JPS5957432A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS5957432A JPS5957432A JP16750782A JP16750782A JPS5957432A JP S5957432 A JPS5957432 A JP S5957432A JP 16750782 A JP16750782 A JP 16750782A JP 16750782 A JP16750782 A JP 16750782A JP S5957432 A JPS5957432 A JP S5957432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- resist pattern
- radiation
- film
- exposing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はパターン形成方法に関し、更に詳しくは電子Ｈ
１Ｘ線、イオンビーム又は紫外線等の放射線を用いたり
ソグラフィ技術を利用し、ドライエツチング性によジノ
やターン全形成する方法においてリソグラフィ技術に用
いられるレジストパターンの耐ドライエツチング性を改
良したパターン形成方法に関する。
１Ｘ線、イオンビーム又は紫外線等の放射線を用いたり
ソグラフィ技術を利用し、ドライエツチング性によジノ
やターン全形成する方法においてリソグラフィ技術に用
いられるレジストパターンの耐ドライエツチング性を改
良したパターン形成方法に関する。
（２）技術の背景並びに従来技術と問題点従来、リング
ラフィ技術におい１用いられてきたレジストには？リン
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ ） 、ポリグリシツ
ルメタアクリレート（ＰＧＭＡ ） 、等がある。これ
らのレジストは解像性が高いことおよび高感度であるこ
と等の特長を有している。しかし、これらのレジストは
プラズマエツチング、反応性イオンエツチング又はイオ
ンミリング等のいわゆるドライエツチングに対しては耐
性が低いという欠点があった。この欠点は半導体素子等
を製造した際製品の歩留まり信頼性の欠如として表われ
る。従って感度の良好なレノストを使用したままで対ド
ライエツチング性を向上させるパターン形成方法が望ま
れていた。
ラフィ技術におい１用いられてきたレジストには？リン
チルメタアクリレート（ＰＭＭＡ ） 、ポリグリシツ
ルメタアクリレート（ＰＧＭＡ ） 、等がある。これ
らのレジストは解像性が高いことおよび高感度であるこ
と等の特長を有している。しかし、これらのレジストは
プラズマエツチング、反応性イオンエツチング又はイオ
ンミリング等のいわゆるドライエツチングに対しては耐
性が低いという欠点があった。この欠点は半導体素子等
を製造した際製品の歩留まり信頼性の欠如として表われ
る。従って感度の良好なレノストを使用したままで対ド
ライエツチング性を向上させるパターン形成方法が望ま
れていた。
（３）発明の目的および構成
本発明はかかる要望に応えるためになされたもので、本
発明は、基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に
放射線を照射し、次いで現像し基板上に所望のレジスト
パターンを形成し、得られたレジストパターンに放射線
を照射するか又は得られたレジストツヤターンに膜を形
成しない気体のプラズマにさらし、次いでレジストハタ
ーンヲ有機化合物の蒸気にさらすことを特徴とする。
発明は、基板上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に
放射線を照射し、次いで現像し基板上に所望のレジスト
パターンを形成し、得られたレジストパターンに放射線
を照射するか又は得られたレジストツヤターンに膜を形
成しない気体のプラズマにさらし、次いでレジストハタ
ーンヲ有機化合物の蒸気にさらすことを特徴とする。
すなわち、本発明は選択的にレジストパターン表面にの
みラジカルを発生させて放射線グラフト重合又はプラズ
マグラフト重合を行ないレジストパターン表面にポリマ
一層を形成して耐ドライエツチング性を得んとするもの
である。つまり、本発明はレノストパターン形成後に、
該レジストと有機化合物とを化学的に反応させレジスト
表面に該有機化合物のポリマ一層を形成し、一方しジス
トノ９ターンが形成されていない基板表面には伺らの影
響も与えず、またレジストの有する本来の優れた特質を
維持してレジストの耐ドライエツチング性を改良するも
のである。
