JPH04301846A

JPH04301846A - 露光用マスク基板の製造方法

Info

Publication number: JPH04301846A
Application number: JP3089109A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Ito; 信一伊藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-03-29
Filing date: 1991-03-29
Publication date: 1992-10-26

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
におけるリソグラフィー技術に用いられる露光用マスク
基板に係わり、特に透明部の少なくとも一方に位相変化
領域を設けた露光用マスク基板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体技術の進歩と共に半導体装
置ひいては半導体素子の高速化，高集積化が進められて
いる。それに伴いパターンの微細化の必要性は益々高く
なり、パターン寸法も微細化，高精度化が要求されるよ
うになっている。

【０００３】この要求を満たす目的で、露光光源に遠紫
外光など短波長の光が用いられるようになってきた。Ｋ
ｒＦエキシマレーザの２４８ｎｍの発振線を露光光に用
いたプロセスでは、専用のレジストは化学増幅型レジス
トが開発されつつあるものの研究段階にあり、ｇ線，ｉ
線又は電子線用のレジストに頼っているのが現状である
。

【０００４】しかし、ｇ線，ｉ線用のレジストはノボラ
ック樹脂がベースになっており、この物質の２４８ｎｍ
における吸収が大きいためレジストの表面しか露光でき
ず、高アスペクト比のパターンを形成することは難しい
。また、Ｘ線等の放射線、電子線，イオンビーム等の荷
電粒子線に用いられるレジストは、耐ＲＩＥ（反応性イ
オンエッチング）性に劣る。

【０００５】このように露光光源を変えることで微細化
する場合には、種々の問題が生じてきており、容易にこ
の目的を達成することは難しい。そこで最近、露光光源
を変えずに微細化をする試みがなされてきている。その
一つの手法として位相シフト法がある。

【０００６】この位相シフト法は、露光用マスク基板の
透明部の少なくとも一方に光の位相を１８０°変える位
相変化領域を設けることで、光照射部と未照射部の光学
的コントラストを向上させるものである。これに用いら
れる位相シフト露光用マスク基板は、透明基板の上にま
ず位相変化材料（主にＳｉＯ２　、ＳＯＧ）による層を
全面に設け、その上に感光性樹脂層を形成し、これを電
子線により露光し、位相変化領域以外の感光性樹脂層を
除去し、さらに位相変化層の加工を行い作成するか、又
は透明基板の上に感光性樹脂層を形成し、これを電子線
により露光し、位相変化領域の感光性樹脂を除去し、除
去した部分に位相変化材料をリフトオフ法或いは選択的
蒸着法により作成していた。

【０００７】この手法によれば、透明部の位相を互いに
１８０°変えるのが効果的である。しかし、３つ以上の
パターンが互いに隣接する場合には、従来の手法では２
つのパターンを互いに影響なく露光することができても
、他のパターンの影響が依然として残ることになる。この場合、光透過部の位相差を１８０°とするのではな
く、パターンにおける位相を互いに一番影響が少なくな
るように設定することが望ましく、例えば３つのパター
ンが隣接する場合、それぞれの位相を０°，１２０°，
２４０°とすると良好な結果が得られる。

【０００８】このように３種以上の位相変化層を設けた
場合、位相変化層の膜厚として、異なる位相ｎ個に対し
、（ｎ−１）種の膜厚の設定が必要となっていた。これ
に伴い、それぞれの膜を形成する目的で（ｎ−１）度の
レジストの塗布・露光・現像・加工工程を行う必要が出
てくる。このように複数の膜厚の位相変化層を設けた場
合、工程数の増大が問題となり、また、それぞれの露光
工程における合わせ精度の低下が問題となっていた。

