CN103225059A

CN103225059A - 阴影掩膜及其补偿设计方法

Info

Publication number: CN103225059A
Application number: CN2012100210763A
Authority: CN
Inventors: 朱启宝; 姜义堂; 陈思孝; 杨冠懿; 陈冠州; 李宜憓; 温晋达
Original assignee: Innolux Shenzhen Co Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp
Current assignee: Innocom Technology Shenzhen Co Ltd; Innolux Shenzhen Co Ltd; Chi Mei Optoelectronics Corp
Priority date: 2012-01-30
Filing date: 2012-01-30
Publication date: 2013-07-31

Abstract

本发明提供一种阴影掩膜及其补偿设计方法，该方法包括：提供一第一阴影掩膜具有一第一开口图案以及一第一实体图案；将第一阴影掩膜设置于一基板上，基板的一预定镀膜区具有一第一侧与一第二侧；以第一阴影掩膜为遮罩进行一沉积工艺，以于基板的一实际镀膜区上形成一镀膜，实际镀膜区具有一第三侧与一第四侧，第一侧与第三侧的距离差为一第一偏差，第二侧与第四侧的距离差为一第二偏差，实际镀膜区相对于预定镀膜区的一单侧扩散距离为第一偏差与第二偏差之和的二分之一；以及依照单侧扩散距离设计一第二阴影掩膜。本发明的镀膜可不受薄膜扩散特性的影响，进而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

Description

阴影掩膜及其补偿设计方法

技术领域

本发明有关于掩膜的补偿设计方法，且特别是有关于阴影掩膜的补偿设计方法。

背景技术

现今液晶显示器的工艺多以微影蚀刻的方式于玻璃基板上成膜，以于玻璃基板上制作主动或被动元件。由于以微影蚀刻的方式成膜的成本相当高且耗时，因此，为加快生产速度及降低制作成本，业界发展出以溅镀法搭配阴影掩膜的方式成膜，以直接于玻璃基板上制作出图案化的薄膜。然而，使用阴影掩膜制作出的薄膜图案具有解析度不高及线宽变异大的缺点，因此只适用于图样精细度要求低的保护层及钝化层。

当应用阴影掩膜成膜的方式于尺寸较小的玻璃基板(小于3.5代)上时，镀膜误差尚在可接受范围。然而，当玻璃基板的尺寸越来越大时(大于3.5代)，镀膜过程中因机构与温度造成的玻璃变形量也随之增加。大尺寸玻璃基板的变形会造成阴影掩膜遮蔽精度下降，以致于薄膜图案解析度下降且线宽变异升高至超过可容忍值。因此，需要发展新的技术以使大尺寸的玻璃基板也可使用阴影掩膜成膜技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种阴影掩膜的补偿设计方法，包括：设置一第一阴影掩膜于一基板上，该第一阴影掩膜具有一第一实体图案以及与该第一实体图案互补的一第一开口图案，该第一实体图案遮蔽该基板的一第一预定镀膜开口区，该第一预定镀膜开口区具有在一轴上相对的一第一侧与一第二侧；以该第一阴影掩膜为遮罩进行一沉积工艺，以于该基板上形成一镀膜，该镀膜具有一位于该第一实体图案下方的第一开口，其中该第一开口具有在该轴上相对的一第三侧与一第四侧，该第一侧与该第三侧相邻，该第二侧与该第四侧相邻，其中该第三侧相对于该第一侧的距离差为一第一偏差，该第二侧相对于该第四侧的距离差为一第二偏差，该第一开口相对于该第一预定镀膜开口区的一第一单侧扩散距离为该第一偏差与该第二偏差之和的二分之一；以及依照该第一单侧扩散距离设计一相似但不同于该第一阴影掩膜的第二阴影掩膜，该第二阴影掩膜具有一第二实体图案以及与该第二实体图案互补的一第二开口图案，其中该第二开口图案的大小不同于该第一开口图案。

本发明另一实施例提供一种阴影掩膜，包括：一实体图案以及一与该实体图案互补的开口图案，其中该实体图案包括呈阵列排列的多个图案单元，所述图案单元至少包括一第一图案单元与一第二图案单元，该第一图案单元具有一第一基本图案以及一自该第一基本图案的边缘沿一轴朝向该开口图案延伸的第一补偿图案，该第二图案单元具有一第二基本图案以及一自该第二基本图案的边缘沿该轴朝向该开口图案延伸的第二补偿图案，其中该第一基本图案与该第二基本图案的形状与大小皆相同，该第一补偿图案的延伸距离不等于该第二补偿图案的延伸距离。