みラジカルを発生させて放射線グラフト重合又はプラズ
マグラフト重合を行ないレジストパターン表面にポリマ
一層を形成して耐ドライエツチング性を得んとするもの
である。つまり、本発明はレノストパターン形成後に、
該レジストと有機化合物とを化学的に反応させレジスト
表面に該有機化合物のポリマ一層を形成し、一方しジス
トノ９ターンが形成されていない基板表面には伺らの影
響も与えず、またレジストの有する本来の優れた特質を
維持してレジストの耐ドライエツチング性を改良するも
のである。
本発明において照射する放射線としては、γ線、電子線
、Ｘ線、α線、中性子線、イオンビーム、紫外線又は遠
紫外線等が使用できる。
、Ｘ線、α線、中性子線、イオンビーム、紫外線又は遠
紫外線等が使用できる。
又、プラズマを生じさせる気体は、プラズマ重合膜を形
成しない気体であれば特にその種類は問わないが、アル
ゴン、ヘリウム、ネオン等の希ガス、水素、窒素、四塩
化炭素、四フッ化炭素等のパーフルオロ飽和炭化水素、
アンモニア等が使用できる。
成しない気体であれば特にその種類は問わないが、アル
ゴン、ヘリウム、ネオン等の希ガス、水素、窒素、四塩
化炭素、四フッ化炭素等のパーフルオロ飽和炭化水素、
アンモニア等が使用できる。
又、使用する有機化合物としては耐ドライエツチング性
を向上させかつレジストと反応する化合物であれば特に
制限されないが、例えばスチレン、クロロスチレン、ブ
ロモスチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン
、−アリルベンゼン、ジビニルベンゼン、ビニルトルエ
ン、ビニルベンジルクロライド、ペンシルメタクリレー
ト、ペンツルアクリレート、フェニルメタアクリレート
、フェニルアクリレート、１−フェニル−２−ブテン、
フェニルジアクリレート、フェニルエチルアクリレート
、フェニルエチルメタアクリレート、又はフェニルビニ
ルケトン等の芳香環と官能基とを有する化合物が用いら
れる。
を向上させかつレジストと反応する化合物であれば特に
制限されないが、例えばスチレン、クロロスチレン、ブ
ロモスチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン
、−アリルベンゼン、ジビニルベンゼン、ビニルトルエ
ン、ビニルベンジルクロライド、ペンシルメタクリレー
ト、ペンツルアクリレート、フェニルメタアクリレート
、フェニルアクリレート、１−フェニル−２−ブテン、
フェニルジアクリレート、フェニルエチルアクリレート
、フェニルエチルメタアクリレート、又はフェニルビニ
ルケトン等の芳香環と官能基とを有する化合物が用いら
れる。
尚、放射線の照射は大気田下又は減圧下のいずれでも行
なうことができるが、大体１０ Ｔｏｒｙ以下程度の減
圧下での照射が好ましい。
なうことができるが、大体１０ Ｔｏｒｙ以下程度の減
圧下での照射が好ましい。
又、本発明においては、得られたレジストパターンを減
圧下で放射線を照射する工程又は該レジストパターンを
膜を形成しない気体のプラズマにさらす工程とレジスト
パターンを有機化合物の蒸気にさらす工程とにおいて、
−の工程又は双方の工程において基板を加熱することに
より反応時間（重合時間）を短縮することができる。
圧下で放射線を照射する工程又は該レジストパターンを
膜を形成しない気体のプラズマにさらす工程とレジスト
パターンを有機化合物の蒸気にさらす工程とにおいて、
−の工程又は双方の工程において基板を加熱することに
より反応時間（重合時間）を短縮することができる。
尚、本発明においてプラズマ反応装置として内部に平行
平板型′電極を有する装置を用いることができ、さらに
電極の形状がコイル状のものでも使用できる。又、外部
から高周波を印加する装置を用いることもできる。用い
る高周波は、１３．５６ＭＨ２が好１しく用いられるが
、２．４５ＧＨ２のマイクロ波等も好ましく使用できる
＠ （４）発明の実施例 以下、本発明を更に実施例により説明する。
平板型′電極を有する装置を用いることができ、さらに
電極の形状がコイル状のものでも使用できる。又、外部
から高周波を印加する装置を用いることもできる。用い
る高周波は、１３．５６ＭＨ２が好１しく用いられるが
、２．４５ＧＨ２のマイクロ波等も好ましく使用できる
＠ （４）発明の実施例 以下、本発明を更に実施例により説明する。
医１旧Ｕ
市販のＰＭＭＡレソスト溶液を用いて５１０２は８１基
板上に厚さ１μｍのＰＭＭＡのレジスト膜をスピンコー
ド法により形成した。このレジスト膜に加速電圧２０
ｋＶの電子線を用い露光量８×１０″″５ｃ／７１！２
で０．５ｍｍＸ０．５慣のノＪ？ターンを抽画し、次い
