JP2023006792A - 蒸着マスク - Google Patents

Abstract

【課題】マスクパターンに生じる歪みを抑制した蒸着マスクを提供すること。【解決手段】蒸着マスクは、複数の開口部を有するマスク部と、前記マスク部を保持する保持枠と、前記マスク部と前記保持枠とを接続する接続部と、を有し、前記接続部は、第１膜厚で前記マスク部に接する第１部分と、前記第１膜厚よりも薄い第２膜厚で前記マスク部に接する第２部分と、を含む。前記第２部分は、前記第１部分よりも前記マスク部の内側に位置していてもよい。【選択図】図３Ｂ

Description

本発明の一実施形態は、蒸着マスクに関する。

通常、有機ＥＬ表示装置を製造する過程において、有機ＥＬ材料で構成される層（有機ＥＬ層）の形成には真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法では、被処理基板に対して蒸着マスクを近接させ、蒸着マスクを介して被処理基板に対して有機ＥＬ材料の蒸着を行う。蒸着マスクは、複数の開口部を有する。有機ＥＬ材料は、複数の開口を通過して被処理基板に到達するため、複数の開口部に対応する位置に選択的に有機ＥＬ層を形成することが可能となる。

蒸着マスクは、エッチングを用いて開口パターンを形成するファインメタルマスク（ＦＭＭ）と、電鋳（電気鋳造）技術を用いて開口パターンを形成するエレクトロファインフォーミングマスク（ＥＦＭ）とに分けられる。例えば、特許文献１には、高精細な開口パターンを有するマスク部を電鋳技術により形成し、形成されたマスク部を電鋳技術により枠体部に固定する方法が開示されている。

特開２０１７－２１０６３３号公報

上記従来技術では、金属板で構成される母型の上にマスクパターン（電鋳層）を形成し、マスクパターン上に枠体を接着した後、枠体とマスクパターンとを金属層を介して接続する。その後、マスクパターンから母型を剥離することにより、枠体とマスクパターンとが金属層を介して接続された蒸着マスクが完成する。しかしながら、マスクパターンから母型を剥離する際、薄膜状のマスクパターンと金属層とが接する領域近傍（すなわち、金属層の縁部近傍）に大きな垂直応力が生じる場合があり、マスクパターンに歪みを生じるおそれがあった。このようなマスクパターンに生じた歪みは、マスクパターンに設けられた開口部（蒸着孔）の位置ずれを招き、蒸着精度を低下させるおそれがあった。

本発明の一実施形態は、マスクパターンに生じる歪みを抑制した蒸着マスクを提供することを課題の一つとする。

本発明の一実施形態は、母型の剥離に起因するマスク部への歪みの発生を抑制することを課題の一つとする。

本発明の一実施形態における蒸着マスクは、複数の開口部を有するマスク部と、前記マスク部を保持する保持枠と、前記マスク部と前記保持枠とを接続する接続部と、を有し、前記接続部は、第１膜厚で前記マスク部に接する第１部分と、前記第１膜厚よりも薄い第２膜厚で前記マスク部に接する第２部分と、を含む。

第１実施形態の蒸着マスクの構成を示す平面図である。 第１実施形態における蒸着マスクの構成を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの一部を拡大した構成を示す平面図である。 図３ＡをＢ－Ｂ’線で切断した構成を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の変形例１における蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の変形例１における蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の変形例２における蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第１実施形態の変形例２における蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 第２実施形態の蒸着マスクの構成を示す平面図である。 第２実施形態における蒸着マスクの構成を示す断面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ～Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。

〈第１実施形態〉
［蒸着マスクの構成］
図１は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す平面図である。図２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す断面図である。具体的には、図２に示す断面図は、図１の線分Ａ－Ａ’に沿った断面を示している。図１及び図２に示すように、蒸着マスク１００は、電鋳（電気鋳造）により形成された薄膜状のマスク部１１０、マスク部１１０を保持する保持枠１２０、及びマスク部１１０と保持枠１２０とを接続する接続部１３０を有する。