本发明的镀膜可不受薄膜扩散特性的影响，进而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

附图说明

图1至图3绘示本发明多个实施例的阴影掩膜的第一开口图案与实际成膜图案的上视图。

图4A至图4D绘示本发明一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。

图5A至图5D分别绘示图4A至图4D的阴影掩膜与基板的上视图。

图6A至图6D绘示本发明另一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。

图7A至图7D分别绘示图6A至图6D的阴影掩膜与基板的上视图。

图8A至图8C绘示本发明一实施例的镀膜工艺的示意图，其中图8A与图8C为上视图，图8B为剖面图。

图9绘示本发明另一实施例的阴影掩膜的上视图。

附图标号：

800～阴影掩膜；

A1～第一实体图案；

A2～第二实体图案；

A8～实体图案；

A41～第一实体图案；

A811、A911～第一基本图案；

A812、A912～第一补偿图案；

A42～第二实体图案；

A421、A621、A821～基本图案、第二基本图案；

A421a～边缘；

A422、A622、A822～补偿图案、第二补偿图案；

A61～第一图案；

A62～第二图案；

A63～第一边缘图案；

A64～第三边缘图案；

A65～第二边缘图案；

A651～第二基本图案；

A652～第二补偿图案；

A66～第四边缘图案；

A661～第三基本图案；

A662～第三补偿图案；

AX～轴；

B1、B41、B61～第一侧；

B2、B42、B62～第二侧；

B3、B43、B63～第三侧；

B4、B44、B64～第四侧；

B65～第五侧；

B66～第七侧；

B67～第六侧；

B68～第八侧；

C1、C41、C61～第一偏差；

C2、C42、C62～第二偏差；

C63～第三偏差；

C64～第四偏差；

D4、D61、D62、D63、D81、D82、D83、D94、D95～延伸距离；

F、F1、F2、F4、F41、F6、F61、F8～镀膜；

FO8～开口；

FO61、FO611～第一开口；

FO62、FO622～第二开口；

FO63、FO633～第三开口；

G～单侧扩散距离；

M41、M61～第一阴影掩膜；

M42、M62～第二阴影掩膜；

OP8～开口图案；

OP41、OP61～第一开口图案；

OP42、OP62～第二开口图案；

R、R1、R2、R4～实际镀膜区；

S4、S6、S8～基板；

S1、S41～预定镀膜区；

SH、SH4、SH6～镀膜偏移距离；

SO61～第一预定镀膜开口区；

SO62～第二预定镀膜开口区；

SO63～第三预定镀膜开口区；

U1～第一图案单元；

U2～第二图案单元；

U3～第三图案单元；

U4、U5～图案单元；

W1、W2、W41、W42、W61、W62～宽度。

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。在图式中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。再者，图中未绘示或描述的元件，为所属技术领域中具有通常知识者所知的形式。

图1至图3绘示本发明多个实施例的利用阴影掩膜所制得的镀膜与基板的预定镀膜区的上视图。值得注意的是，为使图式较为简单易懂，图1至图3省略绘示基板以及配置于其上的第一阴影掩膜，图1只绘示出第一阴影掩膜的第一开口图案、基板的预定镀膜区、以及镀膜，图2与图3只绘示基板的预定镀膜区以及镀膜。

请参照图1，可将第一阴影掩膜设置于一基板上，其中第一阴影掩膜具有一第一开口图案OP1，基板具有预定镀膜区S1(设计值)。第一开口图案OP1暴露出部分的预定镀膜区S1。

详细而言，在将第一阴影掩膜设置于基板上时，第一阴影掩膜与基板之间难免会存在对位偏差，因此，第一开口图案OP1只能暴露出部分的预定镀膜区S1。之后，以该第一阴影掩膜为沉积掩膜制得一镀膜F，其是位于该基板的一实际镀膜区R(实际值)中。

申请人将预定镀膜区S1与实际镀膜区R之间的差异称为『偏差(bias)』。偏差包括位于预定镀膜区S1左侧的第一偏差C1以及位于预定镀膜区S1右侧的第二偏差C2。

详细而言，预定镀膜区S1具有在一轴AX上相对的一第一侧B1与一第二侧B2，且实际镀膜区R具有在轴AX上相对的一第三侧B3与一第四侧B4，其中第一侧B1与第三侧B3相邻，第二侧B2与第四侧B4相邻。第一侧B1相对于第三侧B3的距离差为一第一偏差(bias)C1，第四侧B4相对于第二侧B2的距离差为一第二偏差C2。值得注意的是，轴AX可为X轴、Y轴、或是其他适合的轴线。