で現像液にメチルイソブチルケトン（液温２０℃）を用
い、浸漬法によ９１分間現像しレジストパターンを形成
した。得られた試料を真空容器に入れ１ Ｘ １０
Ｔｏｒｒ以下となるように排気した。この真空容器中の
試別に６０ｃｏのγ線源（強度３×１０５ｒａ４／１１
ｒ）を用いてγ線を照射した。またドーズ員は２Ｘ１０
ｒａｄとした。次にこの真空容器ヘスチレン’ｉｏ、５
Ｔｏｒｒとなるように導入し、２時間そのまま放置した
。放置後の試別を反応性イオンエツチング装置を用いエ
ッチャントにＣＦ ４０ ｅ ０６ Ｔｏ ｒ ｒ、印
加電圧帆２Ｗ／ｃｍ２の条件でエツチングした。試別の
レジスト膜のエツチング速度は４６０１／１ｎｉｎであ
ることが判明した。比較のためγ線照射およびスチレン
にさらす処理をしなかった試料のレジスト膜のエツチン
グ速度は６００ Ｖｍｉｎであった。尚、パターンを抽
画したレジスト膜のない部分の５ｌｏ２のエツチング速
度を前記両試料について測定したところ共に３５０１／
１ｎｉｎであシ両者において差異は認められなかった。
板上に厚さ１μｍのＰＭＭＡのレジスト膜をスピンコー
ド法により形成した。このレジスト膜に加速電圧２０
ｋＶの電子線を用い露光量８×１０″″５ｃ／７１！２
で０．５ｍｍＸ０．５慣のノＪ？ターンを抽画し、次い
で現像液にメチルイソブチルケトン（液温２０℃）を用
い、浸漬法によ９１分間現像しレジストパターンを形成
した。得られた試料を真空容器に入れ１ Ｘ １０
Ｔｏｒｒ以下となるように排気した。この真空容器中の
試別に６０ｃｏのγ線源（強度３×１０５ｒａ４／１１
ｒ）を用いてγ線を照射した。またドーズ員は２Ｘ１０
ｒａｄとした。次にこの真空容器ヘスチレン’ｉｏ、５
Ｔｏｒｒとなるように導入し、２時間そのまま放置した
。放置後の試別を反応性イオンエツチング装置を用いエ
ッチャントにＣＦ ４０ ｅ ０６ Ｔｏ ｒ ｒ、印
加電圧帆２Ｗ／ｃｍ２の条件でエツチングした。試別の
レジスト膜のエツチング速度は４６０１／１ｎｉｎであ
ることが判明した。比較のためγ線照射およびスチレン
にさらす処理をしなかった試料のレジスト膜のエツチン
グ速度は６００ Ｖｍｉｎであった。尚、パターンを抽
画したレジスト膜のない部分の５ｌｏ２のエツチング速
度を前記両試料について測定したところ共に３５０１／
１ｎｉｎであシ両者において差異は認められなかった。
実施例２
実施例１と同様にして・屏＆沃、のレジストパ２−ン形
成後、得られた試料を真空容器内に入れ、容器内をＩ
Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。
成後、得られた試料を真空容器内に入れ、容器内をＩ
Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。
試料を加速電圧２０ ｋＶの電子線を照射量２×１０Ｃ
／ｃｒｎ２で照射し、その後容器内ヘスチレンｅｏ−５
Ｔｏｒｒ となるように導入し２時間放置した。実施例
１と同様に得られたレジ１スト膜のエツチング速度を測
定し４９０ル漏ｉｎの値を得た。これより耐ドライエツ
チング性が向上していることが判明した。
／ｃｒｎ２で照射し、その後容器内ヘスチレンｅｏ−５
Ｔｏｒｒ となるように導入し２時間放置した。実施例
１と同様に得られたレジ１スト膜のエツチング速度を測
定し４９０ル漏ｉｎの値を得た。これより耐ドライエツ
チング性が向上していることが判明した。
去１旦」
実施例１と同様にしてＰＭＭＡのレジスト・フタ−１ン
を形成し、真空容器内に試料を入れ、容器内をｌ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。次に試料を
５０℃に加熱しながら実施例１と同様にしてγ線を照射
しさら如スチレンを導入した。試料をスチレンに４５分
さらした後実施例１と同様に工１ツチング速度を測定し
、実施例ＩＫおけると同様の効果を得た。
を形成し、真空容器内に試料を入れ、容器内をｌ Ｘ
１０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気した。次に試料を
５０℃に加熱しながら実施例１と同様にしてγ線を照射
しさら如スチレンを導入した。試料をスチレンに４５分
さらした後実施例１と同様に工１ツチング速度を測定し
、実施例ＩＫおけると同様の効果を得た。
！流上」
市販のＰＧＭＡレソスト溶液を用いて実施例１と同様に
してレジスト膜を形成し電子線を用いてし２１ソストパ
ターンを形成した。但し露光量は９ Ｘ １０ Ｃ７
ｃｍ２とし、現像液にメチルエチルケトン／エタノール
（５／１ ：体積比）を用いた。次にこの試料を実施例
