。由於以微影蝕刻的方式成膜的成本相當高且耗時，因此，為加快生產速度及降低製作成本，業界發展出以濺鍍法搭配陰影罩幕的方式成膜，以直接於玻璃基板上製作出圖案化的薄膜。然而，使用陰影罩幕製作出的薄膜圖案具有解析度不高及線寬變異大的缺點，因此只適用於圖樣精細度要求低的保護層及鈍化層。
當應用陰影罩幕成膜的方式於尺寸較小的玻璃基板(小於3.5代)上時，鍍膜誤差尚在可接受範圍。然而，當玻璃基板的尺寸越來越大時(大於3.5代)，鍍膜過程中因機構與溫度造成的玻璃變形量也隨之增加。大尺寸玻璃基板的變形會造成陰影罩幕遮蔽精度下降，以致於薄膜圖案解析度下降且線寬變異升高至超過可容忍值。因此，需要發展新的技術以使大尺寸的玻璃基板也可使用陰影罩幕成膜技術。
本發明一實施例提供一種陰影罩幕的補償設計方法，包括：設置一第一陰影罩幕於一基板上，該第一陰影罩幕具有一第一實體圖案以及與該第一實體圖案互補的一第一開口圖案，該第一實體圖案係遮蔽該基板的一第一預定鍍膜開口區，該第一預定鍍膜開口區具有在一軸上相對的一第一側與一第二側；以該第一陰影罩幕為遮罩進行一沉積製程，以於該基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有一位於該第一實體圖案下方的第一開口，其中該第一開口具有在該軸上相對的一第三側與一第四側，該第一側與該第三側相鄰，該第二側與該第四側相鄰，其中該第三側相對於該第一側的距離差為一第一偏差，該第二側相對於該第四側的距離差為一第二偏差，該第一開口相對於該第一預定鍍膜開口區的一第一單側擴散距離為該第一偏差與該第二偏差之和的二分之一；以及依照該第一單側擴散距離設計一相似但不同於該第一陰影罩幕的第二陰影罩幕，該第二陰影罩幕具有一第二實體圖案以及與該第二實體圖案互補的一第二開口圖案，其中該第二開口圖案的大小不同於該第一開口圖案。
本發明另一實施例提供一種陰影罩幕，包括：一實體圖案以及一與該實體圖案互補的開口圖案，其中該實體圖案包括呈陣列排列的多個圖案單元，該些圖案單元至少包括一第一圖案單元與一第二圖案單元，該第一圖案單元具有一第一基本圖案以及一自該第一基本圖案的邊緣沿一軸朝向該開口圖案延伸的第一補償圖案，該第二圖案單元具有一第二基本圖案以及一自該第二基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第二補償圖案，其中該第一基本圖案與該第二基本圖案的形狀與大小皆相同，該第一補償圖案的延伸距離不等於該第二補償圖案的延伸距離。
以下將詳細說明本發明實施例之製作與使用方式。然應注意的是，本發明提供許多可供應用的發明概念，其可以多種特定型式實施。文中所舉例討論之特定實施例僅為製造與使用本發明之特定方式，非用以限制本發明之範圍。此外，在不同實施例中可能使用重複的標號或標示。這些重複僅為了簡單清楚地敘述本發明，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層之情形。在圖式中，實施例之形狀或是厚度可擴大，以簡化或是方便標示。再者，圖中未繪示或描述之元件，為所屬技術領域中具有通常知識者所知的形式。
第1圖至第3圖繪示本發明多個實施例之利用陰影罩幕所製得的鍍膜與基板的預定鍍膜區的上視圖。值得注意的是，為使圖式較為簡單易懂，第1圖至第3圖省略繪示基板以及配置於其上的第一陰影罩幕，第1圖只繪示出第一陰影罩幕的第一開口圖案、基板的預定鍍膜區、以及鍍膜，第2圖與第3圖只繪示基板的預定鍍膜區以及鍍膜。