マスク部１１０は、複数のパネル領域１１５を有する。有機ＥＬ材料を蒸着する際には、各パネル領域１１５に対して有機ＥＬ表示装置の表示領域が重なるように被蒸着基板（図示せず）が配置される。各パネル領域１１５には、複数の開口部１１１が、有機ＥＬ表示装置の画素ピッチに合わせて設けられている。マスク部１１０の開口部１１１以外の領域を非開口部１１２という。非開口部１１２は、各開口部１１１を囲む領域である。非開口部１１２は、各パネル領域１１５において、蒸着材料を遮蔽する部分に相当する。

蒸着時には、被蒸着基板における蒸着領域（薄膜を形成すべき領域）と開口部１１１とが重なり、被蒸着基板における非蒸着領域と非開口部１１２とが重なるように蒸着マスク１００と被蒸着基板の位置合わせが行われる。蒸着材料の蒸気が開口部１１１を通過して被蒸着基板に到達することにより、蒸着領域に蒸着材料が堆積して薄膜が形成される。

保持枠１２０は、平面視において、マスク部１１０の複数のパネル領域１１５を囲むように、マスク部１１０の外周に設けられる。つまり、保持枠１２０は、薄膜状のマスク部１１０を保持する部材として機能する。なお、図１では、保持枠１２０は、マスク部１１０の外周のみに設けられている。しかし、この例に限らず、保持枠１２０は、格子状に設けられてもよい。

接続部１３０は、マスク部１１０と保持枠１２０とを接続する部材である。本実施形態の蒸着マスク１００は、マスク部１１０と保持枠１２０とが接続部１３０を介して接続される。つまり、図２に示すように、マスク部１１０と保持枠１２０とは直接接続されていない。本実施形態において、接続部１３０は、マスク部１１０と接する部分が、相対的に膜厚の異なる少なくとも２つ以上の部分を有する。この点については、後述する。

上記構成において、マスク部１１０は、薄膜状のめっき層で構成される。本実施形態のマスク部１１０は、電気めっきにより形成された薄膜である。マスク部１１０の厚さｄ１は、例えば３μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下）である。本実施形態において、マスク部１１０の厚さは、５μｍとする。保持枠１２０は、例えばインバー（ｉｎｖａｒ）などの合金で構成される。インバー合金は、常温における熱膨張係数が小さいため、蒸着工程を通じて温度変化を生ずる環境にあって、マスク部１１０にストレスを与えにくいという利点を有する。保持枠１２０の厚さｄ２は、例えば０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下（好ましくは、０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下）である。本実施形態において、保持枠１２０の厚さは、１ｍｍとする。なお、図２には特に図示していないが、保持枠１２０は、単層で構成されても良いし、薄板材の積層で構成されてもよい。

本実施形態では、マスク部１１０、保持枠１２０及び接続部１３０を構成する金属材料として、いずれもインバー（ｉｎｖａｒ）を用いる。インバーは、ニッケル等に比べて常温および有機ＥＬ素子形成工程中の温度における熱膨張係数が小さく、ガラスの熱膨張係数に近い。そのため、蒸着マスク１００の構成材料をインバーとすることにより、後述する蒸着マスク１００の製造プロセスにおいて、マスク部１１０とガラス基板との間の熱膨張による影響を抑えることができる。また、蒸着時においても、蒸着マスクと被蒸着基板（通常、ガラス基板を用いる）との間の熱膨張によるずれが小さくなり、蒸着の位置精度が向上するという利点がある。ただし、この例に限らず、ガラスの熱膨張係数に近い係数を有する材料であれば、インバー以外の他の材料を用いてもよい。また、保持枠１２０は、マスク部１１０及び接続部１３０と異なる金属材料で構成してもよい。

［接続部１３０の構成］
図３Ａは、第１実施形態の蒸着マスク１００の一部を拡大した構成を示す平面図である。具体的には、図３Ａは、図１において枠線１０で囲まれた領域を拡大した拡大平面図に相当する。図３Ｂは、図３ＡをＢ－Ｂ’線で切断した構成を示す断面図である。図３Ａでは、説明の便宜上、後述する金属層１３０ｂのみにハッチングを施してある。

図３Ａ及び図３Ｂに示すように、本実施形態の接続部１３０は、金属層１３０ａ及び金属層１３０ｂで構成される。金属層１３０ｂは、金属層１３０ａに積層されている。より具体的には、金属層１３０ｂは、金属層１３０ａを覆うように設けられている。本実施形態において、金属層１３０ａ及び金属層１３０ｂは、同一の金属層で構成されるため、実質的には、金属層１３０ａと金属層１３０ｂとが一体化した構造体が接続部１３０として機能する。ただし、この例に限らず、金属層１３０ａ及び金属１３０ｂは、互いに異なる金属層で構成されていてもよい。

図３Ｂに示すように、接続部１３０は、金属層１３０ａによってマスク部１１０に接続される第１部分１３１と、金属層１３０ｂによってマスク部１１０に接続される第２部分１３２と、を有する。具体的には、第１部分１３１は、金属層１３０ａと金属層１３０ｂとの積層構造で構成され、第２部分１３２は、金属層１３０ｂで構成される。換言すれば、接続部１３０は、第１膜厚（金属層１３０ａの膜厚と金属層１３０ｂの膜厚との合計膜厚）でマスク部１１０に接する第１部分１３１と、第１膜厚よりも薄い第２膜厚（金属層１３０ｂの膜厚）でマスク部１１０に接する第２部分１３２と、を含む。他方、接続部１３０は、図３Ｂに示すように、金属層１３０ａによって保持枠１２０の側面に接続される。具体的には、接続部１３０は、上述の第１膜厚で保持枠１２０の側面に接する。

本実施形態では、接続部１３０のうち、マスク部１１０に接する部分が、互いに異なる膜厚を有する複数の部分で構成される。具体的には、マスク部１１０の端部に近い側に第１部分１３１が位置し、第１部分１３１よりもマスク部１１０の内側（パネル領域１１５に近い側）に第２部分１３２が位置する。このように、本実施形態では、接続部１３０の端部をマスク部１１０の内側に向かって段階的に薄くする。換言すれば、本実施形態では、平面視における金属層１３０ａとマスク部１１０との境界を覆うように、金属層１３０ａよりも膜厚の薄い金属層１３０ｂが設けられている。

つまり、蒸着マスク１００の物理的強度は、保持枠１２０において最も高く、マスク部１１０において最も低く、接続部１３０はその中間となる。このとき、保持枠１２０と接続部１３０との境界、及び接続部１３０とマスク部１１０との境界は、それぞれ一方と他方の部材の強度差が大きいため非常に破損しやすく、特に接続部１３０とマスク部１１０との境界で顕著である。

以上のように、本実施形態では、平面視において、金属層１３０ａの端部からパネル領域１１５の方に向かって金属層１３０ｂを延長することにより、接続部１３０の膜厚がマスク部１１０の内側に向かって段階的に薄くなる構造を実現することができる。このような構造とすることにより、金属層１３０ａの端部近傍においてマスク部１１０に生じる垂直応力を緩和することが可能となり、マスク部１１０に生じる歪みを低減することができる。すなわち、蒸着マスク１００の製造時における母型の剥離に起因するマスク部１１０への歪みの発生を抑制することができる。

図３Ｂの構造において、金属層１３０ｂの膜厚は、マスク部１１０を構成する金属層の膜厚に対し、５０％以上１００％以下に設定すればよい。例えば、マスク部１１０の膜厚が５μｍである場合、金属層１３０ｂの膜厚は、２．５μｍ以下５μｍ以下に設定すればよい。

また、本実施形態では、第２部分１３２の長さ（Ｘ）は、１０μｍ以上（好ましくは、２０μｍ以上、さらに好ましくは３０μｍ以上）に設定する。本発明者らの知見によれば、第２部分１３２の長さが長くなるほど垂直応力は低減されるが、第２部分１３２が３０μｍを超えると、垂直応力に変化が見られなかった。つまり、第２部分１３２の長さを３０μｍ以上とすれば十分に垂直応力を低減することができる。

［蒸着マスク１００の製造方法］
本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。図４～図１２は、本発明の第１実施形態の蒸着マスク１００の製造方法を示す図である。

まず、図４に示すように、基板２００の上に、シード層２１０及びレジストパターン２２０を形成する。本実施形態では、基板２００としてガラス基板を用いる。しかしながら、この例に限らず、基板２００として、金属基板又はセラミック基板を用いてもよい。

シード層２１０は、めっき層を成長させるために設けられる金属層である。本実施形態では、後述するめっき層２３０ａの材料としてニッケル合金（具体的には、インバー）を用いるため、シード層２１０として銅（Ｃｕ）を含む金属層を用いる。ただし、この例に限らず、シード層として機能し得る金属層であれば、他の金属層を用いてもよい。前述のように、基板２００として金属基板を用いる場合には、基板２００の表面に直接めっき層２３０ａを成長させることができるので、シード層２１０は設けなくてもよい。

シード層２１０は、スパッタ法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成すればよい。シード層２１０の厚さは、後述するめっき層２３０を成長させるために必要な導電性を確保できる厚さであればよい。例えば、シード層２１０の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲とすればよい。

レジストパターン２２０は、シード層２１０の上に感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストパターン２２０が形成される領域は、図１及び図２に示したマスク部１１０の複数の開口部１１１が設けられる領域に対応する。レジストパターン２２０は、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて形成してもよい。

次に、図５に示すように、レジストパターン２２０が配置されていない領域に、めっき層２３０を形成する。すなわち、めっき層２３０が形成される領域は、図１及び図２に示したマスク部１１０の非開口部１１２が設けられる領域に対応する。本実施形態では、めっき層２３０の形成前に、シード層２１０の表面に対し、離型剤による前処理を行う。離型剤としては、例えば、日本化学産業株式会社のニッカノンタック（登録商標）などを用いればよい。

本実施形態において、めっき層２３０は、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とする金属層である。本実施形態では、ニッケル合金の金属イオンを含む水溶液中で、シード層２１０に対して通電することにより電気めっきを行う。シード層２１０が通電されると、シード層２１０の表面にめっき層２３０が形成される。めっき層２３０の厚さは、電気めっきの時間を制御することにより調整することができる。本実施形態では、めっき層２３０の厚さは、３μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下）の範囲で調整する。具体的には、本実施形態において、めっき層２３０の厚さは、５μｍとする。本実施形態では、めっき層２３０をインバーで形成する例を示したが、この例に限らず、電気めっきに使用可能な材料であれば他の金属材料を用いてもよい。

めっき層２３０を形成したら、図６に示すように、レジストパターン２２０を除去する。レジストパターン２２０を除去することにより、めっき層２３０で構成されるマスクパターンが形成される。めっき層２３０で構成されるマスクパターンは、図１及び図２に示した非開口部１１２（すなわち、蒸着材料を遮蔽する遮蔽部）に対応する。レジストパターン２２０を除去することにより形成された領域は、図１及び図２に示した開口部１１１に対応する。したがって、図６に示した状態において、基板２００上には、最終的にマスク部１１０として機能するマスクパターンが形成される。図６において、開口部１１１及び非開口部１１２で構成され、マスクパターンとして機能する領域が、パネル領域１１５に対応する。

次に、図７に示すように、マスク部１１０の上にレジストパターン２４０を形成する。レジストパターン２４０は、マスク部１１０の上に感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストパターン２４０が形成される領域は、図３Ｂに示した金属層１３０ａが設けられる領域と保持枠１２０が配置される領域とを除いた領域である。レジストパターン２４０は、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて形成してもよい。

次に、図８に示すように、非開口部１１２の一部（マスク部１１０として使用しない部分）の上に、保持枠１２０を配置する。保持枠１２０は、図示しない接着層（例えば、未露光のドライフィルムレジストなど）の接着力を利用して、非開口部１１２の上に接着される。保持枠１２０は、図１に示すように、マスク部１１０を囲むように配置される。また、保持枠１２０の上面には、あらかじめマスクとして機能するレジストパターン２４２が設けられている。レジストパターン２４２は、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて形成してもよい。

