CN106133182A - 蒸镀掩膜的制造方法以及显示装置的制造方法 - Google Patents

蒸镀掩膜的制造方法以及显示装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

一种用于制造在蒸镀中使用的掩膜的方法，包括：形成具有多个第一开口的第一掩膜，该第一开口作为用于蒸镀材料的通孔；并且在框架上伸展第一掩膜。在第一掩膜的形成中，当设计第一开口的位置时，进行在框架上伸展第一掩膜时附加形成开口位置偏移量的这种校正。

Description

蒸镀掩膜的制造方法以及显示装置的制造方法
技术领域
本公开内容涉及制造在蒸镀材料时所使用的蒸镀掩膜的方法，并且涉及制造显示装置的方法。
背景技术
例如，有机电致发光(EL)显示装置被分成：其中通过使用滤色器从在所有像素上形成的白色发光层分离成红(R)、绿(G)以及蓝(B)的彩色光的类型，以及其中针对每个像素形成(单独着色)颜色R、G和B的各发光层的类型。在针对各像素形成放光层R、G和B的情况下，通过使用金属掩膜的蒸镀法(真空蒸镀法)形成各发光层。
在金属掩膜中形成了作为用于蒸镀材料的通孔的多个开口。金属掩膜可以是通过电铸(电镀)法制造的掩膜，或者是包括通过蚀刻进行处理以具有开口的薄膜金属基材的掩膜。在蒸镀处理中不常单独使用金属掩膜。例如，可以通过诸如焊接的方法将金属掩膜组装成具有高刚性的框架。这是因为金属掩膜很薄，以至于当单独使用金属掩膜时，不能准确保持开口位置。因此，例如，可以在双轴方向上以预定的伸展率来伸展金属掩膜，并焊接到框架上。
理想的是提供上述具有高位置精度开口的金属掩膜。例如，提供了一种方法，其中，当将金属掩膜附到框架同时伸展该金属掩膜时，调整伸展量，同时伸展金属掩膜，并且通过测量仪器观察所有开口位置。然而，通过该方法测量并调整伸展量是很耗时的。因此，提供了一种方法，其中，选择设置在金属掩膜的外周处的开口的位置以进行测量，并且基于测量的数据调整伸展量。此外，提供了将金属掩膜焊接到框架，并且随后进行掩膜的外周处的开口的位置调整的方法(例如，如在PTL 1中所公开的)。
引文列表
专利文献
PTL 1：日本未审查专利申请公开号2004-6257
发明内容
然而，允许在掩膜外周处设计理想的开口位置的方法(诸如在上述专利文献1中所公开的方法)，但是仍然在掩膜中部的开口的位置精度方面有提升空间。因此，期望的是实现具有高精度的蒸镀掩膜。
因此，期望的是提供一种能够实现具有高精度的蒸镀掩膜的制造蒸镀掩膜的方法，并且提供一种制造显示装置的方法。
根据本公开内容的实施方式的制造蒸镀掩膜的方法，包括以下步骤：形成具有多个第一开口的第一掩膜，该第一开口作为蒸镀材料的通孔；并且在框架上设置第一掩膜，同时伸展第一掩膜。形成第一掩膜包括：在执行第一开口的位置设计时进行校正。该校正考虑由于在框架上设置第一掩膜同时伸展第一掩膜而导致的开口位置偏移量。
根据本公开内容的实施方式的制造显示装置的方法包括：形成蒸镀掩膜；并且使用蒸镀掩膜通过图案化来形成材料层。形成蒸镀掩膜包括：形成具有多个第一开口的第一掩膜，该第一开口作为蒸镀材料的通孔，在框架上设置第一掩膜，同时伸展第一掩膜。形成第一掩膜包括：在进行第一开口的位置设计时进行校正。该校正考虑由于在框架上设置第一掩膜同时伸展第一掩膜推而导致的开口位置偏移量。
在根据本公开内容的各实施方式的制造蒸镀掩膜的方法以及在制造显示装置的方法中，形成具有多个第一开口的第一掩膜，第一开口作为蒸镀材料的通孔，并且随后在框架上设置第一掩膜同时被伸展。形成第一掩膜包括：在执行第一开口的位置设计时进行校正，该校正考虑由于在框架上设置第一掩膜同时伸展第一掩膜而导致的开口位置偏移量。结果是，当在框架上设置第一掩膜同时伸展该第一掩膜时，相应的第一开口被设置在期望的位置，这允许设计理想的开口位置。
根据制造蒸镀掩膜的方法以及根据本公开内容的各实施方式的制造显示装置的方法，形成了具有多个第一开口的第一掩膜，第一开口作为蒸镀材料的通孔，并且随后在框架上设置第一掩膜，同时伸展。形成第一掩膜包括：在执行第一开口的位置设计时进行校正，该校正考虑由于在框架上设置第一掩膜同时伸展第一掩膜而导致的开口位置偏移量。结果是，在框架上设置第一掩膜同时伸展该第一掩膜允许设计理想的开口位置。因此，可能实现具有高精度的蒸镀掩膜。
需注意的是，上述内容是本公开内容的示例。通过本公开内容实现的效果不限于上述的效果，还可以是非上述的效果的效果，或者可进一步包括其它效果。
附图说明
图1是示出根据本公开内容的第一实施方式的蒸镀掩膜的配置的示意图。
图2是示出制造在图1中所示的蒸镀掩膜的处理的流程图。
图3是示出关于在制造图1中所示的金属掩膜的电铸条件的设定的处理的流程图。
图4是示出用于在图1中所示的校正值的设定的金属掩膜的配置的XY平面图。
图5A是示出在图4中所示的金属掩膜在被焊接到框架前的开口位置以及厚度分布的示意图。
图5B是用于说明在图5A中所示的已经被焊接到框架的金属掩膜的开口位置以及厚度分布的示意图。
图6是示出在计算开口位置偏移量时的厚度测量点的示意图。
图7是示出在图6中所示的测量点处所测量的厚度分布的特性图。
图8是示出从图7中所示的厚度分布计算的开口位置偏移量的特性图。
图9是示出当在多个列中测量厚度分布的情况下的测量点的示意图。
图10是示出在图9中所示的多个列中所测量的厚度分布的特性图。
图11是示出从图10中所示的厚度分布计算的开口位置偏移量的特性图。
图12是示意地示出在开口附近的配置的示图。
图13A是用于说明基于在图8中所示的开口位置偏移量来设定的校正值的特性图。
图13B是用于说明基于在图8中所示的开口位置偏移量来设定的校正值的特性图。
图14是示出考虑开口位置偏移量所设计的金属掩膜的开口位置和厚度的示意图。
图15是示出在图14中所示的已经被焊接到框架的金属掩膜的开口位置和厚度的示意图。
图16是示出根据比较示例制造蒸镀掩膜的处理的流程图。
图17是用于说明制造在图1中所示的蒸镀掩膜的方法的优点的流程图。
图18是示出根据本公开内容的第二实施方式的制造蒸镀掩膜的处理的流程图。
图19A是用于说明根据本公开内容的第二实施方式的蒸镀掩膜的测量点以及区域分割的XY示意平面图。
图19B是示出基于在图19A中所示的测量点处所测量的厚度分布的开口位置偏移量的特性图。
图20是示出基于样本金属掩膜的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
图21是示出基于样本金属掩膜的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
图22是示出基于样本金属掩膜的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
图23是示出基于样本金属掩膜的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
图24是示出基于样本金属掩膜的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
图25是示出在图20到图24中所示的针对各区域的样本的平均值的特性图。
图26是示出根据变形例1的样本金属掩膜在校正(A)之前的开口位置偏移量和在校正(B)之后的开口位置偏移量的特性图。