請參照第1圖，可將第一陰影罩幕設置於一基板上，其中第一陰影罩幕具有一第一開口圖案OP1，基板具有預定鍍膜區S1(設計值)。第一開口圖案OP1暴露出部分的預定鍍膜區S1。
詳細而言，在將第一陰影罩幕設置於基板上時，第一陰影罩幕與基板之間難免會存在對位偏差，因此，第一開口圖案OP1只能暴露出部分的預定鍍膜區S1。之後，以該第一陰影罩幕為沉積罩幕製得一鍍膜F，其係位於該基板的一實際鍍膜區R(實際值)中。
申請人將預定鍍膜區S1與實際鍍膜區R之間的差異稱為『偏差(bias)』。偏差包括位於預定鍍膜區S1左側的第一偏差C1以及位於預定鍍膜區S1右側的第二偏差C2。
詳細而言，預定鍍膜區S1具有在一軸AX上相對的一第一側B1與一第二側B2，且實際鍍膜區R具有在軸AX上相對的一第三側B3與一第四側B4，其中第一側B1與第三側B3相鄰，第二側B2與第四側B4相鄰。第一側B1相對於第三側B3的距離差為一第一偏差(bias)C1，第四側B4相對於第二側B2的距離差為一第二偏差C2。值得注意的是，軸AX可為X軸、Y軸、或是其他適合的軸線。
申請人分析產生偏差的因素有以下兩種。第一種為在鍍膜製程時，第一陰影罩幕與基板之間存在對位偏差，以致於實際鍍膜區R相對於預定鍍膜區S1向右側或左側偏移，在此，申請人將前述偏移的量稱為『鍍膜偏移距離』(shift)。第二種為在鍍膜時，薄膜擴散特性造成鍍膜的邊緣較預定鍍膜區S1(設計值)向外延伸，在此，申請人將前述向外延伸的量稱為『單側擴散距離』(gray zone)。
第2圖係繪示當鍍膜時單純只受到(第一陰影罩幕與基板之間的)對位偏差的影響，而沒有受到其他因素影響時，第一陰影罩幕的第一開口圖案與實際鍍膜圖案的上視圖。由第2圖可知，鍍膜F1所在的實際鍍膜區R1相對於預定鍍膜區S1向右側偏移一鍍膜偏移距離SH。此時，鍍膜F1的尺寸(寬度W1)與預定鍍膜區S1的尺寸(寬度W2)相同。
第3圖係繪示當鍍膜時單純只受到薄膜擴散特性的影響，而沒有受到其他因素影響時，第一陰影罩幕的第一開口圖案與實際鍍膜圖案的上視圖。由第3圖可知，鍍膜F2所在的實際鍍膜區R2相對於預定鍍膜區S1分別向左與向右延伸一單側擴散距離G。此時，鍍膜F2的寬度W1大於預定鍍膜區S1的寬度W2。
一般而言，鍍膜製程會同時受到前述二種因素的影響，因此，如第1圖所示，鍍膜F的偏差值會同時受到鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G兩種數值的影響。
申請人係假設相鄰區域(如預定鍍膜區S1的第一側B1與第二側B2)的鍍膜偏移距離SH相等，以利用相鄰區域的偏差(如第一偏差C1與第二偏差C2)計算分離出前述相鄰區域的鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G。
申請人得出的公式如下；
鍍膜偏移距離SH=(第二偏差C2-第一偏差C1)/2(公式1)
單側擴散距離G=(第二偏差C2+第一偏差C1)/2(公式2)
因此，可根據上式計算出鍍膜偏移距離SH與單側擴散距離G，並且據此設計一具有第二開口圖案的第二陰影罩幕，第二陰影罩幕具有一相同於第一陰影罩幕的基本圖案以及一自基本圖案的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案延伸的補償圖案，補償圖案的延伸距離D大抵等於單側擴散距離。
換言之，可根據單側擴散距離G的大小，縮小陰影罩幕的開口圖案，以抵銷(或補償)薄膜擴散特性對鍍膜製程的影響，此時，以具有補償設計的第二陰影罩幕製得的鍍膜係相似於第2圖所示的鍍膜F1。如此一來，本發明所製成的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。
