JPS5953841A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS5953841A JPS5953841A JP16384982A JP16384982A JPS5953841A JP S5953841 A JPS5953841 A JP S5953841A JP 16384982 A JP16384982 A JP 16384982A JP 16384982 A JP16384982 A JP 16384982A JP S5953841 A JPS5953841 A JP S5953841A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- layer
- pattern
- contg
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C5/00—Photographic processes or agents therefor; Regeneration of such processing agents
- G03C5/08—Photoprinting; Processes and means for preventing photoprinting
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路やバブルメモリー等の微細パタ
ーンの形成方法に係り、特にレジスト被膜形成および現
像を乾式で行なうパターン形成方法に関する。
ーンの形成方法に係り、特にレジスト被膜形成および現
像を乾式で行なうパターン形成方法に関する。
半導体の微細加工等に用いるレジストには有機高分子材
料が用いられておシ、該高分子を溶剤に溶かしたレジス
ト液を基板上に回転塗布しプリベータを経てレジスト膜
を形成している。
料が用いられておシ、該高分子を溶剤に溶かしたレジス
ト液を基板上に回転塗布しプリベータを経てレジスト膜
を形成している。
また、該高分子が光または電子線、Ｘ線、・ｆオンビー
ム等の放射線を照射した部分と未照射の部分とで溶剤に
対する溶解性が異なることを利用して湿式現像によシバ
ターンが形成されている。しかしながら、これらの湿式
１程では多量の浴剤ン必要とし、また工程管理が難しく
、さらにレジ、４１・の膨潤によるパターン８’／１度
の劣化管の問題があるため、溶剤を用いない乾式法の開
発が期荀され又いる。そこで、プラズマ重合によシレジ
スト被膜を形成し、０２プラズマ現像を行ってパタニン
を形成する一員した乾式リソグラフィが森田らによシ報
告されたが（森田らジャーナル−ｉブ・アプライドのフ
ィジックス（Ｊ、 ＡｐｐｌＳｐ’ｙＪＰ、 ）ｓ１＠
、５９３８頁（１９８０年））、レジストの感度が悪く
、かつ光または放射線の照射部と未照射部とでプラズマ
現像速度の差が小さいためにその後の選択的エツチング
に耐えるだけの膜厚を得ることが困難′ｔ７ある。
ム等の放射線を照射した部分と未照射の部分とで溶剤に
対する溶解性が異なることを利用して湿式現像によシバ
ターンが形成されている。しかしながら、これらの湿式
１程では多量の浴剤ン必要とし、また工程管理が難しく
、さらにレジ、４１・の膨潤によるパターン８’／１度
の劣化管の問題があるため、溶剤を用いない乾式法の開
発が期荀され又いる。そこで、プラズマ重合によシレジ
スト被膜を形成し、０２プラズマ現像を行ってパタニン
を形成する一員した乾式リソグラフィが森田らによシ報
告されたが（森田らジャーナル−ｉブ・アプライドのフ
ィジックス（Ｊ、 ＡｐｐｌＳｐ’ｙＪＰ、 ）ｓ１＠
、５９３８頁（１９８０年））、レジストの感度が悪く
、かつ光または放射線の照射部と未照射部とでプラズマ
現像速度の差が小さいためにその後の選択的エツチング
に耐えるだけの膜厚を得ることが困難′ｔ７ある。
