TWI826396B - 蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法 - Google Patents

蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法 Download PDF

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Abstract

[課題]對於發生貫通孔之位置偏移的情形作抑制。 [解決手段]蒸鍍遮罩，係具備有：有效部，係被設置有複數之貫通孔；和外框部，係包圍有效部。有效部，係包含有與外框部相接之外周區域、和被外周區域所包圍並具備有較外周區域而更大之厚度的中央區域。

Description

蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法
本發明之實施形態，係有關於蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法。
近年來，對於在智慧型手機或平板型PC等之能夠攜帶的裝置中所使用之顯示裝置，係要求高精細度，例如要求像素密度係為400ppi以上。又，在能夠攜帶的裝置中，對於與超高解像度(UHD)相對應一事的需求亦係提高，於此情況，係要求顯示裝置之像素密度例如為800ppi以上。
在顯示裝置之中，起因於回應性之良好、消耗電力為低以及對比為高的因素，有機EL顯示裝置係備受矚目。作為形成有機EL顯示裝置之像素的方法，係周知有：使用被形成有以所期望之圖案來作了配列的貫通孔之蒸鍍遮罩來以所期望之圖案而形成像素的方法。具體而言，首先，係以與有機EL顯示裝置用之基板相對向的方式來配置蒸鍍遮罩，接著，將蒸鍍遮罩以及基板一同投入至蒸鍍裝置中，而進行將有機材料蒸鍍在基板上之蒸鍍工程。
作為蒸鍍遮罩之製造方法，例如係如同在專利文獻1中所揭示一般，周知有利用鍍敷處理來製造蒸鍍遮罩的方法。例如，在專利文獻1所記載之方法中，首先，係準備具有導電性之母模板。接著，在母模板之上，空出有特定之間隙地而形成光阻圖案。此光阻圖案，係被設置在應形成蒸鍍遮罩之貫通孔的位置處。之後，對於光阻圖案之間隙供給鍍敷液，並藉由電解鍍敷處理來使金屬層在基材之上析出。之後，藉由將金屬層從母模板而分離，係能夠得到被形成有複數之貫通孔的蒸鍍遮罩。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2001-234385號公報
蒸鍍遮罩，係具備有：有效部，係被設置有複數之貫通孔；和外框部，係包圍有效部。外框部，係為用以支持有效部之部分，並具備有較有效部而更高的剛性。例如，在外框部處係並未被設置有貫通孔。或者是，在外框部處之貫通孔的分布密度，係較在有效部處之貫通孔的分布密度而更低。
另外，在藉由鍍敷處理所製作出的蒸鍍遮罩之金屬層處，係產生有起因於鍍敷所導致的內部應力。如同上述一般，由於在有效部處係相較於外框部而被設置有更多的貫通孔，因此，在有效部處所產生的內部應力，係較在外框部處所產生的內部應力而更小，有效部係從外框部而受到拉張力。於此情況，起因於拉張力之參差等，可以推測到，係會有發生貫通孔之位置偏移的情形。
本發明之實施形態，係以提供一種能夠有效地解決此種課題的蒸鍍遮罩及其製造方法一事作為目的。
本發明之其中一個實施形態，係為一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有：有效部，係被設置有複數之貫通孔；和外框部，係包圍前述有效部，前述有效部，係包含有與前述外框部相接之外周區域、和被前述外周區域所包圍並具備有較前述外周區域而更大之厚度的中央區域。
在由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：在將前述有效部沿著第1方向以及與前述第1方向相正交之第2方向而分別作3等分並將前述有效部假想性地分割成9個的區域的情況時，與前述外框部相接之8個的區域，係構成前述外周區域，中央之1個的區域，係構成前述中央區域。
在由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩中，在將前述外周區域之厚度的平均值表現為T1，並將前述外周區域之厚度的標準差表現為σ1，並且將前述中央區域之厚度的平均值表現為T2的情況時，較理想，以下之關係式係成立： T1＜T2 3σ1＜T2／2。
在由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩中，係亦可構成為：前述外周區域之厚度的平均值T1以及標準差σ1，係藉由在構成前述外周區域之8個的區域之各者處而於9個場所對於厚度進行測定，來算出之，前述中央區域之厚度的平均值T2，係藉由在構成前述中央區域之1個的區域之9個場所對於厚度進行測定，來算出之。
由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩，係亦可構成為：係包含有位置於通過了前述貫通孔的蒸鍍材料所附著之基板之側處之第1面、和位置於前述第1面之相反側處之第2面，在將前述貫通孔中之位置於前述第1面上之部分稱作第1開口部，並將前述貫通孔中之位置於前述第2面上之部分稱作第2開口部的情況時，於沿著前述第1面之法線方向來作了觀察的情況時，前述第2開口部之輪廓係包圍前述第1開口部之輪廓。
由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩，係亦可構成為：係具備有金屬層，該金屬層，係包含有位置於前述第1面側處並被形成有前述第1開口部之第1金屬層、和位置於前述第2面側處並被形成有前述第2開口部之第2金屬層。
由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩，係亦可構成為：係具備有被形成有前述貫通孔之金屬層，前述金屬層之前述貫通孔的在前述第1面之面方向上之尺寸，係隨著從前述第2面側起朝向前述第1面側而減少。
在由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩中，前述第1金屬層以及前述第2金屬層，係亦可身為鍍敷層，前述金屬層，係亦可身為鍍敷層。
由本發明之其中一個實施形態所致之蒸鍍遮罩，係亦可構成為：係具備有沿著第1方向而並排之複數之前述有效部，在前述第1方向上之最為接近前述蒸鍍遮罩之端部的前述有效部之前述中央區域之厚度，係較在前述第1方向上之最為接近前述蒸鍍遮罩之中心的前述有效部之前述中央區域之厚度而更大。
本發明之其中一個實施形態，係為上述所記載之蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為，係具備有：鍍敷處理工程，係經由包含遮蔽部以及貫通部之遮蔽板的前述貫通部來供給鍍敷液，並形成與前述遮蔽部相重疊之前述外周區域、和與前述貫通部相重疊之前述中央區域。
若依據本發明之其中一個實施形態，則係能夠對於發生貫通孔之位置偏移的情形作抑制。
以下，參考圖面，針對本發明之其中一個實施形態作說明。另外，在本說明書所添附的圖面中，為了易於圖示並易於理解，係會適宜將縮尺以及縱橫之尺寸比等相對於實物而作變更並誇張化。
圖1～圖17，係為用以對於本發明之其中一個實施形態作說明之圖。在以下之實施形態及其變形例中，係列舉出為了在製造有機EL顯示裝置時將有機材料以所期望之圖案來在基板上進行圖案化所使用的蒸鍍遮罩之製造方法為例，來進行說明。但是，係並不被限定於此種適用，而可對於被使用在各種的用途中之蒸鍍遮罩的製造方法而適用本發明之實施形態。
另外，在本說明書中，「板」、「薄片」、「薄膜」之用語，係僅在稱呼上有所差異，而並非為相互明確作區別者。例如，「板」，係為亦包含有可被稱作薄片或薄膜之構件的概念。
又，所謂「板面(薄片面、薄膜面)」，係指在對於成為對象之板狀(薄片狀、薄膜狀)的構件而全體性且綜觀性地作觀察的情況時之與成為對象之板狀構件(薄片狀構件、薄膜狀構件)的平面方向相互一致之面。又，所謂相對於板狀(薄片狀、薄膜狀)之構件所使用的法線方向，係指相對於該構件之板面(薄片面、薄膜面)的法線方向。