次に、図９に示すように、レジストパターン２４０及び２４２が配置されていない領域に、金属層１３０ａが形成される。金属層１３０ａは、電気めっきを用いて形成される。具体的には、金属層１３０ａは、保持枠１２０、非開口部１１２及びシード層２１０をシード層として、レジストパターン２４０及び２４２の配置されていない領域に選択的に形成される。そのため、図９に示すように、保持枠１２０の側面からマスク部１１０に跨って金属層１３０ａが形成される。

本実施形態では、金属層１３０ａが保持枠１２０の側面からマスク部１１０の上に至るまで連続的に形成される。これにより、保持枠１２０とマスク部１１０とを金属層１３０ａを介して接続することができる。マスク部１１０のうち金属層１３０ａと重畳する部分に設けられた開口部１１１は、マスク部１１０と保持枠１２０とを物理的に分断する役割、及び、マスク部１１０と金属層１３０ａとの密着性を向上させる役割を有する。

本実施形態において、金属層１３０ａは、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とするめっき層（金属層）により形成される。本実施形態では、金属層１３０ａの厚さを５０μｍ以上２００μｍ以下の範囲で調整する。本実施形態では、金属層１３０ａをインバーで形成する例を示したが、この例に限らず、電気めっきに使用可能な材料であれば他の金属材料を用いてもよい。

第１金属層１３０ａを形成したら、レジストパターン２４０及び２４２を除去する。その後、図１０に示すように、新たにレジストパターン２４４を形成する。レジストパターン２４４は、感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストパターン２４４が形成される領域は、図３Ｂに示した金属層１３０ｂが設けられる領域を除いた領域である。具体的には、マスク部１１０の一部の上と保持枠１２０の上である。レジストパターン２４４は、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いて形成してもよい。

このとき、図１０に示すように、金属層１３０ａの端部とレジストパターン２４４の端部との間に距離Ｘのスペースを空けておく。このスペースは、図３Ｂに示した第２部分１３２を形成するための領域である。距離Ｘは、１０μｍ以上（好ましくは、２０μｍ以上、さらに好ましくは３０μｍ以上）であればよい。

次に、図１１に示すように、レジストパターン２４４が配置されていない領域に、金属層１３０ｂが形成される。金属層１３０ｂは、電気めっきを用いて形成される。具体的には、金属層１３０ｂは、金属層１３０ａ及び非開口部１１２の一部（レジスト２４４に覆われていない領域）をシード層として選択的に形成される。そのため、図１１に示すように、金属層１３０ａを覆うように金属層１３０ｂが形成される。また、金属層１３０ｂの端部は、直接的に非開口部１１２と接する。これにより、図３Ｂを用いて説明した第２部分１３２に対応する部分が形成される。

本実施形態において、金属層１３０ｂは、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とするめっき層（金属層）により形成される。本実施形態では、金属層１３０ａの厚さを２．５μｍ以上５μｍ以下の範囲で調整する。本実施形態では、金属層１３０ｂをインバーで形成する例を示したが、この例に限らず、電気めっきに使用可能な材料であれば他の金属材料を用いてもよい。

金属層１３０ｂを形成したら、図１２に示すように、レジストパターン２４４を除去した後、基板２００を除去する。具体的には、吸着等により保持枠１２０を固定した後、機械的に基板２００をマスク部１１０、保持枠１２０及び接続部１３０から剥離することにより、基板２００を除去する。このとき、基板２００と共に、シード層２１０及びマスク部１１０の一部（保持枠１２０と重畳する非開口部１１２）が除去される。

本実施形態では、枠線２０で囲まれた領域に示すように、金属層１３０ａの端部を覆うように金属層１３０ｂが設けられている。そのため、基板２００を剥離する際に枠線２０で囲まれた領域に生じる垂直応力を低減することができる。

以上の製造プロセスを経て、図１３に示す断面構造を有する蒸着マスク１００が完成する。図１３に示すように、本実施形態の蒸着マスク１００は、薄膜状のマスク部１１０が、保持枠１２０に対して接続部１３０を介して接続された構造を有する。このとき、接続部１３０は、金属層１３０ａと金属層１３０ｂとの積層構造で構成される第１部分１３１と、金属層１３０ｂのみで構成される第２部分１３２と、を含む。すなわち、本実施形態では、接続部１３０におけるマスク部１１０側の端部に、他の部分よりも膜厚の薄い部分を設ける。