以下將詳細描述本發明多個實施例的實施方式。
第4A圖至第4D圖繪示本發明一實施例之陰影罩幕的補償設計方法的流程剖面圖。第5A圖至第5D圖分別繪示第4A圖至第4D圖之陰影罩幕與基板的上視圖。
請參照第4A圖與第5A圖，首先，提供一第一陰影罩幕M41，第一陰影罩幕M41具有一第一開口圖案OP41以及與第一開口圖案OP41互補的一第一實體圖案A41。接著，將第一陰影罩幕M41設置於一基板S4上，第一開口圖案OP41係暴露出基板S4的一預定鍍膜區S41，預定鍍膜區S41具有在一軸AX上相對的一第一側B41與一第二側B42。
一般而言，將第一陰影罩幕M41設置於基板S4上的製程都無可避免地會有對位偏差產生，因此，第一開口圖案OP41與預定鍍膜區S41之間會存在一鍍膜偏移距離。第4A圖與第5A圖係繪示第一開口圖案OP41相對於預定鍍膜區S41向右側偏移一鍍膜偏移距離SH4。
然後，請參照第4B圖與第5B圖，以第一陰影罩幕M41為遮罩進行一沉積製程，以於基板S4上形成一鍍膜F4。詳細而言，鍍膜F4位於基板S4的一實際鍍膜區R4上，其中實際鍍膜區R4具有在軸AX上相對的一第三側B43與一第四側B44，且第一側B41與第三側B43相鄰，第二側B42與第四側B44相鄰。第一側B41相對於第三側B43的距離差為一第一偏差C41。第四側B44相對於第二側B42的距離差為一第二偏差C42。
由前述公式2可知，本實施例之實際鍍膜區R4相對於預定鍍膜區S41的一單側擴散距離為第一偏差C41與第二偏差C42之和的二分之一。因此，此時可利用第一偏差C41與第二偏差C42計算出單側擴散距離。
實際上，如第4B圖所示，前述薄膜擴散特性即為鍍膜F4會向第一開口圖案OP41所暴露出的基板區域的外側延伸一單側擴散距離G4，且可利用第一偏差C41與第二偏差C42計算得出單側擴散距離G4。
之後，請參照第4C圖與第5C圖，可依照計算出的單側擴散距離設計一第二陰影罩幕M42。詳細而言，第二陰影罩幕M42可具有一第二開口圖案OP42以及與第二開口圖案OP42互補的一第二實體圖案A42，其中第二實體圖案A42具有一相同於第一實體圖案A41的基本圖案A421以及一自基本圖案A421的邊緣A421a沿軸AX朝向第二開口圖案OP42延伸的補償圖案A422，補償圖案A422的延伸距離D4大抵等於單側擴散距離。在一實施例中，第二開口圖案OP42的形狀不同於第一開口圖案OP41的形狀。舉例來說，第一開口圖案OP41的形狀可為長方形，第二開口圖案OP42的形狀可為正方形。
然後，請參照第4D圖與第5D圖，可以第二陰影罩幕M42作為為遮罩進行一沉積製程，以於基板S4上形成一鍍膜F41。為簡化圖式以方便說明，第5D圖省略繪示第二陰影罩幕M42。鍍膜F41的寬度W41係相仿於預定鍍膜區S41的寬度W42。在此，鍍膜F41只會受到對位偏差的影響而相對於預定鍍膜區S41向右側偏移一鍍膜偏移距離SH4。
由前述可知，本實施例係先利用第一陰影罩幕M41進行一次沉積製程，以量測鍍膜F4的第一偏差C41與第二偏差C42，進而據此計算出單側擴散距離，然後，依據計算出的單側擴散距離設計一第二陰影罩幕M42，以抵銷(補償)薄膜擴散特性對鍍膜製程的影響。因此，本實施例的鍍膜F41可不受薄膜擴散特性的影響，而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。
第6A圖至第6D圖繪示本發明另一實施例之陰影罩幕的補償設計方法的流程剖面圖。第7A圖至第7D圖分別繪示第6A圖至第6D圖之陰影罩幕與基板的上視圖。