進而，關於在本說明書中所使用的形狀與幾何學性之條件及物理性特性以及對於該些之程度作特定的例如「平行」、「正交」、「同一」、「同等」等之用語或者是長度和角度及物理性特性之值等，係並非為被限定於嚴密的定義中者，而係被解釋為亦包含有能夠期待有同樣之功能的範圍者，
(蒸鍍裝置) 首先，針對實施使蒸鍍材料被蒸鍍在對象物上的蒸鍍處理之蒸鍍裝置90，參考圖1來作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍裝置90，係具備有蒸鍍源(例如坩堝94)、加熱器96以及蒸鍍遮罩裝置10。坩堝94，係收容有機發光材料等之蒸鍍材料98。加熱器96，係加熱坩堝94，並使蒸鍍材料98蒸發。蒸鍍遮罩裝置10，係以與坩堝94相對向的方式而被作配置。
(蒸鍍遮罩裝置) 以下，針對蒸鍍遮罩裝置10作說明。如同圖1中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10，係具備有蒸鍍遮罩20、和支持蒸鍍遮罩20之框架15。框架15，係以不會使蒸鍍遮罩20撓折的方式，而將蒸鍍遮罩20以朝向其之面方向作了拉張的狀態來作支持。蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，以使蒸鍍遮罩20會與身為使蒸鍍材料98作附著之對象物的基板、例如有機EL基板92相對面的方式，來配置在蒸鍍裝置90內。在以下之說明中，係將蒸鍍遮罩20之面中的有機EL基板92側之面，稱作第1面20a，並將位置於第1面20a之相反側處之面，稱作第2面20b。
蒸鍍遮罩裝置10，係如同圖1中所示一般，更進而具備有被配置在有機EL基板92之與蒸鍍遮罩20相反側之面處的磁石93。藉由設置磁石93，來藉由磁力而將蒸鍍遮罩20拉向磁石93側，而能夠使蒸鍍遮罩20密著於有機EL基板92上。
圖3，係為對於從蒸鍍遮罩20之第1面20a側來對於蒸鍍遮罩裝置10作了觀察的情況作展示之平面圖。如同圖3中所示一般，蒸鍍遮罩裝置10，係具備有在平面觀察時為具有略矩形狀之形狀的複數之蒸鍍遮罩20，各蒸鍍遮罩20，係在蒸鍍遮罩20之長邊方向上的一對之端部20e或其之近旁處，被固定在框架15處。
蒸鍍遮罩20，係包含有貫通蒸鍍遮罩20之複數之貫通孔。從坩堝94而蒸發並到達了蒸鍍遮罩裝置10處之蒸鍍材料98，係通過蒸鍍遮罩20之貫通孔而附著在有機EL基板92上。藉由此，係能夠以與蒸鍍遮罩20之貫通孔的位置相對應之所期望之圖案，來將蒸鍍材料98成膜在有機EL基板92之表面上。
圖2，係為對於使用圖1之蒸鍍裝置90所製造出的有機EL顯示裝置100作展示之剖面圖。有機EL顯示裝置100，係具備有：有機EL基板92、和包含被設置為圖案狀的蒸鍍材料98之像素。
另外，在想要進行由複數之顏色所致之彩色顯示的情況時，係分別準備搭載有與各色相對應之蒸鍍遮罩20之蒸鍍裝置90，並將有機EL基板92依序投入至各蒸鍍裝置90中。藉由此，例如，係能夠將紅色用之有機發光材料、綠色用之有機發光材料以及藍色用之有機發光材料，依序蒸鍍在有機EL基板92上。
另外，蒸鍍處理，係會有在成為高溫氛圍之蒸鍍裝置90之內部而被實施的情況。於此情況，在蒸鍍處理的期間中，被保持於蒸鍍裝置90之內部的蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92也會被加熱。此時，蒸鍍遮罩20、框架15以及有機EL基板92，係成為展現有基於各自之熱膨脹係數所致的尺寸變化之行為。於此情況，若是蒸鍍遮罩20和框架15與有機EL基板92之熱膨脹係數有大幅度之差異，則會發生起因於該些之尺寸變化之差異所導致的位置偏移，其結果，附著在有機EL基板92上的蒸鍍材料之尺寸精確度和位置精確度係會降低。
為了解決此種課題，蒸鍍遮罩20以及框架15之熱膨脹係數，較理想，係身為與有機EL基板92之熱膨脹係數同等之值。例如，當作為有機EL基板92而使用有玻璃基板的情況時，作為蒸鍍遮罩20以及框架15之主要的材料，係可使用包含有鎳之鐵合金。例如，作為構成蒸鍍遮罩20之金屬材料，係可使用包含有38質量％以上且62質量％以下之鎳和剩餘部分之鐵以及不可避免之雜質的鐵合金。在構成蒸鍍遮罩20以及框架15之鐵合金中的鎳之含有率，係亦可為40質量％以上且44質量％以下。
又，作為構成蒸鍍遮罩20之金屬層的材料，係亦可使用上述之包含有鎳之鐵合金以外的各種之材料。例如，係亦可使用含有鉻之鐵合金、鎳、鎳-鈷合金等。作為包含有鉻之鐵合金，例如，係可使用被稱作所謂的不鏽鋼之鐵合金。
(蒸鍍遮罩) 接著，針對蒸鍍遮罩20作詳細說明。如同圖3中所示一般，蒸鍍遮罩20，係包含有效部21、和包圍有效部21之外框部24。有效部21，係為被形成有從蒸鍍遮罩20之第1面20a起而至第2面20b之複數之貫通孔的部分。在圖3所示之例中，蒸鍍遮罩20，係具備有沿著蒸鍍遮罩20所延伸之第1方向D1而並排的複數之有效部21。1個的有效部21，係對應於1個的有機EL顯示裝置100之顯示區域。因此，若依據圖3中所示之蒸鍍遮罩裝置10，則係能夠進行有機EL顯示裝置100之多面蒸鍍。
如同圖3中所示一般，有效部21，例如，在平面觀察下係具備有略四角形形狀、更正確而言係在平面觀察下具備有略矩形狀的輪廓。例如，有效部21，係具備有包含在第1方向D1上而延伸之一對之邊和在與第1方向D1相正交之第2方向D2上而延伸之一對之邊的矩形狀之輪廓。另外，雖並未圖示，但是，有效部21，係亦可因應於有機EL基板92之顯示區域的形狀，而具備有四角形形狀以外之形狀。例如，有效部21，係亦可具備有圓形狀之輪廓。
外框部24，係為用以支持有效部21之區域，並具備有較有效部21而更高的剛性。例如，在外框部24處係並未被設置有貫通孔。或者是，在外框部24處之貫通孔的分布密度，係較在有效部21處之貫通孔25的分布密度而更低。
如同後述一般，蒸鍍遮罩20，係包含藉由鍍敷處理工程所形成的金屬層。針對在此情況中所可能產生的課題，參考圖4來作說明。圖4，係為將蒸鍍遮罩20之一部分作擴大展示之平面圖。
在藉由鍍敷處理所製作出的蒸鍍遮罩20之金屬層處，係產生有起因於鍍敷所導致的內部應力。如同上述一般，由於在有效部21處係相較於外框部24而被設置有更多的貫通孔25，因此，在有效部21處所產生的內部應力，係較在外框部24處所產生的內部應力而更小。因此，如同在圖4中以箭頭E1所示一般，在有效部21處係施加有從外框部24而來之拉張力。於此情況，起因於拉張力E1之參差等，可以推測到，係會有發生有效部21之貫通孔25之位置偏移的情形。
考慮到此種課題，在本實施形態中，係提案有下述之構成：亦即是，係將有效部21之中央區域23的厚度，設為較有效部21之外周區域22之厚度而更大。所謂外周區域22，係為有效部21中之與外框部24相接之區域，所謂中央區域23，係為被外周區域22所包圍之區域。例如，在如同圖4中所示一般地而將有效部21沿著第1方向D1以及第2方向D2而分別作3等分並將有效部21假想性地分割成9個的區域的情況時，與外框部24相接之8個的區域，係構成外周區域22。又，中央之1個的區域，係構成中央區域23。
圖5，係為從A-A方向來對於圖4之蒸鍍遮罩20作了觀察的剖面圖，圖6，係為從B-B方向來對於圖4之蒸鍍遮罩20作了觀察的剖面圖。如同圖5以及圖6中所示一般，有效部21之中央區域23，係具備有較外周區域22之厚度t1而更大的厚度t2。因此，當在外周區域22處之貫通孔25的分布密度與在中央區域23處之貫通孔25的分布密度為同等的情況時，於中央區域23處，係相較於外周區域22而產生有較大的內部應力。
圖7，係為對於施加在本實施形態之蒸鍍遮罩20之有效部21之外周區域22處的力作示意性展示之平面圖。如同上述一般，在外周區域22處，係施加有從外框部24而來之拉張力E1。又，起因於中央區域23之內部應力為較外周區域22之內部應力而更大一事，在外周區域22處，係亦更進而被施加有從中央區域23而來之拉張力E2。拉張力E1和拉張力E2，由於係在外周區域22處而作用於相反之方向，因此，係至少會部分性地相互抵消。藉由此，係能夠降低施加在外周區域22處之拉張力。藉由此，係能夠對於位置在外周區域22處之貫通孔25的位置從所設計之位置而偏移的情形作抑制。