１と同様にγ線を照射し、その後、ペンシルメタクリレ
ートを帆４Ｔｏｒｒ となるまで導入し、２時間放置し
た。実施例１におけると同様にエツチング速度を測定し
４８０ Ｖｍｉｎ ｆ得た。前記の処理しなかったレジ
ストのエツチング速度は５８０Ｘ／ｌＴｌＩｎであった
。
してレジスト膜を形成し電子線を用いてし２１ソストパ
ターンを形成した。但し露光量は９ Ｘ １０ Ｃ７
ｃｍ２とし、現像液にメチルエチルケトン／エタノール
（５／１ ：体積比）を用いた。次にこの試料を実施例
１と同様にγ線を照射し、その後、ペンシルメタクリレ
ートを帆４Ｔｏｒｒ となるまで導入し、２時間放置し
た。実施例１におけると同様にエツチング速度を測定し
４８０ Ｖｍｉｎ ｆ得た。前記の処理しなかったレジ
ストのエツチング速度は５８０Ｘ／ｌＴｌＩｎであった
。
去五月１
市販のＰＭＭＡレソスト溶液を用いて５１０２はＳｔ基
板上に厚さ１μｍのＰＭＭＡのレジスト膜をスピンコー
ド法により形成した。このレジスト膜に加速電圧２０
ｋＶの電子線を用い露光量８×１０Ｃ／ｒｎ２で０．５
＋ｍｎＸ帆５ｗ＋ｍのノぐターンを抽画し、次いで現像
液にメチルイソブチルケトン（液温２０℃）を用い、浸
漬法により１分間現像しレジスト・やターンを形成した
。得られた試料を真空容器に入れＩ Ｘ １０ Ｔｏ
ｒｒ以下となるように排気した。この真空容器にアルゴ
ンを０．ＩＴｏｒｒとなるように導入し、１３．５６Ｍ
Ｈ２の高周波を２分間印加した。尚、印加ＨＩ力は０
、３ Ｗ／１ｙｎ２とした。その後、反応容器内を再た
びＩ Ｘ ＨＩ Ｔｏｒｒ以下まで排気した。次いで
１ スチレン′に０．２Ｔｏｒｒとなるまで導入し２時
間そのまま散瞳した。放置後の試料を反応性イオンエツ
チング装置を用いエッチャントにｃＦ４ｏ、ｏ６Ｔｏｒ
ｒ＋印加電圧０ 、２ Ｗ／ｃｍ２０条件でエツチング
した。試料のレジスト膜のエツチング速度は４８０Ｘ／
ｍｌｎであることが判明した。比較のためノラズマにさ
らす処理をしなかった試料のレジスト膜のエツチング速
度は６０ｏＸ／ｎ１１ｎであった。
板上に厚さ１μｍのＰＭＭＡのレジスト膜をスピンコー
ド法により形成した。このレジスト膜に加速電圧２０
ｋＶの電子線を用い露光量８×１０Ｃ／ｒｎ２で０．５
＋ｍｎＸ帆５ｗ＋ｍのノぐターンを抽画し、次いで現像
液にメチルイソブチルケトン（液温２０℃）を用い、浸
漬法により１分間現像しレジスト・やターンを形成した
。得られた試料を真空容器に入れＩ Ｘ １０ Ｔｏ
ｒｒ以下となるように排気した。この真空容器にアルゴ
ンを０．ＩＴｏｒｒとなるように導入し、１３．５６Ｍ
Ｈ２の高周波を２分間印加した。尚、印加ＨＩ力は０
、３ Ｗ／１ｙｎ２とした。その後、反応容器内を再た
びＩ Ｘ ＨＩ Ｔｏｒｒ以下まで排気した。次いで
１ スチレン′に０．２Ｔｏｒｒとなるまで導入し２時
間そのまま散瞳した。放置後の試料を反応性イオンエツ
チング装置を用いエッチャントにｃＦ４ｏ、ｏ６Ｔｏｒ
ｒ＋印加電圧０ 、２ Ｗ／ｃｍ２０条件でエツチング
した。試料のレジスト膜のエツチング速度は４８０Ｘ／
ｍｌｎであることが判明した。比較のためノラズマにさ
らす処理をしなかった試料のレジスト膜のエツチング速
度は６０ｏＸ／ｎ１１ｎであった。
尚、ノ平ターンを抽画したレジスト膜のない部分のＳＩ
Ｏ□のエツチング速度を前記両試料について測定したと
ころ共Ｋ ３５０ Ｘ／ｍｉｎであシ両者において差異
は認められなかった。
Ｏ□のエツチング速度を前記両試料について測定したと
ころ共Ｋ ３５０ Ｘ／ｍｉｎであシ両者において差異
は認められなかった。
去１上四
市販のＰＧＭＡレジスト溶液を用いて実施例１と同様に
してレジスト膜を形成し電子線を用いてレソストノやタ
ーンを形成した。但し露光量は９Ｘ１０Ｃ／Ｇ−とし、
現像液にメチルエチルクト７ ／ −Ｃｌ’ ／−ル（
５／１ ：体積比）を用いた。次にこの試料を実施例５
と同様にプラズマ処理をし、次に４−クロロスチレンを
０．ＩＴｏｒｒとなるまで導入し、２時間放置した。実
施例５におけると同様にエツチング速度を測定し４６０
ル仝ｉｎを得た。
してレジスト膜を形成し電子線を用いてレソストノやタ
ーンを形成した。但し露光量は９Ｘ１０Ｃ／Ｇ−とし、
現像液にメチルエチルクト７ ／ −Ｃｌ’ ／−ル（
５／１ ：体積比）を用いた。次にこの試料を実施例５
と同様にプラズマ処理をし、次に４−クロロスチレンを
０．ＩＴｏｒｒとなるまで導入し、２時間放置した。実
施例５におけると同様にエツチング速度を測定し４６０
ル仝ｉｎを得た。
前記の処理しなかったレジストのエツチング速度は５８
０ル４ｉｎであった。この結果から分かるように、耐ド
ライエツチング性が改良されている。