本発明はこのような従来技術の実情に鑑みてなされたも
ので、その目的は高感ｊ１［のレジスト被、嘆を形成し
、膜減シのほとんどない［／シストパターンを形成し得
る乾式のパターン形成方法を提供することにある。
ので、その目的は高感ｊ１［のレジスト被、嘆を形成し
、膜減シのほとんどない［／シストパターンを形成し得
る乾式のパターン形成方法を提供することにある。
なお前記したように、光、 ＪＯＢ等を照射したレジス
トを単に０２プラズマ等で処理′ｒるだけではごく町い
膜厚のパターンしか形成できない。そこで、膜減りを小
さく一ツーるにはレジストを２層ｍ１告とｔ、、、Ｊ：
層のプラズマ曳［７；速、１魚な下層のプラズマ現像速
度より小さくするのがよい。特に上層をＳｉを含む層と
すれば、Ｏｚプノ（マに触れると５ ｉ、０２を生じて
０２プラズマにほとんど分離嘔れなくなるため、下層を
そのまま残Ｊ−ことができることがわかった。また、レ
ジスト感度向上のためにけＥＥ、Ｘ線、イオンビーム等
に感応性の高い基を有する化合物を用いるのがよい。以
上のことから５ｉを含む有ｔＡ化合物と反応性の高い官
能基を有する有機化合物との混合ガスのプラズマ重合に
ついて検討した結果、エポキシ基を有する化合物が特に
高感度であることを見出した。
トを単に０２プラズマ等で処理′ｒるだけではごく町い
膜厚のパターンしか形成できない。そこで、膜減りを小
さく一ツーるにはレジストを２層ｍ１告とｔ、、、Ｊ：
層のプラズマ曳［７；速、１魚な下層のプラズマ現像速
度より小さくするのがよい。特に上層をＳｉを含む層と
すれば、Ｏｚプノ（マに触れると５ ｉ、０２を生じて
０２プラズマにほとんど分離嘔れなくなるため、下層を
そのまま残Ｊ−ことができることがわかった。また、レ
ジスト感度向上のためにけＥＥ、Ｘ線、イオンビーム等
に感応性の高い基を有する化合物を用いるのがよい。以
上のことから５ｉを含む有ｔＡ化合物と反応性の高い官
能基を有する有機化合物との混合ガスのプラズマ重合に
ついて検討した結果、エポキシ基を有する化合物が特に
高感度であることを見出した。
一、＋−７，Ｃわち１本発明のパターン形成方法ｅま、
基板上に少なくとも一層の有機薄膜（下層）を形成し、
該薄１Ｍ 、Ｊ：、に５ｉを含む有機化合物とエポキシ
基を合む有機化合物との混合ガスのプラズマ重合により
最上層のノ２×マ重ａ被ＪＩＫを形成し該被膜に光丑た
は放射線を照射してプラズマ現像を行なうことを特徴と
している。
基板上に少なくとも一層の有機薄膜（下層）を形成し、
該薄１Ｍ 、Ｊ：、に５ｉを含む有機化合物とエポキシ
基を合む有機化合物との混合ガスのプラズマ重合により
最上層のノ２×マ重ａ被ＪＩＫを形成し該被膜に光丑た
は放射線を照射してプラズマ現像を行なうことを特徴と
している。
以下に本発１１Ｊによるパターン形成力法を図に基づい
又詳細に脱明づ−る。第１図＜Ａ）〜（Ｅ）は本発明に
係るパターン形成を説明するだめの概略工程図である。
又詳細に脱明づ−る。第１図＜Ａ）〜（Ｅ）は本発明に
係るパターン形成を説明するだめの概略工程図である。
最初に、本発明のパターン形成方法の基本的構成を第１
図によシ説明する。まず、クリコンウェハまたｔよりロ
ム蒸着ガラス等の基板１の被加工面上に有機薄膜の第１
層（下層）２を形成しく第１図（，４））、次いで、プ
ラズマ発生装置内に該基板を設置し、所定の５ｉを含む
有機化合物とエポキシを自む化合物との混合ガスを該装
置内に導入して放電を開始し、第２層（上層）３を第１
Ｍ２上に堆積場ぜる（Ｂ）。この２Ｗ４膜に光またはＥ
ｌｌ等の放射線４を屓望のノくターンにて照射しくＣ）
、プラズマ発生装置内でまずフッ素を含むガスのプラズ
マによシ上層６を現像しい、次いで０２を含むプラズマ
によ、！ｌ）ｌ／Ｔ４５のノ（ターンのない部分の”Ｆ
層２を除去する（勾。なお、第１図（Ｃ）と向で示−ｒ