請參照第6A圖與第7A圖，首先，提供一第一陰影罩幕M61，第一陰影罩幕M61具有一第一實體圖案A1以及與第一實體圖案A1互補的一第一開口圖案OP61。第一實體圖案A1包括一第一圖案A61。
接著，將第一陰影罩幕M61設置於一基板S6上，第一圖案A61係遮蔽基板S6的一第一預定鍍膜開口區SO61，第一預定鍍膜開口區SO61具有在一軸AX上相對的一第一側B61與一第二側B62。
在一實施例中，第一實體圖案A1可選擇性地更具有分別位於第一圖案A61兩側的一第一邊緣圖案A63與一第三邊緣圖案A64，且第一開口圖案OP61亦與第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64互補。第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64分別遮蔽基板S6的一第二預定鍍膜開口區SO62與一第三預定鍍膜開口區SO63。第二預定鍍膜開口區SO62與第三預定鍍膜開口區SO63分別具有在軸AX上的一第五側B65與一第七側B66。
一般而言，將第一陰影罩幕M61設置於基板S6上的製程都無可避免地會有對位偏差產生，因此，第一圖案A61與第一預定鍍膜開口區SO61之間會存在一鍍膜偏移距離。第6A圖與第7A圖係繪示第一圖案A61相對於第一預定鍍膜開口區SO61向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。
同理，第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64分別相對於第二預定鍍膜開口區SO62與第三預定鍍膜開口區SO63向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。
然後，請參照第6B圖與第7B圖，以第一陰影罩幕M61為遮罩進行一沉積製程，以於基板S6上形成一鍍膜F6，鍍膜F6具有一位於第一圖案A61下方的第一開口FO61，其中第一開口FO61具有在軸AX上相對的一第三側B63與一第四側B64，且第一側B61與第三側B63相鄰，第二側B62與第四側B64相鄰。
詳細而言，第三側B63相對於第一側B61的距離差為一第一偏差C61，第二側B62相對於第四側B64的距離差為一第二偏差C62。由公式2可知，第一開口FO61相對於第一預定鍍膜開口區SO61的一第一單側擴散距離為第一偏差C61與第二偏差C62之和的二分之一。因此，可利用第一偏差C61與第二偏差C62計算出第一單側擴散距離。
另外，由公式1可知，第一開口FO61相對於第一預定鍍膜開口區SO61的一鍍膜偏移距離SH6為第一偏差C61與第二偏差C62之差的二分之一。因此，可利用第一偏差C61與第二偏差C62計算出鍍膜偏移距離SH6。
在一實施例中，鍍膜F6可選擇性地具有分別位於第一邊緣圖案A63與第三邊緣圖案A64下方的一第二開口FO62與一第三開口FO63。第二開口FO62具有在軸AX上鄰近第五側B65的一第六側B67，第三開口FO63具有在軸AX上鄰近第七側B66的一第八側B68。
詳細而言，第五側B65相對於第六側B67的距離差為一第三偏差C63，第八側B68相對於第七側B66的距離差為一第四偏差C64。第二開口FO62相對於第二預定鍍膜開口區SO62的一第二單側擴散距離可由下示之公式3得到。
第二單側擴散距離=第三偏差C3+鍍膜偏移距離SH6(公式3)
