JPH03180033A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
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- JPH03180033A JPH03180033A JP31954089A JP31954089A JPH03180033A JP H03180033 A JPH03180033 A JP H03180033A JP 31954089 A JP31954089 A JP 31954089A JP 31954089 A JP31954089 A JP 31954089A JP H03180033 A JPH03180033 A JP H03180033A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 18
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims abstract description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000006884 silylation reaction Methods 0.000 description 6
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子のパターン形成技術に関するもので
あり、特に２層レジストプロセスにかいて上層のノボラ
ック系レジストを、Ｓｌを含有するガスプラズマにてシ
リル化して、その上層レジストをマスクとして下層の熱
軟化性樹脂のパターンを形成する方法に関するものであ
る。
あり、特に２層レジストプロセスにかいて上層のノボラ
ック系レジストを、Ｓｌを含有するガスプラズマにてシ
リル化して、その上層レジストをマスクとして下層の熱
軟化性樹脂のパターンを形成する方法に関するものであ
る。
近年、半導体デバイスの高集積化、高密度化に伴ない、
これらのデバイスの製造工程の中のレジストパターン形
成工程に卦いて、パターンの寸法摺度を向上させるため
に多層レジストヲ用いるパターン形成方法が枳々開発さ
れている。
これらのデバイスの製造工程の中のレジストパターン形
成工程に卦いて、パターンの寸法摺度を向上させるため
に多層レジストヲ用いるパターン形成方法が枳々開発さ
れている。
第２図はこの従来のパターン形成方法の一例を示す工程
断面図である。すなわち、従来の多層レジスト構造によ
る方法は、第２図に示すように、試料つｇ基板１上に段
差が十分小さくなるまで段差緩和用の熱軟化性樹脂２を
厚く形成して、その表面を加熱平坦化した後、この熱軟
化性樹脂２の上に中間層５を形成する（同図（ａ））。
断面図である。すなわち、従来の多層レジスト構造によ
る方法は、第２図に示すように、試料つｇ基板１上に段
差が十分小さくなるまで段差緩和用の熱軟化性樹脂２を
厚く形成して、その表面を加熱平坦化した後、この熱軟
化性樹脂２の上に中間層５を形成する（同図（ａ））。
次いでこの中間層５上にレジスト６を形威し、これを露
光、現像してパターンニングを行う（同図中））。次に
このレジスト６をマスクとして、例えばＣＦｓ＋（ｈガ
スを用いた反応性イオンエツチングつ″１ＪＲｘＥ法１
３よシ中間層５を加工する（同図（Ｃ））。次いで該中
間層５をマスクとして、０倉ガスによるＲＩＥ法１２に
より熱軟化性樹脂２を加工し、しかる後に該熱軟化性樹
脂２をマスクとして前記基板１の加工を行っている（同
図（ｄ））。
光、現像してパターンニングを行う（同図中））。次に
このレジスト６をマスクとして、例えばＣＦｓ＋（ｈガ
スを用いた反応性イオンエツチングつ″１ＪＲｘＥ法１
３よシ中間層５を加工する（同図（Ｃ））。次いで該中
間層５をマスクとして、０倉ガスによるＲＩＥ法１２に
より熱軟化性樹脂２を加工し、しかる後に該熱軟化性樹
脂２をマスクとして前記基板１の加工を行っている（同
図（ｄ））。
しかしながら、このような従来のパターン形成方法では
工程数が多くなり、ｔ７’ｃ２層レジスト構造にｋいて
も、シリル化処理にかいてクロロアルキルシランガス雰
囲気にてＤｅｅｐＵＶ光を照射するという複雑な処理を
必要としていた。
工程数が多くなり、ｔ７’ｃ２層レジスト構造にｋいて
も、シリル化処理にかいてクロロアルキルシランガス雰
囲気にてＤｅｅｐＵＶ光を照射するという複雑な処理を
必要としていた。
本発明は以上の点に鑑み、上記した従来の問題点を解決
するために、シリル化処理にガスプラズマ処理を用いる
ことによシ、高精度にかつ簡単な工程によシ高段差上で
微細パターンを形成できる方法を提供することを目的と
する。
するために、シリル化処理にガスプラズマ処理を用いる
ことによシ、高精度にかつ簡単な工程によシ高段差上で
微細パターンを形成できる方法を提供することを目的と
する。
本発明に係るパターン形成方法は、試料上にシリカ化し
難い熱軟化性樹脂を形成し、この熱軟化性樹脂の表面を
加熱平坦化した後に該熱軟化性樹脂の上にシリル化しや
すいノボラック系レジストを形成する。そして前記ノボ
ラック系レジストを露光、現像した後に、ＳｉＦ４．５
ｉＣＡｉ等のＳｌを含有するガスプラズマを用いてプラ
ズマ表面処理を行うことにより上層のノボラック系レジ
ストをシリル化する。しかる後、とのシリル化したノボ
ラック系レジストパターンをマスクとして、０２ガスを
用いた反応性イオンエツチング法にょう下層の熱軟化性
樹脂のパターンニングを行うものである。
難い熱軟化性樹脂を形成し、この熱軟化性樹脂の表面を
加熱平坦化した後に該熱軟化性樹脂の上にシリル化しや
すいノボラック系レジストを形成する。そして前記ノボ