图27是示出根据变形例1的样本金属掩膜在校正(A)之前的开口位置偏移量和在校正(B)之后的开口位置偏移量的特性图。
图28是示出根据变形例1的样本金属掩膜在校正(A)之前的开口位置偏移量和在校正(B)之后的开口位置偏移量的特性图。
图29是示出根据变形例1的样本金属掩膜在校正(A)之前的开口位置偏移量和在校正(B)之后的开口位置偏移量的特性图。
图30是示出根据变形例1的样本金属掩膜在校正(A)之前的开口位置偏移量和在校正(B)之后的开口位置偏移量的特性图。
图31是示意地示出靠近开口的配置的示图。
图32A是用于说明根据变形例2的金属掩膜的计算模型的示意图。
图32B是用于说明根据变形例2的金属掩膜的计算模型的示意图。
图32C是用于说明根据变形例2的金属掩膜的计算模型的示意图。
图33是示出开口位置偏移量的测量值以及使用在图32A中所示的模型所计算的计算值的特性图。
图34是示出开口位置偏移量的测量值以及使用在图32B中所示的模型所计算的计算值的特性图。
图35是示出开口位置偏移量的测量值以及使用在图32C中所示的模型所计算的计算值的特性图。
图36是示出制造根据应用示例的显示装置的处理的流程图。
图37是用于说明执行图36中所示的有机层的蒸镀的处理的示意图。
具体实施方式
在下面参照附图对本公开内容的一些实施方式进行详细说明。注意，用下面的顺序给出描述：
1.第一实施方式(掩膜制造处理的示例，其中，在进行开口的位置设计时，执行基于设置掩膜同时伸展该掩膜而导致的开口位置偏移量的校正)
2.第二实施方式(其中针对每个区域进行基于开口位置偏移量的校正的情况的示例)
3.变形例1(其中，从多个掩膜的平均值计算相应区域的校正值的情况的示例)
4.变形例2(在计算开口位置偏移量时考虑除了厚度以外的参数的情况的示例)
5.应用示例(制造有机EL显示装置的方法的示例)
<第一实施方式>
[配置]
图1示出根据本公开内容的第一实施方式的蒸镀掩膜(蒸镀掩膜1)的XY平面配置。注意，图1还示出了金属掩膜(金属掩膜M1)的横截面配置。例如，蒸镀掩膜1可被用于使用有机EL元件(后述的有机EL显示器装置)在制造显示设备的处理中通过蒸镀来形成有机层。例如，蒸镀掩膜1可以包括用作掩膜主体的金属掩膜M1，以及金属掩膜M1在其上设置并伸展的框架110。
金属掩膜M1可以是由含有一种或多种材料(如镍(Ni)、不胀钢(Fe-Ni合金)，以及铜(Cu))的材料制成的金属箔，并且具有例如约10μm到约50μm的厚度。金属掩膜M1包括形成有图案的多个开口H1，作为使蒸镀材料经此通过的通孔。例如，多个开口H1可以作为整体被二维布置成矩阵。开口H1的每一个可对应于组件区域，以形成显示设备的一个像素区域。例如，开口H1可以分别具有诸如矩形形状、正方形形状，以及圆形形状的形状(平面形状)。例如，可通过开口H1来执行低分子有机材料的蒸镀。注意，本实施方式的“金属掩膜M1”可以对应于本公开内容中特定的(但非限制的)“第一掩膜”的示例，并且开口H1可以对应于本公开内容中特定的(但非限制的)“第一开口”的示例。
例如，金属掩膜M1可以被固定到框架110(设置在框架110上同时被伸展)，同时对其施加预定的张力。更具体地，例如，金属掩膜M1的外边缘可以通过点焊(例如，通过电阻或激光的方式)被结合到框架110。
例如，为了形成金属掩膜M1，可以采用利用电铸(电镀)或蚀刻的方法。例如，当使用电铸时，由上述金属制成的薄膜层在图案化的基材(矩阵，或基层)上增长(电沉积)。可替代地，例如，当使用蚀刻时，可以使用光刻法通过蚀刻来图案化该金属箔。在任何一种情况下，可以形成该薄膜金属掩膜M1，并且可以通过如焊接的方法将所形成的薄膜金属掩膜M1组装到框架110。例如，框架110可以由具有高刚性的金属制成。需要注意的是，该金属掩膜M1的厚度在平面内可能不是均匀的且具有分布，这将在后面详细进行说明。特别是，当通过上述方法中的电铸形成金属掩膜M1时，在掩膜平面上出现这种厚度分布。
框架110可以是支撑该金属掩膜M1的框架构件，并且由诸如具有高刚性的金属的材料制成。例如，框架110可具有矩形的外形。在框架110的双轴方向上延伸的四边上可以设置金属掩膜M1并被伸展。
[制造蒸镀掩膜1的方法]
下面对制造蒸镀掩膜1的方法进行说明。图2示出制造蒸镀掩膜1的流程。例如，在本实施方式中，可以按照下面的方式来制造蒸镀掩膜1。具体地，可以首先制造电铸掩膜Mf0(步骤S11)。此后，可以使用所制造的电铸掩膜Mf0设定(或调整)最佳的电铸条件(步骤S12)。接着，可以在所设定的电铸条件下制造金属掩膜(金属掩膜M0)(步骤S13)。此后，可以使用金属掩膜M0来计算开口位置偏移量(步骤S14)。
此后，可以基于所计算的开口位置偏移量来设定校正值(步骤S15)。之后，可通过反映上述校正值的开口的位置设计来制造用于形成金属掩膜M1的电铸掩膜Mf1(步骤S16)。此后，可以使用电铸掩膜Mf1通过电铸来制造金属掩膜M1(步骤S17)。因此制造的金属掩膜1可以焊接到框架110(步骤S18)，并且在结束时可以确认开口的位置精度(步骤S19)。这可完成蒸镀掩膜1。下面描述了各处理(步骤S11至S19)的细节。
(金属掩膜M0的制造：S11至S13)
电铸掩膜Mf0是通过电镀在用于形成金属掩膜M0的基材上图案化的掩膜。金属掩膜M0是计算后面描述的开口位置偏移量并设定校正值的掩膜样本。在完成的蒸镀掩膜1上可以不保留(可能无法传递)并最终丢弃金属掩膜M0。因此，例如，可以使用与电铸掩膜Mf1具有相同精度(后述)的掩膜作为电铸掩膜Mf0，但最终(在校正开口后)不需要电铸掩膜Mf0，而用电铸掩膜Mf1代替。因此，为了降低成本，可以使用廉价的光掩膜(诸如由蓝玻璃板或薄膜乳液制成的光掩膜)作为用于确定条件的电铸掩膜Mf0。蓝色板和薄膜的设计精度劣于石英的设计精度；然而，它们的设计精度足够用于仅确定条件并设定校正值。注意，本实施方式的“金属掩膜M0”可对应于在本公开内容中特定的(但非限制的)“第二掩膜”的示例。开口H0可以对应于在本公开内容中特定的(但非限制的)“第二开口”的示例。
当制造该金属掩膜M0时，可以优选设定最佳电铸条件(可优选执行所谓的电铸条件确定)。图3示出了电铸条件确定的示例。当确定条件时，可以在使用电铸掩膜Mf0形成的基材上形成一种或多种金属掩膜M0n(其中n是1以上的整数)，同时调整电铸条件(诸如处理时间以及在电镀槽中的分区的布局)。可进行这种处理直到设计误差等于或小于预定的阈值。
更具体地，可以首先设定预定的电铸条件(步骤S21)，并且可以通过设定条件下的电镀来形成金属掩膜(金属掩膜M01)(步骤S22)。然后，可测量所制造的金属掩膜M01的厚度(板厚度)(步骤S23)，并且可以基于所测量的厚度来计算设计误差(步骤S24)。使用厚度计算位置误差的方法可以类似于后述的计算开口位置偏移量的方法。此后，可确定所计算的设计误差是否等于或小于预定的阈值(是否实现预期的精度)(步骤S25)。当金属掩膜M01的设计误差等于或小于预定的阈值时(在步骤S25中的是)，则金属掩膜M01可以用作上述金属掩膜M0。另一方面，当金属掩膜M01的设计误差大于预定的阈值时(在步骤S25中的否)，处理返回到步骤S21，调整电铸条件(设定为不同电铸条件)，由此通过电镀形成金属掩膜(金属掩膜M02)。此后，可以用类似于上述方法的方法来进行厚度的测量、设计误差的计算，以及阈值的确定。可以以这种方式反复形成金属掩膜(金属掩膜M0n)直到实现预期的精度，以选择最佳电铸条件。在实现期望精度的电铸条件下最终形成的金属掩膜M0n将被用作金属掩膜M0。可以如此制造金属掩膜M0。