ニオ〒の間に、１００℃〜２００℃の温度の範茜内での
基板の加熱工程を入れてもよい。
図によシ説明する。まず、クリコンウェハまたｔよりロ
ム蒸着ガラス等の基板１の被加工面上に有機薄膜の第１
層（下層）２を形成しく第１図（，４））、次いで、プ
ラズマ発生装置内に該基板を設置し、所定の５ｉを含む
有機化合物とエポキシを自む化合物との混合ガスを該装
置内に導入して放電を開始し、第２層（上層）３を第１
Ｍ２上に堆積場ぜる（Ｂ）。この２Ｗ４膜に光またはＥ
ｌｌ等の放射線４を屓望のノくターンにて照射しくＣ）
、プラズマ発生装置内でまずフッ素を含むガスのプラズ
マによシ上層６を現像しい、次いで０２を含むプラズマ
によ、！ｌ）ｌ／Ｔ４５のノ（ターンのない部分の”Ｆ
層２を除去する（勾。なお、第１図（Ｃ）と向で示−ｒ
ニオ〒の間に、１００℃〜２００℃の温度の範茜内での
基板の加熱工程を入れてもよい。
上記の工程で得られる本発明によるノ（ターンは現像さ
れて残った上層乙の下の下層２がそのまま残るので、リ
ソグラフィにおける次工程の選択的エツチングに耐える
だけの十分な強度を有する膜を残丁ことが司能である。
れて残った上層乙の下の下層２がそのまま残るので、リ
ソグラフィにおける次工程の選択的エツチングに耐える
だけの十分な強度を有する膜を残丁ことが司能である。
なお１本発明のパターン形成方法において、上層６のブ
ラズ＝重合に用いるＳＬを含む有機化合物としては、室
温で気体もｌ、 ＜ ｉ、を液体のもので沸点が２００
℃以下のものが好ましく、たとえば１）テトラメヂルシ
ラン、テトラピニルシランビニルトリメヂルンラン、ジ
ビニルジメチルシラン、トリビニルメチルシラン、ジア
リルジメチルシラン、テトラ、】、チルシシン、テトラ
メトキシンラン、ビニルトリメトキシシラＲ＋ 、１
３ ン等の、一般式ノ（２〕ＳＬ、Ｉ？、（Ｒ１〜Ｒ心Ｃ１
Ｈ５ＯＮ、Ｃｔからなる基）で表わ嘔れるシラン化合物 ２）へキサメチルジシロキサン、１，５−ジビニル−１
，＋、５．５−テトラメチルジシロギサン等のシロキサ
ン類 ５）″′Ｓキサメチルジ７ラザン等のシラザン類などの
うちから選ぶのがよい。
ラズ＝重合に用いるＳＬを含む有機化合物としては、室
温で気体もｌ、 ＜ ｉ、を液体のもので沸点が２００
℃以下のものが好ましく、たとえば１）テトラメヂルシ
ラン、テトラピニルシランビニルトリメヂルンラン、ジ
ビニルジメチルシラン、トリビニルメチルシラン、ジア
リルジメチルシラン、テトラ、】、チルシシン、テトラ
メトキシンラン、ビニルトリメトキシシラＲ＋ 、１
３ ン等の、一般式ノ（２〕ＳＬ、Ｉ？、（Ｒ１〜Ｒ心Ｃ１
Ｈ５ＯＮ、Ｃｔからなる基）で表わ嘔れるシラン化合物 ２）へキサメチルジシロキサン、１，５−ジビニル−１
，＋、５．５−テトラメチルジシロギサン等のシロキサ
ン類 ５）″′Ｓキサメチルジ７ラザン等のシラザン類などの
うちから選ぶのがよい。
また、エポキシ基を含む有機化合物としては好ましくは
同一分子内にビニル基、アリル基等。
同一分子内にビニル基、アリル基等。
の二ｌｊ結合かノ・ロゲン元累を禿むものがよく。
たとえば、
ブタジェンモノオキシド、グリシジルメタンリレート、
アリルグリシジルエーテル、エピ（ロロヒドリン、エビ
グロモヒドリン、または上記の化合物の肪導体から選ぶ
のがよい。
アリルグリシジルエーテル、エピ（ロロヒドリン、エビ
グロモヒドリン、または上記の化合物の肪導体から選ぶ
のがよい。
一方、下層の膜け０２プラズマで除去されるものであれ
ばよ＜、ｃ、ｎ、Ｏ，Ａ’、 Ｓ、 Ｆ、 Ｃ４Ｂｒ、
Ｉ等の元素で構成される高分子化合物がよい。下層の
形成方法は回転塗布法によってもよいが、プラズマ重合
を用いれば全工程を乾式化できるので最も好ましい。
ばよ＜、ｃ、ｎ、Ｏ，Ａ’、 Ｓ、 Ｆ、 Ｃ４Ｂｒ、
Ｉ等の元素で構成される高分子化合物がよい。下層の
形成方法は回転塗布法によってもよいが、プラズマ重合
を用いれば全工程を乾式化できるので最も好ましい。
また、プラズマ重合に用いるプラズマ発生装置は基板表
面のダメージの少ない高周波またはマイクロ波放亀型、
あるいは放電部と重合部が分離嘔れている型のものがよ
い。なお放電の電力はエポキシ基の分解が起らないよう
に小石くする必要があり、好ましくは５σＰ′以下、爆
らに好ましくは１〜２０ＩＶの範囲がよい。一方プラズ
マ現像に用いる装置は平行千板市極型、バレル型高周波
蒔導型のいずれでもよいが、微細なパターンを精度よ〈
す５像するには平行平板電極型の装置においてガス圧な
０．ＩＴｏｒｒ程度とする反応性スパックエツチングの
条件で行なうのが好ましい。
面のダメージの少ない高周波またはマイクロ波放亀型、
あるいは放電部と重合部が分離嘔れている型のものがよ
い。なお放電の電力はエポキシ基の分解が起らないよう
に小石くする必要があり、好ましくは５σＰ′以下、爆
らに好ましくは１〜２０ＩＶの範囲がよい。一方プラズ
マ現像に用いる装置は平行千板市極型、バレル型高周波
蒔導型のいずれでもよいが、微細なパターンを精度よ〈
す５像するには平行平板電極型の装置においてガス圧な
０．ＩＴｏｒｒ程度とする反応性スパックエツチングの
条件で行なうのが好ましい。
さらに上層５をプラズマ現像するためのガスとしてはＣ
Ｆａ、ＣＣＬ Ｆｓ、ＣＣＬ２ Ｆ２ 、（’２ Ｆｅ
等のフッ素を含むガスのうちいずれか、またはそれとＡ
ｒ、 ｌｉｅ、 Ｎａ、Ｘｇ、０２、Ｎ２等との混合ガ
スを用いることができる。また下層のプラズマ現像には
０２または０２とΔｒ、Ｈｔｔ、 Ｎｇ、 Ｘｅ、Ｎ２
等との混合ガスを用いることができる。
Ｆａ、ＣＣＬ Ｆｓ、ＣＣＬ２ Ｆ２ 、（’２ Ｆｅ
等のフッ素を含むガスのうちいずれか、またはそれとＡ
ｒ、 ｌｉｅ、 Ｎａ、Ｘｇ、０２、Ｎ２等との混合ガ
スを用いることができる。また下層のプラズマ現像には
０２または０２とΔｒ、Ｈｔｔ、 Ｎｇ、 Ｘｅ、Ｎ２
等との混合ガスを用いることができる。
次に上記の本発明によるパターン形成方法の具体的な実
施例について詳述する。
施例について詳述する。
実施例１、シ！３：板１（第１図）としてクロム蒸着ガ
ラス板を用い、該基板１を高周波平行平板電極型プラズ
マ発生装置内に設置する。次にこの装置内にスチレンを
流量＋ Ｏｃ ｃ／ｍｉルにて流入させ）Ｊ ス’ｆＥ
ヲｌ）、１５１’ｏｒｒ トＬ テ放ｔＸ力５０Ｆに
て２０分間放遊り＝ ｙｚｓ続させ、基板１上に浮式１
．１μｍのボリスチレ＞’Ｊ惜（下層２）を形成したく
第１図（Ａ）。
ラス板を用い、該基板１を高周波平行平板電極型プラズ
マ発生装置内に設置する。次にこの装置内にスチレンを
流量＋ Ｏｃ ｃ／ｍｉルにて流入させ）Ｊ ス’ｆＥ
ヲｌ）、１５１’ｏｒｒ トＬ テ放ｔＸ力５０Ｆに
て２０分間放遊り＝ ｙｚｓ続させ、基板１上に浮式１
．１μｍのボリスチレ＞’Ｊ惜（下層２）を形成したく
第１図（Ａ）。
次に同−装置内を排気した後、アリルグリシジ
□ルエーテルとテ）９メチルシランの容積比１：１の混
合ガスを該装置内に導入し、内圧を（３，２１０ｒｔに
保ち、電力１０Ｆにて２分間プラズマ重合を行ない、上
層６を形成した（句。なお、上層３の膜厚け０．１μｍ
であった。この２層レジストをｌＸ１０ ’〜Ｉ Ｘ
＋ ＯＣＬ ａｄの電子線（４）でパターン描画した後
（Ｃ）、平行乎板厄極型プラズマエツチング装置におい
てＣＦ４１０２１：ｌの混合ガスプラズマによって上層
６の現像を行なった（至）。ここで電力１００Ｆで５分
間プラズマを発生させた後放醒を止め１反応器内を排気
し、次いで０２がＵ１５Ｔｏｒｒの条件で１００ｔＶに
て１０分間下層２のプラズマ現像を行なった（Ｅ）。電
子線量５ｘｌＯＣＡＩＩ以−ヒでｔま電子線照射部の下
層２は全Ｃ残り、未照射部は除去６れてネガ形パターン
が形成された。なお、成子線量４ｘ１ｏ Ｃ／ｃｆＩ