ラック系レジストを露光、現像した後に、ＳｉＦ４．５
ｉＣＡｉ等のＳｌを含有するガスプラズマを用いてプラ
ズマ表面処理を行うことにより上層のノボラック系レジ
ストをシリル化する。しかる後、とのシリル化したノボ
ラック系レジストパターンをマスクとして、０２ガスを
用いた反応性イオンエツチング法にょう下層の熱軟化性
樹脂のパターンニングを行うものである。
本発明にかいては、ＳｉＦ４またはＳ ｉ Ｃｔ４等の
８１を含有するガスをマイクロ波放電等のアフターグロ
ー放電プラズマを用いてＳｉ のラジカルを生成し、こ
れをシリル化しやすい上層のノボラック系レジストに輸
送して反応させることによシ、シリル化処理を行える。
８１を含有するガスをマイクロ波放電等のアフターグロ
ー放電プラズマを用いてＳｉ のラジカルを生成し、こ
れをシリル化しやすい上層のノボラック系レジストに輸
送して反応させることによシ、シリル化処理を行える。
このため、簡単な工程によシ高段差上で微細パターンを
高精度に形成できる。
高精度に形成できる。
以下、本発明の実施例を図について説明する。
第１図は本発明によるパターン形成方法の一実施例を説
明するための工程断面図である。この実施例は、第１図
に示すように、段差を有する基板１上に、段差緩和部材
としてＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）また
けシステレン等の熱軟化性樹脂２を塗布し、その表面を
加熱平坦化した後に、この熱軟化性樹脂２の上にシリル
化しやすいノボラック系レジスト３を塗布する（同図（
ａ））。
明するための工程断面図である。この実施例は、第１図
に示すように、段差を有する基板１上に、段差緩和部材
としてＰＭＭＡ （ポリメチルメタアクリレート）また
けシステレン等の熱軟化性樹脂２を塗布し、その表面を
加熱平坦化した後に、この熱軟化性樹脂２の上にシリル
化しやすいノボラック系レジスト３を塗布する（同図（
ａ））。
次いでこのノボラック系レジスト３を露光し、現像する
ことによりパターンニングを行う（同図６）））。
ことによりパターンニングを行う（同図６）））。
次に、マイクロ波を用いたアフターグロープラズマ処理
装置に８ｉＦ４ ｔたは５ｉＣＡｉ等の８１を含有する
ガスを導入し、アフターグロー放電を用いてＳｔを解離
して処理へ導くことによシ、このＳｔ原子（Ｓｔ”）１
１にて第１図（Ｃ）に示すようにノボラック系レジスト
３をシリル化してシリル化ｌ１ｔＪを形成する。次いで
、とのシリル化層４をマスクとしてＯ！ガスによるＲＩ
Ｂ法１２を用いて、下層の熱軟化性樹脂２をバターニン
グした後（同図（ｄ） ） 、この熱軟化性樹脂２をマ
スクとして従来と同様に基板１の加工を行うことによう
、基板１上の高段差部にかいても高精度に簡単な工程で
微細なパターンを形成することができる。この時、シリ
ル化層４の形成においてＳｔの供給量を増やすためには
、マイクロ波のパワーを増大させることによシシリル化
の促進が可能と々る。図中、同一符号は同−筐たは相当
部分を示している。
装置に８ｉＦ４ ｔたは５ｉＣＡｉ等の８１を含有する
ガスを導入し、アフターグロー放電を用いてＳｔを解離
して処理へ導くことによシ、このＳｔ原子（Ｓｔ”）１
１にて第１図（Ｃ）に示すようにノボラック系レジスト
３をシリル化してシリル化ｌ１ｔＪを形成する。次いで
、とのシリル化層４をマスクとしてＯ！ガスによるＲＩ
Ｂ法１２を用いて、下層の熱軟化性樹脂２をバターニン
グした後（同図（ｄ） ） 、この熱軟化性樹脂２をマ
スクとして従来と同様に基板１の加工を行うことによう
、基板１上の高段差部にかいても高精度に簡単な工程で
微細なパターンを形成することができる。この時、シリ
ル化層４の形成においてＳｔの供給量を増やすためには
、マイクロ波のパワーを増大させることによシシリル化
の促進が可能と々る。図中、同一符号は同−筐たは相当
部分を示している。
なシ、上記実施例ではプラズマの発生にかいてマイクロ
波のアフターグロープラズマについて説明したが、本発
明はこれに限らず、ＲＦを用いたものでも、他の方式に
よるものでも構わない。
波のアフターグロープラズマについて説明したが、本発
明はこれに限らず、ＲＦを用いたものでも、他の方式に
よるものでも構わない。
以上のように本発明によれば、高段差を有する試料上に
３層レジスト等の複雑な工程処理を折々わずに、しかも
、シリル化処理をプラズマ処理によって行うためシリル
化を制御しやすく、かつ簡単な処理により高精度に微細
パターンを形成できる等の効果がある。
３層レジスト等の複雑な工程処理を折々わずに、しかも
、シリル化処理をプラズマ処理によって行うためシリル
化を制御しやすく、かつ簡単な処理により高精度に微細
パターンを形成できる等の効果がある。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明によるパターン形成方法
の一実施例を示す工程断面図、第２図（ｓｚ）〜（ｄ）
は従来のパターン形成方法の一例を示す工程断面図であ
る。 １・・・・基板（試料）、２・・・・熱軟化性樹脂、３
・・・・ノボラック系レジスト、４・・・・シリル化層
。
の一実施例を示す工程断面図、第２図（ｓｚ）〜（ｄ）
は従来のパターン形成方法の一例を示す工程断面図であ
る。 １・・・・基板（試料）、２・・・・熱軟化性樹脂、３
・・・・ノボラック系レジスト、４・・・・シリル化層
。
Claims (1)
- 試料上にシリカ化し難い熱軟化性樹脂を形成し、該熱
軟化性樹脂の表面を加熱平坦化した後に前記熱軟化性樹
脂の上にシリル化しやすいノボラック系レジストを形成
する工程と、前記ノボラック系レジストを露光、現像し
た後に、ＳｉＦ＿４、ＳｉＣｌ＿４等のＳｉを含有する