第三開口FO63相對於第三預定鍍膜開口區SO63的一第三單側擴散距離可由下示之公式4得到。
第三單側擴散距離=第四偏差C4-鍍膜偏移距離SH6(公式4)
接著，請參照第6C圖與第7C圖，可依照第一單側擴散距離設計一第二陰影罩幕M62，第二陰影罩幕M62具有一第二實體圖案A2以及與第二實體圖案A2互補的一第二開口圖案OP62。第二開口圖案OP62的大小不同於第一開口圖案OP61。在一實施例中，第二開口圖案OP62係相對於第一開口圖案OP61內縮第一單側擴散距離。第二實體圖案A2包括一第二圖案A62。
詳細而言，第二圖案A62具有一相同於第一圖案A61的第一基本圖案A621以及一自第一基本圖案A621的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案OP62延伸的第一補償圖案A622，第一補償圖案A622的延伸距離D61大抵等於第一單側擴散距離。
在一實施例中，第二實體圖案A2可選擇性地更具有一第二邊緣圖案A65以及一第四邊緣圖案A66，且第二開口圖案OP62亦與第二邊緣圖案A65以及第四邊緣圖案A66互補。
相對於第一陰影罩幕M61的第一開口圖案OP61，第二陰影罩幕M62的第二開口圖案OP62之與第二圖案A62相鄰的部份係內縮第一單側擴散距離，第二開口圖案OP62之與第二邊緣圖案A65相鄰的部份係內縮第二單側擴散距離，第二開口圖案OP62之與第四邊緣圖案A66相鄰的部份係內縮第三單側擴散距離。
詳細而言，第二邊緣圖案A65具有一相同於第一邊緣圖案A63的第二基本圖案A651以及一自第二基本圖案A651的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案OP62延伸的第二補償圖案A652，第二補償圖案A652的延伸距離D62大抵等於第二單側擴散距離。
第四邊緣圖案A66具有一相同於第三邊緣圖案A64的第三基本圖案A661以及一自第三基本圖案A661的邊緣沿軸AX朝向第二開口圖案OP62延伸的第三補償圖案A662，第三補償圖案A662的延伸距離D63大抵等於第三單側擴散距離。
在一實施例中，第二開口圖案OP62的形狀可不同於第一開口圖案OP61的形狀。
然後，請參照第6D圖與第7D圖，可以第二陰影罩幕M62作為為遮罩進行一沉積製程，以於基板S6上形成一鍍膜F61。為簡化圖式以方便說明，第7D圖省略繪示第二陰影罩幕M62。鍍膜F61具有分別對應第二圖案A62、第二邊緣圖案A65、與第四邊緣圖案A66的一第一開口FO611、一第二開口FO622與一第三開口FO633，其中第一開口FO611的寬度W61係相仿於第一預定鍍膜開口區SO61的寬度W62。
在此，鍍膜F61的第一開口FO611、第二開口FO622與第三開口FO633只會受到對位偏差的影響而分別相對於第一預定鍍膜開口區SO61、第二預定鍍膜開口區SO62、第三預定鍍膜開口區SO63向右側偏移一鍍膜偏移距離SH6。
第8A圖至第8C圖繪示本發明一實施例之鍍膜製程的示意圖，其中第8A圖與第8C圖為上視圖，第8B圖為剖面圖。請參照第8A圖，本實施例之陰影罩幕800包括一實體圖案A8以及一與實體圖案A8互補的開口圖案OP8。實體圖案A8包括呈陣列排列的多個圖案單元，這些圖案單元可包括一第一圖案單元U1與一第二圖案單元U2。
詳細而言，第一圖案單元U1具有一第一基本圖案A811以及一自第一基本圖案A811的邊緣沿一軸AX朝向開口圖案OP延伸的第一補償圖案A812。第一補償圖案A812例如具有一平直邊緣。
第二圖案單元U2具有一第二基本圖案A821以及一自第二基本圖案A821的邊緣沿軸AX朝向開口圖案OP8延伸的第二補償圖案A822。
第一基本圖案A811與第二基本圖案A821的形狀與大小皆相同，且第一補償圖案A812的延伸距離D81不等於第二補償圖案A822的延伸距離D82。在一實施例中，第一補償圖案A812的延伸距離D81大於第二補償圖案A822的延伸距離D82。
在一實施例中，前述圖案單元可更包括一第三圖案單元U3，第三圖案單元U3具有一第三基本圖案A831以及一自第三基本圖案A831的邊緣沿軸朝向開口圖案OP8延伸的第三補償圖案A832。
詳細而言，第一基本圖案A811、第二基本圖案A821與第三基本圖案A831的形狀與大小皆相同，第三基本圖案A831與第二基本圖案A821相連，第一補償圖案A812的延伸距離D81、第二補償圖案A822的延伸距離D82、與第三補償圖案A832的延伸距離D83皆不相等。
由於用以沉積薄膜的基板(尤其是大尺寸基板)在製程中每個部位的變形量不同，因此，在基板的不同部位上，鍍膜的單側擴散距離並不相同。因此，相對於不同位置的鍍膜(或鍍膜開口)的陰影罩幕的圖案單元U1、U2、U3會具有延伸距離不相等的補償圖案，以補償因基板各個部位的變形量不同所造成的不同單側擴散距離。
請參照第8B圖，可將陰影罩幕800用於一沉積製程中，以於一基板S8上形成一鍍膜F8。第8C圖係繪示鍍膜F8的上視圖。請參照第8B圖與第8C圖，鍍膜F8具有呈陣列排列的多個開口FO8，開口FO8的形狀與大小皆相同，圖案單元U1、U2、U3、U4、U5分別位於開口FO8上，且第一基本圖案A811的面積大抵等於其下方開口FO8的面積。
在另一實施例中，如第9圖所示，圖案單元U91具有第一基本圖案A911以及第一補償圖案A912，第一補償圖案A912可具有一彎曲邊緣，且第一補償圖案A912可具有多個彼此不同的延伸距離D94、D95。
綜上所述，本發明係先利用第一陰影罩幕進行一次沉積製程，以量測鍍膜的第一偏差與第二偏差，進而據此計算出單側擴散距離，然後，依據計算出的單側擴散距離設計一第二陰影罩幕，以抵銷(補償)薄膜擴散特性對鍍膜製程的影響。如此一來，本發明的鍍膜可不受薄膜擴散特性的影響，進而具有較佳的圖案解析度與較低的線寬變異。
本發明雖以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明的範圍，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可做些許的更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
800．．．陰影罩幕
A1．．．第一實體圖案
A2．．．第二實體圖案
A8．．．實體圖案
A41．．．第一實體圖案
A811、A911．．．第一基本圖案
A812、A912．．．第一補償圖案
A42．．．第二實體圖案
A421、A621、A821．．．基本圖案、第二基本圖案
A421a．．．邊緣
A422、A622、A822．．．補償圖案、第二補償圖案
A61．．．第一圖案
A62．．．第二圖案
A63．．．第一邊緣圖案
A64．．．第三邊緣圖案
A65．．．第二邊緣圖案
A651．．．第二基本圖案
A652．．．第二補償圖案
A66．．．第四邊緣圖案
A661．．．第三基本圖案
A662．．．第三補償圖案
AX．．．軸
B1、B41、B61．．．第一側
B2、B42、B62．．．第二側
B3、B43、B63．．．第三側
B4、B44、B64．．．第四側
B65．．．第五側
B66．．．第七側