以下ではパターンが形成されなかっｌこ。
□ルエーテルとテ）９メチルシランの容積比１：１の混
合ガスを該装置内に導入し、内圧を（３，２１０ｒｔに
保ち、電力１０Ｆにて２分間プラズマ重合を行ない、上
層６を形成した（句。なお、上層３の膜厚け０．１μｍ
であった。この２層レジストをｌＸ１０ ’〜Ｉ Ｘ
＋ ＯＣＬ ａｄの電子線（４）でパターン描画した後
（Ｃ）、平行乎板厄極型プラズマエツチング装置におい
てＣＦ４１０２１：ｌの混合ガスプラズマによって上層
６の現像を行なった（至）。ここで電力１００Ｆで５分
間プラズマを発生させた後放醒を止め１反応器内を排気
し、次いで０２がＵ１５Ｔｏｒｒの条件で１００ｔＶに
て１０分間下層２のプラズマ現像を行なった（Ｅ）。電
子線量５ｘｌＯＣＡＩＩ以−ヒでｔま電子線照射部の下
層２は全Ｃ残り、未照射部は除去６れてネガ形パターン
が形成された。なお、成子線量４ｘ１ｏ Ｃ／ｃｆＩ
以下ではパターンが形成されなかっｌこ。
実施例２． シリコンウェハを基板１とし、上記実施例
１と同様な手順で２層レジストを形成した（第１図（（
イ）、（１゜ただし、上層６のプラズマ重合に用いるガ
スはグリシジルメタクリレートとテトラビニルシランの
１＝１の混合ガスとしガス圧は０．１２Ｔｏｒｒ、放電
電力Ｊ、放電時間２分とした。また、実施例１と同一条
件で阻子線描画（Ｃ）、上層す、像（イ）、下層現像（
Ｆ″）したところ、ｌＸ１０ の９以上でネガパターン
が形成された。
１と同様な手順で２層レジストを形成した（第１図（（
イ）、（１゜ただし、上層６のプラズマ重合に用いるガ
スはグリシジルメタクリレートとテトラビニルシランの
１＝１の混合ガスとしガス圧は０．１２Ｔｏｒｒ、放電
電力Ｊ、放電時間２分とした。また、実施例１と同一条
件で阻子線描画（Ｃ）、上層す、像（イ）、下層現像（
Ｆ″）したところ、ｌＸ１０ の９以上でネガパターン
が形成された。
実施例５． シリコンウェハを基板１とし、メチルメタ
クリレ−１・をガス圧Ｉ１．２Ｔｏｒｒ、 ｌ；、力８
０１１’（１）条件で３０分間プシズマ■合８ぜ、次い
でブタジェンモノオキシドとへキサメチルジシラザンの
混合比５：１のガスをガス圧ｏ、５ Ｔ ｏ ｒ ｒ、
ｈカ２０Ｆにて５分間プラズマ重合爆ぜた。ここて下
層２の膜厚け１．３μ７１Ｌ 、ｈ層３の膜厚け０．２
μ扉であった（第１図（イ）、 （１３） ）。また、
上記実施例１と同様にｌ子線描画しくＣ）、現像した七
ころ（ｐ、（Ｅ））、２層レジストの感度け４ Ｘ ＋
ＯＣ７２ｔｉであった。なお同一条件にてｌ子線描画
した後、基板を１５１３℃で３０分間熱処理しく（Ｃ）
と（間の間の工程）、現像した場Ｈの感度ば２Ｘ１０
ＣＬｃｒｉであった。
クリレ−１・をガス圧Ｉ１．２Ｔｏｒｒ、 ｌ；、力８
０１１’（１）条件で３０分間プシズマ■合８ぜ、次い
でブタジェンモノオキシドとへキサメチルジシラザンの
混合比５：１のガスをガス圧ｏ、５ Ｔ ｏ ｒ ｒ、
ｈカ２０Ｆにて５分間プラズマ重合爆ぜた。ここて下
層２の膜厚け１．３μ７１Ｌ 、ｈ層３の膜厚け０．２
μ扉であった（第１図（イ）、 （１３） ）。また、
上記実施例１と同様にｌ子線描画しくＣ）、現像した七
ころ（ｐ、（Ｅ））、２層レジストの感度け４ Ｘ ＋
ＯＣ７２ｔｉであった。なお同一条件にてｌ子線描画
した後、基板を１５１３℃で３０分間熱処理しく（Ｃ）
と（間の間の工程）、現像した場Ｈの感度ば２Ｘ１０
ＣＬｃｒｉであった。
実施例４． シリコンウェハ（基板１）上に回転塗布に
よりポリイミドの厚さ１μｍの下層２を形成しく４）、
上Ｎ＆３け実施例２と同様に形成しβ）、遠紫外光を２
Ｏｒ、ｑノ照射した後（Ｃ）、実施例１と同様にプラ
ズマ現像を行なった（（ｐ）、（Ｅｌ）。ただし下層２
の現像時間は５０分であった。なお、露光部のみポリイ
ミド層（（Ｅ）の下層２）が完全に残シ、ネガ形パター
ンが形成場れた。