ガスプラズマを用いてプラズマ表面処理を行うことによ
り上層のノボラック系レジストをシリル化する工程と、
前記シリル化したノボラック系レジストパターンをマス
クとして、Ｏ＿２ガスを用いた反応性イオンエッチング
法により前記下層の熱軟化性樹脂のパターンニングを行
う工程を含むととを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31954089A JPH03180033A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31954089A JPH03180033A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03180033A true JPH03180033A (ja) | 1991-08-06 |
Family
ID=18111390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31954089A Pending JPH03180033A (ja) | 1989-12-08 | 1989-12-08 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03180033A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0637065A (ja) * | 1992-05-20 | 1994-02-10 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 基板中に多段構造を作製する方法 |
| US5498514A (en) * | 1994-08-09 | 1996-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
| KR100284026B1 (ko) * | 1998-03-02 | 2001-04-02 | 황인길 | 실릴레이션을이용한미세패턴형성방법 |
| JP2004511896A (ja) * | 2000-06-23 | 2004-04-15 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 誘電フィルム及び材料における疎水性を回復する方法 |
| US8475666B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-07-02 | Honeywell International Inc. | Method for making toughening agent materials |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5953841A (ja) * | 1982-09-22 | 1984-03-28 | Hitachi Ltd | パタ−ン形成方法 |
| JPS62273528A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ポリマ膜表面のシリル化方法およびこれを用いたパタ−ン形成方法 |
| JPS63187237A (ja) * | 1987-01-12 | 1988-08-02 | イーストマン コダック カンパニー | パターン化レジスト像の形成方法 |
| JPS6447024A (en) * | 1987-08-18 | 1989-02-21 | Sanyo Electric Co | Formation of pattern |
-
1989
- 1989-12-08 JP JP31954089A patent/JPH03180033A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5498514A (en) * | 1994-08-09 | 1996-03-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
| US5599653A (en) * | 1994-08-09 | 1997-02-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Pattern forming method with selective silylation utilizing lithographic double-coated patterning plate with undercoat levelling layer |
| KR100284026B1 (ko) * | 1998-03-02 | 2001-04-02 | 황인길 | 실릴레이션을이용한미세패턴형성방법 |
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| US8440388B2 (en) | 2000-06-23 | 2013-05-14 | Honeywell International Inc. | Method to restore hydrophobicity in dielectric films and materials |
| US8475666B2 (en) | 2004-09-15 | 2013-07-02 | Honeywell International Inc. | Method for making toughening agent materials |
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