另外，所謂「中央區域23係具備有較外周區域22而更大之厚度」一事，係代表下述之(1)、(2)或(3)之至少其中一者為成立。 (1)在構成中央區域23之1個的區域之複數之場所處所測定的厚度t2，係均為較在構成外周區域22之8個的區域之各者的複數之場所處所測定的厚度t1而更大。 (2)在構成中央區域23之1個的區域之複數之場所處所測定的厚度t2之平均值T2，係較在構成外周區域22之8個的區域之各者的複數之場所處所測定的厚度t1之平均值T1而更大。 (3)在構成中央區域23之1個的區域之複數之場所處所測定的厚度t2之平均值T2，係較在構成外周區域22之8個的區域之各者處的厚度t1之平均值T11、T12、T13、T14、T15、T16、T17以及T18而更大。 亦可僅成立有(1)、(2)或(3)之其中一者，亦可成立有任意之2者，亦可為3者均成立。
在構成外周區域22之8個的區域以及構成中央區域23之1個的區域之各者處的厚度之測定場所之數量，係為5以上並且為36以下，例如係為9。
在將於構成外周區域22之8個的區域之各者的複數之場所處所測定的厚度t1之標準差表現為σ1的情況時，較理想，以下之關係式係成立。 T1＜T2・・・(4) 3σ1＜T2／2・・・(5) 藉由以會滿足上述之條件的方式來製作蒸鍍遮罩20，係能夠在外周區域22之各位置處，更確實地使朝向中央區域23之拉張力E2產生。藉由此，係能夠對於位置在外周區域22處之貫通孔25的位置從所設計之位置而偏移的情形更確實地作抑制。
相對於外周區域22之厚度t1之平均值T1的中央區域23之厚度t2之平均值T2之比例(=T2／T1)，較理想係為1.000以上，更理想係為1.060以上。又，T2／T1，較理想係為1.200以下，更理想係為1.170以下。
在圖5以及圖6中，元件符號t3，係代表外框部24之厚度。外框部24之厚度t3，雖並未特別限定，但是，較理想，外框部24之厚度t3，係為與有效部21之外周區域22之厚度t1同等。例如，相對於外周區域22之厚度t1之平均值T1的外框部24之厚度t3之平均值T3之比例(=T3／T1)，係為0.920以上1.080以下。
接著，針對與有效部21之位置相對應的中央區域23之厚度之調整之例作說明。在如同圖3中所示一般地而沿著第1方向D1來使複數之有效部21作並排的情況時，係亦可將在第1方向D1上之最為接近蒸鍍遮罩20之端部的有效部21之中央區域23之厚度，設為較在第1方向D1上之最為接近蒸鍍遮罩20之中心的有效部21之中央區域23之厚度而更大。亦即是，係亦可將接近框架15的有效部21之中央區域23之厚度，設為較從框架15而離開的有效部21之中央區域23之厚度而更大。藉由此，在將蒸鍍遮罩20以作了拉張的狀態來藉由框架15而作支持時，各有效部21之貫通孔25之對位工程的作業性係提升。
以下，針對蒸鍍遮罩20之有效部21作詳細說明。圖8，係為將有效部21作擴大展示之平面圖，圖9，係為從IX-IX方向來對於圖8之有效部21作了觀察的剖面圖。如同圖8中所示一般，複數之貫通孔25，在有效部21處，係沿著相互正交之二個方向而分別以特定之節距被規則性地作配列。
以下，針對貫通孔25及其周圍之部分的形狀作詳細說明。於此，係針對在藉由鍍敷處理來形成蒸鍍遮罩20的情況時之貫通孔25及其周圍之部分的形狀作說明。
如同圖9中所示一般，有效部21之金屬層，係具備有構成第1面20a之第1金屬層32、和構成第2面20b之第2金屬層37。在第1金屬層32處，係以特定之圖案而被設置有第1開口部30，又，在第2金屬層37處，係以特定之圖案而被設置有第2開口部35。在有效部21處，藉由使第1開口部30與第2開口部35相互通連，係構成從蒸鍍遮罩20之第1面20a起而至第2面20b處的貫通孔25。
如同圖8中所示一般，構成貫通孔25之第1開口部30和第2開口部35，係亦可在平面觀察下而成為略多角形狀。於此，係針對第1開口部30以及第2開口部35為成為略四角形狀(更具體而言，成為略正方形狀)之例作展示。又，雖並未圖示，但是，第1開口部30和第2開口部35，係亦可成為略六角形狀或略八角形狀等之其他的略多角形狀。另外，所謂「略多角形狀」，係為包含有使多角形之角部作了圓角之形狀的概念。又，雖並未圖示，但是，第1開口部30和第2開口部35，係亦可成為圓形狀。又，第1開口部30之形狀和第2開口部35之形狀，係亦可並未成為相似形狀。
在圖9中，元件符號41，係代表使第1金屬層32和第2金屬層37作連接的連接部。又，元件符號S0，係代表在第1金屬層32和第2金屬層37之間之連接部41處的貫通孔25之尺寸。另外，在圖9中，雖係針對第1金屬層32與第2金屬層37為相接的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此，亦可在第1金屬層32與第2金屬層37之間而中介存在有其他之層。例如，亦可在第1金屬層32與第2金屬層37之間，設置有用以促進在第1金屬層32上之第2金屬層37之析出的觸媒層。
圖10，係為對於圖9之第1金屬層32以及第2金屬層37作擴大展示之圖。如同圖10中所示一般，在蒸鍍遮罩20之第2面20b處的第2金屬層37之寬幅M2，係成為較在蒸鍍遮罩20之第1面20a處的第1金屬層32之寬幅M1而更小。換言之，在第2面20b處之貫通孔25(第2開口部35)之開口尺寸S2，係成為較在第1面20a處之貫通孔25(第1開口部30)之開口尺寸S1而更大。例如，如同圖9中所示一般，在沿著蒸鍍遮罩20之第1面20a之法線方向來作了觀察的情況時，第2開口部35之輪廓係包圍第1開口部30之輪廓。以下，針對如此這般地來構成第1金屬層32以及第2金屬層37的情況時之優點作說明。
從蒸鍍遮罩20之第2面20b側所飛來的蒸鍍材料98，係依序通過貫通孔25之第2開口部35以及第1開口部30而附著在有機EL基板92上。有機EL基板92中之蒸鍍材料98所附著的區域，主要係依據在第1面20a處之貫通孔25之開口尺寸S1以及開口形狀而被決定。如同在圖9以及圖10中以從第2面20b側起朝向第1面20a之箭頭L1所標示一般，蒸鍍材料98，係不僅是從坩堝94而朝向有機EL基板92來沿著有機EL基板92之法線方向N移動，而亦會有朝向相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N而大幅度地作了傾斜的方向移動的情形。於此，假設若是將在第2面20b處之貫通孔25的開口尺寸S2設為與在第1面20a處之貫通孔25的開口尺寸S1相同，則傾斜移動之蒸鍍材料98，係成為容易卡在第2金屬層37之壁面36和第1金屬層32之壁面31處，其結果，無法通過貫通孔25之蒸鍍材料98的比例係變多。故而，為了提高蒸鍍材料98之利用效率，可以說，較理想，係將第2開口部35之開口尺寸S2增大，亦即是將第2金屬層37之寬幅M2縮小。
在圖9中，「與第2金屬層37之壁面36以及第1金屬層32之壁面31相接之直線L1」之相對於蒸鍍遮罩20之法線方向N所成的最小角度，係以元件符號θ1來作標示。為了使傾斜移動之蒸鍍材料98盡可能到達有機EL基板92處，將角度θ1增大一事係為有利。例如，較理想，係將角度θ1設為45°以上。為了將角度θ1增大，相較於第1金屬層32之寬幅M1而將第2金屬層37之寬幅M2縮小一事，係為有效。上述之開口尺寸S0、S1、S2，係對於有機EL顯示裝置之像素密度及上述之角度θ1之所期望之值等作考慮，而被適宜作設定。
如同圖10中所示一般，在藉由第1金屬層32所構成的蒸鍍遮罩20之第1面20a處，係亦可被形成有凹陷部34。凹陷部34，在藉由鍍敷處理而製造蒸鍍遮罩20的情況時，係對應於後述之圖案基板50之導電性圖案52地而被形成。凹陷部34之深度D，例如係為50nm以上並且500nm以下。較理想，被形成於第1金屬層32處之凹陷部34之外緣34e，係位置在第1金屬層32之端部33與連接部41之間。