【０００９】また、この種の露光用マスク基板において
は、位相変化層と共に、遮光層もパターニングする必要
があるが、これらの厳密なアライメントが必要となる。つまり、位相変化領域を形成するにあたり、遮光層のパ
ターンとアライメントを要する露光を行うことが必要で
あった。また、位相変化材料として用いるＳｉＯ２　及
びＳＯＧは、絶縁体であるためチャージアップ現象が生
じ、位置合わせ精度が低下する等の問題が生じていた。また、この問題を解決するためＳｎ、Ｉｎを成分とする
導電性膜等を形成する手段があるが、この導電性膜は４
００ｎｍ以下の波長において光吸収の程度が大きくなり
、投影露光時に発熱等の問題が生じ、実用化するのが難
しかった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】このように従来、膜厚
の異なるｎ個の位相変化層を設けようとした場合、（ｎ
−１）回のレジストの塗布・露光・現像・加工工程が必
要となり、それに伴う工程数の増大が生じ、また位置合
わせ精度が低下するという問題があった。

【００１１】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、工程数の減少と共に、
位置合わせ精度の低下を防止することができ、パターン
精度の向上をはかり得る露光用マスク基板の製造方法を
提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明では、次のような構成を採用している。

【００１３】即ち本発明（請求項１）は、位相シフト法
に用いる露光用マスク基板の製造方法において、基板上
に光の位相を制御するための位相変化層を形成したのち
、この位相変化層上に感光性樹脂層を形成し、この感光
性樹脂層を露光すると共に、位相変化層に必要とされる
膜厚に応じて異なる膜厚領域で露光の照射量を変え、次
いで感光性樹脂層を現像し、しかるのち感光性樹脂層に
形成された凹凸を反映するように位相変化層を所定量だ
けエッチングするようにした方法である。

【００１４】ここで、位相変化層を所定量だけエッチン
グする方法としては、弗素原子を含むガスを用いた位相
変化層の異方性のエッチングと、酸素原子を用いた感光
性樹脂層の異方性のエッチングを交互に行えばよい。

【００１５】また、本発明（請求項３）は、位相シフト
法に用いる露光用マスク基板の製造方法において、光の
位相を制御するための薄膜又は基板上に遮光膜を形成し
たのち、この薄膜又は基板及び遮光膜の上に第１の感光
性樹脂層を形成し、次いで第１の感光性樹脂層の上に該
感光性樹脂層とは感度の異なる第２の感光性樹脂層を形
成し、次いで低エネルギーのビームで感度の低い方の感
光性樹脂層を選択的に露光し、次いで高エネルギーのビ
ームで第１及び第２の感光性樹脂層を選択的に露光し、
次いで第１及び第２の感光性樹脂層を現像し、次いで第
１の感光性樹脂層の開口パターンに合わせて遮光膜及び
下地の薄膜又は基板をエッチングし、しかるのち第２の
感光性樹脂層の開口パターンに合わせて遮光膜をエッチ
ングするようにした方法である。

【００１６】上記のエッチングとしては、現像工程によ
り露出した遮光膜をエッチングしたのち、遮光膜を除去
した部分の薄膜又は基板を所定の厚さだけエッチングし
、次いで第２の感光性樹脂層をマスクとして第１の感光
性樹脂層をエッチングし、しかるのち第１の感光性樹脂
層を除去した部分に露出した遮光膜をエッチングするよ
うにすればよい。

【００１７】

【作用】膜厚の異なるｎ種の位相変化層を設けようとし
た場合、（ｎ−１）回だけのレジストの塗布・露光・現
像・加工という工程を繰り返し行うことが必要となる。この（ｎ−１）回の露光に伴い位置合わせ精度が低下す
る。

【００１８】そこで本発明（請求項１，２）では、露光
時において、基準となる位相を除く（ｎ−１）種の位相
変化層に対し、その膜厚に応じて露光強度を変化させて
露光を行い、次いで現像する。このときの露光強度は、
ポジ型のレジストを用いた場合には、位相変化層の膜厚
が薄くなるに従って増加させる。ネガ型の場合には、逆
に減少させる。

【００１９】次に現像を行うが、位相変化層形成予定領
域のうち溶解速度が一番速い部分が完全に溶解し、所望
の寸法となった時に現像を停止する。このとき、この領
域より現像速度の遅い領域では現像が途中の段階にある
。次いで、このレジストをマスクとして弗素原子を含む
雰囲気中で異方性のエッチング（ＲＩＥ）を行うと、位
相変化層が露出されている部分のみがエッチングされる
。このときのエッチングする深さは、この領域の予定膜
厚と、次に厚い位相変化層の膜厚の差となるように調節
する。つまり、光強度が強い部分に相当する位相との差
に相当する深さとなるように調節する。

【００２０】次いで、酸素ガス等による異方性のエッチ
ングを行い、現像が途中の段階で停止している部分のな
かで一番深い領域まで現像が進んだものについて位相変
化層が露出する。次いで、これを弗素原子等を含む雰囲
気でＲＩＥを行い再度位相変化層を加工する。このエッ
チングの工程を繰り返すことで、所望の複数の膜厚の位
相変化層を形成することが可能となる。

【００２１】一方、電子線により露光を行う場合、パタ
ーン寸法及びパターン配置等により近接効果が問題とな
る。このような状況下で現像時において膜減りが初期膜
厚に対し一定の量とするためには、パターン毎の露光量
補正が必要となる。また、これを行わない場合において
は各パターンにおいて残膜率が異なる。この場合、シフ
タ部分の加工を行った後、レジストの膜厚を減少させる
場合、パターンにより膜厚がまちまちであるためエッチ
ング精度が難しくなる。

【００２２】そこで本発明（請求項３，４）では感光性
樹脂層を２種類の感光性樹脂材料により形成し、例えば
上層を高感度、下層を低感度のポジ型感光性樹脂材料と
することで、現像時においてそれぞれの残膜を一定とし
ている。即ち、感度が大きく異なる感光性樹脂材料を用
い、低露光量で露光した場合には高感度の上層レジスト
のみが感光し、下層は露光量不足であるため膜減りが生
じない。また、高露光量で露光を行った場合、上層，下
層共に露光がなされる。このように現像時において現像
を途中で停止した部分において、正確に膜厚をコントロ
ールすることが可能である。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。［実施例１］図１及び図２は、本発明の一実施例に係わ
る露光用マスク基板の製造工程を示す断面図である。ま
ず、図１（ａ）に示すように、位相変化領域を形成する
ための露光用基板の主要部となる基板本体を作成した。即ち、ＳｉＯ２　基板１１上に酸化クロム膜（遮光層）
１２を形成し、この酸化クロム膜１２を所望形状にパタ
ーニングした。

【００２４】次いで、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ
２　基板１１及び酸化クロム膜１２上に、ＣＶＤ法によ
りＳｉＯ２　膜（位相変化層）１３を膜厚０．５６μｍ
で形成した。なお、このＳｉＯ２　膜１３の膜厚は、実
際に露光に用いる光の波長より適当に調整することが好
ましい。続いて、ＳｉＯ２　膜１３上に電子線用感光性
樹脂層（ポジ型レジスト）１４を膜厚１μｍで塗布形成
した。

【００２５】次いで、図１（ｃ）に示すように、レジス
ト１４を所望パターンに露光した。この際、位相差９０
°に相当する領域１５を１２０μＣ／ｃｍ２　で、位相
差１８０°に相当する領域１６を１３０μＣ／ｃｍ２　
で、位相差２７０°に相当する領域１７を１３５μＣ／
ｃｍ２　で露光した。

【００２６】次いで、図１（ｄ）に示すように、レジス
ト１４を現像し、１５の領域の現像が終了した段階で現
像を停止した。次いで、図１（ｅ）に示すように、ＣＦ
４　，Ｏ２　の混合ガスによる異方性ドライエッチング
を行い、１５の領域において位相変化層としてのＳｉＯ
２　膜１３を０．１４μｍエッチングした。

【００２７】次いで、図２（ａ）に示すように、Ｏ２　
ガスによるレジスト１４の異方的なエッチングを行い、
領域１６にＳｉＯ２　膜１３を露出させた。次いで、図
２（ｂ）に示すように、再びＣＦ４　，Ｏ２　の混合ガ
スによる異方性ドライエッチングを行い、１６の領域に
おいてＳｉＯ２　膜１３を０．１４μｍエッチングした
。このとき、領域１５は総計０．２８μｍエッチングさ
れた。

【００２８】次いで、図２（ｃ）に示すように、Ｏ２　
ガスによるレジスト１４の異方的なエッチングを行い、
領域１７にＳｉＯ２　膜１３を露出させた。次いで、図
２（ｄ）に示すように、再びＣＦ４　，Ｏ２　の混合ガ
スによる異方性ドライエッチングを行い、１７の領域に
おいてＳｉＯ２　膜１３を０．１４μｍエッチングした
。このとき、１５の領域は総計０．４２μｍ、１６の領
域は総計０．２８μｍエッチングされた。

【００２９】最後に、図２（ｅ）に示すように、エッチ
ングのマスクに用いた感光性樹脂材料を酸素プラズマに
晒すことで除去した。

【００３０】このように本実施例方法では、領域１５，
１６，１７においてレジスト１４の露光量を変えること
により、領域１５を０．４２μｍ、１６を０．２８μｍ
、１６を０．１４μｍと異なる深さにエッチングするこ
とができ、最終的な膜厚をそれぞれ位相差９０°，１８
０°，２７０°に相当する０．１４μｍ，０．２８μｍ
，０．４２μｍの膜厚の位相変化層を形成することがで
きる。

【００３１】そしてこの場合、レジスト１４の塗布及び
現像は１回で済み、製造工程の簡略化をはかることがで
きる。さらに、レジスト１４の露光は照射量は変えるも
のの１回で行うことができるので、位置合わせ精度の低
下を未然に防止することができる。このため、３つのパ
ターンが隣接する場合にも位相シフト法による高精度な
パターン形成が可能となる。［実施例２］本実施例は、実施例１を紫外線を光源に用
いて作成した場合の一例である。ここでは実施例１の如
く、露光用基板本体上にＣＶＤ法によりＳｉＯ２　膜を
膜厚０．３μｍで形成し、ｇ線用ポジ型レジストを膜厚
１μｍで塗布し、感光性樹脂層を形成する。

【００３２】次いで、水銀ランプのｇ線による露光を行
うが、ここでの露光量は一定とし、露光量の調整を図３
（ａ）に示すように光透過部に光量を制限する目的で、
解像限界以下のドットパターンを露光領域に均一に分布
させた。ここで、パターンとして露光用基板本体上で０
．５μｍの丸形（基本的にドットの形状はいかなる形で
も良い）のパターン２１を用いた。このパターンは露光
対象基板上で０．１μｍのパターンとなるため実際には
解像されない。

【００３３】このパターンを位相差９０°に相当する領
域２５（露光用基板本体上で２２）には設置せず、位相
差１８０°に相当する領域２６（露光用基板本体上で２
３）では全領域に対し、２０％程度を正方形パターンで
埋めた。このような手法で露光し現像を行った後、実施
例１の手法と同様の処理を行った。

【００３４】その結果、図３（ｂ）に示すように、領域
２５は０．４２μｍ、２６は０．２８μｍ、２７は０．
１４μｍエッチングされ、最終的な膜厚はそれぞれ位相
差９０°，１８０°，２７０°に相当する０．１４μｍ
，０．２８μｍ，０．４２μｍの膜厚の位相変化層を形
成することができた。

【００３５】なお、第１及び第２の本実施例においては
、ＳｉＯ２　膜の初期膜厚を位相差３６０°に相当する
ように形成したが、初期膜厚を（２７０＋９０ｎ）°（
ｎは整数）に相当する膜厚にすることが可能である。また、これらの実施例は４種類の位相に対し、３種類の
膜厚の位相変化層を形成した場合であるが、基本的に本
発明を用い、露光量を適当に調整することで３種類以上
の位相に対する膜を形成することが可能である。さらに
、露光量の調整手段として、露光光を吸収する物質を露
光用マスク基板上の透過部に形成することも可能である
。［実施例３］図４及び図５は、本発明の第３の実施例に
係わる露光用マスク基板の製造工程を示す断面図である
。

【００３６】まず、図４（ａ）に示すように、位相変化
層として用いるＳｉＯ２　を主成分とする基板４１上に
Ｃｒ及びＣｒＯ等を成分とする光遮光膜４２を形成した
。次いで、図４（ｂ）に示すように、電子線に感光するメ
タクリレート系ポジ型レジスト（第１の感光性樹脂層）
４３を塗布しベイキングを行った。さらに、このレジス
ト４３上に、それよりも高感度のクロロアクリラート系
ポジ型レジスト（第２の感光性樹脂層）４４を塗布形成
した。

【００３７】次いで、図４（ｃ）に示すようにレジスト
４３，４４を所望パターンに露光した。このとき、位相
変化層を形成する領域４５については８μＣ／ｃｍ２　
の電流値を与え、光透過部４６については４μＣ／ｃｍ
２　の露光を行った。

【００３８】次いで、図４（ｄ）に示すように、これを
現像した。このとき、８μＣ／ｃｍ２　の露光量を与え
た部分４５ではレジスト層４４とレジスト層４３のいず
れも溶解し、Ｃｒ面が露出した。また、４μＣ／ｃｍ２
の露光を与えた部分４６ではレジスト層４４は現像され
、レジスト層４３は現像されなかった。

【００３９】次いで、図５（ａ）に示すように、レジス
ト４３，４４をマスクとして光遮光膜４２のエッチング
を行い、さらにＳｉＯ２　基板４１のエッチングを行っ
た。このとき、エッチングにより除去したＳｉＯ２　基
板４１の膜厚は２８ｎｍとした。この工程により位相変
化領域４７を形成した。

【００４０】次いで、図５（ｂ）に示すように、酸素原
子を含むガスによりエッチングを行い、前記のレジスト
層４３で現像が停止した部分のエッチングを行い、Ｃｒ
面（遮光膜４２）を露出させた。次いで、図５（ｃ）に
示すように、Ｃｒの異方性エッチングを行い光透過部４
８を形成した。

【００４１】最後に、図５（ｄ）に示すように、レジス
ト４３を除去することにより、所望の露光用マスク基板
を形成することができた。［実施例４］図６及び図７は、本発明の第４の実施例に
係わる露光用マスク基板の製造工程を示す断面図である
。まず、図６（ａ）に示すように、位相変化層として用
いるＳｉＯ２　を主成分とする基板６１にＣｒ及びＣｒ
Ｏを成分とする光遮光膜６２を形成した。

【００４２】次いで、図６（ｂ）に示すように、電子線
に感光するノボラック系樹脂−メラミン色素系のネガ型
レジスト（第１の感光性樹脂層）６３を塗布しベイキン
グを行った。さらに、この上にレジスト６３よりも低感
度のネガ型レジストであるクロロメチル化ポリスチレン
（第２の感光性樹脂層）６４を塗布形成した。

【００４３】次いで、図６（ｃ）に示すように、レジス
ト６３，６４を所望パターンに露光した。このとき、Ｃ
ｒによる遮光層を形成する領域６５については４０μＣ
／ｃｍ２　の電流値を与え、光透過部６６については８
μＣ／ｃｍ２　の露光を行った。

【００４４】次いで、図６（ｄ）に示すように、これを
現像した。露光を行わなかった部分ではレジスト層６３
とレジスト層６４のいずれも溶解しＣｒ面が露出した。また、８μＣ／ｃｍ２　の露光を与えた部分６６ではレ
ジスト層６４は現像され、レジスト層６３は現像されな
かった。

【００４５】次いで、図７（ａ）に示すように、感光性
樹脂材料をマスクとして遮光層６２のエッチングを行い
、さらにＳｉＯ２　基板６１のエッチングを行った。こ
のとき、エッチングにより除去したＳｉＯ２　基板６１
の膜厚は２８ｎｍとした。この工程により位相変化領域
６７を形成した。

【００４６】次いで、図７（ｂ）に示すように、酸素原
子を含むガスによりエッチングを行い、前記のレジスト
層６３で現像が停止した部分のエッチングを行い、Ｃｒ
面を露出させた。次いで、図７（ｃ）に示すように、ク
ロムの異方性エッチングを行い光透過部６８を形成した
。

【００４７】最後に、図７（ｄ）に示すように、レジス
ト６３を除去することにより、所望の露光用マスク基板
を形成することができた。

【００４８】なお、実施例３，４におけるレジストの組
み合わせでは、ミキシングが生じなかったが、ミキシン
グが生じる場合には両レジスト間にミキシング防止層を
設けるとよい。また、実施例３，４では、基板のＳｉＯ
２　を直接加工しているが、基板上に予め全面に位相変
化層を設け、その上に遮光膜のクロムを配置し、これを
加工するようにしてもよい。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように本発明（請求項１，
２）によれば、１度の露光工程で複数の膜厚の位相変化
層を形成できるように、位相変化層の膜厚に応じて露光
露光強度を変化させ、次いで１度の現像工程を行った後
、エッチングにより加工を行うことにより、レジストの
塗布・露光・現像工程を位相変化層の膜厚以下の数に抑
えることができる。従って、工程数を減少させ、また位
置合わせ精度の低下を防ぐことが可能となる。

【００５０】また、本発明（請求項３，４）によれば、
導電性膜であるクロム層が存在する状態でシフタ層とシ
フタ層でない部分の露光を同時に行い、加工時に両者を
区別する工程で感光性樹脂材料を感度の異なる２種の感
光性樹脂材料で形成することで、精度良く所望の露光用
マスク基板を作成することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係わる露光用マスク基板の製造
工程の前半を示す断面図、

