KR100284026B1 - 실릴레이션을이용한미세패턴형성방법 - Google Patents

Abstract

박막층 위에 DUV(248nm)광에 반응하는 실릴레이션용 제1 감광막을 도포한 후, 그 위에 i-line(365nm)광에 반응하는 제2 감광막을 1μm 정도의 두께로 도포한다. 이 때, 제1 감광막은 염료가 다량 포함되어 있어 광 투과율이 매우 낮다. 다음, 통상의 방법으로 노광, 현상하여 제2 감광막에 미세 패턴을 형성한다. 다음, DUV광을 사용하여 전면 노광하면 미세 패턴이 형성된 부분을 제외한 부분의 제1 감광막 표면층이 노광되고, 다시 i-line광을 사용하여 전면 노광한 후 현상하여 제2 감광막 패턴을 완전히 제거한다. 다음, 규소가 포함된 기체 내에서 가열한 후, 산소 플라스마를 이용한 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 제1 감광막을 식각하여 최종적으로 미세 패턴을 형성한다.

이와 같은 방법으로 미세 패턴을 형성할 경우, 선폭 조절이 용이하여 미세 패턴을 좀 더 정확하게 형성할 수 있으므로, 결국, 반도체 소자의 신뢰도 향상 및 수율 향상을 기대할 수 있다.

Description

실릴레이션을 이용한 미세 패턴 형성 방법

본 발명은 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 특히, 실릴레이션(sililation)을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 제조 공정은 웨이퍼 위에 전자 회로를 구성하는 공정, 칩을 리드 프레임과 결합하여 완제품으로 조립하는 공정, 완성된 제품을 검사하는 공정을 포함한다.

웨이퍼 위에 전자 회로를 구성하기 위해서는 웨이퍼의 표면에 막을 형성시킨 후, 전자 회로가 설계된 마스크를 사용하여 특정 부분을 선택적으로 깎아내는 사진 공정(photolithography process)을 여러번 반복해서 진행해야 한다.

사진 식각 공정은 웨이퍼의 표면에 감광막을 원하는 두께로 도포하는 도포 단계, 마스크를 통하여 빛을 쬐서 마스크의 패턴을 웨이퍼에 옮기는 노광 단계, 현상액을 이용하여 감광막의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분을 선택적으로 제거하는 현상 단계, 웨이퍼 상에 형성된 패턴을 검사하는 단계를 포함한다.

한편, 미세 패턴을 형성하기 위하여 위의 방법 중에서 노광 단계를 거친 후, 감광막의 감광된 부분에 규소가 치환, 결합하도록 하는 실릴레이션 단계를 포함시킬 수도 있다.

그러면, 도 1a 내지 도 1d를 참고로 하여 종래 기술에 따른 실릴레이션을 이용한 미세 패턴을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 1a에 도시한 바와 같이, 패턴을 형성하고자 하는 박막층(1) 위에 실릴레이션용 감광막(2)을 도포한다. 이 때, 감광막(2)에는 빛을 흡수할 수 있는 염료(dye)가 다량 함유되어 있어 감광막(2)의 광 투과율은 매우 낮다. 다음, 도포된 감광막(2)을 노광시키는데, 감광막(2)의 광 투과율이 작으므로, 도 1b에 도시된 바와 같이 표면층만 노광되고, 감광된 부분(3)은 광화학 반응을 일으켜 고분자의 체인 구조들이 끊어지고 분자량이 작은 저분자 구조로 변화된다. 다음, 규소(Si)가 함유된 기체(4) 내에서 고온으로 가열하면 도 1c에 도시한 바와 같이, 노광되어 저분자 구조로 변한 표면층(3)에 규소가 치환되어 결합한다. 다음, 도 1d에 도시한 바와 같이, 감광막(2)을 산소 플라스마(5)를 이용한 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 방법으로 건식 현상한다.

반응성 이온 식각 방법은 과다 식각(undercut)을 일으키지 않고 수직 가공을 가능하게 하므로 미세 패턴 형성에 용이하다. 이러한 반응성 이온 식각 방법으로 감광막(2)을 식각하기 위해서는 산소 플라스마(5)가 사용되며, 감광막에 금속 원자 또는 이온 등이 함유되어 있을 경우에는 식각되지 않는다.

따라서, 도 1d에 도시된 바와 같이, 감광막 중 노광시 구조가 변하지 않은 부분은 산소와 반응하여 제거되지만, 규소와 산소가 반응하여 산화막(SiO₂)(6)을 형성하게 되는 감광된 표면층(3)은 식각되지 않는다. 이 때, 감광된 표면층(3)에 형성된 산화막(6)은 식각시 식각 장벽 역할을 하여 산화막(6) 아래 부분의 감광막이 손실없이 존재하도록 함으로써 미세 패턴을 형성할 수 있다.