接著，針對第1金屬層32以及第2金屬層37之組成作說明。在本實施形態中，較理想，第1金屬層32之組成和第2金屬層37之組成係為相同。所謂的「組成為相同」，係代表藉由後述之能量分散型X光分析(以下，亦稱作EDX分析)所算出的在第1金屬層32中所包含之鐵以及鎳的重量％和在第2金屬層37中所包含之鐵以及鎳的重量％之間之差為2重量％以下。較理想，針對在第1金屬層32以及第2金屬層37中所包含之鎳、鉻等之其他之元素，亦同樣的，在第1金屬層32處之重量％和在第2金屬層37處之重量％之間之差係為2重量％以下。
藉由使第1金屬層32之組成和第2金屬層37之組成相同，係能夠將第1金屬層32之熱膨脹係數和第2金屬層37之熱膨脹係數之差縮小。藉由此，係能夠對起因於溫度變化而在第1金屬層32和第2金屬層37之間之界面處產生應力或形變的情形作抑制。因此，係能夠對起因於溫度變化而在第1金屬層32以及第2金屬層37處產生彎曲或撓折的情形作抑制。
又，較理想，蒸鍍遮罩20，係至少在有效部21處，並不具備有第1金屬層32以及第2金屬層37以外之構成要素。例如，蒸鍍遮罩20之第1面20a，係藉由第1金屬層32所構成，蒸鍍遮罩20之第2面20b，係藉由第2金屬層37所構成。藉由此，係能夠對起因於使用有相異之材料一事而在溫度變化時於蒸鍍遮罩20處產生彎曲或撓折的情形作抑制。
以下，針對藉由EDX分析來對於第1金屬層32以及第2金屬層37之組成作分析的方法作說明。
首先，從蒸鍍遮罩20而切出包含有蒸鍍遮罩20之有效部21的試料71。接著，如同圖25中所示一般，將試料71藉由樹脂72來作密封。作為樹脂72，例如，係使用環氧樹脂。被作密封的試料71之厚度，係與蒸鍍遮罩20之有效部21之厚度相等。在蒸鍍遮罩20之面方向D1、D2上的試料71之尺寸，係分別例如為5mm。
接著，以使試料71之剖面會從樹脂72而露出的方式，來實施修整(trimming)加工。接著，針對試料71以及樹脂72，而實施使用有離子束之收尾加工。如此這般，如同圖26中所示一般，係能夠得到具備有使蒸鍍遮罩20中之應進行測定的第1金屬層32以及第2金屬層37之剖面從樹脂72而露出的測定面73之測定用樣本70。
在圖26中，元件符號32c，係代表測定面73中之第1金屬層32之剖面中的藉由EDX分析而被進行測定之測定場所，元件符號37c，係代表測定面73中之第2金屬層37之剖面中的藉由EDX分析而被進行測定之測定場所。第1金屬層32之測定場所32c，例如，係位置在蒸鍍遮罩210之面方向上的第1金屬層32之中心處。同樣的，第2金屬層37之測定場所37c，例如，係位置在蒸鍍遮罩210之面方向上的第2金屬層37之中心處。
在上述之修整加工以及收尾加工中，首先，係以使與測定面73之間之距離成為30μm的方式來藉由修整加工而將試料71以及樹脂72切斷。之後，對於試料71以及樹脂72施加使用有離子束之收尾加工，而將藉由修整加工所產生的損傷除去。藉由此，係能夠得到圖26中所示之被形成有測定面73的測定用樣本70。作為實施修整加工之裝置，係可使用Leica Microsystems公司製之Ultra Microtome。
作為實施上述之收尾加工之裝置，係可使用藉由離子束之照射來對於試料71以及樹脂72進行蝕刻之裝置，例如係可使用JOEL公司製之離子束剖面研磨機(Cross section polisher)。在收尾加工中，首先，係在被施加了修整加工之試料71以及樹脂72之上載置遮蔽板。接著，在使被施加了修整加工之試料71以及樹脂72從遮蔽板而作了30μm之突出的狀態下，朝向被施加了修整加工之試料71以及樹脂72還有遮蔽板照射離子束。此時之JOEL公司製之離子束剖面研磨機的設定，係如同下述一般。 ・電壓：5kV ・時間：6小時
接著，對於所得到的測定用樣本70之測定面73，使用掃描型電子顯微鏡來作觀察。藉由此，係能夠特定出第1金屬層32之測定場所32c以及第2金屬層37之測定場所37c。作為掃描型電子顯微鏡，例如係可使用蔡司公司製之Ultra55。此時之掃描型電子顯微鏡的設定，係如同下述一般。 ・電壓：15kV ・動作距離：8.5mm ・觀察倍率：5000倍 ・觀察倍率基準：Polaroid545
在測定面73之觀察後，使用標準試料來進行EDX分析裝置之校正修正，之後，使用EDX分析裝置，來實施第1金屬層32之測定場所32c以及第2金屬層37之測定場所37c的組成分析。作為EDX分析裝置，例如係可使用BRUKER公司製之Quantax QX400。
另外，在使用有BRUKER公司製之Quantax QX400的情況時所算出之第1金屬層32以及第2金屬層37之組成之定量分析的精確度，係為±2重量％。故而，針對在藉由第1金屬層32以及第2金屬層37之組成的定量分析所檢測出之元素中之比例為2重量％以下的元素，在進行第1金屬層32之組成和第2金屬層37之組成是否為同一的判定中係亦可忽視。
在第1金屬層32以及第2金屬層37之厚度為小的情況時、例如厚度為1μm以下的情況時，於組成分析之結果中，係會有包含起因於周圍之樹脂72所造成的電子線散射之影響的情形。在第1金屬層32以及第2金屬層37之組成的定量分析中，較理想，係將此種樹脂72之影響除去。關於在組成分析之結果中是否包含有周圍之樹脂72之影響一事，係基於在使掃描型電子顯微鏡之加速電壓作了改變時，於組成之定量分析之結果中被認定為係起因於周圍之樹脂72所導致的成份之檢測量是否有所變化一事，來進行判斷。
(蒸鍍遮罩之製造方法) 接著，針對製造蒸鍍遮罩20之方法作說明。圖11～圖14，係為對於蒸鍍遮罩20之製造方法作說明之圖。
[圖案基板準備工程] 首先，準備圖11中所示之圖案基板50。圖案基板50，係具備有具有絕緣性之基材51、和被形成於基材51上之導電性圖案52。導電性圖案52，係具備有對應於第1金屬層32之圖案。
只要是具備有絕緣性以及適當的強度，則構成基材51之材料和基材51之厚度係並不特別作限定。例如，作為構成基材51之材料，係可使用玻璃或合成樹脂等。
作為構成導電性圖案52之材料，係適宜使用有金屬材料或氧化物導電性材料等之具有導電性的材料。作為金屬材料之例，例如係可列舉出鉻或銅等。導電性圖案52之厚度，例如係為50nm以上並且500nm以下。
另外，為了使將蒸鍍遮罩20從圖案基板50而分離的後述之分離工程容易化，係亦可對於圖案基板50預先施加離模處理。
例如，首先，係實施將圖案基板50之表面的油分除去之脫脂處理。例如，係使用酸性之脫脂液，來將圖案基板50之導電性圖案52之表面的油分除去。
接著，係實施將導電性圖案52之表面活性化的活性化處理。例如，係使與在後述之第1鍍敷處理工程中所使用的第1鍍敷液中所包含之酸性溶液相同的酸性溶液，與導電性圖案52之表面作接觸。例如，當第1鍍敷液為包含有氨基磺酸鎳的情況時，係使氨基磺酸與導電性圖案52之表面作接觸。
接著，實施在導電性圖案52之表面上形成有機物之膜的有機膜形成處理。例如，係使包含有機物之離模劑與導電性圖案52之表面作接觸。此時，係將有機膜之厚度，以有機膜之電阻不會成為使由電解鍍敷所致之第1金屬層32之析出被有機膜所妨礙的程度的方式，來設定為薄。離模劑，係亦可含有硫成分。
另外，在脫脂處理、活性化處理以及有機膜形成處理之後，係分別實施將圖案基板50以水來洗淨的水洗處理。
[第1鍍敷處理工程] 接著，對於被形成有導電性圖案52之基材51上供給第1鍍敷液，並實施在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出之第1鍍敷處理工程。例如，係將被形成有導電性圖案52之基材51，浸漬在被填充有第1鍍敷液之鍍敷槽中。藉由此，如同圖12中所示一般，係能夠在圖案基板50上，得到以特定之圖案而被設置有第1開口部30之第1金屬層32。
另外，在鍍敷處理之特性上，如同圖12中所示一般，第1金屬層32，係不僅是會被形成在當沿著基材51之法線方向來作觀察的情況時之與導電性圖案52相重疊之部分處，而也可能會被形成在並未與導電性圖案52相重疊之部分處。此係起因於在與導電性圖案52之端部54相重疊的部份處所析出了的第1金屬層32之表面上，第1金屬層32更進一步作析出，而導致者。其結果，如同圖12中所示一般，第1開口部30之端部33，係可能會成為當沿著基材51之法線方向來作觀察的情況時而位置在並未與導電性圖案52相重疊之部分處。又，在第1金屬層32中之與導電性圖案52相接之側之面上，係被形成有與導電性圖案52之厚度相對應之上述之凹陷部34。