申请人分析产生偏差的因素有以下两种。第一种为在镀膜工艺时，第一阴影掩膜与基板之间存在对位偏差，以致于实际镀膜区R相对于预定镀膜区S1向右侧或左侧偏移，在此，申请人将前述偏移的量称为『镀膜偏移距离』(shift)。第二种为在镀膜时，薄膜扩散特性造成镀膜的边缘较预定镀膜区S1(设计值)向外延伸，在此，申请人将前述向外延伸的量称为『单侧扩散距离』(gray zone)。

图2绘示当镀膜时单纯只受到(第一阴影掩膜与基板之间的)对位偏差的影响，而没有受到其他因素影响时，第一阴影掩膜的第一开口图案与实际镀膜图案的上视图。由图2可知，镀膜F1所在的实际镀膜区R1相对于预定镀膜区S1向右侧偏移一镀膜偏移距离SH。此时，镀膜F1的尺寸(宽度W1)与预定镀膜区S1的尺寸(宽度W2)相同。

图3绘示当镀膜时单纯只受到薄膜扩散特性的影响，而没有受到其他因素影响时，第一阴影掩膜的第一开口图案与实际镀膜图案的上视图。由图3可知，镀膜F2所在的实际镀膜区R2相对于预定镀膜区S1分别向左与向右延伸一单侧扩散距离G。此时，镀膜F2的宽度W1大于预定镀膜区S1的宽度W2。

一般而言，镀膜工艺会同时受到前述二种因素的影响，因此，如图1所示，镀膜F的偏差值会同时受到镀膜偏移距离SH与单侧扩散距离G两种数值的影响。

申请人假设相邻区域(如预定镀膜区S1的第一侧B1与第二侧B2)的镀膜偏移距离SH相等，以利用相邻区域的偏差(如第一偏差C1与第二偏差C2)计算分离出前述相邻区域的镀膜偏移距离SH与单侧扩散距离G。

申请人得出的公式如下：

镀膜偏移距离SH＝(第二偏差C2-第一偏差C1)/2(公式1)

单侧扩散距离G＝(第二偏差C2+第一偏差C1)/2(公式2)

因此，可根据上式计算出镀膜偏移距离SH与单侧扩散距离G，并且据此设计一具有第二开口图案的第二阴影掩膜，第二阴影掩膜具有一相同于第一阴影掩膜的基本图案以及一自基本图案的边缘沿轴AX朝向第二开口图案延伸的补偿图案，补偿图案的延伸距离D大抵等于单侧扩散距离。

换言之，可根据单侧扩散距离G的大小，缩小阴影掩膜的开口图案，以抵销(或补偿)薄膜扩散特性对镀膜工艺的影响，此时，以具有补偿设计的第二阴影掩膜制得的镀膜相似于图2所示的镀膜F1。如此一来，本发明所制成的镀膜可不受薄膜扩散特性的影响，而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

以下将详细描述本发明多个实施例的实施方式。

图4A至图4D绘示本发明一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。图5A至图5D分别绘示图4A至图4D的阴影掩膜与基板的上视图。

请参照图4A与图5A，首先，提供一第一阴影掩膜M41，第一阴影掩膜M41具有一第一开口图案OP41以及与第一开口图案OP41互补的一第一实体图案A41。接着，将第一阴影掩膜M41设置于一基板S4上，第一开口图案OP41暴露出基板S4的一预定镀膜区S41，预定镀膜区S41具有在一轴AX上相对的一第一侧B41与一第二侧B42。

一般而言，将第一阴影掩膜M41设置于基板S4上的工艺都无可避免地会有对位偏差产生，因此，第一开口图案OP41与预定镀膜区S41之间会存在一镀膜偏移距离。图4A与图5A绘示第一开口图案OP41相对于预定镀膜区S41向右侧偏移一镀膜偏移距离SH4。