B67．．．第六側
B68．．．第八側
C1、C41、C61．．．第一偏差
C2、C42、C62．．．第二偏差
C63．．．第三偏差
C64．．．第四偏差
D4、D61、D62、D63、D81、D82、D83、D94、D95．．．延伸距離
F、F1、F2、F4、F41、F6、F61、F8．．．鍍膜
FO8．．．開口
FO61、FO611．．．第一開口
FO62、FO622．．．第二開口
FO63、FO633．．．第三開口
G．．．單側擴散距離
M41、M61．．．第一陰影罩幕
M42、M62．．．第二陰影罩幕
OP8．．．開口圖案
OP41、OP61．．．第一開口圖案
OP42、OP62．．．第二開口圖案
R、R1、R2、R4．．．實際鍍膜區
S4、S6、S8．．．基板
S1、S41．．．預定鍍膜區
SH、SH4、SH6．．．鍍膜偏移距離
SO61．．．第一預定鍍膜開口區
SO62．．．第二預定鍍膜開口區
SO63．．．第三預定鍍膜開口區
U1．．．第一圖案單元
U2．．．第二圖案單元
U3．．．第三圖案單元
U4、U5．．．圖案單元
W1、W2、W41、W42、W61、W62．．．寬度
第1圖至第3圖繪示本發明多個實施例之陰影罩幕的第一開口圖案與實際成膜圖案的上視圖。
第4A圖至第4D圖繪示本發明一實施例之陰影罩幕的補償設計方法的流程剖面圖。
第5A圖至第5D圖分別繪示第4A圖至第4D圖之陰影罩幕與基板的上視圖。
第6A圖至第6D圖繪示本發明另一實施例之陰影罩幕的補償設計方法的流程剖面圖。
第7A圖至第7D圖分別繪示第6A圖至第6D圖之陰影罩幕與基板的上視圖。
第8A圖至第8C圖繪示本發明一實施例之鍍膜製程的示意圖，其中第8A圖與第8C圖為上視圖，第8B圖為剖面圖。
第9圖繪示本發明另一實施例之陰影罩幕的上視圖。
A2．．．第二實體圖案
A621．．．基本圖案、第二基本圖案
A622．．．補償圖案、第二補償圖案
A62．．．第二圖案
A65．．．第二邊緣圖案
A651．．．第二基本圖案
A652．．．第二補償圖案
A66．．．第四邊緣圖案
A661．．．第三基本圖案
A662．．．第三補償圖案
AX．．．軸
D61、D62、D63．．．延伸距離
M62．．．第二陰影罩幕
OP62．．．第二開口圖案
S6．．．基板
SO61．．．第一預定鍍膜開口區
SO62．．．第二預定鍍膜開口區
SO63．．．第三預定鍍膜開口區
Claims (10)
- 一種陰影罩幕的補償設計方法，包括：設置一第一陰影罩幕於一基板上，該第一陰影罩幕具有一第一實體圖案以及與該第一實體圖案互補的一第一開口圖案，該第一實體圖案係遮蔽該基板的一第一預定鍍膜開口區，該第一預定鍍膜開口區具有在一軸上相對的一第一側與一第二側；以該第一陰影罩幕為遮罩進行一沉積製程，以於該基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有一位於該第一實體圖案下方的第一開口，其中該第一開口具有在該軸上相對的一第三側與一第四側，該第一側與該第三側相鄰，該第二側與該第四側相鄰，其中該第三側相對於該第一側的距離差為一第一偏差，該第二側相對於該第四側的距離差為一第二偏差，該第一開口相對於該第一預定鍍膜開口區的一第一單側擴散距離為該第一偏差與該第二偏差之和的二分之一；以及依照該第一單側擴散距離設計一相似但不同於該第一陰影罩幕的第二陰影罩幕，該第二陰影罩幕具有一第二實體圖案以及與該第二實體圖案互補的一第二開口圖案，其中該第二開口圖案的大小不同於該第一開口圖案；其中該第一開口相對於該第一預定鍍膜開口區的一第一鍍膜偏移距離為該第一偏差與該第二偏差之差的二分之一，其中該第一陰影罩幕之該第一實體圖案更包含位於一側的一第一邊緣圖案，該第一邊緣圖案遮蔽該基板的一第 