在圖12中，第1金屬層32中之並未與導電性圖案52相重疊的部分(亦即是並未被形成有凹陷部34之部分)之寬幅，係以元件符號w來標示。寬幅w，例如係成為0.5μm以上並且5.0μm以下。導電性圖案52之尺寸，係對於此寬幅w有所考慮地而作設定。
只要是能夠在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出，則第1鍍敷處理工程之具體性的方法係並未被特別作限定。例如，第1鍍敷處理工程，係亦可作為藉由使電流在導電性圖案52中流動一事來在導電性圖案52上而使第1金屬層32析出之所謂的電解鍍敷處理工程來實施之。或者是，第1鍍敷處理工程，係亦可為無電解鍍敷處理工程。另外，當第1鍍敷處理工程係為無電解鍍敷處理工程的情況時，在導電性圖案52之上係亦可被設置有適當之觸媒層。或者是，係亦能夠以使導電性圖案52作為觸媒層來起作用的方式而構成之。在實施電解鍍敷處理工程的情況時，係亦可在導電性圖案52之上被設置有觸媒層。
所使用的第1鍍敷液之成分，係以會使第1金屬層32包含有38質量％以上且62質量％以下之鎳和剩餘部分之鐵以及不可避免之雜質的方式，而被制定。例如，作為第1鍍敷液，係可使用含有鎳化合物之溶液與含有鐵化合物之溶液的混合溶液。例如，係可使用含有氨基磺酸鎳或溴化鎳之溶液與含有氨基磺酸亞鐵之溶液的混合溶液。在鍍敷液中，係亦可含有各種的添加劑。作為添加劑，係可使用硼酸等之pH緩衝劑、糖精鈉等之一次光澤劑、丁炔二醇、炔丙醇、香豆素、福馬林、硫脲等之二次光澤劑、防氧化劑等。一次光澤劑，係亦可含有硫成分。
[光阻形成工程] 接著，實施在基材51以及第1金屬層32上空出有特定之間隙56地而形成光阻圖案55之光阻形成工程。圖13，係為對於被形成在基材51上之光阻圖案55作展示之剖面圖。如同圖13中所示一般，光阻形成工程，係以第1金屬層32之第1開口部30會被光阻圖案55所覆蓋並且光阻圖案55之間隙56會位置在第1金屬層32上的方式，而被實施。
以下，針對光阻形成工程之其中一例作說明。首先，藉由在基材51上以及第1金屬層32上貼附乾薄膜，而形成負型之光阻膜。所謂乾薄膜，係指為了在基材51等之對象物之上形成光阻膜而被貼附在對象物上之薄膜。乾薄膜，係至少包含有由PET等所成之基底薄膜和被層積於基底薄膜處並具有感光性之感光層。感光層，係包含丙烯酸系光硬化性樹脂、環氧系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、苯乙烯系樹脂等之感光性材料。另外，係亦可藉由在基材51上塗布光阻圖案55用之材料，之後因應於需要來實施燒成，來形成光阻膜。
接著，準備構成為不會使光透過光阻膜中之應成為間隙56之區域的曝光遮罩，並將曝光遮罩配置在光阻膜上。之後，藉由真空密著來使曝光遮罩充分地與光阻膜相密著。之後，隔著曝光遮罩來對於光阻膜進行曝光。進而，為了在被作了曝光的光阻膜上成像，而將光阻膜顯像。如同上述一般，如同圖13中所示一般，係能夠形成在被設置有位置於第1金屬層32上之間隙56並且亦將第1金屬層32之第1開口部30作覆蓋的光阻圖案55。另外，係亦可為了使光阻圖案55對於基材51以及第1金屬層32而更牢固地密著，而在顯像工程之後實施對光阻圖案55進行加熱之熱處理工程。
另外，作為光阻膜，係亦可使用正型之光阻膜。於此情況，作為曝光遮罩，係使用構成為會使光透過光阻膜中之想要除去之區域的曝光遮罩。
[第2鍍敷處理工程] 接著，對於光阻圖案55之間隙56供給第2鍍敷液，並實施在第1金屬層32上而使第2金屬層37析出之第2鍍敷處理工程。例如，係將被形成有第1金屬層32之基材51，浸漬在被填充有第2鍍敷液之鍍敷槽中。藉由此，如同圖14中所示一般，係能夠在第1金屬層32上形成第2金屬層37。第2鍍敷處理工程，例如，係作為藉由使電流在第1金屬層32中流動一事來在第1金屬層32上使第2金屬層37析出之所謂的電解鍍敷處理工程來實施之。或者是，第2鍍敷處理工程，係亦可為無電解鍍敷工程。
在本實施形態中，係以使構成有效部21之中央區域23的第2金屬層37之厚度會成為較構成有效部21之外周區域22的第2金屬層37之厚度而更大的方式，來實施第2鍍敷處理工程。以下，參考圖15～圖17，針對能夠實現此種厚度控制之第2鍍敷處理工程的其中一例作說明。
圖15，係為對於為了藉由鍍敷處理來形成圖7中所示之有效部21之外周區域22以及中央區域23的第2金屬層37所使用之遮蔽板60作展示的平面圖。又，圖16，係為從C-C方向來對於圖15中所示之遮蔽板60作了觀察的剖面圖。遮蔽板60，係具備有遮蔽部61、和被遮蔽部61所包圍之貫通部62。貫通部62，係以當沿著圖案基板50之基材51之法線方向來作觀察的情況時會與構成有效部21之中央區域23之第1金屬層32至少部分性重疊的方式，而被作配置。又，遮蔽部61，係以當沿著圖案基板50之基材51之法線方向來作觀察的情況時會與構成有效部21之外周區域22以及外框部24之第1金屬層32至少部分性重疊的方式，而被作配置。
在第2鍍敷處理工程中，係如同在圖16中以箭頭F1所示一般，經由遮蔽板60之貫通部62來對於第1金屬層32上供給第2鍍敷液。於此情況，在第1金屬層32中之與遮蔽部61相重疊的部分處，係如同在圖16中以箭頭F2所示一般，被供給有通過了與貫通部62相重疊的第1金屬層32之後之第2鍍敷液。因此，在第1金屬層32中之與遮蔽部61相重疊的部分處，相較於第1金屬層32中之與貫通部62相重疊的部分，第2金屬層37之成長係被作抑制。又，在遮蔽部61為具備有導電性的情況時，在第1金屬層32與未圖示之陽極之間所產生的電場，係藉由遮蔽部61而被遮斷。基於此，同樣的，在第1金屬層32中之與遮蔽部61相重疊的部分處，相較於第1金屬層32中之與貫通部62相重疊的部分，第2金屬層37之成長係被作抑制。
藉由使用具備有遮蔽部61以及貫通部62之遮蔽板60，係能夠在第1金屬層32中之與遮蔽部61相重疊的部分處、亦即是在構成中央區域23之第1金屬層32之上，優先性地使第2金屬層37成長。因此，如同圖17中所示一般，係能夠使構成中央區域23的第2金屬層37之厚度成為較構成外周區域22以及外框部24的第2金屬層37之厚度而更大。藉由此，係能夠使中央區域23之厚度成為較外周區域22之厚度而更大，而能夠在外周區域22處產生朝向中央區域23之拉張力。另外，中央區域23之厚度以及外周區域22之厚度，係分別在最厚的場所、亦即是在第1金屬層32與第2金屬層37相互重疊的場所處進行測定。
第2鍍敷液之成分，係以會使第2金屬層37包含有38質量％以上且62質量％以下之鎳和剩餘部分之鐵以及不可避免之雜質的方式，而被制定。例如，作為第2鍍敷液，係亦可使用與上述之第1鍍敷液相同的鍍敷液。或者是，作為第2鍍敷液，係亦可使用與第1鍍敷液相異的鍍敷液。當第1鍍敷液之組成與第2鍍敷液之組成係為相同的情況時，構成第1金屬層32之金屬的組成和構成第2金屬層37之金屬的組成亦係成為相同。
另外，在圖14中，雖係針對繼續進行第2鍍敷處理工程直到光阻圖案55之上面和第2金屬層37之上面相互一致為止的例子來作了展示，但是，係並不被限定於此。亦能夠在第2金屬層37之上面為位置於較光阻圖案55之上面而更下方處的狀態下，停止第2鍍敷處理工程。
又，雖並未圖示，但是，在第1鍍敷處理工程時，係亦可經由遮蔽板60之貫通部62來對於基材51上供給第1鍍敷液。藉由此，與上述之第2鍍敷處理工程的情況相同地，係能夠在基材51中之與中央區域23相對應的部分處，優先性地使第1金屬層32成長。
[除去工程] 之後，實施將光阻圖案55除去之除去工程。例如，藉由使用鹼系玻璃液，係能夠將光阻圖案55從基材51、第1金屬層32或第2金屬層37而剝離。
[分離工程] 接著，實施將第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體從基材51而分離之分離工程。藉由此，係能夠得到具備有以特定之圖案而被設置有第1開口部30之第1金屬層32和被設置有與第1開口部30相通連之第2開口部35之第2金屬層37的蒸鍍遮罩20。