위와 같은 미세 패턴 형성 방법에서, 노광 단계시 도포된 감광막(2) 위에 레티클(reticle)을 위치한 후 노광하면 패턴의 가장자리에서 빛의 회절이 일어나 빛의 세기가 약해지고 가운데 부분의 빛의 세기는 높아진다. 따라서, 도 1b에서 볼 수 있는 바와 같이, 감광막의 감광된 부분의 가장자리(A)가 중심부(B)보다 얇게 형성되고 산화막(6) 또한 가장자리가 얇게 형성된다. 이러한 구조는 미세 패턴의 선폭(critical dimension) 조절을 매우 어렵게 하는 요인이 되고 있다.

본 발명이 이루고자 하는 과제는 선폭 조절이 용이하여 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 있는 미세 패턴 형성 방법을 제공하는 것이다.

도 1a 내지 도1d는 종래 기술에 따른 미세 패턴 형성 방법을 순서대로 도시한 단면도이고,

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 순서대로 도시한 단면도이다.

이러한 과제를 이루기 위하여 본 발명에서는 감광막을 이중으로 형성한다. 먼저, 박막층 위에 감광 파장역이 다른 실릴레이션용 제1 감광막과 제2 감광막을 차례로 도포한 후, 제2 감광막을 노광, 현상하여 패턴을 형성한다. 다음, 형성된 제2 감광막 패턴과 제1 감광막을 제1 감광막이 반응하는 파장의 빛을 이용하여 제1차 전면 노광하여 제2 감광막 패턴 사이로 노출되어 있는 제1 감광막의 표면층을 노광시킨 다음, 제2 감광막이 반응하는 파장의 빛을 이용하여 제2차 전면 노광한 후 현상하여 남아있는 제2 감광막을 제거한다. 다음, 제1 감광막을 규소가 포함된 기체 내에서 가열한 후, 반응성 이온 식각 방법을 이용하여 건식 현상하면 원하는 미세 패턴을 정확한 크기로 형성할 수 있다.

위와 같은 미세 패턴 형성 방법은 종래의 방법보다 미세 패턴의 해상도 및 초점 여유도가 우수하며, 또한 선폭 조절이 용이하여 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 있어 반도체 소자의 신뢰도 향상 및 수율 향상 등을 기대할 수 있다.

그러면, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다.

도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 실시예에 따른 미세 패턴 형성 방법을 차례로 도시한 단면도이다.

도 2a 내지 도 2g를 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 실릴레이션을 이용한 미세 패턴의 형성 방법에 대하여 설명한다.

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 박막층(10) 위에 180∼330nm. 특히, 248nm에서 반응하는 DUV용 실릴레이션용 제1 감광막(11)을 도포한다. 이 때, 제1 감광막(11)에는 염료가 빛을 흡수할 수 있는 염료가 다량 함유되어 있어 광 투과율이 매우 낮으며, 제1 감광막(11)의 도포 두께는 실릴레이션 방법에서 일반적으로 도포하는 1μm 정도의 두께보다 1,000∼5,000Å 정도 얇게 형성한다.

다음, 도 2b에 도시한 바와 같이, 제1 감광막(11) 위에 제2 감광막(12)을 도포하는데, 이 때, 제2 감광막(12)은 자외선 영역인 150∼405nm, 특히, 365nm의 빛에 반응하는 i-line용 감광막을 사용한다. 감광막의 두께가 얇을수록 해상 한계 및 초점 여유도가 향상되므로 제2 감광막(12)의 두께는 0.6∼1.5μm 정도로 얇게 형성한다.

한편, 제2 감광막(12) 도포시 제1 감광막(11)을 효과적으로 보호하기 위하여, 제2 감광막(12)을 도포하기 전에 제1 감광막(11)을 고온에서 가열하여 경화시킨다. 이 때, 가열 온도는 약 90∼300℃, 좀 더 정확하게는 100∼150℃ 정도가 바람직하나 사용하는 감광막의 종류에 따라 달라질 수 있다.