本実施形態では、上述の構造とすることにより、基板２００を剥離する際に、接続部１３０の端部近傍でマスク部１１０に生じる垂直応力を緩和することができ、基板２００の剥離に起因するマスク部１１０への歪みの発生を抑制することができる。このように、本実施形態によれば、マスクパターンに生じる歪みを抑制した蒸着マスクを提供することができる。

〈変形例１〉
第１実施形態では、互いに膜厚の異なる金属層１３０ａ及び１３０ｂを用いて接続部１３０を形成する例を示したが、この例に限らず、単一の金属層を用いて接続部１３０を形成することも可能である。本変形例では、単一のめっき層を用いて接続部１３０を形成する例について説明する。説明に使用する図面に関し、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。

図１４及び図１５は、本発明の第１実施形態の変形例１における蒸着マスク１００の構成を示す断面図である。

第１実施形態と同様の手順で図９に示す状態を得る。すなわち、マスク部１１０と保持枠１２０との間に電気めっきにより接続部１３０を形成する。接続部１３０を形成したら、レジストパターン２４０を除去した後、図１４に示すように、レジストパターン２４６を形成する。レジストパターン２４６は、感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストパターン２４６が形成される領域は、図３Ｂに示した第２部分１３２に対応する領域を除く領域である。

レジストパターン２４６を形成した後、当該レジストパターン２４６マスクとして、接続部１３０の端部に対してエッチング処理を行い、接続部１３０の端部（マスク部１１０に近い側の端部）を局所的に薄膜化する。この処理は、いわゆるハーフエッチング処理である。ハーフエッチング処理が終了したら、レジストパターン２４６を除去して、図１５に示す状態を得る。

図１５に示すように、本変形例１の接続部１３０ｃは、単一の金属層（めっき層）で構成され、第１膜厚でマスク部１１０に接する第１部分１３１と、第１膜厚よりも薄い第２膜厚でマスク部１１０に接する第２部分１３２と、を含む。このように、本変形例１の接続部１３０ｃは、第１実施形態と同様に、膜厚がマスク部１１０の内側に向かって段階的に薄くなる構造を有する。したがって、接続部１３０ｃの端部近傍においてマスク部１１０に生じる垂直応力を緩和することが可能となり、マスク部１１０に生じる歪みを低減することができる。

〈変形例２〉
第１実施形態では、金属層１３０ａを形成した後、レジストパターン２４０を除去し、新たにレジストパターン２４４を形成する例を示した。しかし、この例に限らず、図１０に示したプロセスにおいて、金属層１３０ａの形成に用いたレジストパターン２４０を再利用することも可能である。本変形例では、レジストパターン２４０を用いて金属層１３０ｂを形成する例について説明する。説明に使用する図面に関し、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。

図１６及び図１７は、本発明の第１実施形態の変形例２における蒸着マスク１００の構成を示す断面図である。

第１実施形態と同様の手順で図９に示す状態を得たら、レジストパターン２４０に対してエッチング処理を行い、レジストパターン２４０の端部を距離Ｘだけ後退させる。エッチバック処理による後退量は、図３Ｂに示した第２部分１３２に対応する長さ（Ｘ）である。このような処理は、エッチバック処理と呼ばれる。エッチバック処理としては、例えば、酸素雰囲気中におけるドライエッチング処理等が用いられる。このとき、保持枠１２０の上に設けられたレジストパターン２４２の端部も同様に後退するが、蒸着マスクとしての性能に大きな影響はない。

次に、後退させたレジストパターン２４０及び２４２を用いて電気めっきにより金属層１３０ｂを形成する。金属層１３０ｂを形成したら、レジストパターン２４０及び２４２を除去して、図１７に示す状態を得る。本変形例２によれば、金属層１３０ｂの形成の際に、あらたにレジストパターン２４４を形成する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。

（変形例３）
第１実施形態では、２層の金属層１３０ａ及び１３０ｂを用いて接続部１３０を形成する例を示したが。３層以上の金属層を用いて接続部１３０を形成してもよい。例えば、金属層１３０ａを２層以上の金属層で構成し、金属層１３０ｂを単層の金属層で構成してもよいし、金属層１３０ａ及び金属層１３０ｂのそれぞれを複数の金属層で構成してもよい。