以下，針對分離工程之其中一例作詳細說明。首先，將藉由塗布等而被設置有具有黏著性之物質的薄膜，貼附在被形成於基材51上之第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體處。接著，藉由將薄膜上拉或者是作捲取，來將薄膜從基材51而拉離，藉由此，來使第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體從圖案基板50之基材51而分離。之後，將薄膜從第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體而剝離。 除此之外，在分離工程中，亦可先在第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體與基材51之間，形成成為分離之契機的間隙，接著對於此間隙吹附空氣，藉由此來促進分離工程。
另外，作為具有黏著性之物質，係亦可使用會藉由被照射UV等之光或者是藉由被加熱而喪失黏著性之物質。於此情況，在將第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體從基材51而分離之後，係實施對於薄膜照射光之工程或對薄膜進行加熱之工程。藉由此，係能夠使將薄膜從第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體而剝離之工程容易化。例如，係能夠在使薄膜和第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體盡可能地維持於相互平行之狀態的狀態下，來將薄膜剝離。藉由此，係能夠對於在將薄膜剝離時之第1金屬層32以及第2金屬層37之組合體發生彎曲的情形作抑制，藉由此，係能夠對於在蒸鍍遮罩20處被附加有彎曲等之變形之趨勢的情形作抑制。
另外，在藉由鍍敷處理所製作出的蒸鍍遮罩20處，係產生有起因於鍍敷所導致的內部應力。作為紓緩此種內部應力之方法，係可考慮對於蒸鍍遮罩20進行退火處理。另一方面，若是對於被從圖案基板50而分離之前之蒸鍍遮罩20施加退火處理，則起因於蒸鍍遮罩20之線膨脹率與圖案基板50之基材51之線膨脹率之間之差，可以推測到，在基材51處會發生彎曲或碎裂，並導致蒸鍍遮罩20之損傷。考慮到此點，在本實施形態中，係亦可在藉由鍍敷處理而於圖案基板50上製作了蒸鍍遮罩20之後，並不對於蒸鍍遮罩20施加退火處理地而將蒸鍍遮罩20從圖案基板50分離。例如，在實施了鍍敷處理之後的直到實施分離工程為止的期間中，係並不實施會將蒸鍍遮罩20之金屬層加熱至140℃以上一般之工程。藉由此，係能夠對起因於圖案基板50之彎曲或碎裂而導致蒸鍍遮罩20發生損傷的情形作抑制。當然的，依存於狀況，係亦可實施對於蒸鍍遮罩20進行退火處理之工程。
(蒸鍍遮罩之熔接工程) 接著，實施將如同上述一般地所得到的蒸鍍遮罩20熔接於框架15處之熔接工程。藉由此，係能夠得到具備有蒸鍍遮罩20以及框架15之蒸鍍遮罩裝置10。
在本實施形態中，藉由使有效部21之中央區域23之厚度成為較外周區域22之厚度而更大，係能夠在外周區域22處產生朝向中央區域23之拉張力。藉由此，在外周區域22處，係能夠使從外框部24所施加之拉張力和從中央區域23所施加之拉張力至少部分性地抵消。藉由此，係能夠對於位置在外周區域22處之貫通孔25的位置從所設計之位置而偏移的情形作抑制。
(蒸鍍方法) 接著，針對使用具備有蒸鍍遮罩20以及框架15之蒸鍍遮罩裝置10來在有機EL基板92等之基板上將蒸鍍材料98作蒸鍍的蒸鍍方法作說明。首先，以使蒸鍍遮罩20會與有機EL基板92相對向的方式，來配置蒸鍍遮罩裝置10。又，係使用磁石93來使蒸鍍遮罩20密著於有機EL基板92上。在此狀態下，藉由使蒸鍍材料98蒸發並經由蒸鍍遮罩20而飛至有機EL基板92處，係能夠以與蒸鍍遮罩20之貫通孔25相對應之圖案來使蒸鍍材料98附著在有機EL基板92上。於此，在本實施形態中，如同上述一般，係能夠對於位置在外周區域22處之貫通孔25的位置從所設計之位置而偏移的情形作抑制。因此，係能夠使蒸鍍材料98以高位置精確度來附著在有機EL基板92上。
另外，係亦可對於上述之實施形態而施加各種的變更。以下，因應於需要，參考圖面來針對變形例作說明。在以下之說明以及於以下之說明所使用的圖面中，針對能夠與上述之實施形態同樣的來構成之部分，係構成為使用與對於在上述之實施形態中之相對應之部分所使用的元件符號相同之元件符號，並省略重複的說明。又，當在上述之實施形態中所能夠得到的作用效果明顯係為在變形例中亦能夠得到者的情況時，係也會有將其之說明省略的情況。
(鍍敷處理工程之變形例) 在上述之實施形態中，係針對遮蔽部61為與圖案基板50中之對應於有效部21之外周區域22以及外框部24的部分相重疊之例子，來作了展示。然而，遮蔽部61，係只要至少與圖案基板50中之對應於有效部21之外周區域22的部分相重疊即可，而亦可並不與對應於外框部24之部分相重疊。例如，如同圖18以及圖19中所示一般，在鍍敷處理工程中，係亦可使用具備有與圖案基板50中之對應於有效部21之外周區域22的部分相重疊之遮蔽部61和與圖案基板50中之對應於有效部21之中央區域23的部分相重疊之貫通部62之複數之遮蔽板60。於此情況，遮蔽板60間之間隙63，係亦可與圖案基板50中之對應於外框部24的部分相重疊。或者是，雖並未圖示，但是，遮蔽板60，係亦可具備有與圖案基板50中之對應於外框部24的部分相重疊之貫通孔。
在本變形例中，如同於圖19中以箭頭F3所展示一般，在圖案基板50中之對應於外框部24之部分之上，係亦被供給有鍍敷液。另外，在圖案基板50中之對應於外框部24的部分處，係並未被形成有光阻圖案55。另一方面，在圖案基板50中之對應於有效部21的部分處，係如同上述一般地被形成有光阻圖案55。由於在圖案基板50中之與光阻圖案55相重疊之部分係並不會流動電流，因此，在對應於有效部21的部分處，電流係集中於並未與光阻圖案55相重疊之部分處。因此，在圖案基板50中之對應於有效部21之部分處，相較於圖案基板50中之對應於外框部24之部分，鍍敷層係容易在厚度方向上成長。換言之，在圖案基板50中之對應於外框部24之部分處，相較於圖案基板50中之對應於有效部21之被形成有光阻圖案55之部分，鍍敷層係難以在厚度方向上成長。故而，就算是在並不於圖案基板50中之對應於外框部24之部分之上設置遮蔽部61的情況時，亦同樣的，係能夠對於外框部24之厚度和有效部21之外周區域22之厚度間之差變大的情形作抑制。
(蒸鍍遮罩之製造方法之變形例) 在上述之本實施形態中，係針對將蒸鍍遮罩20藉由層積第1金屬層32和第2金屬層37之至少2個的金屬層一事來構成之例，而作了說明。然而，係並不被限定於此，蒸鍍遮罩20，係亦可藉由以特定之圖案而被形成有複數之貫通孔25之單一的金屬層27來構成之。以下，參考圖20～圖22，針對蒸鍍遮罩20為具備有單一之金屬層27之例來作說明。另外，在本變形例中，係將從蒸鍍遮罩20之第1面20a起而至第2面20b之貫通孔25中的位置於第1面20a上之部分，稱作第1開口部30，並將貫通孔25中的位置於第2面20b上之部分，稱作第2開口部35。
首先，針對由本變形例所致之製造蒸鍍遮罩20之方法作說明。
首先，準備被形成有特定之導電性圖案52之基材51。接著，如同在圖20中所示一般，實施在基材51上空出有特定之間隙56地而形成光阻圖案55之光阻形成工程。較理想，區劃出光阻圖案55之間隙56的光阻圖案55之側面57之間之間隔，係隨著從基材51遠離而逐漸變窄。亦即是，光阻圖案55，係具備有隨著從基材51遠離而使光阻圖案55之寬幅擴廣的形狀，亦即是具備有所謂的逆錐狀形狀。
針對形成此種光阻圖案55的方法之其中一例作說明。例如，首先，係在基材51之面中之被形成有導電性圖案52之側之面上，設置含有光硬化性樹脂之光阻膜。接著，將從基材51中之與被設置有光阻膜之側相反之側而射入至基材51處的曝光光，照射至光阻膜處，並將光阻膜曝光。之後，將光阻膜顯像。於此情況，基於曝光光之繞入(繞射)，係能夠得到如同圖20中所示一般之具備有逆錐狀形狀之光阻圖案55。