다음, 도 2c에 도시한 바와 같이, 365nm의 파장에 해당하는 i-line광을 사용하고 미세 패턴이 형성되어 있는 마스크를 이용하여 노광한 후 현상하여 제2 감광막 패턴(13)을 형성한다. 이 때, 제2 감광막(12)의 두께가 얇으므로 제2 감광막 패턴(13)이 우수한 공정 마진으로 정확하게 형성될 수 있다. 이를 DUV광을 사용하여 전면 노광하면 DUV광은 i-line용 감광막에 대한 투과율이 두께 1μm에 대해서 10% 정도로 낮으므로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 제2 감광막 패턴(13)의 하부는 거의 감광되지 못하고 제2 감광막 패턴(13)이 없는 부분(14)만 감광된다. 또한, 레티클 대신 제2 감광막 패턴(C)을 이용하여 제1 감광막(11)을 노광하므로 빛의 회절을 방지하여 노광된 부분의 두께 차이를 줄일 수 있다.

다음, 다시 i-line을 사용하여 전면 노광한 후 현상하면, 도 2e에 도시된 바와 같이, 제2 감광막 패턴(13)은 완전히 제거된다. 다음, 도 2f에 도시한 것처럼, 규소(Si)가 함유된 기체(15) 내에서 고온으로 가열하면 제1 감광막(11)의 노광된 부분(14)에 규소가 치환되어 결합한다. 다음, 도 2g에 도시한 바와 같이, 산소 플라스마(17)를 이용한 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 방법으로 건식 현상한다. 이 때, 제1 감광막(11) 중 노광되지 않은 부분은 산소 플라스마(17)와 반응하여 식각되지만, 규소가 결합된 부분(14)에서는 규소가 산소와 반응하여 산화막(16)을 형성하게 되고 형성된 산화막(16)은 식각시 식각 장벽 역할을 하여 미세 패턴(18)을 형성한다.

한편, 제2 감광막(12) 도포 전, 감광막의 접착도를 높이기 위하여 실시하는HMDS(hexamethyldisilane) 처리는 하지 않는 것이 바람직한데, HMDS에는 소량이지만 규소가 포함되어 있어 산소 플라스마(17)를 이용한 식각시 제2 감광막 패턴(13) 이외의 부분에 산화막이 형성될 수 있기 때문이다.

위에서 언급한 바와 같이, 규소 결합을 이용한 미세 패턴을 형성하는 종래의 하부 감광막 위에 하부 감광막과는 다른 파장에 반응하는 상부 감광막을 얇게 도포한 후, 상부 감광막을 이용하여 미세 패턴을 형성함으로써, 미세 패턴의 해상도 및 초점 여유도를 향상시킬 수 있으며, 형성된 미세 패턴을 이용하여 다시 전면 노광함으로써, 하부 감광막의 노광된 부분에서의 가장자리와 가운데 부분의 두께의 차를 줄일 수 있다. 결과적으로, 선폭의 조절이 용이하여 미세 패턴을 정확하게 형성할 수 있어 반도체 소자의 신뢰도 및 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

1. 박막층 위에 실릴레이션용 제1 감광막을 도포하는 단계,

   상기 제1 감광막 위에 제1 감광막과는 다른 파장역에 반응하는 제2 감광막을 도포하는 단계,

   상기 제2 감광막을 선택 노광 및 현상하여 감광막 패턴을 형성하는 단계,

   상기 제1 감광막의 감광 파장역의 빛을 사용하여 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 제1 감광막을 노광하는 단계,

   상기 제1 감광막을 규소가 포함된 기체 내에서 가열하는 단계,

   상기 제1 감광막을 건식 식각 방법을 이용하여 현상하는 단계

   를 포함하는 실릴레이션을 이용한 미세 패턴 형성 방법.
2. 제1항에서,

   상기 제1 감광막은 180∼330nm의 파장의 빛에 반응하는 미세 패턴 형성 방법.
3. 제2항에서,

   상기 제1 감광막은 염료를 포함하는 미세 패턴 형성 방법.
4. 제3항에서,

   상기 제1 감광막은 1μm보다 1,000∼5,000Å 정도 얇은 두께로 형성하는 미세 패턴 형성 방법.
5. 제4항에서,

   상기 제2 감광막은 150∼405nm의 파장의 빛에 반응하는 미세 패턴 형성 방법.
6. 제5항에서,

   상기 제2 감광막은 0.6∼1.5μm의 두께로 도포하는 미세 패턴 형성 방법.
7. 제6항에서,

   상기 제1 감광막 도포 후 고온으로 가열하여 경화시키는 단계를 더 포함하는 미세 패턴 형성 방법.
8. 제7항에서,

   상기 가열 온도는 900∼300℃인 미세 패턴 형성 방법.
9. 제8항에서,

   상기 가열 온도는 100∼150℃인 미세 패턴 형성 방법.