(开口位置偏移量的计算：S14)
图4示出金属掩膜M0在被焊接到框架之前的XY平面配置。如在图4中所示，金属掩膜M0在被焊接到框架之前可以包括多个开口H0，其在双轴方向以均匀间隔被布置。图5A和图5B均示出了将金属掩膜M0附接到框架的图像。注意，图5A和图5B分别还示出了用于描述掩膜的厚度的横截面配置。当在框架上设置金属掩膜M0，同时伸展该金属掩膜M0时，金属掩膜M0可以被焊接到框架110，同时以预定的伸展率在四个方向(在双轴方向)上伸展。此后，可以释放伸展力T。如在图5B中所示，在金属掩膜M0被焊接到框架110之后，设置金属掩膜M0同时伸展金属掩膜M0可能使开口H0从各自的理想位置(设计位置)移动(偏离)。设置金属掩膜M0同时伸展金属掩膜M0还可能使各开口H0的开口位置偏移量不均匀。在金属掩膜M0被焊接至框架之后，这扰乱了开口H0的布置，导致具有不均匀的间隔(发生间隔的不均匀性)的布置。
如在图5A的下部分所示，这是由于金属掩膜M0实际具有的厚度分布。具体地，由于电镀的增长速度的变化，通过电铸形成的金属掩膜M0可容易地具有厚度分布。金属掩膜M0在被焊接到框架之前，金属掩膜M0的开口位置的设计误差是几乎没有的程度(例如，约几亚微米)。然而，当在焊接时施加张力时，由于伸展力，金属掩膜M0可膨胀及收缩。此时，当金属掩膜M0具有厚度分布时，扩展率可能在各区域之间变化。例如，在具有相对大的厚度的区域中，扩展率可以小(金属掩膜M0可能难以扩展)，但是在具有相对小的厚度的区域中，扩展率可以大(金属掩膜M0可以易于扩展)。因此，如在图5B的下面部分处所示的，开口H0的开口位置偏移量可能不均匀，未实现预期的位置的设计精度。
因此，在本实施方式中，如上所述，考虑在设置掩膜同时伸展掩膜时的位置偏移的校正，执行开口，金属掩膜M0被用作样本，以计算开口的位置偏移量。此时，测量金属掩膜M0的厚度(厚度分布)，并且通过使用在设置掩膜同时伸展掩膜时的厚度和伸展率作为参数的计算，确定开口的位置偏移量。需要注意的是，即使在框架110没有支撑金属掩膜M0的状态下，可以使用测量仪器(诸如测微计和工序分析器)容易进行金属掩膜M0的厚度的测量。
参考图6到图11描述了金属掩膜M0的厚度分布和开口位置偏移量。图6是示出厚度测量点的示意图。图7是示出在图6中所示的测量点所测量的厚度分布的特性图。图8是示出从图7中所示的厚度分布来计算的开口位置偏移量(开口的位置分布)的特性图。图9是示出在多个列中测量厚度分布的情况下的测量点的示意图。图10是示出在图9中所示的多个列中的厚度分布的特性图。图11是示出从图10中所示的厚度分布所计算的开口位置偏移量的特性图。
例如，在金属掩膜M0具有在X方向上的3840个开口以及在Y方向上的2160个开口布置的开口H0的情况下，在对应于所有开口H0的点处的厚度的测量涉及八百万个或更多点的测量，这需要大量的时间进行测量。因此，实际上是以适当的间隔(通过减少所选择的位置)来进行测量。例如，在图6中所示的示例是基于在X方向上的15个测量点和在Y方向上的7个测量点(即，总共15×7个点)来提供测量点的假设。图7示出在图6中所示的测量点中的Y方向上的第四列，X方向位置处(总共15个点)的厚度分布。根据这个测量结果，在X方向上的第十四个位置处，厚度最大，并且在X方向上的第四或第七位置处，厚度最小。在图8中，在测量点的每个开口位置与在图7中所示的每个开口位置相同的情况下的位置偏移量与相应设计位置设定为0(零)的位置偏移量相同。当开口位置向X方向的正侧偏移时，由正值表示偏移量，并且当开口位置向负侧偏移时，由负值表示偏移量。例如，在X方向上的第二位置的开口H0从其设计的位置向X方向的正侧移动。此外，在本示例中，根据用于计算的设定条件，在X方向的两端(第一位置和第十五位置)的开口位置偏移量被分别设定为0(零)。
此外，图9示出总共七列的测量点，即在Y方向上的第一到第七列的测量点。图10示出在图9中所示的七列的每个的厚度分布。同样根据在图11中所示的示例中用于计算的设定条件，在X方向的两端(第一位置和第十五位置)的开口位置偏移量被分别设定为0(零)。
在本示例中，当计算开口位置偏移量时，金属掩膜M0可以被认为是单轴方向上的一维模型(一维伸展模型)。例如，可使用在双轴方向(包括X方向和Y方向)中的X方向上的一维模型(矩形形状的纵向)来计算开口位置偏移量。例如，假设在框架110上设置金属掩膜M0同时伸展金属掩膜M0，则该金属掩膜M0可以在双轴方向(即X方向和Y方向)上伸展。因此，在技术上，开口位置偏移量是通过在X方向上的伸展量以及在Y方向上的伸展量的相互作用确定的。然而，在本实施方式中，仅考虑在X方向上的操作而忽略通过在Y方向上伸展的操作，来执行计算。需要注意的是，通过与实际测量的比较可以确定，在Y方向上的操作是足够小的，以至于可以忽略不计。
图12的(A)示出了金属掩膜M0的开口H0的图像。需要注意的是，实际上，约4000个开口H0被布置在X方向上，并且约200个开口H0被布置在Y方向上；然而，为了说明，示出了3×2＝6个开口H0(H0a，H0b)。
如上所述，可基于开口H0之间在X方向上延伸的部分(X1)上进行的厚度的测量来计算开口位置偏移量。如在图12的(B)中所示，靠近中部的开口H0b的厚度(t2)可大于靠近开口H0b两侧的开口H0a的厚度(t1)，(t2>t1)。另外，由于大的厚度t2，在开口H0b附近，开口H0b之间的长部分(束121b)在Y方向上的宽度d2大于开口H0a之间的束121a的宽度d1。此外，在X方向上的束121b的长度s2可以小于束121a的长度s1。这是由于电铸的性能。具有相对大的厚度的部分起作用，使得束121b的每个宽度和长度很难被延长。与此相反，具有相对小的厚度的部分起相反作用，从而易于扩展。需要注意的是，除了厚度t1和t2，可使用宽度d1和d2以及长度s1和s2作为参数来计算开口位置偏移量。然而，在本实施方式中仅使用厚度。在后面(变形例)描述了考虑厚度和宽度的情况以及考虑厚度、宽度以及长度的情况。
(校正值的设定：S15)
如上所述，可以从金属掩膜M0的厚度分布来计算由于在框架110上设置金属掩膜同时伸展该金属掩膜而引起的开口位置偏移量。然而，只要金属掩膜M0具有厚度分布，则可能发生从理想位置的开口位置的偏移。为了提高在这种情况下的精度，考虑到开口位置偏移，在设计阶段开口位置可以预先在相反方向上偏移。换句话说，可以基于所计算的开口位置偏移量设定校正值，并且所设定的校正值可以被反馈到设计阶段。
例如，如在图13A中所示，可基于开口位置偏移量(在图8中说明了它的示例)来设定校正值。更具体地，如在图13B中所示，可以这样设置校正值：在X方向上的各位置(第一到第十五位置的每个)处的X方向上的位置偏移量为0(零)。例如，第三位置向X方向的正侧偏移了7(例如，7μm)。因此，校正值可以设定为“-7”。此外，第九位置向X方向的负侧偏移了6。因此，校正值可以设定为“+6”。各位置的校正值可以被反馈到金属掩膜M1的开口位置的设计处理。
(金属掩膜M1的制造：S16和S17)
为了制造金属掩膜M1，可以基于开口位置偏移量，使用以上述方法设定的校正值来进行开口位置的设计。更具体地，可以形成反映这种校正值的新的电铸掩膜Mf1，并且可以使用电铸掩膜Mf1形成金属掩膜M1。具有高精度的光掩膜可优选用作电铸掩膜Mf1。例如，可以优选使用由玻璃或石英玻璃制成的，具有小热膨胀的，镀有铬的玻璃光掩膜。
