JP2021143359A - メタル蒸着マスクユニットの作製方法 - Google Patents
メタル蒸着マスクユニットの作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021143359A JP2021143359A JP2020041192A JP2020041192A JP2021143359A JP 2021143359 A JP2021143359 A JP 2021143359A JP 2020041192 A JP2020041192 A JP 2020041192A JP 2020041192 A JP2020041192 A JP 2020041192A JP 2021143359 A JP2021143359 A JP 2021143359A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vapor deposition
- deposition mask
- resist film
- support substrate
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 144
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 91
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 91
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 62
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000952 Be alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
本作製方法によって作製される蒸着マスクユニット100は、有機化合物、無機化合物、または有機化合物と無機化合物を含む膜を蒸着法によって形成する際、目的とする蒸着領域に選択的に膜を形成するために用いることができる。図1(A)と図1(B)に、蒸着による膜形成の際に用いられる典型的な蒸着装置の模式的上面図と側面図を示す。蒸着装置は、種々の機能を有する複数のチャンバーで構成される。チャンバーの一つが図1(A)に示す蒸着チャンバー160であり、蒸着チャンバー160は、隣接するチャンバーとロードロック扉162で仕切られ、内部が高真空の減圧状態、あるいは窒素やアルゴンなどの不活性ガスで満たされた状態が維持されるよう構成される。したがって、図示しない減圧装置やガス吸排気機構などが蒸着チャンバー160に接続される。
蒸着マスクユニット100の上面模式図を図2に、図2の鎖線A−A´に沿った断面模式図を図3に示す。蒸着マスクユニット100は少なくとも一つ、または複数の蒸着マスク102を有する。以下の説明では、一つの蒸着マスクユニット100が複数の蒸着マスク102を有する例を用いて説明する。図2、図3では、6枚の蒸着マスク102を含む蒸着マスクユニット100が示されている。
蒸着マスクユニット100の作製方法の一例を図5(A)から図18(B)を用いて説明する。
3−1.剥離層の形成
まず、蒸着マスク102を形成するための平坦な面を形成する。具体的には、第1の支持基板130上に、レジストマスク132を形成する(図5(A))。
次に、剥離層134上に、レジストマスク144を形成する。レジストマスク144は、複数の開口102a、および後述するダミーパターン106を形成する領域に選択的に島状に形成される。具体的には、ネガ型またはポジ型のレジスト142を剥離層134上に形成し(図8(A))、フォトマスクを介する露光、現像によってレジストマスク144が形成される(図8(B))。レジスト142は液体でもよく、レジストフィルムでもよい。なお、レジストマスク144の形成は、後述する剥離工程において剥離層134を蒸着マスクユニット100から容易に剥離することができるよう、剥離層134の外縁部にも形成することが好ましい。
後述するように、蒸着マスク102上には支持フレーム110が配置され、その後めっき法によって接続部120が形成されることで蒸着マスク102と支持フレーム110が互いに固定される。したがって、接続部120の形成の際に開口102aに金属がめっきされることを防ぐため、複数のレジストマスク148を用いて開口102aを保護する。
支持フレーム110は、金属板112をエッチング加工することで形成される。具体的には、ニッケルや鉄、コバルト、クロム、マンガンなどを含む金属または合金を含む金属板112上にレジスト152を形成し、フォトマスク156を介して露光し(図14(A))、引き続く現像によってレジストマスク154を形成する(図14(B))。レジスト152は液体のレジストでもよく、フィルム状のレジストでもよい。また、レジスト152はネガ型でもポジ型でもよい。ネガ型の場合には、図14(A)に示すように、支持フレーム110が形成される領域に透光部156bが重なり、エッチングによって除去する領域、すなわち、窓110aを形成する領域に遮光部156aが重なるよう、フォトマスク156を構成、配置すればよい。この後、レジストマスク154で覆われた領域以外を現像によって除去することにより、支持フレーム110が得られる(図14(C))。レジストマスク154はその後、剥離液および/またはアッシングによって除去される。
次に、支持フレーム110を支持基板138上に配置する。具体的には、第1のダミーパターン106−1と第2のダミーパターン106−2と重なるように、剥離層134を介して蒸着マスク102を第2の支持基板138上に配置する(図15(A)、図16(A))。すなわち、一つの窓110aが複数の開口102aと一つのレジストマスク148と重なるように支持フレーム110が配置される。この時、支持フレーム110に接着剤158を設け、接着剤158によって支持フレーム110を第1のダミーパターン106−1と第2のダミーパターン106−2に接着してもよい。接着剤158としては、例えばアクリル系接着剤やエポキシ系接着剤でもよく、あるいはレジストフィルム146と同様のレジストフィルムを用いてもよい。レジストフィルムを用いる場合には、その厚さはレジストフィルム146の厚さよりも小さくてもよい。具体的には、1μm以上20μm以下、または1μm以上10μm以下の範囲から接着剤158としてのレジストフィルムの厚さを選択することができる。レジストフィルムを接着剤158として用いる場合、接着力を維持するため、レジストフィルムは露光しなくてもよい。