二預定鍍膜開口區，該第二預定鍍膜開口區具有在該軸上鄰近第一預定鍍膜開口區的一第五側，該鍍膜更具有位於該第一邊緣圖案下方的一第二開口，其中該第二開口具有在該軸上鄰近該第五側的一第六側，其中該第五側相對於該第六側的距離差為一第三偏差，該第二開口相對於該第二預定鍍膜開口區的一第二單側擴散距離為該第三偏差與該第一鍍膜偏移距離的和，該第二陰影罩幕之該第二實體圖案更包括一第三邊緣圖案，該第二開口圖案與該第二實體圖案相鄰的部份係相對於該第一開口圖案內縮該第一單側擴散距離，該第二開口圖案與該第二邊緣圖案相鄰的部份係相對於該第一開口圖案內縮該第二單側擴散距離。
- 如申請專利範圍第1項所述之陰影罩幕的補償設計方法，其中該第二開口圖案係相對於該第一開口圖案內縮該第一單側擴散距離。
- 如申請專利範圍第1項所述之陰影罩幕的補償設計方法，其中該第二開口圖案的形狀不同於該第一開口圖案的形狀。
- 如申請專利範圍第3項所述之陰影罩幕的補償設計方法，其中該第一陰影罩幕之該第一實體圖案更包含位於另一側的一第三邊緣圖案，該第三邊緣圖案遮蔽該基板的一第三預定鍍膜開口區，該第三預定鍍膜開口區具有在該軸上鄰近第一預定鍍膜開口區的一第七側，該鍍膜更具有位於該第三邊緣圖案下方的一第三開 口，其中該第三開口具有在該軸上鄰近該第七側的一第八側，其中該第八側相對於該第七側的距離差為一第四偏差，該第三開口相對於該第三預定鍍膜開口區的一第三單側擴散距離為該第四偏差與該第一鍍膜偏移距離的差，該第二陰影罩幕之該第二實體圖案更包括一第四邊緣圖案，該第二開口圖案與該第四邊緣圖案相鄰的部份係相對於該第一開口圖案內縮該第三單側擴散距離。
- 一種陰影罩幕，包括：一實體圖案以及一與該實體圖案互補的開口圖案，其中該實體圖案包括呈陣列排列的多個圖案單元，該些圖案單元至少包括一第一圖案單元與一第二圖案單元，該第一圖案單元具有一第一基本圖案以及一自該第一基本圖案的邊緣沿一軸朝向該開口圖案延伸的第一補償圖案，該第二圖案單元具有一第二基本圖案以及一自該第二基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第二補償圖案，其中該第一基本圖案與該第二基本圖案的形狀與大小皆相同，該第一補償圖案的延伸距離不等於該第二補償圖案的延伸距離。
- 如申請專利範圍第5項所述之陰影罩幕，其中該些圖案單元更包括一第三圖案單元，該第三圖案單元具有一第三基本圖案以及一自該第三基本圖案的邊緣沿該軸朝向該開口圖案延伸的第三補償圖案，該第一基本圖案、該第二基本圖案與該第三基本圖案的形狀與大小皆相同，該第三基本圖案與該第二基本圖案相連，該第一補償圖案的延伸距離、該第二補償圖案的延伸距離、與該第三補償圖 案的延伸距離皆不相等。
- 如申請專利範圍第5項所述之陰影罩幕，其中該陰影罩幕係用於一沉積製程中，以於一基板上形成一鍍膜，該鍍膜具有呈陣列排列的多個開口，該些開口的形狀與大小皆相同，該些圖案單元分別位於該些開口上，且該第一基本圖案的面積大抵等於該開口的面積。
- 如申請專利範圍第5項所述之陰影罩幕，其中該第一補償圖案具有一平直邊緣。
- 如申請專利範圍第5項所述之陰影罩幕，其中該第一補償圖案具有一彎曲邊緣。
- 如申請專利範圍第9項所述之陰影罩幕，其中該第一補償圖案具有多個彼此不同的延伸距離。
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