よりポリイミドの厚さ１μｍの下層２を形成しく４）、
上Ｎ＆３け実施例２と同様に形成しβ）、遠紫外光を２
Ｏｒ、ｑノ照射した後（Ｃ）、実施例１と同様にプラ
ズマ現像を行なった（（ｐ）、（Ｅｌ）。ただし下層２
の現像時間は５０分であった。なお、露光部のみポリイ
ミド層（（Ｅ）の下層２）が完全に残シ、ネガ形パター
ンが形成場れた。
以上説明ｌ−たように本発明のパターン形成方法は、最
上層をＳｉを含む有機化合物とエボキク基を含む有機化
合物との混合ガスのプラズマ重合により形成する構成な
ので、高感度のレジスト被膜を形成することができ、か
つプラズマ現像による膜減、りを極めて小さくすること
ができまた乾式で行なうので、リソグラフィ工程を簡略
化することができ、加工精度を向上させることができる
という顕著な効果がある。
上層をＳｉを含む有機化合物とエボキク基を含む有機化
合物との混合ガスのプラズマ重合により形成する構成な
ので、高感度のレジスト被膜を形成することができ、か
つプラズマ現像による膜減、りを極めて小さくすること
ができまた乾式で行なうので、リソグラフィ工程を簡略
化することができ、加工精度を向上させることができる
という顕著な効果がある。
喜；図体！罫は本発明のパターン形成方法の概略工程図
である。 １・・・基板、 ２・・・第１層（下層）、
３・・・第２層（上層）、４・・・光または放射線。 代理人弁理士 薄 １）利 ９．％、。 （Ａ）
である。 １・・・基板、 ２・・・第１層（下層）、
３・・・第２層（上層）、４・・・光または放射線。 代理人弁理士 薄 １）利 ９．％、。 （Ａ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板上に少なくとも一層の有機薄膜（下層）を形
成し、該薄膜上に５ｉを含む有機化合物とエポキシ基を
含む有機化合物との混合ガスのプラズマ重合によジ最上
層のプラズマ重合被膜を形成し、これらの被膜に光また
は放射線を照射してプラズマ現像を行なうことを特徴、
とするパターン形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法にお
いて、上記最上層はＦを含むガスによって、また上記下
層は０２を含むガスによってプラズマ現像を行なうこと
を特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16384982A JPS5953841A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | パタ−ン形成方法 |
| DE8383301686T DE3378931D1 (en) | 1982-03-26 | 1983-03-25 | Method for forming fine resist patterns |
| US06/478,666 US4560641A (en) | 1982-03-26 | 1983-03-25 | Method for forming fine multilayer resist patterns |
| EP83301686A EP0090615B1 (en) | 1982-03-26 | 1983-03-25 | Method for forming fine resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16384982A JPS5953841A (ja) | 1982-09-22 | 1982-09-22 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5953841A true JPS5953841A (ja) | 1984-03-28 |
Family