然后，请参照图4B与图5B，以第一阴影掩膜M41为遮罩进行一沉积工艺，以于基板S4上形成一镀膜F4。详细而言，镀膜F4位于基板S4的一实际镀膜区R4上，其中实际镀膜区R4具有在轴AX上相对的一第三侧B43与一第四侧B44，且第一侧B41与第三侧B43相邻，第二侧B42与第四侧B44相邻。第一侧B41相对于第三侧B43的距离差为一第一偏差C41。第四侧B44相对于第二侧B42的距离差为一第二偏差C42。

由前述公式2可知，本实施例的实际镀膜区R4相对于预定镀膜区S41的一单侧扩散距离为第一偏差C41与第二偏差C42之和的二分之一。因此，此时可利用第一偏差C41与第二偏差C42计算出单侧扩散距离。

实际上，如图4B所示，前述薄膜扩散特性即为镀膜F4会向第一开口图案OP41所暴露出的基板区域的外侧延伸一单侧扩散距离G4，且可利用第一偏差C41与第二偏差C42计算得出单侧扩散距离G4。

之后，请参照图4C与图5C，可依照计算出的单侧扩散距离设计一第二阴影掩膜M42。详细而言，第二阴影掩膜M42可具有一第二开口图案OP42以及与第二开口图案OP42互补的一第二实体图案A42，其中第二实体图案A42具有一相同于第一实体图案A41的基本图案A421以及一自基本图案A421的边缘A421a沿轴AX朝向第二开口图案OP42延伸的补偿图案A422，补偿图案A422的延伸距离D4大抵等于单侧扩散距离。在一实施例中，第二开口图案OP42的形状不同于第一开口图案OP41的形状。举例来说，第一开口图案OP41的形状可为长方形，第二开口图案OP42的形状可为正方形。

然后，请参照图4D与图5D，可以第二阴影掩膜M42作为遮罩进行一沉积工艺，以于基板S4上形成一镀膜F41。为简化图式以方便说明，图5D省略绘示第二阴影掩膜M42。镀膜F41的宽度W41相仿于预定镀膜区S41的宽度W42。在此，镀膜F41只会受到对位偏差的影响而相对于预定镀膜区S41向右侧偏移一镀膜偏移距离SH4。

由前述可知，本实施例先利用第一阴影掩膜M41进行一次沉积工艺，以量测镀膜F4的第一偏差C41与第二偏差C42，进而据此计算出单侧扩散距离，然后，依据计算出的单侧扩散距离设计一第二阴影掩膜M42，以抵销(补偿)薄膜扩散特性对镀膜工艺的影响。因此，本实施例的镀膜F41可不受薄膜扩散特性的影响，而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

图6A至图6D绘示本发明另一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。图7A至图7D分别绘示图6A至图6D的阴影掩膜与基板的上视图。

请参照图6A与图7A，首先，提供一第一阴影掩膜M61，第一阴影掩膜M61具有一第一实体图案A1以及与第一实体图案A1互补的一第一开口图案OP61。第一实体图案A1包括一第一图案A61。

接着，将第一阴影掩膜M61设置于一基板S6上，第一图案A61遮蔽基板S6的一第一预定镀膜开口区SO61，第一预定镀膜开口区SO61具有在一轴AX上相对的一第一侧B61与一第二侧B62。

在一实施例中，第一实体图案A1可选择性地更具有分别位于第一图案A61两侧的一第一边缘图案A63与一第三边缘图案A64，且第一开口图案OP61亦与第一边缘图案A63与第三边缘图案A64互补。第一边缘图案A63与第三边缘图案A64分别遮蔽基板S6的一第二预定镀膜开口区SO62与一第三预定镀膜开口区SO63。第二预定镀膜开口区SO62与第三预定镀膜开口区SO63分别具有在轴AX上的一第五侧B65与一第七侧B66。

一般而言，将第一阴影掩膜M61设置于基板S6上的工艺都无可避免地会有对位偏差产生，因此，第一图案A61与第一预定镀膜开口区SO61之间会存在一镀膜偏移距离。图6A与图7A绘示第一图案A61相对于第一预定镀膜开口区SO61向右侧偏移一镀膜偏移距离SH6。

同理，第一边缘图案A63与第三边缘图案A64分别相对于第二预定镀膜开口区SO62与第三预定镀膜开口区SO63向右侧偏移一镀膜偏移距离SH6。

然后，请参照图6B与图7B，以第一阴影掩膜M61为遮罩进行一沉积工艺，以于基板S6上形成一镀膜F6，镀膜F6具有一位于第一图案A61下方的第一开口FO61，其中第一开口FO61具有在轴AX上相对的一第三侧B63与一第四侧B64，且第一侧B61与第三侧B63相邻，第二侧B62与第四侧B64相邻。