图14示出金属掩膜M1的XY平面配置和横截面配置。在具有开口位置(被设计成通过上述方式反映校正值)的金属掩膜M1中，可不以均匀的间隔布置开口H1的位置。在以下的处理(步骤S18)中，可以预定的伸展率将这种金属掩膜M1焊接到框架110，这使开口H1的位置根据厚度分布而移动。因此，如在图15中所示，当金属掩膜M1被设置在框架110上同时被伸展时，该开口位置可以接近理想的位置(可以以均匀间隔布置开口H1)。在焊接之前以不均匀的间隔布置的开口在焊接之后可以以均匀的间隔被布置。另外，可以在单轴方向(X方向)上的开口的位置处进行开口位置偏移量的校正。可替代地，可以在双轴方向上(即X方向和Y方向)的开口位置处进行校正。在双轴方向上进行校正的情况下，可以用上述方式来确定在X方向上的位置偏移量，并且类似地基于在Y方向上的厚度分布，可以计算(或实际测量)在Y方向上的位置偏移量。因此，能够在X方向上和在Y方向上(例如，在X方向的15个点以及在Y方向上的7个点，即总共105个点)的测量点来确定校正值。可以在X方向和Y方向独立地进行基于该校正值的开口位置校正。
最后，确认了在框架110上设置并被伸展的金属掩膜M1的开口位置精度。这样就完成了图1中所示的蒸镀掩膜1。
[效果]
如上所述，在制造根据本实施方式的蒸镀掩膜1的方法中，形成了具有作为蒸镀材料的通孔的多个开口H1的金属掩膜M1，并且之后金属掩膜M1被设置在框架110上同时被拉伸(通过诸如利用张力的施加的焊接的方法)。在设计金属掩膜M1的开口位置时，校正考虑由于在框架110上设置金属掩膜M1同时拉伸该金属掩膜M1而引起的开口位置偏移量。例如，可以通过从金属掩膜M0的厚度分布的计算来确定开口位置偏移量，并且基于所计算的开口位置偏移量设定校正值。所设定的校正值反映在金属掩膜M1的开口位置的设计上。当金属掩膜M1被设置在框架110上同时被伸展时，这使得开口位置H1被布置在各预期的位置，由此允许设计理想的开口位置。因此，能够实现高精度的蒸镀掩膜。
此外，如上所述，当设置的同时伸展掩膜时，开口位置被偏移。然而，还不清楚开口位置的偏移是否是由于伸展力的变化或由于弹性形变。本申请人已发现，在这种情况下，该金属掩膜M0被视为一维模型，以通过对其厚度分布的计算来确定开口位置偏移量，其允许预测由于设置金属掩膜同时伸展金属掩膜而引起的开口位置偏移量。这样可以确定由于在框架110上设置金属掩膜同时伸展该金属掩膜而引起的开口位置的偏移主要是由于金属掩膜M0的厚度的变化。在这也使得有可能基于一维模型进行每个处理的厚度分布测量，以及开口位置偏移量的计算。
相反，实际上很难消除金属掩膜M0的厚度分布。具体地，由于诸如在电镀液流中的不均匀性的因素，以及在基材上的区域之间根据相对于电极的位置关系的电流密度的不均匀性的因素，在电铸的情况下出现厚度的不均匀性。通常，电极被布置在基材的末端，这减缓了基材的中部的电镀的增长速度。因此，在掩膜平面的中部的厚度趋于相对小。换言之，由于工艺条件，掩膜的厚度分布具有特定的趋势。因此，由于工艺条件，通过这种厚度分布计算开口位置偏移量，并将所计算的开口位置偏移量反馈给设计阶段作为校正值允许预先假定开口位置偏移的开口位置的设计。
此外，在本实施方式中，例如，在制造金属掩膜M0(图2的步骤S11至S13)的处理中，以及计算开口位置偏移量(步骤S14)的处理中，可通过计算来确定设计误差或开口位置偏移量。这使得有可能在无需将金属掩膜M0焊接到框架110的情况下执行条件确定或校正值的设定。
(比较示例)
图16示出作为本实施方式的比较示例，在确定了电铸条件的情况下通过实际测量制造掩膜的流程。在这种情况下，在包括电铸掩膜制造(步骤S101)、电铸条件设定(步骤S102)、金属掩膜制造(步骤S103)，以及框架焊接(步骤S104)的一系列的处理之后，测量开口位置(步骤S105)。当以这种方式实际测量开口位置的精度时，对焊接到框架的金属掩膜进行测量。这是因为，当不将金属掩膜焊接到框架上时，金属掩膜是不平坦的，这导致难以进行测量。
更具体地，在将金属掩膜焊接到框架(S104)时，金属掩膜被伸展，同时通过专用测量仪器来测量开口位置，并且在微调其四边的伸展量之后，焊接金属掩膜。测量仪器的示例可以包括二维长度测量仪器和三维长度测量仪器。这些测量仪器通过诸如具有显微镜的照相机(其在X方向和Y方向上双轴移动)、激光干涉仪，以及刻度仪的仪器，对设置在测量表面板上的金属掩膜进行测量，并且通过图像处理确定由具有显微镜的照相机捕捉到的开口位置。此后，通过类似于上述的仪器的专用测量仪器来测量开口位置精度(S105)。
如上面所提到的，在实际测量的情况下，之后可能需要将金属掩膜焊接到框架的处理(伸展处理)以及测量开口位置精度的处理。因此，当在开口精度确定(S106)中没有实现预期的精度时，从框架中移除金属掩膜，并抛光和清洁框架的焊接表面。这些处理需要花费很长时间，这使得每天只能进行一次测量处理。如上所述，每次重设定电铸条件都可能需要从框架移除金属掩膜、抛光，以及清洁的处理。
与此相反，在本实施方式中，并不需要花费太多时间来执行该金属掩膜M0的厚度测量。很容易通过测量仪器(诸如千分尺和台阶仪)的方式来进行金属掩膜M0的厚度测量，这缩短了处理时间。因此，一天制造大约四件金属掩膜M0n(n＝1到4)并测量其厚度以确定电铸条件(图3)并不是特别困难。在将金属掩膜M0附接在框架110上之前的阶段，通过从厚度分布的计算来确定设计误差能够反复执行确定电铸条件的处理十次或者更多次(或在某些情况下几十次)。此外，最终仅将金属掩膜M0(已经确定其通过计算表现出预期的精度)焊接到框架并测量用于其判断的精度就足够了。这可以最大程度缩短确定电铸条件的时间。在某些情况下，根据所要求的精度的规格，可能缩短一个月或者更长的时间。
此外，在将金属掩膜M1焊接到框架110之前执行精度确定还具有优点，即，提高待出产的产品的产量。图17示出在将金属掩膜M1焊接到框架110之前进行金属掩膜M1的精度确定的情况下的制造流程。当通过上述处理确定制造金属掩膜M1的设计条件(电铸条件和开口位置的设计)时，可以基于设计条件制造多个金属掩膜M1。然而，即使当在相同的设计条件下制造金属掩膜M1时，由于诸如电铸处理的条件的变化的因素，在某些情况下可能不能实现预期的精度。假设这种情况下，在制造金属掩膜M1(步骤S31)之后以及在金属掩膜M1被焊接到框架110(步骤S35)之前，测量金属掩膜M1的厚度分布(步骤S32)，并且通过计算确定设计误差(步骤S33)。另外，基于设计误差进行精度确定(步骤S34)。当实现预期的精度时(在步骤S34中的是)，则处理前进到框架焊接步骤。另一方面，当在精度确认处理中没有实现预期的精度时(在步骤S34中的否)，则处理再次返回到制造金属掩膜M1(金属掩膜M1被再次制造)的步骤。
以此方式，只允许以预期的精度制造的金属掩膜M1焊接到框架110。此后，进行开口位置的测量(步骤S36)，并且进行精度的确认(步骤S37)。通过这种流程制造的蒸镀掩膜1能够确定在掩膜被焊接到框架之后，蒸镀掩膜1是否进行到在框架110上设置蒸镀掩膜1同时伸展该蒸镀掩膜1的步骤，并且由此减少了具有不足精度的缺陷的掩膜的数量。换句话说，这使得最终产出的产品的产量增大。
下面描述根据其它实施方式的蒸镀掩膜以及本公开内容的变体例。注意，用相同的参考标号表示与上述第一实施方式的组件相同的组件，并且在合适的情况下不再进一步进行描述。
<第二实施方式>
图18示出根据本公开内容的第二实施方式的制造蒸镀掩膜的流程。另外，例如，在本实施方式中，可以以下面的方式制造蒸镀掩膜(如使用根据上述第一实施方式的制造蒸镀掩膜1的方法)。具体地，可以首先制造电铸掩膜Mf0(步骤S41)。此后，可以使用所制造的电铸掩膜Mf0设定(或调整)最佳的电铸条件(步骤S42)。接着，可以在所设定的电铸条件下制造金属掩膜(金属掩膜M0)(步骤S43)。此后，可以使用金属掩膜M0来计算开口位置偏移量(步骤S44)。此后，可以基于所计算的开口位置偏移量来设定校正值(代表校正值)(步骤S45)。此后，可制造反映上述校正值的电铸掩膜Mf1(步骤S46)。此后，可以使用电铸掩膜Mf1通过电铸来制造金属掩膜M1(步骤S47)。如此制造的金属掩膜1可以焊接到框架110(步骤S48)，并且在结束时可以确认开口的位置精度(步骤S49)。这可完成蒸镀掩膜。
应当注意的是，本实施方式与上述第一实施方式不同之处在于以下几点。本实施方式中，在计算开口位置偏移量的步骤(S44)中，基于开口位置偏移量的趋势，金属掩膜M0可被分成多个区域。此外，在设定校正值的步骤(S45)中，可基于每个区域的这种开口位置偏移量设定各区域的代表校正值。
图19A示出根据本实施方式的测量点(在X方向上的零至第三十二个点，以及在是方向上的第一至第十三个点)以及区域(A1至A5)。图19B是基于金属掩膜M0的厚度分布计算出的X方向(纵向)上的开口位置偏移量的特性图。需要注意的是，同样在本实施方式中，使用X方向上的一维模型对厚度分布和开口位置偏移量进行测量并进行计算。在图19A和图19B的示例中，针对在是方向上的第一到第十三列的每列，在X方向上的33点(零到第三十二个点)处进行测量和计算。
在图19B中所示的示例中，第六、第七和第八列具有相似的曲线。换句话说，在包括第六、第七和第八列的各部分之间的位置偏移的趋势是相似的。同样地，在第十二列和第十三列之间位置偏移的趋势是相似的。这表明，根据开口位置偏移的趋势，掩膜平面被允许分割为多个区域(区域A1至A5)。区域可以各自在伸展方向(X方向)上延伸。这是因为，在每个区域中出现金属掩膜M0的类似厚度分布。例如，如上所述，在基材的中部，电铸的电镀增长趋于变慢。这导致关于在掩膜平面中的X方向的中部的线对称性(这同样适用于在Y方向上)。因此，当在X方向上的掩膜的中部放置对称轴时，在各部分彼此关于对称轴线性对称的移位量是彼此相似的。有可能基于在位置偏移趋势方面的这种相似性，把金属掩膜M0的平面视为多个区域A1至A5，以针对每个区域进行校正。
在本实施方式中，由于假定了在伸展方向(X方向)上的一维模型。因此，针对具有相似开口位置偏移量趋势的各列组，可将金属掩膜M0的平面分成区域(区域A1至A5)。更具体地，区域A1可以包括第一和第二列，区域A2可以包括第三至第五列，区域A3可以包括第六至第八列，区域A4可以包括第九至第十一列，区域A5可包括第十二和第十三列。
在以这种方式提取区域A1至A5(分别包括开口的开口位置偏移的相似趋势)之后，可以在区域A1至A5的每个中设定代表校正值。例如，可针对每个区域计算列之间的开口位置偏移量的平均值，并且可使用平均值作为代表校正值。例如，在区域1中，第一列的开口位置偏移量和第二列的开口位置偏移量的平均值可以用作区域1的代表校正值。可以以这种方式进行开口位置偏移量的计算(S44)以及校正值的设定(S45)。另外，可基于反映针对每个区域设定的代表校正值的开口的位置设计来制造电铸掩膜Mf1(S46)。注意，本实施方式的其它处理(S41至S43和S47至S49)类似于上述第一实施方式的布置(S11到S13和S17到S19)。
此外，在本实施方式中，考虑到在制造金属掩膜M1的处理中设计开口位置时的开口位置偏移量而执行的校正能够实现等同于上述的第一实施方式的效果的效果。
另外，在本实施方式中，当计算开口位置以及设定校正值时，执行区域分割，并设定每个区域的代表校正值。这消除了在设计开口位置时，对每个开口输入校正值的必要性，并且输入相应区域的每个代表校正值就足够了。例如，在用于具有八百万或更高像素的显示器的蒸镀掩膜上，开口的数量为八百万或更多。然而，有可能通过针对如在本实施方式中的每个区域进行校正，在很大程度上减小校正值的量。此外，蒸镀掩膜实际上涉及到电铸量之间的变化。因此，更实际的是对每个区域进行校正，而不是对每个开口进行校正。
需注意的是，可通过类似于上述方法的方法，针对在Y方向上的开口位置偏移进行区域的分割以及代表校正值的设定。X方向和Y方向可以独立于彼此处理，并且可以针对X方向和Y方向的每个分别设定校正值。然而，在大多数的情况下，由于在纵向上的开口位置偏移的累积量是大的，因此在显示器的纵向(X方向)上出现最大偏移量。因此，仅在纵向方向上的位移量的校正实现充分的效果。
<变形例1>
在根据上述第二实施方式的制造蒸镀掩膜的方法中，对其中针对每个区域设定校正值的方法进行了描述。然而，根据即使在相同的电铸条件下制造的金属掩膜之间的量(lot)，实际出现厚度分布的变化。具体地，针对在电铸处理中的每个量，厚度分布容易变化。
因此，在本变形例中，在以与上述第二实施方式相同的方法进行区域的分割之后，在相同的电铸条件下制造的多个金属掩膜中相应的区域(相同区域)中计算开口位置偏移量的平均值。换句话说，可以计算所有金属掩膜中的每个区域的开口位置偏移量的平均值。下面描述其示例。
图20到图24分别示出基于在相同电铸条件下制造的总共五个金属掩膜M0(作为样本A至E)的厚度分布计算的开口位置偏移量。如从图20至图24可以看出，在每列或者每个区域中的趋势几乎相同，但是在样本A至E中有微小的变化。
图25示出了在五个样本A到E中的每个区域的平均值。需注意的是，在这个示例中，在四个区域的每个中计算平均值，即，包括第一和第二列(对应于图19A中所示的区域A1)的组的区域，包括第三至第五列的组的区域，以及包括第九至第十一列的组的区域(分别对应于区域A2和A4)，包括第六至第八列的组的区域(对应于区域A3)，以及包括第十二和第十三列的组的区域(对应于区域A5)的区域。更具体地，例如，包括第一和第二列的组的平均值可以是在样品A的第一和第二列的开口位置偏移量、样品B的第一和第二列的开口位置偏移量、样品C的第一和第二列的开口位置偏移量、样品D的第一和第二列的开口位置偏移量，以及样品E的第一和第二列的开口位置偏移量的平均值。
因此，如用上述第二实施方式针对多个金属掩膜M0的每个区域所确定的平均值可以作为代表校正值被反馈给金属掩膜M1的设计处理。这使得有可能实现等同于上述第二实施方式的效果的效果，并考虑每个量的变化进行校正。它有可能实现更高的精度。此外，一个电铸掩膜Mf1被用于实际的开口位置设计的校正。因此，如在本变形例中计算多个金属掩膜中的每个区域的平均值的方法是最实用的。
(校正效果)
图26到图30分别示出了根据本变形例的样本A到E中的开口位置偏移量(各图的(A))，以及在实际进行开口位置设计的校正之后的位置偏移量(各图的(B))。需注意的是，在各图的(B)中示出的校正后的分布表示通过上述方法，从各图的(A)的特性图中的值减去一个针对每个区域所设定的代表校正值所计算的值。此外，各图示出了位置偏移量的最大值(max)、最小值(min)，以及最大宽度(在X方向上的移位量的最大值：范围)。在所有的样品A至E中，在校正之后的特性图中，最大值、最小值，以及最大宽度都是从校正前的这些值减少到一半(或减少)。这些结果表明，在设计开口位置时，通过上述校正提高了开口的位置精度。
(变形例2)
在上述实施方式等中，基于金属掩膜M0的厚度(厚度分布)计算开口位置偏移量。然而，除了厚度的其它参数可被用于计算开口位置偏移量。图31的(A)示出了金属掩膜M0的开口H0的图像。需要注意的是，实际上在X方向上布置了大约4000个开口H0，并且在Y方向上布置了大约200个开口H0。然而，为了说明，在本示例中描述了3×2＝6个开口H0(H0a和H0b)。
如上述的第一实施方式，可以针对在开口H0之间的X方向上延伸的部分(X1)进行测量作为一维模型。如在图31的(B)中所示，靠近中部的开口H0b的厚度(t2)可以大于靠近开口H0b的两侧的开口H0a的厚度(t1)(t2>t1)。此外，在开口H0b附近，在开口H0b之间的长部分(束121b)的Y方向上的宽度d2可以大于开口H0a之间的束121a的宽度d1(与大的厚度t2关联)。此外，如在图31的(C)中所示，在X方向上的束121b的长度s2可以比束121a的长度s1小。这是由于电铸的性能。具有相对大的厚度的部分起作用，使得束121b的每个宽度和长度难以扩展。相反，具有相对小的厚度的部分起相反作用，以便容易扩展。
在本变形例中，针对上述一维模型部分X1，对仅给出考虑厚度t1和t2(对应于上述第一实施方式：模型1)的情况，考虑厚度t1和t2以及宽度d1和d2(模型2)的情况，以及考虑厚度t1和t2，宽度d1和d2，以及长度s1和s2的情况(模型3)的情况的说明进行描述。模型1可以仅考虑部分X1的厚度。换言之，模型1没有将开口部分的延伸部与X方向(图32A)上的非开口部分的延伸部区分开来。模型2可考虑部分X1的厚度和宽度。换言之，模型2没有将开口部分的延伸部与X方向(图32B)上的非开口部分的延伸部区分开来。模型3可以考虑部分X1的厚度、宽度和长度。换言之，模型3可以假定在X方向(图32C)上仅束121a和121b被扩展。
在上述三种模型1至3的每个中，将测量值和计算值互相比较。图33示出模型1的测量值((图33的(A))以及计算值(图33的(B))。图34示出模型2的测量值((图34的(A))以及计算值(图34的(B))。图35示出模型3的测量值((图35的(A))以及计算值(图35的(B))。需注意的是，当在框架上设置金属掩膜同时伸展该金属掩膜时，通过实际测量开口位置来获得测量值。另外，在模型1到3的各计算值中，在X方向上的端部(在第一和第十五点)的位置偏移量被设定为0。这假设了其中以掩膜的边缘部分的预期开口位置(设计位置)将掩膜结合到框架110的状态。此外，在Y方向上的列的总数为7，并且在每列的X方向上的15个点处进行测量。因此，各示图中的曲线的总数是7。
正如从结果中可以看出的，任何模型的计算值具有类似于测量值的趋势的趋势。因此，可以在任何模型中实现校正效果。具体地，还发现的是在图34中的模型2的计算值最接近测量值。换言之，发现在考虑厚度和宽度的情况下实现更高的精度。此外，还发现，在垂直于伸展方向(X方向)的方向(Y方向)上的拉伸可以被忽略。
<应用示例>
对在以上描述的任何实施方式和变形例中的蒸镀掩膜的应用示例进行描述。例如，蒸镀掩膜或根据上述任何实施方式的蒸镀掩膜的制造方法可以优选用于制造有机EL显示装置的处理中。
图36示出制造有机EL显示装置的流程。制造有机EL显示装置的流程可以包括第一电极形成处理(步骤S51)、有机层蒸镀处理(步骤S52)、第二电极形成处理(步骤S53)，以及密封处理(步骤S54)。例如，在这些处理的有机层蒸镀处理中(S52)，根据上述任何实施方式等的蒸镀掩膜可以通过蒸镀用于形成有机电致发光层。
图37示出有机层蒸镀处理的图像。例如，在蒸镀时，蒸镀掩膜1(框架110和金属掩膜M1)可以在被紧密地附接到基板11的状态下在蒸镀装置中的蒸镀源13上方以恒定速度移动。有机材料(有机EL材料12)可以从蒸镀源13以蒸汽12a的形式扩散，并且蒸气12a可以通过蒸镀掩膜1附接到基板11。
根据任何上述实施方式等的蒸镀掩膜被用于制造上述有机EL显示装置的处理中。这使像素设计具有高的精度，这可以实现高清像素等。此外，可达到较长的寿命和较高的亮度。
上面已经描述了实施方式、变形例，以及应用示例。然而，本公开的内容并不限定于上述实施方式等，并且可以进行各种修改。例如，在上述实施方式等中，描述了基于金属掩膜的厚度分布等来计算开口位置偏移量的情况作为示例。然而，本公开内容不限于此。例如，在制造金属掩膜之后，可以测量开口位置，而金属掩膜实际上被焊接到框架。在这种情况下，可基于所测量的开口位置偏移量来设定校正值。顺便说一下，如在以上所描述的实施方式等中，为了大大缩短处理的次数以及处理时间，可以通过计算优选地确定开口位置偏移量。
此外，在上述实施方式等中，描述了通过电铸制造金属掩膜的情况作为示例。然而，本公开的内容也适用于其中通过蚀刻制造金属掩膜的情况。
另外，在上述实施方式等中，已经描述了其中用于制造有机EL显示装置的处理的蒸镀掩膜的情况作为示例。然而，根据本公开的蒸镀掩膜不限于适用于有机材料的蒸镀处理，而且还适用于诸如金属材料和介电材料的材料的蒸镀处理。可替代地，除了用于蒸镀的掩膜，根据本公开内容的蒸镀掩膜可以是用于曝光或用于印刷的掩膜，并且被广泛地适用于要求更高精度的掩膜。
此外，在以上实施方式等中所描述的效果是示例，并且由本公开内容所达到的效果可以是非上述的效果，或者可以进一步包括其它效果。
本公开内容还可以实现以下的配置：
(1)
一种制造蒸镀掩膜的方法，该方法包括以下步骤：
形成具有多个第一开口的第一掩膜，第一开口作为蒸镀材料的通孔；并且
在框架上设置第一掩膜，同时伸展所述第一掩膜，
形成第一掩膜时，在执行第一开口的位置设计时进行校正，该校正考虑由于在所述框架上设置所述第一掩膜的同时伸展所述第一掩膜导致的开口位置偏移量。
(2)
根据(1)所述的方法，其中，
形成第一掩膜包括：
制备具有多个第二开口的第二掩膜，
使用第二掩膜计算开口位置偏移量，
基于所计算的开口位置偏移量，设定校正值，并且
在执行第一开口的位置设计时，使用校正值进行校正。
(3)
根据(2)所述的方法，其中，基于第二掩膜的厚度分布，执行开口位置偏移量的计算。
(4)
根据(3)所述的方法，其中，使用一维模型进行开口位置偏移量的计算，所述一维模型仅考虑在所述框架上设置所述第一掩膜的同时伸展所述第一掩膜时掩膜伸展方向的第一方向。
(5)
根据(4)所述的方法，其中，
第一掩膜和第二掩膜分别具有矩形的表面形状，以及
第一方向是矩形表面形状的较长方向。
(6)
根据(4)或(5)所述的方法，其中，所述第二掩膜在所述第一方向上的两端的每个端的开口位置偏移量被设定为0(零)。
(7)
根据(2)所述的方法，其中，
形成所述第一掩膜时，
多次形成所述第二掩膜，同时调整工艺条件，直到设计误差等于或者小于预定的阈值，并且
将处于所述设计误差等于或者小于所述阈值的工艺条件设定为所述第一掩膜的工艺条件。
(8)
根据(3)所述的方法，进一步包括：测量任何两个所述第二开口之间的束在第二方向上的宽度，任何两个所述第二开口被布置在所述第二方向上，并且所述第二方向与所述第一方向正交，其中，
基于所测量的厚度和所测量的宽度进行开口位置偏移量的计算。
(9)
根据(8)所述的方法，进一步包括：测量在第一方向上的束的长度，其中，
基于所测量的厚度、所测量的宽度，以及所测量的长度，进行开口位置偏移量的计算。
(10)
根据(1)到(9)任意一个所述的方法，其中，当执行所述第一开口的位置设计时，在第一方向和第二方向中的每一者上进行所述校正，所述校正考虑所述开口位置偏移量，并且所述第一方向和所述第二方向彼此正交并被包括在掩膜伸展方向上。
(11)
根据(1)到(9)任意一个所述的方法，其中，当执行所述第一开口的位置设计时，在第一方向和第二方向中的一者上进行所述校正，所述校正考虑所述开口位置偏移量，并且所述第一方向和所述第二方向彼此正交并被包括在掩膜伸展方向上。
(12)
根据(2)到(11)任意一个所述的方法，其中，使用从所述第二掩膜的所有多个所述第二开口中选择的一个或多个所述第二开口的开口位置偏移量，进行所述校正值的设定。
(13)
根据(2)到(12)任意一个所述的方法，进一步包括：基于所述开口位置偏移量的趋势的相似性，将所述第二掩膜分割成多个区域，其中，
在进行所述第一开口的位置设计时，使用针对每个所述区域设定的代表校正值来进行所述校正。
(14)
根据(13)所述的方法，其中，多个所述区域均在掩膜伸展方向的第一方向上延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向上将所述第二掩膜分割成多个所述区域。
(15)
根据(14)所述的方法，其中，使用在多个所述区域的每者中的所述开口位置偏移量的平均值，设定所述代表校正值。
(16)
根据(14)所述的方法，其中，
形成多个第二掩膜，并且
使用在多个所述第二掩膜之间的相应区域中的所述开口位置偏移量的平均值，设定所述代表校正值。
(17)
根据(2)到(16)的任意一个所述的方法，其中，通过电铸执行所述第一掩膜的形成以及所述第二掩膜的制备。
(18)
根据(2)到(16)的任意一个所述的方法，其中，使用比在形成所述第一掩膜时使用的掩膜材料更廉价的材料制成的掩膜，执行所述第二掩膜的制备。
(19)
根据(18)所述的方法，其中，
使用玻璃掩膜进行第一掩膜的形成，并且
使用光辉掩膜进行第二掩膜的制备。
(20)
根据(2)到(19)的任意一个所述的方法，其中，通过蚀刻进行第一掩膜的形成以及第二掩膜的制备。
(21)
根据(1)所述的方法，其中，
形成所述第一掩膜时，
制备具有多个第二开口的第二掩膜，
测量伴随着在框架上设置所述第二掩膜的同时伸展所述第二掩膜的所述开口位置偏移量，
基于所测量的开口位置偏移量设定校正值，并且
在执行所述第一开口的位置设计时，进行使用所述校正值的校正。
(22)
一种制造显示装置的方法，方法包括以下步骤：
形成蒸镀掩膜；并且
使用所述蒸镀掩膜，通过图案化形成材料层，
形成所述蒸镀掩膜时，
形成具有多个第一开口的第一掩膜，所述第一开口作为蒸镀材料的通孔，
在框架上设置所述第一掩膜，同时伸展所述第一掩膜，并且在进行所述第一开口的位置设计时对所述第一掩膜执行校正，所述校正考虑由于在所述框架上设置所述第一掩膜的同时伸展所述第一掩膜推所导致的开口位置偏移量。
(23)
根据(22)所述的方法，其中，材料层是有机电致发光层。
本申请基于并要求于2014年3月28日向日本专利局提交的日本专利申请第2014-69045号的优先权的权益，其全部内容通过引用并入本文。
应当理解的是，那些本领域的技术人员可以根据范围内的设计要求和其它因素进行各种修改、组合、子组合以及变换，只要它们在所附的权利要求书或其等同物的范围之内。

Claims (23)

1.一种制造蒸镀掩模的方法，所述方法包括：
形成具有多个第一开口的第一掩模，所述第一开口作为蒸镀材料的通孔；并且
在框架上设置所述第一掩模，同时伸展所述第一掩模，
形成所述第一掩模时，在执行所述第一开口的位置设计时进行校正，所述校正考虑由于在所述框架上设置所述第一掩模的同时伸展所述第一掩模导致的开口位置偏移量。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
形成所述第一掩模时，
制备具有多个第二开口的第二掩模，
使用所述第二掩模计算所述开口位置偏移量，
基于所计算的所述开口位置偏移量，设定校正值，并且
在执行所述第一开口的位置设计时，进行使用所述校正值的所述校正。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，基于所述第二掩模的厚度分布，进行所述开口位置偏移量的计算。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，使用一维模型进行所述开口位置偏移量的计算，所述一维模型仅考虑在所述框架上设置所述第一掩模的同时伸展所述第一掩模时掩模伸展方向的第一方向。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，
所述第一掩模和所述第二掩模均具有矩形表面形状，以及
所述第一方向是所述矩形表面形状的较长方向。
6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二掩模在所述第一方向上的两端的每个端的开口位置偏移量被设定为0(零)。
7.根据权利要求2所述的方法，其中，
形成所述第一掩模时，
多次形成所述第二掩模，同时调整工艺条件，直到设计误差等于或者小于预定的阈值，并且
将处于所述设计误差等于或者小于所述阈值的工艺条件设定为所述第一掩模的工艺条件。
8.根据权利要求3所述的方法，进一步包括：测量任何两个所述第二开口之间的光束在第二方向上的宽度，任何两个所述第二开口被布置在所述第二方向上，并且所述第二方向与第一方向正交，其中，
基于所测量的厚度和所测量的宽度进行所述开口位置偏移量的计算。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：测量在所述第一方向上的所述光束的长度，其中，
基于所测量的厚度、所测量的宽度，以及所测量的长度，进行所述开口位置偏移量的计算。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，当执行所述第一开口的位置设计时，在第一方向和第二方向中的每一者上进行所述校正，所述校正考虑所述开口位置偏移量，并且所述第一方向和所述第二方向彼此正交并且包括在掩模伸展方向上。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，当执行所述第一开口的位置设计时，在第一方向和第二方向中的一者上进行所述校正，所述校正考虑所述开口位置偏移量，并且所述第一方向和所述第二方向彼此正交并被包括在掩模伸展方向上。
12.根据权利要求2所述的方法，其中，使用从所述第二掩模的所有多个所述第二开口选择的一个或多个所述第二开口的开口位置偏移量，进行所述校正值的设定。
13.根据权利要求2所述的方法，进一步包括：基于所述开口位置偏移量的趋势的相似性，将所述第二掩模分割成多个区域，其中，
在进行所述第一开口的位置设计时，使用针对每个所述区域设定的代表校正值来进行所述校正。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，多个所述区域均在掩模伸展方向的第一方向上延伸，并且在与所述第一方向正交的第二方向上将所述第二掩模分割成多个所述区域。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，使用在多个所述区域的每者中的所述开口位置偏移量的平均值，设定所述代表校正值。