０ル４ｉｎであった。この結果から分かるように、耐ド
ライエツチング性が改良されている。
１１１ユ
実施例５と同様にしてＰＭＭＡのレソストパターン形成
後、得られた試料をプラズマ反応装置内に入れ、容器内
１ｃ Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気し
た。排気後、ヘリウムを帆２Ｔｏｒｒとなるまで導入し
、実施例５と同様にして反応容器内を再たび排気し、フ
ェニルメタクリレートを０．３Ｔｏｒｒとなるまで導入
し３時間放置した。得られた試料について反応性イオン
エツチング装置を用い、エッチャントＣＦ４．０−０４
Ｔｏｒｒ、印加電力０．３Ｗ／ｌｙｎの条件でエツチン
グした。その結果、エツチング速度は６７０１／ｍｌｎ
であった。一方、プラズマ処理を行なわなかったＰＭＭ
Ａ レソストパターンのエツチング速度は８１０１／１
ｍ１ｎであった。
後、得られた試料をプラズマ反応装置内に入れ、容器内
１ｃ Ｉ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ以下となるまで排気し
た。排気後、ヘリウムを帆２Ｔｏｒｒとなるまで導入し
、実施例５と同様にして反応容器内を再たび排気し、フ
ェニルメタクリレートを０．３Ｔｏｒｒとなるまで導入
し３時間放置した。得られた試料について反応性イオン
エツチング装置を用い、エッチャントＣＦ４．０−０４
Ｔｏｒｒ、印加電力０．３Ｗ／ｌｙｎの条件でエツチン
グした。その結果、エツチング速度は６７０１／ｍｌｎ
であった。一方、プラズマ処理を行なわなかったＰＭＭ
Ａ レソストパターンのエツチング速度は８１０１／１
ｍ１ｎであった。
去り上」
実施例５と同様にしてＰ■仏レゾスト１ｌｌ−ンを形成
した後、同様にしてプラズマ反応装置内へ試料を設置し
た。接地電極内に温水を流すことによシ、試料を５０℃
に加熱した後、実施例５と同様にアルゴンプラズマにさ
らし更にスチレンにさらした。スチレンにさらす時間は
１時間とした。
した後、同様にしてプラズマ反応装置内へ試料を設置し
た。接地電極内に温水を流すことによシ、試料を５０℃
に加熱した後、実施例５と同様にアルゴンプラズマにさ
らし更にスチレンにさらした。スチレンにさらす時間は
１時間とした。
実施例５と同様にエツチング速度に測定したところ、実
施例５と同様の値を得た。
施例５と同様の値を得た。
（５）発明の詳細
な説明したように本発明は構成されるものであるから、
従来のレノストが有する優れた特性を維持したままで、
形成したレジストノ９ターンの耐ドライエツチング性を
著るしく改良する効果を奏する。従ってドライエツチン
グを用いて半導体素子等を製造する際の歩留りおよび信
頼性を向上′せしめることが可能となる。
従来のレノストが有する優れた特性を維持したままで、
形成したレジストノ９ターンの耐ドライエツチング性を
著るしく改良する効果を奏する。従ってドライエツチン
グを用いて半導体素子等を製造する際の歩留りおよび信
頼性を向上′せしめることが可能となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、基板上にレノスト膜を形成し、該レジスト膜に放射
線を照射し、次いで現像し基板上に所望のレソストノや
ターンを形成し、得られたレゾストパターンに、放射線
を照射するか又は得られたレジストパターンに膜を形成
しない気体のプラズマにさらし、次いでレジスト・母タ
ーン全有機化合物の蒸気にさらすことを特徴とする、ツ
ヤターン形成方法。 ２、前記レジストパターンに照射する放射線が、γ線、
電子線、Ｘ線、α線、中性子線、イオンビーム、紫外線
又は遠紫外線である、特許請求の範囲第１項記載の方法
・ ３、前記の得られたレジストパターンを放射線を照射す
る工程又は該レノストパターンを膜を形成しない気体の
プラズマにさらす工程とレノスト・！ターンを有機化合
物の蒸気にさらす工程とにおい℃、−の工程又は双方の
工程におい１基板を加熱することを特徴とする特許請求
の範囲第１項又は第２項記載の方法。 ４、前記放射線の照射を減圧下で行う、特許請求の範囲
第１項ないし第３項のいずれかに記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750782A JPS5957432A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16750782A JPS5957432A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5957432A true JPS5957432A (ja) | 1984-04-03 |
Family
ID=15850958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16750782A Pending JPS5957432A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5957432A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0187421A2 (en) * | 1985-01-11 | 1986-07-16 | Philips Electronics Uk Limited | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JPS6237932A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JPH02250006A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジストの剥離方法 |
| JPH0442522A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Nec Corp | レジスト硬化方法 |
| JPH04151668A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| US9656825B2 (en) | 2011-10-24 | 2017-05-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Leader devices usable with roll media and image forming system having output member |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP16750782A patent/JPS5957432A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0187421A2 (en) * | 1985-01-11 | 1986-07-16 | Philips Electronics Uk Limited | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JPS6237932A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-18 | Matsushita Electronics Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH01123232A (ja) * | 1987-11-09 | 1989-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| JPH02250006A (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-05 | Fujitsu Ltd | レジストの剥離方法 |
| JPH0442522A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Nec Corp | レジスト硬化方法 |
| JPH04151668A (ja) * | 1990-10-15 | 1992-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | パターン形成方法 |
| US9656825B2 (en) | 2011-10-24 | 2017-05-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Leader devices usable with roll media and image forming system having output member |
| US9981820B2 (en) | 2011-10-24 | 2018-05-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Accessories usable with roll media and image forming system having output member |
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