その後、レジストマスク148を剥離液を用いるエッチングによって除去する(図17(A)、図18(A))。この時、保護膜159も除去される。さらに、第2の支持基板138と剥離層134を順次剥離する。接着剤158を剥離層134の剥離と同時に、または剥離層134の剥離後に除去することで、接着剤158とともに第1のダミーパターン106−1と第2のダミーパターン106−2が除去される(図17(B)、図18(B))。
Claims (13)
- 第1の支持基板上にレジストフィルムを配置すること、
前記レジストフィルム上に剥離層を形成すること、
前記レジストフィルムの側面から内側に向かって前記レジストフィルムを露光すること、
複数の開口を有する少なくとも一つの蒸着マスクを前記剥離層上に形成すること、
少なくとも一つの窓を有する支持フレームを、前記少なくとも一つの窓が前記少なくとも一つの蒸着マスクの前記複数の開口と重なるように、前記剥離層上に配置すること、および
前記少なくとも一つの蒸着マスクと前記支持フレームを互いに固定する接続部をめっき法によって形成することを含む、蒸着マスクユニットを製造する方法。 - 前記露光は光源を用いて行われ、
前記露光は、前記光源から照射される最大強度を有する光の進行方向が前記側面を通過するように行われる、請求項1に記載の方法。 - 前記光源は、紫外光を照射するように構成される、請求項2に記載の方法。
- 前記露光は、前記光源を前記レジストフィルムの外周に沿って移動させながら行われる、請求項2に記載の方法。
- 前記剥離層は、第2の支持基板上に金属層を含む薄膜として形成され、
前記方法はさらに、
前記剥離層と前記レジストフィルムが互いに接触するように、前記第1の支持基板と前記第2の支持基板を貼り合わすこと、
前記第1の支持基板を剥離することで前記剥離層を前記第2の支持基板上に転置することを含む、請求項1に記載の方法。 - 前記第1の支持基板と前記第2の支持基板を貼り合わす前に、前記レジストフィルムを前記レジストフィルムの上面から露光することをさらに含み、
前記レジストフィルムの前記露光は、前記レジストフィルムが可撓性を維持するように行われる、請求項5に記載の方法。 - 前記レジストフィルムの前記露光の前に、前記レジストフィルムのうち、前記剥離層から露出する部分を除去することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記支持フレームの前記配置の前に、前記複数の開口を覆う第2のレジストマスクを前記少なくとも一つの蒸着マスク上に形成することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接続部は、前記第2のレジストマスクと重ならないように形成される、請求項8に記載の方法。
- 前記少なくとも一つの蒸着マスクは複数の蒸着マスクを含み、
前記少なくとも一つの窓は複数の窓を含み、
前記支持フレームの前記配置は、前記複数の窓のそれぞれが、対応する前記蒸着マスクの前記複数の開口と重なるように行われる、請求項1に記載の方法。 - 第1の金属板と、
前記第1の金属板上の光硬化性の粘着層と、
前記粘着層上の金属層と、を有し、
前記粘着層は前記第1の金属板の側面と前記金属層の側面から露出し、硬化されている支持基板。 - 前記硬化は、前記粘着層の側面に対して配置された光源からの露光により行われ、
前記露光は、光源から照射される最大強度を有する光の進行方向が前記粘着層の側面と交差するように行われる、請求項11に記載の支持基板。 - 前記粘着層は、紫外光によって硬化する樹脂を含む、請求項11に記載の支持基板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041192A JP7561504B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 蒸着マスクユニットの作製方法 |
PCT/JP2021/006307 WO2021182072A1 (ja) | 2020-03-10 | 2021-02-19 | メタル蒸着マスクユニットの作製方法 |
CN202180017957.5A CN115210402B (zh) | 2020-03-10 | 2021-02-19 | 金属蒸镀掩模单元的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041192A JP7561504B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 蒸着マスクユニットの作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021143359A true JP2021143359A (ja) | 2021-09-24 |
JP7561504B2 JP7561504B2 (ja) | 2024-10-04 |
Family
ID=77671677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041192A Active JP7561504B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 蒸着マスクユニットの作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7561504B2 (ja) |
CN (1) | CN115210402B (ja) |