详细而言，第三侧B63相对于第一侧B61的距离差为一第一偏差C61，第二侧B62相对于第四侧B64的距离差为一第二偏差C62。由公式2可知，第一开口FO61相对于第一预定镀膜开口区SO61的一第一单侧扩散距离为第一偏差C61与第二偏差C62之和的二分之一。因此，可利用第一偏差C61与第二偏差C62计算出第一单侧扩散距离。

另外，由公式1可知，第一开口FO61相对于第一预定镀膜开口区SO61的一镀膜偏移距离SH6为第一偏差C61与第二偏差C62之差的二分之一。因此，可利用第一偏差C61与第二偏差C62计算出镀膜偏移距离SH6。

在一实施例中，镀膜F6可选择性地具有分别位于第一边缘图案A63与第三边缘图案A64下方的一第二开口FO62与一第三开口FO63。第二开口FO62具有在轴AX上邻近第五侧B65的一第六侧B67，第三开口FO63具有在轴AX上邻近第七侧B66的一第八侧B68。

详细而言，第五侧B65相对于第六侧B67的距离差为一第三偏差C63，第八侧B68相对于第七侧B66的距离差为一第四偏差C64。第二开口FO62相对于第二预定镀膜开口区SO62的一第二单侧扩散距离可由下示的公式3得到。

第二单侧扩散距离＝第三偏差C3+镀膜偏移距离SH6(公式3)

第三开口FO63相对于第三预定镀膜开口区SO63的一第三单侧扩散距离可由下示的公式4得到。

第三单侧扩散距离＝第四偏差C4-镀膜偏移距离SH6(公式4)

接着，请参照图6C与图7C，可依照第一单侧扩散距离设计一第二阴影掩膜M62，第二阴影掩膜M62具有一第二实体图案A2以及与第二实体图案A2互补的一第二开口图案OP62。第二开口图案OP62的大小不同于第一开口图案OP61。在一实施例中，第二开口图案OP62相对于第一开口图案OP61内缩第一单侧扩散距离。第二实体图案A2包括一第二图案A62。

详细而言，第二图案A62具有一相同于第一图案A61的第一基本图案A621以及一自第一基本图案A621的边缘沿轴AX朝向第二开口图案OP62延伸的第一补偿图案A622，第一补偿图案A622的延伸距离D61大抵等于第一单侧扩散距离。

在一实施例中，第二实体图案A2可选择性地更具有一第二边缘图案A65以及一第四边缘图案A66，且第二开口图案OP62亦与第二边缘图案A65以及第四边缘图案A66互补。

相对于第一阴影掩膜M61的第一开口图案OP61，第二阴影掩膜M62的第二开口图案OP62的与第二图案A62相邻的部分内缩第一单侧扩散距离，第二开口图案OP62的与第二边缘图案A65相邻的部分内缩第二单侧扩散距离，第二开口图案OP62的与第四边缘图案A66相邻的部分内缩第三单侧扩散距离。

详细而言，第二边缘图案A65具有一相同于第一边缘图案A63的第二基本图案A651以及一自第二基本图案A651的边缘沿轴AX朝向第二开口图案OP62延伸的第二补偿图案A652，第二补偿图案A652的延伸距离D62大抵等于第二单侧扩散距离。

第四边缘图案A66具有一相同于第三边缘图案A64的第三基本图案A661以及一自第三基本图案A661的边缘沿轴AX朝向第二开口图案OP62延伸的第三补偿图案A662，第三补偿图案A662的延伸距离D63大抵等于第三单侧扩散距离。

在一实施例中，第二开口图案OP62的形状可不同于第一开口图案OP61的形状。

然后，请参照图6D与图7D，可以第二阴影掩膜M62作为为遮罩进行一沉积工艺，以于基板S6上形成一镀膜F61。为简化图式以方便说明，图7D省略绘示第二阴影掩膜M62。镀膜F61具有分别对应第二图案A62、第二边缘图案A65、与第四边缘图案A66的一第一开口FO611、一第二开口FO622与一第三开口FO633，其中第一开口FO611的宽度W61相仿于第一预定镀膜开口区SO61的宽度W62。

在此，镀膜F61的第一开口FO611、第二开口FO622与第三开口FO633只会受到对位偏差的影响而分别相对于第一预定镀膜开口区SO61、第二预定镀膜开口区SO62、第三预定镀膜开口区SO63向右侧偏移一镀膜偏移距离SH6。