ID=15781918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16384982A Pending JPS5953841A (ja) | 1982-03-26 | 1982-09-22 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5953841A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6276723A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Matsushita Electronics Corp | 基板上へのレジストパタ−ン形成方法 |
| JPS63172155A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Minolta Camera Co Ltd | レジスト膜及びそのレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS63297435A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Hitachi Ltd | パタ−ンの形成方法 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH03180033A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JPH073578B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1995-01-18 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | スピン―オン・ガラスレジンを用いたデバイス製作方法及びそれにより形成されたデバイス |
-
1982
- 1982-09-22 JP JP16384982A patent/JPS5953841A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073578B2 (ja) * | 1985-02-04 | 1995-01-18 | アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー | スピン―オン・ガラスレジンを用いたデバイス製作方法及びそれにより形成されたデバイス |
| JPS6276723A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Matsushita Electronics Corp | 基板上へのレジストパタ−ン形成方法 |
| JPS63172155A (ja) * | 1987-01-09 | 1988-07-15 | Minolta Camera Co Ltd | レジスト膜及びそのレジストパタ−ンの形成方法 |
| JPS63297435A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-05 | Hitachi Ltd | パタ−ンの形成方法 |
| JPH01234841A (ja) * | 1988-03-16 | 1989-09-20 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH03180033A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-06 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
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