WO (1) | WO2021182072A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023006792A (ja) * | 2021-06-30 | 2023-01-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61222127A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-10-02 | Sharp Corp | サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 |
JP2011077480A (ja) | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Nikon Corp | 反射型マスク、露光装置及び露光方法並びにデバイス製造方法 |
WO2020009088A1 (ja) * | 2018-07-03 | 2020-01-09 | 大日本印刷株式会社 | マスク及びその製造方法 |
-
2020
- 2020-03-10 JP JP2020041192A patent/JP7561504B2/ja active Active
-
2021
- 2021-02-19 CN CN202180017957.5A patent/CN115210402B/zh active Active
- 2021-02-19 WO PCT/JP2021/006307 patent/WO2021182072A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115210402B (zh) | 2024-10-18 |
CN115210402A (zh) | 2022-10-18 |
WO2021182072A1 (ja) | 2021-09-16 |
JP7561504B2 (ja) | 2024-10-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101880371B1 (ko) | 쉐도우 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법 | |
CN213232465U (zh) | 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置以及中间体 | |
US20130084531A1 (en) | Method of producing organic electroluminescence display device | |
WO2021182072A1 (ja) | メタル蒸着マスクユニットの作製方法 | |
JP2019509395A (ja) | ダブル電鋳によって形成されたテーパ状開口部を有するシャドウマスク | |
TW201739939A (zh) | 具有由使用正/負光阻劑的雙電鑄所形成的錐形開口的陰影遮罩 | |
US20060183029A1 (en) | Method for producing a mask arrangement and use of the mask arrangement | |
CN114381686A (zh) | 蒸镀掩模单元及其制造方法 | |
KR102595166B1 (ko) | 증착 마스크 유닛의 제작 방법 | |
JP2021143358A (ja) | 蒸着マスクユニットの作製方法 | |
KR102008057B1 (ko) | 펠리클 제조방법 | |
JP7332301B2 (ja) | 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 | |
US11508908B2 (en) | Substrate etching method for manufacturing mask | |
US20040096753A1 (en) | Mask for laser irradiation, method of manufacturing the same, and apparatus for laser crystallization using the same | |
WO2021044718A1 (ja) | 蒸着マスク | |
JP2003156836A (ja) | フォトマスク構造体、露光方法及び露光装置 | |
CN112481581A (zh) | 蒸镀掩模和蒸镀掩模的制造方法 | |
KR102672615B1 (ko) | 증착 마스크의 제조 방법 | |
JP4054850B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス露光装置の製造方法 | |
JP5009352B2 (ja) | 透明導電膜を有する基板の製造方法、レーザパターニング装置およびパターニング方法 | |
CN116031308A (zh) | 一种氧化物tft及其保护层的制造方法 | |
KR20130006739A (ko) | 펠리클 프레임이 접착될 부착홈을 구비한 블랭크 마스크 및 제조 방법, 포토마스크 제조 방법 | |
JP2008021953A (ja) | 回路パターン形成方法 | |
JPS63246745A (ja) | ホトマスクの作製方法 | |
JP2002373780A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス露光装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230308 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240416 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240612 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240903 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240924 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7561504 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |