JPS60208834A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS60208834A JPS60208834A JP59065555A JP6555584A JPS60208834A JP S60208834 A JPS60208834 A JP S60208834A JP 59065555 A JP59065555 A JP 59065555A JP 6555584 A JP6555584 A JP 6555584A JP S60208834 A JPS60208834 A JP S60208834A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- resist pattern
- exposure
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は0.5ミクロン以下のパターンを作るために必
要なレジストパターン形成方法lこ関するものである。
要なレジストパターン形成方法lこ関するものである。
(従来技術とその問題点)
近年、半導体素子や磁気バブル素子での微細パターン形
成法は、ホトレジストをマスクとして使用するイオンビ
ームエツチング法や反応性エツチング法によっている。
成法は、ホトレジストをマスクとして使用するイオンビ
ームエツチング法や反応性エツチング法によっている。
このため、微細なパターンを作るためには、微細なレジ
ストパターンを作る必要がある。ところで、基板上lこ
0.5ミクロン程度の微細なレジストパターンを作る方
法としては電子線露光(EB露光)や遠紫外線露光(D
eep−Uv露光)が一般に使われている。また、密着
露光を行なうことにより、紫外線露光(LIV露光)で
モ0.5ミクロン程度のレジストパターンは作ることが
できる。しかし、0.5ミクロン以下の微細なレジスト
パターンは、t+V露光やDeep−Ov露光では内錐
で、BB露光で作ることが可能である。
ストパターンを作る必要がある。ところで、基板上lこ
0.5ミクロン程度の微細なレジストパターンを作る方
法としては電子線露光(EB露光)や遠紫外線露光(D
eep−Uv露光)が一般に使われている。また、密着
露光を行なうことにより、紫外線露光(LIV露光)で
モ0.5ミクロン程度のレジストパターンは作ることが
できる。しかし、0.5ミクロン以下の微細なレジスト
パターンは、t+V露光やDeep−Ov露光では内錐
で、BB露光で作ることが可能である。
しかしながらEB露光を用いても微細レジストパターン
を作るためには高性能のEB露光装置、ならびに高度の
制御技術(レジストの均一性や、現像条件など)が必要
である。さらに、このEB露光装置は高価であり、さら
にパターン形成時の許容範囲が狭いなどの欠点を持って
いる。
を作るためには高性能のEB露光装置、ならびに高度の
制御技術(レジストの均一性や、現像条件など)が必要
である。さらに、このEB露光装置は高価であり、さら
にパターン形成時の許容範囲が狭いなどの欠点を持って
いる。
(発明の目的)
本発明は、このような従来の欠点を除き、従来のLIV
露光、 Deep−UV露光を用いることにより。
露光、 Deep−UV露光を用いることにより。
0.5ミクロン以下の微細レジストパターンを作ること
のできる方法を提供することにある。
のできる方法を提供することにある。
(発明の構成)
本発明によれば、Deep−UVレジストを下層にUV
レジストを上層に使用し、この上層レジストパターンを
マスクとして使用する二j−レジスト構造において、上
層レジストパターンの形を台形状とすることを特徴とす
るパターン形成方法が得られる、 (構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成を使用することにより。
レジストを上層に使用し、この上層レジストパターンを
マスクとして使用する二j−レジスト構造において、上
層レジストパターンの形を台形状とすることを特徴とす
るパターン形成方法が得られる、 (構成の詳細な説明) 本発明は、上述の構成を使用することにより。
従来BI3露光以外では困礫であったO、Sミクロン以
下のレジストパターン形成を可能にした。まず下層レジ
ストに1)eep−IJVレジストを、上層レジストに
UVレジストを塗布し、UV露光により巾が0.6ミク
ロン程度の台形状の上層レジストパターンを形成する0
次にDeep−LJV光を全面照射する。このとき上層
レジストパターンはDeep−UV光に対する遮光特性
と台形状であるためのレンズ作用とにより、Deep−
UV光は下層レジスト中で強度分布をもつ。この分布は
、上層レジストパターン巾が狭いため上層レジストパタ
ーンの中心軸付近では強く、エツジ付近では弱くなって
いる。
下のレジストパターン形成を可能にした。まず下層レジ
ストに1)eep−IJVレジストを、上層レジストに
UVレジストを塗布し、UV露光により巾が0.6ミク
ロン程度の台形状の上層レジストパターンを形成する0
次にDeep−LJV光を全面照射する。このとき上層
レジストパターンはDeep−UV光に対する遮光特性
と台形状であるためのレンズ作用とにより、Deep−
UV光は下層レジスト中で強度分布をもつ。この分布は
、上層レジストパターン巾が狭いため上層レジストパタ
ーンの中心軸付近では強く、エツジ付近では弱くなって
いる。
このため下層レジスト現像後得られるパターンは上層レ
ジストパターンのエツジ付近に下層レジストパターンが
残り、中心部の下層レジストが除かれた形状のものにな
る。これにより得られる下層レジストパターンの寸法は
、上層レジストパターンの3分の1以下となる。
ジストパターンのエツジ付近に下層レジストパターンが
残り、中心部の下層レジストが除かれた形状のものにな
る。これにより得られる下層レジストパターンの寸法は
、上層レジストパターンの3分の1以下となる。
(実施例)
概略図である。下層レジスト12として0DUR−10
13(商品名、東京応化Itり、上層レジストとしてマ
イクロポジ、ット1300 (商品名、シプレー・コー
ボレーシ町ン$1りを用いUV光により上層レジストパ
ターン13を作る。上層レジストパターン形成時に露光
時間を規定より長くしたり、現像時間を長くすることに
より、上層レジストパターン形状を容易に台形状にする
ことができる。この台形状パターン13をマスクとして
、De e p −LI V光を全面照射する。この時
、上層レジストが充分厚い場合には、レジストの遮光特
性により、 Deep −LJ V光が下層レジストに
到達することはない、上層レジストが薄い場合には膜厚
に応じた菫のDe e p−UV光が透過する。この時
、レジストパターン13のような台形状パターンがある
と、パターンの側面から入射した光14はレジストの屈
折率が1より大きいため、レジストパターン内側に向っ
て曲げられるというレンズ効果が発生する。このため、
曲げられた光が集中する中心軸付近の強度が強くなる。
13(商品名、東京応化Itり、上層レジストとしてマ
イクロポジ、ット1300 (商品名、シプレー・コー
ボレーシ町ン$1りを用いUV光により上層レジストパ
ターン13を作る。上層レジストパターン形成時に露光
時間を規定より長くしたり、現像時間を長くすることに
より、上層レジストパターン形状を容易に台形状にする
ことができる。この台形状パターン13をマスクとして
、De e p −LI V光を全面照射する。この時
、上層レジストが充分厚い場合には、レジストの遮光特
性により、 Deep −LJ V光が下層レジストに
到達することはない、上層レジストが薄い場合には膜厚
に応じた菫のDe e p−UV光が透過する。この時
、レジストパターン13のような台形状パターンがある
と、パターンの側面から入射した光14はレジストの屈
折率が1より大きいため、レジストパターン内側に向っ
て曲げられるというレンズ効果が発生する。このため、
曲げられた光が集中する中心軸付近の強度が強くなる。
Deep−υV光光照射上下層レジスト現像すると、光
の強度分布のため、第1図(b)の15に示すような二
つに分かれたパターンが得られることになる。このとき
得られるパターン幅Wは、上層レジストの膜厚、Dee
p−(JV光の照射時間などの条件を変えることにより
、元のレジストパターン幅鴨 の3分の1以下にするこ
とができる。したがって上層レジストパターン幅鴨が0
.6ミクロンであれば、下層レジストパターン幅Wは0
.2 ミクロン以下のものが得られることになる。
の強度分布のため、第1図(b)の15に示すような二
つに分かれたパターンが得られることになる。このとき
得られるパターン幅Wは、上層レジストの膜厚、Dee
p−(JV光の照射時間などの条件を変えることにより
、元のレジストパターン幅鴨 の3分の1以下にするこ
とができる。したがって上層レジストパターン幅鴨が0
.6ミクロンであれば、下層レジストパターン幅Wは0
.2 ミクロン以下のものが得られることになる。
(発明の効果)
以上詳細に述べた通り、本発明によれば従来使用されて
いる紫外線露光法および、遠紫外線露光法を用いて0.
5ミクロン以下のパターン幅を有するレジストパターン
を容易に形成することができる。
いる紫外線露光法および、遠紫外線露光法を用いて0.
5ミクロン以下のパターン幅を有するレジストパターン
を容易に形成することができる。
図において、11・・・基板、12・・・下層レジスト
、13・・・上層レジストパターン、14・・・遠紫外
光、I5・・・下層レジストパターン、鴨08.上層レ
ジストパターン幅、W・・・下層レジストパターン幅を
それぞれ示す。
、13・・・上層レジストパターン、14・・・遠紫外
光、I5・・・下層レジストパターン、鴨08.上層レ
ジストパターン幅、W・・・下層レジストパターン幅を
それぞれ示す。
Claims (1)
- 上層レジストとして紫外光レジストを使い、下層レジス
トとして遠紫外光レジストを使用し、かつ上層レジスト
パターンを下層レジストパターン形成時のマスクとして
使用する二層レジスト構造プロセスにおいて、上層レジ
ストパターンの断面形状を台形状とすることを特徴とす
るパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59065555A JPS60208834A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59065555A JPS60208834A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60208834A true JPS60208834A (ja) | 1985-10-21 |
Family
ID=13290363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59065555A Pending JPS60208834A (ja) | 1984-04-02 | 1984-04-02 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60208834A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63194250A (ja) * | 1987-02-07 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | ホトレジストパターンの形成方法 |
JPH01243436A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性有機樹脂膜の形成方法 |
JPH0293537A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | フォトマスク |
US8154705B2 (en) * | 2007-07-05 | 2012-04-10 | Macronix International Co., Ltd. | Method of defining patterns in small pitch and corresponding exposure system |
-
1984
- 1984-04-02 JP JP59065555A patent/JPS60208834A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63194250A (ja) * | 1987-02-07 | 1988-08-11 | Hitachi Ltd | ホトレジストパターンの形成方法 |
JPH01243436A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 感光性有機樹脂膜の形成方法 |
JPH0293537A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Toshiba Corp | フォトマスク |
US8154705B2 (en) * | 2007-07-05 | 2012-04-10 | Macronix International Co., Ltd. | Method of defining patterns in small pitch and corresponding exposure system |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH07219207A (ja) | フォトマスクおよびその製造方法 | |
JPS60208834A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
JPH04301846A (ja) | 露光用マスク基板の製造方法 | |
US5248574A (en) | Photomask | |
JPS5834921A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0544169B2 (ja) | ||
JPH0431858A (ja) | マスクの製作方法 | |
KR100608345B1 (ko) | 전자빔 프로젝션 노광용 스텐실 마스크 및 그의 제조방법 | |
JPS61102738A (ja) | レジスト膜パタ−ンの形成方法 | |
JPH0529197A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JPS58101427A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS59128540A (ja) | フオトマスク | |
JPH0691066B2 (ja) | 感光性有機樹脂膜の形成方法 | |
JPS59232418A (ja) | 微細パタ−ン形成法 | |
JPH05165223A (ja) | 微細レジストパターンの形成方法 | |
JPH02231705A (ja) | 現像法 | |
JPH027513A (ja) | 電子線レジストのパターン形成法 | |
JPS60123842A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
KR20020056018A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
JPS61131446A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
JPH0523048B2 (ja) | ||
JPS63275116A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS63308316A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH03179444A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JPH0458245A (ja) | 微細パターン形成用マスク及びその製造方法 |