また、３層以上の金属層を用いる場合において、接続部１３０の膜厚を３段階以上に変化させてもよい。例えば、図１１に示した状態を得た後、レジストパターン２４４を除去して新たなレジストパターンを形成する。このとき、新たなレジストパターンは、金属層１３０ｂ及び非開口部１１２の一部が露出するように配置される。その後、新たなレジストパターンをマスクとして３度目の電気めっきを行い、金属層１３０ｂを覆う３層目の金属層を形成してもよい。

本変形例のように、３層以上の金属層（めっき層）を用いることにより、接続部１３０の膜厚を３段階以上に変化させることができ、接続部１３０の端部（マスク部１１０側の端部）における膜厚の変化をさらに緩やかにすることができる。これにより、基板２００を剥離する際に生じる垂直応力を緩和する性能がさらに向上する。

〈第２実施形態〉
本実施形態では、第１実施形態とは異なる構成の蒸着マスク１００Ａについて説明する。図１８は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す平面図である。図１９は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す断面図である。本実施形態の蒸着マスク１００Ａは、保持枠１２０及び接続部１３０の配置が異なる以外は第１実施形態の蒸着マスク１００と同様の構造を有している。したがって、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。

図１８及び図１９に示すように、蒸着マスク１００Ａは、保持枠１２０が、マスク部１１０の上に格子状に設けられている。すなわち、格子状に設けられた保持枠１２０によってマスク部１１０が支持される。第１実施形態と同様に、マスク部１１０は、接続部１３０を介して保持枠１２０に接続される。また、接続部１３０は、図１９に示すように、金属層１３０ａ及び金属層１３０ｂを用いて構成され、パネル領域１１５に近い側の端部は、他の部分より膜厚が薄くなっている。接続部１３０の具体的な構成については、第１実施形態と同様である。

以上のように、本実施形態では、保持枠１２０として、矩形状の金属部材を用いるのではなく、格子状の金属部材を用いる。そのため、本実施形態の蒸着マスク１００Ａは、第１実施形態よりも安定してマスク部１１０を支持することが可能である。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００、１００Ａ…蒸着マスク、１１０…マスク部、１１１…開口部、１１２…非開口部、１１５…パネル領域、１２０…保持枠、１３０…接続部、１３０ａ、１３０ｂ、１３０ｃ…金属層、１３１…第１部分、１３２…第２部分、２００…基板、２１０…シード層、２２０、２４０、２４２、２４６…レジストパターン

Claims (10)

1. 複数の開口部を有するマスク部と、
   前記マスク部を保持する保持枠と、
   前記マスク部と前記保持枠とを接続する接続部と、
   を有し、
   前記接続部は、第１膜厚で前記マスク部に接する第１部分と、前記第１膜厚よりも薄い第２膜厚で前記マスク部に接する第２部分と、
   を含む、蒸着マスク。
2. 前記第２部分は、前記第１部分よりも前記マスク部の内側に位置する、請求項１に記載の蒸着マスク。
3. 平面視において、前記第２部分の幅は、１０μｍ以上である、請求項１に記載の蒸着マスク。
4. 前記接続部は、前記第１膜厚で前記保持枠の側面に接する、請求項１に記載の蒸着マスク。
5. 前記接続部は、第１金属層及び前記第１金属層に積層された第２金属層で構成される、請求項１に記載の蒸着マスク。
6. 前記第１部分は、前記第１金属層及び前記第２金属層の積層構造で構成され、
   前記第２部分は、前記第１金属層で構成される、請求項５に記載の蒸着マスク。
7. 前記第１金属層及び前記第２金属層は、めっき層である、請求項５又は６に記載の蒸着マスク。
8. 前記第１金属層及び前記第２金属層は、同一の金属層である、請求項５又は６に記載の蒸着マスク。
9. 前記マスク部は、めっき層で構成される、請求項１に記載の蒸着マスク。
10. 前記マスク部は、前記接続部を介して前記保持枠に接続される、請求項１に記載の蒸着マスク。

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