接著，如同圖21中所示一般，對於光阻圖案55之間隙56供給鍍敷液，並實施在導電性圖案52上而使金屬層27析出之鍍敷處理工程。之後，藉由實施上述之除去工程以及分離工程，如同圖22中所示一般，係能夠得到具備有以特定之圖案而被設置有貫通孔25的金屬層27之蒸鍍遮罩20。如同圖22中所示一般，金屬層27之貫通孔25的在第1面20a之面方向上之尺寸，係隨著從第2面20b側起朝向第1面側20a而減少。
在本變形例中，亦係與上述實施形態之情況同樣的，使用具備有與圖案基板50中之對應於有效部21之外周區域22的部分相重疊之遮蔽部61和與圖案基板50中之對應於有效部21之中央區域23的部分相重疊之貫通部62之遮蔽板60，來實施鍍敷處理。藉由此，係能夠使有效部21之中央區域23之厚度成為較外周區域22之厚度而更大。藉由此，係能夠對於位置在外周區域22處之貫通孔25的位置從所設計之位置而偏移的情形作抑制。
本變形例之蒸鍍遮罩20，較理想，係至少在有效部21處，並不具備有金屬層27以外之構成要素。例如，蒸鍍遮罩20之第1面20a以及第2面20b，係均藉由金屬層27所構成。藉由此，係能夠對起因於使用有相異之材料一事而在溫度變化時於蒸鍍遮罩20處產生彎曲或撓折的情形作抑制。
另外，雖係針對相對於上述之實施形態之數個的變形例來作了說明，但是，當然的，係亦可將複數之變形例適宜作組合並作適用。 [實施例]
接著，根據實施例來對於本發明之實施形態作更具體性之說明，但是，在不脫離本發明之要旨的前提下，本發明之實施形態係並不被限定於以下之實施例的記載。
(實施例1) 藉由鍍敷處理，而製作了圖9中所示之具備有第1金屬層32以及第2金屬層37之蒸鍍遮罩20。鍍敷處理中，係使用具備有與圖案基板50中之對應於有效部21之外周區域22的部分相重疊之遮蔽部61和與圖案基板50中之對應於有效部21之中央區域23的部分相重疊之貫通部62之遮蔽板60，來進行了鍍敷液之供給。
蒸鍍遮罩20之全體的尺寸以及各部分的尺寸，係如同下述一般。 ・蒸鍍遮罩20之長度：870mm ・蒸鍍遮罩20之寬幅：66.5mm ・在第1方向D1上之有效部21之尺寸：112.8mm ・在第2方向D2上之有效部21之尺寸：63.5mm ・在有效部21處之貫通孔25之開口率：20％～60％、例如39％ ・在第1面20a處之貫通孔25之開口尺寸S1：29μm ・在第2面20b處之貫通孔25之開口尺寸S2：34μm 另外，所謂開口率，係指相對於有效部21全體之面積的貫通孔25之面積的比例。
接著，對於有效部21之厚度作了測定。具體而言，係如同上述之圖4中所示一般，將有效部21假想性地分割成9個的區域，並在9個的區域之各者的9個場所處、亦即是在合計81個場所處，對於有效部21之厚度作了測定。又，係將9個的區域中之與外框部24相接之8個的區域處之合計72個場所處之厚度的測定結果之平均值以及標準差，作為外周區域22之厚度的平均值T1以及標準差σ1來算出。又，係將在被構成外周區域22之8個的區域所包圍之1個的區域處之合計9個場所之厚度的測定結果之平均值，作為中央區域23之厚度的平均值T2來算出。將結果展示於圖23中。
以下，針對有效部21之厚度之測定方法作說明。首先，將蒸鍍遮罩20之一部分切斷而製作了樣本。樣本，係具備有長邊150mm、短邊80mm之矩形的形狀。樣本，係至少包含有1個的有效部21。接著，將樣本載置在貼附於厚度0.7mm之玻璃板上的黑色之GELPOLY SHEET之上，而將樣本作了固定。作為GELPOLY SHEET，係使用了PANAC股份有限公司製之GPH100E82A04。
之後，在被包含於樣本中之1個的有效部21之上述之81個場所處，進行了厚度的測定。作為用以對於厚度作測定之測定器，係使用了KEYENCE股份有限公司製之雷射顯微鏡VK-8500。具體性的測定條件，係如同下述一般。 RUN MODE：黑白超深度 測定節距：0.05μm 對物倍率：100倍
接著，對於有效部21之外周區域22之貫通孔25之位置的從設計值起之偏移作了評價。作為用以檢測出貫通孔25之位置的裝置，係使用了SINTO S-PRECISION股份有限公司製之大型自動2維座標測定機AMIC-1710D。評價對象之貫通孔25的數量，係設為15。在圖23中，對於從設計值起之偏移量的最大值作展示。
(實施例2～6) 除了鍍敷處理之條件為相異之外，與實施例1之情況相同的，藉由鍍敷處理來製作了蒸鍍遮罩20。又，係與實施例1之情況相同的，來對於有效部21之厚度作了測定。又，係與實施例1之情況相同的，在實施例2～6之蒸鍍遮罩20中，對於有效部21之外周區域22之貫通孔25之位置的從設計值起之偏移作了評價。將結果展示於圖23中。
(比較例1～3) 除了在鍍敷處理中係並未使用遮蔽板60之外，與實施例1之情況相同的，藉由鍍敷處理來製作了比較例1之蒸鍍遮罩20。又，除了在鍍敷處理中係並未使用遮蔽板60之外，與實施例3之情況相同的，藉由鍍敷處理來製作了比較例2之蒸鍍遮罩20。又，除了在鍍敷處理中係並未使用遮蔽板60之外，與實施例5之情況相同的，藉由鍍敷處理來製作了比較例3之蒸鍍遮罩20。又，係與實施例1之情況相同的，在比較例1～3之蒸鍍遮罩20中，對於有效部21之外周區域22之貫通孔25之位置的從設計值起之偏移作了評價。將結果展示於圖23中。
如同圖23中所示一般，在使用遮蔽板60來進行了鍍敷液之供給的實施例1～6中，中央區域23之厚度的平均值T2，係較外周區域22之厚度的平均值T1而更大。另一方面，在並不使用遮蔽板60地來進行了鍍敷液之供給的比較例1～3中，中央區域23之厚度的平均值T2，係與外周區域22之厚度的平均值T1相同。如此這般，藉由使用遮蔽板60來進行鍍敷液之供給，係能夠將中央區域23之厚度的平均值T2設為較外周區域22之厚度的平均值T1而更大。
如同圖23中所示一般，在實施例1～6中，相較於比較例1～3，貫通孔25之位置的偏移量之最大值係為小。可以說，將中央區域23之厚度的平均值T2設為較外周區域22之厚度的平均值T1而更大一事，在將貫通孔25之位置的偏移量降低一事上係為有效。
在實施例1、3以及5中，以下之關係式係成立。 T1＜T2・・・(4) 3σ1＜T2／2・・・(5) 另一方面，在實施例2、4以及6中，係並未滿足上述之關係式(4)、(5)。在實施例1、3以及5中，係使用構成為會使在對應於外周區域22的區域處之鍍敷液的流動相較於實施例2、4以及6的情況而成為更加均勻的遮蔽板60，來進行了鍍敷液之供給。具體而言，在實施例1、3以及5中，遮蔽板60之貫通部62的壁面之基材51側之端部，係如同圖24中所示一般，包含有相對於基材51之法線方向而有所傾斜的傾斜面64。因此，可以想見，係能夠對於在通過了貫通部62之後而於基材51上朝向與外周區域22相對應之區域流動的鍍敷液之流速的參差作抑制，而能夠將外周區域22之厚度的標準差σ1縮小。
在實施例1、3以及5中，貫通孔25之位置的偏移量之最大值係為5μm以下。另一方面，在實施例2、4以及6中，貫通孔25之位置的偏移量之最大值係超過5μm。以會滿足上述之關係式(4)、(5)的方式來構成有效部21之外周區域22以及中央區域23一事，係能夠成為對於將貫通孔25之位置的偏移量降低一事而言的有用之指標。
另外，作為用以使在對應於外周區域22之區域處的鍍敷液之流動成為均勻的方法，除了上述一般之在遮蔽板60之貫通部62之壁面的端部處設置傾斜面64一事以外，係亦可考慮有各種之方法。例如，係可考慮對於基板51與遮蔽板60之間之距離作調整。若是基材51與遮蔽板60之間的距離越大，則鍍敷液係成為越容易對於基材51中之並未與遮蔽板60相重疊之區域作供給，而能夠對於朝向與外周區域22相對應之區域流動的鍍敷液之流速的參差作抑制。另一方面，若是基材51與遮蔽板60之間的距離變得過大，則遮蔽板60之抑制對於外周區域22之鍍敷液之供給的效果係會變差。故而，基板51與遮蔽板60之間之距離，較理想，係在會滿足上述之關係式(4)、(5)的範圍內來適當地作調整。
10‧‧‧蒸鍍遮罩裝置 15‧‧‧框架 20‧‧‧蒸鍍遮罩 21‧‧‧有效部 22‧‧‧外周區域 23‧‧‧中央區域 24‧‧‧外框部 25‧‧‧貫通孔 30‧‧‧第1開口部 31‧‧‧壁面 32‧‧‧第1金屬層 34‧‧‧凹陷部 35‧‧‧第2開口部 36‧‧‧壁面 37‧‧‧第2金屬層 41‧‧‧連接部 50‧‧‧圖案基板 51‧‧‧基材 52‧‧‧導電性圖案 60‧‧‧遮蔽板 61‧‧‧遮蔽部 62‧‧‧貫通部 90‧‧‧蒸鍍裝置 92‧‧‧有機EL基板 98‧‧‧蒸鍍材料 100‧‧‧有機EL顯示裝置
[圖1]係為對於具備有由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置的蒸鍍裝置作展示之圖。 [圖2]係為對於使用圖1中所示之蒸鍍遮罩裝置所製造出的有機EL顯示裝置作展示之剖面圖。 [圖3]係為對於由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩裝置作展示之平面圖。 [圖4]係為將蒸鍍遮罩之一部分作擴大展示之平面圖。 [圖5]係為從A-A方向來對於圖4之蒸鍍遮罩作了觀察的剖面圖。 [圖6]係為從B-B方向來對於圖4之蒸鍍遮罩作了觀察的剖面圖。 [圖7]係為對於施加在由本發明之其中一種實施形態所致之蒸鍍遮罩之有效部之外周區域處的力作示意性展示之平面圖。 [圖8]係為將蒸鍍遮罩之有效部作擴大展示之平面圖。 [圖9]係為從IX-IX方向來對於圖8之蒸鍍遮罩作了觀察的剖面圖。 [圖10]係為對於圖9之有效部的金屬層作擴大展示之剖面圖。 [圖11]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作說明之圖。 [圖12]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作說明之圖。 [圖13]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作說明之圖。 [圖14]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一例作說明之圖。 [圖15]係為對於鍍敷處理工程的其中一例作說明之圖。 [圖16]係為對於鍍敷處理工程的其中一例作說明之圖。 [圖17]係為對於鍍敷處理工程的其中一例作說明之圖。 [圖18]係為對於鍍敷處理工程的其他例作說明之圖。 [圖19]係為對於鍍敷處理工程的其他例作說明之圖。 [圖20]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一變形例作說明之圖。 [圖21]係為對於蒸鍍遮罩之製造方法的其中一變形例作說明之圖。 [圖22]係為對於蒸鍍遮罩之其中一變形例作展示之剖面圖。 [圖23]係為對於實施例1～6以及比較例1～3之評價結果作展示之圖。 [圖24]係為對於遮蔽板之其中一變形例作展示之剖面圖。 [圖25]係為對於將在組成分析中所使用的試料藉由樹脂來作了密封的狀態作展示之圖。 [圖26]係為對於藉由將以樹脂來作了密封的試料切斷所得到的測定用樣本之測定面作展示之圖。
20‧‧‧蒸鍍遮罩
21‧‧‧有效部
22‧‧‧外周區域
23‧‧‧中央區域
24‧‧‧外框部
25‧‧‧貫通孔
t1~t3‧‧‧厚度
D1‧‧‧第1方向

Claims (11)

  1. 一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係包含有金屬層，並為用以將蒸鍍材料蒸鍍在對象物上之蒸鍍遮罩，並且，係具備有：有效部，係包含被設置有複數之貫通孔之前述金屬層；和外框部，係包含有前述金屬層，並包圍前述有效部，前述有效部，係包含有：外周區域，係與前述外框部相接，並且包含有前述金屬層；和中央區域，係被前述外周區域所包圍，並且包含有具備較前述外周區域之前述金屬層而更大之厚度的前述金屬層，前述蒸鍍遮罩，係包含有第1面與第2面，該第1面，係為與前述對象物相對面之表面，前述第2面，係為位置在前述第1面之相反側之表面，前述蒸鍍遮罩之前述第1面以及前述第2面，係均為藉由從前述第1面起而至第2面地來在厚度方向而擴展之前述金屬層所構成。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之蒸鍍遮罩，其中，在將前述有效部沿著第1方向以及與前述第1方向相正交之第2方向而分別作3等分並將前述有效部假想性地分割 成9個的區域的情況時，與前述外框部相接之8個的區域，係構成前述外周區域，中央之1個的區域，係構成前述中央區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之蒸鍍遮罩，其中，在將前述外周區域之前述金屬層之厚度的平均值表現為T1，並將前述外周區域之前述金屬層之厚度的標準差表現為σ1，並且將前述中央區域之前述金屬層之厚度的平均值表現為T2的情況時，以下之關係式係成立：T1<T2 3σ1<T2/2。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述外周區域之前述金屬層之厚度的平均值T1以及標準差σ1，係藉由在構成前述外周區域之8個的區域之各者處而於9個場所對於厚度進行測定，來算出之，前述中央區域之前述金屬層之厚度的平均值T2，係藉由在構成前述中央區域之1個的區域之9個場所對於厚度進行測定，來算出之。
  5. 如申請專利範圍第1~4項中之任一項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述蒸鍍遮罩，係包含有位置於通過了前述貫通孔的蒸鍍材料所附著之基板之側處之第1面、和位置於前述第1 面之相反側處之第2面，在將前述貫通孔中之位置於前述第1面上之部分稱作第1開口部，並將前述貫通孔中之位置於前述第2面上之部分稱作第2開口部的情況時，於沿著前述第1面之法線方向來作了觀察的情況時，前述第2開口部之輪廓係包圍前述第1開口部之輪廓。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述金屬層，係包含有位置於前述第1面側處並被形成有前述第1開口部之第1金屬層、和位置於前述第2面側處並被形成有前述第2開口部之第2金屬層。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述第1金屬層以及前述第2金屬層，係身為鍍敷層。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述金屬層之前述貫通孔的在前述第1面之面方向上之尺寸，係隨著從前述第2面側起朝向前述第1面側而減少。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之蒸鍍遮罩，其中，前述金屬層係身為鍍敷層。
  10. 一種蒸鍍遮罩，其特徵為，係具備有： 有效部，係被設置有複數之貫通孔；和外框部，係包圍前述有效部，前述有效部，係包含有：外周區域，係與前述外框部相接；和中央區域，係被前述外周區域所包圍，並且具備較前述外周區域而更大之厚度，前述蒸鍍遮罩，係具備有沿著第1方向而並排之複數之前述有效部，在前述第1方向上之最為接近前述蒸鍍遮罩之端部的前述有效部之前述中央區域之厚度，係較在前述第1方向上之最為接近前述蒸鍍遮罩之中心的前述有效部之前述中央區域之厚度而更大。
  11. 一種蒸鍍遮罩之製造方法，其特徵為：前述蒸鍍遮罩，係具備有：有效部，係被設置有複數之貫通孔；和外框部，係包圍前述有效部，前述有效部，係包含有：外周區域，係與前述外框部相接；和中央區域，係被前述外周區域所包圍，並且具備較前述外周區域而更大之厚度，前述製造方法，係具備有：鍍敷處理工程，係經由包含遮蔽部以及貫通部之遮蔽板的前述貫通部來供給鍍敷液，並形成與前述遮蔽部相重 疊之前述外周區域、和與前述貫通部相重疊之前述中央區域。
TW107137678A 2017-10-27 2018-10-25 蒸鍍遮罩及蒸鍍遮罩之製造方法 TWI826396B (zh)

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