JPS61222127A - サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法Info
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- JPS61222127A JPS61222127A JP5647385A JP5647385A JPS61222127A JP S61222127 A JPS61222127 A JP S61222127A JP 5647385 A JP5647385 A JP 5647385A JP 5647385 A JP5647385 A JP 5647385A JP S61222127 A JPS61222127 A JP S61222127A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はホトレジストを用いたサブミクロンパターンの
形成方法に関し、更に詳細には通常の光露光法を用いて
サブミクロンパターンを形成する方法に関するものであ
る。
形成方法に関し、更に詳細には通常の光露光法を用いて
サブミクロンパターンを形成する方法に関するものであ
る。
〈発明の概要〉
本発明は通常の光露光法を用いたホトレジストパターン
形成方法において、予め形成したホトレジストパターン
に遠紫外線を照射することにより、ホトレジストの側面
層を表面より所望のサブミクロン深さまで、まず硬化せ
しめ、次に、未硬化層のみを選択的に溶解除去すること
によって、上記のサブミクロン表面硬化層を残すように
したものである。
形成方法において、予め形成したホトレジストパターン
に遠紫外線を照射することにより、ホトレジストの側面
層を表面より所望のサブミクロン深さまで、まず硬化せ
しめ、次に、未硬化層のみを選択的に溶解除去すること
によって、上記のサブミクロン表面硬化層を残すように
したものである。
〈従来の技術〉
従来より、例えば波長が２２０ｎｍ以上の光露光技術−
ｃ”、４ミクロンホトレジストハターンの形成を直接性
なうことは困難であるため、一般にはより短かい波長が
得られる電子線露光技術がサブミクロンホトレジストパ
ターンの形成に用いられている 第２図（ａ）乃至伽）はこの従来の電子ビーム露光法に
よるサブミクロンホトレジストパターンの形成工程を示
す工程断面図であり、第２図（ａ）及び（ｂ）において
、１は基板、２はホトレジスト、３は電子線、２′は電
子線描画によって作成されたサブミクロンホトレジスト
パターンをそれぞれ示している。
ｃ”、４ミクロンホトレジストハターンの形成を直接性
なうことは困難であるため、一般にはより短かい波長が
得られる電子線露光技術がサブミクロンホトレジストパ
ターンの形成に用いられている 第２図（ａ）乃至伽）はこの従来の電子ビーム露光法に
よるサブミクロンホトレジストパターンの形成工程を示
す工程断面図であり、第２図（ａ）及び（ｂ）において
、１は基板、２はホトレジスト、３は電子線、２′は電
子線描画によって作成されたサブミクロンホトレジスト
パターンをそれぞれ示している。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら、上記第２図（ａ）及び（ｂ）に示した電
子線露光技術によるホトレジストパターン形成方法は、
光露光技術による方法に比べて機構的にスルーブツトが
低く、また装置も高価で、かつ保守が煩雑である等の問
題があり、当該装置を用いて作製される半導体素子等の
量産化及び低コスト化が困難である等の欠点がある。
子線露光技術によるホトレジストパターン形成方法は、
光露光技術による方法に比べて機構的にスルーブツトが
低く、また装置も高価で、かつ保守が煩雑である等の問
題があり、当該装置を用いて作製される半導体素子等の
量産化及び低コスト化が困難である等の欠点がある。
本発明は、上記の従来法に於ける欠点に鑑みて創案され
たものであり電子線露光技術を用いることなく、光露光
技術を用いて、間接的に一ミクロンオーダのホトレジス
トパターンを形成するサブミクロンホトレジストパター
ン形成方法を提供することを目的としている。
たものであり電子線露光技術を用いることなく、光露光
技術を用いて、間接的に一ミクロンオーダのホトレジス
トパターンを形成するサブミクロンホトレジストパター
ン形成方法を提供することを目的としている。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は通常の光露光法を用いたホトレジストパターン
形成方法において、予め形成したホトレジストパターン
に遠紫外線を照射することにより、ホトレジストの側面
層を表面より所望のサブミクロン深さまで硬化せしめる
工程と、次に未硬化層のみを選択的に溶解除去する工程
とを含むように構成している。
形成方法において、予め形成したホトレジストパターン
に遠紫外線を照射することにより、ホトレジストの側面
層を表面より所望のサブミクロン深さまで硬化せしめる
工程と、次に未硬化層のみを選択的に溶解除去する工程
とを含むように構成している。
く作 用〉
上記の如き構成により、遠紫外線を照射することによっ
て、ホトレジストの側面層を表面より所望のサブミクロ
ン深さまで硬化させたサブミクロ７表面硬化層が残され
ることになり、所望のサブミクロンホトレジストパター
ンが形成されることになる。
て、ホトレジストの側面層を表面より所望のサブミクロ
ン深さまで硬化させたサブミクロ７表面硬化層が残され
ることになり、所望のサブミクロンホトレジストパター
ンが形成されることになる。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。
第１図（ａ）乃至（ｅ）は本発明の一実施例としての光
露光法によるサブミクロンホトレジストパターンの形成
工程を示す工程断面を示す図である。
露光法によるサブミクロンホトレジストパターンの形成
工程を示す工程断面を示す図である。
同図において、１は基板、４及び６はホトレジスト、５
は遮光性中間層（Ａｔ）、７は遠紫外光線、４′はサブ
ミクロン厚さの光硬化ホトレジスト層である。
は遮光性中間層（Ａｔ）、７は遠紫外光線、４′はサブ
ミクロン厚さの光硬化ホトレジスト層である。
まず、第１図（ａ）に示すように基板１上にホトレジス
ト層（下層）４を形成し、その上に光を透過しない中間
層５（例えばアルミニウムにより形成した層）を形成し
、更にその上にホトレジスト層（上層）６を形成して、
ホトレジスト層４．中間層５．ホトレジスト層６から成
る３層構造のレジスト層を形成する。ここで、ホトレジ
スト層４及び６を形成するレジスト材としては紫外線に
感光し、遠紫外線を吸収するホトレジスト材（例えばノ
ボラック系レジスト）を用いた。
ト層（下層）４を形成し、その上に光を透過しない中間
層５（例えばアルミニウムにより形成した層）を形成し
、更にその上にホトレジスト層（上層）６を形成して、
ホトレジスト層４．中間層５．ホトレジスト層６から成
る３層構造のレジスト層を形成する。ここで、ホトレジ
スト層４及び６を形成するレジスト材としては紫外線に
感光し、遠紫外線を吸収するホトレジスト材（例えばノ
ボラック系レジスト）を用いた。
次に上層部レジスト６にパターンを形成し、このパター
ン化された上層部レジスト６をマスクとして中間層であ
るアルミニウム層５をエツチングする（第１図（ｂ））
。その後、全面露光及び現像を行ない、第１図（ｃ）に
示すようなアルミニウム／レジスト２層構造より成るパ
ターンを形成する（なお、上層部レジスト６は、この時
同時に現像除去される）。
ン化された上層部レジスト６をマスクとして中間層であ
るアルミニウム層５をエツチングする（第１図（ｂ））
。その後、全面露光及び現像を行ない、第１図（ｃ）に
示すようなアルミニウム／レジスト２層構造より成るパ
ターンを形成する（なお、上層部レジスト６は、この時
同時に現像除去される）。
然る後、全面に遠紫外線７を照射し、レジスト４の側壁
表面部４′を所望のサブミクロン厚さにわたって光硬化
させる（第１図（ｄ））。
表面部４′を所望のサブミクロン厚さにわたって光硬化
させる（第１図（ｄ））。
最後に、アルミニウム中間層５をウェットエツチングに
よって除去し、光硬化していない部分のレジスト４を有
機溶剤を用いて溶解する。この時光硬化層４′は、有機
溶剤に溶解することなく基板１上に残存し、最終的に必
要となる所望のサブミクロン長レジストパターンが基板
１上に形成されることになる。
よって除去し、光硬化していない部分のレジスト４を有
機溶剤を用いて溶解する。この時光硬化層４′は、有機
溶剤に溶解することなく基板１上に残存し、最終的に必
要となる所望のサブミクロン長レジストパターンが基板
１上に形成されることになる。
なお、形成したいパターン長、即ち光硬化層４′の横方
向の厚みは光照射量及び光照射角度によって調整するこ
とが可能であり、例えば第３図（ａ）に示すように遠紫
外線７をレジスト４の側壁表面部４′の層が深く硬化さ
れ、第３図缶）に示すように第１図（ｅ）に示した場合
よりも長いパターン長のレジストパターン４′が形成さ
れることになる。
向の厚みは光照射量及び光照射角度によって調整するこ
とが可能であり、例えば第３図（ａ）に示すように遠紫
外線７をレジスト４の側壁表面部４′の層が深く硬化さ
れ、第３図缶）に示すように第１図（ｅ）に示した場合
よりも長いパターン長のレジストパターン４′が形成さ
れることになる。
このように、本発明にしたがって形成されるレジストパ
ターン４′のパターン長は、遠紫外線の照射量及び照射
方向により、例えば０．２〜０．５μｍの範囲で任意に
制御することが出来る。
ターン４′のパターン長は、遠紫外線の照射量及び照射
方向により、例えば０．２〜０．５μｍの範囲で任意に
制御することが出来る。
〈発明の効果〉
いて、サブミクロンレジストパターンの加工が可能とな
るため、結果として素子の大幅な量産化、ならびに、低
価格化を図ることが出来る。
るため、結果として素子の大幅な量産化、ならびに、低
価格化を図ることが出来る。
第１図（ａ）乃至（ｅ）はそれぞれ本発明の一実施例と
しての光露光法によるサブミクロンホトレジストパター
ンの形成工程を示す工程断面図、第２図（ａ）乃至伽）
はそれぞれ従来の電子ビーム露光法によるサブミクロン
ホトレジストパターンの形成工程を示す工程断面図、第
３図（ａ）及び（ｂ）は本発明におけるレジストパター
ン長の制御方法の例を説明するための工程図である。 １・・・基板、４・・・下層部レジスト、５・・・遮光
性中間層、６・・・上層部レジスト、７・・・遠紫外光
線、４′・・・サブミクロン厚さの光硬化ホトレジスト
層〇代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（Ｃ）
（ｂ）（ｂ）
しての光露光法によるサブミクロンホトレジストパター
ンの形成工程を示す工程断面図、第２図（ａ）乃至伽）
はそれぞれ従来の電子ビーム露光法によるサブミクロン
ホトレジストパターンの形成工程を示す工程断面図、第
３図（ａ）及び（ｂ）は本発明におけるレジストパター
ン長の制御方法の例を説明するための工程図である。 １・・・基板、４・・・下層部レジスト、５・・・遮光
性中間層、６・・・上層部レジスト、７・・・遠紫外光
線、４′・・・サブミクロン厚さの光硬化ホトレジスト
層〇代理人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）（Ｃ）
（ｂ）（ｂ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、予め形成したホトレジストパターンに遠紫外線を照
射することにより、ホトレジストの側面層を表面より所
望のサブミクロン深さまで硬化せしめる工程と、 次に未硬化層のみを選択的に溶解除去する工程と を含み、上記サブミクロン表面硬化層を残すように成し
たことを特徴とするサブミクロンホトレジストパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5647385A JPS61222127A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5647385A JPS61222127A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222127A true JPS61222127A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13028071
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5647385A Pending JPS61222127A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | サブミクロンホトレジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222127A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021182072A1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | メタル蒸着マスクユニットの作製方法 |
| CN113493893A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模的制作方法 |
| CN114517282A (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-20 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模的制造方法 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5647385A patent/JPS61222127A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021182072A1 (ja) * | 2020-03-10 | 2021-09-16 | 株式会社ジャパンディスプレイ | メタル蒸着マスクユニットの作製方法 |
| CN115210402A (zh) * | 2020-03-10 | 2022-10-18 | 株式会社日本显示器 | 金属蒸镀掩模单元的制作方法 |
| CN113493893A (zh) * | 2020-04-01 | 2021-10-12 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模的制作方法 |
| CN113493893B (zh) * | 2020-04-01 | 2023-08-01 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模的制作方法 |
| CN114517282A (zh) * | 2020-11-18 | 2022-05-20 | 株式会社日本显示器 | 蒸镀掩模的制造方法 |
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