16.根据权利要求14所述的方法，其中，
形成多个第二掩模，并且
使用在多个所述第二掩模之间的相应区域中的所述开口位置偏移量的平均值，设定所述代表校正值。
17.根据权利要求2所述的方法，其中，通过电铸执行所述第一掩模的形成以及所述第二掩模的制备。
18.根据权利要求2所述的方法，其中，使用比在形成所述第一掩模时使用的掩模材料更廉价的材料制成的掩模，执行所述第二掩模的制备。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，
使用玻璃掩模执行所述第一掩模的形成，并且
使用光辉掩模执行所述第二掩模的制备。
20.根据权利要求2所述的方法，其中，通过蚀刻执行所述第一掩模的形成以及所述第二掩模的制备。
21.根据权利要求1所述的方法，其中，
形成所述第一掩模时，
制备具有多个第二开口的第二掩模，
测量伴随着在框架上设置所述第二掩模的同时伸展所述第二掩模的所述开口位置偏移量，
基于所测量的开口位置偏移量设定校正值，并且
在执行所述第一开口的位置设计时，进行使用所述校正值的校正。
22.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：
形成蒸镀掩模；并且
使用所述蒸镀掩模，通过图案化形成材料层，
形成所述蒸镀掩模时，
形成具有多个第一开口的第一掩模，所述第一开口作为蒸镀材料的通孔，
在框架上设置所述第一掩模，同时伸展所述第一掩模，并且
在进行所述第一开口的位置设计时对所述第一掩膜执行校正，所述校正考虑由于在所述框架上设置所述第一掩模的同时伸展所述第一掩模推所导致的开口位置偏移量。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述材料层是有机电致发光层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110079761A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 张东晖 薄型化金属蒸镀遮罩的制造方法
US11674214B2 (en) 2017-10-27 2023-06-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask and method of manufacturing deposition mask

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6686549B2 (ja) * 2016-03-07 2020-04-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置の製造方法及び蒸着マスク装置
KR20180041294A (ko) * 2016-10-13 2018-04-24 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
CN106784408B (zh) * 2017-01-23 2018-10-12 昆山国显光电有限公司 阵列基板的制造方法
JP6986916B2 (ja) * 2017-10-04 2021-12-22 新東エスプレシジョン株式会社 検査装置及び検査方法
JP7319070B2 (ja) * 2019-03-28 2023-08-01 東レエンジニアリング株式会社 実装方法および画像表示装置の製造方法
WO2022034634A1 (ja) * 2020-08-11 2022-02-17 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜マスクの製造方法
TW202223164A (zh) * 2020-12-07 2022-06-16 達運精密工業股份有限公司 金屬遮罩及其製造方法
KR20230127393A (ko) * 2022-02-24 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004269968A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Sony Corp 蒸着用マスク
JP2005179739A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004006257A (ja) 2002-04-26 2004-01-08 Tohoku Pioneer Corp 真空蒸着用マスク及びこれを用いて製造された有機ｅｌディスプレイパネル
KR101182439B1 (ko) * 2010-01-11 2012-09-12 삼성디스플레이 주식회사 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
KR20120105292A (ko) * 2011-03-15 2012-09-25 삼성디스플레이 주식회사 증착 마스크 및 증착 마스크 제조 방법
KR102014479B1 (ko) * 2012-11-28 2019-08-27 삼성디스플레이 주식회사 단위 마스크 스트립 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치의 제조방법
JP6078747B2 (ja) * 2013-01-28 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及びレーザ加工装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004269968A (ja) * 2003-03-10 2004-09-30 Sony Corp 蒸着用マスク
JP2005179739A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Sony Corp 蒸着用マスクおよびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11674214B2 (en) 2017-10-27 2023-06-13 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Deposition mask and method of manufacturing deposition mask
TWI826396B (zh) * 2017-10-27 2023-12-21 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法
CN110079761A (zh) * 2018-01-26 2019-08-02 张东晖 薄型化金属蒸镀遮罩的制造方法

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