【図２】第１の実施例に係わる露光用マスク基板の製造
工程の後半を示す断面図、

【図３】第２の実施例を説明するための模式図、

【図４
】第３の実施例に係わる露光用マスク基板の製造工程の
前半を示す断面図、

【図５】第３の実施例に係わる露光用マスク基板の製造
工程の後半を示す断面図、

【図６】第４の実施例に係わる露光用マスク基板の製造
工程の前半を示す断面図、

【図７】第４の実施例に係わる露光用マスク基板の製造
工程の後半を示す断面図。

【符号の説明】

１１…ＳｉＯ２　基板、１２…酸化クロム膜（遮光層）、１３…ＳｉＯ２　膜（位相変化層）、１４…感光性樹脂層、１５，２５…位相差９０°に相当する領域、１６，２６
…位相差１８０°に相当する領域、１７，２７…位相差
２７０°に相当する領域、２１…露光用マスク基板上に
設けたドットパターン、４１，６１…ＳｉＯ２　基板（
位相変化層）、４２，６２…遮光膜、４３…ポジ型レジスト（第１の感光性樹脂層）、４４…
ポジ型レジスト（第２の感光性樹脂層）、４５…光照射
部（露光エネルギー８μＣ／ｃｍ２　）、４６…光照射
部（露光エネルギー４μＣ／ｃｍ２　）、４７，６７…
位相変化領域、４８，６８…光透過部、６３…ネガ型レジスト（第１の感光性樹脂層）、６４…
ネガ型レジスト（第２の感光性樹脂層）、６５…光照射
部（露光エネルギー４０μＣ／ｃｍ２　）、６６…光照
射部（露光エネルギー８μＣ／ｃｍ２　）。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に光の位相を制御するための位相変
化層を形成する工程と、前記位相変化層上に感光性樹脂
層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を露光すると共
に、前記位相変化層に必要とされる膜厚に応じて異なる
膜厚領域で露光の照射量を変える工程と、前記感光性樹
脂層を現像する工程と、前記感光性樹脂層に形成された
凹凸を反映するように前記位相変化層を所定量だけエッ
チングする工程とを含むことを特徴とする露光用マスク
基板の製造方法。
【請求項２】透明基板上に遮光層を選択的に形成する工
程と、前記基板及び遮光膜の上に光の位相を制御するた
めの位相変化層を形成する工程と、前記位相変化層上に
感光性樹脂層を形成する工程と、前記感光性樹脂層を露
光すると共に、前記位相変化層に必要とされる膜厚に応
じて異なる膜厚領域で露光の照射量を変える工程と、前
記感光性樹脂層を現像する工程と、弗素原子を含むガス
を用いた位相変化層の異方性のエッチングと酸素原子を
用いた感光性樹脂層の異方性のエッチングを交互に行う
ことにより、前記位相変化層の膜厚を制御する工程とを
含むことを特徴とする露光用マスク基板の製造方法。
【請求項３】光の位相を制御するための薄膜又は基板上
に遮光膜を形成する工程と、前記薄膜又は基板及び遮光
膜の上に第１の感光性樹脂層を形成する工程と、第１の
感光性樹脂層の上に該感光性樹脂層とは感度の異なる第
２の感光性樹脂層を形成する工程と、低エネルギーのビ
ームで感度の低い方の感光性樹脂層を選択的に露光する
工程と、高エネルギーのビームで第１及び第２の感光性
樹脂層を選択的に露光する工程と、第１及び第２の感光
性樹脂層を現像する工程と、第１の感光性樹脂層の開口
パターンに合わせて前記遮光膜及び下地の薄膜又は基板
をエッチングする工程と、第２の感光性樹脂層の開口パ
ターンに合わせて前記遮光膜をエッチングする工程とを
含むことを特徴とする露光用マスク基板の製造方法。
【請求項４】光の位相を制御するための薄膜又は基板上
に遮光膜を形成する工程と、前記薄膜又は基板及び遮光
膜の上に第１の感光性樹脂層を形成する工程と、第１の
感光性樹脂層の上に該感光性樹脂層とは感度の異なる第
２の感光性樹脂層を形成する工程と、低エネルギーのビ
ームで感度の低い方の感光性樹脂層を選択的に露光する
工程と、高エネルギーのビームで第１及び第２の感光性
樹脂層を選択的に露光する工程と、第１及び第２の感光
性樹脂層を現像する工程と、現像工程により露出した前
記遮光膜をエッチングする工程と、前記遮光膜を除去し
た部分の薄膜又は基板を所定の厚さだけエッチングする
工程と、第２の感光性樹脂層をマスクとして第１の感光
性樹脂層をエッチングする工程と、第１の感光性樹脂層
を除去した部分に露出した遮光膜をエッチングする工程
とを含むことを特徴とする露光用マスク基板の製造方法
。
【請求項５】前記の感度の異なる２種類の感光性樹脂層
は、共にポジ型感光性樹脂材料からなり、第１の感光性
樹脂層よりも第２の感光性樹脂層の方を高感度としたこ
とを特徴とする請求項３又は４に記載の露光用マスク基
板作成方法。
【請求項６】前記の感度の異なる２種類の感光性樹脂層
は、共にネガ型感光性樹脂材料からなり、第１の感光性
樹脂層よりも第２の感光性樹脂層の方を低感度としたこ
とを特徴とする請求項３又は４に記載の露光用マスク基
板の製造方法。