图8A至图8C绘示本发明一实施例的镀膜工艺的示意图，其中图8A与图8C为上视图，图8B为剖面图。请参照图8A，本实施例的阴影掩膜800包括一实体图案A8以及一与实体图案A8互补的开口图案OP8。实体图案A8包括呈阵列排列的多个图案单元，这些图案单元可包括一第一图案单元U1与一第二图案单元U2。

详细而言，第一图案单元U1具有一第一基本图案A811以及一自第一基本图案A811的边缘沿一轴AX朝向开口图案OP延伸的第一补偿图案A812。第一补偿图案A812例如具有一平直边缘。

第二图案单元U2具有一第二基本图案A821以及一自第二基本图案A821的边缘沿轴AX朝向开口图案OP8延伸的第二补偿图案A822。

第一基本图案A811与第二基本图案A821的形状与大小皆相同，且第一补偿图案A812的延伸距离D81不等于第二补偿图案A822的延伸距离D82。在一实施例中，第一补偿图案A812的延伸距离D81大于第二补偿图案A822的延伸距离D82。

在一实施例中，前述图案单元可更包括一第三图案单元U3，第三图案单元U3具有一第三基本图案A831以及一自第三基本图案A831的边缘沿轴朝向开口图案OP8延伸的第三补偿图案A832。

详细而言，第一基本图案A811、第二基本图案A821与第三基本图案A831的形状与大小皆相同，第三基本图案A831与第二基本图案A821相连，第一补偿图案A812的延伸距离D81、第二补偿图案A822的延伸距离D82、与第三补偿图案A832的延伸距离D83皆不相等。

由于用以沉积薄膜的基板(尤其是大尺寸基板)在工艺中每个部位的变形量不同，因此，在基板的不同部位上，镀膜的单侧扩散距离并不相同。因此，相对于不同位置的镀膜(或镀膜开口)的阴影掩膜的图案单元U1、U2、U3会具有延伸距离不相等的补偿图案，以补偿因基板各个部位的变形量不同所造成的不同单侧扩散距离。

请参照图8B，可将阴影掩膜800用于一沉积工艺中，以于一基板S8上形成一镀膜F8。图8C是绘示镀膜F8的上视图。请参照图8B与图8C，镀膜F8具有呈阵列排列的多个开口FO8，开口FO8的形状与大小皆相同，图案单元U1、U2、U3、U4、U5分别位于开口FO8上，且第一基本图案A811的面积大抵等于其下方开口FO8的面积。

在另一实施例中，如图9所示，图案单元U91具有第一基本图案A911以及第一补偿图案A912，第一补偿图案A912可具有一弯曲边缘，且第一补偿图案A912可具有多个彼此不同的延伸距离D94、D95。

综上所述，本发明是先利用第一阴影掩膜进行一次沉积工艺，以量测镀膜的第一偏差与第二偏差，进而据此计算出单侧扩散距离，然后，依据计算出的单侧扩散距离设计一第二阴影掩膜，以抵销(补偿)薄膜扩散特性对镀膜工艺的影响。如此一来，本发明的镀膜可不受薄膜扩散特性的影响，进而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

本发明虽以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明的范围，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。

Claims

1.一种阴影掩膜的补偿设计方法，其特征在于，所述的方法包括：

设置一第一阴影掩膜于一基板上，该第一阴影掩膜具有一第一实体图案以及与该第一实体图案互补的一第一开口图案，该第一实体图案遮蔽该基板的一第一预定镀膜开口区，该第一预定镀膜开口区具有在一轴上相对的一第一侧与一第二侧；

以该第一阴影掩膜为遮罩进行一沉积工艺，以于该基板上形成一镀膜，该镀膜具有一位于该第一实体图案下方的第一开口，其中该第一开口具有在该轴上相对的一第三侧与一第四侧，该第一侧与该第三侧相邻，该第二侧与该第四侧相邻，

其中该第三侧相对于该第一侧的距离差为一第一偏差，该第二侧相对于该第四侧的距离差为一第二偏差，该第一开口相对于该第一预定镀膜开口区的一第一单侧扩散距离为该第一偏差与该第二偏差之和的二分之一；以及

