JPH02140749A - 微細パターン形成方法 - Google Patents
微細パターン形成方法Info
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- JPH02140749A JPH02140749A JP29499188A JP29499188A JPH02140749A JP H02140749 A JPH02140749 A JP H02140749A JP 29499188 A JP29499188 A JP 29499188A JP 29499188 A JP29499188 A JP 29499188A JP H02140749 A JPH02140749 A JP H02140749A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 29
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 abstract description 7
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 4
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 3
- 238000002679 ablation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 101100314580 Mus musculus Trim2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101150107587 Narf gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 101100305528 Xenopus laevis rnf138 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造プロセスにおける微細パターン形成
方法に関し、特にフォトリソグラフィー技術に関するも
のである。
方法に関し、特にフォトリソグラフィー技術に関するも
のである。
第２図にシリル化層を用いた従来の微細パターン形成方
法を示す。半導体基板１上に下層レジスト２を塗布した
後、パターニング層である上層レジスト３を塗布する。
法を示す。半導体基板１上に下層レジスト２を塗布した
後、パターニング層である上層レジスト３を塗布する。
この時上層レジスト３と下層レジスト２のレジスト組成
はそれぞれ異なるものを使用する。本例では下層材２と
してポリイミド、上層材３としてノボラック系レジスト
を用いた場合について述べる。塗布後の基板に対し、従
来用いられているリソグラフィー技術により上層レジス
ト３にパターン形成を行う。
はそれぞれ異なるものを使用する。本例では下層材２と
してポリイミド、上層材３としてノボラック系レジスト
を用いた場合について述べる。塗布後の基板に対し、従
来用いられているリソグラフィー技術により上層レジス
ト３にパターン形成を行う。
次いで基板１をＳｉを含むガス、例えばヘキサメチルジ
シラザンの雰囲気中にさらし遠紫外光（λ＜２５０ｎｍ
）を照射すると、上層レジスト３の表面付近にのみシリ
ル化ｆ１４ａ（Ｓｔが拡散された領域）が形成される。
シラザンの雰囲気中にさらし遠紫外光（λ＜２５０ｎｍ
）を照射すると、上層レジスト３の表面付近にのみシリ
ル化ｆ１４ａ（Ｓｔが拡散された領域）が形成される。
シリル化Ｊｆ０４ａ形成後の基板に対し、通常の０２プ
ラズマ異方性エツチングを加える事により、シリル化層
４ａは０２と反応して耐ドライエツチ膜である５ｉ０２
膜４ｂを形成し、下層材２は上記５ｉ０２膜４ｂをマス
ク材としてエツチングされ、所定の寸法を持つパターン
が形成される。
ラズマ異方性エツチングを加える事により、シリル化層
４ａは０２と反応して耐ドライエツチ膜である５ｉ０２
膜４ｂを形成し、下層材２は上記５ｉ０２膜４ｂをマス
ク材としてエツチングされ、所定の寸法を持つパターン
が形成される。
上記例以外にも、シリル化によるパターン形成法として
は第３図に示すようにレジスト材自身２の構造を特殊化
し、即ちフォトマスク４を用いた紫外光照射により選択
的にシリル化されやすい構造３ａにした後、Ｓｉ系ガス
５中にさらして選択的シリル化層３ｂを形成し、その後
０２プラズマ処理により５ｉｎ２膜３ｃを形成し、これ
をマスク材としてレジスト２をエツチングする方法もあ
る。
は第３図に示すようにレジスト材自身２の構造を特殊化
し、即ちフォトマスク４を用いた紫外光照射により選択
的にシリル化されやすい構造３ａにした後、Ｓｉ系ガス
５中にさらして選択的シリル化層３ｂを形成し、その後
０２プラズマ処理により５ｉｎ２膜３ｃを形成し、これ
をマスク材としてレジスト２をエツチングする方法もあ
る。
第２図に示す従来の前者の方法では、パターン形成を２
層レジスト法により行うため、工程数の増加と、上層、
下層間の中間生成物の発生が問題となる。更に第３図に
示す後者の方法では、１層のレジスト法ではあるが、現
在用いられている一般的なノボラック系レジストでは選
択的にシリル化することはできないという問題点があっ
た。
層レジスト法により行うため、工程数の増加と、上層、
下層間の中間生成物の発生が問題となる。更に第３図に
示す後者の方法では、１層のレジスト法ではあるが、現
在用いられている一般的なノボラック系レジストでは選
択的にシリル化することはできないという問題点があっ
た。
本発明は上記問題点を解消するためになされたもので、
従来用いられてきたレジスト材を用い、１層レジスト法
により選択的シリル化を行う事のできる微細パターン形
成方法を得ることを目的とする。
従来用いられてきたレジスト材を用い、１層レジスト法
により選択的シリル化を行う事のできる微細パターン形
成方法を得ることを目的とする。
本発明にかかる微細パターン形成方法は、パターン形成
以前にレジスト材全面にシリル化層を形成するとともに
、このシリル化層に高エネルギービームにより照射し、
そののちパターン化されたシリル化層を用いて酸素プラ
ズマ処理を行なうようにしたものである。
以前にレジスト材全面にシリル化層を形成するとともに
、このシリル化層に高エネルギービームにより照射し、
そののちパターン化されたシリル化層を用いて酸素プラ
ズマ処理を行なうようにしたものである。
本発明における微細パターン形成方法では、レジスト全
面に形成されたシリル化層を高エネルギービームによる
フォトエツチングを用いて選択的に除去し、そののち０
□プラズマ処理を行なうから、所定の寸法をもつパター
ンをドライ現像により形成することができる。
面に形成されたシリル化層を高エネルギービームによる
フォトエツチングを用いて選択的に除去し、そののち０
□プラズマ処理を行なうから、所定の寸法をもつパター
ンをドライ現像により形成することができる。
以下、本発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による微細パターン形成方法
を示し、以下本方法について説明する。
を示し、以下本方法について説明する。
図において、半導体基板１にレジスト材２を塗布する。
本例ではレジスト２として、メタクリレート系レジスト
であるＰＭＭＡを用いた例について述べる。ＰＭＭＡは
Ｓｉ含有ガス、例えばヘキサメチルジシラザンの雰囲気
中で２５０ｎｍ以下の遠紫外光を照射する事によりシリ
ル化されることが知られている。塗布後の半導体基板に
上記処理を行う事により、露光前にレジスト全面にシリ
ル化層３を形成する（第１図ｂ））。
であるＰＭＭＡを用いた例について述べる。ＰＭＭＡは
Ｓｉ含有ガス、例えばヘキサメチルジシラザンの雰囲気
中で２５０ｎｍ以下の遠紫外光を照射する事によりシリ
ル化されることが知られている。塗布後の半導体基板に
上記処理を行う事により、露光前にレジスト全面にシリ
ル化層３を形成する（第１図ｂ））。
この半導体基板に対し、フォトマスク４を介し、通常の
縮小投影露光法により高エネルギービーム５をパルス状
に照射する。ＰＭＭＡやノボラック系レジストの一部は
、強エネルギーパルス露光においてアブレージジン（溶
発現象）を引き起こす。
縮小投影露光法により高エネルギービーム５をパルス状
に照射する。ＰＭＭＡやノボラック系レジストの一部は
、強エネルギーパルス露光においてアブレージジン（溶
発現象）を引き起こす。
このアブレージジンにより表層部に形成したシリル化層
３を選択的に除去する（第１図ｃ））。
３を選択的に除去する（第１図ｃ））。
ここで除去する厚さは、シリル化層の深さに応じて、高
エネルギー５のパルス数及びパルスエネルギーによって
制御する事が可能である。
エネルギー５のパルス数及びパルスエネルギーによって
制御する事が可能である。
本例では高エネルギービームビーム５としてＫｒＦエキ
シマレーザ−（λ：２４８ｎｍ）を用い、パルスエネル
ギーは放電部への印加電圧で、パルス数は照射時間によ
り制御する。
シマレーザ−（λ：２４８ｎｍ）を用い、パルスエネル
ギーは放電部への印加電圧で、パルス数は照射時間によ
り制御する。
この後通常用いられる酸素プラズマＲＩ Ｅ （Ｒｅａ
ｃｔｌｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）によりエツチン
グを行う。これによりシリル化層３は５ｉｎ２化し耐ド
ライエツチング膜となり、シリル化層が除去された領域
はエツチングが進行し、ポジ型のパターンが形成される
（第１図ｄ））。
ｃｔｌｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｌｎｇ）によりエツチン
グを行う。これによりシリル化層３は５ｉｎ２化し耐ド
ライエツチング膜となり、シリル化層が除去された領域
はエツチングが進行し、ポジ型のパターンが形成される
（第１図ｄ））。
このような本実施例では、レジスト全面に形成したシリ
ル化層を、高エネルギーパルスにて選択的に除去するよ
うにしたため、従来用いられているレジストで一層しシ
スト法による選択シリル化が可能となり、かつ光源とし
て遠紫外域のエキシマレーザ−を用いているため、解像
力を向上でき、精度のよいパターンを得ることができる
。
ル化層を、高エネルギーパルスにて選択的に除去するよ
うにしたため、従来用いられているレジストで一層しシ
スト法による選択シリル化が可能となり、かつ光源とし
て遠紫外域のエキシマレーザ−を用いているため、解像
力を向上でき、精度のよいパターンを得ることができる
。
なお、上記実施例ではレジストとしてメタクリレート系
レジストであるＰＭＭＡを用いているが、シリル化層の
形成が可能で、かつ高エネルギービームにて、アブレー
ジロンを起こすレジスト、即ちノボラック系レジスト、
ビニールフェノール系レジスト等を用いてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
レジストであるＰＭＭＡを用いているが、シリル化層の
形成が可能で、かつ高エネルギービームにて、アブレー
ジロンを起こすレジスト、即ちノボラック系レジスト、
ビニールフェノール系レジスト等を用いてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。
更に上記実施例では高エネルギービームとしてＫｒＦエ
キシマレーザ−を用いているがＮ ＡｒＦエキシマレー
ザ−（λ： １９３ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ−
（λ：３０８ｎｍ）等高出力のパルス発振可能な光源を
用いてもよく、アブレーションを誘起する事により、上
記実施例と同様の効果を得ることができる。
キシマレーザ−を用いているがＮ ＡｒＦエキシマレー
ザ−（λ： １９３ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマレーザ−
（λ：３０８ｎｍ）等高出力のパルス発振可能な光源を
用いてもよく、アブレーションを誘起する事により、上
記実施例と同様の効果を得ることができる。
以上のように本発明によれば、レジスト全面に形成した
シリル化層を、高エネルギーパルスにて選択的に除去す
るようにしたため、従来用いられているレジストで一層
しシスト法による選択的シリル化が可能となり、酸化プ
ラズマ処理により所定の寸法をもつパターンをドライ現
象により形成できる。しかも光源として遠紫外域のエキ
シマレーザ−を用いているため、解像力を向上できる等
の効果がある。
シリル化層を、高エネルギーパルスにて選択的に除去す
るようにしたため、従来用いられているレジストで一層
しシスト法による選択的シリル化が可能となり、酸化プ
ラズマ処理により所定の寸法をもつパターンをドライ現
象により形成できる。しかも光源として遠紫外域のエキ
シマレーザ−を用いているため、解像力を向上できる等
の効果がある。
第１図は本発明の実施例による微細パターン形成方法を
示す図、第２図及び第３図は従来の微細パターン形成方
法を示す図である。 １・・・半導体基板、２・・・レジスト材、３・・・シ
リル化層、４・・・フォトマスク、５・・・高エネルギ
ービーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
示す図、第２図及び第３図は従来の微細パターン形成方
法を示す図である。 １・・・半導体基板、２・・・レジスト材、３・・・シ
リル化層、４・・・フォトマスク、５・・・高エネルギ
ービーム。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）半導体基板上全面にレジスト膜を形成する工程と、 上記レジスト表面層全面をシリル化する工程と、上記シ
リル化層に高エネルギービームをフォトマスクを介して
選択的に照射し、上記シリル化層を選択的に除去する工
程と、 そののち酸素プラズマによる異方性エッチングを行う工
程とを含む事を特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29499188A JPH02140749A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29499188A JPH02140749A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 微細パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02140749A true JPH02140749A (ja) | 1990-05-30 |
Family
ID=17814933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29499188A Pending JPH02140749A (ja) | 1988-11-22 | 1988-11-22 | 微細パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02140749A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154062A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH03280061A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Hoya Corp | レジストパターンの形成方法 |
| US7244369B2 (en) * | 1997-07-05 | 2007-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Method for producing active or passive components on a polymer basis for integrated optical devices |
-
1988
- 1988-11-22 JP JP29499188A patent/JPH02140749A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03154062A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-02 | Fujitsu Ltd | レジストパターンの形成方法 |
| JPH03280061A (ja) * | 1990-03-29 | 1991-12-11 | Hoya Corp | レジストパターンの形成方法 |
| US7244369B2 (en) * | 1997-07-05 | 2007-07-17 | Deutsche Telekom Ag | Method for producing active or passive components on a polymer basis for integrated optical devices |
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