依照该第一单侧扩散距离设计一相似但不同于该第一阴影掩膜的第二阴影掩膜，该第二阴影掩膜具有一第二实体图案以及与该第二实体图案互补的一第二开口图案，其中该第二开口图案的大小不同于该第一开口图案。

2.如权利要求1所述的阴影掩膜的补偿设计方法，其特征在于，该第二开口图案相对于该第一开口图案内缩该第一单侧扩散距离。

3.如权利要求1所述的阴影掩膜的补偿设计方法，其特征在于，该第二开口图案的形状不同于该第一开口图案的形状。

4.如权利要求1所述的阴影掩膜的补偿设计方法，其特征在于，该第一开口相对于该第一预定镀膜开口区的一第一镀膜偏移距离为该第一偏差与该第二偏差之差的二分之一，其中该第一阴影掩膜的该第一实体图案更包含位于一侧的一第一边缘图案，该第一边缘图案遮蔽该基板的一第二预定镀膜开口区，该第二预定镀膜开口区具有在该轴上邻近第一预定镀膜开口区的一第五侧，

该镀膜更具有位于该第一边缘图案下方的一第二开口，其中该第二开口具有在该轴上邻近该第五侧的一第六侧，

其中该第五侧相对于该第六侧的距离差为一第三偏差，该第二开口相对于该第二预定镀膜开口区的一第二单侧扩散距离为该第三偏差与该第一镀膜偏移距离的和，

该第二阴影掩膜的该第二实体图案更包括一第三边缘图案，该第二开口图案与该第二实体图案相邻的部分相对于该第一开口图案内缩该第一单侧扩散距离，该第二开口图案与该第二边缘图案相邻的部分相对于该第一开口图案内缩该第二单侧扩散距离。

5.如权利要求4所述的阴影掩膜的补偿设计方法，其特征在于，该第一阴影掩膜的该第一实体图案更包含位于另一侧的一第三边缘图案，该第三边缘图案遮蔽该基板的一第三预定镀膜开口区，该第三预定镀膜开口区具有在该轴上邻近第一预定镀膜开口区的一第七侧，

该镀膜更具有位于该第三边缘图案下方的一第三开口，其中该第三开口具有在该轴上邻近该第七侧的一第八侧，

其中该第八侧相对于该第七侧的距离差为一第四偏差，该第三开口相对于该第三预定镀膜开口区的一第三单侧扩散距离为该第四偏差与该第一镀膜偏移距离的差，

该第二阴影掩膜的该第二实体图案更包括一第四边缘图案，该第二开口图案与该第四边缘图案相邻的部分相对于该第一开口图案内缩该第三单侧扩散距离。

6.一种阴影掩膜，其特征在于，所述的阴影掩膜包括：一实体图案以及一与该实体图案互补的开口图案，其中该实体图案包括呈阵列排列的多个图案单元，所述图案单元至少包括一第一图案单元与一第二图案单元，该第一图案单元具有一第一基本图案以及一自该第一基本图案的边缘沿一轴朝向该开口图案延伸的第一补偿图案，该第二图案单元具有一第二基本图案以及一自该第二基本图案的边缘沿该轴朝向该开口图案延伸的第二补偿图案，其中该第一基本图案与该第二基本图案的形状与大小皆相同，该第一补偿图案的延伸距离不等于该第二补偿图案的延伸距离。

7.如权利要求6所述的阴影掩膜，其特征在于，所述图案单元更包括一第三图案单元，该第三图案单元具有一第三基本图案以及一自该第三基本图案的边缘沿该轴朝向该开口图案延伸的第三补偿图案，该第一基本图案、该第二基本图案与该第三基本图案的形状与大小皆相同，该第三基本图案与该第二基本图案相连，该第一补偿图案的延伸距离、该第二补偿图案的延伸距离、与该第三补偿图案的延伸距离皆不相等。

8.如权利要求6所述的阴影掩膜，其特征在于，该阴影掩膜用于一沉积工艺中，以于一基板上形成一镀膜，该镀膜具有呈阵列排列的多个开口，所述开口的形状与大小皆相同，所述图案单元分别位于所述开口上，且该第一基本图案的面积大抵等于该开口的面积。

9.如权利要求6所述的阴影掩膜，其特征在于，该第一补偿图案具有一平直边缘。

10.如权利要求6所述的阴影掩膜，其特征在于，该第一补偿图案具有一弯曲边缘。

11.如权利要求10所述的阴影掩膜，其二者在于，该第一补偿图案具有多个彼此不同的延伸距离。